專利名稱：電激發(fā)光顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板，且特別是有關(guān)于一種電激發(fā)光顯示面板(electroluminescent display panel)。
背景技術(shù)：
隨著顯示科技的日益進步，人們借著顯示裝置的輔助可使生活更加便利。為求顯 示器輕、薄的特性，平面顯示器成為了目前的主流。在各種平面顯示器中，主動矩陣電激發(fā)光顯示器(active matrixelectroluminescent display, AMLED)顯示器因具有視角廣、色彩對比效果好、輕薄、響應(yīng)速度快及成本低等優(yōu) 點，故十分適用于如隨身影像產(chǎn)品(筆記型電腦、PDA、手機等)，特別是大型顯示裝置如電視等。在一般的主動矩陣電激發(fā)光顯示器中，電激發(fā)光元件上通常會覆蓋有緩沖層，且 緩沖層上依序覆蓋有機層與無機層，以防止水氣或氧氣接觸電激發(fā)光元件而導(dǎo)致元件損 壞，以及使元件表面平坦化。然而，在形成緩沖層、有機層與無機層時，無法避免地會于各膜 層中產(chǎn)生針孔(Pin hole)，使得水氣與氧氣通過這些針孔而接觸電激發(fā)光元件。此外，由 于水氣與氧氣在有機層中非常容易擴散至針孔以外的區(qū)域，因此往往造成大面積的元件損 壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電激發(fā)光顯示面板，其可以有效地避免水氣與氧氣在有機層中大 幅度地擴散。本發(fā)明另提供一種電激發(fā)光顯示面板，其可以有效地避免元件發(fā)生大面積的損 壞。本發(fā)明提出一種電激發(fā)光顯示面板，其包括主動元件陣列基板、像素定義層、多個 電激發(fā)光元件層、電極層以及保護層。主動元件陣列基板具有多個呈陣列排列的像素電極。 像素定義層配置于主動元件陣列基板上，其中像素定義層具有多個呈陣列排列的開口，且 各開口分別暴露出其中一個像素電極。電激發(fā)光元件層配置于開口內(nèi)，其中各電激發(fā)光元 件層分別配置于其中一個像素電極上。電極層覆蓋于像素定義層與電激發(fā)光元件層上。保 護層覆蓋于電極層上。保護層包括緩沖層、第一封裝薄膜以及第二封裝薄膜。緩沖層覆蓋 像素定義層與電激發(fā)光元件層。第一封裝薄膜僅部分地覆蓋緩沖層。第一封裝薄膜包括多 個彼此分離的島狀圖案，且島狀圖案位于像素電極上方。第二封裝薄膜覆蓋緩沖層與第一 封裝薄膜。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的主動元件陣列基板包括多條 掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個主動元件。主動元件與掃描線、數(shù)據(jù)線以及像素電極對應(yīng)地電 性連接，且掃描線、數(shù)據(jù)線與主動元件被像素定義層所覆蓋。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的第一封裝薄膜的水氣穿透速率(water vapor transmission rate, WVTR)例如大于第二封裝薄膜的水氣穿透速率。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的第一封裝薄膜的氧氣穿透速 率(oxygen transmission rate, 0TR)例如大于第二封裝薄膜的氧氣穿透速率。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的第一封裝薄膜的水氣穿透速 率例如介于o. lg/m2/day至100g/m2/day之間，而第二封裝薄膜的水氣穿透速率例如介于 lg/m2/day 至 50g/m2/day 之間。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的第一封裝薄膜的氧氣穿透速 率例如介于0. lc. c. /m7day至100c. c. /m2/day之間，而第二封裝薄膜的氧氣穿透速率例如 介于 lc. c. /m2/day 至 50c. c. /m2/day 之間。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的緩沖層與第二封裝薄膜的材 料例如為無機材料，而第一封裝薄膜的材料例如為有機材料。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的各島狀圖案例如分別位于其 中一個開口內(nèi)。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的各電激發(fā)光元件層包括發(fā)光 層、空穴注入層(hole injection layer, HIL)、空穴傳輸層(hole transportlayer, HTL) 以及電子注入層(electron injection layer，EIL)。發(fā)光層配置于其中一個像素電極與 電極層之間?？昭ㄗ⑷雽优渲糜谄渲幸粋€像素電極與發(fā)光層之間?？昭▊鬏攲优渲糜诳昭?注入層于發(fā)光層之間。電子注入層配置于發(fā)光層與電極層之間。本發(fā)明另提出一種電激發(fā)光顯示面板，其包括主動元件陣列基板、像素定義層、多 個電激發(fā)光元件層、電極層以及保護層。主動元件陣列基板具有多個呈陣列排列的像素電 極。像素定義層配置于主動元件陣列基板上，其中像素定義層具有多個呈陣列排列的開口， 且各開口分別暴露出其中一個像素電極。電激發(fā)光元件層配置于開口內(nèi)，其中各電激發(fā)光 元件層分別配置于其中一個像素電極上。電極層覆蓋于像素定義層與電激發(fā)光元件層上。 保護層覆蓋于電極層上。保護層包括第一封裝薄膜。第一封裝薄膜包括多個彼此分離的島 狀圖案，且島狀圖案大體位于像素電極正上方而不位于像素電極正上方以外的區(qū)域。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的第一封裝薄膜的水氣穿透速 率例如介于o. lg/m2/day至100g/m2/day之間。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的第一封裝薄膜的氧氣穿透速 率例如介于 0. lc. c. /m2/day 至 100c. c. /m2/day 之間。依照本發(fā)明實施例所述的電激發(fā)光顯示面板，上述的第一封裝薄膜的材料例如為 有機材料?；谏鲜?，本發(fā)明將由有機材料所形成的各個封裝薄膜配置于像素定義層的每一 個開口內(nèi)，使這些由有機材料所形成的封裝薄膜彼此不連接，因此當(dāng)水氣與氧氣由膜層中 的針孔進入時，可以避免水氣與氧氣在由有機材料所形成的封裝薄膜中大幅度地擴散，進 而可以減少電激發(fā)光元件的損壞。以下為有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖。然而所附附圖僅供參考與輔助說明用，并 非用來對本發(fā)明加以限制者。


圖1A為依照本發(fā)明一實施例所繪示的電激發(fā)光顯示面板的俯視示意圖1B為沿圖1A中的1-1’剖線所繪示的電激發(fā)光顯示面板的剖面示意圖
圖2為依照本發(fā)明另一實施例所繪示的電激發(fā)光顯示面板的剖面示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
10、20 電激發(fā)光顯示面板100 主動元件陣列基板
100a 像素電極100b 掃描線
100c 數(shù)據(jù)線102 像素定義層
104:電激發(fā)光元件層104a 發(fā)光層
104b 空穴注入層104c 空穴傳輸層
104d:電子注入層106 電極層
108 保護層108a 緩沖層
108b、108c、108d、108e 封裝薄膜110 開口
具體實施例方式圖1A為依照本發(fā)明一實施例所繪示的電激發(fā)光顯示面板的俯視示意圖。圖1B 為沿圖1A中的1-1’剖線所繪示的電激發(fā)光顯示面板的剖面示意圖。請同時參照圖1A與 圖1B，電激發(fā)光顯示面板10包括主動元件陣列基板100、像素定義層102、電激發(fā)光元件層 104、電極層106以及保護層108。主動元件陣列基板100的材料例如為玻璃、塑膠或其他合 適的材料。主動元件陣列基板100具有呈陣列排列的像素電極100a。像素電極100a的材 料例如為銦錫氧化物(indium tin oxide, IT0)或銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)。 此外，主動元件陣列基板100還具有掃描線100b、數(shù)據(jù)線100c以及主動元件(為了使附圖 清楚而未繪示)。掃描線100b與數(shù)據(jù)線100c彼此互相垂直。主動元件與所對應(yīng)的一條掃 描線100b、一條數(shù)據(jù)線100c以及一個像素電極100a電性連接。掃描線100b、數(shù)據(jù)線100c 的材料例如為金屬。主動元件包括柵極、柵絕緣層、通道層、源極/漏極等，其彼此間的配置 關(guān)系為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，于此不另行說明。像素定義層102配置于主動元件陣列基板100上。像素定義層102覆蓋掃描線 100b、數(shù)據(jù)線100c與主動元件，用以定義出像素區(qū)。像素定義層102的材料例如為壓克力 (acrylic)。像素定義層102具有開口 110。開口 110以陣列的方式排列，且每一個開口 110 暴露出一個像素電極100a。電激發(fā)光元件層104配置于開口 110內(nèi)，且每一個電激發(fā)光元件層104配置于一 個像素電極100a上。電激發(fā)光元件層104包括發(fā)光層104a、空穴注入層104b、空穴傳輸層 104c以及電子注入層104d。空穴注入層104b、空穴傳輸層104c、發(fā)光層104a以及電子注 入層104d自像素電極100a依序堆疊于其上。電激發(fā)光元件層104中各膜層材料可使用公 知電激發(fā)光元件層的材料。發(fā)光層104a例如為有機發(fā)光層或無機發(fā)光層，有機發(fā)光層材料 例如為Alq。空穴注入層104b的材料例如為CuPc、空穴傳輸層104c的材料例如為NPB以 及電子注入層104d的材料例如為LiF。發(fā)光層104a、空穴注入層104b、空穴傳輸層104c以 及電子注入層104d的形成方法例如為噴墨印刷法(ink-jetprinting，IJP)。此外，在其他 實施例中，也可以視實際需求而于電子注入層104d與發(fā)光層104a之間配置電子傳輸層；于發(fā)光層104a與電子注入層104d或電子傳輸層之間配置空穴阻擋層。電極層106例如是共形地(conformally)覆蓋于像素定義層102與電激發(fā)光元件 層104上，以作為共用電極。電極層106的材料例如為鋁。保護層108覆蓋于電極層106上。詳細地說，保護層108包括緩沖層108a、封裝薄 膜108b以及封裝薄膜108c。緩沖層108a例如是共形地配置于電極層106上，以覆蓋像素 定義層102與電激發(fā)光元件層104。緩沖層108a的材料例如為無機材料。封裝薄膜108b 僅部分地覆蓋緩沖層108a。在本實施例中，封裝薄膜108b例如為彼此分離的島狀圖案，而 這些島狀圖案配置于開口 110內(nèi)，且位于像素電極100a的正上方。在另一實施例中，封裝薄 膜108b除了位于開口 110內(nèi)之外，還可以位于開口 110周圍的緩沖層108a上。封裝薄膜 108b的材料例如為有機材料，其水氣穿透速率例如介于0. Ig/m7day至100g/m7day之間， 而氧氣穿透速率例如介于0. lc. c. /m2/day至100c. c. /m2/day之間。此外，封裝薄膜108c 覆蓋緩沖層108a與封裝薄膜108b。封裝薄膜108c的材料例如為無機材料，其水氣穿透速 率例如介于lg/m2/day至50g/m2/day之間，而氧氣穿透速率例如介于lc. c. /m2/day至50c. c. /m2/day之間。在一實施例中，封裝薄膜108b的水氣穿透速率例如大于封裝薄膜108c的 水氣穿透速率。在一實施例中，封裝薄膜108b的氧氣穿透速率例如大于封裝薄膜108c的 氧氣穿透速率。由圖1B可以看出，由于由有機材料所形成的各個封裝薄膜108b位于每一個開口 110內(nèi)且彼此不連接，因此當(dāng)水氣與氧氣由各膜層中的針孔進入時，并無法經(jīng)封裝薄膜 108b而擴散至其他區(qū)域，也就不會導(dǎo)致元件發(fā)生大面積的損壞。特別一提的是，在本實施例中，保護層108是由一層由無機材料所形成的緩沖層 108a、一層由有機材料形成的封裝薄膜108b以及一層由無機材料所形成的封裝薄膜108c 所構(gòu)成，而在其他實施例中，保護層也可以是由一層緩沖層108a以及由多層有機材料層與 多層無機材料層依序交替堆疊所形成的復(fù)合層所構(gòu)成。圖2為依照本發(fā)明另一實施例所繪示的電激發(fā)光顯示面板的剖面示意圖。請參照 圖2，在本實施例中，電激發(fā)光顯示面板20與電激發(fā)光顯示面板10的差異在于在電激發(fā) 光顯示面板20中，保護層是由一層緩沖層108a、封裝薄膜108b (舉例為有機材料)、封裝薄 膜108c (舉例為無機材料)、封裝薄膜108d (舉例為有機材料)與封裝薄膜108e (舉例為無 機材料)所構(gòu)成。當(dāng)然，在其他實施例中，還可以視實際需求而繼續(xù)堆疊更多層的有機材料 層與無機材料層。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
一種電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，包括一主動元件陣列基板，具有多個呈陣列排列的像素電極；一像素定義層，配置于該主動元件陣列基板上，其中該像素定義層具有多個呈陣列排列的開口，且各該開口分別暴露出其中一像素電極；多個電激發(fā)光元件層，配置于這些開口內(nèi)，其中各該電激發(fā)光元件層分別配置于其中一像素電極上；一電極層，覆蓋于該像素定義層與這些電激發(fā)光元件層上；以及一保護層，覆蓋于該電極層上，而該保護層包括一緩沖層，覆蓋該像素定義層與這些電激發(fā)光元件層；一第一封裝薄膜，僅部分地覆蓋該緩沖層，該第一封裝薄膜包括多個彼此分離的島狀圖案，且這些島狀圖案位于這些像素電極上方；以及一第二封裝薄膜，覆蓋該緩沖層與該第一封裝薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，該主動元件陣列基板包括 多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個主動元件，這些主動元件與這些掃描線、這些數(shù)據(jù)線以及 這些像素電極對應(yīng)地電性連接，且這些掃描線、這些數(shù)據(jù)線與這些主動元件被該像素定義層所覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，該第一封裝薄膜的水氣穿 透速率大于該第二封裝薄膜的水氣穿透速率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，該第一封裝薄膜的氧氣穿 透速率大于該第二封裝薄膜的氧氣穿透速率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，該第一封裝薄膜的水氣穿 透速率介于0. Ig/m7day至100g/m7day之間，而第二封裝薄膜的水氣穿透速率介于lg/m2/ day 至 50g/m2/day 之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，該第一封裝薄膜的氧氣穿 透速率介于0. lc. c. /m7day至100c. c. /m2/day之間，而第二封裝薄膜的氧氣穿透速率介于 lc. c. /m2/day 至 50c. c. /m2/day 之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，該緩沖層與該第二封裝薄 膜的材料為無機材料，該第一封裝薄膜的材料為有機材料，其中各該島狀圖案分別位于其 中一開口內(nèi)，其中各該電激發(fā)光元件層包括一發(fā)光層，配置于其中一像素電極與該電極層之間，其中該發(fā)光層包括有機發(fā)光層或 無機發(fā)光層；一空穴注入層，配置于其中一像素電極與該發(fā)光層之間； 一空穴傳輸層，配置于該空穴注入層于該發(fā)光層之間；以及 一電子注入層，配置于該發(fā)光層與該電極層之間。
8.一種電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，包括一主動元件陣列基板，具有多個呈陣列排列的像素電極；一像素定義層，配置于該主動元件陣列基板上，其中該像素定義層具有多個呈陣列排 列的開口，且各該開口分別暴露出其中一像素電極；多個電激發(fā)光元件層，配置于這些開口內(nèi)，其中各該電激發(fā)光元件層分別配置于其中一像素電極上；一電極層，覆蓋于該像素定義層與這些電激發(fā)光元件層上；以及 一保護層，覆蓋于該電極層上，而該保護層包括一第一封裝薄膜，該第一封裝薄膜包括多個彼此分離的島狀圖案，且這些島狀圖案大 體位于這些像素電極正上方而不位于這些像素電極正上方以外的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電激發(fā)光顯示面板，其特征在于，該主動元件陣列基板包括 多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個主動元件，這些主動元件與這些掃描線、這些數(shù)據(jù)線以及 這些像素電極對應(yīng)地電性連接，且這些掃描線、這些數(shù)據(jù)線與這些主動元件被該像素定義 層所覆蓋，其中該第一封裝薄膜的水氣穿透速率介于0. lg/m2/day至100g/m2/day之間，其 中該第一封裝薄膜的氧氣穿透速率介于0. lc. c. /m7day至100c. c. /m2/day之間，其中該第 一封裝薄膜之材料為有機材料，其中各該島狀圖案分別位于其中一開口內(nèi)，其中各該電激 發(fā)光元件層包括一發(fā)光層，配置于其中一像素電極與該電極層之間，其中該發(fā)光層包括有機發(fā)光層或 無機發(fā)光層；一空穴注入層，配置于其中一像素電極與該發(fā)光層之間； 一空穴傳輸層，配置于該空穴注入層于該發(fā)光層之間；以及 一電子注入層，配置于該發(fā)光層與該電極層之間。
全文摘要
本發(fā)明公開一種電激發(fā)光顯示面板，包括主動元件陣列基板、像素定義層、電激發(fā)光元件層、電極層與保護層?；寰哂邢袼仉姌O。位于基板上的像素定義層具有開口。各開口分別暴露出一個像素電極。電激發(fā)光元件層位于開口內(nèi)。各電激發(fā)光元件層分別位于一個像素電極上。電極層位于像素定義層與電激發(fā)光元件層上。包括緩沖層、第一與第二封裝薄膜的保護層位于電極層上。緩沖層覆蓋像素定義層與電激發(fā)光元件層。第一封裝薄膜僅部分地覆蓋緩沖層。第一封裝薄膜包括位于像素電極上的島狀圖案。第二封裝薄膜覆蓋緩沖層與第一封裝薄膜。
文檔編號H01L33/52GK101847652SQ20101015323
公開日2010年9月29日 申請日期2010年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月21日
發(fā)明者吳文豪 申請人:友達光電股份有限公司