專利名稱：工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)分析技術(shù)，特別是涉及一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
目前，各種工藝具有數(shù)據(jù)采集功能。以半導(dǎo)體制程為例，數(shù)據(jù)采集(DC，Data Capture)系統(tǒng)會(huì)實(shí)時(shí)采集各種工藝數(shù)據(jù)，具體而言，該DC系統(tǒng)通常會(huì)隨著時(shí)間的遞增記錄下各個(gè)工藝過程參數(shù)值，如壓力，溫度，射頻電壓等。通過分析采集到的工藝數(shù)據(jù)，操作人員不但可以監(jiān)控分析設(shè)備的狀況，還可以分析尋找工藝改進(jìn)的方向，提高工藝的結(jié)果。因此，如何能夠方便、快捷地分析工藝數(shù)據(jù)，以便工藝工程師或設(shè)備工程師通過工藝數(shù)據(jù)對(duì)機(jī)臺(tái)設(shè)備及工藝現(xiàn)狀進(jìn)行監(jiān)控和改進(jìn)，在工藝發(fā)展中有著不可忽視的作用。一般情況下，操作人員在對(duì)工藝數(shù)據(jù)進(jìn)行分析時(shí)，除了針對(duì)某個(gè)chamber (腔室) 下某個(gè)工藝過程中的個(gè)別工藝過程參數(shù)進(jìn)行單獨(dú)查看分析外，大多數(shù)時(shí)候更需要通過針對(duì)不同情況下的工藝過程參數(shù)的對(duì)比來分析，通常的分析對(duì)象包括以下幾類A類、同一 wafer (硅片)不同工藝過程參數(shù)之間；B類、同一 chamber不同wafer的同一工藝過程參數(shù)之間；C類、不同chamber同一工藝過程參數(shù)之間?，F(xiàn)有工藝數(shù)據(jù)分析方法能夠依據(jù)chamber的不同或者工藝過程參數(shù)的不同，設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性；例如，可以為兩個(gè)A類分析對(duì)象或者兩個(gè)C類分析對(duì)象設(shè)置不同的曲線屬性，這里的曲線屬性可以包括顏色、線型、線寬等；因此，操作人員可直觀的分辨出各曲線分別對(duì)應(yīng)哪個(gè)分析對(duì)象，方便快捷的對(duì)比該兩條曲線所分別代表的工藝數(shù)據(jù)，從而能夠?yàn)檫M(jìn)一步的分析提供直觀便捷的平臺(tái)。但是，由于只能根據(jù)chamber的不同或者工藝過程參數(shù)的不同分別設(shè)置曲線屬性，B類分析對(duì)象也即同一 chamber下的不同wafer并無單獨(dú)的屬于每個(gè)wafer的曲線屬性設(shè)置方式，因此，若用戶選擇了同一 chamber下的不同wafer，只能通過一套曲線屬性設(shè)置方式設(shè)置該chamber下的所有的wafer的參數(shù)。這樣，在分析B類分析對(duì)象時(shí)，繪圖區(qū)同樣會(huì)顯示兩條曲線，不過所述兩條曲線的顏色、線型、線寬等屬性都是一樣的，讓用戶無法區(qū)分哪條曲線是哪個(gè)wafer的數(shù)據(jù)。而針對(duì)對(duì)比對(duì)象B的分析又是檢測(cè)工藝數(shù)據(jù)的一個(gè)重要依據(jù)，要進(jìn)行該對(duì)比分析，只能通過DC系統(tǒng)將工藝數(shù)據(jù)導(dǎo)出到excel文件，然后針對(duì)數(shù)據(jù)文件進(jìn)行手動(dòng)分析，過程繁瑣復(fù)雜而且耗時(shí)。總之，需要本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個(gè)技術(shù)問題就是如何能夠提供一種便捷、高效的工藝數(shù)據(jù)分析方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)，用以便捷、高效地進(jìn)行工藝數(shù)據(jù)的分析。
為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種工藝數(shù)據(jù)分析方法，包括針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進(jìn)行自頂向下的逐級(jí)篩選，定位到分析對(duì)象；設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性；依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線；依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析。優(yōu)選的，所述定位到分析對(duì)象的步驟為，針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對(duì)象。優(yōu)選的，所述定位到分析對(duì)象的步驟包括腔室定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的硅片，并依據(jù)所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述方法還包括如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室不同，則返回所述腔室定位步驟；或者，如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室相同，則返回所述硅片定位步驟；或者，如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位步驟。優(yōu)選的，所述方法還包括添加參數(shù)類型，其中，一個(gè)參數(shù)類型對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)工藝過程參數(shù)；所述參數(shù)定位步驟包括識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；識(shí)別前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述曲線屬性包括顏色、線寬、線型和/或曲線放大比例。依據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明還公開了一種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，包括定位模塊，用于針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進(jìn)行自頂向下的逐級(jí)篩選，定位到分析對(duì)象；設(shè)置模塊，用于設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性；繪制模塊，用于依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線；分析模塊，用于依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析。優(yōu)選的，所述定位模塊，具體用于針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對(duì)象。優(yōu)選的，所述定位模塊包括腔室定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的硅片，并依據(jù)所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述定位模塊還包括判斷單元，用于針對(duì)下一個(gè)分析對(duì)象，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室不同，則通知所述腔室定位單元；或者，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室相同，則通知所述硅片定位單元；或者，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位單兀。優(yōu)選的，所述系統(tǒng)還包括添加模塊，用于添加參數(shù)類型，其中，一個(gè)參數(shù)類型對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)工藝過程參數(shù)；所述參數(shù)定位單元包括類型定位子單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位子單元，用于識(shí)別前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。優(yōu)選的，所述曲線屬性包括顏色、線寬、線型和/或曲線放大比例。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過對(duì)工藝數(shù)據(jù)采用自頂向下的逐級(jí)篩選方法，定位到分析對(duì)象；由于不同逐級(jí)篩選能夠定位到不同的分析對(duì)象，使得可以準(zhǔn)確、唯一地定位到每個(gè)分析對(duì)象，這樣，可以針對(duì)不同分析對(duì)象設(shè)置不同的曲線屬性，而只要針對(duì)各分析對(duì)象設(shè)置的曲線屬性不同，用戶即可直觀、便捷、高效地通過繪圖區(qū)的曲線走勢(shì)及具體數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析，從而進(jìn)行工藝分析及設(shè)備監(jiān)控。以半導(dǎo)體制程中的工藝數(shù)據(jù)分析為例，所述逐級(jí)篩選可以針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，或者，按照腔室到硅片到參數(shù)類型到工藝過程參數(shù)，定位到各分析對(duì)象。


圖1是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實(shí)施例1的流程圖；圖2是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實(shí)施例2的流程圖；圖3是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析的界面示例；圖4是本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明可以應(yīng)用于各種工藝數(shù)據(jù)的分析，其中，所述分析可以是個(gè)別工藝過程參數(shù)的單獨(dú)查看分析，也可以是不同情況下的工藝過程參數(shù)的對(duì)比分析。為了簡(jiǎn)便起見，在本發(fā)明的具體實(shí)施例中均采用半導(dǎo)體制程為具體應(yīng)用環(huán)境進(jìn)行介紹，但其并不應(yīng)作為本發(fā)明的應(yīng)用限制，實(shí)際上，本發(fā)明可以應(yīng)用在各種復(fù)雜工藝的工藝數(shù)據(jù)分析中，例如，大型化工產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝等等。參照?qǐng)D1，示出了本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實(shí)施例1的流程圖，具體可以包括步驟101、針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進(jìn)行自頂向下的逐級(jí)篩選，定位到分析對(duì)象；本發(fā)明實(shí)施例的核心構(gòu)思之一在于，對(duì)工藝數(shù)據(jù)采用自頂向下的逐級(jí)篩選方法， 定位到分析對(duì)象；其中，所述逐級(jí)篩選可以包括頂級(jí)-一級(jí)-二級(jí)..底級(jí)，由于不同逐級(jí)篩選能夠定位到不同的分析對(duì)象，使得可以準(zhǔn)確、唯一地定位到每個(gè)分析對(duì)象，這樣，可以針對(duì)不同分析對(duì)象設(shè)置不同的曲線屬性，因此，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，多個(gè)分析對(duì)象的曲線屬性重復(fù)導(dǎo)致無法對(duì)比區(qū)分的情形，本發(fā)明能夠較好地避免上述情形。以半導(dǎo)體制程中的工藝數(shù)據(jù)分析為例，所述逐級(jí)篩選是一個(gè)逐步細(xì)化的過程，具體而言，可以針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù) (chamber-wafer-Parameter)的篩選順序，定位到分析對(duì)象。此時(shí)，所述步驟101具體可以包括腔室定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)；假設(shè)操作人員欲分析PMl下waferlDl的I^ress參數(shù)，也即，當(dāng)前分析對(duì)象為 “PMl-waferlDl-Press”，這里，PMl為某個(gè)具體的chamber，而通過DC系統(tǒng)的查詢功能，獲取了所有chamber的工藝數(shù)據(jù)；那么，所述腔室定位步驟則針對(duì)“PMl-waferlDl-Press”識(shí)別出其所屬的腔室PM1，然后獲取PMl的工藝數(shù)據(jù)。硅片定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的硅片，并依據(jù)所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)；其次，所述硅片定位步驟針對(duì)“PMl-waferIDl-Press”識(shí)別出其所屬的硅片 waferlDl，然后進(jìn)一步在PMl的工藝數(shù)據(jù)中篩選獲取waferlDl的工藝數(shù)據(jù)。參數(shù)定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。最后，所述參數(shù)定位步驟針對(duì)“PMl-waferIDl-Press”識(shí)別出其所屬的參數(shù) ft~eSS，然后進(jìn)一步在waferlDl的工藝數(shù)據(jù)中篩選獲取I^ress的工藝數(shù)據(jù)。綜上，定位到分析對(duì)象的步驟就是按照chamber-wafer-Parameter的順序，篩選出該分析對(duì)象的工藝數(shù)據(jù)的過程，這樣，就可以依據(jù)相應(yīng)工藝數(shù)據(jù)進(jìn)行接下來的曲線屬性設(shè)置和曲線繪制。步驟102、設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性；所述曲線屬性的設(shè)置，既可以增加分析單個(gè)分析對(duì)象的方便直觀性，又可以通過對(duì)不同分析對(duì)象設(shè)置不同的曲線屬性，以區(qū)分開所要對(duì)比的多個(gè)分析對(duì)象，使對(duì)比更加醒目直觀。通常地，所述曲線屬性可以包括顏色、線寬、線型等。CN
為了增加分析對(duì)比的方便性，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述曲線屬性還可以包括曲線放大比例(scale)；通常地，曲線的橫軸為時(shí)間值，縱軸為參數(shù)值，這樣，在設(shè)置了該scale值后，曲線上各點(diǎn)的縱軸值會(huì)變成原始值*(scale/100)，假設(shè)當(dāng)前設(shè)置scale 為200，曲線上各點(diǎn)的縱軸值會(huì)變成原始值的2倍?？梢岳斫猓煌治鰧?duì)象可以設(shè)置不同的scale，因此，在不同分析對(duì)象曲線在某些區(qū)域(也稱接近區(qū)域)的原始值比較接近時(shí)，所述scale的設(shè)置能夠更方便比較一些分析對(duì)象的相關(guān)性，從而能夠起到比較好的分析對(duì)比效果。步驟103、依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線；步驟104、依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析。在分析當(dāng)前分析對(duì)象的同時(shí)，如果還想分析其它分析對(duì)象，可同樣執(zhí)行步驟 101-步驟104，并設(shè)置與當(dāng)前分析對(duì)象不同的曲線屬性。即可圖形化顯示各分析對(duì)象的工藝數(shù)據(jù)。為了增加定位的靈活性，提高分析效率，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述方法還可以包括如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室不同，則返回所述腔室定位步驟；或者，如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室相同，則返回所述硅片定位步驟；或者，如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位步驟。因此，無論分析對(duì)比的多個(gè)分析對(duì)象屬于如下哪類對(duì)比對(duì)象A類、同一 wafer (硅片)不同工藝過程參數(shù)之間；B類、同一 chamber不同wafer的同一工藝過程參數(shù)之間；C 類、不同chamber同一工藝過程參數(shù)之間，本發(fā)明均可為所述多個(gè)分析對(duì)象設(shè)置不同的曲線屬性，而只要針對(duì)各分析對(duì)象設(shè)置的曲線屬性不同，用戶即可直觀的通過繪圖區(qū)的曲線走勢(shì)及具體數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析，從而進(jìn)行工藝分析及設(shè)備監(jiān)控。在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述方法還可以包括添加參數(shù)類型，其中，一個(gè)參數(shù)類型可對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)工藝過程參數(shù)；相應(yīng)地，所述參數(shù)定位步驟具體可以包括識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；識(shí)別前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。例如，壓力類型可以對(duì)應(yīng)多個(gè)壓力參數(shù)，以及，溫度類型可以對(duì)應(yīng)多個(gè)溫度參數(shù)， 以及，功率類型可以對(duì)應(yīng)入射功率參數(shù)、反射功率參數(shù)等多個(gè)功率參數(shù)，等等。本優(yōu)選實(shí)施例按照腔室到硅片到參數(shù)類型到工藝過程參數(shù)(chamber-wafer-Para mType-Parameter)的篩選順序，能夠細(xì)化分析對(duì)象的定位。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下結(jié)合圖2所示的一種工藝數(shù)據(jù)分析方法實(shí)施例2的流程圖更進(jìn)一步說明步驟201、基于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的查詢功能，得到要查看的工藝數(shù)據(jù)；
步驟202、識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)；步驟203、識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的硅片，并依據(jù)所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)；步驟204、識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；步驟205、識(shí)別前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)；步驟206、設(shè)置當(dāng)前分析對(duì)象的曲線屬性；步驟207、依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線；步驟208、依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析；參照?qǐng)D3，示出了本發(fā)明一種工藝數(shù)據(jù)分析的界面示例，其中，左半部分為繪圖區(qū)， 其頂部標(biāo)題為“History Graphs (歷史數(shù)據(jù)曲線)”，橫軸為時(shí)間值，縱軸為參數(shù)值；右半部分為工藝數(shù)據(jù)區(qū)，進(jìn)一步，其上半部分的標(biāo)題為“klect WafeH硅片選擇)”，其中，提供了 Chamber、WaferID (硅片標(biāo)識(shí))、ParamType、ParamName (參數(shù)名稱)等選項(xiàng)卡，以通過識(shí)別來實(shí)現(xiàn)當(dāng)前分析對(duì)象的定位；以及，在曲線屬性(Line Attribute)中提供了 Color (顏色)、Width (線寬)、DashMyle (線型)Jcale (線型比例)等選項(xiàng)卡；在Chamber、WaferlD、ParamType、ParamName選擇相應(yīng)的選項(xiàng)后，即代表定位了當(dāng)前分析數(shù)據(jù)的工藝數(shù)據(jù)，這樣，在設(shè)置曲線屬性后，可點(diǎn)擊<0K>按鈕，此時(shí)，會(huì)將所選擇的分析對(duì)象以記錄的形式列在下方列表中，同時(shí)，將所選擇分析對(duì)象的曲線繪制到繪圖區(qū)。這里，一條記錄對(duì)應(yīng)一個(gè)分析對(duì)象，一條記錄的屬性可以包括Chamber、 MartTime (工藝數(shù)據(jù)采集的開始時(shí)間)、WaferlD、LotID (卡制品標(biāo)識(shí))、SlotID (卡槽標(biāo)識(shí))、Recipe (工藝)、ParamName等。這里，所述記錄屬性是用戶所選擇的分析對(duì)象的數(shù)據(jù)描述，可用來幫助用戶更準(zhǔn)確的分析的所選擇的分析對(duì)象。步驟209、若要選擇當(dāng)前WaferID下的另一個(gè)工藝過程參數(shù)，則返回步驟204 ；步驟210、若要選擇當(dāng)前Chamber下的另一個(gè)WaferlD，則返回步驟203 ；步驟211、若要選擇另一個(gè)Chamber下的工藝數(shù)據(jù)，則返回步驟202。圖3所示界面不但可以針對(duì)不同分析對(duì)象設(shè)置不同的曲線屬性，而且具有界面簡(jiǎn)潔，易于操作等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，圖3所示界面僅僅用作示例，本領(lǐng)域技術(shù)人員采用任一種界面都是可行的， 本發(fā)明無需對(duì)此加以限制。對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作并不一定是本發(fā)明所必須的。與前述方法實(shí)施例相應(yīng)，本發(fā)明還公開了一種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，參照?qǐng)D4，具體可以包括定位模塊401，用于針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進(jìn)行自頂向下的逐級(jí)篩選，定位到分析對(duì)象；
設(shè)置模塊402，用于設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性；繪制模塊403，用于依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線；分析模塊404，用于依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析。以半導(dǎo)體制程中的工藝數(shù)據(jù)分析為例，所述定位模塊401，可具體用于針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對(duì)象。在實(shí)際中，所述曲線屬性可以包括顏色、線寬、線型等，優(yōu)選的，還可以包括曲線放大比例。在具體實(shí)現(xiàn)中，所述定位模塊401具體可以包括腔室定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的硅片，并依據(jù)所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。為了增加定位的靈活性，提高分析效率，在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述定位模塊401還可以包括判斷單元，用于針對(duì)下一個(gè)分析對(duì)象，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室不同，則通知所述腔室定位單元；或者，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室相同，則通知所述硅片定位單元；或者，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位單兀。在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施例中，還可以按照chamber-wafer-ParamType-Parame ter的篩選順序，以細(xì)化分析對(duì)象的定位，相應(yīng)地，所述系統(tǒng)還可以包括添加模塊，用于添加參數(shù)類型，其中，一個(gè)參數(shù)類型對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)工藝過程參數(shù)；此時(shí)，所述參數(shù)定位單元具體可以包括類型定位子單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位子單元，用于識(shí)別前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對(duì)于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想， 在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種工藝數(shù)據(jù)分析方法，其特征在于，包括針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進(jìn)行自頂向下的逐級(jí)篩選，定位到分析對(duì)象； 設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性； 依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線； 依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位到分析對(duì)象的步驟為，針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對(duì)象。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述定位到分析對(duì)象的步驟包括 腔室定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的硅片，并依據(jù)所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位步驟識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，還包括如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室不同，則返回所述腔室定位步驟； 或者，如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室相同，則返回所述硅片定位步驟；或者，如果下一個(gè)分析對(duì)象與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位步驟。
5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，還包括添加參數(shù)類型，其中，一個(gè)參數(shù)類型對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)工藝過程參數(shù)；所述參數(shù)定位步驟包括識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；識(shí)別前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述曲線屬性包括顏色、線寬、 線型和/或曲線放大比例。
7.—種工藝數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，其特征在于，包括定位模塊，用于針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進(jìn)行自頂向下的逐級(jí)篩選，定位到分析對(duì)象；設(shè)置模塊，用于設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性；繪制模塊，用于依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線；分析模塊，用于依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位模塊，具體用于針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，按照腔室到硅片到工藝過程參數(shù)的篩選順序，定位到分析對(duì)象。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位模塊包括腔室定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室，并依據(jù)所述查詢工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)；硅片定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的硅片，并依據(jù)所識(shí)別腔室的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述定位模塊還包括判斷單元，用于針對(duì)下一個(gè)分析對(duì)象，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室不同，則通知所述腔室定位單元；或者，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室相同，則通知所述硅片定位單元；或者，如果其與當(dāng)前分析對(duì)象所屬的腔室和硅片均相同，則返回所述參數(shù)定位單元。
11.如權(quán)利要求9或10所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括添加模塊，用于添加參數(shù)類型，其中，一個(gè)參數(shù)類型對(duì)應(yīng)一個(gè)或多個(gè)工藝過程參數(shù)； 所述參數(shù)定位單元包括類型定位子單元，用于識(shí)別當(dāng)前分析對(duì)象所屬的參數(shù)類型，并依據(jù)所識(shí)別硅片的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)；參數(shù)定位子單元，用于識(shí)別前分析對(duì)象所屬的工藝過程參數(shù)，并依據(jù)所識(shí)別參數(shù)類型的工藝數(shù)據(jù)，獲取所識(shí)別工藝過程參數(shù)的工藝數(shù)據(jù)。
12.如權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述曲線屬性包括顏色、線寬、線型和/或曲線放大比例。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種工藝數(shù)據(jù)分析方法和系統(tǒng)，其中的方法具體包括針對(duì)查詢得到的工藝數(shù)據(jù)，進(jìn)行自頂向下的逐級(jí)篩選，定位到分析對(duì)象；設(shè)置所述分析對(duì)象的曲線屬性；依據(jù)所述曲線屬性，繪制相應(yīng)分析對(duì)象的曲線；依據(jù)所述曲線，對(duì)相應(yīng)分析對(duì)象進(jìn)行分析。本發(fā)明用以便捷、高效地進(jìn)行工藝數(shù)據(jù)的分析。
文檔編號(hào)H01L21/00GK102456083SQ201010520658
公開日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2010年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月20日
發(fā)明者劉振華 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司