專利名稱：載置機構、帶劃片框架的晶片的搬送方法
技術領域：
本發(fā)明涉及載置帶劃片框架的晶片的載置機構、帶劃片框架的晶片的搬送方法 及被用于搬送方法的晶片搬送用程序，更為具體地，涉及一種在載置機構載置帶劃片框 架的晶片并進行晶片的電氣特性檢查后，能抑制在從載置機構剝離帶劃片框架的晶片時 發(fā)生的剝離帶電的載置機構、帶劃片框架的晶片的搬送方法及被用于該方法的晶片搬送 用程序。
背景技術：
作為在半導體制造工序中制造出的器件的檢查方法，例如有將形成了多個器件 的晶片提供給檢查裝置，并以晶片狀態(tài)直接進行各器件的電氣特性檢查的方法。這種檢 查裝置例如具有加載器室和探針室，所述加載器室以盒為單位收納晶片，并搬送晶片以 用于檢查，所述探針室從加載器室接收晶片，并進行晶片的電氣特性檢查。加載器室具有用于搬送晶片的晶片搬送機構和用于使晶片的朝向沿一定方向對 齊的預對準機構，晶片搬送機構將晶片向探針室搬送途中，通過預對準機構將晶片對齊 到預定朝向后，將晶片交接給探針室。探針室具有能移動地載置晶片的載置臺、配置于 載置臺上方的探針卡和對晶片的電極焊盤和探針卡的探針的位置進行定位的對準機構， 載置臺和對準機構協(xié)作對載置臺上的晶片和探針卡的位置進行定位后，使載置臺移動， 使晶片和探針卡電接觸，進行晶片的電氣特性檢查后，將晶片返送到加載器室。近年來，伴隨器件的微型化及薄型化，有時將帶劃片框架的晶片提供給檢查裝 置進行晶片的電氣特性檢查。在此，帶劃片框架的晶片是指在劃片框架的薄片上所粘接 固定了的晶片。對帶劃片框架的晶片，例如使用圖3所示的載置機構。為此，根據(jù)圖3(a) (c)，對在帶劃片框架的晶片的檢查中所使用的載置機構 進行說明。其中，圖3(a) (c)示出在使用載置機構進行晶片的檢查之后，將帶劃片框 架的晶片DFW從載置機構向加載器室搬送的方法的初始階段。如圖3所示，該載置機 構具有載置帶劃片框架的晶片DFW的載置臺1、和沿著載置臺1的外周面隔開預定間隔 安裝的多個氣缸機構2。氣缸機構2具有氣缸主體2A、在氣缸主體2A的上表面伸縮的 桿2B和形成在桿的前端并吸附固定劃片框架DF的承受部2C。另外，在晶片W的檢查 時，晶片W隔著薄片F(xiàn)被吸附固定在載置臺1的載置面上，劃片框架DF被吸附固定在氣 缸機構2的桿2A收縮至最短時的承受部2C上。然而，在檢查后，將晶片W從載置臺1向加載器室側搬送時，為了將帶劃片框 架的晶片DFW交接給晶片搬送機構，將晶片W從載置臺1的載置面頂起一定的尺寸。此 時，氣缸機構2進行驅動，從圖3(a)所示的狀態(tài)伸出桿2B，承受部2C的承受面超過了 該圖(b)所示的載置臺1的載置面的高度，當桿2B進一步伸長時帶劃片框架的晶片DFW 的薄片F(xiàn)從載置面被剝離，分開預定的尺寸后停止。晶片搬送機構的臂部進入此時的晶 片W和載置面之間產(chǎn)生的間隙里，通過臂部將帶劃片框架的晶片DFW向加載器室側搬 送。
但是，如圖3(b)到(C)所示，通過氣缸機構2頂起帶劃片框架的晶片將晶片W 從載置臺1的載置面剝離時，在薄片F(xiàn)上發(fā)生剝離帶電，由于此時的靜電，晶片W的器 件配線結構有可能受到損傷。雖然為了避免這種問題出現(xiàn)，使用靜電消除器如該圖中的 箭頭A所示地照射離子，來降低薄片F(xiàn)的帶電量，但是有時不夠充分。并且，此時的剝 離帶電量有時會達到3KV 5KV左右。降低剝離帶電的方法例如記載在專利文獻1、2中。專利文獻1記載了如下方 法使板狀部件從載置部移動時，利用通過激勵載置部而產(chǎn)生的聲波的放射壓，使板狀 部件從載置部浮起來，從而抑制板狀部件的剝離帶電。但是，該方法使聲波發(fā)生放射壓 的機構復雜。并且，在專利文獻2中記載了如下方法使用除電器的同時使用升降部件 使基板的上升在基板的至少一部分從載物臺分離的第一停止位置處停止，并至少一次使 基板的上升在比第一停止位置高的第二停止位置處停止，由此降低基板的剝離帶電。該 方法雖然簡單，但是在該專利文獻2中并未提及將帶劃片框架的晶片從載置面剝離的方 法。并且，與專利文獻2—樣，在專利文獻1中也沒有提及帶劃片框架的晶片。專利文獻1 日本特開2004-067369號公報專利文獻2 日本特開2006-049391號公報

發(fā)明內容
本發(fā)明是為解決上述課題而做出的，其目的在于，提供一種能在從載置臺搬送 帶劃片框架的晶片的初始階段抑制在載置臺和薄片之間發(fā)生剝離帶電的載置機構、帶劃 片框架的晶片的搬送方法及被用于該搬送方法的晶片搬送用程序。本發(fā)明人對將帶劃片框架的晶片從載置臺剝離時的剝離帶電進行研究的結果發(fā) 現(xiàn)，在使用現(xiàn)有的載置機構中的氣缸機構將帶劃片框架的晶片從載置臺剝離的方法，其 帶劃片框架的晶片的上升速度不穩(wěn)定，而且不能任意設定上升速度，因此不能充分抑制 剝離帶電量。本發(fā)明是根據(jù)上述發(fā)現(xiàn)而作出的，其中技術方案1所記載的載置機構，其特征 在于，包括載置臺，其載置固定在劃片框架的薄片上的晶片；升降驅動機構，其使 所述載置臺升降；多個支承體，其配置成沿著所述載置臺的外周面隔開預定間隔相對于 所述載置臺能相對升降，且從下表面支承所述劃片框架；以及第一作用體，其在所述載 置臺下降時，作用于多個所述支承體而頂起所述劃片框架，使固定有所述晶片的薄片從 所述載置臺分開，并且該載置機構在計算機的控制下能對所述升降驅動機構進行驅動控 制。并且，本發(fā)明的技術方案2所記載的載置機構，在技術方案1所記載的發(fā)明中， 其特征在于，所述多個支承體具有與在所述載置臺的外周面沿上下方向固定的導引部件 卡合的卡合部。并且，本發(fā)明的技術方案3所記載的載置機構，在技術方案1或技術方案2所記 載的發(fā)明中，其特征在于，包括多個銷，其可升降自如地懸垂在形成于所述載置臺的 多個貫通孔中，下端從所述載置臺的下表面突出；以及第二作用體，其與所述多個銷對 應地設置，且作用于與所述載置臺一起下降的所述多個銷，使所述多個銷從所述載置臺 的載置面突出。
并且，本發(fā)明的技術方案4所記載的帶劃片框架的晶片的搬送方法，將固定在 技術方案1至技術方案3所述的載置機構的載置臺所載置的劃片框架的薄片上的晶片從所 述載置臺進行搬送，其特征在于，包括第一工序，通過使用升降驅動機構使所述載置 臺以一定的第一速度下降，從而使第一作用體作用于多個支承體，以所述第一速度頂起 所述劃片框架，使固定有所述晶片的所述薄片從所述載置臺分開至第一位置；以及第二 工序，通過使用所述升降驅動機構使所述載置臺以比所述第一速度快的一定的第二速度 下降，從而使第一作用體作用于多個支承體，以所述第二速度頂起所述劃片框架，使固 定有所述晶片的所述薄片從所述載置臺分開至第二位置。并且，本發(fā)明的技術方案5所記載的帶劃片框架的晶片的搬送方法，在技術方 案4所記載的發(fā)明中，使第二作用體作用于多個銷，使所述多個銷從所述載置臺的載置 面突出，從而使所述晶片從所述載置臺分開。并且，本發(fā)明的技術方案6所記載的帶劃片框架的晶片的搬送方法，在技術方 案5所記載的發(fā)明中，在所述第一作用體作用于所述多個支承體后，所述第二作用體作 用于所述多個銷。并且，本發(fā)明的技術方案7所記載的晶片搬送用程序，其特征在于，使計算機 驅動，執(zhí)行技術方案4至技術方案6中任一方式所述的帶劃片框架的晶片的搬送方法。按照本發(fā)明，能夠提供能夠抑制從載置臺搬送帶劃片框架的晶片時發(fā)生的剝離 帶電的載置機構、帶劃片框架的晶片的搬送方法及使用于該搬送方法的晶片搬送用程序。


圖1(a) (c)分別為表示使用了本發(fā)明的載置機構的帶劃片框架的晶片的搬送 方法的一實施方式的工序圖。圖2為將圖1所示的帶劃片框架的晶片的一部分放大表示的剖視圖。圖3(a) (C)分別為表示使用了現(xiàn)有的載置機構的帶劃片框架的晶片的搬送方法的一個例子的工序 圖。標號的說明10…載置機構、11…載置臺、12…支承體、13…第一作用體、14…導軌、15... 銷、16…第二作用體、DFW…帶劃片框架的晶片、DF···劃片框架、W…晶片。
具體實施例方式以下，根據(jù)圖1(a) (c)所示的實施方式，對本發(fā)明進行說明。首先，根據(jù)圖1(a)，對本實施方式的載置機構進行說明。如圖1(a)所示，本 實施方式的載置機構10包括載置臺11、其載置帶劃片框架的晶片DFW;使載置臺11 升降的升降驅動機構(未圖示)；多個支承體12，其沿著載置臺11的外周面隔開預定間 隔相對于載置臺11能相對升降地被配置，且自下表面支承劃片框架DF;以及第一作用 體13，其在載置臺11通過升降驅動機構下降時，作用于多個支承體12，頂起劃片框架 DF,而使帶劃片框架的晶片DFW的薄片F(xiàn)離開載置臺，并構成為在計算機(未圖示)的 控制下對升降驅動機構進行驅動控制。如圖2所示，帶劃片框架的晶片DFW的晶片W的上表面形成有切割的槽T。升降驅動機構例如具有電動機、滾珠絲杠和固定在載置臺11上的螺母部件，能 使載置臺11以一定的速度升降。載置臺11的升降速度可通過電動機設定成所希望的速度。并且，載置機構10在計算機的控制下通過XY載物臺(未圖示)向X、Y方向 移動地構成。在載置機構10的上方配置有探針卡(未圖示)，載置機構11和對準機構 (未圖示)協(xié)同動作對晶片W的電極焊盤和探針卡的探針進行對準。在載置臺11的周面沿上下方向安裝有與支承體12對應的導軌14。支承體12的 處于其側面的卡合部(未圖示)與導軌14卡合，順著導軌14進行升降。在支承體12的 下方配置有作用體13，該作用體13例如由能調整上端位置的高度的桿形成，載置臺11位 于上升端時，作用體13的上端面與支承體12的下表面接觸。因此，升降驅動機構進行 驅動以便載置臺11下降時，支承體12順著導軌14相對載置臺11相對地上升。支承體12具有從下表面承受劃片框架DF的承受部12A。在該承受部12A上形 成有對劃片框架DF進行真空吸附的吸附部，該吸附部與真空泵(未圖示)連接。因此， 在進行晶片W的電氣特性檢查時，晶片W隔著薄片F(xiàn)被真空吸附在載置臺11的載置面， 并且劃片框架DF被真空吸附在支承體12的承受部12A，從而將帶劃片框架的晶片DFW 牢固地固定在載置機構10中。并且，在載置臺11上形成有從其上表面向下表面貫通的多個(例如，三個)貫 通孔，這些貫通孔沿載置臺11的周向隔開相等間隔地配置，在這些貫通孔中可升降自如 地分別插入有銷15。銷15的上端具有倒圓錐臺狀的承受部15A，該承受部15A與形成在 貫通孔的上端的圓錐槽IlA嵌合。銷15的下端貫通載置臺11的貫通孔從下表面突出。 因此，銷15在通過承受部15A與圓錐槽IlA嵌合的狀態(tài)下被懸垂。銷15在被圓錐槽 IlA懸垂的狀態(tài)下，承受部15A的承受面與載置臺11的載置面為同一表面。因此，晶片 W被劃片而形成的器件由承受部15A進行支承，因此即使在該器件上電性接觸探針卡的 探針而被賦予較強的按壓力，也不會落入圓錐槽IlA內。在銷15的下方配置由與第一作用體13相同結構的第二作用體16，在載置臺11 通過升降驅動機構下降而支承體12的承受部12A到達載置臺11的載置面的時刻，第二 作用體16的上端與銷15的下端接觸。當載置臺11進一步下降時，銷15被第二作用體 16相對地頂起，銷15的承受部15A從載置面突出，從而使晶片W從載置面剝離。在晶 片W從載置面剝離時，發(fā)生剝離帶電，由于此時的帶電量，有可能給器件的配線結構帶 來損傷。因此，為了抑制由剝離帶電引起的薄片F(xiàn)的帶電量，在本實施方式的帶劃片框 架的晶片的搬送方法中，將帶劃片框架的晶片DFW的上升速度在上升中途進行切換。本 實施方式的帶劃片框架的晶片的搬送方法，通過登記在計算機中的晶片搬送用程序來執(zhí) 行。因此，對通過本實施方式的晶片搬送用程序來執(zhí)行的帶劃片框架的晶片的搬送方法 進行說明。本實施方式的帶劃片框架的晶片的搬送方法，是一種在結束晶片W的電氣特性 檢查之后，如圖1(a)所示，從帶劃片框架的晶片DFW被固定在載置機構10的狀態(tài)向加 載器室側搬送的方法，同時使用靜電消除器。
首先，若在從靜電消除器如圖1的箭頭A所示的那樣地向晶片W照射離子的狀 態(tài)下，升降驅動機構進行驅動而使載置臺11以一定速度(例如，Imm/秒)下降，則第 一作用體13作用于多個支承體12，支承體12順著導軌14相對于載置臺11以一定的較快 的速度上升，從而頂起劃片框架DF。在劃片框架DF被頂起的中途，當支承體12的承 受部12A的上表面超過載置面的上表面時，第二作用體16作用于多個銷15，從而承受部 15A從載置面突出，如該圖(b)所示，多個銷15以一定的較慢的速度從載置面剝離晶片 W(薄片F(xiàn))，在分開一定距離的第一位置(例如，距載置面5mm的位置)停止。如此， 通過從載置面以一定的較慢的速度剝離晶片W(薄片F(xiàn))，從而將晶片W(薄片F(xiàn))自載置 面剝離的剝離速度穩(wěn)定，因此能夠抑制剝離帶電量。在將晶片W(薄片F(xiàn))從載置臺11的載置面分開至第一位置來抑制剝離帶電后， 用靜電消除器抑制晶片W帶的靜電，同時通過升降驅動機構使載置臺11以比第一速度快 的第二速度快速地立刻下降，通過多個支承體12及多個銷15使晶片W(薄片F(xiàn))從載置 面分開，并使其停止在圖1 (C)所示的第二位置(例如，距載置面Ilmm的位置)。晶片 W(薄片F(xiàn))從第一位置到第二位置為止，很難發(fā)生剝離帶電，能夠抑制晶片W(薄片F(xiàn)) 帶電。晶片W(薄片F(xiàn))到達第二位置時，晶片搬送機構的臂部進入載置面和晶片W(薄 片F(xiàn))的間隙里，從而通過晶片搬送機構能夠搬送帶劃片框架的晶片DFW。如以上所進行的說明地，按照本實施方式，載置機構10包括載置臺11，其載 置帶劃片框架的晶片DFW;使載置臺11升降的升降驅動機構(未圖示)；多個支承體 12，其配置成沿著載置臺11的外周面隔開預定間隔相對于載置臺11能相對升降，并且 從下表面支承劃片框架DF ；第一作用體13，其在載置臺下降時作用于多個支承體12以 頂起劃片框架DF，從而使固定有晶片W的薄片F(xiàn)從載置臺11離開，并且由于在計算機 的控制下對升降驅動機構進行驅動控制，因此在計算機的控制下，執(zhí)行第一工序和第二 工序，能夠抑制從載置臺11搬送帶劃片框架的晶片時發(fā)生的剝離帶電，進而能夠防止器 件的由靜電引起的損傷，其中所述第一工序，通過使用升降驅動機構使載置臺11以一定 的第一速度下降，從而使第一作用體13作用于多個支承體12，以第一速度頂起劃片框架 DF,使固定有晶片W的薄片F(xiàn)從載置臺11分開至第一位置；所述第二工序通過使用升 降驅動機構使載置臺11以比第一速度快的一定的第二速度下降，從而使第一作用體13作 用于多個支承體12，以第二速度頂起劃片框架DF，使固定有晶片的薄片F(xiàn)從載置臺分開 至第二位置。并且，按照本實施方式，由于載置機構11還具有多個銷15和第二作用體16， 因此能夠以穩(wěn)定的姿勢從載置臺11的載置面剝離帶劃片框架的晶片DFW的晶片W(薄 片F(xiàn))，并且進一步抑制剝離帶電，其中所述多個銷15，可旋轉自如地懸垂在形成于載置 臺11的多個貫通孔中，其下端從載置臺11的下表面突出；所述第二作用體16與多個銷 15對應地設置，且作用于與載置臺一起下降的多個銷15，使多個銷15從載置臺11的載 置面突出。另外，在上述實施方式中，第一、第二作用體13、16設置有與多個支承體12及 多個銷15分別對應的數(shù)目，但是還可以以能一體方式升降的方式連結多個支承體及多個 銷，并通過連結部件用一個第一、第二作用體使多個支承體及多個銷升降。還可以是與 其相反的情形。總之，在不脫離本發(fā)明的主旨的前提下，只要是對各構成要素做了適當?shù)脑O計變更的情形，均包含于本發(fā)明中。并且，本發(fā)明的載置機構不限于帶劃片框架的 晶片，還能應用到通常的晶片單體的檢查中。
工業(yè)實用性 本發(fā)明能夠優(yōu)選利用在進行晶片檢查的檢查裝置中。
權利要求
1.一種載置機構，其特征在于，包括載置臺，其載置固定在劃片框架的薄片上的 晶片；升降驅動機構，其使所述載置臺升降；多個支承體，其配置成沿著所述載置臺的 外周面隔開預定間隔相對于所述載置臺能相對升降，且從下表面支承所述劃片框架；以 及第一作用體，其在所述載置臺下降時，作用于多個所述支承體而頂起所述劃片框架， 使固定有所述晶片的薄片從所述載置臺分開，并且該載置機構在計算機的控制下對所述 升降驅動機構進行驅動控制。
2.如權利要求1所述的載置機構，其特征在于，所述多個支承體具有與沿上下方向固 定在所述載置臺的外周面的導引部件卡合的卡合部。
3.如權利要求1或2所述的載置機構，其特征在于，包括多個銷，其可升降自如 地懸垂在形成于所述載置臺上的多個貫通孔中，下端從所述載置臺的下表面突出；以及 第二作用體，其與所述多個銷對應地設置，且作用于與所述載置臺一起下降的所述多個 銷，使所述多個銷從所述載置臺的載置面突出。
4.一種帶劃片框架的晶片的搬送方法，將固定在權利要求1至3所述的載置機構的 載置臺所載置的劃片框架的薄片上的晶片從所述載置臺進行搬送，其特征在于，包括 第一工序，通過使用升降驅動機構使所述載置臺以一定的第一速度下降，從而使第一作 用體作用于多個支承體，以所述第一速度頂起所述劃片框架，使固定有所述晶片的所述 薄片從所述載置臺分開至第一位置；以及第二工序，通過使用所述升降驅動機構使所述 載置臺以比所述第一速度快的一定的第二速度下降，從而使第一作用體作用于多個支承 體，以所述第二速度頂起所述劃片框架，使固定有所述晶片的所述薄片從所述載置臺分 開至第二位置。
5.如權利要求4所述的帶劃片框架的晶片的搬送方法，其特征在于，使第二作用體作 用于多個銷，使所述多個銷從所述載置臺的載置面突出，從而使所述晶片從所述載置臺 分開。
6.如權利要求5所述的帶劃片框架的晶片的搬送方法，其特征在于，在所述第一作用 體作用于所述多個支承體后，所述第二作用體作用于所述多個銷。
7.—種晶片搬送用程序，其特征在于，使計算機驅動，執(zhí)行權利要求4至6中任一項 所述的帶劃片框架的晶片的搬送方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種載置機構、帶劃片框架的晶片的搬送方法及被用于搬送方法的晶片搬送用程序，該搬送方法能在從載置臺搬送帶劃片框架的晶片的初始階段抑制在載物臺和薄片之間發(fā)生的剝離帶電。本發(fā)明的帶劃片框架的晶片的搬送方法包括第一工序，通過使用升降驅動機構使載置臺(11)以一定的第一速度下降，從而使第一作用體(13)作用于多個支承體(12)，以第一速度頂起劃片框架(DF)，使固定有晶片(W)的薄片(F)從載置臺分開至第一位置；以及第二工序，通過使用升降驅動機構使載置臺以比第一速度快的一定的第二速度下降，從而使第一作用體作用于多個支承體，以第二速度頂起劃片框架，使固定了晶片的薄片從載置臺分開至第二位置。
文檔編號H01L21/677GK102024730SQ20101028763
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權日2009年9月21日
發(fā)明者小笠原郁男, 長坂旨俊 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社