專利名稱：雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法。屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù) 領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方式是采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電 鍍層后，即完成引線框的制作(如圖43所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進(jìn)行蝕 刻。該法存在以下不足因?yàn)樗芊馇爸辉诮饘倩逭孢M(jìn)行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只有包 裹住引腳半只腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB 板上不是很好時(shí)，再進(jìn)行返工重貼，就容易產(chǎn)生掉腳的問題(如圖44所示)。尤其塑封料 的種類是采用有填料時(shí)候，因?yàn)椴牧显谏a(chǎn)過程的環(huán)境與后續(xù)表面貼裝的應(yīng)力變化關(guān)系， 會(huì)造成金屬與塑封料產(chǎn)生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產(chǎn)生裂 縫。另外，由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，如圖45 46所示， 金屬線成本較高(尤其是昂貴的純金質(zhì)的金屬線)；同樣由于金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，使得芯片 的信號(hào)輸出速度較慢(尤其是存儲(chǔ)類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)；也同樣 由于金屬線的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的 干擾也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠(yuǎn)，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較 高，廢棄物較多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬 線的長(zhǎng)度縮短的雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，所 述方法包括以下工藝步驟步驟一、取金屬基板取一片厚度合適的金屬基板，步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以 保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開 窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯 影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域，步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆
對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層電鍍被覆，該第一金屬層 置于所述基島與引腳的正面，步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以 保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行曝光顯 影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板背面蝕刻作業(yè)，步驟八、金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的背面進(jìn)行各圖形的蝕 刻作業(yè)，蝕刻出基島和引腳的背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到基島旁邊，步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除，步驟十、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑封料(環(huán)氧 樹脂)作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使基島和引腳外圍的區(qū)域、引腳與基島之間 的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)，該無填料的塑封 料(環(huán)氧樹脂)將基島和引腳下部外圍、引腳下部與基島下部以及引腳下部與引腳下部連 接成一體，步驟十一、被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面及背面分別 被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的 曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封無填料塑封 料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續(xù)需要進(jìn)行金屬基板正面 蝕刻作業(yè)，步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封無填料塑封料作業(yè)的 金屬基板正面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島和引腳的正面，且使所述基島和引腳的 背面尺寸小于基島和引腳的正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)，步驟十四、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將完成步驟十三蝕刻作業(yè)的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的 光阻膠膜全部揭除，制成引線框，步驟十五、裝片在基島正面第一金屬層上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植入，步驟十六、打金屬線
將已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行芯片正面與引腳正面第一金屬層之間打金 屬線作業(yè)，步驟十七、包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)將已打線完成的半成品正面進(jìn)行局部單元包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)， 使引腳正面局部單元區(qū)域露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作 業(yè)，使基島和引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)包封，步驟十八、基島和引腳的背面以及引腳的正面進(jìn)行金屬層電鍍被覆對(duì)已完成步驟十七包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的所述基島和引腳的背面 以及步驟十七所述露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)的引腳正面局部單元區(qū)域分別進(jìn)行第二 金屬層和第一金屬層電鍍被覆作業(yè)，步驟十九、切割成品將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以列陣式 集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)成品。本發(fā)明的有益效果是1、確保不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題由于引線框采用了雙面蝕刻的工藝技術(shù)，所以可以輕松的規(guī)劃設(shè)計(jì)與制造出上大 下小的引腳結(jié)構(gòu)，可以使上下層塑封料緊密的將上大下小的引腳結(jié)構(gòu)一起包裹住，所以塑 封體與引腳的束縛能力就變大了，不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題。2、確保金屬線的長(zhǎng)度縮短1)由于應(yīng)用了引線框背面與正面分開蝕刻的技術(shù)，所以能夠?qū)⒁€框正面的引腳 盡可能的延伸到后續(xù)需裝芯片的區(qū)域旁邊，促使芯片與引腳距離大幅的縮短，如圖2 圖 3，如此金屬線的長(zhǎng)度也縮短了，金屬線的成本也可以大幅的降低(尤其是昂貴的純金質(zhì)的 金屬線)；2)也因?yàn)榻饘倬€的長(zhǎng)度縮短使得芯片的信號(hào)輸出速度也大幅的增速(尤其存儲(chǔ) 類的產(chǎn)品以及需要大量數(shù)據(jù)的計(jì)算，更為突出)，由于金屬線的長(zhǎng)度變短了，所以金屬線所 存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對(duì)信號(hào)的干擾也大幅度的降低。3、使封裝的體積與面積可以大幅度的縮小因運(yùn)用了引腳的延伸技術(shù)，所以可以容易的制作出高腳數(shù)與高密度的腳與腳之間 的距離，使得封裝的體積與面積可以大幅度的縮小。4、材料成本和材料用量減少因?yàn)閷⒎庋b后的體積大幅度的縮小，更直接的體現(xiàn)出材料成本大幅度的下降與因 為材料用量的減少也大幅度的減少?gòu)U棄物環(huán)保的困擾。5、采用局部單元的單顆封裝的優(yōu)點(diǎn)有1)在不同的應(yīng)用中可以將塑封體邊緣的引腳伸出塑封體。2)塑封體邊緣的引腳伸出塑封體外可以清楚的檢查出焊接在PCB板上的情況。3)模塊型的面積較大會(huì)容易因?yàn)槎喾N不同的材料結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生收縮率不同的應(yīng)立 變形，而局部單元的單顆封裝就可以完全分散多種不同的材料結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生收縮率不同的應(yīng) 立變形。4)單顆封裝在進(jìn)行塑封體切割分離時(shí)，因?yàn)橐懈畹暮穸戎挥幸_的厚度，所以切割的速度可以比模塊型的封裝結(jié)構(gòu)要來得快很多，且切割用的刀片因?yàn)榍懈畹暮穸缺惚?了所以切割刀片的壽命相對(duì)的也就變的更長(zhǎng)了。


圖1 (A) 圖1 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例1各 工序示意圖。圖2為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2的俯視圖。圖4㈧ 圖4(R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例2各 工序示意圖。圖5為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為圖5的俯視圖。圖7㈧ 圖7 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例3各 工序示意圖。圖8為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為圖8的俯視圖。圖10(A) 圖IO(R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例4 各工序示意圖。圖11為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例4結(jié)構(gòu)示意圖。圖12為圖11的俯視圖。圖13㈧ 圖13 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例5 各工序示意圖。圖14為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5結(jié)構(gòu)示意圖。圖15為圖14的俯視圖。圖16㈧ 圖16 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例6 各工序示意圖。圖17為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6結(jié)構(gòu)示意圖。圖18為圖17的俯視圖。圖19㈧ 圖19 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例7 各工序示意圖。圖20為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7結(jié)構(gòu)示意圖。圖21為圖20的俯視圖。圖22(A) 圖22 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例8 各工序示意圖。圖23為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例8結(jié)構(gòu)示意圖。圖24為圖23的俯視圖。圖25(A) 圖25 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例5 各工序示意圖。圖26為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5結(jié)構(gòu)示意圖。
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圖27為圖26的俯視圖。圖28(A) 圖28 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例6 各工序示意圖。圖29為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6結(jié)構(gòu)示意圖。圖30為圖29的俯視圖。圖31 (A) 圖31 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例11 各工序示意圖。圖32為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例11結(jié)構(gòu)示意圖。圖33為圖32的俯視圖。圖34(A) 圖34(R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例12 各工序示意圖。圖35為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例12結(jié)構(gòu)示意圖。圖36為圖35的俯視圖。圖37 (A) 圖37 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例13 各工序示意圖。圖38為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例13結(jié)構(gòu)示意圖。圖39為圖38的俯視圖。圖40 (A) 圖40 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法實(shí)施例14 各工序示意圖。圖41為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例14結(jié)構(gòu)示意圖。圖42為圖41的俯視圖。圖43為以往采用金屬基板的正面進(jìn)行化學(xué)蝕刻及表面電鍍層作業(yè)圖。圖44為以往形成的掉腳圖。圖45為以往的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖46為45的俯視圖。圖中附圖標(biāo)記基島1、引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂))3、第一金屬層4、第二金屬層5、導(dǎo)電 或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、金屬線8、有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9、金屬基板10、光阻膠膜 11、光阻膠膜12、光阻膠膜13、光阻膠膜14、光阻膠膜15、光阻膠膜16 ；第三基島1. 1、第三基島1. 2、第三基島1. 3、第四基島1. 4。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法如下實(shí)施例1:單基島單圈引腳參見圖2和圖3，圖2為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意 圖。圖3為圖2的俯視圖。由圖2和圖3可以看出，本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié) 構(gòu)，包括基島1、引腳2、無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3、導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6、芯片7、 金屬線8和有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，所述引腳2正面盡可能的延伸到基島1旁邊，在 所述基島1和引腳2的正面設(shè)置有第一金屬層4，在所述基島1和引腳2的背面設(shè)置有第二金屬層5，在所述基島1正面第一金屬層4上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置有芯片 7，芯片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間用金屬線8連接，在所述基島1和引腳2的 上部以及芯片7和金屬線8外包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，該有填料塑封料(環(huán)氧樹 脂)9將引腳2正面局部單元進(jìn)行包覆，在所述基島1和引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與基島 1之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置有無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3，所述 無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將基島1和引腳下部外圍、引腳2下部與基島1下部以及引 腳2下部與引腳2下部連接成一體，且使所述基島和引腳背面尺寸小于基島和引腳正面尺 寸，形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)。其封裝方法如下步驟一、取金屬基板參見圖1(A)，取一片厚度合適的金屬基板10。金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功 能與特性進(jìn)行變換，例如銅、鋁、鐵、銅合金或鎳鐵合金等。步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (B)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的 光阻膠膜11和12，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠 膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開 窗參見圖1 (C)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面 進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域。步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆參見圖1(D)，對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層4電鍍被 覆，該第一金屬層4置于所述基島1與引腳2的正面。步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (E)，將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部 揭除。步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜參見圖1 (F)，利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的 光阻膠膜13和14，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可 以是濕式光阻膠膜。步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗參見圖1 (G)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面 進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板背面 蝕刻作業(yè)。步驟八、金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)參見圖1 (H)，完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的背面進(jìn) 行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島1和引腳2的背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到基島 旁邊。步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜
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參見圖1 (I)，將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除。步驟十、包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖1 (J)，將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑 封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使基島1和引腳2外圍的區(qū)域、 引腳2與基島1之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料(環(huán)氧 樹脂)3，該無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3將基島1和引腳下部外圍、引腳2下部與基島1 下部以及引腳2下部與引腳2下部連接成一體。步驟十一、被覆光阻膠膜參見圖1 (K)，利用被覆設(shè)備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面 及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜15和16，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)。而此光 阻膠膜可以是干式光阻薄膠膜也可以是濕式光阻膠膜。步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的 曝光/顯影以及開窗參見圖1 (L)，利用曝光顯影設(shè)備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封 無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續(xù)需要進(jìn)行金 屬基板正面蝕刻作業(yè)。步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)參見圖1 (M)，完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封無填料 塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島1和引腳2的正面，且使所 述基島1和引腳2的背面尺寸小于基島1和引腳2的正面尺寸，形成上大下小的基島1和 引腳2結(jié)構(gòu)。步驟十四、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜參見圖1 (N)，將完成步驟十三蝕刻作業(yè)的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬 基板背面的光阻膠膜全部揭除，制成引線框。步驟十五、裝片參見圖1 (0)，在基島1正面第一金屬層4上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6進(jìn)行芯 片7的植入。步驟十六、打金屬線參見圖I(P)，將已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行芯片正面與引腳正面第一金屬 層之間打金屬線8作業(yè)。步驟十七、包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)參見圖I(Q)，將已打線完成的半成品正面進(jìn)行局部單元包封有填料塑封料9作 業(yè)，使引腳2正面局部單元區(qū)域露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9，并進(jìn)行塑封料包封后的固 化作業(yè)，使基島和引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)包封。步驟十八、基島和引腳的背面以及引腳的正面進(jìn)行金屬層電鍍被覆參見圖1 (R)，對(duì)已完成步驟十七包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)的所述基島 和引腳的背面以及步驟十七所述露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)9的引腳2正面局部單元 區(qū)域分別進(jìn)行第二金屬層5和第一金屬層4電鍍被覆作業(yè)，而電鍍的材料可以是錫、鎳金、 鎳鈀金....等金屬材質(zhì)。
步驟十九、切割成品參見圖2和圖3，將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)， 使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片正裝單顆 封裝結(jié)構(gòu)成品。實(shí)施例2 下沉基島露出型單圈引腳參見圖4 6，圖4(A) 圖4(R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方 法實(shí)施例2各工序示意圖。圖5為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示 意圖。圖6為圖5的俯視圖。由圖4、圖5和圖6可以看出，實(shí)施例2與實(shí)施例1的不同之 處僅在于所述基島1為下沉型基島，即基島1正面中央?yún)^(qū)域下沉。實(shí)施例3 埋入型基島單圈引腳參見圖7 9，圖7 (A) 圖7 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方 法實(shí)施例3各工序示意圖。圖8為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3結(jié)構(gòu)示 意圖。圖9為圖8的俯視圖。由圖7、圖8和圖9可以看出，實(shí)施例3與實(shí)施例1的不同之 處僅在于所述基島1為埋入型基島，即基島1背面埋入所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)3 內(nèi)。實(shí)施例4 多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖10 12，圖10㈧ 圖IO(R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆 封裝方法實(shí)施例4各工序示意圖。圖11為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 4結(jié)構(gòu)示意圖。圖12為圖11的俯視圖。由圖10、圖11和圖12可以看出，實(shí)施例4與實(shí)施 例1的不同之處僅在于所述基島1為多凸點(diǎn)基島，即基島1表面設(shè)置有多個(gè)凸點(diǎn)。實(shí)施例5 多個(gè)基島露出型單圈引腳參見圖13 15，圖13㈧ 圖13 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝方法實(shí)施例5各工序示意圖。圖14為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5 結(jié)構(gòu)示意圖。圖15為圖14的俯視圖。由圖13 15可以看出，實(shí)施例5與實(shí)施例1的不 同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例6 多個(gè)下沉基島露出型單圈引腳參見圖16 18，圖16(A) 圖16 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝方法實(shí)施例6各工序示意圖。圖17為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6 結(jié)構(gòu)示意圖。圖18為圖17的俯視圖。由圖16 18可以看出，實(shí)施例6與實(shí)施例2的不 同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例7 多個(gè)埋入型基島單圈引腳參見圖19 21，圖19(A) 圖19 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝方法實(shí)施例7各工序示意圖。圖20為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7 結(jié)構(gòu)示意圖。圖21為圖20的俯視圖。由圖19 21可以看出，實(shí)施例7與實(shí)施例3的不 同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例8 多個(gè)多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖22 24，圖22㈧ 圖22 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝方法實(shí)施例8各工序示意圖。圖23為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例8 結(jié)構(gòu)示意圖。圖24為圖23的俯視圖。由圖22 24可以看出，實(shí)施例8與實(shí)施例4的不同之處在于所述基島1有多個(gè)，引腳2有單圈。實(shí)施例9 基島露出型及下沉基島露出型單圈引腳參見圖25 27，圖25㈧ 圖25 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝方法實(shí)施例9各工序示意圖。圖26為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例9結(jié) 構(gòu)示意圖。圖27為圖26的俯視圖。由圖25 27可以看出，實(shí)施例9與實(shí)施例1的不同 之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一組為第二基島 1. 2，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第一基島1. 1和引腳2的正面設(shè)置第一 金屬層4，在所述第一基島1. 1、第二基島1. 2和引腳2的背面設(shè)置第二金屬層5，在第二基 島1. 2正面中央下沉區(qū)域和第一基島1. 1正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置芯片7，芯 片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間以及芯片7與芯片7之間均用金屬線8連接，在 所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第一基島1. 1與第二基島1. 2 之間的區(qū)域、第二基島1.2與引腳2之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料 塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第一基島1. 1 與第二基島1. 2下部、第二基島1. 2與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所 述引腳2有單圈。實(shí)施例10 基島露出型及埋入型基島單圈引腳參見圖28 30，圖28㈧ 圖28 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆 封裝方法實(shí)施例10各工序示意圖。圖29為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 10結(jié)構(gòu)示意圖。圖30為圖29的俯視圖。由圖28 30可以看出，實(shí)施例10與實(shí)施例1的 不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一組為第三 基島1. 3，在所述第一基島1. 1第三基島1. 3和引腳2的正面設(shè)置第一金屬層4，在所述第 一基島1. 1和引腳2的背面設(shè)置第二金屬層5，芯片7正面與引腳2正面第一金屬層4之間 以及芯片7與芯片7之間均用金屬線8連接，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第一基島 1. 1之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3與第一基島1. 1之間的區(qū)域、第三基島 1.3與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料塑封 料3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3背面 與第一基島1. 1下部、第三基島1. 3背面與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一 體，所述引腳2設(shè)置有單圈。實(shí)施例11 基島露出型及多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖31 33，圖31 (A) 圖31 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝方法實(shí)施例11各工序示意圖。圖32為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例11 結(jié)構(gòu)示意圖。圖33為圖32的俯視圖。由圖31 33可以看出，實(shí)施例11與實(shí)施例1的不 同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第一基島1. 1，另一組為第四基 島1. 4，所述第四基島1. 4正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第 一基島1. 1之間的區(qū)域、第一基島1. 1與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第四基島1. 4與引腳2 之間的區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料的塑封料(環(huán) 氧樹脂)3將引腳下部外圍、引腳2與第一基島1. 1下部、第一基島1. 1與第四基島1. 4下 部、第四基島1. 4與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有單 圈。
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實(shí)施例12 下沉基島露出型及埋入型基島露出型單圈引腳參見圖34 36，圖34㈧ 圖34(R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆 封裝方法實(shí)施例12各工序示意圖。圖35為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例 12結(jié)構(gòu)示意圖。圖36為圖35的俯視圖。由圖34 36可以看出，實(shí)施例12與實(shí)施例1的 不同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第二基島1. 2，另一組為第三 基島1. 3，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，在第二基島1. 2正面中央下沉區(qū)域和第三 基島1. 3正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置芯片7，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2 與第二基島1. 2之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第二基島背面1. 2與第二基島1. 2之間的 區(qū)域、第三基島1. 3背面與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封 料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第二基島1. 2下部、第三基島1. 3、第 三基島1. 3與第二基島1. 2下部、第三基島1. 3背面與引腳2下部以及引腳2與引腳2下 部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有一圈。實(shí)施例13 下沉基島露出型及多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖37 39，圖37 (A) 圖37(R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封 裝方法實(shí)施例13各工序示意圖。圖38為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例13 結(jié)構(gòu)示意圖。圖39為圖38的俯視圖。由圖37 39可以看出，實(shí)施例13與實(shí)施例1的不 同之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第二基島1. 2，另一組為第四基 島1. 4，所述第二基島1. 2正面中央?yún)^(qū)域下沉，第四基島1. 4正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所 述第四基島1. 4和引腳2的正面設(shè)置第一金屬層4，在所述第二基島1. 2、第四基島1. 4和 引腳2的背面設(shè)置第二金屬層5，在所述第二基島1. 2正面中央下沉區(qū)域和第四基島1. 4正 面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)6設(shè)置芯片7，在所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第二基島 1.2之間的區(qū)域、第二基島1.2與第四基島1.4之間的區(qū)域、第四基島1.4與引腳2之間的 區(qū)域以及引腳2與引腳2之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料的塑封料(環(huán)氧樹 脂)3將引腳下部外圍、引腳2與第二基島1. 2下部、第二基島1. 2與第四基島1. 4下部、第 四基島1. 4與引腳2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有一圈。實(shí)施例14 埋入型基島及多凸點(diǎn)基島露出型單圈引腳參見圖40 42，圖40㈧ 圖40 (R)為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆 封裝方法實(shí)施例14各工序示意圖。41為本發(fā)明雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例14 結(jié)構(gòu)示意圖。圖42為41的俯視圖。由圖40 42可以看出，實(shí)施例14與實(shí)施例1的不同 之處在于所述基島1有二組也可以是多組基島，一組為第三基島1. 3，另一組為第四基島 1.4，所述第四基島1.4正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述第三基島1.3、第四基島1.4和引 腳2的正面設(shè)置第一金屬層4，在所述第四基島1. 4和引腳2的背面設(shè)置第二金屬層5，在 所述引腳2外圍的區(qū)域、引腳2與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第三基島1. 3背面、第二基島 1. 2與第四基島1. 4之間的區(qū)域、第三基島1. 3與引腳2之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的 區(qū)域嵌置無填料塑封料3，所述無填料塑封料3將引腳下部外圍、引腳2與第四基島1. 4下 部、第三基島1. 3背面、第三基島1. 3背面與第四基島1. 4下部、第三基島1. 3背面與引腳 2下部以及引腳2與引腳2下部連接成一體，所述引腳2設(shè)置有一圈。
權(quán)利要求
一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟步驟一、取金屬基板取一片厚度合適的金屬基板，步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的電鍍金屬層工藝作業(yè)，步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進(jìn)行需要電鍍金屬層區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍金屬層的區(qū)域，步驟四、金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行金屬層電鍍被覆對(duì)步驟三中金屬基板正面已開窗的區(qū)域進(jìn)行第一金屬層電鍍被覆，該第一金屬層置于所述基島與引腳的正面，步驟五、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續(xù)需要進(jìn)行的金屬基板背面蝕刻作業(yè)，步驟八、金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在金屬基板的背面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島和引腳的背面，同時(shí)將引腳正面盡可能的延伸到基島旁邊，步驟九、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將金屬基板正面和背面余下的光阻膠膜全部揭除，步驟十、包封無填料的塑封料將已完成步驟九所述去膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑封料作業(yè)，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使基島和引腳外圍的區(qū)域、引腳與基島之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域均嵌置無填料的塑封料，該無填料的塑封料將基島和引腳下部外圍、引腳下部與基島下部以及引腳下部與引腳下部連接成一體，步驟十一、被覆光阻膠膜利用被覆設(shè)備在將已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面及背面分別被覆可進(jìn)行曝光顯影的光阻膠膜，以保護(hù)后續(xù)的蝕刻工藝作業(yè)，步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板的正面進(jìn)行需要蝕刻區(qū)域的曝光/顯影以及開窗利用曝光顯影設(shè)備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業(yè)的已完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續(xù)需要進(jìn)行金屬基板正面蝕刻作業(yè)，步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業(yè)完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業(yè)后，即在完成包封無填料塑封料作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行各圖形的蝕刻作業(yè)，蝕刻出基島和引腳的正面，且使所述基島和引腳的背面尺寸小于基島和引腳的正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)，步驟十四、金屬基板正面及背面進(jìn)行光阻膠膜去膜將完成步驟十三蝕刻作業(yè)的金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，制成引線框，步驟十五、裝片在基島正面第一金屬層上通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植入，步驟十六、打金屬線將已完成芯片植入作業(yè)的半成品進(jìn)行芯片正面與引腳正面第一金屬層之間打金屬線作業(yè)，步驟十七、包封有填料塑封料將已打線完成的半成品正面進(jìn)行局部單元包封有填料塑封料作業(yè)，使引腳正面局部單元區(qū)域露出有填料塑封料，并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè)，使基島和引腳的上部以及芯片和金屬線外均被有填料塑封料包封，步驟十八、基島和引腳的背面以及引腳的正面進(jìn)行金屬層電鍍被覆對(duì)已完成步驟十七包封有填料塑封料作業(yè)的所述基島和引腳的背面以及步驟十七所述露出有填料塑封料的引腳正面局部單元區(qū)域分別進(jìn)行第二金屬層和第一金屬層電鍍被覆作業(yè)，步驟十九、切割成品將已完成步驟十八第二金屬層電鍍被覆的半成品進(jìn)行切割作業(yè)，使原本以列陣式集合體方式連在一起的芯片一顆顆獨(dú)立開來，制得雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在于 基島(1)背面露出所述無填料的塑封料(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在于 基島(1)正面中央?yún)^(qū)域下沉。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在于 基島1背面埋入所述無填料的塑封料3內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在于 所述基島(1)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2 5其中之一所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方 法，其特征在于所述基島(1)有多個(gè)，引腳(2)有單圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在 于所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第二基島(1.2)，所述第二基島 (1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，在所述第一基島(1.1)和引腳(2)的正面設(shè)置有第一金屬層 (4)，在所述第一基島(1. 1)、第二基島(1.2)和引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在 第二基島(1.2)正面中央下沉區(qū)域和第一基島(1. 1)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6) 設(shè)置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層(4)之間以及芯片(7)與芯片(7)之間均用金屬線⑶連接，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1. 1)之 間的區(qū)域、第一基島(1. 1)與第二基島(1. 2)之間的區(qū)域、第二基島(1. 2)與引腳⑵之間 的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料(3) 將引腳下部外圍、引腳(2)與第一基島(1. 1)下部、第一基島(1. 1)與第二基島(1. 2)下部、 第二基島(1.2)與引腳⑵下部以及引腳(2)與引腳⑵下部連接成一體，所述引腳(2) 設(shè)置有單圈。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在于 所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第三基島(1.3)，在所述第一基島 (1. 1)第三基島(1.3)和引腳(2)的正面設(shè)置有第一金屬層(4)，在所述第一基島(1. 1)和 引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在基島(1)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè) 置有芯片(7)，芯片(7)正面與引腳(2)正面第一金屬層(4)之間以及芯片(7)與芯片(7) 之間均用金屬線⑶連接，在所述基島⑴和引腳⑵的上部以及芯片(7)和金屬線⑶ 外包封有填料塑封料(9)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1. 1)之間的 區(qū)域、第三基島(1. 3)背面、第二基島(1. 2)與第一基島(1. 1)之間的區(qū)域、第三基島(1. 3) 與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑 封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第一基島(1. 1)下部、第三基島(1.3)背面、第三基 島(1.3)背面與第一基島(1.1)下部、第三基島(1.3)背面與引腳(2)下部以及引腳(2) 與引腳(2)下部連接成一體，所述引腳(2)設(shè)置有單圈。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝單顆封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在 于所述基島(1)有二組，一組為第一基島(1.1)，另一組為第四基島(1.4)，所述第四基島 (1.4)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第一基島(1. 1) 之間的區(qū)域、第一基島(1. 1)與第四基島(1.4)之間的區(qū)域、第四基島(1.4)與引腳⑵之 間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料的塑封料 ⑶將引腳下部外圍、引腳⑵與第一基島(1. 1)下部、第一基島(1. 1)與第四基島(1. 4) 下部、第四基島(1.4)與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳(2)下部連接成一體，所述引腳 (2)設(shè)置有單圈。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征 在于所述基島(1)有二組也可以是多組基島，一組為第二基島(1.2)，另一組為第三基島 (1.3)，所述第二基島(1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，在第二基島(1.2)正面中央下沉區(qū)域和第 三基島(1. 3)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，在所述引腳⑵外圍的 區(qū)域、引腳(2)與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)背面、第二基島背面(1.2) 與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)背面與引腳(2)之間的區(qū)域以及引腳與引 腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)與 第二基島(1.2)下部、第三基島(1.3)、第三基島(1.3)與第二基島(1.2)下部、第三基島 (1. 3)背面與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳(2)下部連接成一體，所述引腳⑵設(shè)置有 單圈。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征 在于所述基島(1)有二組，一組為第二基島(1.2)，另一組為第四基島(1.4)，所述第二基 島(1.2)正面中央?yún)^(qū)域下沉，第四基島(1.4)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述第四基島(1.4)和引腳(2)的正面設(shè)置有第一金屬層(4)，在所述第二基島(1.2)、第四基島(1.4)和 引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層(5)，在所述第二基島(1.2)正面中央下沉區(qū)域和第四 基島(1.4)正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(6)設(shè)置有芯片(7)，在所述引腳⑵外圍的 區(qū)域、引腳⑵與第二基島(1.2)之間的區(qū)域、第二基島(1.2)與第四基島(1.4)之間的區(qū) 域、第四基島(1.4)與引腳⑵之間的區(qū)域以及引腳(2)與引腳(2)之間的區(qū)域嵌置無填 料塑封料(3)，所述無填料的塑封料(3)將引腳下部外圍、引腳(2)與第二基島(1. 2)下部、 第二基島(1.2)與第四基島(1.4)下部、第四基島(1.4)與引腳⑵下部以及引腳(2)與 引腳⑵下部連接成一體，所述引腳(2)設(shè)置有單圈。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，其特征在 于所述基島(1)有二組，一組為第三基島(1.3)，另一組為第四基島(1.4)，所述第四基島 (1.4)正面設(shè)置成多凸點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)，在所述第三基島(1.3)、第四基島(1.4)和引腳⑵的 正面設(shè)置有第一金屬層(4)，在所述第四基島(1.4)和引腳(2)的背面設(shè)置有第二金屬層 (5)，在所述引腳(2)外圍的區(qū)域、引腳(2)與第四基島(1.4)之間的區(qū)域、第三基島(1.3) 背面、第二基島(1.2)與第四基島(1.4)之間的區(qū)域、第三基島(1.3)與引腳⑵之間的區(qū) 域以及引腳與引腳之間的區(qū)域嵌置無填料塑封料(3)，所述無填料塑封料(3)將引腳下部 外圍、引腳⑵與第四基島(1.4)下部、第三基島(1.3)背面、第三基島(1.3)背面與第四 基島(1.4)下部、第三基島(1.3)背面與引腳(2)下部以及引腳(2)與引腳⑵下部連接 成一體，所述引腳(2)設(shè)置有單圈。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種雙面圖形芯片正裝先鍍后刻單顆封裝方法，所述方法包括以下工藝步驟取金屬基板；金屬基板進(jìn)行金屬層電鍍被覆；金屬基板進(jìn)行背面蝕刻作業(yè)；金屬基板背面進(jìn)行包封無填料的塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)；金屬基板正面蝕刻作業(yè)；蝕刻出基島和引腳的正面，且使所述基島和引腳的背面尺寸小于基島和引腳的正面尺寸，形成上大下小的基島和引腳結(jié)構(gòu)；裝片；打金屬線；半成品正面進(jìn)行局部單元包封有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)作業(yè)，使引腳正面局部單元區(qū)域露出有填料塑封料(環(huán)氧樹脂)；島和引腳的背面以及引腳的正面進(jìn)行金屬層電鍍被覆；切割。本發(fā)明方法制備的芯片封裝結(jié)構(gòu)不會(huì)再有產(chǎn)生掉腳的問題和能使金屬線的長(zhǎng)度縮短。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101950726SQ20101027300
公開日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月4日
發(fā)明者梁志忠, 王新潮 申請(qǐng)人:江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司