專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝體通常包括一基板、設(shè)置在所述基板上的發(fā)光二極管芯片以及固設(shè)在所述基板上并環(huán)繞所述發(fā)光二極管芯片的反射杯。所述反射杯吸收發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱量并散發(fā)至發(fā)光二極管封裝體外，從而達到提高所述發(fā)光二極管封裝體散熱效率的目的。然而，所述反射杯與基板的材質(zhì)不同，兩者之間通過一連接層相連。因不同材質(zhì)之間導(dǎo)熱比率的差異，反射杯與基板之間的熱傳輸效率會受到影響。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種具有高散熱效率的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、發(fā)光二極管芯片、反射杯及連接電極。所述連接電極埋設(shè)在所述基板內(nèi)。所述反射杯固設(shè)在所述基板上。所述反射杯上開設(shè)有一容置通孔。所述反射杯包括一設(shè)置于所述容置通孔底部的導(dǎo)熱部。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述導(dǎo)熱部上并與所述連接電極電連接。所述發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱量由該導(dǎo)熱部傳出并通過反射杯向外發(fā)散。相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)是通過在反射杯上設(shè)置導(dǎo)熱部，并把發(fā)光二極管芯片安裝在所述導(dǎo)熱部以使得發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱量直接通過導(dǎo)熱部傳遞至反射杯，從而大大提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率。



圖1為本發(fā)明實施方式所提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)沿直線II-II的剖視圖。圖3為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)沿直線III-III的剖視圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1基板10發(fā)光二極管芯片 12反射杯14連接電極16容置通孔140導(dǎo)熱部142上表面100下表面102側(cè)表面105
第一連接通孔103
通孔隊列104
第二連接通孔104a
散熱部141
固定部143
頂面141a
底面141b
側(cè)壁141c
散熱鰭片141d
上開140a
下開140b
內(nèi)表面140c
第一表面142a
第二表面142b
連接桿143a
平板143b
保護物質(zhì)1具體實施例方式如圖1和圖2所示，本發(fā)明實施方式所提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1包括基板10、 發(fā)光二極管芯片12、反射杯14及連接電極16。所述連接電極16埋設(shè)在所述基板10內(nèi)。所述反射杯14固設(shè)在所述基板10上。所述反射杯14包括一容置通孔140及設(shè)置于容置通孔140底部的導(dǎo)熱部142。所述發(fā)光二極管芯片12設(shè)置在所述導(dǎo)熱部142上并與所述連接電極16電連接。所述發(fā)光二極管芯片12所產(chǎn)生的熱量由該導(dǎo)熱部142傳出并通過反射杯 14向外發(fā)散。具體地，所述基板10包括上表面100、下表面102及側(cè)表面105。所述上表面100 與所述下表面102平行相對。所述側(cè)表面105分別與所述上表面100和下表面102垂直連接。所述上表面100的中心開設(shè)有一垂直貫穿至下表面102的第一連接通孔103。所述上表面100分別于所述第一連接通孔103的兩側(cè)開設(shè)有相互平行排布的通孔隊列104。每個通孔隊列104包括等間距排布的多個第二連接通孔104a。所述不同通孔隊列104中的第二連接通孔10 分別與發(fā)光二極管芯片12 —一對應(yīng)。所述連接電極16通過所述第二連接通孔10 穿透基板10，并延伸至基板10的下表面102及側(cè)表面105。本實施方式中，所述每一個第二連接通孔10 內(nèi)分別設(shè)置有所述連接電極16。請一并參閱圖2與圖3，其中，圖2為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1沿直線II-II 的剖視圖，圖3為圖1中的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1沿直線III-III的剖視圖。所述反射杯 14還包括散熱部141及固定部143。所述容置通孔140開設(shè)于所述頂面141a的中心并貫穿至所述底面141b。所述容置通孔140包括上開口 140a、下開口 140b和內(nèi)表面140c。在本實施方式中，所述容置通孔140之上開口 140a的面積大于下開口 140b的面積，即所述容置通孔140為一上寬下窄的倒圓錐臺狀。所述散熱部141包括側(cè)壁141c以及相互平行的頂面141a和底面141b。所述側(cè)壁 141c上形成有多個平行于頂面141a的散熱鰭片141d，用于加大散熱面積而提高散熱效率。所述導(dǎo)熱部142為一矩形金屬板，其包括相互平行的第一表面14 和第二表面 142b。所述導(dǎo)熱部142的兩端沿所述容置通孔140的下開口 140b的徑向延伸，并分別連接至容置通孔140的內(nèi)表面140c。所述導(dǎo)熱部142與內(nèi)表面140c的連接處鄰近散熱部141 的底面141b。所述導(dǎo)熱部142的第二表面142b與所述散熱部141的底面141b相互平齊。所述固定部143包括連接桿143a及平板14 。所述連接桿143a的一端垂直連接所述導(dǎo)熱部142的第二表面142b的中心。所述連接桿143a遠離導(dǎo)熱部142的另一端與所述平板14 的中心垂直相連，即，所述連接桿143a與所述平板14 形成一倒“T”形的卡扣結(jié)構(gòu)。所述反射杯14設(shè)置在所述基板10上。所述散熱部141的底面141b和導(dǎo)熱部142 的第二表面142b緊密地貼合在所述基板10的上表面100上。所述導(dǎo)熱部142的兩側(cè)分別露出所述第二連接通孔104a。所述固定部143的連接桿143a穿過所述基板10上的第一連接通孔103。所述固定部143的平板14 抵持在所述基板10的下表面102上。在本實施方式中，所述散熱部141、導(dǎo)熱部142和固定部143 —體成型并通過低溫共燒的方法形成在所述基板10上。所述發(fā)光二極管芯片12設(shè)置在所述導(dǎo)熱部142的第一表面14 上。每一個發(fā)光二極管芯片12分別通過打線的方式一一對應(yīng)地與第二連接通孔10 內(nèi)的連接電極16電連接。所述發(fā)光二極管芯片12工作時所產(chǎn)生的熱量通過導(dǎo)熱部142傳輸至散熱部141并通過散熱鰭片141d及連接桿143a向外發(fā)散。所述基板10可以采用高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料制成，例如氧化鈹、碳化硅、氮化鋁、 氧化鋁等高導(dǎo)熱系數(shù)的陶瓷材料、印刷電路板基材或耐高溫的塑料。所述反射杯14通常采用金屬材質(zhì)所制成，例如銅、鋁、鐵等。由于金屬材質(zhì)具有高表面反射率及高導(dǎo)熱系數(shù)，不但可使投射在所述容置通孔140的內(nèi)表面140c上的光線產(chǎn)生反射而達到導(dǎo)光的效果，還可以將發(fā)光二極管芯片12所產(chǎn)生的熱量快速地向外發(fā)散。另外，所述容置通孔140內(nèi)還可以填充具有高導(dǎo)熱系數(shù)的透明保護物質(zhì)15，從而進一步提高整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1的散熱效率。因為所述導(dǎo)熱部142與散熱部141為一體成型的金屬材質(zhì)。所以整個反射杯14 的導(dǎo)熱效率大大地提高。而所述反射杯14通過固定部143卡扣在所述基板10上以防止反射杯14從基板10上脫落，大大地增加了整個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)1的牢固性。本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發(fā)明， 而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍之內(nèi)，對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發(fā)明要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、發(fā)光二極管芯片、反射杯及連接電極，所述連接電極埋設(shè)在所述基板內(nèi)，所述反射杯固設(shè)在所述基板上，所述反射杯上開設(shè)有一容置通孔，其特征在于所述反射杯包括一設(shè)置于所述容置通孔底部的導(dǎo)熱部，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述導(dǎo)熱部上并與所述連接電極電連接，所述發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱量由該導(dǎo)熱部傳導(dǎo)至反射杯外圍并向外發(fā)散。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板包括平行相對的上表面和下表面以及分別與所述上表面和下表面垂直連接的側(cè)表面，所述上表面的中心開設(shè)有一垂直貫穿至下表面的第一連接通孔，所述上表面分別于所述第一連接通孔的兩側(cè)開設(shè)有相互平行排布的通孔隊列，每個通孔隊列包括等間距排布的多個第二連接通孔，所述不同通孔隊列中的第二連接通孔分別與發(fā)光二極管芯片一一對應(yīng)，所述每一個第二連接通孔內(nèi)分別設(shè)置有所述連接電極，所述連接電極通過所述第二連接通孔穿透基板并延伸至基板的下表面及側(cè)表面。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射杯還包括散熱部及固定部，所述散熱部包括側(cè)壁及相互平行的頂面與底面，所述容置通孔開設(shè)于所述頂面的中心并貫穿至所述底面。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述側(cè)壁上形成有多個平行于頂面的散熱鰭片。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)熱部包括相互平行的第一表面和第二表面，所述導(dǎo)熱部相對的兩端沿所述容置通孔的徑向分別連接至容置通孔的內(nèi)表面，導(dǎo)熱部與內(nèi)表面的連接處鄰近散熱部的底面。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述導(dǎo)熱部的第二表面與所述散熱部的底面相互平齊。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述散熱部的底面和導(dǎo)熱部的第二表面均緊密貼合在所述基板的上表面上，所述連接電極設(shè)置在第二連接通孔內(nèi)并位于所述導(dǎo)熱部的兩側(cè)，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述導(dǎo)熱部的第一表面上并通過打線的方式與連接電極對應(yīng)電連接。
8.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述固定部包括連接桿及平板，所述連接桿的一端垂直連接所述導(dǎo)熱部的第二表面的中心，所述連接桿遠離導(dǎo)熱部的另一端與所述平板的中心垂直相連，所述連接桿與所述平板形成一倒“T”形的卡扣結(jié)構(gòu)， 所述連接桿穿過所述基板上的第一連接通孔，所述平板抵持在所述基板的下表面上。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板采用高導(dǎo)熱系數(shù)的絕緣材料制成。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基板的材料選自氧化鈹、碳化硅、氮化鋁、氧化鋁及印刷電路板基材的組合物。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括基板、發(fā)光二極管芯片、反射杯及連接電極。所述連接電極埋設(shè)在所述基板內(nèi)。所述反射杯固設(shè)在所述基板上。所述反射杯上開設(shè)有一容置通孔。所述反射杯包括一設(shè)置于所述容置通孔底部的導(dǎo)熱部。所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述導(dǎo)熱部上并與所述連接電極電連接。所述發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的熱量由該導(dǎo)熱部傳出并通過反射杯向外發(fā)散。
文檔編號H01L33/64GK102339928SQ20101023878
公開日2012年2月1日 申請日期2010年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月29日
發(fā)明者林雅雯, 陳建民 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司