專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域中，B⑶(Bipolar、CMOS、DM0S)工藝備受國(guó)內(nèi)外業(yè)界關(guān)注， 具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。BCD工藝是一種單片集成工藝技術(shù)，由意法半導(dǎo)體(ST)公司率先研制成功，這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar、CMOS和DMOS器件，因此簡(jiǎn)稱 B⑶工藝。B⑶工藝主要應(yīng)用于電子照明、汽車電子、顯示驅(qū)動(dòng)、工業(yè)控制等IC制造領(lǐng)域，具有廣闊的市場(chǎng)前景。B⑶工藝流程主要為首先在襯底(硅片)上形成埋層，然后進(jìn)行外延生長(zhǎng)，接著在硅片的外延層內(nèi)形成雙極器件、MOS器件，最后制作金屬連線等。其中，在形成埋層的過(guò)程中，通過(guò)埋層光刻、埋層注入及退火氧化形成對(duì)位游標(biāo)，在后續(xù)的光刻過(guò)程中，根據(jù)對(duì)位游標(biāo)和其他區(qū)域圖形的不同來(lái)進(jìn)行對(duì)位、曝光等操作。但是，生長(zhǎng)出來(lái)的外延層厚度一般在0. 5微米至4微米之間，如此厚的外延層將導(dǎo)致對(duì)位游標(biāo)被平坦化。這樣在后續(xù)的光刻過(guò)程中，由于對(duì)位游標(biāo)的臺(tái)階在光學(xué)顯微鏡下變淺或消失，致使無(wú)法根據(jù)圖形的對(duì)比度差異來(lái)判斷光刻曝光對(duì)位的好壞，因此，無(wú)法準(zhǔn)確讀取對(duì)位游標(biāo)。參見(jiàn)圖Ia至圖le，針對(duì)外延生長(zhǎng)后對(duì)位游標(biāo)的臺(tái)階變淺或消失的問(wèn)題，在B⑶工藝對(duì)位游標(biāo)3形成前，首先在襯底1上進(jìn)行一次零層光刻(圖la)，然后干法刻蝕出比較深的槽2，下面依次進(jìn)行埋層光刻(圖lb)、埋層注入及退火氧化(圖Ic)、外延清洗(圖Id) 和外延生長(zhǎng)(圖Ie)，這樣在后續(xù)的光刻過(guò)程中，在光學(xué)顯微鏡下就能看到由于零層光刻和刻蝕而形成的清晰的臺(tái)階4，該臺(tái)階4同樣可用作讀取對(duì)位游標(biāo)。然而，零層光刻和刻蝕會(huì)對(duì)外延層的形貌有很大的影響，甚至造成外延層形貌的嚴(yán)重畸變，進(jìn)而影響對(duì)位游標(biāo)的讀取；而且，零層光刻和刻蝕后形成的槽比較深，一般大于 0. 5微米，采用干法進(jìn)行刻蝕，將浪費(fèi)設(shè)備產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，以解決外延生長(zhǎng)后外延層將對(duì)位游標(biāo)平坦化的問(wèn)題，進(jìn)而準(zhǔn)確讀取對(duì)位游標(biāo)，且能夠節(jié)省設(shè)備產(chǎn)能。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括提供襯底；在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述襯底上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)部分為第一區(qū)域，對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的部分為第二區(qū)域；
去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面；以第一區(qū)域的氧化層為掩膜，在襯底表面形成外延層。優(yōu)選的，在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)具體包括在所述襯底表面形成圖案化的光刻膠層；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜在襯底中注入雜質(zhì)，形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)。優(yōu)選的，在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層具體包括去除襯底表面圖案化的光刻膠層；對(duì)襯底進(jìn)行退火氧化，形成氧化層。優(yōu)選的，在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層之后，還包括在具有氧化層的襯底上沉積氮化層。優(yōu)選的，所述第一區(qū)域氧化層的厚度大于第二區(qū)域。優(yōu)選的，去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面具體包括在第一區(qū)域的氧化層上形成保護(hù)層；去除第二區(qū)域的氧化層，并清洗第一區(qū)域的保護(hù)層。優(yōu)選的，所述保護(hù)層為光刻膠層。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括襯底；所述襯底中的對(duì)位游標(biāo)；所述對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的外延層。優(yōu)選的，所述襯底中的對(duì)位游標(biāo)的形成過(guò)程為在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的氧化層即為對(duì)位游標(biāo)。優(yōu)選的，所述對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的外延層的形成過(guò)程為在襯底中的對(duì)位游標(biāo)上形成保護(hù)層；去除對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的氧化層，并清洗對(duì)位游標(biāo)上的保護(hù)層；以所述對(duì)位游標(biāo)為掩膜，在襯底表面形成外延層。由此可見(jiàn)，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件及其制造方法，首先在襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)，然后在襯底上覆蓋氧化層，所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的氧化層即為對(duì)位游標(biāo)，去除對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的襯底上的氧化層而暴露出襯底表面，接著以對(duì)位游標(biāo)為掩膜在襯底表面形成外延層，由于對(duì)位游標(biāo)上沒(méi)有生長(zhǎng)外延層，故對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的外延層不會(huì)將對(duì)位游標(biāo)平坦化，使得后續(xù)能夠準(zhǔn)確讀取對(duì)位游標(biāo)；且本發(fā)明所提供的方法取消了零層光刻和刻蝕，從而節(jié)省了設(shè)備產(chǎn)能。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖做簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖Ia至圖Ie為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件制造方法的示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種半導(dǎo)體器件制造方法的流程圖；圖3a至圖!Be為本發(fā)明實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體器件制造方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)部分所述，傳統(tǒng)的外延生長(zhǎng)后對(duì)位游標(biāo)臺(tái)階會(huì)變淺或消失，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，其本質(zhì)原因在于外延生長(zhǎng)時(shí)外延層會(huì)在對(duì)位游標(biāo)上以及對(duì)位游標(biāo)以外的襯底表面生長(zhǎng)，這樣，當(dāng)外延層足夠厚時(shí)，對(duì)位游標(biāo)的臺(tái)階將變淺或消失；而零層光刻和刻蝕雖然能夠形成較深的槽，進(jìn)而在外延生長(zhǎng)后能夠看到清晰的臺(tái)階，但零層光刻和刻蝕會(huì)造成外延層形貌的畸變，從而影響后續(xù)對(duì)位游標(biāo)的讀取，且零層光刻和刻蝕會(huì)浪費(fèi)設(shè)備產(chǎn)能?；诖?，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括提供襯底；在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述襯底上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)部分為第一區(qū)域，對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的部分為第二區(qū)域；去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面；以第一區(qū)域的氧化層為掩膜，在襯底表面形成外延層。下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明所述半導(dǎo)體器件制造方法的實(shí)施例。參見(jiàn)圖2，所述方法具體包括以下步驟步驟1 提供襯底。本實(shí)施例中所提供的襯底為單晶硅，所述襯底還可以為鍺、磷化銦或砷化鎵等其他半導(dǎo)體材料。步驟2 在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)。對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)一般是通過(guò)擴(kuò)散或離子注入的方法，在襯底上水平或豎直的劃片槽內(nèi)形成的重?fù)诫s區(qū)，在后續(xù)外延生長(zhǎng)后，希望在外延層上能夠重現(xiàn)襯底表面的特征，包括對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)。在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)具體包括以下兩個(gè)步驟步驟21 在所述襯底表面形成圖案化的光刻膠層。參見(jiàn)圖3a，本實(shí)施例中所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)是在埋層工藝中形成的，故首先在襯底1表面進(jìn)行埋層光刻，即在襯底1表面旋涂光刻膠層，然后曝光、顯影，形成具有圖案化的光刻膠層5。該光刻膠層5上具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)6和埋層區(qū)(圖中未示出)的圖案。步驟22 以所述圖案化的光刻膠層為掩膜在襯底中注入雜質(zhì)，形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)。以所述圖案化的光刻膠層5為掩膜在襯底中注入雜質(zhì)，注入的雜質(zhì)可以為磷或其他五價(jià)原子，進(jìn)而形成N型摻雜，也可以為硼或其他三價(jià)原子，進(jìn)而形成P型摻雜，本實(shí)施例中注入的雜質(zhì)為銻Sb，形成的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)為圖3a中6所指示的區(qū)域。步驟3 在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述襯底上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)部分為第一區(qū)域，對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的部分為第二區(qū)域。
首先，去除襯底表面圖案化的光刻膠層5，暴露出襯底1表面及襯底1上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)6，這里，定義襯底上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)6部分為第一區(qū)域，對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的部分為第二區(qū)域。然后，在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)6的襯底1上覆蓋氧化層，此步驟通過(guò)退火、注入氧氣，在襯底上形成了氧化層。退火主要用來(lái)恢復(fù)注入雜質(zhì)時(shí)對(duì)晶格造成的破壞，并激活注入的原子。參見(jiàn)圖3b，本步驟中采用熱氧化工藝在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上形成氧化層，所述氧化層包括第二區(qū)域的氧化層7和第一區(qū)域的氧化層3。由于第一區(qū)域的氧化層3 在對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)形成，而對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)為注入雜質(zhì)銻Sb后的區(qū)域，故對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)內(nèi)生長(zhǎng)氧化層的速率快，因此，第一區(qū)域氧化層3的厚度大于第二區(qū)域氧化層7的厚度。本實(shí)施例中所述氧化層為二氧化硅。所述第一區(qū)域的氧化層3即為對(duì)位游標(biāo)3。優(yōu)選的，本步驟中還可以在具有氧化層的襯底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積的方法來(lái)沉積氮化層，本實(shí)施例中所述氮化層為氮化硅。沉積氮化硅的原因?yàn)橛捎谟械陌雽?dǎo)體器件在制造過(guò)程中因其特性要求，在退火時(shí)需通入較少的氧氣，致使生成的氧化層厚度只有200A 300A (—般的氧化層厚度為1000A 5000A),使得在后續(xù)清洗氧化層上的保護(hù)層(光刻膠)時(shí)可能會(huì)將所述氧化層清洗掉，從而影響后續(xù)操作，故當(dāng)退火氧化形成的氧化層較薄時(shí)，需要通過(guò)氣相沉積的方法在氧化層上沉積一層氮化硅。步驟4 去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面。此步驟為本發(fā)明所提供的方法的關(guān)鍵之處，相比傳統(tǒng)工藝中去除襯底上的氧化層步驟而言，本發(fā)明在此步驟中僅去除第二區(qū)域的氧化層7而暴露出第二區(qū)域的襯底表面， 保留第一區(qū)域的氧化層3，參見(jiàn)圖3c和3d，具體包括如下兩個(gè)步驟步驟41 在所述第一區(qū)域的氧化層上形成保護(hù)層。為了保留第一區(qū)域的氧化層3，需要在所述第一區(qū)域的氧化層3上形成保護(hù)層8。 本實(shí)施例中所述保護(hù)層8為光刻膠層，所述光刻膠層8的具體形成過(guò)程為在具有氧化層的襯底1上旋涂光刻膠層，曝光、顯影，去除第二區(qū)域的光刻膠層，即在第一區(qū)域的氧化層3上形成光刻膠層8。所述保護(hù)層8還可以為硬掩膜。相應(yīng)地，如果在具有氧化層的襯底上沉積了氮化層，則本步驟改為在所述第一區(qū)域的氮化層上形成保護(hù)層。步驟42 去除第二區(qū)域的氧化層，并清洗第一區(qū)域的保護(hù)層。對(duì)所述第二區(qū)域的氧化層7進(jìn)行刻蝕，去除第二區(qū)域的氧化層7暴露出襯底1表面；接著對(duì)第一區(qū)域的保護(hù)層8進(jìn)行清洗，即去除光刻膠層，此處，清洗光刻膠層時(shí)，位于其下的氧化層3 (對(duì)位游標(biāo))不會(huì)被清洗掉，即所述第一區(qū)域的氧化層3由于保護(hù)層8的作用而得以保留下來(lái)。相應(yīng)地，如果在具有氧化層的襯底上沉積了氮化層，則本步驟改為去除第二區(qū)域的氮化層及氧化層，并清洗第一區(qū)域的保護(hù)層。步驟5 以所述第一區(qū)域的氧化層為掩膜，在襯底表面形成外延層。所述第一區(qū)域的氧化層3為對(duì)襯底1退火氧化后形成的氧化層。參見(jiàn)圖3e，以所述第一區(qū)域的氧化層3為掩膜，在襯底1表面形成外延層9，即在襯底1表面進(jìn)行選擇性外延生長(zhǎng)。所述外延層9只在第二區(qū)域的襯底表面進(jìn)行生長(zhǎng)，第一區(qū)域的氧化層3上沒(méi)有生長(zhǎng)外延層，這樣，當(dāng)外延層9形成后，第二區(qū)域的外延層9和第一區(qū)域的氧化層3之間有一個(gè)很高的臺(tái)階，此臺(tái)階形貌在顯微鏡下能被清晰地辨認(rèn)，從而可根據(jù)所述臺(tái)階形貌來(lái)讀取對(duì)位游標(biāo)；且由于第一區(qū)域的氧化層3上沒(méi)有生長(zhǎng)外延層，進(jìn)而消除了層錯(cuò)和圖形偏移對(duì)讀取對(duì)位游標(biāo)的影響。相應(yīng)地，如果在具有氧化層的襯底上沉積了氮化層，則本步驟改為以所述第一區(qū)域的氮化層和氧化層為掩膜，在襯底表面形成外延層。由以上描述可知，本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件制造方法，在對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)注入雜質(zhì)，退火氧化后在襯底表面形成氧化層，所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的氧化層即為對(duì)位游標(biāo)，通過(guò)在對(duì)位游標(biāo)上形成保護(hù)層，進(jìn)而在后續(xù)的刻蝕、清洗過(guò)程中，所述對(duì)位游標(biāo)由于所述保護(hù)層的作用而得以保留下來(lái)，在進(jìn)行外延生長(zhǎng)時(shí)，外延層只在對(duì)位游標(biāo)之外的襯底表面進(jìn)行生長(zhǎng)，這樣，即使外延層生長(zhǎng)得再厚的也不會(huì)將對(duì)位游標(biāo)平坦化，進(jìn)而可根據(jù)圖形的對(duì)比度差異來(lái)讀取對(duì)位游標(biāo)。因此本發(fā)明所提供的方法相比現(xiàn)有技術(shù)而言，一方面解決了對(duì)位游標(biāo)被外延層平坦化的問(wèn)題，保證了后續(xù)工藝圖形識(shí)別的準(zhǔn)確性和重復(fù)穩(wěn)定性；另一方面取消了零層光刻和刻蝕，不再需要刻蝕很深的溝槽，從而節(jié)省了設(shè)備產(chǎn)能。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)和圖!Be所示的示意圖一樣，包括襯底1 ；襯底1中的對(duì)位游標(biāo)3 ；對(duì)位游標(biāo)3之外的襯底1上的外延層9。本實(shí)施例中所述襯底1為單晶硅，還可以為鍺、磷化銦或砷化鎵等半導(dǎo)體材料；所述對(duì)位游標(biāo)3為退火氧化后形成的氧化層，還可以包括沉積的氮化層；對(duì)位游標(biāo)3之外的襯底1表面上的外延層9為硅或鍺硅。所述襯底1中的對(duì)位游標(biāo)3的形成過(guò)程為在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)； 在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的氧化層即為對(duì)位游標(biāo)。所述對(duì)位游標(biāo)3之外的襯底1上的外延層9的形成過(guò)程為在襯底中的對(duì)位游標(biāo)上形成保護(hù)層；去除對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的氧化層，并清洗對(duì)位游標(biāo)上的保護(hù)層；以所述對(duì)位游標(biāo)為掩膜，在襯底表面形成外延層。對(duì)于本實(shí)施例所提供的半導(dǎo)體器件在此不做過(guò)多說(shuō)明，相關(guān)之處可參見(jiàn)半導(dǎo)體器件制造方法部分的描述。需要說(shuō)明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開(kāi)來(lái)，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒(méi)有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒(méi)有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過(guò)程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。 對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括 提供襯底；在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述襯底上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)部分為第一區(qū)域，對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的部分為第二區(qū)域； 去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面； 以第一區(qū)域的氧化層為掩膜，在襯底表面形成外延層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)具體包括在所述襯底表面形成圖案化的光刻膠層；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜在襯底中注入雜質(zhì)，形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層具體包括去除襯底表面圖案化的光刻膠層； 對(duì)襯底進(jìn)行退火氧化，形成氧化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層之后，還包括在具有氧化層的襯底上沉積氮化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一區(qū)域氧化層的厚度大于第二區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面具體包括在第一區(qū)域的氧化層上形成保護(hù)層；去除第二區(qū)域的氧化層，并清洗第一區(qū)域的保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層為光刻膠層。
8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括 襯底；所述襯底中的對(duì)位游標(biāo)； 所述對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的外延層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底中的對(duì)位游標(biāo)的形成過(guò)程為在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的氧化層即為對(duì)位游標(biāo)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的外延層的形成過(guò)程為在襯底中的對(duì)位游標(biāo)上形成保護(hù)層；去除對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的氧化層，并清洗對(duì)位游標(biāo)上的保護(hù)層； 以所述對(duì)位游標(biāo)為掩膜，在襯底表面形成外延層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，所述方法具體包括提供襯底；在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的氧化層即為對(duì)位游標(biāo)，所述襯底上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)部分為第一區(qū)域，對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的部分為第二區(qū)域；去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面；以所述第一區(qū)域的氧化層為掩膜，在襯底表面形成外延層。通過(guò)本發(fā)明所提供的方法，解決了外延生長(zhǎng)后外延層將對(duì)位游標(biāo)平坦化的問(wèn)題；且本發(fā)明所提供的方法取消了零層光刻和刻蝕，節(jié)省了設(shè)備產(chǎn)能。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102386056SQ20101026863
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者黃瑋 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司