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晶圓清洗甩干機的制作方法

文檔序號:6949066閱讀:413來源:國知局
專利名稱:晶圓清洗甩干機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種對晶圓以去離子水沖洗,并實現(xiàn)甩干功能的晶圓清洗甩干機。
背景技術(shù)
在集成電路加工工藝中,包括有對晶圓進行清洗的步驟流程,具體的說,在化學(xué)機械研磨之后常會有些殘留或微塵落在晶圓表面,此種塵粒缺陷(P/D,Particle Defect)可刷洗去除,避免影響良率。通常有下列5種不同刷洗方式去離子水沖洗、毛刷刷洗、高壓水刷洗、毛刷加高壓水刷洗以及芯片雙面刷洗。在化學(xué)機械研磨工序之后,現(xiàn)有的用以對晶圓進行去離子水沖洗的晶圓清洗甩干機(SRD),如圖Ia所示,其結(jié)構(gòu)包括在上罩101和分水罩105下方設(shè)有一個可在晶圓102 一側(cè)將其豎直夾持住的固定裝置103 ;向所述晶圓102另一側(cè)噴射去離子水(DI)對晶圓進行沖洗的噴水裝置;另外還包括一個可以將豎直夾持狀態(tài)的晶圓102進行旋轉(zhuǎn),甩去去離子水的旋轉(zhuǎn)裝置104。所述上罩101可移至靠近晶圓102和分水罩105的位置,如圖Ib所示。在清洗晶圓時,首先將晶圓102由機械手送至固定裝置103處,并由該固定裝置103將晶圓固定好;然后,上罩101水平向靠近晶圓位置移動至圖Ib所示位置,與所述分水罩105 相配合;再然后,由噴水裝置向晶圓102噴射去離子水,由旋轉(zhuǎn)裝置104將晶圓102進行旋轉(zhuǎn),以對其進行沖洗;沖洗期間由上方甩出去的去離子水,沿著上罩101向左下流出,并落在分水罩105外側(cè)后,流出晶圓清洗甩干機外部。但是,在上述刷洗晶圓過程中,一小部分的由晶圓上方甩出去的落在上罩101上的去離子水也會直接落回到晶圓102上,從而在晶圓上形成水漬,影響后續(xù)加工。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的主要目的是針對現(xiàn)有技術(shù)晶圓清洗甩干機中,由晶圓上方甩出去的水不會全部由分水罩排走,其中一部分會落回晶圓表面,形成水漬的技術(shù)問題,提供一種避免水落回晶圓表面,以防止水漬形成的晶圓清洗甩干機。為達(dá)到上述目的,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下一種晶圓清洗甩干機,包括固定裝置,用于夾持所述晶圓;噴水裝置,向被所述晶圓噴水,對所述晶圓的表面進行沖洗;旋轉(zhuǎn)裝置,帶動所述固定裝置進行旋轉(zhuǎn),以甩去所述晶圓上的水;上罩,設(shè)置在所述固定裝置上方,用來防止由所述晶圓甩出的水在晶圓上方任意飛濺;分水罩,設(shè)置在所述晶圓的上方,用來將所述晶圓向上方甩出的水導(dǎo)出;在所述上罩下方還設(shè)有防止由晶圓甩出的水落回晶圓的噴吹裝置。在上述技術(shù)方案中,所述噴吹裝置包括
導(dǎo)氣管,其上設(shè)有多個噴氣孔;噴氣動力裝置,其用來將氣體輸送至所述導(dǎo)氣管中并由多個所述噴氣孔噴出,噴出的所述氣體可將晶圓向上方的水吹向所述分水罩。在上述技術(shù)方案中,多個所述噴氣孔的直徑為0. 1-0. 2毫米。在上述技術(shù)方案中,多個所述噴氣孔在所述導(dǎo)氣管上等間距排列,間距為6-10毫米。在上述技術(shù)方案中,多個所述噴氣孔噴吹的氣體的壓力為1-3磅/平方英寸。在上述技術(shù)方案中,所述導(dǎo)氣管中用來噴吹的氣體為氮氣。 在上述技術(shù)方案中,所述上罩在所述旋轉(zhuǎn)裝置工作時可以水平移動至靠近晶圓的位置。本發(fā)明的晶圓清洗甩干機具有以下的有益效果首先,本發(fā)明的晶圓清洗甩干機,通過在晶圓上方設(shè)置噴吹裝置,可以防止由晶圓甩出的水落回到晶圓,使得經(jīng)過水沖洗的晶圓表面不會留下水漬,滿足高品質(zhì)加工的需要。另外,本發(fā)明的晶圓清洗甩干機的噴吹裝置包括導(dǎo)氣管,其上設(shè)有多個噴氣孔,由多個所述噴氣孔噴吹來的氣體的壓力為1-3磅/平方英寸(psi)左右,可以保證該噴吹氣流不會影響所述晶圓清洗甩干機中的環(huán)境,保證晶圓得到正常清洗。


圖Ia是現(xiàn)有技術(shù)中晶圓清洗甩干機的結(jié)構(gòu)示意圖;圖Ib是圖Ia所示的晶圓清洗甩干機在為晶圓進行沖洗工作時的結(jié)構(gòu)示意圖;圖加是本發(fā)明的晶圓清洗甩干機一種具體實施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2b是圖加所示的具體實施方式
的晶圓清洗甩干機在為晶圓進行沖洗加工時的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2c是圖加所示的具體實施方式
的晶圓清洗甩干機中的導(dǎo)氣管的左視圖;圖中的附圖標(biāo)記表示為101,201-上罩;102,202-晶圓;103,203-固定裝置;104,204-旋轉(zhuǎn)裝置;105, 205-分水罩;206-導(dǎo)氣管;207-噴氣孔;2011-豎直部分;2012-傾斜部分。
具體實施例方式本發(fā)明提供了一種晶圓清洗甩干機,包括固定裝置,噴水裝置,旋轉(zhuǎn)裝置,上罩, 分水罩以及噴吹裝置。所述固定裝置可在一側(cè)將晶圓豎直夾持住;所述噴水裝置可向被所述固定裝置夾持住的所述晶圓噴水,對所述晶圓的表面進行沖洗。所述旋轉(zhuǎn)裝置可將夾持住晶圓的所述固定裝置進行旋轉(zhuǎn),以甩去用來沖洗所述晶圓的水。所述上罩設(shè)置在所述固定裝置上方,用來防止由所述晶圓甩出的水在晶圓上方任意飛濺。所述分水罩設(shè)置在所述晶圓的上方,用來將所述晶圓向上方甩出的水導(dǎo)出。所述噴吹裝置設(shè)置在所述上罩下方,其可以防止由晶圓甩出的水落回晶圓。本發(fā)明的晶圓清洗甩干機通過設(shè)置防止由晶圓甩出的水落回晶圓的噴吹裝置,使得經(jīng)過水沖洗的晶圓表面不會留下水漬,滿足高品質(zhì)加工的需要。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點更加清楚明白,以下參照附圖并舉實施例,對本發(fā)明進一步詳細(xì)說明。實施例1如圖2a_2c所示,一種晶圓清洗甩干機包括固定裝置203,噴水裝置(圖中未示出),旋轉(zhuǎn)裝置204,上罩201,分水罩205以及噴吹裝置。所述固定裝置203可在一側(cè)將晶圓202豎直夾持??;所述噴水裝置可向被所述固定裝置夾持住的所述晶圓噴水,對所述晶圓的表面進行沖洗,其中所噴的水一般選用去離子水(DI)。所述旋轉(zhuǎn)裝置204可將夾持住所述晶圓202的所述固定裝置203進行旋轉(zhuǎn),以甩去用來沖洗所述晶圓202的水。所述上罩201設(shè)置在所述固定裝置203上方,用來防止由所述晶圓甩出的水在晶圓上方任意飛濺。 所述分水罩205設(shè)置在所述晶圓202的上方。所述上罩201在所述旋轉(zhuǎn)裝置204工作時可以水平移動至靠近晶圓202的位置,如圖2b所示,所述上罩201的豎直部分2011靠近豎直固定的晶圓的右側(cè)的表面,所述上罩201的傾斜部分2012位于晶圓的正上方,主要用來防止水滴飛濺;這樣,所述分水罩205可以與所述上罩201相互配合將所述晶圓202向上方甩出的水導(dǎo)出。所述噴吹裝置包括導(dǎo)氣管206,噴氣動力裝置。其中所述導(dǎo)氣管206上設(shè)有多個噴氣孔207 ;所述噴氣動力裝置用來將氮氣輸送至所述導(dǎo)氣管206中,之后由多個所述噴氣孔207噴出。多個所述噴氣孔207直徑0. 1-0. 2毫米,在所述導(dǎo)氣管206上間隔為6_10毫米排列為一排。另外,所述噴氣孔207設(shè)有多個,圖2c只是為清楚顯示小孔排列情況,并不代表小孔的全部數(shù)量。本具體實施方式
的工作過程為,在上罩201處于圖加所示的遠(yuǎn)離晶圓202的位置,此時以固定裝置205將晶圓202由左側(cè)豎直夾持住。然后將所述上罩201水平向左移動至圖2b所示的靠近所述晶圓202位置,使得所述上罩201的豎直部分2011靠近豎直固定的晶圓的右側(cè)的表面,所述上罩201的傾斜部分2012位于晶圓的正上方。旋轉(zhuǎn)裝置204 控制所述固定裝置205進行旋轉(zhuǎn),進而帶動所述晶圓202旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速控制在1600-2000轉(zhuǎn)/ 分。在微型處理器(MCU)的控制下,噴氣動力裝置對導(dǎo)氣管206中提供噴吹氣體氮氣,并且該氮氣由噴氣孔207噴出。然后,以噴水裝置向所述晶圓202的右側(cè)表面噴射去離子水,對晶圓進行沖洗。沖洗晶圓過程中,去離子水由晶圓表面甩出,其中甩向上方的去離子水由上罩201擋住,并導(dǎo)流至分水罩205處,然后導(dǎo)流出所述晶圓清洗甩干機。而在晶圓上方落回的去離子水被由噴氣孔207噴出的氮氣吹向所述分水罩205處,一并導(dǎo)流出所述晶圓清洗甩干機。由多個所述噴氣孔207噴出的氮氣的壓力為1-3磅/平方英寸(psi),該噴出的氮氣可將晶圓202向上方甩出后落向所述晶圓202的水吹向所述分水罩205,同時有不影響所述晶圓清洗甩干機內(nèi)部的空氣流動環(huán)境,保證晶圓得到正常清洗。本具體實施方式
的晶圓清洗甩干機可以保證落回的水不會落在晶圓上,避免了水漬的形成。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明保護的范圍之內(nèi)
權(quán)利要求
1.一種晶圓清洗甩干機,包括 固定裝置,用于夾持所述晶圓;噴水裝置,向被所述晶圓噴水,對所述晶圓的表面進行沖洗;旋轉(zhuǎn)裝置,帶動所述固定裝置進行旋轉(zhuǎn),以甩去所述晶圓上的水;上罩,設(shè)置在所述固定裝置上方,用來防止由所述晶圓甩出的水在晶圓上方任意飛濺;分水罩,設(shè)置在所述晶圓的上方,用來將所述晶圓向上方甩出的水導(dǎo)出; 其特征在于,在所述上罩下方還設(shè)有噴吹裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要1所述的晶圓清洗甩干機,其特征在于,所述噴吹裝置包括 導(dǎo)氣管,其上設(shè)有多個噴氣孔;噴氣動力裝置,其用來將氣體輸送至所述導(dǎo)氣管中并由多個所述噴氣孔噴出,噴出的所述氣體可將晶圓向上方的水吹向所述分水罩。
3.根據(jù)權(quán)利要2所述的晶圓清洗甩干機,其特征在于,多個所述噴氣孔的直徑為 0. 1-0. 2 毫米。
4.根據(jù)權(quán)利要2所述的晶圓清洗甩干機,其特征在于,多個所述噴氣孔在所述導(dǎo)氣管上等間距排列,間距為6-10毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要2所述的晶圓清洗甩干機,其特征在于,多個所述噴氣孔噴吹的氣體的壓力為1-3磅/平方英寸。
6.根據(jù)權(quán)利要3-5任一所述的晶圓清洗甩干機,其特征在于,所述導(dǎo)氣管中用來噴吹的氣體為氮氣。
7.根據(jù)權(quán)利要3-5任一所述的晶圓清洗甩干機,其特征在于,所述上罩在所述旋轉(zhuǎn)裝置工作時可以水平移動至靠近晶圓的位置。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種晶圓清洗甩干機,包括固定裝置,噴水裝置,旋轉(zhuǎn)裝置,上罩,分水罩以及在所述上罩下方的防止水落回晶圓的噴吹裝置。所述固定裝置用于夾持所述晶圓;所述噴水裝置向被所述晶圓噴水,對所述晶圓的表面進行沖洗;所述旋轉(zhuǎn)裝置帶動所述固定裝置進行旋轉(zhuǎn),以甩去所述晶圓上的水;所述上罩設(shè)置在所述固定裝置上方,用來防止由所述晶圓甩出的水在晶圓上方任意飛濺;所述分水罩設(shè)置在所述晶圓的上方,用來將所述晶圓向上方甩出的水導(dǎo)出。本發(fā)明的晶圓清洗甩干機通過設(shè)置防止由晶圓甩出的水落回晶圓的噴吹裝置,使得經(jīng)過水沖洗的晶圓表面不會留下水漬,滿足高品質(zhì)加工的需要。
文檔編號H01L21/00GK102339729SQ201010236820
公開日2012年2月1日 申請日期2010年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月22日
發(fā)明者高思瑋 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
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