專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光裝置和制造該有機(jī)發(fā)光裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光裝置的方法。
背景技術(shù)：
高柔性基底由于其特性而用于薄膜包封和柔性顯示裝置。有機(jī)發(fā)光顯示(OLED) 裝置包括有機(jī)材料，有機(jī)材料由于暴露于氧或濕氣而劣化。已經(jīng)對(duì)聚碳酸酯、聚酰亞胺或聚 (芳醚砜)作為用于形成塑料基底的材料進(jìn)行了積極研究。通常，塑料基底的水蒸氣傳遞 速率(WVTR)在10 l，000g/m2/天的范圍內(nèi)。然而，為了制造長(zhǎng)壽命的OLED，WVTR應(yīng)當(dāng)為 IXlOVm2/天或更小。為了滿(mǎn)足該需要，通常在基底上形成防濕層。當(dāng)前，電子裝置使用粘合劑來(lái)包封，以防止?jié)駳鉂B入。然而，在這種情況下，少量的 濕氣仍能夠通過(guò)粘合劑和電子裝置的基底滲入到電子裝置中。因此，使用吸水劑來(lái)從電子 裝置有效地去除濕氣。然而，因?yàn)槲畡┦遣煌该鞯?，所以已?jīng)嘗試使用十個(gè)或更多個(gè)透明 薄膜的堆疊來(lái)代替吸水劑。然而，堆疊的多個(gè)膜導(dǎo)致透明度、單件工時(shí)和膜應(yīng)力下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；阻礙層；第一電 極；第二電極；設(shè)置在第一電極和第二電極之間的有機(jī)層。阻礙層包括SiO無(wú)機(jī)層和SiON 無(wú)機(jī)層。本發(fā)明還提供了 一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種阻礙層，所述阻礙層包括SiO無(wú)機(jī)層和SiOxNy無(wú) 機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)，其中，χ在0. 1至1的范圍內(nèi)，y在0. 1至1的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，SiOxNy無(wú)機(jī)層的密度可大于SiO無(wú)機(jī)層的密度。根據(jù)本發(fā)明的一方面，SiO無(wú)機(jī)層的厚度可以在450nm至600nm的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，SiOxNy無(wú)機(jī)層的厚度可以在0. 5nm至5nm的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，阻礙層的厚度可以在Inm至IOOOnm的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，阻礙層的厚度可以在300nm至500nm的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，阻礙層可以具有SiO無(wú)機(jī)層/SiOxNy無(wú)機(jī)層/SiO無(wú)機(jī)層/ SiOxNy無(wú)機(jī)層結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的另一方法，所述方法包括 在基底上形成有機(jī)發(fā)光單元；在基底上形成SiO無(wú)機(jī)層；在SiO層上形成SiOxNy無(wú)機(jī)層，以 形成覆蓋有機(jī)發(fā)光單元的阻礙層，其中，χ在0. 1至1的范圍內(nèi)，y在0. 1至1的范圍內(nèi)。有 機(jī)發(fā)光單元包括以如下次序順序地形成的第一電極、有機(jī)層和第二電極。根據(jù)本發(fā)明的一方面，SiO無(wú)機(jī)層通過(guò)熱沉積形成。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，SiOxNy無(wú)機(jī)層使用N2等離子體處理來(lái)形成。根據(jù)本發(fā)明的一方面，在形成SiOxNy無(wú)機(jī)層之后，所述方法還可包括通過(guò)在 SiOxNy無(wú)機(jī)層上熱沉積SiO來(lái)形成另一 SiO無(wú)機(jī)層，在該另一 SiO無(wú)機(jī)層上形成又一 SiOxNy 無(wú)機(jī)層，由此形成SiO無(wú)機(jī)層/SiOxNy無(wú)機(jī)層/SiO無(wú)機(jī)層/SiOxNy無(wú)機(jī)層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的附加方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分地在下面的說(shuō)明中進(jìn)行說(shuō)明，并部分地根據(jù) 說(shuō)明書(shū)將是明顯的，或者可以由本發(fā)明的實(shí)施而明了。


通過(guò)結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行的以下描述，本發(fā)明的這些和/或其它方面和 優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯和更易于理解，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)的示圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的一部分的放大剖視圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的放大剖視拍攝圖像(17，000 倍放大率)；圖3B是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的表面的放大拍攝圖像 (20，000倍放大率)；圖4A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的放大剖視拍攝圖像(30，000 倍)；圖4B是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的表面的放大拍攝圖像 (20，000 倍)。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明的示例，其中，相 同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。下面通過(guò)參照附圖描述示例性實(shí)施例，以解釋本發(fā)明的各 個(gè)方面。這里，當(dāng)?shù)谝辉环Q(chēng)作形成或設(shè)置在第二元件上時(shí)，第一元件可以直接設(shè)置在 第二元件上，或可以在第一元件和第二元件之間設(shè)置一個(gè)或多個(gè)其它元件。當(dāng)?shù)谝辉?稱(chēng)作直接形成或設(shè)置在第二元件上時(shí)，在第一元件和第二元件之間沒(méi)有其它元件。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)的示圖。圖1的有機(jī) 發(fā)光單元包括基底、第一電極(陽(yáng)極)、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層、電子 注入層和第二電極(陰極)。圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的一部分的放大剖視圖。參照?qǐng)D 2，裝置包括基底、有機(jī)發(fā)光單元和阻礙層。阻礙層包括第一 SiO無(wú)機(jī)層、第一 SiOxNy無(wú)機(jī) 層、第二 SiO無(wú)機(jī)層和第二 SiOxNy無(wú)機(jī)層，其中，χ在0. 1至1的范圍內(nèi)，y在0. 1至1的范 圍內(nèi)。因?yàn)橛米髯钃鯇?阻礙層)的傳統(tǒng)無(wú)機(jī)層使用O2等離子體方法或通過(guò)加熱形成， 所以，有機(jī)發(fā)光單元(有機(jī)電致發(fā)光(EL)裝置)劣化，并且有機(jī)發(fā)光單元的可靠性降低。常 用的濺射方法或化學(xué)氣相沉積(CVD)適合于在低溫下形成無(wú)機(jī)層，但是仍未解決由O2引起 的有機(jī)EL裝置的劣化。的無(wú)機(jī)層時(shí)，增大無(wú)機(jī)層的厚度，從而防止?jié)駳鉂B入， 增大的厚度導(dǎo)致無(wú)機(jī)層中的裂紋。因此，用于薄膜包封的阻擋層可以具有包括有機(jī)層的多 層結(jié)構(gòu)，例如，包括無(wú)機(jī)層和有機(jī)層的多層結(jié)構(gòu)或包括第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層的雙層結(jié) 構(gòu)，其中，第二無(wú)機(jī)層的密度小于第一無(wú)機(jī)層的密度。當(dāng)用于薄膜包封的阻擋層具有包括無(wú)機(jī)層和有機(jī)層的多層結(jié)構(gòu)時(shí)，有效地防止了 濕氣和氧通過(guò)有機(jī)層的主表面的滲入，但難以防止?jié)駳夂脱跬ㄟ^(guò)有機(jī)層的邊緣的滲入。另 外，這種多層結(jié)構(gòu)的工藝時(shí)間長(zhǎng)。當(dāng)用于薄膜包封的阻擋層具有包括第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú) 機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)(其中，第二無(wú)機(jī)層的密度小于第一無(wú)機(jī)層的密度)時(shí)，通常使用等離子體 化學(xué)氣相沉積(PECVD)來(lái)形成阻擋層。即使使用各種層沉積速度和各種材料來(lái)形成這樣的 阻擋層，密度更大的第一無(wú)機(jī)層的特性仍未控制在30nm或更小的厚度。另外，因?yàn)樵趯幼?身中存在缺陷和顆粒，所以隨后形成的密度更小的第二無(wú)機(jī)層被形成為具有更大的厚度， 以覆蓋缺陷和顆粒。此外，在第一無(wú)機(jī)層和第二無(wú)機(jī)層之間會(huì)出現(xiàn)分層(delamination)，并 且在阻擋層中會(huì)形成裂紋。因?yàn)闊嵴翦兒蚇2等離子體處理在室溫執(zhí)行且不產(chǎn)生等離子體損壞，所以，不會(huì)出 現(xiàn)有機(jī)EL層的劣化引起的裝置可靠性下降。SiO材料具有優(yōu)異的防濕能力，當(dāng)用N2等離子體處理時(shí)，SiO層的表面粗糙度和 SiO層中的缺陷減少。另外，與SiO2相比，SiO對(duì)N具有更高的結(jié)合力，因此，即使用N2等離 子體處理達(dá)短時(shí)間段，仍可以在SiO層(第二無(wú)機(jī)層)上形成由SiON形成的薄且致密的無(wú) 機(jī)層(第一無(wú)機(jī)層)。如上所述，與使用其它方法時(shí)相比，當(dāng)阻擋層通過(guò)熱沉積和N2等離子體處理而形 成時(shí)，即便在阻擋層很薄時(shí)，出現(xiàn)的缺陷也更少。另外，可以獲得高的阻擋能力。當(dāng)以堆疊 結(jié)構(gòu)形成時(shí)，在其它層之間形成中間層，因?yàn)榭梢允褂玫蜏毓に?，所以這樣的阻擋層可以用 于薄膜包封。根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)，SiH4與O2反應(yīng)，從而形成SiO2層，通過(guò)使SiH4與氨(NH3)反應(yīng)來(lái) 形成SiON層。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，阻礙層具有包括SiOxNy無(wú)機(jī)層和SiO無(wú)機(jī)層的 雙層結(jié)構(gòu)，其中，χ在0. 1至1的范圍內(nèi)，y在0. 1至1的范圍內(nèi)，代替了包括SiON無(wú)機(jī)層和 SiO2無(wú)機(jī)層的傳統(tǒng)雙層結(jié)構(gòu)。下面將詳細(xì)描述形成SiOxNy無(wú)機(jī)層和SiO無(wú)機(jī)層的方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，SiOxNy無(wú)機(jī)層的密度可高于SiO無(wú)機(jī)層的密度。SiO 無(wú)機(jī)層的厚度可以在450nm至600nm的范圍內(nèi)，SiOxNy無(wú)機(jī)層的厚度可以在0. 5nm至5nm 的范圍內(nèi)。當(dāng)這些厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，阻礙層的性能提高。阻礙層的厚度可以在Inm至 IOOOnm的范圍內(nèi)，或例如，在300nm至500nm的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，為了進(jìn)一步提高阻礙層的性能，阻礙層可以包括按 如下次序順序地形成在彼此上的第一 SiO無(wú)機(jī)層、第一 SiOxNy無(wú)機(jī)層、第二 SiO無(wú)機(jī)層和第 二 SiOxNy無(wú)機(jī)層。在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光裝置可以包括基 底；阻礙層；第一電極；第二電極；有機(jī)層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間。具體地講，阻 礙層具有SiO無(wú)機(jī)層/SiOxNy無(wú)機(jī)層/SiO無(wú)機(jī)層/SiOxNy無(wú)機(jī)層結(jié)構(gòu)，其中，χ在0. 1至1 的范圍內(nèi)，y在0.1至1的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法包括在基底上形成 有機(jī)發(fā)光單元；通過(guò)在基底上形成SiO無(wú)機(jī)層而在基底形成阻礙層；在SiO無(wú)機(jī)層上形成SiOxNy無(wú)機(jī)層，其中，χ在0. 1至1的范圍內(nèi)，y在0. 1至1的范圍內(nèi)。SiO無(wú)機(jī)層可以通過(guò) 熱沉積形成。有機(jī)發(fā)光單元包括第一電極、第二電極以及設(shè)置在第一電極和第二電極之間 的有機(jī)層。通常，SiO是褐色/黑色非晶玻璃狀固體。SiO可以通過(guò)例如將SiO2和Si加熱以 形成氣態(tài)SiO來(lái)獲得。然后，氣態(tài)SiO通過(guò)冷卻來(lái)固化。根據(jù)另一示例，SiO2和H2或CO可 以以大約1500°C至大約2000°C的溫度加熱，以形成氣態(tài)SiO。然后，氣態(tài)SiO通過(guò)冷卻來(lái)固 化。以上方法通過(guò)以下反應(yīng)式來(lái)舉例說(shuō)明。Si02+Si — 2Si0Si02+H2 — Si0+H20然后，獲得的SiO通過(guò)在大約1500°C至大約2000°C的溫度向獲得的SiO施加電流 而分解，由此在基底上產(chǎn)生包括SiO2和Si的基質(zhì)，如以下反應(yīng)式所示。2Si0 — Si02+Si根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，SiOxNy無(wú)機(jī)層可以通過(guò)使用N2等離子體的處理來(lái)形 成。在如上所述形成SiO無(wú)機(jī)層之后，執(zhí)行隊(duì)等離子體處理，從而在SiO(密度2. 13g/ cm3)無(wú)機(jī)層上形成SiOxNy (密度2. 2 3. Og/cm3)無(wú)機(jī)層。SiOxNy無(wú)機(jī)層具有比傳統(tǒng)的 Si3N4 (密度3. 4g/cm3)無(wú)機(jī)層的密度低的密度，但具有比SiO2無(wú)機(jī)層或SiO無(wú)機(jī)層的密度 高的密度。另外，與SiO2相比，SiO的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定，因此，當(dāng)使用N2等離子體處理時(shí)，可更容 易地形成SiOxNy。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，SiO熱沉積在SiOxNy無(wú)機(jī)層上，以形成第二 SiO無(wú)機(jī) 層，然后在第二 SiO無(wú)機(jī)層上沉積SiOxNy，以形成第二 SiOxNy無(wú)機(jī)層，由此順序地形成兩個(gè) SiO無(wú)機(jī)層和兩個(gè)SiOxNy無(wú)機(jī)層，如圖2所示。根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)方面，有機(jī)發(fā)光裝置可以具有各種結(jié)構(gòu)。有機(jī)發(fā)光裝置可以包 括有機(jī)發(fā)光單元，有機(jī)發(fā)光單元包括第一電極、第二電極以及設(shè)置在第一電極和第二電極 之間的有機(jī)層。有機(jī)層可以包括從由空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳 輸層和電子注入層組成的組中選擇的至少一個(gè)層。例如，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光單元可以具有第一電極/空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā) 射層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極結(jié)構(gòu)或第一電極/空穴注入層/空穴傳輸層/ 發(fā)射層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/第二電極結(jié)構(gòu)。再參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本發(fā)明的多個(gè)方面，有機(jī)發(fā)光裝置可以如下制造。首先， 第一電極可以通過(guò)在基底上沉積或?yàn)R射具有高逸出功的第一電極形成材料來(lái)形成。第一電 極可以是陽(yáng)極或陰極?；卓梢允窃趥鹘y(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光裝置中使用的任何基底。例如， 基底可以是玻璃或具有良好機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性和平坦表面的透明塑料，基底便于處理和/ 或是透明的，并具有防水性。第一電極形成材料可以是導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化 銦鋅(ΙΖ0)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(ZnO)、Al、Ag或Mg。第一電極可以是透明電極或反射 電極?？梢允褂谜婵粘练e方法、旋涂方法、澆鑄方法或Langmuir-Blodgett(LB)沉積方 法在第一電極上形成空穴注入層(HIL)。如果使用真空沉積方法形成HIL，則沉積條件可根 據(jù)HIL形成材料和目標(biāo)HIL的層結(jié)構(gòu)及熱特性而改變。在這點(diǎn)上，沉積溫度通常可以在大約100°C至大約500°C的范圍內(nèi)，真空度可以在10_8托至10_3托的范圍內(nèi)，沉積速率可以在 0. 01 100人/秒的范圍內(nèi)。如果使用旋涂方法形成HIL，則涂覆條件可根據(jù)HIL形成材料和目標(biāo)HIL的層結(jié)構(gòu) 及熱特性而改變。在這點(diǎn)上，涂覆速率通?？梢栽诖蠹s2000rpm至5000rpm的范圍內(nèi)，在涂 覆之后去除溶劑的熱處理溫度可以在大約80°C至大約200°C的范圍內(nèi)。HIL形成材料可以是任何合適的空穴注入材料，例如酞菁化合物(如銅酞菁)、4， 4'，4〃 -三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N，N' -二(1_萘基)_N，N' -二 苯基聯(lián)苯胺(NPB)、TDATA、2-TNATA、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撐 二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PED0T/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(Pani/CSA)或(聚苯 胺)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(PANI/PSS)。然而，HIL形成材料不限于這些材料。 HIL的厚度可以在大約100 A至10000 A的范圍內(nèi)，或在大約100 A至大約1000 A
的范圍內(nèi)。如果HIL的厚度在這些范圍內(nèi)，則可以獲得優(yōu)異的空穴注入特性而無(wú)需增大驅(qū) 動(dòng)電壓?？梢允褂弥T如真空沉積方法、旋涂方法、澆鑄方法或LB沉積方法的各種形成方法 在HIL上空穴傳輸層(HTL)。當(dāng)使用真空沉積方法或旋涂方法形成HTL時(shí)，沉積條件和涂覆 條件可根據(jù)HTL形成材料而改變。在這點(diǎn)上，沉積條件和涂覆條件可以與參照HIL描述的 沉積條件和涂覆條件相同或類(lèi)似。HTL形成材料可以是任何合適的HTL形成材料，例如咔唑衍生物(如N-苯基咔 唑或聚乙烯咔唑)或具有芳香縮合環(huán)的胺衍生物(例如NPB、N, N' -二(3-甲苯基)_N， N' - 二苯基-[1，1-二苯基]-4，4' -二胺(TPD)、N，N' -二(萘-1-基)-N，N' -二苯 基聯(lián)苯胺(a-NPD))。例如，在這些材料中，TPD可以傳輸空穴，并且還防止激子從發(fā)射層擴(kuò) 散出去。 HIL的厚度可以在大約500 A至大約1000 A的范圍內(nèi)，更具體地講，可以在大約 100 A至大約600人的范圍內(nèi)。如果HIL的厚度在這些范圍內(nèi)，則能夠獲得優(yōu)異的空穴注入 特性而無(wú)需顯著增大驅(qū)動(dòng)電壓。可以使用諸如真空沉積方法、旋涂方法、澆鑄方法或LB沉積方法的任何合適方法 在HTL上形成發(fā)射層(EML)。當(dāng)使用真空沉積方法或旋涂方法形成EML時(shí)，沉積條件和涂覆 條件可根據(jù)EML形成材料而改變。在這點(diǎn)上，沉積條件和涂覆條件可以與參照HIL描述的 沉積條件和涂覆條件相同或類(lèi)似。EML可以使用各種合適的發(fā)射材料(例如主體(host)和摻雜劑(dopant))來(lái)形 成。摻雜劑可以是任何合適的熒光摻雜劑或任何合適的磷光摻雜劑。例如，主體可以是 Alq3、CPB(4，4' -N, N' - 二咔唑-聯(lián)苯)、9，10-二(萘 _2_ 基)蒽(ADN)和 DSA( 二苯乙 烯基亞芳基化合物(distyrylarylene))，但不限于此。合適的紅色摻雜劑可以是PtOEP、 Ir (piq) 3、Btp2Ir (acac)或 DCJTB,但不限于此。 合適的綠色摻雜劑可以是Ir (ppy) 3 (ppy =苯基吡啶)、Ir (ppy) 2 (acac) Ir (mpyp) 3或C545T，但不限于此。 同時(shí)，合適的藍(lán)色摻雜劑可以是F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir (dfppz)3、三-芴、4， 4' -二(4-二苯基氨基苯乙烯基)聯(lián)苯(DPAVBi)和2，5，8，11_四叔丁基茈(TBP)，但不限 于此。 基于100重量份的EML形成材料(即，將主體和摻雜劑的總重量設(shè)為100重量份)， 摻雜劑的含量范圍可以在0. 1重量份到20重量份的范圍內(nèi)，或更具體地講，在大約0. 5重 量份到大約12重量份的范圍內(nèi)。如果摻雜劑的含量在這些范圍內(nèi)，可以基本上防止?jié)舛肉?滅現(xiàn)象。EML的厚度可以在大約100 A至大約1000人的范圍內(nèi)，更具體地講，在大約200人 至大約600人的范圍內(nèi)。如果EML的厚度在這些范圍內(nèi)，則能夠獲得優(yōu)異的發(fā)射特性而無(wú) 需顯著增大驅(qū)動(dòng)電壓。如果EML包括磷光摻雜劑，則可以在EML上形成空穴阻擋層(HBL)(在圖1中未示 出)，從而防止三線態(tài)激子或空穴擴(kuò)散到電子傳輸層中。在這種情況下，可用的HBL形成材 料可以從任何合適的HBL形成材料中選擇。HBL形成材料的示例包括噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、Balq和BCP。HBL的厚度可以在大約50 A至大約1000 A的范圍內(nèi)，具體地講，在大約100入至 大約300 A的范圍內(nèi)。如果HBL的厚度小于大約50 A，則空穴阻擋特性會(huì)劣化。另一方面， 如果HBL的厚度大于大約1000 A,則驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)增大。然后，可以使用諸如真空沉積方法、旋涂方法或澆鑄方法的任何合適方法在EML 上形成電子傳輸層(ETL)。當(dāng)使用真空沉積方法或旋涂方法來(lái)形成ETL時(shí)，沉積條件和涂覆 條件可根據(jù)ETL形成材料而改變。在這點(diǎn)上，沉積條件和涂覆條件可以與參照HIL描述的 沉積條件和涂覆條件相同或類(lèi)似。ETL形成材料不具體受到限制，并可以選自任何合適的ETL形成材料。ETL形成材 料的示例包括喹啉衍生物(例如，三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3))、TAZ和Balq，但不限于此。ETL的厚度可以在大約100 A至大約1000 A的范圍內(nèi)，更具體地講，可以在大約 100 A至大約500 A的范圍內(nèi)。如果ETL的厚度在這些范圍內(nèi)，則可以獲得優(yōu)異的電子傳輸 特性而無(wú)需顯著增大驅(qū)動(dòng)電壓。另外，可以在ETL上形成使得電子容易地從陽(yáng)極進(jìn)行注入的電子注入層(EIL)。 EIL可以使用任何合適的EIL形成材料(例如，LiF, NaCl, CsF、Li2O或BaO)來(lái)形成。EIL 的沉積條件和涂覆條件可根據(jù)EIL形成材料而改變。然而，沉積條件和涂覆條件通?？梢?與參照HIL描述的沉積條件和涂覆條件相同或類(lèi)似。EIL的厚度范圍可以在大約1 A至大約100 A的范圍內(nèi)，具體地講，可以在大約5 A 至大約90人的范圍內(nèi)。如果EIL的厚度在以上范圍內(nèi)，則能夠獲得優(yōu)異的電子注入特性而 無(wú)需顯著增大驅(qū)動(dòng)電壓。然后，使用真空沉積方法或?yàn)R射方法在EIL上形成第二電極。第二電極可以用作 陰極或陽(yáng)極。第二電極可以由具有低逸出功的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或它們的任何混合物 來(lái)形成。這樣的材料的示例包括鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦 (Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)。為了提供頂部發(fā)射型顯示裝置，第二電極可以由諸如ITO或 IZO之類(lèi)的透明材料形成。然后，在陰極和基底上形成阻礙層，由此完成有機(jī)發(fā)光裝置的制造。在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的示例，但本發(fā)明不限于此。示例 1m-MTDATA (750 A )/α "NPD (150 A ) /DSA (300 A ) :TBPe (3 % ) /Alq3 (200 A ) / LiF (80 A)/Al (3000 人)為了形成陽(yáng)極，將15 Ω/cm2 (1200 A) ITO玻璃基底(由Corning Co.生產(chǎn))切割 成50mmX 50mmX 0. 7mm的尺寸，然后分別使用異丙醇和純水進(jìn)行超聲處理達(dá)5分鐘，然后通 過(guò)暴露于臭氧達(dá)30分鐘來(lái)洗滌。然后，將m-MTDATA真空沉積在得到的基底上，以形成厚度 為750 A的HIL。然后，將α -NPD真空沉積在HIL上，以形成厚度為150入的HTL。將作為 主體的DSA和作為摻雜劑的TBPe真空沉積在HTL上，以形成厚度為300 A的EML在這種情 況下，摻雜劑的量為3%。然后，將Alq3真空沉積在EML上，以形成厚度為200人的ETL。然 后，將LiF真空沉積在ETL上，以形成厚度為80 A的EIL。然后，將Al真空沉積在EIL上， 以形成厚度為3000人的陰極，由此形成LiF/Al電極并完成有機(jī)發(fā)光裝置的制造。然后，在熱蒸鍍器中以10_5托至10_6托的壓強(qiáng)將SiO沉積在基底和陰極上，由此形成厚度為508nm的SiO無(wú)機(jī)層。然后，使SiO無(wú)機(jī)層在10_5托至10_6托的壓強(qiáng)暴露于N2等 離子體達(dá)180秒，由此形成厚度為大約4nm的SiOxNy無(wú)機(jī)層。SiO無(wú)機(jī)層和SiOxNy無(wú)機(jī)層 一起構(gòu)成阻礙層。阻礙層的總厚度為大約500nm。圖3A是根據(jù)示例1的有機(jī)發(fā)光裝置的放大剖視拍攝圖像(17，000倍放大率)。參 照?qǐng)D3A，在基底上形成SiO層，在SiO層上形成薄的SiOxNy層。圖3B是根據(jù)示例1的有機(jī) 發(fā)光裝置的表面的放大拍攝圖像(20，000倍放大率)。示例 2除了在基底和陰極上形成SiO以形成厚度為553. 2nm的SiO無(wú)機(jī)層之外，以與示 例1的方式相同的方式制造有機(jī)發(fā)光裝置。然后，在SiO無(wú)機(jī)層上形成厚度為4nm的SiOxNy 無(wú)機(jī)層，然后，在SiOxNy無(wú)機(jī)層上沉積SiO，以形成厚度為528. 2nm的另一 SiO無(wú)機(jī)層。在該 SiO無(wú)機(jī)層上形成厚度為大約4nm的另一 SiOxNy無(wú)機(jī)層，由此形成具有SiO無(wú)機(jī)層/SiOxNy 無(wú)機(jī)層/SiO無(wú)機(jī)層/SiOxNy無(wú)機(jī)層結(jié)構(gòu)的阻礙層。阻礙層的厚度為大約llOOnm。圖4A是在示例2中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的放大剖視拍攝圖像(30，000倍)。參照 圖4A，示出了阻礙層的結(jié)構(gòu)。圖4B示出了在示例2中制造的有機(jī)發(fā)光裝置的表面的放大圖 像。對(duì)比示例除了在基底和陰極上形成SiO以沉積厚度為500nm的SiO無(wú)機(jī)層之外，以與示例 1的方式相同的方式制造有機(jī)發(fā)光裝置。濕氣和外部氣體滲入試驗(yàn)對(duì)根據(jù)示例1和2以及對(duì)比示例制造的有機(jī)發(fā)光裝置進(jìn)行濕氣和外部氣體滲入試 驗(yàn)。在下表1中示出了結(jié)果。表 1 參照表1，可以看出，根據(jù)示例1和示例2以及對(duì)比示例制造的有機(jī)發(fā)光裝置的 WVTR的范圍分別為0. 3 0. 07g/m2/天、小于0. 01g/m2/天和1 0. 8g/m2/天。因此，可以 看出，示例1和示例2的WVTR小于對(duì)比示例的WVTR。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例制造的無(wú)機(jī)復(fù)合層可以以室溫形成，并具有優(yōu)異的防 水特性。與單個(gè)層的簡(jiǎn)單堆疊結(jié)構(gòu)相比，無(wú)機(jī)復(fù)合層更適合用于形成在層間具有強(qiáng)相互作 用力的層。另外，因?yàn)闊o(wú)機(jī)復(fù)合層可以以室溫形成，所以材料選擇范圍更廣，并根據(jù)各種材 料和用途，可以形成各種中間層。此外，當(dāng)形成具有多層結(jié)構(gòu)的層時(shí)，可以控制工藝的數(shù)量。雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的一些示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明 白，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的基礎(chǔ)上，可以在這些示例性實(shí)施例中做出改變，本發(fā)明 的范圍在權(quán)利要求書(shū)及其等同物中限定。
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；有機(jī)發(fā)光單元，設(shè)置在基底上，有機(jī)發(fā)光單元包括第一電極、第二電極以及設(shè)置在第一電極和第二電極之間的有機(jī)層；阻礙層，設(shè)置在基底上，用于覆蓋有機(jī)發(fā)光單元，阻礙層包括第一SiO層和設(shè)置在第一SiO層上的第一SiOxNy層，其中，x在0.1至1的范圍內(nèi)，y在0.1至1的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一SiOxNy層的密度大于第一 SiO層 的密度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一SiO層的厚度在450nm至600nm的 范圍內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一SiOxNy層的厚度在0. 5nm至5nm的 范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，阻礙層的厚度在Inm至IOOOnm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，阻礙層的厚度在300nm至500nm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，阻礙層還包括 第二 SiO層，設(shè)置在第一 SiOxNy層上；第二 SiOxNy層，設(shè)置在第二 SiO層上。
8.—種制造有機(jī)發(fā)光裝置的方法，所述方法包括如下步驟在基底上形成有機(jī)發(fā)光單元，有機(jī)發(fā)光單元包括第一電極、第二電極以及設(shè)置在第一 電極和第二電極之間的有機(jī)層； 在基底上形成第一 SiO層；在第一 SiO層上形成第一 SiOxNy層，以形成阻礙層，其中，χ在0. 1至1的范圍內(nèi)，y在 0. 1至1的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，SiO層通過(guò)熱沉積形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，SiOxNy層使用N2等離子體處理來(lái)形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括 在第一 SiOxNy層上形成第二 SiO層；在第二 SiO層上形成第二 SiOxNy層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中 在有機(jī)發(fā)光單元上直接設(shè)置第一 SiO層； 在第一 SiO層上直接設(shè)置第一 SiOxNy層； 在第一 SiOxNy層上直接設(shè)置第二 SiO層； 在第二 SiO層上直接設(shè)置第二 SiOxNy層。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，阻礙層完全覆蓋有機(jī)發(fā)光單元，有機(jī)發(fā)光單元 直接設(shè)置在基底上。
14.一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括 基底；有機(jī)發(fā)光單元，設(shè)置在基底上；阻礙層，設(shè)置在基底上，以防止?jié)駳饨佑|有機(jī)發(fā)光單元，阻礙層包括設(shè)置在有機(jī)發(fā)光單 元上的第一 SiO層和設(shè)置在第一 SiO層上的第一 SiOxNy層， 其中，χ在0. 1至1的范圍內(nèi)，y在0. 1至1的范圍內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，阻礙層還包括第二 SiO層，設(shè)置在第一 SiOxNy層上； 第二 SiOxNy層，設(shè)置在第二 SiO層上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置和一種制造該有機(jī)發(fā)光裝置的方法，所述裝置包括基底；阻礙層；第一電極；第二電極；有機(jī)層，設(shè)置在第一電極和第二電極之間，其中，阻礙層包括SiO層和SiOxNy層。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101894919SQ201010185019
公開(kāi)日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2010年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月21日
發(fā)明者南基賢, 徐祥準(zhǔn) 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社