專利名稱：發(fā)光二極管封裝結構及發(fā)光二極管立體顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結構與發(fā)光二極管立體顯示裝置，特別涉及一種具有多個可視區(qū)域(viewable area)的發(fā)光二極管封裝結構與發(fā)光二極管立體顯示裝置。
背景技術：
目前，立體顯示裝置用以顯示立體影像的方法主要為二種，一種為觀看者須佩帶經過特殊處理的眼鏡觀看顯示裝置，使左眼與右眼所接收到影像不同、或左眼與右眼影像交替而產生立體影像，此方法因需要觀看者額外佩帶眼鏡才可看到立體影像，造成使用上較不方便。另一種為裸眼式的顯示裝置，此方法為顯示裝置運用光柵的原理，使觀看者不需佩帶任何額外的裝置即可讓左眼與右眼所看到的影像不同而產生立體影像，目前應用于印刷品、棒球卡或部分裸眼式的電子立體顯示器。如美國專利申請案第20090237914號所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其包括一個基板，多個像素以及一個柱狀透鏡陣列。該多個像素設置于該基板上，每一個像素包括多個不同色光發(fā)光二極管；該多個像素組成沿一第一方向交替排列的多個奇數列像素區(qū)及多個偶數列像素區(qū)；該柱狀透鏡陣列與該基板相對設置且與該多個像素相鄰，其包括多個沿該第一方向排列的柱狀透鏡，每一個柱狀透鏡包括一個遠離該多個像素的凸柱面，且每一個該柱狀透鏡對應一個奇數列像素區(qū)及與該奇數列像素區(qū)相鄰的一個偶數列像素區(qū)。上述的發(fā)光二極管顯示裝置雖然可使觀看者不需配戴特殊眼鏡即可看到立體的影像，但存在有僅有單一可視區(qū)域(viewable area)的問題。由于上述的發(fā)光二極管顯示裝置需利用大面積的柱狀透鏡陣列與奇數列像素區(qū)及偶數列像素區(qū)對應，且大面積的柱狀透鏡陣列于制作時容易于壓模時產生變形或冷卻時產生熱應力進而變形，存在有制作困難的問題。再者，由于不同波長的光于同一材料中折射率不同，將同一像素中發(fā)射不同色光的發(fā)光二極管芯片封裝于同一柱狀透鏡陣列內，會使得不同色光經同一柱狀透鏡陣列后產生的折射角不同，進而使觀看者于較遠的距離觀看發(fā)光二極管顯示裝置時，立體影像的質量降低。

發(fā)明內容
鑒于以上問題，本發(fā)明所要解決的技術問題在于提出一種發(fā)光二極管封裝結構與發(fā)光二極管立體顯示裝置，藉以解決現有發(fā)光二極管立體顯示裝置所存在僅具有單一可視區(qū)域，工藝困難以及當觀看者的眼睛與發(fā)光二極管立體顯示裝置隨著觀賞距離改變而影像的質量也隨之改變的問題。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的一實施例，發(fā)光二極管封裝結構包括發(fā)光二極管芯片、封裝體以及光學元件。其中，封裝體用以包覆發(fā)光二極管芯片，光學元件設置于封裝體上。發(fā)光二極管芯片發(fā)射光束，光束經過光學元件后分成多個次光束，每一次光束分別投射于相對應的像平面。
依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的一實施例，發(fā)光二極管封裝結構，包括第一發(fā)光二極管芯片、第二發(fā)光二極管芯片、封裝體以及光學元件。其中，封裝體用以包覆第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片，光學元件配置于封裝體上。第一發(fā)光二極管芯片發(fā)射第一光束，第二發(fā)光二極管芯片發(fā)射第二光束。第一光束經過光學元件后分成多個第一次光束，每一第一次光束分別投射于相對應的第一像平面。第二光束經過光學元件后分成多個第二次光束，每一第二次光束分別投射于相對應的第二像平面，這些第一像平面與這些第二像平面交替排列。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的一實施例，發(fā)光二極管封裝結構包括至少一發(fā)光單元、封裝體以及光學元件。其中，發(fā)光單元包括第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片，第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片沿一方向依序排列。封裝體用以包覆發(fā)光單元，光學元件配置于封裝體上。第一發(fā)光二極管芯片射出第一光束，第二發(fā)光二極管芯片射出第二光束。第一光束與第二光束分別經過部分光學元件而投射于像平面， 第一光束所投射于像平面的位置配置于第二光束所投射于像平面的位置的一側。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例，發(fā)光二極管立體顯示裝置具有多個可視區(qū)域，發(fā)光二極管立體顯示裝置包括基板、多個第一像素區(qū)以及多個第二像素區(qū)。多個第一像素區(qū)與多個第二像素區(qū)配置于基板上，且沿一方向交替排列。每一第一像素區(qū)包括多個第一像素單元，每一第一像素單元包括多個第一發(fā)光二極管封裝結構， 每一第一發(fā)光二極管封裝結構包括第一發(fā)光二極管芯片、第一封裝體以及第一光學元件。 其中，第一封裝體用以包覆第一發(fā)光二極管芯片，第一光學元件配置于第一封裝體上。第一發(fā)光二極管芯片發(fā)射第一光束，第一光束經過第一光學元件后分成多個第一次光束，每一第一次光束分別投射于相對應的第一像平面。每一第二像素區(qū)包括多個第二像素單元，每一第二像素單元包括多個第二發(fā)光二極管封裝結構，每一第二發(fā)光二極管封裝結構對應于每一第一發(fā)光二極管封裝結構。每一第二發(fā)光二極管封裝結構包括第二發(fā)光二極管芯片、第二封裝體以及第二光學元件。其中， 第二封裝體用以包覆第二發(fā)光二極管芯片，第二光學元件配置于第二封裝體上。第二發(fā)光二極管芯片發(fā)射第二光束，第二光束經過第二光學元件后分成多個第二次光束，每一第二次光束分別投射于相對應的第二像平面。每一第二像平面相對應于每一第一像平面，每一第二像平面與相對應的每一第一像平面的相鄰區(qū)域形成可視區(qū)域。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例，發(fā)光二極管立體顯示裝置具有多個可視區(qū)域，發(fā)光二極管立體顯示裝置包括基板以及多個像素區(qū)。多個像素區(qū)配置于基板上，每一像素區(qū)包括多個發(fā)光二極管封裝結構。每一發(fā)光二極管封裝結構包括第一發(fā)光二極管芯片、第二發(fā)光二極管芯片、封裝體以及光學元件。其中，封裝體用以包覆第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片，光學元件配置于封裝體上。第一發(fā)光二極管芯片發(fā)射第一光束，第一光束經過光學元件后分成多個第一次光束，每一第一次光束分別投射于相對應的第一像平面。第二發(fā)光二極管芯片發(fā)射第二光束，第二光束經過光學元件后分成多個第二次光束，每一第二次光束分別投射于相對應的第二像平面。每一第二像平面相對應于每一第一像平面，每一第二像平面與相對應的每一第一像平面的相鄰區(qū)域形成一可視區(qū)域。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例，發(fā)光二極管立體顯示裝置包括基板以及多個發(fā)光二極管封裝結構。多個發(fā)光二極管封裝結構配置于基板上，每一發(fā)光二極管封裝結構包括至少一發(fā)光單元、封裝體以及光學元件。其中，發(fā)光單元包括第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片，第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片沿一方向依序排列。封裝體用以包覆發(fā)光單元，光學元件配置于封裝體上。第一發(fā)光二極管芯片射出第一光束，第二發(fā)光二極管芯片射出第二光束，第一光束與第二光束相對應。第一光束與第二光束分別經過部分光學元件而投射于像平面，第一光束所投射于像平面的位置與第二光束所投射于像平面的位置的相鄰區(qū)域形成可視區(qū)域。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構，可通過光學元件的設計以控制像平面的數量，達到多視角的目的。接著，可通過封裝體的折射率與光學元件的設計控制像平面的位置，其中，封裝體的折射率受光束的波長影響。再者，發(fā)光二極管芯片與中心軸的距離以及相對位置也會影響像平面的位置分布。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置，可通過發(fā)光二極管封裝結構的設計與發(fā)光二極管配置于基板上不同的位置，進而使得發(fā)光二極管立體顯示裝置于多個視角皆可成像，其中，光學元件的設計會影響可視區(qū)域的數量。因此，可依據實際需求調整每一發(fā)光二極管封裝結構，進而使觀看者的眼睛所看到立體影像的質量提升。再者，依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置，當發(fā)光二極管封裝結構所包括的發(fā)光單元數量越多時，可視區(qū)域的數量也隨的增加。而且，可通過封裝體的折射率與光學元件的設計以調整可視區(qū)域的位置，進而將每一發(fā)光單元所形成的可視區(qū)域錯開，達到不同可視區(qū)域所呈現的影像不同的目的，其中，第一光束與第二光束的波長會影響封裝體折射率。以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖IA為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第一實施例俯視結構示意圖；圖IB為依據圖IA的1B-1B剖視結構示意圖；圖IC為依據圖IB的光束追蹤示意圖；圖2A為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第二實施例剖視結構示意圖；圖2B為依據圖2A的光束追蹤示意圖；圖3A為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第三實施例剖視結構示意圖；圖3B為依據圖3A的光束追蹤示意圖；圖4A為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第四實施例剖視結構示意圖；圖4B為依據圖4A的光束追蹤示意圖；圖5為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置的第一實施例結構示意圖；圖6為依據圖5的第二發(fā)光二極管封裝結構與其相對應的第一發(fā)光二極管封裝結構的剖視結構示意圖7為依據圖6的光束追蹤示意圖；圖8為圖2A、圖3A與圖4A的發(fā)光二極管封裝結構配置于同一基板不同位置的一實施例光束追蹤示意圖；圖9為圖2A、圖3A與圖4A的發(fā)光二極管封裝結構配置于同一基板不同位置的另一實施例光束追蹤示意圖；圖IOA為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第五實施例俯視結構示意圖；圖IOB為依據圖IOA的10B-10B剖視結構示意圖；圖IOC為依據圖IOB的光束追蹤示意圖；圖11為依據圖IOB的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖；圖12A為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第六實施例俯視結構示意圖；圖12B為依據圖12A的12B-12B剖視結構示意圖；圖12C為依據圖12B的光束追跡示意圖；圖13為依據圖12B的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖；圖14A為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第七實施例俯視結構示意圖；圖14B為依據圖14A的14B-14B剖視結構示意圖；圖14C為依據圖14B的光束追蹤示意圖；圖15為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置的第二實施例結構示意圖；圖16為依據圖15的第二發(fā)光二極管封裝結構與其相對應的第一發(fā)光二極管封裝結構的剖視結構示意圖；圖17為依據第16圖的光束追蹤示意圖；圖18A為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第八實施例俯視結構示意圖；圖18B為依據圖18A的18B-18B剖視結構示意圖；圖18C為依據圖18B的光束追蹤示意圖；圖19為依據圖18B的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖；圖20A為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第九實施例俯視結構示意圖；圖20B為依據圖20A的20B-20B剖視結構示意圖；圖20C為依據圖20B的光束追跡示意圖；圖21為依據圖20B的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖。其中，附圖標記
30、32、34、116、528 光束31、80 基板33、82 第一區(qū)域35、84 第二區(qū)域37、86第三區(qū)域45、46、47、48、49 曲面55、56、57、58、59 曲面65、66、67、68、69 曲面40、50、60發(fā)光二極管封裝結構41、51、61、102、502 發(fā)光二極管芯片42、52、62、90、92、94 中心軸43、53、63 封裝體44、54、64、106、306、410 透鏡100、300、400、500發(fā)光二極管封裝結構104、304、402、504 封裝體1101、1102、1103、1104 曲面1105,411 曲面1141、1142、1143、1144 像平面1145 像平面1181、1182、1183、1184 次光束1185 次光束120、352、414、540 基座121、354、418、542 中心軸122、356、416、544 容置空間123、358、419、546 內側壁200、360、420、600發(fā)光二極管立體顯示裝置2021、2022、2023 可視區(qū)域2024、2025 可視區(qū)域204、362、422、604 基板206、6。6 第一像素區(qū)208、608 第二像素區(qū)210、610第一像素單元212、612、702第一發(fā)光二極管封裝結構214、302第一發(fā)光二極管芯片216、6比第一封裝體218 第一透鏡2201、2202、2203、2204 曲面2205 曲面2221、2222、2223、2224 第一像平面
2225第一像平面224、4081、4083、4085 第一光束2261、2262、2263、2264 第一次光束2265第一次光束228,641第二像素單元229 像素230、6411第二發(fā)光二極管封裝結構232、303第二發(fā)光二極管芯片234、640 第二封裝體236 第二透鏡2381、2382、2383、2384 第二曲面2385 第二曲面2401、2402、2403、2404 第二像平面2405第二像平面242、4082、4084、4086 第二光束2441、2442、2443、2444 第二次光束2445第二次光束246、664 第一基座247、665 第一內側壁248、666 第二基座249、667 第二內側壁250、668第一容置空間252、670 第一中心軸254、672第二容置空間256、674 第二中心軸308、310、312、314、316 曲面3181、3201、3221、3241 第一像平面3261第一像平面3182、3202、3222、3242 第二像平面3262第二像平面330、332、334、336、338 第一次光束342、344、346、348、350 第二次光
364、424、750、824 像素區(qū)4041、8041 第一發(fā)光單元4042、8042 第二發(fā)光單元4043、8043第三發(fā)光單元4061、4063、4065 第一發(fā)光二極管芯片4062、4064、4066 第二發(fā)光二極管芯片4121、4122、4123 像平面
451、461、471、481、491 次光束453、463、473、483、493 像平面512、706、810 視差柵欄513、514、515、516、813 遮蔽區(qū)517、518、519、520、521 顯露區(qū)522、523、524、525、526 像平面530、532、534、536、538 次光束551、561、571、581、591 次光束553、563、573、583、593 像平面601、603、673、683、693 像平面6021、6022、6023、6024 可視區(qū)域6025可視區(qū)域605、607、671、681、691 次光束614、8061、8063、8065 第一發(fā)光二極管芯片618第一視差柵欄619、620、621、622 第一遮蔽區(qū)623、624、625、626、627 第一顯露區(qū)628、629、630、631、632 第一像平面634、8081、8083、8085 第一光束635、636、637、638、639 第一次光束637、703第二發(fā)光二極管芯片658、8082、8084、8086 第二光束642第二視差柵欄643、644、645、646 第二遮蔽區(qū)647、648、649、650、651 第二顯露區(qū)652、653、654、655、656 第二像平面659、660、661、662、663 第二次光束700、800發(fā)光二極管封裝結構704、802 封裝體738、814 基座740、818 中心軸742、816 容置空間744,819 內側壁746、820發(fā)光二極管立體顯示裝置748、822 基板707、708、709、710 遮蔽區(qū)711、712、713、714、715 顯露區(qū)716、717、718、719、720 第一像平面721、722、723、724、725 第二像平面
727、728、729、730、731 第一次光束733、734、735、736、737 第二次光束8062、8064、8066 第二發(fā)光二極管芯片811顯露區(qū)8121、8122、8123 像平面
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明的結構原理和工作原理作具體的描述請參照圖IA與圖1B，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第一實施例俯視結構示意圖與依據圖IA的1B-1B剖視結構示意圖。發(fā)光二極管封裝結構100包括發(fā)光二極管芯片102、封裝體104與光學元件。其中，光學元件為透鏡106，透鏡106設置于封裝體104上，并包括多個曲面1101、1102、1103、1104、1105。封裝體104用以包覆發(fā)光二極管芯片102。請參照圖1C，為依據圖IB的光束追蹤示意圖。每一曲面1101、1102、1103、1104、 1105分別具有相對應的像平面1141、1142、1143、1144、1145。在本實施例中，曲面的數量為五個，像平面的數量也為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。也就是說，當曲面的數量為六個，像平面的數量也為六個。更詳細地說，當曲面的數量越多時，像平面的數量也隨的增加。其中，由于圖IC為依據圖IB的光束追蹤示意圖，每一像平面1141、1142、1143、1144、 1145于圖IC圖面為一線段。在本實施例中，每一像平面1141、1142、1143、1144、1145可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。當發(fā)光二極管芯片102發(fā)射光束116且分別經過多個曲面1101、1102、1103、1104、 1105后，發(fā)光二極管芯片102所發(fā)射的光束116被分成多個次光束1181、1182、1183、1184、 1185，且每一次光束 1181、1182、1183、1184、1185 投射于相對的像平面 1141、1142、1143、 1144、1145。其中，次光束的數量可與曲面的數量相同。在本實施例中，封裝體104與透鏡 106分別具有折射率(未標示)，曲面1101、1102、1103、1104、1105分別具有曲率半徑(未標示)，像平面1141、1142、1143、1144、1145的位置是依據封裝體104的折射率、透鏡106的折射率與曲面1101、1102、1103、1104、1105所分別具有曲率半徑所決定。其中，封裝體104 與透鏡106所分別具有折射率會受光束116的波長影響。請參照圖1B，發(fā)光二極管封裝結構100還可包括基座120，基座120包括中心軸 121與容置空間122。發(fā)光二極管芯片102配置于容置空間122中，發(fā)光二極管芯片102可配置于中心軸121的左邊，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。也就是說，發(fā)光二極管芯片102 也可配置于中心軸121上或是中心軸121的右邊。需注意的是，像平面1141、1142、1143、 1144,1145的位置分布依據發(fā)光二極管芯片102與中心軸121的距離與相對位置而有所改變。舉例而言，請參照圖1B、圖1C、圖2A、圖2B、圖3A、圖3B、圖4A與圖4B，其中，圖2A、 圖3A與圖4A分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第二實施例、第三實施例與第四實施例剖視結構示意圖，圖2B、圖3B與圖4B分別為依據圖2A、圖3A與圖4A的光束追蹤示意圖。在圖2A與圖2B中，發(fā)光二極管封裝結構40包括發(fā)光二極管芯片41、中心軸42、封裝體43與透鏡44 (即光學元件)，封裝體43將發(fā)光二極管芯片41包覆，透鏡44設置于封裝體43上。透鏡44包括多個曲面45、46、47、48、49，發(fā)光二極管芯片41發(fā)射光束30，光束30經曲面45、46、47、48、49后分成五次光束451、461、471、481、491，且每一次光束451、 461、471、481、491 分別投射于像平面 453、463、473、483、493。在圖3A與圖3B中，發(fā)光二極管封裝結構50包括發(fā)光二極管芯片51、中心軸52、 封裝體53與透鏡54 (即光學元件)，封裝體53將發(fā)光二極管芯片51包覆，透鏡54設置于封裝體53上。透鏡54包括多個曲面55、56、57、58、59，發(fā)光二極管芯片51發(fā)射光束32，光束32經曲面55、56、57、58、59后分成五次光束551、561、571、581、591，且每一次光束551、 561、571、581、591分別投射于像平面553、563、573、583、593。在圖4A與圖4B中，發(fā)光二極管封裝結構60包括發(fā)光二極管芯片61、中心軸62、封裝體63與透鏡64 (即光學元件)，封裝體63將發(fā)光二極管芯片61包覆，透鏡64設置于封裝體63上。透鏡64包括多個曲面 65、66、67、68、69，發(fā)光二極管芯片61發(fā)射光束34，光束34經曲面65、66、67、68、69后分成五次光束605、607、671、681、691，且每一次光束605、607、671、681、691分別投射于像平面 601、603、673、683、693。請參照圖1B、圖2A與圖4A，發(fā)光二極管芯片102配置于中心軸121的左邊，發(fā)光二極管芯片41配置于中心軸42的右邊，發(fā)光二極管芯片61配置于中心軸62上。請參照圖1C、圖2B與圖4B，像平面1141、1142、1143、1144、1145的位置分布較偏于圖IC圖面的右邊，像平面453、463、473、483、493的位置分布較偏于圖2B圖面的左邊，像平面601、603、 673、683、693的位置較平均分布于圖4B圖面。因此，可知發(fā)光二極管芯片與中心軸的相對位置會影響像平面的位置分布。請參照圖2A、圖3A與圖4A，發(fā)光二極管芯片41配置于中心軸42的右邊，發(fā)光二極管芯片51配置于中心軸52的右邊，且發(fā)光二極管芯片41與中心軸42的距離比發(fā)光二極管芯片51與中心軸52的距離大，發(fā)光二極管芯片61配置于中心軸62上。請參照圖2B、 圖3B與圖4B，像平面453、463、473、483、493的位置分布比像平面553、563、573、583、593的位置分布偏圖面的左邊，而像平面601、603、673、683、693的位置較平均分布于圖4B圖面。 因此，可知發(fā)光二極管芯片與中心軸的距離會影響像平面的位置分布。請參照圖1C，基座120還可包括內側壁123，內側壁123環(huán)繞容置空間122，且入射內側壁123的光束116被內側壁123吸收，以避免內側壁123反射光束116而影響發(fā)光二極管封裝結構100的成像質量。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構可通過控制曲面的數量，以獲得多個像平面。通過封裝體的折射率、透鏡的折射率與每一曲面的曲率半徑的關系可控制像平面的位置，其中，封裝體與透鏡所分別具有的折射率受光束的波長影響。接著，發(fā)光二極管芯片與中心軸的距離以及相對位置也會影響像平面的位置分布。再者，利用入射內側壁的光束可被內側壁吸收，以確保發(fā)光二極管封裝結構的成像質量。請參照圖5、圖6與圖7，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置的第一實施例結構示意圖、依據圖5的第二發(fā)光二極管封裝結構與其相對應的第一發(fā)光二極管封裝結構的剖視結構示意圖與依據圖6的光束追蹤示意圖。發(fā)光二極管立體顯示裝置 200具有多個可視區(qū)域2021、2022、2023、2024、2025(請參照圖7)，可視區(qū)域2021、2022、 2023,2024,2025隔一距離。在本實施例中，可視區(qū)域的數量為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。其中，可視區(qū)域2021、2022、2023、2024、2025為觀看者可觀看到立體影像的區(qū)域，且由于圖7為依據圖6的光束追蹤示意圖，可視區(qū)域2021、2022、2023、2024、2025于圖 6圖面可為一線段。在本實施例中，每一可視區(qū)域2021、2022、2023、2024、2025可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。發(fā)光二極管立體顯示裝置200包括基板204、多個第一像素區(qū)206與多個第二像素區(qū)208。第一像素區(qū)206與第二像素區(qū)208沿方向P交替排列且配置于基板204上。其中，第一像素區(qū)206的成像可為觀看者的右眼所接收，第二像素區(qū)208的成像可為觀看者的左眼所接收，但本實施例并非用以限制本發(fā)明。每一第一像素區(qū)206包括多個第一像素單元210，每一第一像素單元210包括多個第一發(fā)光二極管封裝結構212，每一第一像素區(qū)206 所包括的第一像素單元210數量與每一第一像素單元210所包括的第一發(fā)光二極管封裝結構212的數量可依據實際需求進行調整。每一第一發(fā)光二極管封裝結構212包括第一發(fā)光二極管芯片214、第一封裝體216 與第一光學元件。在本實施例中，第一光學元件可為但不限于第一透鏡218。第一封裝體 216用以包覆第一發(fā)光二極管芯片214，第一透鏡218配置于第一封裝體216上。第一透鏡 218 包括多個第一曲面 2201、2202、2203、2204、2205，每一第一曲面 2201、2202、2203、2204、 2205分別具有相對的第一像平面2221、2222、2223、2224、2225，其中，第一曲面的數量、第一像平面的數量與可視區(qū)域的數量相同。在本實施例中，第一曲面的數量為五個，第一像平面的數量為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。第一發(fā)光二極管芯片202發(fā)射第一光束224，第一光束224分別經第一曲面2201、 2202、2203、2204、2205 后，分成第一次光束 2261、2262、2263、2264、2265，且第一次光束 2261、2262、2263、2264、2265 分別投射于第一像平面 2221、2222、2223、2224、2225。在本實施例中，每一第一像平面2221、2222、2223、2224、2225可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。每一第二像素區(qū)208包括多個第二像素單元228，每一第二像素單元228包括多個第二發(fā)光二極管封裝結構230，每一第二像素區(qū)208所包括的第二像素單元228數量與每一第二像素單元228所包括的第二發(fā)光二極管封裝結構230的數量可依據實際需求進行調整。每一第二像素單元228對應于每一第一像素單元210，每一第二發(fā)光二極管封裝結構 230對應于每一第一發(fā)光二極管封裝結構212，其中，每一第二像素單元228與其相對應的每一第一像素單元210構成一像素229。每一第二發(fā)光二極管封裝結構230包括第二發(fā)光二極管芯片232、第二封裝體234與第二光學元件。在本實施例中，第二光學元件可為但不限于第二透鏡236。第二封裝體234用以包覆第二發(fā)光二極管芯片232，第二透鏡236設置于第二封裝體234上。第二透鏡236包括多個第二曲面2381、2382、2383、2384、2385，每一第二曲面
2381、2382、2383、2384、2385分別具有相對的第二像平面 2401、2402、2403、2404、2405，其
中，第二次曲面的數量與第一次曲面的數量相同，第二像平面的數量與可視區(qū)域的數量相同。在本實施例中，第二次曲面的數量為五個，第二像平面的數量為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。第二發(fā)光二極管芯片232發(fā)射第二光束242，第二光束242分別經第二曲面2381、
2382、2383、2384、2385后分成第二次光束 2441、2442、2443、2444、2445。第二次光束 2441、2442、2443、2444、2445 分別投射于第二像平面 2401、2402、2403、2404、2405。在本實施例中，每一第二像平面2401、2402、2403、2404、2405可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。其中，第一像平面的數量與第二像平面的數量相同，且每一第二像平面2401、 2402、2403、2404、2405 分別與每一第一像平面 2221、2222、2223、2224、2225 相對應。部分第二像平面 2401、2402、2403、2404、2405 與相對應的部分第一像平面 2221、2222、2223、2224、 2225可形成可視區(qū)域2021、2022、2023、2024、2025。也就是說，部分第二像平面2401與相對應的部分第一像平面2221可形成可視區(qū)域2021，部分第二像平面2402與相對應的部分第一像平面2222可形成可視區(qū)域2022，部分第二像平面2403與相對應的部分第一像平面 2223可形成可視區(qū)域2023，部分第二像平面2404與相對應的部分第一像平面2224可形成可視區(qū)域2024，部分第二像平面2405與相對應的部分第一像平面2225可形成可視區(qū)域 2025。在本實施例中，每一第一封裝體216與每一第一透鏡218分別具有不同的折射率 (未標示)，每一第二封裝體234與每一第二透鏡236分別具有不同的折射率(未標示)，每一第一曲面 2201、2202、2203、2204、2205 與每一第二曲面 2381、2382、2383、2384、2385 分別具有不同的第一曲率半徑與不同的第二曲率半徑，每一第一像平面2221、2222、2223、2224、 2225的位置是依據每一第一封裝體216所具有的折射率、每一第一透鏡218所具有的折射率與每一第一曲面2201、2202、2203、2204、2205的第一曲率半徑所決定，每一第二像平面 2401、2402、2403、2404、2405的位置是依據每一第二封裝體234所具有的折射率、每一第二透鏡236所具有的折射率與每一第二曲面2381、2382、2383、2384、2385的第二曲率半徑所決定，每一可視區(qū)域2021、2022、2023、2024、2025的位置依據每一第一像平面的位置與相鄰的每一第二像平面的位置所決定。其中，第一封裝體216與第一透鏡218所分別具有的折射率受第一光束224的波長影響，第二封裝體234與第二透鏡236所分別具有的折射率受第二光束242的波長影響。每一第一像素單元210可包括三第一發(fā)光二極管封裝結構212，且這些第一發(fā)光二極管封裝結構212是分別包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一藍色發(fā)光二極管芯片與一綠色發(fā)光二極管芯片；每一第二像素單元228可包括三第二發(fā)光二極管封裝結構230，這些第二發(fā)光二極管封裝結構230分別包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一藍色發(fā)光二極管芯片與一綠色發(fā)光二極管芯片。其中，三第一發(fā)光二極管封裝結構212是可呈但不限于直線型排列，三第二發(fā)光二極管封裝結構230是可呈但不限于直線型排列。在本實施例中，每一第一像素單元210所包括第一發(fā)光二極管封裝結構212的數量可為但不限于三個，每一第二像素單元228所包括第二發(fā)光二極管封裝結構230的數量可為但不限于三個，實際每一第一像素單元210所包括第一發(fā)光二極管封裝結構212的數量與每一第二像素單元228所包括第二發(fā)光二極管封裝結構230的數量可依據實際需求進行調整。請參照圖6，每一第一發(fā)光二極管封裝結構212還包括第一基座246，每一第二發(fā)光二極管封裝結構230還包括第二基座248，每一第一基座246包括第一容置空間250與第一中心軸252，每一第二基座248包括第二容置空間254與第二中心軸256，第一發(fā)光二極管芯片214配置于第一容置空間250中，第二發(fā)光二極管芯片232配置于第二容置空間 254中，且第一發(fā)光二極管芯片214可配置于第一中心軸252的左邊，第二發(fā)光二極管芯片232可配置于第二中心軸256的右邊，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。需注意的是，第一發(fā)光二極管芯片214與第一中心軸252的距離依第一發(fā)光二極管封裝結構212于基板204 上的位置而有所改變，第二發(fā)光二極管芯片232與第二中心軸256的距離依第二發(fā)光二極管封裝結構230于基板204上的位置而有所改變。舉例而言，請參照圖8，為圖2A、圖3A與圖4A的發(fā)光二極管封裝結構配置于同一基板不同位置的一實施例光束追蹤示意圖?；?1包括第一區(qū)域33、第二區(qū)域35與第三區(qū)域37，第一區(qū)域33、第二區(qū)域35與第三區(qū)域37于同一水平面(未標示)上。請參照圖 2A、圖3A、圖4A與圖8，發(fā)光二極管封裝結構40、發(fā)光二極管封裝結構50與發(fā)光二極管封裝結構60分別配置于第一區(qū)域33、第二區(qū)域35與第三區(qū)域37，且發(fā)光二極管封裝結構40、發(fā)光二極管封裝結構50與發(fā)光二極管封裝結構60所發(fā)出的光束30、32、34皆可被觀看者的右眼所接收，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。由于發(fā)光二極管封裝結構40、發(fā)光二極管封裝結構50與發(fā)光二極管封裝結構60配置于基板30不同位置，使得次光束451、551、605 投射于同一像平面上(即像平面453、像平面553與像平面601重合)，次光束461、561、607 投射于同一像平面上(即像平面463、像平面563與像平面603重合)，次光束471、571、671 投射于同一像平面上(即像平面473、像平面573與像平面673重合)，次光束481、581、681 投射于同一像平面上(即像平面483、像平面583與像平面683重合)，次光束491、591、691 投射于同一像平面上(即像平面493、像平面593與像平面693重合)。因此，當本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置時，這些發(fā)光二極管封裝結構所發(fā)出的光束被觀看者同一眼(左眼或右眼)所觀看時，這些發(fā)光二極管芯片與其中心軸的距離會依據發(fā)光二極管封裝結構于基板上的位置而有所改變。此外，請參照圖9，為圖2A、圖3A與圖4A的發(fā)光二極管封裝結構配置于同一基板不同位置的另一實施例光束追蹤示意圖。基板80包括的第一區(qū)域82、第二區(qū)域84與第三區(qū)域86，第一區(qū)域82與第二區(qū)域84的延伸線間具有夾角Xl，第二區(qū)域84的延伸線與第三區(qū)域86間具有夾角X2，其中，夾角為Xl與夾角為X2可使第一區(qū)域82、第二區(qū)域84與第三區(qū)域86的中心軸90、92、94相交于一點。請參照圖2A、圖3A、圖4A與圖9，發(fā)光二極管封裝結構40、發(fā)光二極管封裝結構50與發(fā)光二極管封裝結構60分別配置于第一區(qū)域82、第三區(qū)域86與第二區(qū)域84，且發(fā)光二極管封裝結構40、發(fā)光二極管封裝結構50與發(fā)光二極管封裝結構60所發(fā)出的光束30、32、34皆可被觀看者的右眼所接收，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。也就是說，發(fā)光二極管封裝結構40、發(fā)光二極管封裝結構50與發(fā)光二極管封裝結構60配置于基板80不同位置，使得次光束451、551、605投射于同一像平面上(即像平面 453、像平面553與像平面601重合)，次光束461、561、607投射于同一像平面上(即像平面 463、像平面563與像平面603重合)，次光束471、571、671投射于同一像平面上(即像平面473、像平面573與像平面673重合)，次光束481、581、681投射于同一像平面上(即像平面483、像平面583與像平面683重合)，次光束491、591、691投射于同一像平面上(即像平面493、像平面593與像平面693重合)。因此，當本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置時，這些發(fā)光二極管封裝結構所發(fā)出的光束被觀看者同一眼(左眼或右眼)所觀看時，可通過這些發(fā)光二極管封裝結構于基板上的配置位置、夾角 Xl與夾角X2的控制而獲得清晰的立體影像。請參照圖6，第一基座246還可包括第一內側壁247，第一內側壁247環(huán)繞第一容置空間250，且入射第一內側壁247的第一光束被224第一內側壁247吸收，以避免第一內側壁247反射第一光束224而影響第一發(fā)光二極管封裝結構212的成像質量。第二基座 248還可包括第二內側壁249，第二內側壁249環(huán)繞第二容置空間254，且入射第二內側壁 249的第二光束被242第二內側壁249吸收，以避免第二內側壁249反射第二光束242而影響第二發(fā)光二極管封裝結構230的成像質量。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置可通過第一發(fā)光二極管封裝結構與第二發(fā)光二極管封裝結構的對應設置與設計(即第一次曲面與第二次曲面的數量、第一封裝體與第二封裝體的折射率、第一透鏡與第二透鏡的折射率以及每一第一次曲面與每一第二次曲面的曲率半徑)以控制可視區(qū)域的數量與位置，且第一與第二發(fā)光二極管芯片分別與第一與第二中心軸的距離與相對位置會分別依第一與第二發(fā)光二極管封裝結構于基板上的位置而有所改變，使得發(fā)光二極管立體顯示裝置具有多個可視區(qū)域。接著，由于可依據實際需求調整每一第一發(fā)光二極管封裝結構與每一第二發(fā)光二極管封裝結構，進而使觀看者的眼睛所看到立體影像的質量不受與發(fā)光二極管立體顯示裝置距離改變而影響且可解決現有發(fā)光二極管立體顯示裝置存在有工藝困難的問題。再者，通過第一內側壁與第二內側壁的設計，可提升發(fā)光二極管立體顯示裝置所呈現立體影像的質量。請參照圖IOA與圖10B，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第五實施例俯視結構示意圖與依據圖IOA的10B-10B剖視結構示意圖。發(fā)光二極管封裝結構 300包括第一發(fā)光二極管芯片302、第二發(fā)光二極管芯片303、封裝體304與光學元件。在本實施例中，光學元件可為但不限于透鏡306。封裝體304將第一發(fā)光二極管芯片302與第二發(fā)光二極管芯片303包覆，透鏡306配置于封裝體304上。請參照圖10C，為依據圖IOB的光束追蹤示意圖。透鏡306包括多個曲面308、310、 312、314、316，每一曲面 308、310、312、314、316 分別具有對應的第一像平面 3181、3201、 3221、3241、3261與第二像平面3182、3202、3222、3242、3262。在本實施例中，曲面的數量為五個，第一像平面與第二像平面的數量也為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。也就是說，當曲面的數量為六個，第一與第二像平面的數量也為六個。更詳細地說，當曲面的數量越多時，第一像平面與第二像平面的數量也隨的增加。其中，由于圖IOC為依據圖IOB 的光束追蹤示意圖，每一第一像平面3181、3201、3221、3241、3261與每一第二像平面3182、 3202、3222、3242、3262于圖IOC圖面為一線段。在本實施例中，每一第一像平面3181、3201、 3221、3241、3261與每一第二像平面3182、3202、3222、3242、3262可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。當第一發(fā)光二極管芯片302發(fā)射第一光束(即封裝體304內的實線所示)且分別經過多個曲面308、310、312、314、316后，第一發(fā)光二極管芯片302所發(fā)射的第一光束(即封裝體304內的實線所示)被分成多個第一次光束330、332、334、336、338，且每一第一次光束 330、332、334、336、338 投射于相對的第一像平面 3181、3201、3221、3241、3261。其中，第一次光束的數量可與曲面的數量相同。當第二發(fā)光二極管芯片303發(fā)射第二光束(即封裝體304內的虛線所示)且分別經過多個曲面308、310、312、314、316后，第二發(fā)光二極管芯片303所發(fā)射的第二光束(即封裝體304內的虛線所示)被分成多個第二次光束342、344、 346、348、350，且每一第二次光束342、344、346、348、350投射于相對的第二像平面3182、 3202、3222、3242、3262。其中，第二次光束的數量可與曲面的數量相同。
在本實施例中，封裝體304與透鏡306分別具有折射率(未標示)，曲面308、310、 312、314、316分別具有曲率半徑(未標示)，第一像平面3181、3201、3221、3241、3261的位置是依據封裝體304的折射率、透鏡306的折射率與曲面308、310、312、314、316所分別具有曲率半徑所決定。第二像平面3182、3202、3222、3M2、3262的位置是依據封裝體304的折射率、透鏡306的折射率與次曲面308、310、312、314、316所分別具有曲率半徑所決定。其中，封裝體304所具有折射率會因不同的光束(即第一發(fā)光二極管芯片302所發(fā)射的第一光束與第二發(fā)光二極管芯片303所發(fā)射的第二光束)的波長而改變。請參照圖10B，發(fā)光二極管封裝結構300還可包括基座352，基座352包括中心軸 354與容置空間356。第一發(fā)光二極管芯片302與第二發(fā)光二極管芯片303配置于容置空間 356中，且第一發(fā)光二極管芯片302可配置于中心軸354的左邊，第二發(fā)光二極管芯片303 可配置于中心軸3M的右邊，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。需注意的是，第一發(fā)光二極管芯片302與中心軸354的距離以及相對位置會影響第一像平面3181、3201、3221、3對1、 3261的位置分布，第二發(fā)光二極管芯片303與中心軸354的距離以及相對位置會影響第二像平面3182、3202、3222、3M2、3262的位置分布，此部分與先前實施例所描述情形類似，于此不再贅述。請參照圖10C，上述的第一像平面3181、3201、3221、3M1、3261與第二像平面 3182、3202、3222、3242、3262 相對應，且第一像平面 3181、3201、3221、3241、3261 配置于相對應的第二像平面3182、3202、3222、3M2、3262的一側。也就是說，第一像平面3181、3201、 3221、3241、3261 與第二像平面 3182、3202、3222、3242、3262 交替排列。請參照圖10B，基座352還可包括內側壁358，內側壁358環(huán)繞容置空間356，入射內側壁358的第一光束(即封裝體304內的實線所示)與第二光束(即封裝體304內的虛線所示)被內側壁358吸收，以避免內側壁358反射第一光束與第二光束而影響發(fā)光二極管封裝結構300的成像質量。請參照圖11，為依據圖IOB的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖。發(fā)光二極管立體顯示裝置360包括基板362與多個像素區(qū)364， 每一像素區(qū)364配置于基板362上，每一像素區(qū)364可包括但不限于三發(fā)光二極管封裝結構300，且每一像素區(qū)364為一像素。其中，每一像素區(qū)364所包括的三第一發(fā)光二極管芯片302可為但不限于一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片，每一像素區(qū)364所包括的三第二發(fā)光二極管芯片303可為但不限于一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片，三發(fā)光二極管封裝結構300是可呈但不限于直線型排列。在本實施例中，每一像素區(qū)364所包括發(fā)光二極管封裝結構300 的數量可為三個，實際上每一像素區(qū)364所包括發(fā)光二極管封裝結構300的數量可依據需求進行調整。在本實施例中，第一發(fā)光二極管芯片302與中心軸354的距離與第二發(fā)光二極管芯片303與中心軸3M的距離依發(fā)光二極管封裝結構300于基板362上的位置而有所改變， 此部分已于前述實施例中進行描述，于此不再贅述。請參照圖10C，發(fā)光二極管立體顯示裝置360包括五個可視區(qū)域，每一可視區(qū)域即每一發(fā)光二極管封裝結構300所投射出的每一第一像平面3181、3201、3221、3M1、3261與其對應的每一第二像平面3182、3202、3222、3M2、3262的相鄰區(qū)域所形成。
依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構可通過曲面的數量、封裝體折射率及每一曲面的曲率半徑的設計，以控制第一與第二像平面的數量與位置，達到多視角的目的。接著，第一與第二發(fā)光二極管芯片分別與中心軸的距離以及相對位置也會影響第一像平面與第二像平面的位置分布。再者，利用入射內側壁的光束可被內側壁吸收，以確保發(fā)光二極管封裝結構的成像質量。依據上述的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置，可使發(fā)光二極管立體顯示裝置包括多個可視區(qū)域。再者，利用入射內側壁的光束可被內側壁吸收，以確保發(fā)光二極管立體顯示裝置的立體成像質量。請參照圖12A與圖12B，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第六實施例俯視結構示意圖與依據圖12A的12B-12B剖視結構示意圖。發(fā)光二極管封裝結構 400包括封裝體402、第一發(fā)光單元4041、第二發(fā)光單元4042、第三發(fā)光單元4043與光學元件。在本實施例中，光學元件可為但不限于透鏡410。在本實施例中，發(fā)光單元的數量為三個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。封裝體402用以包覆第一發(fā)光單元4041、第二發(fā)光單元4042與第三發(fā)光單元4043，透鏡410配置于封裝體402上。請參照圖12C，為依據12B圖的光束追跡示意圖。第一發(fā)光單元4041包括第一發(fā)光二極管芯片4061與第二發(fā)光二極管芯片4062，第一發(fā)光二極管芯片4061射出第一光束 4081，第二發(fā)光二極管芯片4062射出第二光束4082。第二發(fā)光單元4042包括第一發(fā)光二極管芯片4063與第二發(fā)光二極管芯片4064，第一發(fā)光二極管芯片4063射出第一光束4083， 第二發(fā)光二極管芯片4064射出第二光束4084。第三發(fā)光單元4043包括第一發(fā)光二極管芯片4065與第二發(fā)光二極管芯片4066，第一發(fā)光二極管芯片4065射出第一光束4085，第二發(fā)光二極管芯片4066射出第二光束4086。其中，第一發(fā)光單元4041、發(fā)光單元4042與發(fā)光單元4043依序沿方向S排列，更詳細地說，沿方向S排列的順序為第一發(fā)光二極管芯片 4061、第二發(fā)光二極管芯片4062、第一發(fā)光二極管芯片4063、第二發(fā)光二極管芯片4064、第一發(fā)光二極管芯片4065與第二發(fā)光二極管芯片4066，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。透鏡410包括曲面411，第一光束4081及第二光束4082分別經過部分曲面411 而分別投射于像平面4121，且第一光束4081所投射于像平面4121的位置配置于第二光束 4082所投射于像平面4121的位置的一側。第一光束4083及第二光束4084分別經過部分曲面411而分別投射于像平面4122，且第一光束4083所投射于像平面4122的位置配置于第二光束4084所投射于像平面4122的位置的一側。第一光束4085及第二光束4086分別經過部分曲面411而分別投射于像平面4123，且第一光束4085所投射于像平面4123的位置配置于第二光束4086所投射于像平面4123的位置的一側。其中，由于圖12C為依據圖12B的光束追蹤示意圖，每一像平面4121、4122、4123 于圖12C圖面為一線段。在本實施例中，每一像平面4121、4122、4123可配置于同一平面上， 但本實施例并非用以限定本發(fā)明。請參照圖12B，發(fā)光二極管封裝結構400還可包括基座414，基座414包括容置空間416與中心軸418，發(fā)光單元4041、發(fā)光單元4042與發(fā)光單元4043配置于容置空間416 中，中心軸418可配置于第一發(fā)光二極管芯片4063與第二發(fā)光二極管芯片4064中間，使得中心軸418的二側的發(fā)光二極管芯片的數量相同(即中心軸418的左邊有第一發(fā)光二極管芯片4061、第二發(fā)光二極管芯片4062與第一發(fā)光二極管芯片4063，而中心軸418的右邊有第二發(fā)光二極管芯片4064、第一發(fā)光二極管芯片4065與第二發(fā)光二極管芯片4066)，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。其中，基座414還可包括內側壁419，內側壁419環(huán)繞容置空間416，且入射內側壁 419的光束(即第一光束4081、4083、4085與第二光束4082、4084、4086)被內側壁419吸收， 以避免內側壁419反射光束(即第一光束4081、4083、4085與第二光束4082、4084、4086) 而影響發(fā)光二極管封裝結構400的成像質量。請參照圖13，為依據圖12B的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖。發(fā)光二極管立體顯示裝置420包括基板422與多個發(fā)光二極管封裝結構400，每一發(fā)光二極管封裝結構400是配置于基板422上。其中，發(fā)光二極管立體顯示裝置420還包括多個像素區(qū)424，每一像素區(qū)似4可包括但不限于三發(fā)光二極管封裝結構 400，三發(fā)光二極管封裝結構400可呈但不限于直線型排列。至少三第一發(fā)光單元4041、三第二發(fā)光單元4042或三第三發(fā)光單元4043形成一像素(未標示)。舉例而言，當每一像素由三個第一發(fā)光單元4041所組成時，每一第一發(fā)光二極管芯片4061包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片。在本實施例中，每一像素區(qū)424 包括三發(fā)光二極管封裝結構400，其中，三發(fā)光二極管封裝結構400可呈但不限于直線型排列三發(fā)光二極管封裝結構400，且三第一發(fā)光二極管芯片4061可包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。在本實施例中，第一發(fā)光二極管芯片4061、4063、4065與中心軸418的距離與第二發(fā)光二極管芯片4062、4064、4066與中心軸418的距離依發(fā)光二極管封裝結構400于基板 422上的位置而有所改變，此部分已于前述實施例中進行描述，于此不再贅述。發(fā)光二極管立體顯示裝置420具有多個可視區(qū)域，以本實施例為例，本實施例有三個可視區(qū)域M、N、Q，可視區(qū)域M為第一光束4081所投射于像平面4121的位置與第二光束4082所投射于像平面4121的位置的相鄰區(qū)域，可視區(qū)域N為第一光束4083所投射于像平面4122的位置與第二光束4084所投射于像平面4122的位置的相鄰區(qū)域，可視區(qū)域Q為第一光束4085所投射于像平面4123的位置與第二光束4086所投射于像平面4123的位置的相鄰區(qū)域，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。因此，依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構可通過控制發(fā)光單元的數量以調整像平面的數量?？捎煞庋b體的折射率與曲面的設計以調整像平面的位置，使各個像平面間不會重疊而產生干擾。接者，將本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置，可使觀看者于不同的可視區(qū)域看到不同的立體影像，且不同立體影像間不會互相干擾。由于本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置是由多個發(fā)光二極管封裝結構所組成，而每一發(fā)光二極管封裝結構可依據實際需求而加以設計與調整，所以不會有現有發(fā)光二極管立體顯示裝置存在工藝困難以及當觀看者的眼睛與發(fā)光二極管立體顯示裝置的距離改變而影像的質量隨之改變的問題。以上的實施例，每一曲面皆以凸鏡狀(Lenticular)表示與說明，但實施例并非用以限定本發(fā)明，也就是說，每一次曲面也可為菲涅爾(Fresnel)形式。前述的實施例是以光學元件可為但不限于透鏡進行描述，然而，本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構所包括的光學元件也可為視差柵欄(Parallax Barrier)，詳細的描述請參照圖14A、圖14B與圖14C。
請參照圖14A與圖14B，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第七實施例俯視結構示意圖與依據圖14A的14B-14B剖視結構示意圖。發(fā)光二極管封裝結構 500包括發(fā)光二極管芯片502、封裝體504與與光學元件。其中，光學元件為視差柵欄512， 視差柵欄512設置于封裝體504上，封裝體504將發(fā)光二極管芯片502包覆。請參照圖14C，為依據圖14B的光束追蹤示意圖。視差柵欄512包括多個遮蔽區(qū) 513、514、515、516 與多個顯露區(qū) 517、518、519、520、521，遮蔽區(qū) 513、514、515、516 與顯露區(qū) 517、518、519、520、521交替排列。每一顯露區(qū)517、518、519、520、521分別具有對應的像平面522、523、524、525、526，且像平面522、523、524、525、526間隔一距離。其中，遮蔽區(qū)的數量與顯露區(qū)的數量與視差柵欄512與封裝體504的相對位置有關，可依據實際需求進行調整。在本實施例中，遮蔽區(qū)的數量為四個，顯露區(qū)的數量為五個，像平面的數量也為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。需注意的是，當顯露區(qū)的數量越多時，像平面的數量也隨之增加。由于圖14C為依據圖14B的光束追蹤示意圖，每一像平面522、523、524、525、526 于圖14C圖面為一線段。在本實施例中，每一像平面522、523、524、525、5沈可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。當發(fā)光二極管芯片502發(fā)射光束528且分別經過多個顯露區(qū)517、518、519、520、 521后，發(fā)光二極管芯片502所發(fā)射的光束5 被分成多個次光束530、532、534、536、538， 且每一次光束530、532、534、536、538投射于相對的像平面522、523、524、525、526。其中，次光束的數量可與顯露區(qū)的數量相同。在本實施例中，封裝體504具有折射率，像平面522、 523,524,525,526的位置是依據封裝體504的折射率與顯露區(qū)517、518、519、520、521所分布的位置所決定。其中，封裝體504所具有折射率會受光束528的波長影響。請參照圖14B，發(fā)光二極管封裝結構500還可包括基座M0，基座540包括中心軸 542與容置空間M4。發(fā)光二極管芯片502配置于容置空間M4中，且發(fā)光二極管芯片502 可配置于中心軸542的右邊，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。也就是說，發(fā)光二極管芯片 502也可配置于中心軸542上或是中心軸542的左邊。需注意的是，發(fā)光二極管芯片與中心軸的距離以及相對位置會影響像平面的位置分布，此部分的例子與光學元件為透鏡106的情形大致相同，于此不再贅述。其中，基座540還可包括內側壁M6，內側壁546環(huán)繞容置空間M4，且入射內側壁 546的光束5 被內側壁546吸收，以避免內側壁546反射光束5 而影響發(fā)光二極管封裝結構500的成像質量。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構可通過顯露區(qū)的數量控制像平面的數量，達到多視角的目的。通過封裝體的折射率與顯露區(qū)所分布的位置控制像平面的位置，其中，封裝體的折射率受光束的波長影響。接著，發(fā)光二極管芯片與中心軸的距離以及相對位置也會影響像平面的位置分布。再者，利用入射內側壁的光束可被內側壁吸收，以確保發(fā)光二極管封裝結構的成像質量。請參照圖15、圖16與圖17，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置的第二實施例結構示意圖、依據圖15的第二發(fā)光二極管封裝結構與其相對應的第一發(fā)光二極管封裝結構的剖視結構示意圖與依據圖16的光束追蹤示意圖。發(fā)光二極管立體顯示裝置600具有多個可視區(qū)域6021、6022、6023、6024、6025(請參照圖17)，這些可視區(qū)域6021、6022、6023、6024、6025隔一距離。在本實施例中，可視區(qū)域的數量為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。其中，可視區(qū)域為觀看者可觀看到立體影像的區(qū)域，且由于圖17為依據圖16的光束追蹤示意圖，每一可視區(qū)域6021、6022、6023、6024、6025于圖16圖面為一線段。在本實施例中，每一可視區(qū)域6021、6022、6023、6024、6025可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。發(fā)光二極管立體顯示裝置600包括基板604、多個第一像素區(qū)606與多個第二像素區(qū)608。第一像素區(qū)606與第二像素區(qū)608沿方向X交替排列且配置于基板604上。其中，第一像素區(qū)606的成像可為觀看者的右眼所接收，第二像素區(qū)608的成像可為觀看者的左眼所接收，但本實施例并非用以限制本發(fā)明。每一第一像素區(qū)606包括多個第一像素單元610，每一第一像素單元610包括多個第一發(fā)光二極管封裝結構612，每一第一像素區(qū)606 所包括的第一像素單元610數量與每一第一像素單元610所包括的第一發(fā)光二極管封裝結構612的數量可依據實際需求進行調整。每一第一發(fā)光二極管封裝結構612包括第一發(fā)光二極管芯片614與第一封裝體 616。第一封裝體616用以包覆第一發(fā)光二極管芯片614。第一封裝體616包括第一視差柵欄618，第一視差柵欄618包括多個第一遮蔽區(qū)619、620、621、622與多個第一顯露區(qū)623、 624、625、626、627，第一遮蔽區(qū) 619、620、621、622 與第一顯露區(qū) 623、624、625、626、627 交替排列。每一第一顯露區(qū)623、6對、625、6沈、627分別具有對應的第一像平面628、629、630、 631、632，且第一像平面628、629、630、631、632間隔一距離。其中，其中，遮蔽區(qū)的數量與顯露區(qū)的數量與第一視差柵欄618及封裝體604的相對位置有關，可依據實際需求進行調整。 在本實施例中，第一顯露區(qū)的數量為五個，第一像平面的數量為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。第一發(fā)光二極管芯片602發(fā)射第一光束634，第一光束634分別經第一顯露區(qū) 623,624,625,626,627 后，分成第一次光束 635、636、637、638、639，且第一次光束 635、636、 637、638、639分別投射于第一像平面628、629、630、631、632。在本實施例中，每一第一像平面628、629、630、631、632可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。每一第二像素區(qū)608包括多個第二像素單元641，每一第二像素單元641包括多個第二發(fā)光二極管封裝結構6411，每一第二像素區(qū)608所包括的第二像素單元641數量與每一第二像素單元641所包括的第二發(fā)光二極管封裝結構6411的數量可依據實際需求進行調整。每一第二像素單元641對應于每一第一像素單元610，每一第二發(fā)光二極管封裝結構 6411對應于每一第一發(fā)光二極管封裝結構612，其中，每一第二像素單元641與其相對應的每一第一像素單元610構成一像素641。每一第二發(fā)光二極管封裝結構6411包括第二發(fā)光二極管芯片637與第二封裝體640。第二封裝體640用以包覆第二發(fā)光二極管芯片637。第二封裝體640包括第二視差柵欄642，第二視差柵欄642包括多個第二遮蔽區(qū) 643、644、645、646 與多個第二顯露區(qū) 647、648、649、650、651，第二遮蔽區(qū) 643、644、645、646 與第二顯露區(qū)647、648、649、650、651交替排列。每一第二顯露區(qū)647、648、649、650、651分別具有對應的第二像平面652、653、654、655、656，且第二像平面652、653、654、655、656間隔一距離。其中，第二顯露區(qū)的數量、第二像平面的數量與可視區(qū)域的數量相同。在本實施例中，第二顯露區(qū)的數量為五個，第二像平面的數量為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。
第二發(fā)光二極管芯片637發(fā)射第二光束658，第二光束658分別經第二顯露區(qū) 647、648、649、650、651 后分成第二次光束 659、660、661、662、663。第二次光束 659、660、 661、662、663分別投射于第二像平面652、653、654、655、656。在本實施例中，每一第二像平面652、653、654、655、656可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。其中，第二像平面的數量與第一像平面的數量相同，每一第二像平面652、653、 654,655,656與每一第一像平面6觀、6四、630、631、632相對應。每一第二像平面與相對應的每一第一像平面的相鄰區(qū)域可分別形成一可視區(qū)域。也就是說，第二像平面652與相對應的第一像平面628的相鄰區(qū)域可形成可視區(qū)域6021，第二像平面653與相對應的第一像平面629的相鄰區(qū)域可形成可視區(qū)域6022，第二像平面6M與相對應的第一像平面630的相鄰區(qū)域可形成可視區(qū)域6023，第二像平面655與相對應的第一像平面631的相鄰區(qū)域可形成可視區(qū)域60M，第二像平面656與相對應的第一像平面632的相鄰區(qū)域可形成可視區(qū)域6025。在本實施例中，每一第一封裝體616具有不同的第一折射率，每一第二封裝體640 分別具有不同的第二折射率，每一第一顯露區(qū)623、6對、625、6沈、627與每一第二顯露區(qū)
647、648、649、650、651分別具有不同的位置分布，每一第一像平面628、629、630、631、632 的位置是依據第一折射率與每一第一顯露區(qū)623、6對、625、6沈、627的位置分布所決定， 每一第二像平面652、653、654、655、656的位置是依據第二折射率與每一第二顯露區(qū)647、
648、649、650、651的位置分布所決定，每一可視區(qū)域6021、6022、6023、6024、6025的位置依據每一第一像平面的位置與相鄰的每一第二像平面的位置所決定。其中，第一折射率受第一光束634的波長影響，第二折射率受第二光束658的波長影響。在本實施例中，每一第一像素單元610可包括三第一發(fā)光二極管封裝結構612，三第一發(fā)光二極管封裝結構612是分別包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一藍色發(fā)光二極管芯片與一綠色發(fā)光二極管芯片，三第一發(fā)光二極管封裝結構612可呈但不限于直線型排列；每一第二像素單元641可括三第二發(fā)光二極管封裝結構6411，三第二發(fā)光二極管封裝結構 6411分別包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一藍色發(fā)光二極管芯片與一綠色發(fā)光二極管芯片， 三第二發(fā)光二極管封裝結構634可呈但不限于直線型排列，但本實施例并非用以限定本發(fā)明，可依據實際需求進行調整。每一第一發(fā)光二極管封裝結構612還包括第一基座664，每一第二發(fā)光二極管封裝結構6411還包括第二基座666，每一第一基座664包括第一容置空間668與第一中心軸 670，每一第二基座666包括第二容置空間672與第二中心軸674，第一發(fā)光二極管芯片614 配置于第一容置空間668中，第二發(fā)光二極管芯片637配置于第二容置空間672中，且第一發(fā)光二極管芯片614可配置于第一中心軸670的左邊，第二發(fā)光二極管芯片637可配置于第二中心軸674的右邊，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。需注意的是，第一發(fā)光二極管芯片614與第一中心軸670的距離依第一發(fā)光二極管封裝結構612于基板604上的位置而有所改變，第二發(fā)光二極管芯片637與第二中心軸674的距離依第二發(fā)光二極管封裝結構 6411于基板604上的位置而有所改變，此部分與光學元件為透鏡時的情形類似，于此不再贅述。請參照圖16，第一基座664還可包括第一內側壁665，第一內側壁665環(huán)繞第一容置空間668，且入射第一內側壁665的第一光束被634第一內側壁665吸收，以避免第一內側壁665反射第一光束634而影響第一發(fā)光二極管封裝結構612的成像質量。第二基座 666還可包括第二內側壁667，第二內側壁667環(huán)繞第二容置空間672，且入射第二內側壁 667的第二光束被658第二內側壁667吸收，以避免第二內側壁667反射第二光束658而影響第二發(fā)光二極管封裝結構6411的成像質量。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置可通過第一發(fā)光二極管封裝結構與第二發(fā)光二極管封裝結構的對應設置與設計(即第一顯露區(qū)與第二顯露區(qū)的數量與分布與第一封裝體與第二封裝體的折射率)以控制可視區(qū)域的數量與位置，且第一與第二發(fā)光二極管芯片分別與第一與第二中心軸的距離與相對位置會分別依第一與第二發(fā)光二極管封裝結構于基板上的位置而有所改變，使得發(fā)光二極管立體顯示裝置具有多個可視區(qū)域。再者，通過第一內側壁與第二內側壁的設計，可確保發(fā)光二極管立體顯示裝置所呈現立體影像的質量。請參照圖18A與圖18B，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第八實施例俯視結構示意圖與依據圖18A的18B-18B剖視結構示意圖。發(fā)光二極管封裝結構 700包括第一發(fā)光二極管芯片702、第二發(fā)光二極管芯片703、封裝體704與光學元件。在本實施例中，光學元件可為但不限于視差柵欄706。封裝體704將第一發(fā)光二極管芯片702 與第二發(fā)光二極管芯片703包覆，視差柵欄706配置于封裝體704上。請參照圖18C，為依據圖18B的光束追蹤示意圖。視差柵欄706包括多個遮蔽區(qū) 707、708、709、710 與多個顯露區(qū) 711、712、713、714、715，遮蔽區(qū) 707、708、709、710 與顯露區(qū) 711、712、713、714、715交替排列。每一顯露區(qū)711、712、713、714、715分別具有對應的第一像平面716、717、718、719、720與第二像平面721、722、723、724、725。其中，遮蔽區(qū)的數量與顯露區(qū)的數量是與視差柵欄706與封裝體704的相對位置有關，可依據實際需求進行調整。 在本實施例中，顯露區(qū)的數量為五個，第一與第二像平面的數量也為五個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。也就是說，當顯露區(qū)的數量為六個，第一與第二像平面的數量也為六個。 更詳細地說，當顯露區(qū)的數量越多時，像平面的數量也隨之增加。其中，由于圖18C為依據圖18B的光束追蹤示意圖，每一第一像平面716、717、718、 719、720與每一第二像平面721、722、723、724、725于圖18C圖面為一線段。在本實施例中， 每一第一像平面716、717、718、719、720與每一第二像平面721、722、723、724、725可配置于同一平面上，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。當第一發(fā)光二極管芯片702發(fā)射第一光束(即封裝體704內的實線所示)且分別經過多個顯露區(qū)711、712、713、714、715后，第一發(fā)光二極管芯片702所發(fā)射的第一光束 (即封裝體704內的實線所示)被分成多個第一次光束727、728、729、730、731，且每一第一次光束727,728,729,730,731投射于相對的第一像平面716、717、718、719、720。其中，第一次光束的數量可與顯露區(qū)的數量相同。當第二發(fā)光二極管芯片703發(fā)射第二光束(即封裝體704內的虛線所示)且分別經過多個顯露區(qū)711、712、713、714、715后，第二發(fā)光二極管芯片703所發(fā)射的第二光束(即封裝體704內的虛線所示)被分成多個第二次光束 733、734、735、736、737，且每一第二次光束733、734、735、736、737投射于相對的第二像平面721、722、723、724、725。其中，第二次光束的數量可與顯露區(qū)的數量相同。在本實施例中，封裝體704具有折射率，第一像平面716、717、718、719、720的位置是依據封裝體704的折射率與顯露區(qū)711、712、713、714、715的位置分布所決定。第二像平面721、722、723、724、725的位置是依據封裝體704的折射率與顯露區(qū)711、712、713、714、 715的位置分布所決定。其中，封裝體704所具有折射率會因不同的光束波長而改變。請參照圖18B，發(fā)光二極管封裝結構700還可包括基座738，基座738包括中心軸 740與容置空間742。第一發(fā)光二極管芯片702與第二發(fā)光二極管芯片703配置于容置空間742中，且第一發(fā)光二極管芯片702可配置于中心軸740的左邊，第二發(fā)光二極管芯片 703可配置于中心軸740的右邊，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。需注意的是，第一發(fā)光二極管芯片702與中心軸740的距離以及相對位置會影響第一像平面716、717、718、719、 720的位置分布，第二發(fā)光二極管芯片703與中心軸740的距離以及相對位置會影響第二像平面721、722、723、724、725的位置分布，此部分者描述與光學元件為透鏡實類似，于此不再贅述。上述的第一像平面716、717、718、719、720 與第二像平面 721、722、723、724、725 相對應，且第一像平面716、717、718、719、720配置于相對應的第二像平面721、722、723、724、 725的一側。也就是說，第一像平面716、717、718、719、720與第二像平面721、722、723、724、 725交替排列。其中，基座738還可包括內側壁744，內側壁744環(huán)繞容置空間742，入射內側壁 744的第一光束(即封裝體704內的實線所示)與第二光束(即封裝體704內的虛線所示) 被內側壁744吸收，以避免內側壁744反射第一光束與第二光束而影響發(fā)光二極管封裝結構700的成像質量。請參照圖19，為依據圖18B的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖。發(fā)光二極管立體顯示裝置746包括基板748與多個像素區(qū)750， 每一像素區(qū)750配置于基板748上，每一像素區(qū)750可包括但不限于三發(fā)光二極管封裝結構700，且每一像素區(qū)750為一像素。其中，每一像素區(qū)750所包括的三第一發(fā)光二極管芯片702可為但不限于一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片，三第一發(fā)光二極管芯片702可呈但不限于直線型排列。每一像素區(qū)750所包括的三第二發(fā)光二極管芯片703可為但不限于一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片，三第二發(fā)光二極管芯片703可呈但不限于直線型排列。在本實施例中，發(fā)光二極管立體顯示裝置746包括五個可視區(qū)域，每一可視區(qū)域即每一發(fā)光二極管封裝結構700所投射出的每一第一像平面716、717、718、719、720與其對應的每一第二像平面721、722、723、724、725的相鄰區(qū)域所形成。在本實施例中，第一發(fā)光二極管芯片702與中心軸740的距離與第二發(fā)光二極管芯片703與中心軸740的距離依發(fā)光二極管封裝結構700于基板748上的位置而有所改變， 此部分已于前述實施例中進行描述，于此不再贅述。依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構可通過顯露區(qū)的數量以及第一發(fā)光二極管封裝結構與第二發(fā)光二極管封裝結構的對應設置與設計(即封裝體分別對第一光束與第二光束的波長不同而具有不同的折射率與每一顯露區(qū)的位置分布)以控制第一與第二像平面的數量與位置，達到多視角的目的，其中，每一第一像平面與其相對應的第二像平面相鄰。接著，第一與第二發(fā)光二極管芯片分別與中心軸的距離以及相對位置也會影響第一像平面與第二像平面的位置分布。再者，利用入射內側壁的光束可被內側壁吸收，以確保發(fā)光二極管封裝結構的成像質量。
依據上述的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置，可使發(fā)光二極管立體顯示裝置包括多個可視區(qū)域。再者，利用內側壁的設計，確保發(fā)光二極管立體顯示裝置所呈現立體影像的質量。請參照圖20A與圖20B，分別為依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構的第九實施例俯視結構示意圖與依據圖20A的20B-20B剖視結構示意圖。發(fā)光二極管封裝結構 800包括封裝體802、第一發(fā)光單元8041、第二發(fā)光單元8042、第三發(fā)光單元8043與光學元件。在本實施例中，光學元件可為但不限于視差柵欄810。在本實施例中，發(fā)光單元的數量為三個，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。封裝體802用以包覆第一發(fā)光單元8041、第二發(fā)光單元8042與第三發(fā)光單元8043，視差柵欄810配置于封裝體802上。請參照圖20C，為依據圖20B的光束追跡示意圖。第一發(fā)光單元8041包括第一發(fā)光二極管芯片8061與第二發(fā)光二極管芯片8062，第一發(fā)光二極管芯片8061射出第一光束 8081，第二發(fā)光二極管芯片8062射出第二光束8082。第二發(fā)光單元8042包括第一發(fā)光二極管芯片8063與第二發(fā)光二極管芯片8064，第一發(fā)光二極管芯片8063射出第一光束8083， 第二發(fā)光二極管芯片8064射出第二光束8084。第三發(fā)光單元8043包括第一發(fā)光二極管芯片8065與第二發(fā)光二極管芯片8066，第一發(fā)光二極管芯片8065射出第一光束8085，第二發(fā)光二極管芯片8066射出第二光束8086。其中，第一發(fā)光單元8041、發(fā)光單元8042與發(fā)光單元8043依序沿方向F排列，更詳細地說，沿方向F排列的順序為第一發(fā)光二極管芯片 8061、第二發(fā)光二極管芯片8062、第一發(fā)光二極管芯片8063、第二發(fā)光二極管芯片8064、第一發(fā)光二極管芯片8065與第二發(fā)光二極管芯片8066，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。視差柵欄810包括顯露區(qū)811與二遮蔽區(qū)813，第一光束8081及第二光束8082 分別經過顯露區(qū)811而分別投射于像平面8121，且第一光束8081所投射于像平面8121的位置配置于第二光束8082所投射于像平面8121的位置的一側。第一光束8083及第二光束8084分別經過顯露區(qū)811而分別投射于像平面8122，且第一光束8083所投射于像平面 8122的位置配置于第二光束8084所投射于像平面8122的位置的一側。第一光束8085及第二光束8086分別經過顯露區(qū)811而分別投射于像平面8123，且第一光束8085所投射于像平面8123的位置配置于第二光束8086所投射于像平面8123的位置的一側。其中，由于圖20C為依據圖20B的光束追蹤示意圖，每一像平面8121、8122、8123 于圖20C圖面為一線段。在本實施例中，每一像平面8121、8122、8123可配置于同一平面上， 但本實施例并非用以限定本發(fā)明。請參照圖20B，發(fā)光二極管封裝結構800還可包括基座814，基座814包括容置空間816與中心軸818，發(fā)光單元8041、發(fā)光單元8042與發(fā)光單元8043配置于容置空間816 中，中心軸818可配置于第一發(fā)光二極管芯片8063與第二發(fā)光二極管芯片8064中間，使得中心軸818的二側的發(fā)光二極管芯片的數量相同(即中心軸818的左邊有第一發(fā)光二極管芯片8061、第二發(fā)光二極管芯片8062與第一發(fā)光二極管芯片8063，而中心軸818的右邊有第二發(fā)光二極管芯片8064、第一發(fā)光二極管芯片8065與第二發(fā)光二極管芯片8066)，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。其中，基座814還可包括內側壁819，內側壁819環(huán)繞容置空間816，且入射內側壁 819的光束(即第一光束8081、8083、8085與第二光束8082、8084、8086)被內側壁819吸收， 以避免內側壁819反射光束(即第一光束8081、8083、8085與第二光束8082、8084、8086)
28而影響發(fā)光二極管封裝結構800的成像質量。請參照圖21，為依據圖20B的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置的一實施例結構示意圖。發(fā)光二極管立體顯示裝置820包括基板822與多個發(fā)光二極管封裝結構800，每一發(fā)光二極管封裝結構800配置于基板822上。其中，發(fā)光二極管立體顯示裝置820還包括多個像素區(qū)824，每一像素區(qū)擬4可包括但不限于三發(fā)光二極管封裝結構 800，三發(fā)光二極管封裝結構800可呈但不限于直線型排列。至少三第一發(fā)光單元8041、三第二發(fā)光單元8042或三第三發(fā)光單元8043形成一像素(未標示)。舉例而言，當每一像素由三個第一發(fā)光單元8041所組成時，三第一發(fā)光二極管芯片8061包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片。在本實施例中，每一像素區(qū)824 包括三發(fā)光二極管封裝結構800，且三發(fā)光二極管封裝結構800可呈但不限于直線型排列。 其中，三第一發(fā)光二極管芯片8061可包括一紅色發(fā)光二極管芯片、一綠色發(fā)光二極管芯片與一藍色發(fā)光二極管芯片，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。其中，發(fā)光二極管立體顯示裝置820具有多個可視區(qū)域，以本實施例為例，本實施例有三個可視區(qū)域J、K、L，可視區(qū)域J為第一光束8081所投射于像平面8121的位置與第二光束8082所投射于像平面8121的位置的相鄰區(qū)域，可視區(qū)域K為第一光束8083所投射于像平面8122的位置與第二光束8084所投射于像平面8122的位置的相鄰區(qū)域，可視區(qū)域 L為第一光束8085所投射于像平面8123的位置與第二光束8086所投射于像平面8123的位置的相鄰區(qū)域，但本實施例并非用以限定本發(fā)明。因此，依據本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構可通過控制發(fā)光單元的數量以調整像平面的數量，再者，可由封裝體的折射率與顯露區(qū)的設計以調整像平面的位置，使各個像平面間不會重疊而產生干擾。接者，將本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管封裝結構應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置，可使觀看者于不同的可視區(qū)域看到不同的立體影像，且不同立體影像間不會互相干擾。由于本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管立體顯示裝置由多個發(fā)光二極管封裝結構所組成，而每一發(fā)光二極管封裝結構可依據實際需求而加以設計與調整，所以不會有現有發(fā)光二極管立體顯示裝置存在工藝困難以及當觀看者的眼睛與發(fā)光二極管立體顯示裝置的距離改變而影像的質量隨的改變的問題。當然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，包括一發(fā)光二極管芯片，發(fā)射一光束；一封裝體，用以包覆該發(fā)光二極管芯片；以及一光學元件，設置于該封裝體上，該光束經過該光學元件后分成多個次光束，每一該些次光束分別投射于相對應的一像平面。
2.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結構還包括一基座，該基座包括一容置空間與一中心軸，該發(fā)光二極管芯片配置于該容置空間中，該些像平面的位置依據該發(fā)光二極管芯片與該中心軸的距離與相對位置而有所改變。
3.根據權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該基座還包括一內側壁， 該內側壁環(huán)繞該容置空間，且入射該內側壁的該光束被該內側壁吸收。
4.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該光學元件為一透鏡，該透鏡包括多個曲面，該些曲面分別具有相對應的該像平面，該光束經過該些曲面后分成該些次光束，每一該些次光束分別投射于相對應的該像平面。
5.根據權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該光學元件為一視差柵欄，該視差柵欄包括多個顯露區(qū)，該些顯露區(qū)分別具有相對應的該像平面，該光束經過該些顯露區(qū)后分成該些次光束，每一該些次光束分別投射于每一該些像平面。
6.一種發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，包括一第一發(fā)光二極管芯片，發(fā)射一第一光束；一第二發(fā)光二極管芯片，發(fā)射一第二光束；一封裝體，用以包覆該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片；以及一光學元件，配置于該封裝體上，該第一光束經過該光學元件后分成多個第一次光束， 每一該些第一次光束分別投射于相對應的一第一像平面，該第二光束經過該光學元件后分成多個第二次光束，每一該些第二次光束分別投射于相對應的一第二像平面，該些第一像平面與該些第二像平面交替排列。
7.根據權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結構還包括一基座，該基座包括一容置空間與一中心軸，該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片配置于該容置空間中，該些第一像平面的位置依據該第一發(fā)光二極管芯片與該中心軸的距離與相對位置而有所改變，該些第二像平面的位置依據該第二發(fā)光二極管芯片與該中心軸的距離與相對位置而有所改變。
8.根據權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該基座還包括一內側壁， 該內側壁環(huán)繞該容置空間，且入射該內側壁的該光束被該內側壁吸收。
9.根據權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該光學元件為一透鏡，該透鏡包括多個曲面，該些曲面分別具有相對應的該第一像平面與相對應的該第二像平面， 該第一光束經過該些曲面后分成該些第一次光束，每一該些第一次光束分別投射于相對應的該第一像平面，該第二光束經過該些曲面后分成該些第二次光束，每一該些第二次光束分別投射于相對應的該第二像平面。
10.根據權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該光學元件為一視差柵欄，該視差柵欄包括多個顯露區(qū)，該些顯露區(qū)分別具有相對應的該第一像平面與相對應的該第二像平面，該第一光束經過該些顯露區(qū)后分成該些第一次光束，每一該些第一次光束分別投射于相對應的該第一像平面，該第二光束經過該些顯露區(qū)后分成該些第二次光束， 每一該些第二次光束分別投射于相對應的該第二像平面。
11.一種發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，包括至少一發(fā)光單元，該發(fā)光單元包括一第一發(fā)光二極管芯片與一第二發(fā)光二極管芯片， 該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片沿一方向依序排列，該第一發(fā)光二極管芯片射出一第一光束，該第二發(fā)光二極管芯片射出一第二光束；一封裝體，用以包覆該發(fā)光單元；以及一光學元件，配置于該封裝體上，該第一光束與該第二光束分別經過部分該光學元件而投射于一像平面，該第一光束所投射于該像平面的位置配置于該第二光束所投射于該像平面的位置的一側。
12.根據權利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結構還包括一基座，該基座包括一容置空間與一內側壁，該發(fā)光單元配置于該容置空間中，該內側壁環(huán)繞該容置空間，且入射該內側壁的該光束被該內側壁吸收。
13.根據權利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該光學元件為一透鏡， 該透鏡包括一曲面，該第一光束與該第二光束分別經過部分該曲面而投射于該同一像平面。
14.根據權利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該光學元件為一視差柵欄，該視差柵欄包括多個顯露區(qū)，該第一光束與該第二光束分別經過部分該些顯露區(qū)而投射于該同一像平面。
15.一種發(fā)光二極管立體顯示裝置，具有多個可視區(qū)域，其特征在于，該發(fā)光二極管立體顯示裝置包括一基板；多個第一像素區(qū)，配置于該基板上，每一該些第一像素區(qū)包括多個第一像素單元，每一該些第一像素單元包括多個第一發(fā)光二極管封裝結構，每一該些第一發(fā)光二極管封裝結構包括一第一發(fā)光二極管芯片、一第一封裝體以及一第一光學元件，該第一發(fā)光二極管芯片發(fā)射一第一光束；該第一封裝體用以包覆該第一發(fā)光二極管芯片；該第一光學元件配置于該第一封裝體上，該第一光束經過該第一光學元件后分成多個第一次光束，每一該些第一次光束分別投射于相對應的一第一像平面；以及多個第二像素區(qū)，與該些第一像素區(qū)沿一方向交替排列且配置于該基板上，每一該些第二像素區(qū)包括多個第二像素單元，每一該些第二像素單元包括多個第二發(fā)光二極管封裝結構，每一該些第二發(fā)光二極管封裝結構對應于每一該些第一發(fā)光二極管封裝結構，每一該些第二發(fā)光二極管封裝結構包括一第二發(fā)光二極管芯片、一第二封裝體以及一第二光學元件，該第二發(fā)光二極管芯片發(fā)射一第二光束；該第二封裝體用以包覆該第二發(fā)光二極管芯片；該第二光學元件配置于該第二封裝體上，該第二光束經過該第二光學元件后分成多個第二次光束，每一該些第二次光束分別投射于相對應的一第二像平面，每一該些第二像平面相對應于每一該些第一像平面，每一該些第二像平面與相對應的每一該些第一像平面的相鄰區(qū)域形成該些可視區(qū)域。
16.根據權利要求15所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，每一該些第一發(fā)光二極管封裝結構還包括一第一基座，每一該些第二發(fā)光二極管封裝結構還包括一第二基座，每一該些第一基座包括一第一容置空間與一第一中心軸，每一該些第二基座包括一第二容置空間與一第二中心軸，該第一發(fā)光二極管芯片配置于該第一容置空間中，且該第一發(fā)光二極管芯片與該第一中心軸的距離依該第一發(fā)光二極管封裝結構于該基板上的位置而有所改變，該第二發(fā)光二極管芯片配置于該第二容置空間中，且該第二發(fā)光二極管芯片與該第二中心軸的距離依該第二發(fā)光二極管封裝結構于該基板上的位置而有所改變。
17.根據權利要求15所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該第一光學元件為一第一透鏡，該第一透鏡包括多個第一曲面，該第二光學元件為一第二透鏡，該第二透鏡包括多個第二曲面，每一該些第一曲面分別具有相對應的該第一像平面，每一該些第二曲面分別具有相對應的該第二像平面，該些第一次光束分別經過每一該些第一曲面而投射于相對應的該第一像平面，該些第二次光束分別經過每一該些第二曲面而投射于相對應的該第二像平面。
18.根據權利要求15所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該第一光學元件為一第一視差柵欄，該第一視差柵欄包括多個第一顯露區(qū)，該第二光學元件為一第二視差柵欄，該第二視差柵欄包括多個第二顯露區(qū)，每一該些第一顯露區(qū)分別具有相對應的該第一像平面，每一該些第二顯露區(qū)分別具有相對應的該第二像平面，該些第一次光束分別經過每一該些第一顯露區(qū)而投射于相對應的該第一像平面，該些第二次光束分別經過每一該些第二顯露區(qū)而投射于相對應的該第二像平面。
19.根據權利要求15所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，每一該些第一像素單元包括至少三個該第一發(fā)光二極管封裝結構，該些第一發(fā)光二極管封裝結構分別包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片、至少一藍色發(fā)光二極管芯片與至少一綠色發(fā)光二極管芯片； 每一該些第二像素單元包括至少三個該第二發(fā)光二極管封裝結構，該些第二發(fā)光二極管封裝結構分別包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片、至少一藍色發(fā)光二極管芯片與至少一綠色發(fā)光二極管芯片。
20.根據權利要求19所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該些第一發(fā)光二極管封裝結構呈直線型排列，該些第二發(fā)光二極管封裝結構呈直線型排列。
21.根據權利要求15所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該基板包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域與一第三區(qū)域，該第一區(qū)域與該第二區(qū)域間具有一第一夾角，該第二區(qū)域與該第三區(qū)域間具有一第二夾角，該第一區(qū)域包括一第一中心軸，該第二區(qū)域包括一第二中心軸，該第三區(qū)域包括一第三中心軸，該第一夾角與該第二夾角使該第一中心軸、該第二中心軸與該第三中心軸相交于一點。
22.一種發(fā)光二極管立體顯示裝置，具有多個可視區(qū)域，其特征在于，該發(fā)光二極管立體顯示裝置包括一基板；以及多個像素區(qū)，配置于該基板上，每一該些像素區(qū)包括多個發(fā)光二極管封裝結構，每一該些發(fā)光二極管封裝結構包括一發(fā)光二極管芯片、一第二發(fā)光二極管芯片、一封裝體以及一光學元件，該第一發(fā)光二極管芯片發(fā)射一第一光束；該第二發(fā)光二極管芯片發(fā)射一第二光束；該封裝體用以包覆該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片；該光學元件配置于該封裝體上，該第一光束經過該光學元件后分成多個第一次光束，每一該些第一次光束分別投射于相對應的一第一像平面，該第二光束經過該光學元件后分成多個第二次光束，每一該些第二次光束分別投射于相對應的一第二像平面，每一該些第二像平面相對應于每一該些第一像平面，每一該些第二像平面與相對應的每一該些第一像平面的相鄰區(qū)域形成該些可視區(qū)域之一。
23.根據權利要求22所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，每一該些發(fā)光二極管封裝結構還包括一基座，該基座包括一中心軸與一容置空間，該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片配置于該容置空間中，該些第一像平面的位置依據該第一發(fā)光二極管芯片與該中心軸的距離與相對位置而有所改變，該些第二像平面的位置依據該第二發(fā)光二極管芯片與該中心軸的距離與相對位置而有所改變。
24.根據權利要求22所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該光學元件為一透鏡，該透鏡包括多個曲面，每一該些曲面分別具有相對應的該第一像平面與相對應的該第二像平面，該第一光束經過該些曲面而分別投射于相對應的該第一像平面，該第二光束經過該些曲面而分別投射于相對應的該第二像平面。
25.根據權利要求22所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該光學元件為一視差柵欄，該視差柵欄包括多個顯露區(qū)，每一該些顯露區(qū)分別具有相對應的該第一像平面與相對應的該第二像平面，該第一光束經過該些顯露區(qū)而分別投射于相對應的該第一像平面，該第二光束經過該些顯露區(qū)而分別投射于相對應的該第二像平面。
26.根據權利要求22所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，每一該些像素區(qū)包括至少三個該發(fā)光二極管封裝結構，每一該些像素區(qū)所包括的該些第一發(fā)光二極管芯片分別包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片、至少一藍色發(fā)光二極管芯片與至少一綠色發(fā)光二極管芯片；每一該些像素區(qū)所包括的該些第二發(fā)光二極管芯片分別包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片、至少一藍色發(fā)光二極管芯片與至少一綠色發(fā)光二極管芯片。
27.根據權利要求26所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該些發(fā)光二極管封裝結構呈直線型排列。
28.根據權利要求22所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該基板包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域與一第三區(qū)域，該第一區(qū)域與該第二區(qū)域間具有一第一夾角，該第二區(qū)域與該第三區(qū)域間具有一第二夾角，該第一區(qū)域包括一第一中心軸，該第二區(qū)域包括一第二中心軸，該第三區(qū)域包括一第三中心軸，該第一夾角與該第二夾角使該第一中心軸、該第二中心軸與該第三中心軸相交于一點。
29.一種發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，包括一基板；以及多個發(fā)光二極管封裝結構，配置于該基板上，每一該些發(fā)光二極管封裝結構包括至少一發(fā)光單元、一封裝體以及一光學元件，該發(fā)光單元包括一第一發(fā)光二極管芯片與一第二發(fā)光二極管芯片，該第一發(fā)光二極管芯片與該第二發(fā)光二極管芯片沿一方向依序排列，該第一發(fā)光二極管芯片射出一第一光束，該第二發(fā)光二極管芯片射出一第二光束，該第一光束與該第二光束相對應；該封裝體用以包覆該發(fā)光單元；該光學元件配置于該封裝體上， 該第一光束與該第二光束分別經過部分該光學元件而投射于一像平面，該第一光束所投射于該像平面的位置與該第二光束所投射于該像平面的位置的相鄰區(qū)域形成一可視區(qū)域。
30.根據權利要求29所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，每一該些發(fā)光二極管封裝結構還包括一基座，該基座包括一中心軸與一容置空間，該發(fā)光單元配置于該容置空間中，該像平面的位置依據該第一發(fā)光二極管芯片與該中心軸的距離與相對位置及該第二發(fā)光二極管芯片與該中心軸的距離與相對位置而有所改變。
31.根據權利要求29所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該光學元件為一透鏡，該透鏡包括一曲面，該第一光束與該第二光束分別經過部分該曲面而投射于該像平面。
32.根據權利要求29所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該光學元件為一視差柵欄，該視差柵欄包括多個顯露區(qū)，該第一光束與該第二光束分別經過部分該些顯露區(qū)而投射于該像平面。
33.根據權利要求29所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該發(fā)光二極管立體顯示裝置還包括多個像素區(qū)，每一該些像素區(qū)包括至少三個該發(fā)光二極管封裝結構，每一該些像素區(qū)所包括的該些第一發(fā)光二極管芯片分別包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片、至少一藍色發(fā)光二極管芯片與至少一綠色發(fā)光二極管芯片；每一該些像素區(qū)所包括的該些第二發(fā)光二極管芯片分別包括至少一紅色發(fā)光二極管芯片、至少一藍色發(fā)光二極管芯片與至少一綠色發(fā)光二極管芯片。
34.根據權利要求33所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該些發(fā)光二極管封裝結構呈直線型排列。
35.根據權利要求29所述的發(fā)光二極管立體顯示裝置，其特征在于，該基板包括一第一區(qū)域、一第二區(qū)域與一第三區(qū)域，該第一區(qū)域與該第二區(qū)域的一延伸線間具有一第一夾角，該第二區(qū)域的該延伸線與該第三區(qū)域間具有一第二夾角，該第一區(qū)域包括一第一中心軸，該第二區(qū)域包括一第二中心軸，該第三區(qū)域包括一第三中心軸，該第一夾角與該第二夾角使該第一中心軸、該第二中心軸與該第三中心軸相交于一點。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結構及發(fā)光二極管立體顯示裝置，發(fā)光二極管封裝結構包括發(fā)光二極管芯片、封裝體與光學元件，封裝體包覆發(fā)光二極管芯片，光學元件配置于封裝體上。發(fā)光二極管芯片所發(fā)射的光束經過光學元件后分成多個次光束，每一次光束分別投射于光學元件所對應的像平面上。因此，上述發(fā)光二極管的封裝結構可應用于發(fā)光二極管立體顯示裝置，令觀看者的左右兩眼可以分別接收到不同發(fā)光二極管芯片所發(fā)射的光束而觀察到立體影像，并且解決現有立體顯示裝置存在僅有單一可視區(qū)域可看到立體影像的問題。
文檔編號H01L33/58GK102456816SQ20101052865
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月26日 優(yōu)先權日2010年10月26日
發(fā)明者吳仲佑, 楊立昌, 蔡宗桓 申請人:聚積科技股份有限公司