專利名稱：發(fā)光二極管封裝基板及發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝基板及發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的切割方法一般采用激光切割，但是為了降低切割成本以及簡化制程，目前在發(fā)光二極管制程上大多采用裂片(breaking)方式。具體方法為 在用于形成多個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的封裝基板上預(yù)切割多條切割線，在完成封裝制程后，沿著所述切割線將多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)分別剝離下來，得到多個(gè)分離的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)。 但是為了保持封裝基板整體結(jié)構(gòu)，防止在預(yù)切割或后續(xù)封裝制程時(shí)封裝基板出現(xiàn)斷裂，切割線不能切的太深，這就導(dǎo)致了在剝離發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的過程中，由于應(yīng)力無法很好地進(jìn)行傳遞至切割線處，容易造成剝離后的發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)邊緣不規(guī)則，從而影響到發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)的良率。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種剝離后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)邊緣規(guī)則，良率較高的發(fā)光二極管封裝基板以及發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法。一種發(fā)光二極管封裝基板，其包括相對的上表面和下表面。所述上表面和下表面分別形成多條相交的切割線，所述切割線將所述發(fā)光二極管封裝基板分割成多個(gè)單片。所述切割線的交點(diǎn)處形成有貫通所述基板上下表面的通孔，所述通孔內(nèi)壁靠近所述發(fā)光二極管封裝基板的上表面及下表面的兩端沿所述切割線分別開設(shè)有切口。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其包括以下幾個(gè)步驟提供一發(fā)光二極管封裝基板，其包括相對的上表面和下表面，所述上表面和下表面分別形成多條相交的切割線，所述切割線將所述發(fā)光二極管封裝基板均勻分割成多個(gè)單片；在所述切割線的交點(diǎn)處開設(shè)貫通所述發(fā)光二極管封裝基板上表面及下表面的通孔；在所述通孔內(nèi)壁靠近所述發(fā)光二極管封裝基板的上表面及下表面的上下兩端沿所述切割線分別開設(shè)切口；將多個(gè)發(fā)光二極管晶粒分別設(shè)置在所述發(fā)光二極管封裝基板的每個(gè)單片上；沿著所述切割線分別剝離下每個(gè)單片，從而形成多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝基板在上下表面分別預(yù)切割有切割線，并且在上下表面上沿所述切割線分別開設(shè)切口，從而在剝離過程中，有利于應(yīng)力的傳遞，剝離更容易，剝離后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的邊緣更規(guī)則，良率比較高。


圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝基板的俯視圖。
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圖2為本發(fā)明實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝基板的仰視圖。圖3為圖1中的發(fā)光二極管封裝基板沿I-I的剖面示意圖。圖4為將圖1中的發(fā)光二極管封裝基板設(shè)置發(fā)光二極管晶粒的俯視圖。圖5為在圖7中的發(fā)光二極管晶粒上設(shè)置封裝層的發(fā)光二極管封裝基板的俯視圖。主要元件符號說明
發(fā)光二極I 封裝基板100
上表面110
下表面120
切割線130
單片140
凹槽141
上電極142
下電極143
通孔150
切口160
發(fā)光二極I 晶粒 200
封裝層300
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請參閱圖1，圖2以及圖3，本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝基板100 包括相對的上表面110以及下表面120。所述上表面110以及下表面120分別形成有多條相交的橫向及縱向的切割線130， 所述切割線130將所述發(fā)光二極管封裝基板100均勻分割成多個(gè)單片140。為保持所述發(fā)光二極管封裝基板100的整體結(jié)構(gòu)，防止其斷裂，所述切割線130的深度不宜太深，其具體深度應(yīng)視基板材質(zhì)而定。所述橫向及縱向的切割線130的交點(diǎn)處形成有貫通所述發(fā)光二極管封裝基板100 的上表面110以及下表面120的通孔150。在所述發(fā)光二極管封裝基板100的上表面110上，所述每個(gè)單片140都開設(shè)有凹槽141，所述凹槽141中設(shè)置有上電極142。在所述發(fā)光二極管封裝基板100的下表面120 上設(shè)置有與所述上電極142相對應(yīng)的下電極143，所述上電極142與所述下電極143彼此電性連接。在本實(shí)施方式中，所述發(fā)光二極管封裝基板100為一陶瓷基板。可以理解，在其他實(shí)施方式中，所述單片140上也可不形成凹槽141。所述通孔150內(nèi)壁靠近所述發(fā)光二極管封裝基板100的上表面110以及下表面 120的上下兩端沿所述切割線130分別開設(shè)有切口 160。所述切口 160與所述切割線130 連通，并且比所述切割線130的深度要深。在本實(shí)施方式中，所述切口 160在垂直所述發(fā)光二極管封裝基板100的方向上呈“V”字型。本發(fā)明實(shí)施方式中的發(fā)光二極管封裝基板100，由于預(yù)切割的所述切割線130的深度不深，從而可以很好的保持所述發(fā)光二極管封裝基板100的整體性，防止在預(yù)切割或后續(xù)封裝制程時(shí)所述發(fā)光二極管封裝基板100出現(xiàn)斷裂。同時(shí)，又由于所述發(fā)光二極管封裝基板100的上下表面沿切割線130分別開設(shè)有切口，從而在剝離過程中，更有利于應(yīng)力的傳遞，剝離更容易，剝離后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的邊緣更規(guī)則，良率較高。請一并參閱圖4以及圖5，本發(fā)明實(shí)施方式提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，所述方法包括以下幾個(gè)步驟步驟一，請參閱圖1至圖3，提供一發(fā)光二極管封裝基板100，其包括相對的上表面 110以及下表面120，在所述上表面110以及下表面120分別對應(yīng)預(yù)切割形成多條相交的橫向及縱向的切割線130，所述切割線130將所述發(fā)光二極管封裝基板100均勻分割成多個(gè)單片140。在所述發(fā)光二極管封裝基板100的上表面110上，所述每個(gè)單片140都開設(shè)有凹槽 141，所述凹槽141中設(shè)置有上電極142。在所述發(fā)光二極管封裝基板100的下表面120上設(shè)置有與所述上電極142相對應(yīng)的下電極143，所述上電極142與所述下電極143彼此電性連接。步驟二，在所述橫向及縱向的切割線130的交點(diǎn)處開設(shè)貫通所述發(fā)光二極管封裝基板100上表面110以及下表面120的通孔150。步驟三，在所述通孔150內(nèi)壁靠近所述發(fā)光二極管封裝基板100的上表面110以及下表面120的上下兩端沿所述切割線130分別開設(shè)切口 160。所述切口 160與所述切割線130連通，并且比所述切割線130的深度要深。在本實(shí)施方式中，所述切口 160在垂直所述發(fā)光二極管封裝基板100的方向上呈“V”字型。步驟四，請參閱圖4，將多個(gè)發(fā)光二極管晶粒200分別設(shè)置在所述每個(gè)單片140的凹槽141中，并且電性連接其中的上電極142。步驟五，請參閱圖5，在每個(gè)單片140的凹槽141中形成封裝層300，覆蓋所述發(fā)光二極管晶粒200。在本實(shí)施方式中，所述封裝層300可以為環(huán)氧樹脂、硅樹脂或者是兩者組合材料構(gòu)成。所述封裝層300中還可包括有熒光粉，所述熒光粉可以為石榴石結(jié)構(gòu)化合物、 硅酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料的組合。步驟六，沿著所述切割線130分別剝離下每個(gè)單片140，從而形成多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。在剝離過程中，當(dāng)對所述發(fā)光二極管封裝基板100的上表面110施以下壓力時(shí)，上表面110的切口 160處就會產(chǎn)生張應(yīng)力，該應(yīng)力將會向下延伸尋找所述發(fā)光二極管封裝基板100的相對脆弱的區(qū)域，從而就會延伸至所述下表面120的相對較深的切口 160處，進(jìn)而將發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)從所述發(fā)光二極管封裝基板100上剝離下來。由于在所述發(fā)光二極管封裝基板100的上表面110以及下表面分別開設(shè)相對于切割線130較深的切口 160，從而更有利于應(yīng)力的傳遞，剝離更容易，剝離后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的邊緣更規(guī)則，良率比較尚ο相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝基板在上下表面分別預(yù)切割有切割線，并且在上下表面上沿所述切割線分別開設(shè)切口，從而在剝離過程中，有利于應(yīng)力的傳遞，剝離更容易，剝離后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的邊緣更規(guī)則，良率比較高?？梢岳斫獾氖?，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種像應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)力藥求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝基板，其包括相對的上表面和下表面，所述上表面和下表面分別形成多條相交的切割線，所述切割線將所述發(fā)光二極管封裝基板分割成多個(gè)單片，其特征在于，所述切割線的交點(diǎn)處形成有貫通所述基板上下表面的通孔，所述通孔內(nèi)壁靠近所述發(fā)光二極管封裝基板的上表面及下表面的兩端沿所述切割線分別開設(shè)有切口。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板，其特征在于所述基板為陶瓷基板。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板，其特征在于所述切口與所述切割線連通，并在垂直所述發(fā)光二極管封裝基板的方向上呈“V”字型。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝基板，其特征在于在所述基板的上表面上，所述每個(gè)單片都開設(shè)有凹槽，所述凹槽中設(shè)置有上電極，在所述基板的下表面上設(shè)置有與所述上電極相對應(yīng)的下電極，所述上電極與所述下電極彼此電性連接。
5.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其包括以下幾個(gè)步驟提供一發(fā)光二極管封裝基板，其包括相對的上表面和下表面，所述上表面和下表面分別形成多條相交的切割線，所述切割線將所述發(fā)光二極管封裝基板均勻分割成多個(gè)單片；在所述切割線的交點(diǎn)處開設(shè)貫通所述發(fā)光二極管封裝基板上表面及下表面的通孔；在所述通孔內(nèi)壁靠近所述發(fā)光二極管封裝基板的上表面及下表面的上下兩端沿所述切割線分別開設(shè)切口；將多個(gè)發(fā)光二極管晶粒分別設(shè)置在所述發(fā)光二極管封裝基板的每個(gè)單片上；沿著所述切割線分別剝離下每個(gè)單片，從而形成多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于在所述發(fā)光二極管封裝基板的上表面上，所述每個(gè)單片都開設(shè)有凹槽，所述凹槽中設(shè)置有上電極，在所述發(fā)光二極管封裝基板的下表面上設(shè)置有與所述上電極相對應(yīng)的下電極，所述上電極與所述下電極彼此電性連接。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于所述多個(gè)發(fā)光二極管晶粒分別設(shè)置在所述每個(gè)單片的凹槽中，并且電性連接其中的上電極。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于所述切口與所述切割線連通，并呈“V”字型。
9.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于在將多個(gè)發(fā)光二極管晶粒分別設(shè)置在所述發(fā)光二極管封裝基板的每個(gè)單片上的步驟之后還包括在每個(gè)單片的凹槽中形成封裝層，覆蓋所述發(fā)光二極管晶粒的步驟。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝基板，其包括相對的上表面和下表面。所述上表面和下表面分別形成多條相交的切割線，所述切割線將所述發(fā)光二極管封裝基板分割成多個(gè)單片。所述切割線的交點(diǎn)處形成有貫通所述基板上下表面的通孔，所述通孔內(nèi)壁靠近所述發(fā)光二極管封裝基板的上表面及下表面的兩端沿所述切割線分別開設(shè)有切口。本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝基板在上下表面分別預(yù)切割有切割線，并且在上下表面上沿所述切割線分別開設(shè)有切口，從而在剝離過程中，有利于應(yīng)力的傳遞，剝離更容易，剝離后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的邊緣更規(guī)則，良率比較高。
文檔編號H01L33/00GK102412360SQ20101029042
公開日2012年4月11日 申請日期2010年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月23日
發(fā)明者張超雄, 方榮熙, 胡必強(qiáng) 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司