專利名稱：裝置及其形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及集成電路，且特別涉及包括具有基板穿孔插銷連接情形 (through-substrate via connections)白勺發(fā)光裝置(light-emitting device,LED)白勺一種集成電路。
背景技術：
近年來，如發(fā)光二極管(light-emittingdiode)、激光二極管(laser diodes) 與紫外光光檢測器(UV photo-detector)的光學裝置的使用已為頻繁。如氮化鎵(GaN)、 GaAsP、GaPN、AlInGaAs、GaAsPN、AlGaAs及其合金等III族或V族的化合物材料已證實為適用于上述光學裝置的使用。III族或V族的化合物材料的較大能隙(bandgap)與高電子飽和速率亦使得其成為高溫與高速的電源電子裝置應用中的極佳選擇。由于于一般成長溫度下的氮的高平衡壓力，因此并不容易得到GaN材質的塊狀結晶物。如此，GaN膜層與各別的發(fā)光二極管通常形成于符合GaN特性的其他基板上。藍寶石(sapphire，Al203)為常用的基板材料。然而，經觀察，藍寶石具有低的熱傳導率(thermal conductivity)。如此，由發(fā)光二極管所產生的熱能無法有效地通過藍寶石基板而逸散。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種裝置及其制造方法，以解決上述實施例。依據(jù)一實施例，本發(fā)明利用多重基板穿孔插銷以電性連接形成于基板上的發(fā)光二極管。一第一基板穿孔插銷自基板的一后側至一前側而延伸穿透基板，且包括電性連結于發(fā)光二極管的一第一覆蓋層的一第一基板穿孔插銷導體。一第二基板穿孔插銷自基板的一后側至第一覆蓋層或一透明導電層而延伸穿透基板與發(fā)光二極管的一有源層。第二基板穿孔插銷包括電性隔離于一第二基板穿孔插銷導體與第一覆蓋層及有源層的一隔離層。此夕卜，可形成假基板穿孔插銷，以選擇性地傳導來自于發(fā)光二極管的熱通過一封裝基板。假基板穿孔插銷可與第一基板穿孔插銷或第二基板穿孔插銷同時形成?？筛纬梢粴W姆接觸層以較均勻地分布用于開啟發(fā)光二極管的一電流。于歐姆接觸層上可更形成透明導電層。于基板上可形成有一反射物，反射物內形成有開口以提供第一基板穿孔插銷、第二基板穿孔插銷與假基板穿孔插銷的空間。依據(jù)一實施例，本發(fā)明提供了一種裝置，包括一發(fā)光二極管，位于該基板上，其中該發(fā)光二極管包括一第一覆蓋層、位于該第一覆蓋層上的一有源層以及位于該有源層上的一第二覆蓋層；一第一基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該基板的該前表面，該第一基板穿孔插銷包括了一第一基板穿孔插銷導體；以及一第二基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該第二覆蓋層，該第二基板穿孔插銷包括了一第二基板穿孔插銷導體與一隔離層，而該隔離層電性隔離了于該第二基板穿孔插銷內的第二基板穿孔插銷導體與該基板、該第一覆蓋層與該有源層。依據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供了一種裝置，包括
一基板，包括一第一側與相對于該第一側的一第二側；一發(fā)光二極管，位于該基板上，其中該發(fā)光二極管包括位于該基板上的經第一導電特性的一第一雜質所摻雜的一第一 III-V族化合物層、位于該第一 III-V族化合物層上的一有源層以及位于該有源層上的經第二導電特性的一第二雜質所摻雜的一第二 III-V族化合物層；一第一基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第一 III-V族化合物層，該第一基板穿孔插銷包括一第一基板穿孔插銷導體；以及一第二基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第二 III-V族化合物層，該第二基板穿孔插銷包括一第二基板穿孔插銷導體與環(huán)繞該第二基板穿孔插銷導體的一隔離層，其中該第一基板穿孔插銷與第二基板穿孔插銷用于接受開啟該發(fā)光二極管以發(fā)出光線的電壓。

依據(jù)又一實施例，本發(fā)明提供了一種裝置，包括一基板；一發(fā)光二極管裝置，位于該基板上；一第一基板穿孔插銷與一第二基板穿孔插銷，貫穿該基板并延伸與停止于一有源層的相對側，其中該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷用于傳輸一電壓至該發(fā)光二極管；一第一假基板穿孔插銷，貫穿該基板； 以及一封裝基板，結合于該基板上，其中該封裝基板包括一第三基板穿孔插銷與一第四基板穿孔插銷，分別電性耦接于該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷，以及一假接墊， 電性耦接于該第一假基板穿孔插銷。依據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供了一種裝置的制造方法，包括提供一基板；形成一發(fā)光二極管，包括形成一第一覆蓋層于該基板上、形成一有源層于該第一覆蓋層上以及形成一第二覆蓋層于該有源層上；形成一第一開口，延伸至該第一覆蓋層；形成一第二開口，至少延伸至該第二覆蓋層；于該第一開口與第二開口內填入一周圍隔離層；移除該第一開口內的該周圍隔離層的一底部；移除該第二開口內的該周圍隔離層的一底部；以及于該第一與第二開口內填入導電材料，以分別形成一第一基板穿孔插銷與一第二基板穿孔插銷。本發(fā)明可輕易地使用覆晶接合而完成封裝。再者，上述工藝步驟僅兩道掩模的少量光罩的使用，因此其制造成本為低。此外，亦可增加熱基板穿孔插銷的數(shù)量以改善發(fā)光裝置芯片的熱逸散能力。為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附的圖式，作詳細說明如下。


圖1-圖8為一系列示意圖，分別顯示了依據(jù)本發(fā)明不同實施例的一發(fā)光裝置于制作中不同階段的剖面情形與底視情形；圖9-圖11為一系列示意圖，分別顯示了依據(jù)本發(fā)明不同實施例的一發(fā)光裝置于制作中不同階段的剖面情形。并且，上述附圖中的附圖標記說明如下20 基板；20a 基板的前表面；20b 基板的后表面；22 發(fā)光裝置；
24 緩沖層；26 覆蓋層；

28 多重量子井/有源層；30 覆蓋層；33 歐姆接觸層；34、38 基板穿孔插銷開口；35 透明導電層；36、37、37， 阻劑；39 隔離層；40 掩模層；41 金屬材料；42、44 基板穿孔插銷；43 反射物；46、46_1、/46_2 假基板穿孔插銷/熱基板穿孔插銷；50 封裝基板；52 焊錫凸塊；52， 假焊錫凸塊；54’ 假基板穿孔插銷；55 假焊錫凸塊；56 焊錫凸塊；100 晶片；Wl 第一開口的水平尺寸；W2 第二開口的水平尺寸；I 電流。
具體實施例方式本發(fā)明提供了包括一發(fā)光裝置(light-emitting device,LED)的一種裝置及其制造方法。并圖示了于依據(jù)本發(fā)明的一實施例中的發(fā)光裝置制作時的中間階段。并討論了上述實施例的變化情形。于不同的圖式及實施例中，相同的標號代表了相同的元件。請參照圖1，首先形成一晶片100，其包括形成于基板20上的發(fā)光裝置22。于一實施例中，基板20由藍寶石(sapphire，Al2O3)所形成。于其他實施例中，基板20包括由包括III族與V族元素的化合物半導體材料或即為公知III-V族化合物半導體材料所形成的數(shù)個膜層。于又一實施例中，基板20可為一硅基板、一碳化硅(silicon carbide)基板、具有一碳化硅層位于其上的一硅基板、一硅鍺基板或由其他適用的半導體材料所形成的一基板。于以下描述中，基板20向上的一側定義為前側(front side)，其具有稱為前表面的一表面20a，而位于后側的表面20b則稱的為一后表面。接著形成緩沖層24于基板20之上，而緩沖層可接觸基板20。緩沖層24亦可稱為一成核層(nucleation layer)，其可于較上方膜層26的為低的一溫度下外延成長形成。 于一實施例中，緩沖層24包括相同于其上方膜層26的III-V化合物半導體材料。接著形成一覆蓋層(cladding layer) 26 于緩沖層 24 上，其可包括如 GaN、GaAsN、GaPN、AlInGaAs、 GaAsPN或AlGaAs、或上述材料的組合。覆蓋層26摻雜有具有如η型的第一導電性的雜質。 接著形成多重量子井(multiple quantum wells，MQWs) 28，或稱有源層，于覆蓋層26上。多重量子井28可通過如InGaN的材料所形成并可發(fā)出光線。接著更形成覆蓋層(cladding layer) 30于有源層28上，其具有相反于上述第一導電性的一第二導電性。于一實施例中，覆蓋層30為摻雜有ρ型摻質的GaN層。依據(jù)其他實施例，可選擇性地形成一歐姆接觸 (ohmic contact)層33于覆蓋層30上，并接著選擇性形成導電的透明導電層35，透明導電層35可以是氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)層。歐姆接觸層33及/或透明導電層35 可形成于較大的發(fā)光裝置芯片上，但于較小發(fā)光裝置芯片中則 略可或不可省略之。歐姆接觸層33可由GaAs或如Ni/Au，Ti/Al，Pt/Au，Ni/Pt/Au或相似物的其他適當材料所形成。 再者，歐姆接觸層33可為一復合膜層，其可包括位于一鉬層上的一鈦層，而鉬層位于一金層上?；蛘?，僅歐姆接觸層33與透明導電層35其中之一位于覆蓋層30上。上述膜層26、 28與30的形成采用已知技術，故在此不再重復描述其制作。于一實施例中，上述膜層26、 28與30的形成方法包括外延成長。于下文中，上述膜層26、28與30通稱為發(fā)光裝置22。
可以理解的是，發(fā)光裝置22具有許多設計情形，而圖1僅顯示了于多種變化情形內的一種示范形態(tài)。舉例來說，上述膜層26、28與30內的材料可分別不同于前述實施例內所述材料，并可為三元的(ternary) III-V族化合物材料。此外，于覆蓋層30摻雜有η型摻質時，覆蓋層26可為ρ型摻質摻雜。 請參照圖2Α，自基板20的底部形成基板穿孔插銷(through-substrate via, TSV) 開口 34。于一實施例中，形成阻劑36以覆蓋基板20并露出基板20的一部。接著蝕刻基板 20的露出部，例如是采用干蝕刻。接著移除阻劑36。于其他實施例中，采用激光鉆孔以形成基板穿孔插銷開口 34。基板穿孔插銷開口 34可停止于膜層26處。于其他實施例中，基板穿孔插銷開口 34的形成可于抵達覆蓋層26時停止?；蛘?，基板穿孔插銷開口 34的形成可于露出緩沖層24，其中于基板穿孔插銷開口 34內的虛線則表示了可另一底部情形。接著移除阻劑36。圖3則顯示了基板穿孔插銷開口 38的形成。相似于基板穿孔插銷開口 34的形成方式，可采用阻劑37作為掩模并通過蝕刻以形成基板穿孔插銷開口 38，或使用激光鉆孔方式形成之。基板穿孔插銷開口 38貫穿了覆蓋層26與有源層28，使得P-GaN材質的覆蓋層 30可至少部分露出，或部分或完全地經過蝕刻/鉆孔。當使用歐姆接觸層33及/或透明導電層35時，基板穿孔插銷開口 38可接觸(或貫穿)歐姆接觸層33或銦錫氧化物35。接著移除阻劑37。于其他實施例中，為了替代使用上述兩掩模步驟的基板穿孔插銷開口 34與38的形成方法，可采用一單一掩模步驟并通過蝕刻方式同時形成基板穿孔插銷開口 34與38。如圖2B所示，于上述實施例中，可形成一掩模(如阻劑37’ )并圖案化之，于基板穿孔插銷開口 34與38的形成處的阻劑層37’內形成開口。然而，用于形成基板穿孔插銷開口 34的第一開口的水平尺寸Wl可不同于用于形成基板穿孔插銷開口 38的第二開口的水平尺寸W2。 基于圖案的負載效應(loading effects)，所形成的基板穿孔插銷開口 34與38可如前所述般具有不同的深度。請參照圖4，基板穿孔插銷開口 34與38的側壁與底部上形成隔離層39，其可為一順應(conformal)膜層。于一實施例中，隔離層39由氮化硅所形成，雖然其亦可由如氧化硅、氮氧化硅及/或相似物等其他已知介電材料所形成。接著，如圖5所示，形成如阻劑層的一掩模層40以覆蓋隔離層39。接著圖案化的掩模層40以露出位于基板穿孔插銷開口 34與38的底部上的部分隔離層39，而位于基板穿孔插銷開口 34與38內的隔離層39的側壁部則為掩模層40所保護。接著蝕刻(可采用濕蝕刻)經露出的隔離層39的底部以露出下方膜層26、28與30。于其他實施例中，可使用如采用氬等離子體(未顯示)的一干蝕刻以移除隔離層39的底部，其中于干蝕刻中并不需要光罩的使用。請參照圖6與圖7A，移除掩模層40，并接著于基板穿孔插銷開口 34與38內填入一金屬材料(metallic materials)41，例如銅、鋁、鎢及上述材料的組合。接著施行如化學機械研磨(CMP)的平坦化程序，以移除基板20上的過量金屬材料。于其他實施例中，可施行背減薄(back lapping)或背研磨(backpolishing)程序以取代上述化學機械研磨。如圖7A所示金屬材料的剩余部則形成了基板穿孔插銷42與44。隔離層39可為周圍于、 圓周于、包圍于或圍繞于基板穿孔插銷42與44之一。基板穿孔插銷42與44可具有以下多種形狀的一形狀(從上視觀之)，包括圓形、方形等，因為光刻程序不具有形狀方面的限制。圖7B顯示了晶片100的一部的示意底視情形，其中基板穿孔插銷42與44為晶片 100的底部所露出，且其電性連結于位于有源層28的相對側(見于圖7A)的P型或η型的覆蓋層26與30。如此，可施加電壓于基板穿孔插銷42與44處以開啟發(fā)光裝置22，使得有源層28處發(fā)出光線。圖7C顯示了依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的晶片100的一底視情形，其內形成有數(shù)個基板穿孔插銷42、44與46。圖7Α所示的結構的剖面情形則可沿著圖7C內的線段7Α-7Α而得到。除了基板穿孔插銷42與44之外，在此形成有數(shù)個基板穿孔插銷46以作為散熱用的假基板穿孔插銷(dummy TSV)之用(或稱為熱基板穿孔插銷thermal TSV)， 其于發(fā)光裝置操作時并不會有電流通過此基板穿孔插銷46。如圖7A所示，于一實施例中，此些假基板穿孔插銷46通過隔離層39而電性絕緣于覆蓋層26與30。于其他實施例中，此些熱基板穿孔插銷46通過位于隔離層39內的各別開口而電性連結于覆蓋層26或28，其中此些開口則可于如圖5所示步驟中形成。然而，于施加電壓于基板穿孔插銷42與44則不會有電流通過熱基板穿孔插銷46。熱基板穿孔插銷 46用于逸散發(fā)光裝置所產生的熱能。圖8顯示了熱基板穿孔插銷46的連結情形的一實施例，其顯示了無論熱基板穿孔插銷46是否電性連結于覆蓋層26與30，此些熱基板穿孔插銷 46并不會連結于位于封裝基板50上的一外部電極，且因此不會傳輸電流。于部分實施例中，熱基板穿孔插銷46于基板穿孔插銷42形成時同時形成，而各熱基板穿孔插銷46顯示為熱基板穿孔插銷46_1，如圖7A所示。于其他實施例中，熱基板穿孔插銷46于形成基板穿孔插銷44時同時形成，而各熱基板穿孔插銷46于圖7A內則顯示為基板穿孔插銷46_2。于其他實施例中，部分的熱基板穿孔插銷46于基板穿孔插銷42形成時形成，而其他的熱基板穿孔插銷46則于基板穿孔插銷44形成時形成。圖7A亦顯示了選擇性的反射物(reflector) 43的形成，其可由如鋁、銅、金、銀或其合金的金屬材料所形成。于反射物43內形成有數(shù)個開口以露出基板穿孔插銷42與44 與熱基板穿孔插銷46露出且可觸碰之。于一實施例中，反射物通過印刷方式形成。于其他實施例中，反射物43通過沉積坦覆的一反射層，并接著移除不要的反射層部分，而剩余部分便形成了反射物43。
請參照圖8，經過切割晶片100后可得到發(fā)光裝置22以及各基板穿孔插銷42與 44，并可通過如覆晶接合的方式將之連結于封裝基板50。封裝基板50可包括通過焊錫凸塊 (solder bump) 52而連接基板穿孔插銷42與44的導電路徑54。可通過焊錫凸塊56而施加電壓于發(fā)光裝置22，而電流I可通過發(fā)光裝置22。于另一方 面，假焊錫凸塊(dummy solder bump) 52’則可連結封裝基板50與熱基板穿孔插銷46。然而，并沒有電流通過(且可能沒有電壓施加于其上)假焊錫凸塊52’。此外，熱基板穿孔插銷46與假焊錫凸塊52’僅用于散熱之用。為了得到較佳的熱逸散性，可于封裝基板50內形成假基板穿孔插銷54’，以使得發(fā)光裝置22內產生的熱能可傳導至假熱基板穿孔插銷54’，并通過假焊錫凸塊55而連結至如一散熱片(未顯示)的外部元件。圖9-圖11顯示了依據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括基板穿孔插銷的發(fā)光裝置芯片于制作中的中間階段，其中基板穿孔插銷42與44形成于基板20的前表面。除非特別地解說， 本實施例內的類似元件大體相同于前述實施例中的元件，故材料與形成方法等相關細節(jié)并不會再次地描述。請參照圖9，提供一基板20，而基板穿孔插銷42與隔離層39則形成于基板20內。 基板穿孔插銷42可于緩沖層24形成之前或之后形成。形成基板穿孔插銷42時可伴隨地同時形成熱基板穿孔插銷46/46_1 (未顯示于圖9內，請參照圖7A與圖7C)。如圖10所示， 接著形成覆蓋層26、有源層28、覆蓋層30與選擇性的歐姆接觸層33。接著形成基板穿孔插銷44以貫穿歐姆接觸層33、有源層28、覆蓋層26、緩沖層24并延伸至基板20內。形成基板穿孔插銷44時可伴隨地同時形成熱基板穿孔插銷46/46_2(未顯示于圖10中，請參照圖 7A與圖7C)。如圖11所示，于形成基板穿孔插銷44之后接著形成透明導電層35。接著可研磨基板20之后側直至露出基板穿孔插銷42與44。如圖8所示，上述實施例可輕易地使用覆晶接合而完成封裝。再者，上述工藝步驟僅兩道掩模的少量光罩的使用，因此其制造成本為低。此外，亦可增加熱基板穿孔插銷的數(shù)量以改善發(fā)光裝置芯片的熱逸散能力。雖然本發(fā)明已以較佳實施例公開如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視隨附的權利要求所界定的范圍為準。
權利要求
1.一種裝置，包括一基板，包括一前表面與一后表面； 一發(fā)光裝置，位于該基板上，其中該發(fā)光裝置包括一第一覆蓋層；一有源層，位于該第一覆蓋層上；以及一第二覆蓋層，位于該有源層上；一第一基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該基板的該前表面，該第一基板穿孔插銷包括了一第一基板穿孔插銷導體；以及一第二基板穿孔插銷，自該基板的該后表面延伸至該第二覆蓋層，該第二基板穿孔插銷包括了一第二基板穿孔插銷導體與一隔離層，而該隔離層電性隔離了于該第二基板穿孔插銷內的第二基板穿孔插銷導體與該基板、該第一覆蓋層與該有源層。
2.如權利要求1所述的裝置，其中該第二基板穿孔插銷至少部分穿透該第二覆蓋層， 而位于該第一基板穿孔插銷內的該第一基板穿孔插銷導體電性接觸了第一覆蓋層但未電性耦接于該有源層。
3.一種裝置，包括一基板，包括一第一側與相對于該第一側的一第二側； 一發(fā)光裝置，位于該基板上，其中該發(fā)光裝置包括經第一導電特性的一第一雜質所摻雜的一第一 III-V族化合物層，位于該基板上； 一有源層，位于該第一 III-V族化合物層上；以及經第二導電特性的一第二雜質所摻雜的一第二 III-V族化合物層，位于該有源層上； 一第一基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第一 III-V族化合物層，該第一基板穿孔插銷包括一第一基板穿孔插銷導體；以及一第二基板穿孔插銷，自該基板的該第一側延伸至該第二 III-V族化合物層，該第二基板穿孔插銷包括一第二基板穿孔插銷導體與環(huán)繞該第二基板穿孔插銷導體的一隔離層， 其中該第一基板穿孔插銷與第二基板穿孔插銷用于接受開啟該發(fā)光裝置以發(fā)出光線的電壓。
4.如權利要求1或3所述的裝置，還包括多個假基板穿孔插銷，位于該基板內。
5.如權利要求3所述的裝置，還包括一封裝基板，連結于該發(fā)光裝置之上。
6.如權利要求1或3所述的裝置，其中該第一基板穿孔插銷還包括分隔該第一基板穿孔插銷與該基板的一隔離層。
7.一種裝置，包括 一基板；一發(fā)光裝置，位于該基板上；一第一基板穿孔插銷與一第二基板穿孔插銷，貫穿該基板并延伸與停止于一有源層的相對側，其中該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷用于傳輸一電壓至該發(fā)光裝置； 一第一假基板穿孔插銷，貫穿該基板；以及一封裝基板，結合于該基板上，其中該封裝基板包括一第三基板穿孔插銷與一第四基板穿孔插銷，分別電性耦接于該第一基板穿孔插銷與該第二基板穿孔插銷；以及一假接墊，電性耦接于該第一假基板穿孔插銷。
8.如權利要求7所述的裝置，其中該封裝基板還包括位于該封裝基板內的一第二假基板穿孔插銷并通過一假接墊而電性耦接于該第一假基板穿孔插銷。
9.一種裝置的形成方法，包括 提供一基板；形成一發(fā)光裝置，包括 形成一第一覆蓋層于該基板上； 形成一有源層于該第一覆蓋層上； 形成一第二覆蓋層于該有源層上； 形成一第一開口，延伸至該第一覆蓋層； 形成一第二開口，至少延伸至該第二覆蓋層； 于該第一開口與第二開口內填入一周圍隔離層； 移除該第一開口內的該周圍隔離層的一底部； 移除該第二開口內的該周圍隔離層的一底部；以及于該第一與第二開口內填入導電材料，以分別形成一第一基板穿孔插銷與一第二基板穿孔插銷。
10.如權利要求9所述的裝置的形成方法，其中形成該第一開口的步驟早于形成該第一覆蓋層的步驟，而形成該第二開口的步驟晚于形成該有源層的步驟。
11.如權利要求9所述的裝置的形成方法，其中形成該第一基板穿孔插銷或形成該第二基板穿孔插銷的步驟施行時，同時形成多個假基板穿孔插銷。
12.如權利要求9所述的裝置的形成方法，其中該第一基板穿孔不接觸該有源層。
全文摘要
本發(fā)明涉及裝置及其形成方法。本發(fā)明是利用多重基板穿孔插銷以電性連接形成于基板上的發(fā)光裝置。一第一基板穿孔插銷自基板的一后側至一前側而延伸穿透基板，且包括電性連結于發(fā)光裝置的一第一覆蓋層的一第一基板穿孔插銷導體。一第二基板穿孔插銷自基板的一后側至第一覆蓋層或一透明導電層而延伸穿透基板與發(fā)光裝置的一有源層。第二基板穿孔插銷包括電性隔離于一第二基板穿孔插銷導體與第一覆蓋層及有源層的一隔離層。可形成假基板穿孔插銷，以選擇性地傳導來自于發(fā)光裝置的熱通過一封裝基板。本發(fā)明可輕易地使用覆晶接合而完成封裝。再者，上述工藝步驟僅兩道掩模的少量光罩的使用，因此其制造成本為低。
文檔編號H01L33/48GK102157662SQ20101019281
公開日2011年8月17日 申請日期2010年5月27日 優(yōu)先權日2010年2月12日
發(fā)明者黃信杰 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司