專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展基本上遵循摩爾定律已40多年，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)幾何尺寸的減小是提高器件速度并降低生產(chǎn)成本的主要手段。隨著集成電路的發(fā)展和器件尺寸的縮小，帶來一些不能忽視的問題，比如溝道縱向電場的增加，越來越薄的柵極氧化層與硅襯底的界面粗糙度變差，以及溝道雜質(zhì)散射的增加等，這些都使載流子的遷移率退化。為了有較大的驅(qū)動(dòng)電流來保證較高的器件速度，遷移率退化導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)電流減小是一個(gè)棘手且亟待解決的問題。相比硅材料，鍺材料在低電場下空穴遷移率是硅材料的4倍，電子遷移率是硅材料的3倍，因此，鍺材料作為一種新的溝道材料以其更高、更加對(duì)稱的載流子遷移率成為高速M(fèi)OSFET器件很有希望的發(fā)展方向之一，也是目前研究的熱點(diǎn)。此外，除了運(yùn)用新的溝道材料(例如鍺)來提高載流子的遷移率，應(yīng)變技術(shù)也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。通過改變器件材料、結(jié)構(gòu)或者工藝等方法在器件溝道中施加應(yīng)力，改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)，可以增加溝道中載流子的遷移率，進(jìn)而提升器件的驅(qū)動(dòng)電流，改善器件性能。其中，工藝誘生應(yīng)變方法以其方便、有效的特點(diǎn)成為目前業(yè)界大規(guī)模生產(chǎn)中廣泛采用的應(yīng)變引入方法。應(yīng)變技術(shù)對(duì)于NMOS器件，可以在平行于溝道平面的方向引入單軸拉應(yīng)力， 也可以同時(shí)在垂直于溝道平面的方向弓丨入壓應(yīng)力，從而增加電子在溝道中的遷移率?？偠灾绾翁岣邷系乐休d流子的遷移率是現(xiàn)有超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)中亟待解決的難題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，可以提高溝道中載流子的遷移率。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供鍺基半導(dǎo)體襯底，所述鍺基半導(dǎo)體襯底具有多個(gè)有源區(qū)以及多個(gè)有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)，所述有源區(qū)上具有柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極，所述有源區(qū)包括源漏擴(kuò)展區(qū)和深源漏區(qū)；對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第一離子注入工藝，所述第一離子注入工藝中的注入離子包括硅或碳；對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第二離子注入工藝；對(duì)所述深源漏區(qū)進(jìn)行第三離子注入工藝；對(duì)經(jīng)過第三離子注入工藝之后的鍺基半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝。所述鍺基半導(dǎo)體襯底為P型，所述第二離子注入工藝和/或第三離子注入工藝中注入N型雜質(zhì)。所述鍺基半導(dǎo)體襯底包括體鍺襯底、鍺覆絕緣襯底或硅基外延鍺襯底。所述N型雜質(zhì)包括P、As和Sb中的一種或多種。所述退火工藝為快速熱處理退火。所述第一離子注入工藝的摻雜劑量為lXel3至1 X el6at0m/cm2。所述第三離子注入工藝的摻雜劑量為5Xel4至lXel6at0m/cm2。源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行硅或碳注入后在鍺溝道中引入平行于溝道方向的單軸張應(yīng)力和垂直于溝道平面壓應(yīng)力。對(duì)經(jīng)過第三離子注入工藝之后的鍺基半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝的步驟前還包括 在所述柵極兩側(cè)形成側(cè)墻。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括鍺基半導(dǎo)體襯底，所述鍺基半導(dǎo)體襯底中的多個(gè)有源區(qū)以及多個(gè)有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)，所述有源區(qū)上的柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極，所述有源區(qū)包括源漏擴(kuò)展區(qū)和深源漏區(qū)；其特征在于，所述源漏擴(kuò)展區(qū)內(nèi)具有硅或碳雜質(zhì)；所述硅或碳雜質(zhì)通過對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第一離子注入工藝而摻雜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，以鍺基NMOS晶體管為例，通過適當(dāng)?shù)母淖冩N基NMOS晶體管工藝過程，在鍺基NMOS晶體管的溝道中有效引入單軸拉應(yīng)力，同時(shí)在垂直于溝道平面的方向引入壓應(yīng)力。具體的，在形成傳統(tǒng)擴(kuò)展源漏結(jié)構(gòu)之前，在源漏擴(kuò)展區(qū)的注入(即第二離子注入工藝)之前增加了雜質(zhì)硅或碳的注入(即第一離子注入工藝)， 并與隨后的深源漏區(qū)注入(即第三離子注入工藝)雜質(zhì)一起退火激活。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件及其制備方法有五點(diǎn)優(yōu)勢(shì)第一，對(duì)于鍺基NMOS晶體管來說，采用的硅或碳雜質(zhì)的原子半徑比鍺的原子半徑小，通過注入引入器件的源漏擴(kuò)展區(qū)，使得晶格不匹配，并在鍺溝道中引入平行于溝道方向的單軸張應(yīng)力和垂直于溝道平面壓應(yīng)力，上述兩種應(yīng)力會(huì)提高電子的遷移率。第二，由于硅或碳直接注入在源漏擴(kuò)展區(qū)，相對(duì)于在有源區(qū)之上沉積薄膜的方法而言，更加直接對(duì)鍺溝道施加應(yīng)力，使得引入應(yīng)力更加有效。應(yīng)力的引入，可以在不改變器件其他條件的情況下，提高器件的電流驅(qū)動(dòng)能力，顯著地增強(qiáng)NMOS晶體管的性能。第三，硅或碳雜質(zhì)注入會(huì)阻礙特定雜質(zhì)(例如P、As或Sb)在鍺中的擴(kuò)散，尤其是替位擴(kuò)散為主導(dǎo)機(jī)制的雜質(zhì)。這樣，在退火激活后，硅或碳雜質(zhì)注入將抑制這些雜質(zhì)在鍺襯底中的擴(kuò)散，容易形成淺結(jié)。第四，由于N型雜質(zhì)在硅中的固溶度要遠(yuǎn)大于在鍺中的固溶度，雜質(zhì)硅的注入會(huì)在一定程度上改善擴(kuò)展源漏結(jié)構(gòu)中N型雜質(zhì)的固溶度，同樣有利于淺結(jié)的形成。第五，本發(fā)明通過優(yōu)化工藝方法引入應(yīng)力，幾乎沒有增加工藝復(fù)雜性，能有效引入較大的應(yīng)力并得到較好的器件性能，是經(jīng)濟(jì)且高效的提升鍺基NMOS器件性能的方法。因此，上述半導(dǎo)體器件及其制造方法，可以提高溝道中載流子的遷移率。使得半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能明顯改善。


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通過附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1 (a) ⑴為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例鍺基NMOS晶體管的制造方法的示意圖；圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例鍺基NMOS晶體管的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如本發(fā)明背景技術(shù)的介紹，發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，若將應(yīng)變技術(shù)合適地運(yùn)用在鍺基器件，可以結(jié)合新溝道材料和應(yīng)變技術(shù)兩種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，解決器件遷移率退化的問題， 并能進(jìn)一步提高器件的電流驅(qū)動(dòng)能力，提升器件性能。如果能通過工藝優(yōu)化，在不增加工藝復(fù)雜性的前提下，在器件制備過程中引入合適的應(yīng)力，將極大地改善鍺基晶體管的性能。基于此，本發(fā)明提出一種新的半導(dǎo)體器件及其制造方法，可以運(yùn)用工藝誘生應(yīng)力方法在平行鍺溝道方向引入單軸拉應(yīng)力，同時(shí)在垂直于溝道平面的方向引入壓應(yīng)力，可增加載流子在鍺溝道中的遷移率。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件，包括鍺基半導(dǎo)體襯底，所述鍺基半導(dǎo)體襯底中的多個(gè)有源區(qū)以及多個(gè)有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)，所述有源區(qū)上的柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極，所述柵極兩側(cè)優(yōu)選的還具有側(cè)墻。所述有源區(qū)包括源漏擴(kuò)展區(qū)和深源漏區(qū)。該源漏擴(kuò)展區(qū)通過第一和第二離子注入工藝形成；該深源漏區(qū)通過第三離子注入工藝形成。其中，所述源漏擴(kuò)展區(qū)內(nèi)具有硅或碳雜質(zhì)；所述硅或碳雜質(zhì)通過對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第一離子注入工藝而摻雜。所述鍺基半導(dǎo)體襯底為P型，則所述第二和第三離子注入工藝中注入N型雜質(zhì)。所述鍺基半導(dǎo)體襯底為N型，則所述第二和第三離子注入工藝中注入P型雜質(zhì)。摻雜后的多個(gè)有源區(qū)用于形成溝道、源區(qū)和漏區(qū)。所述鍺基半導(dǎo)體襯底包括體鍺襯底、鍺覆絕緣襯底或硅基外延鍺襯底。該半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)可以是傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)、凹陷源漏結(jié)構(gòu)或者提升源漏結(jié)構(gòu)，其中也可應(yīng)用Ge:C、Ge:Si:C 或者Si :C源漏。上述半導(dǎo)體器件的制造方法，包括提供鍺基半導(dǎo)體襯底，所述鍺基半導(dǎo)體襯底具有多個(gè)有源區(qū)以及多個(gè)有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)，所述有源區(qū)上具有柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極，所述有源區(qū)包括源漏擴(kuò)展區(qū)和深源漏區(qū)；
對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第一離子注入工藝，所述第一離子注入工藝中的注入離子包括硅或碳；優(yōu)選的，該第一離子注入工藝采用硅注入，硅的摻雜劑量為lXel3至 lXel6atom/cm2。另外，也可以采用C雜質(zhì)，摻雜劑量也為lXel3至1 Xel6atom/cm2。對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第二離子注入工藝；該第二離子注入工藝可以摻雜P、As 或 Sb，摻雜劑量 lXel3 至 5Xel4atom/cm2。對(duì)所述深源漏區(qū)進(jìn)行第三離子注入工藝；所述第三離子注入工藝可以摻雜P、As 或 Sb，摻雜劑量 5el4 至 lel6atom/cm2。對(duì)經(jīng)過第三離子注入工藝之后的鍺基半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝。該退火工藝?yán)鐬榭焖贌崽幚硗嘶?，?yōu)選的，熱處理退火溫度為300°C至800°C。所述退火工藝并不限于快速熱處理退火，也可以為現(xiàn)有以及未來開發(fā)的新型退火技術(shù)，例如激光退火或閃光退火等。下面以鍺基NMOS晶體管為例結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件及其制造方法的優(yōu)選實(shí)施例。圖1(a) ⑴為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例鍺基NMOS晶體管的制造方法的示意圖，圖2 為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例鍺基NMOS晶體管的制造方法的流程圖。如圖2所示，所述鍺基NMOS晶體管的制造方法包括如下步驟步驟Sl 提供鍺基半導(dǎo)體襯底。如圖1(a)所示，一半導(dǎo)體鍺襯底1，P型襯底摻雜， 其中半導(dǎo)體鍺襯底1可以是體鍺襯底、鍺覆絕緣(GOI)襯底或Si上外延Ge襯底等。步驟S2 在所述鍺基半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成淺溝槽隔離區(qū)。如圖1(b)中淺溝槽隔離區(qū)2。在所述鍺基半導(dǎo)體襯底1上淀積氧化硅和氮化硅層(圖中未示出)，通過光刻定義出淺溝槽的位置，之后利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)刻蝕氮化硅和氧化硅層，進(jìn)而刻蝕鍺基半導(dǎo)體襯底，形成淺溝槽，并利用CVD方法在鍺基襯底上淀積多晶硅或氧化硅回填隔離槽，最后利用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP)將表面磨平，從而形成多個(gè)淺溝槽隔離區(qū)2，各個(gè)多個(gè)淺溝槽隔離區(qū)2之間為形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)。器件隔離不局限于淺槽隔離(STI)，也可以采用場氧隔離等技術(shù)。步驟S3:在所述有源區(qū)上形成柵極介質(zhì)層。如圖1(c)中柵極介質(zhì)層3，該柵極介質(zhì)層3可以采用二氧化硅、高k柵介質(zhì)層、氮氧化鍺、或者二氧化鍺，本實(shí)施例采LPCVD方法制作二氧化硅柵極介質(zhì)層。步驟S4 在所述柵極介質(zhì)層上形成柵極。柵極的制備可以采用多晶硅柵或者金屬柵或者FUSI柵等，本實(shí)施例中采用淀積多晶硅柵層(圖中未示出)，并對(duì)所述多晶硅柵層進(jìn)行多晶硅摻雜注入，以摻入雜質(zhì)磷，然后所述光刻并刻蝕多晶硅柵層形成柵極4，參照?qǐng)D 1(d)所示。步驟S5 在所述柵極兩側(cè)的有源區(qū)內(nèi)的源漏擴(kuò)展區(qū)域進(jìn)行第一離子注入工藝。如圖1(e)所示，通過離子注入方法可以在鍺基半導(dǎo)體襯底1中的源漏擴(kuò)展區(qū)5摻入遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過正常固溶度的硅雜質(zhì)，用來在鍺溝道中引入平行溝道的單軸張應(yīng)力和垂直于溝道平面的壓應(yīng)力，同時(shí)阻礙源漏雜質(zhì)的擴(kuò)散并提升N型雜質(zhì)固溶度。注入硅雜質(zhì)的劑量為lXel3至 1 X el6atom/cm20步驟S6 在所述柵極兩側(cè)的有源區(qū)內(nèi)的源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第二離子注入工藝。本實(shí)施例選用雜質(zhì)磷。如圖1(f)所示，通過離子注入雜質(zhì)磷在鍺基半導(dǎo)體襯底1的有源區(qū)表面形成較輕摻雜的N型注入?yún)^(qū)域6，作為源漏擴(kuò)展區(qū)，在保證較低電阻的同時(shí)，減小漏端與溝道處電場強(qiáng)度。注入磷雜質(zhì)的劑量為lXel3至5XeHat0m/Cm_2。步驟S7 在柵極兩側(cè)形成側(cè)墻。側(cè)墻可以通過淀積Si02或Si3N4并且刻蝕形成側(cè)墻，也可以采用先Si3N4再Si02的雙側(cè)墻。如圖1 (g)所示，本實(shí)施例采用淀積二氧化硅并且干法刻蝕的方法，在柵極4的側(cè)面形成自對(duì)準(zhǔn)隔離結(jié)構(gòu)7 (即側(cè)墻7)，側(cè)墻7下方的區(qū)域?yàn)閿U(kuò)展源漏區(qū)6，而擴(kuò)展源漏區(qū)6與淺溝槽隔離區(qū)2之間的區(qū)域?yàn)樯钤绰﹨^(qū)8。步驟S8 對(duì)深源漏區(qū)進(jìn)行第三離子注入工藝并對(duì)整個(gè)鍺基襯底快速熱處理退火。 如圖1(h)所示，通過離子注入雜質(zhì)磷形成NMOS源漏N型重?fù)诫s區(qū)域(深源漏區(qū))8。注入磷雜質(zhì)的劑量為5el4至leieatom/cnT2。隨后對(duì)整個(gè)鍺基襯底1進(jìn)行注入雜質(zhì)的激活熱處理，采用尖峰退火，有利于形成淺結(jié)，并使得注入的雜質(zhì)硅，和兩次注入的雜質(zhì)磷激活，退火條件為300°C至800°C。步驟S9 在源漏區(qū)上形成接觸孔和金屬連線。在此工藝步驟中首先可以選擇采用硅化物源漏工藝來降低寄生電阻，然后淀積介質(zhì)層9用于金屬連線層10和器件層之間的隔離并光刻形成接觸孔。再濺射金屬層，比如A1、A1-Ti等，并光刻定義出連線圖形，經(jīng)過刻蝕后，既形成金屬連線圖形，最后通過低溫退火過程合金，形成金屬連線層10。最后形成本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件如圖l(i)所示。利用本實(shí)施例提出的半導(dǎo)體器件的制造方法，可以制造出一種新的性能更好的鍺基應(yīng)變NMOS晶體管。通過雜質(zhì)硅的注入，可以由源漏擴(kuò)展區(qū)晶格失配有效地在鍺溝道中引入合適應(yīng)力，增強(qiáng)溝道中電子的遷移率，提高器件性能。另外，雜質(zhì)硅可以阻礙雜質(zhì)磷在鍺襯底中的擴(kuò)散，還可以一定程度上提高磷在鍺中的固溶度，有利于形成淺結(jié)。同時(shí)，本方法幾乎沒有增加工藝的復(fù)雜性。因此相對(duì)于現(xiàn)有工藝制備方法，所述半導(dǎo)體器件及其制造方法簡單有效地提升了鍺基NMOS晶體管的性能。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。此外，所述半導(dǎo)體器件及其制造方法也可以用于PMOS晶體管，在此不再贅述。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括提供鍺基半導(dǎo)體襯底，所述鍺基半導(dǎo)體襯底具有多個(gè)有源區(qū)以及多個(gè)有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)，所述有源區(qū)上具有柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極，所述有源區(qū)包括源漏擴(kuò)展區(qū)和深源漏區(qū)；對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第一離子注入工藝，所述第一離子注入工藝中的注入離子包括娃或碳；對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第二離子注入工藝；對(duì)所述深源漏區(qū)進(jìn)行第三離子注入工藝；對(duì)經(jīng)過第三離子注入工藝之后的鍺基半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述鍺基半導(dǎo)體襯底為P型，所述第二離子注入工藝和/或第三離子注入工藝中注入N型雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述鍺基半導(dǎo)體襯底包括體鍺襯底、鍺覆絕緣襯底或硅基外延鍺襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述N型雜質(zhì)包括P、 As和Sb中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述退火工藝包括快速熱處理退火、激光退火或閃光退火。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一離子注入工藝的摻雜劑量為lXel3至lXel6atom/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第三離子注入工藝的摻雜劑量為5Xel4至lXel6atom/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行硅或碳注入后在鍺溝道中弓丨入平行于溝道方向的單軸張應(yīng)力和垂直于溝道平面壓應(yīng)力。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，對(duì)經(jīng)過第三離子注入工藝之后的鍺基半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝的步驟前還包括在所述柵極兩側(cè)形成側(cè)墻。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括鍺基半導(dǎo)體襯底，所述鍺基半導(dǎo)體襯底中的多個(gè)有源區(qū)以及多個(gè)有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)，所述有源區(qū)上的柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極，所述有源區(qū)包括源漏擴(kuò)展區(qū)和深源漏區(qū)；其特征在于，所述源漏擴(kuò)展區(qū)內(nèi)具有硅或碳雜質(zhì)；所述硅或碳雜質(zhì)通過對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第一離子注入工藝而摻雜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，其中所述制造方法包括提供鍺基半導(dǎo)體襯底，所述鍺基半導(dǎo)體襯底具有多個(gè)有源區(qū)以及多個(gè)有源區(qū)之間的器件隔離區(qū)，所述有源區(qū)上具有柵極介質(zhì)層和柵極介質(zhì)層之上的柵極，所述有源區(qū)包括源漏擴(kuò)展區(qū)和深源漏區(qū)；對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第一離子注入工藝，所述第一離子注入工藝中的注入離子包括硅或碳；對(duì)所述源漏擴(kuò)展區(qū)進(jìn)行第二離子注入工藝；對(duì)所述深源漏區(qū)進(jìn)行第三離子注入工藝；對(duì)經(jīng)過第三離子注入工藝之后的鍺基半導(dǎo)體襯底進(jìn)行退火工藝。所述半導(dǎo)體器件的制造方法，通過雜質(zhì)硅或碳注入，可以由源漏擴(kuò)展區(qū)晶格失配有效地在鍺溝道中引入合適應(yīng)力，增強(qiáng)溝道中電子的遷移率，提高器件性能。
文檔編號(hào)H01L21/8234GK102194748SQ20101012579
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者云全新, 安霞, 張興, 郭岳, 黃如 申請(qǐng)人:北京大學(xué)