專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體集成電路等半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體制造裝置、使用該半導(dǎo)體 制造裝置的半導(dǎo)體制造方法和利用該半導(dǎo)體制造方法制造的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路(以下簡(jiǎn)稱為IC)的制造中，在晶片上形成CMOS、雙極性晶體管 等有源元件或電阻、電容等無(wú)源元件，進(jìn)而，設(shè)置將它們連接起來(lái)的金屬布線，從而形成各 種各樣的功能，最終完成晶片制造工序。在晶片制造工序結(jié)束之后，在切片(切斷)前的晶 片狀態(tài)下進(jìn)行作為IC產(chǎn)品的質(zhì)量確認(rèn)檢查、即所謂晶片測(cè)試。在該晶片測(cè)試中，選定滿足 預(yù)先設(shè)定的特性規(guī)格值的IC，滿足不了該特性規(guī)格值的IC因被拒絕而廢棄?？紤]到IC的 使用目的等，特性規(guī)格值可以在一定程度的容許范圍之內(nèi)設(shè)定。但是，近年來(lái)，以提高傳感器用IC中的檢測(cè)信號(hào)的靈敏度為目的，或者，以提高電 力變換用IC中的變換效率為目的，盡量減小特性規(guī)格值的容許范圍地來(lái)進(jìn)行晶片測(cè)試，實(shí) 施應(yīng)得到高質(zhì)量的IC的檢查。但是，當(dāng)減小特性規(guī)格值的容許范圍來(lái)進(jìn)行晶片測(cè)試時(shí)，在 利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造方法制造的IC中，會(huì)使被拒絕(拋棄)的不合格品增加，結(jié)果導(dǎo)致 制造成本的上升。因此，在晶片測(cè)試之后，調(diào)整(修整(trimming))未滿足特性規(guī)格值的IC的特性 值從而做成在特性規(guī)格值的容許范圍之內(nèi)的產(chǎn)品，這已成為今后更重要而必需的技術(shù)。因 此，提出了各種“修整技術(shù)”。典型的“修整技術(shù)”有利用激光光線切斷部分布線的“激光修 整”、布線時(shí)強(qiáng)制使齊納二極管雪崩破壞以形成細(xì)絲的“齊納攻擊(ZenerZapping) ”、通過(guò)向 存儲(chǔ)器元件寫入數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)調(diào)節(jié)電路特性的“數(shù)字修整”和重新形成電路布線的“布線形成 修整”等技術(shù)。如上所述，作為晶片測(cè)試后的“修整技術(shù)”，提出了各種技術(shù)，但是，因修整處理需 要昂貴的裝置且必須預(yù)先在晶片上形成有可能是廢品的元件或修整用電路，故存在導(dǎo)致制 造成本增大的問(wèn)題。此外，在“布線形成修整”中，在晶片測(cè)試之后，在薄膜上形成與測(cè)試結(jié)果對(duì)應(yīng)的特 別的描繪圖案，并將該薄膜粘著在與該晶片對(duì)應(yīng)的位置上，形成修整用布線(例如，參照日 本的特開平5-291258號(hào)公報(bào))。但是，在該修整技術(shù)中，進(jìn)行高精度布線很困難，不能以高 的成品率制造出高質(zhì)量的IC。進(jìn)而，作為“布線形成修整”技術(shù)，提出了下述的修整技術(shù)預(yù)先在晶片上形成露出 電極端子群的開口，在修整時(shí)對(duì)對(duì)應(yīng)的開口涂敷金屬膏，使所要的電極端子之間相互連接，并在其上涂敷密封樹脂(例如，參照特開2004-273679號(hào)公報(bào))。但是，在上述現(xiàn)有的“布 線形成修整”中，因是在所要的電極端子群上的相當(dāng)寬的范圍內(nèi)涂敷金屬膏再形成金屬膏 層從而進(jìn)行電連接的結(jié)構(gòu)，故難以進(jìn)行精細(xì)的調(diào)整。此外，為了防止電極端子上涂敷形成的 金屬膏層的剝離等，必須在金屬膏層的上部形成密封樹脂層，不容易制造且制造工序復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠利用印刷處理容易對(duì)半導(dǎo)體裝置形成所要的電 路的半導(dǎo)體制造裝置和半導(dǎo)體制造方法。此外，本發(fā)明的目的在于提供一種修整精度高 且容易修整的半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體制造方法和利用該半導(dǎo)體制造方法得到的半導(dǎo)體裝置。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置具備晶片測(cè)試部，檢測(cè)出檢查對(duì)象 的晶片中的各芯片的特性，根據(jù)該檢測(cè)出的數(shù)據(jù)決定用來(lái)對(duì)各芯片進(jìn)行修整的描繪圖案； 存儲(chǔ)部，存儲(chǔ)與檢查對(duì)象的晶片有關(guān)的信息；以及描繪圖案印刷部，根據(jù)來(lái)自上述晶片測(cè)試 部的描繪圖案的信息和來(lái)自上述存儲(chǔ)部的與該晶片有關(guān)的信息，利用印刷動(dòng)作對(duì)該晶片的 各芯片形成所要的描繪圖案，上述描繪圖案印刷部的結(jié)構(gòu)具有印刷頭，至少分別射出導(dǎo)電 性溶劑、絕緣性溶劑和界面處理液；芯片坐標(biāo)識(shí)別部，通過(guò)對(duì)該晶片的圖像識(shí)別來(lái)取得各芯 片的坐標(biāo)信息；以及控制部，根據(jù)來(lái)自上述晶片測(cè)試部的描繪圖案的信息、來(lái)自上述存儲(chǔ)部 的與該晶片有關(guān)的信息和來(lái)自芯片坐標(biāo)識(shí)別部的坐標(biāo)信息，控制上述印刷頭對(duì)該晶片的描 繪動(dòng)作。這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體制造裝置因在晶片測(cè)試后利用印刷動(dòng)作形成與該檢查結(jié)果對(duì)應(yīng) 的描繪圖案，故能高精度形成描繪圖案，能以高的成品率制造出高質(zhì)量的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法具有下述工序檢測(cè)出檢查對(duì)象的晶片中的各芯片的特 性，根據(jù)該檢測(cè)出的數(shù)據(jù)決定用來(lái)對(duì)各芯片進(jìn)行修整的描繪圖案；根據(jù)已決定的描繪圖案 的信息，向該晶片的芯片面的被描繪圖案形成區(qū)射出界面處理液；以及根據(jù)已決定的描繪 圖案，向已射出上述界面處理液的被描繪圖案形成區(qū)射出導(dǎo)電性溶劑或絕緣性溶劑。具有 這樣的工序的半導(dǎo)體制造方法因能利用印刷動(dòng)作對(duì)晶片的芯片面高精度地形成描繪圖案， 故能以高的成品率制造出高質(zhì)量的半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的另一方面的半導(dǎo)體制造方法具有下述工序在晶片的被描繪圖案 形成區(qū)形成具有規(guī)定深度的槽部；對(duì)晶片進(jìn)行要不要修整的檢查；向上述晶片中的需要修 整的晶片的上述槽部射出導(dǎo)電性溶劑并描繪出描繪圖案；在描繪了描繪圖案之后進(jìn)行除氣 和低溫退火；在除氣和低溫退火的成膜后，使該成膜表面平坦化；以及平坦化之后進(jìn)行高 溫退火。具有這樣的工序的半導(dǎo)體制造方法可以利用印刷動(dòng)作對(duì)在晶片的被描繪圖案形成 區(qū)形成的槽部高精度地形成描繪圖案而不會(huì)發(fā)生裂縫。利用上述本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置和半導(dǎo)體制造方法制造的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝 置對(duì)晶片中的各芯片在修整用的被描繪圖案形成區(qū)形成具有規(guī)定深度的槽部，上述槽部的 側(cè)壁以5°以上的傾斜角傾斜來(lái)展寬開口側(cè)，在上述槽部的內(nèi)部形成導(dǎo)電性布線。這樣構(gòu)成 的半導(dǎo)體裝置在晶片測(cè)試后利用印刷動(dòng)作容易與該測(cè)試結(jié)果對(duì)應(yīng)形成描繪圖案，所以，是 容易進(jìn)行修整處理的半導(dǎo)體裝置，可以成為高質(zhì)量的半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的另一方面的半導(dǎo)體裝置在晶片狀態(tài)下，在各芯片面上形成從鈍化 膜露出的至少2個(gè)修整用焊盤電極，根據(jù)要不要修整的檢查結(jié)果，利用印刷處理對(duì)上述修整用焊盤電極形成描繪圖案。這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置在晶片測(cè)試后利用印刷 動(dòng)作與該測(cè)試 結(jié)果對(duì)應(yīng)形成描繪圖案，所以，是容易進(jìn)行修整處理的半導(dǎo)體裝置，可以成為高質(zhì)量的半導(dǎo) 體裝置。此外，本發(fā)明的另一方面的半導(dǎo)體裝置是具有多個(gè)單元并設(shè)置了在與各單元對(duì)應(yīng) 的位置上形成走線用焊盤電極的走線布線的I GBT芯片，各單元具有連接于第1電極上的 第1焊盤電極和連接于第2電極上的第2焊盤電極，根據(jù)各單元的檢查結(jié)果，利用印刷處理 在上述第1電極和上述走線用焊盤電極或上述第2電極之間形成描繪圖案。這樣構(gòu)成的半 導(dǎo)體裝置可以根據(jù)測(cè)試結(jié)果利用印刷動(dòng)作進(jìn)行修整，所以，是容易進(jìn)行修整處理的IGBT，可 以成為高質(zhì)量的半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的另一方面的半導(dǎo)體裝置是非易失性存儲(chǔ)器，利用印刷處理形成接 地的靜電屏蔽膜體使其將存儲(chǔ)器區(qū)覆蓋，并進(jìn)行模塑加工，將上述靜電屏蔽膜體覆蓋。這樣 構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置即使和耐高壓元件在同一芯片上形成也可以防止因模型極化而發(fā)生的故障。進(jìn)而，本發(fā)明的另一方面的半導(dǎo)體裝置是將功率用半導(dǎo)體裝置和邏輯電路集成在 一塊芯片上的功率用集成電路裝置，其特征在于，利用描繪圖案的印刷處理在鈍化膜上形 成導(dǎo)電性布線，該導(dǎo)電性布線是對(duì)在高電位島分離區(qū)內(nèi)部形成的邏輯電路和耐高壓開關(guān)元 件進(jìn)行電連接的電平移動(dòng)布線。這樣構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置因利用描繪圖案的印刷動(dòng)作形成電 平移動(dòng)布線，故容易制造。若按照本發(fā)明，可以提供一種容易對(duì)晶片測(cè)試后的半導(dǎo)體裝置形成所要的電路的 半導(dǎo)體制造裝置及半導(dǎo)體制造方法。此外，可以提供一種容易在晶片測(cè)試后進(jìn)行“修整技 術(shù)”的半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體制造方法和半導(dǎo)體裝置。進(jìn)而，若按照本發(fā)明，可以以低成本 提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置。此外，若按照本發(fā)明，可以在形成導(dǎo)電性布線和絕緣膜時(shí)使導(dǎo)電性能和絕緣性能 穩(wěn)定，并且可以提高溶劑和晶片的密接性從而消除剝離等故障，在提高了布線形狀或成膜 形狀控制性的基礎(chǔ)上，可以提高附近的元件或電路布線的絕緣性而不會(huì)增大芯片面積。進(jìn)而，若按照本發(fā)明，由于能夠不受IC芯片結(jié)構(gòu)制約地以通用性高的技術(shù)在晶片 測(cè)試后在IC芯片上形成所要的布線，所以能夠獲得參差不齊少的高質(zhì)量的IC芯片。此外， 若按照本發(fā)明，因可以挽救不合格的芯片，故大大提高了成品率，可以大幅度降低制造成 本。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中電路描繪系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的框圖。圖2是表示實(shí)施方式1中電路描繪系統(tǒng)的印刷頭的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。圖3是表示實(shí)施方式1中電路描繪系統(tǒng)的印刷頭的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。圖4是在本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置中表示基底晶片1為凸形時(shí)電路描 繪系統(tǒng)的印刷頭的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。圖5是在本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置中表示基底晶片1為凹形時(shí)電路描 繪系統(tǒng)的印刷頭的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。圖6是在本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置中表示基底晶片1為凸形時(shí)電路描繪系統(tǒng)的印刷頭的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。圖7是在本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置中表示基底晶片1為凹形時(shí)電路描 繪系統(tǒng)的印刷頭的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。圖8是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置使用的導(dǎo)電性溶劑114的導(dǎo) 電粘性清漆的組成例的分子結(jié)構(gòu)圖。圖9是表示實(shí)施方式4的電路描繪系統(tǒng)的布線描繪動(dòng)作的流程圖。圖10是在實(shí)施方式4的電路描繪系統(tǒng)中表示基底晶片1上形成的槽部8的剖面 圖。圖11是在實(shí)施方式4的電路描繪系統(tǒng)中表示基底晶片1上形成的凸形部1A的剖 面圖。圖12是在本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體制造裝置中表示具有梯形電阻網(wǎng)絡(luò)的R-2R 電路方式的電阻值修整的原理的電路圖。圖13是在實(shí)施方式5的電路描繪系統(tǒng)中表示進(jìn)行用來(lái)對(duì)晶片測(cè)試后的晶片狀I(lǐng)C 芯片進(jìn)行修整的布線描繪的情況的圖。圖14是表示圖13中A-A’線剖面中的印刷頭111的射出狀態(tài)的剖面圖。圖15是在實(shí)施方式5的電路描繪系統(tǒng)中表示在修整用焊盤電極9A和9B之間形 成導(dǎo)電性布線3的狀態(tài)的剖面圖。圖16是在本發(fā)明的實(shí)施方式6的半導(dǎo)體制造裝置中表示成為半導(dǎo)體裝置的修整 處理對(duì)象的1組焊盤電極9、9的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖17的(a)是圖16的B-B，線的剖面圖，(b)是圖16的C-C’線的剖面圖。圖18的(a)是圖16所示的在半導(dǎo)體裝置的修整處理后的狀態(tài)下的B-B’線的剖 面圖，(b)是C-C’線的剖面圖。圖19是表示實(shí)施方式6的半導(dǎo)體制造裝置制造的另一例半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖20的(a)是圖19的半導(dǎo)體裝置的B_B’線的剖面圖，(b)是圖19的半導(dǎo)體裝 置的修整處理后的狀態(tài)下的B-B’線的剖面圖。圖21是本發(fā)明實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖22的(a)是圖21的E_E’線的剖面圖，(b)是表示對(duì)圖21的半導(dǎo)體裝置的變 成所要的描繪圖案的焊盤電極9、9涂敷了溶劑的狀態(tài)的剖面圖。圖23是本發(fā)明實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖24是圖23的F_F’線的剖面圖，(a)示出對(duì)圖23的半導(dǎo)體裝置涂敷溶劑之前 的狀態(tài)，(b)示出對(duì)圖23的半導(dǎo)體裝置涂敷溶劑之后的狀態(tài)。圖25是本發(fā)明實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖26表示對(duì)實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置的描繪圖案進(jìn)行修整處理之前的狀態(tài)，(a) 是圖25的G-G’線的剖面圖，(b)是H-H’線的剖面圖。圖27表示實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置的修整處理后的狀態(tài)，(a)是圖25的G_G’線 的剖面圖，(b)是圖25的半導(dǎo)體裝置的H-H’線的剖面圖。圖28是作為本發(fā)明的實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的IGBT芯片的平面圖。圖29是圖28所示的IGBT芯片的等效電路。圖30是表示作為實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的IGBT的效果的圖表。
圖31是表示一般的非易失性存儲(chǔ)器的EPR0M(可擦寫可編程的只讀存儲(chǔ)器)的剖 面圖。圖32是表示EPR0M和耐高壓元件在同一芯片上形成并利用模塑樹脂封裝后的狀 態(tài)的剖面圖。圖33是表示本發(fā)明實(shí)施方式11的EPR0M的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖34是表示現(xiàn)有的功率用集成電路裝置的平面圖。圖35是圖34的A-A，線的剖面圖。圖36是圖34的B-B，線的剖面圖。圖37是圖34的C-C，線的剖面圖。圖38是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式12的半導(dǎo)體裝置的HV I C的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖39是表示在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中形成多個(gè)修整用的焊盤電極的例子的平面 圖。圖40是表示在圖39所示的半導(dǎo)體裝置中在2個(gè)焊盤電極9A和9B之間射出絕緣 性溶劑并形成絕緣膜體4的狀態(tài)的平面圖。圖41是表示對(duì)圖40所示的成為半導(dǎo)體裝置的被描繪圖案形成區(qū)的整個(gè)面涂敷導(dǎo) 電性溶劑再形成導(dǎo)電性膜體3的狀態(tài)的平面圖。圖42的(a)是圖40的A_A’線的剖面圖，(b)是圖40的B_B’線的剖面圖，(c)是 圖41的C-C’線的剖面圖，(d)是圖41的D-D’線的剖面圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖的同時(shí)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置、半導(dǎo)體制造方法及半導(dǎo)體 裝置的優(yōu)選實(shí)施方式。實(shí)施方式1.圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中電路描繪系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的框圖。 圖1所示的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)是用來(lái)在晶片測(cè)試后在晶片上印刷用于形 成所要的電路的描繪圖案的裝置。利用實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置制造的半導(dǎo)體裝置是 半導(dǎo)體集成電路(以下簡(jiǎn)稱為IC)。實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)包括晶片測(cè)試部100，主 要測(cè)定晶片狀態(tài)下各IC芯片的特性值，決定應(yīng)修整的IC芯片的位置數(shù)據(jù)或相應(yīng)IC芯片中 的修整量(描繪圖案)等的修整數(shù)據(jù)；描繪圖案印刷部110，根據(jù)由晶片測(cè)試部100決定的 修整數(shù)據(jù)在該晶片1上印刷所要的電路；以及數(shù)據(jù)庫(kù)部120，作為保持該晶片1中的IC芯 片的基本信息等的存儲(chǔ)部。在晶片測(cè)試部100中，進(jìn)行通常的晶片測(cè)試，檢測(cè)出與晶片中的各IC芯片有關(guān)的 數(shù)據(jù)。作為與IC芯片有關(guān)的數(shù)據(jù)，例如，是表示各IC芯片的位置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)和從各IC芯 片得到的初始特性值數(shù)據(jù)等，這些檢測(cè)的數(shù)據(jù)彼此關(guān)聯(lián)地記錄在晶片測(cè)試部100中。此外， 在晶片測(cè)試部100中，讀入數(shù)據(jù)庫(kù)部120存儲(chǔ)的IC芯片的基本信息，將檢測(cè)出的與各IC芯 片有關(guān)的初始特性值數(shù)據(jù)等和該基本信息比較。使該比較結(jié)果與各IC芯片的坐標(biāo)數(shù)據(jù)關(guān) 聯(lián)起來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)。這時(shí)，決定要不要進(jìn)行各IC芯片的修整和對(duì)需要修整的IC芯片的描繪 圖案。再有，在各IC芯片的檢測(cè)出的初始特性值數(shù)據(jù)中，對(duì)于與規(guī)格相差很大不能進(jìn)行修整處理的IC芯片，在后面的制造工序中，在該IC芯片的表面刻上NG標(biāo)志，以便將其識(shí)別為不合格品。數(shù)據(jù)庫(kù)部120預(yù)先存儲(chǔ)對(duì)象晶片中各IC芯片的基本信息等，作為基本信息等，有 用來(lái)進(jìn)行與檢測(cè)出的初始特性值對(duì)應(yīng)的修整的各種描繪圖案、用來(lái)識(shí)別晶片中I C芯片圖 案的基準(zhǔn)圖像信息和與各描繪圖案對(duì)應(yīng)的IC芯片中的印刷位置信息，這些信息可以事先 輸入并存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)部120中。在描繪圖案印刷部110中，根據(jù)從晶片測(cè)試部100發(fā)送來(lái)的修整數(shù)據(jù)對(duì)必需進(jìn)行 修整的IC芯片進(jìn)行描繪圖案的印刷處理。作為從晶片測(cè)試部100向描繪圖案印刷部110 發(fā)送的修整數(shù)據(jù)，是必需修整的IC芯片的坐標(biāo)數(shù)據(jù)和表示對(duì)該IC芯片的必要的修整量的 描繪圖案數(shù)據(jù)。描繪圖案印刷部110的結(jié)構(gòu)包括印刷頭111，在晶片上的IC芯片上印刷用來(lái)修 整的描繪圖案；芯片坐標(biāo)識(shí)別部112，取入晶片上的IC芯片表面的圖像；以及控制部113， 根據(jù)各種信息，對(duì)于印刷頭111來(lái)說(shuō)，在相應(yīng)晶片的IC芯片表面印刷描繪圖案。芯片坐標(biāo)識(shí)別部112通過(guò)取入晶片上的IC芯片表面的圖像去確定各IC芯片的位 置。芯片坐標(biāo)識(shí)別部112中使用的圖像識(shí)別處理利用使用了 CXD的圖像處理對(duì)晶片進(jìn)行攝 像，通過(guò)分析該攝像圖案來(lái)識(shí)別各IC芯片的位置?？刂撇?13取得從晶片測(cè)試部100發(fā)送來(lái)的每一個(gè)IC芯片的修整數(shù)據(jù)、從芯片坐 標(biāo)識(shí)別部112發(fā)送來(lái)的與該晶片有關(guān)的圖像數(shù)據(jù)和從數(shù)據(jù)庫(kù)部120發(fā)送來(lái)的與該晶片有關(guān) 的IC芯片圖案數(shù)據(jù)或布線數(shù)據(jù)等?？刂撇?13向印刷頭111送出用來(lái)對(duì)該晶片中的相應(yīng) 各IC芯片進(jìn)行修整所要的描繪圖案數(shù)據(jù)，對(duì)印刷頭111進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。即，控制部113根 據(jù)攝像圖案的圖像數(shù)據(jù)指定該晶片中的印刷處，向印刷頭111提供印刷數(shù)據(jù)。印刷頭111 采用能利用電子印刷非接觸地形成指定的描繪圖案的噴射方式。下面，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置和半導(dǎo)體制造方法使用的描繪圖案印刷 部 110。圖2是表示使用實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中的描繪圖案印刷部110的印刷頭 111在晶片1上形成描繪圖案的狀態(tài)的圖。在圖2中，為了容易說(shuō)明，將各部分的形狀放大 后示出，與實(shí)際物體的形狀不同。在下面的說(shuō)明中，將具有晶片測(cè)試結(jié)果是需要進(jìn)行修整的 IC芯片的晶片部分設(shè)為基底晶片1。如圖2所示，在印刷頭111上配設(shè)3個(gè)實(shí)質(zhì)上是向著同一方向的噴嘴111A、111B、 Ilico即，配設(shè)成使實(shí)施方式1中的3個(gè)噴嘴111A、111B、111C的射出方向大致平行，各噴 嘴111A、111B、111C 一體形成。因此，配設(shè)成當(dāng)印刷頭111在晶片測(cè)試結(jié)果是應(yīng)該進(jìn)行修 整的基底晶片1上掃描動(dòng)作時(shí)，首先第3個(gè)噴嘴IllC進(jìn)行掃描，接著第2個(gè)噴嘴IllB沿著 該軌跡掃描，最后第1個(gè)噴嘴IllA循著同一軌跡進(jìn)行掃描。當(dāng)印刷頭111進(jìn)行上述掃描動(dòng) 作時(shí)，從第1噴嘴IllA射出導(dǎo)電性溶劑114，從第2噴嘴IllB射出絕緣性溶劑115，接著， 從第3噴嘴IllC射出作為界面處理液的前處理液116。如圖2所示，在基底晶片1上配置像上述那樣構(gòu)成印刷頭111，印刷頭111根據(jù)從 控制部113來(lái)的控制指令在基底晶片1上進(jìn)行掃描，在基底晶片1上描繪出作為所要的描 繪圖案的布線圖形。在該描繪動(dòng)作中，首先，從第3噴嘴IllC在規(guī)定的基底晶片1上射出 前處理液116。作為前處理液116，可以使用硅烷偶聯(lián)劑等對(duì)硅的親和力強(qiáng)的界面活性劑，提高了基底晶片1的表面和由從第1噴嘴IllA射出的導(dǎo)電性溶劑114制成的導(dǎo)電性布線的密接性。這樣，在從第3噴嘴IllC射出作為前處理液116的對(duì)硅的親和力強(qiáng)的界面活性 劑之后，緊接著，沿著該軌跡從第1噴嘴IllA射出導(dǎo)電性溶劑114，在基底晶片1的表面可 靠地描繪出所要的布線圖案。進(jìn)而，如圖3所示，在實(shí)施方式1的印刷頭111中，使用從第2噴嘴IllB射出的絕 緣性溶劑115，可以進(jìn)行絕緣膜的描繪。印刷頭111配置在基底晶片1上，印刷頭111根據(jù) 從控制部113來(lái)的控制指令在基底晶片1上進(jìn)行掃描，在基底晶片1上描繪所要的絕緣膜 圖案。在該描繪動(dòng)作中，首先，從第3噴嘴IllC向規(guī)定的基底晶片1射出前處理液116。作 為對(duì)硅的親和力強(qiáng)的界面活性劑的前處理液116，提高了基底晶片1的表面和由從第2噴嘴 IllB射出的絕緣性溶劑115制成的絕緣膜的密接性。這樣，在從第3噴嘴IllC射出作為前 處理液116的對(duì)硅的親和力強(qiáng)的界面活性劑之后，緊接著，沿著該軌跡從第2噴嘴IllB射 出絕緣性溶劑115，在基底晶片1的表面描繪出所要的絕緣圖案。在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中，在吐出前處理液116之后，緊接著在其上面射 出導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑115，所以，能夠抑制因前處理液116的蒸騰作用等引起的 基底晶片1中的成膜間界面性質(zhì)和狀態(tài)的變化，可以描繪出所希望的圖案。再有，實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中的印刷頭111的描繪尺寸大約是600dpi，可 以形成約43 μ m以上的所要的粗線。若使用印刷頭111，還可以在IC芯片上的鈍化膜上可 靠地描繪所要的圖案。因此，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中，可以在相應(yīng)的IC芯片的 表面可靠地形成作為所要的描繪圖案的布線圖案或絕緣圖案，可以進(jìn)行高精度的修整。作為從第1噴嘴IllA射出的導(dǎo)電性溶劑114，可以使用導(dǎo)電性聚合物。這樣，通過(guò) 使用導(dǎo)電性聚合物，可以可靠地形成(印刷)實(shí)施方式1中的精密描繪圖案。在像上述那樣構(gòu)成的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中，可以在實(shí)現(xiàn)大幅度降低半 導(dǎo)體裝置的制造成本的同時(shí)提供通用性強(qiáng)的半導(dǎo)體制造裝置，而不必在晶片的各IC芯片 中形成特殊的修整用的結(jié)構(gòu)。在一般的噴墨方式的印刷技術(shù)中，有時(shí)印刷圖案的膜體和基底的密接性不夠好， 受因基底表面的凹凸形狀或印刷圖案膜厚增加而產(chǎn)生的應(yīng)力的影響，誘發(fā)密接不良或剝離 等。此外，在噴墨方式中，沒(méi)有修正因射出時(shí)的飛散等原因引起的圖案的不匹配的工序，所 以，當(dāng)發(fā)生密接不良或剝離等情況時(shí)，不能進(jìn)行修正。因此，當(dāng)利用噴墨方式形成印刷圖案 時(shí)，基底的凹凸形狀或成膜材料和基底之間的磨合程度的差別直接表現(xiàn)為印刷圖案的不匹 配。進(jìn)而，在一般的噴墨方式的印刷技術(shù)中，目的僅僅是將成膜溶劑排出并涂敷在基底表 面，而不是要控制印刷圖案的成膜形狀。在本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，測(cè)定晶片狀態(tài)下的 各IC芯片的特性值，決定相應(yīng)各IC芯片的修整數(shù)據(jù)，根據(jù)該修整數(shù)據(jù)，在該IC芯片面1上 印刷所要的描繪圖案。為了形成這樣的描繪圖案，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中，利 用具有特殊結(jié)構(gòu)的印刷頭111，沿著指定的描繪圖案以具有所要線寬的方式描繪前處理液 116，緊接著，沿著由前處理液116形成的描繪圖案的軌跡，在前處理液116的線上可靠地射 出導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑115。因此，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，因在利用導(dǎo)電性溶劑 114或絕緣性溶劑115形成描繪圖案之前，在晶片基底1上射出前處理液116，故晶片基底1表面的凹凸形狀被前處理液116覆蓋而變成平坦面。其結(jié)果是，由導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑115形成的描繪圖案的膜體和晶片基底1的密接性始終保持良好狀態(tài)。這樣，因描 繪圖案與晶片基底1的表面密接牢靠，故即使描繪圖案的膜厚增加，也不會(huì)誘發(fā)密接不良 或剝離等，變成一種可靠性高的電路描繪系統(tǒng)。此外，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，3個(gè)噴嘴并行設(shè)置，沿 著同一軌跡，從各噴嘴依次射出成為所要的線條形狀的溶劑等。因此，根據(jù)晶片測(cè)試后的修 整數(shù)據(jù)，可以對(duì)相應(yīng)IC芯片進(jìn)行高精度的修整處理，可以飛躍性地提高晶片的成品率。如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，說(shuō)明了 印刷頭111具有3個(gè)噴嘴111A、111B、11 IC的結(jié)構(gòu)，但也可以是在印刷頭111上至少第1噴 嘴IllA和第3噴嘴IllC 一體形成。在這樣構(gòu)成的電路描繪系統(tǒng)中，印刷頭111在基底晶 片1上掃描，與描繪圖案的信息對(duì)應(yīng)從第3噴嘴IllC射出前處理液116，緊接著，沿著該軌 跡射出導(dǎo)電性溶劑114以形成導(dǎo)電性布線3。這時(shí)，因前處理液116使用硅烷偶聯(lián)劑等對(duì)硅 的親和力強(qiáng)的界面活性劑，故導(dǎo)電性布線3和基底晶片1的密接性得到以提高。此外，因緊 接在前處理液116射出之后射出導(dǎo)電性溶劑114，故可以抑制因前處理液116的蒸騰作用等 引起的基底晶片1和成膜之間的界面性質(zhì)和狀態(tài)的變化。同樣，在實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，在配置于基底晶片1上 的印刷頭111上，至少第2噴嘴IllB和第3噴嘴IllC可以一體形成。在這樣構(gòu)成的電路 描繪系統(tǒng)中，印刷頭111在基底晶片1上掃描，在與描繪圖案信息對(duì)應(yīng)的定時(shí)，從第3噴嘴 IllC射出前處理液116，緊接著，沿著該軌跡射出絕緣性溶劑115以形成絕緣性布線4。這 時(shí)，因前處理液116使用硅烷偶聯(lián)劑等對(duì)硅的親和力強(qiáng)的界面活性劑，故絕緣膜4和基底 晶片1的密接性得到以提高。此外，絕緣性溶劑115因使用例如硅梯形聚合物(silicon ladder polymer)故可以緩和伴隨膜厚增加的應(yīng)力增大，而且，可以防止裂縫等缺陷的發(fā) 生。此外，因緊接在前處理液116射出之后射出絕緣性溶劑115，故可以抑制因前處理液116 的蒸騰作用等引起的基底晶片1和成膜之間的界面性質(zhì)和形態(tài)的變化。實(shí)施方式2.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置。實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置 和前述的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)的描繪圖案印刷部110的結(jié)構(gòu)不 同。特別是描繪圖案印刷部110中的印刷頭111的結(jié)構(gòu)不同。因此，對(duì)實(shí)施方式2的半導(dǎo) 體制造裝置中的印刷頭的符號(hào)附加211來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，在其他的結(jié)構(gòu)中，對(duì)和實(shí)施方式1具有 相同的功能和結(jié)構(gòu)的部分附加同一符號(hào)，其說(shuō)明適用實(shí)施方式1的說(shuō)明。實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)和前述實(shí)施方式1中的電路描繪 系統(tǒng)一樣，包括晶片測(cè)試部100、描繪圖案印刷部110和數(shù)據(jù)庫(kù)部120。只是如圖4所示那 樣描繪圖案印刷部110的印刷頭211的結(jié)構(gòu)不同。圖4是表示使用實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)在基底晶片1上 形成凸形的凸部IP來(lái)作為形成導(dǎo)電性布線3或絕緣膜4的被描繪圖案形成區(qū)時(shí)的描繪動(dòng) 作的說(shuō)明圖。圖5是表示使用實(shí)施方式2中的電路描繪系統(tǒng)在基底晶片1上形成凹形的凹 部IH來(lái)作為形成導(dǎo)電性布線3或絕緣膜4的被描繪圖案形成區(qū)時(shí)的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。如圖4和圖5所示，在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置中的印刷頭211上，除了 3個(gè) 噴嘴211A、211B、211C之外，還設(shè)有檢測(cè)到基底晶片1的表面(印刷面)的距離的第1傳感器212。第1傳感器212是超聲波傳感器，檢測(cè)從印刷頭211的實(shí)質(zhì)噴嘴尖端到晶片基底的印刷面的距離。該第1傳感器212也可以不是超聲波傳感器，而是使用激光的距離檢測(cè)元 件。印刷頭211中的3個(gè)噴嘴211A、211B、211C和實(shí)施方式1 一樣，其射出方向大致平行， 并與第1傳感器212相匹配地一體形成。因此，當(dāng)印刷頭211在晶片測(cè)試結(jié)果是應(yīng)進(jìn)行修 整的基底晶片1上掃描動(dòng)作時(shí)，首先，第1傳感器212檢測(cè)到基底晶片1的印刷面的距離， 然后，第3噴嘴211C進(jìn)行掃描，第2噴嘴211B沿著該軌跡進(jìn)行掃描，最后，第1噴嘴211A 沿著相同的軌跡進(jìn)行掃描。當(dāng)印刷頭211執(zhí)行掃描動(dòng)作時(shí)，從第1噴嘴211A射出導(dǎo)電性溶 劑114，從第2噴嘴211B射出絕緣性溶劑115，而且從第3噴嘴211C射出前處理液116。如圖4和圖5所示，像上述那樣構(gòu)成的印刷頭211配置在指定的基底晶片1上，印 刷頭211根據(jù)來(lái)自控制部(參照?qǐng)D1的控制部113)的控制指令，在基底晶片1上掃描，再 在基底晶片1上描繪所要的描繪圖案。在該描繪動(dòng)作中，首先，第1傳感器212檢測(cè)到基底 晶片1的印刷面的距離并進(jìn)行控制使得該距離變成規(guī)定的距離。接著根據(jù)指定的描繪圖案 的信息，從印刷頭211的第3噴嘴211C向規(guī)定的基底晶片1上的被描繪圖案形成區(qū)射出前 處理液116，提高了基底晶片1表面和由從第1噴嘴211A射出的導(dǎo)電性溶劑114制成的導(dǎo) 電性布線的密接性。這樣，在從第3噴嘴211C射出作為前處理液116的硅親和力強(qiáng)的界面 活性劑之后，緊接著沿著該軌跡從第1噴嘴211A射出導(dǎo)電性溶劑114，在基底晶片1的被描 繪圖案形成區(qū)可靠地描繪出成為導(dǎo)電性布線3的所要的描繪圖案。再有，在圖4和圖5中，說(shuō)明了從第1噴嘴21IA射出導(dǎo)電性溶劑114并在基底晶 片1上形成導(dǎo)電性布線3的描繪圖案的情況，但也可以通過(guò)在射出前處理液116之后射出 絕緣性溶劑115來(lái)形成絕緣膜4。該描繪動(dòng)作同樣是首先由第1傳感器212檢測(cè)到基底晶 片1的印刷面的距離并進(jìn)行控制使得該距離變成規(guī)定的距離，在基底晶片1的被描繪圖案 形成區(qū)可靠地描繪出成為絕緣膜4的所要的描繪圖案。在本發(fā)明的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，說(shuō)明了印刷頭211 是3個(gè)噴嘴211A、211B、211C和第1傳感器212 —體形成的結(jié)構(gòu)，但也可以是在應(yīng)形成描繪 圖案的凸部IP或凹部IH的被描繪圖案形成區(qū)配置的印刷頭211上與第1噴嘴211A及第3 噴嘴211C —起至少還一體構(gòu)成有第1傳感器212。在這樣構(gòu)成的電路描繪系統(tǒng)中，第1傳 感器212具有能夠使用超聲波或激光等測(cè)定印刷頭211和基底晶片1的印刷面的距離的功 能，第1傳感器212測(cè)定的距離信息反饋給控制部(參照?qǐng)D1的控制部113)，使基底晶片1 和印刷面的距離保持一定，進(jìn)行穩(wěn)定的射出控制而與基底晶片1的形狀無(wú)關(guān)。在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，根據(jù)描繪圖案信息從第3噴 嘴211C射出前處理液116，在被描繪圖案形成區(qū)形成前處理液覆蓋膜2，接著，在該前處理 液覆蓋膜2上射出導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑115，形成所要的導(dǎo)電性布線3或絕緣膜 4。這時(shí)，因前處理液116使用硅烷偶聯(lián)劑等對(duì)硅的親和力強(qiáng)的界面活性劑，故導(dǎo)電性布線 3或絕緣膜4與基底晶片1的密接性提高了。此外，在射出前處理液116之后，緊接著射出導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑115，故 可以抑制因前處理液116的蒸騰作用等引起的基底晶片1的印刷面和成膜之間的界面性質(zhì) 和狀態(tài)的變化。在實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，印刷頭211中也可以是與第 2噴嘴211B及第3噴嘴211C —起至少還一體形成有第1傳感器212。在這樣構(gòu)成的情況下，第1傳感器212測(cè)定印刷頭211和基底晶片1的印刷面的距離，并將該距離信息反饋給 控制部(參照?qǐng)D1的控制部113)，使基底晶片1和印刷面的距離保持一定。而且，根據(jù)指定 的描繪圖案信息從第3噴嘴211C射出前處理液116，形成前處理液覆蓋膜，并在該前處理液 覆蓋膜上射出絕緣性溶劑115，形成絕緣性布線4。這樣，實(shí)施方式2的半導(dǎo)體制造裝置中的印刷頭211除了 3個(gè)噴嘴211A、211B、 211C和第1傳感器212—體形成的結(jié)構(gòu)之外，也可以是第1噴嘴211A和第3噴嘴211C及 第1傳感器212的結(jié)構(gòu)、第2噴嘴211B和第3噴嘴211C及第1傳感器212的結(jié)構(gòu)，可以根 據(jù)其使用目的來(lái)選擇合適的結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式3.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置。實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置 和前述的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)的描繪圖案印刷部110的結(jié)構(gòu)不 同。特別是描繪圖案印刷部110中的印刷頭111的結(jié)構(gòu)不同。因此，對(duì)實(shí)施方式3的半導(dǎo) 體制造裝置中的印刷頭的符號(hào)附加311來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，在其他的結(jié)構(gòu)中，對(duì)和實(shí)施方式1具有 相同的功能和結(jié)構(gòu)的部分附加同一符號(hào)，其說(shuō)明適用實(shí)施方式1的說(shuō)明。實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)和前述實(shí)施方式1中的電路描繪 系統(tǒng)一樣，包括晶片測(cè)試部100、描繪圖案印刷部110和數(shù)據(jù)庫(kù)部120。只是如圖6所示那 樣描繪圖案印刷部110的印刷頭311的結(jié)構(gòu)不同。圖6是表示使用實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)在基底晶片1上 形成凸形的凸部IP來(lái)作為印刷導(dǎo)電性布線3或絕緣膜4的被描繪圖案形成區(qū)時(shí)的描繪動(dòng) 作的說(shuō)明圖。圖7是表示使用實(shí)施方式3中的電路描繪系統(tǒng)在基底晶片1上形成凹形的凹 部IH來(lái)作為印刷導(dǎo)電性布線3或絕緣膜4的被描繪圖案形成區(qū)時(shí)的描繪動(dòng)作的說(shuō)明圖。如圖6和圖7所示，在實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置中的印刷頭311上，除了 3個(gè) 噴嘴311A、311B、311C和檢測(cè)到基底晶片1的表面(印刷面)的距離的第1傳感器312之 夕卜，還設(shè)有第2傳感器313。第2傳感器313是超聲波傳感器，檢測(cè)從印刷頭311的實(shí)質(zhì)上 的噴嘴尖端到射出的溶劑表面的距離、即到實(shí)質(zhì)上的導(dǎo)電性布線3或絕緣性布線4的表面 的距離。該第2傳感器313也可以不是超聲波傳感器，而是使用激光的距離檢測(cè)元件。印 刷頭311中的3個(gè)噴嘴311A、311B、311C和實(shí)施方式1 一樣，其射出方向大致平行，并與第1 傳感器312和第2傳感器313相匹配地一體形成。因此，當(dāng)印刷頭311在晶片測(cè)試結(jié)果是 應(yīng)進(jìn)行修整的基底晶片1上掃描動(dòng)作時(shí)，首先，第1傳感器312檢測(cè)到基底晶片1的印刷面 的距離，然后，第3噴嘴311C、第2噴嘴311B和第1噴嘴311A沿著該軌跡依次進(jìn)行掃描， 最后，第2傳感器313檢測(cè)到成膜表面的距離。當(dāng)印刷頭311執(zhí)行掃描動(dòng)作時(shí)，從第1噴嘴 311A射出導(dǎo)電性溶劑114，從第2噴嘴311B射出絕緣性溶劑115，從第3噴嘴311C射出前 處理液116。如圖6和圖7所示，像上述那樣構(gòu)成的印刷頭311配置在指定的基底晶片1上，印刷頭311根據(jù)來(lái)自控制部(參照?qǐng)D1的控制部113)的控制指令，在基底晶片1上掃描，再 在基底晶片1上描繪所要的描繪圖案。在該描繪動(dòng)作中，首先，第1傳感器312檢測(cè)到基底 晶片1的印刷面的距離(A)并對(duì)印刷頭311進(jìn)行控制使得該距離變成規(guī)定的位置。接著， 從第3噴嘴311C向基底晶片1上的被描繪圖案形成區(qū)射出前處理液116，提高了基底晶片 1表面和由從第1噴嘴311A射出的導(dǎo)電性溶劑114制成的導(dǎo)電性布線3的密接性。這樣，在從第3噴嘴311C射出作為前處理液116的硅親和力強(qiáng)的界面活性劑之后，緊接著沿著該軌跡從第1噴嘴311A射出導(dǎo)電性溶劑114，在基底晶片1的被描繪圖案形成區(qū)可靠地描繪 出成為導(dǎo)電性布線3的所要的描繪圖案。進(jìn)而，在實(shí)施方式3的電路描繪系統(tǒng)中，利用第2傳感器313檢測(cè)從印刷頭311的 尖端到導(dǎo)電性布線3的實(shí)質(zhì)上表面的距離(B)，將該檢測(cè)信息傳送給控制部。在控制部中， 根據(jù)檢測(cè)的距離(A)和距離(B)的差檢測(cè)得知導(dǎo)電性布線3的膜厚，進(jìn)行控制使該膜厚變 成所要的膜厚。在該控制中，控制從第1噴嘴311A射出的導(dǎo)電性溶劑114的射出量。再有，在圖6和圖7中，說(shuō)明了從第1噴嘴311A射出導(dǎo)電性溶劑114并在基底晶 片1上形成導(dǎo)電性布線3的描繪圖案的情況，但也可以通過(guò)在射出前處理液116之后射出 絕緣性溶劑115來(lái)形成絕緣膜4。該描繪動(dòng)作同樣是首先由第1傳感器312檢測(cè)到基底晶 片1的印刷面的距離并對(duì)印刷頭311進(jìn)行控制使得該距離變成規(guī)定的距離，并且利用第2 傳感器313檢測(cè)從印刷頭311的尖端到導(dǎo)電性布線的實(shí)質(zhì)表面的距離(B)，在基底晶片1的 被描繪圖案形成區(qū)按所要的描繪圖案可靠地描繪出絕緣覆蓋膜4。如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，在對(duì)作 為基底晶片1上的被描繪圖案形成區(qū)的凸部IP或凹部IH執(zhí)行掃描動(dòng)作的印刷頭311上， 第1傳感器312、第2傳感器313至少和第1噴嘴311A、第2噴嘴311B、第3噴嘴311C — 起一體構(gòu)成。第1傳感器312具有能夠通過(guò)使用超聲波或激光等測(cè)定印刷頭311和基底晶 片1的被描繪圖案形成區(qū)之間的距離的功能。測(cè)定的距離信息㈧反饋給控制部，使印刷 頭311和基底晶片1的距離保持一定，進(jìn)行穩(wěn)定的射出控制而與基底晶片1中的被描繪圖 案形成區(qū)的形狀無(wú)關(guān)。在實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，根據(jù)描繪圖案信息從第3噴 嘴311C向被描繪圖案形成區(qū)射出前處理液116，然后，射出導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑 115，在指定的基底晶片1上形成導(dǎo)電性布線3或絕緣膜4。這時(shí)，因前處理液116使用硅烷 偶聯(lián)劑等對(duì)硅的親和力強(qiáng)的界面活性劑，故導(dǎo)電性布線3或絕緣膜4與基底晶片1的密接 性提高了。此外，在實(shí)施方式3的電路描繪系統(tǒng)中，在射出前處理液116之后，緊接著向其上 射出導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑115，故可以抑制因前處理液116的蒸騰作用等引起的基 底晶片1和成膜之間的界面性質(zhì)和形態(tài)的變化。進(jìn)而，在實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，第2傳感器313利用超 聲波或照射激光等，測(cè)定印刷頭311與導(dǎo)電性布線3的表面或絕緣膜4的表面之間的距離， 所以，通過(guò)和第1傳感器312測(cè)定的信息合在一起再進(jìn)行反饋，可以可靠地監(jiān)視成膜膜厚。實(shí)施方式4.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置。實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置是 前述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中使用的導(dǎo)電性溶劑的具體例子。 在以下的說(shuō)明中，利用前述的圖2所示的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，但 實(shí)施方式4中使用的導(dǎo)電性溶劑可以適用于前述任何一個(gè)實(shí)施方式。下面，說(shuō)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中使用的導(dǎo)電性溶劑。作為實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置中使用的導(dǎo)電性溶劑114，使用導(dǎo)電粘性清漆 (viscous varnish) 0圖8是表示導(dǎo)電粘性清漆的一例組成的分子結(jié)構(gòu)圖。本組成例是將作為導(dǎo)電性原材料的碳納米管7均一分散在作為成膜母材的硅梯形聚合物5中。這樣，通過(guò)使用圖8所示的導(dǎo)電粘性清漆作為導(dǎo)電性溶劑114，可以確保平坦性和低應(yīng)力特性，利用 硅烷偶聯(lián)劑6強(qiáng)化界面耦合以便與厚膜的形成相適應(yīng)。實(shí)施方式4中使用的碳納米管7優(yōu)選預(yù)先高純度精制，即，優(yōu)選加入在利用化學(xué)氣 相淀積法(CVD法)生成之后在大氣中使用500 600°C左右的溫度進(jìn)行退火的工序，并浸 漬在濃硫酸和濃硝酸的混合液中，進(jìn)而，利用離心分離機(jī)除去非晶態(tài)碳等雜質(zhì)。硅梯形聚合物5的一般結(jié)構(gòu)式如圖8所示，具有以Si-O鍵作為主鏈、可以在側(cè)鏈 上設(shè)定各種官能團(tuán)的特征。例如，Rl和R2是芳基、氫原子、脂肪族烷基或具有不飽和鍵的 官能團(tuán)，不管是同種還是異種。R3、R4、R5和R6是芳基、氫原子、脂肪族烷基、三烷基甲硅烷 基或具有不飽和鍵的官能團(tuán)，不管是同種還是異種。此外，重量平均分子量是1000以上。硅烷偶聯(lián)劑6的主鏈6A具有硅氧烷鍵，一個(gè)側(cè)鏈6B具有作為碳納米管親和性基 的氨基，由此，該氨基作為錨部，與碳納米管7結(jié)合，在另一個(gè)側(cè)鏈6C上，構(gòu)成和硅梯形聚合 物5具有親和功能的官能團(tuán)，例如羥基、羧基、羰基、酯基等，或由該官能團(tuán)構(gòu)成的聚合體。通過(guò)將硅烷偶聯(lián)劑6和精制的碳納米管7混合，使兩者相互吸附，可以抑制碳納米 管彼此之間相互凝聚。此外，因硅梯形聚合物5和硅烷偶聯(lián)劑6之間的親和力強(qiáng)，故均一分 散在硅烷偶聯(lián)劑6中的碳納米管7不會(huì)再凝聚，而是在硅梯形聚合物5中擴(kuò)散。進(jìn)而，可以 調(diào)整硅梯形聚合物5的粘度，使其變成由印刷頭111 (參照?qǐng)D2)的各噴嘴111A、111B、11 IC 的內(nèi)徑、射出壓力等組合因素決定的最佳粘度。在實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置中作為導(dǎo) 電性溶劑114使用的導(dǎo)電粘性清漆，通過(guò)基于與有機(jī)溶劑混合的調(diào)整，可以在保持碳納米 管7均一分散的形態(tài)下達(dá)到最佳狀態(tài)。在實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置中，當(dāng)導(dǎo)電性溶劑114使用導(dǎo)電粘性清漆作為粘 性溶劑時(shí)，使用一種成膜材料，該成膜材料是將例如碳黑、碳納米管或者從銀、銅、鎳、鈀等 金屬或它們的金屬氧化物選出的填充物等導(dǎo)電性原材料、和必要時(shí)還將硅烷偶聯(lián)劑作為導(dǎo) 電性原材料的表面處理劑添加并分散到已溶解在有機(jī)溶劑中的硅梯形聚合物溶液中而形 成的。其次，說(shuō)明使用上述導(dǎo)電粘性清漆作為導(dǎo)電性溶劑114并利用實(shí)施方式4的半導(dǎo) 體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)進(jìn)行的布線描繪動(dòng)作。圖9是表示實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)的電路描繪動(dòng)作的流 程圖。表示該電路描繪動(dòng)作的流程圖示出與指定的描繪圖案對(duì)應(yīng)射出導(dǎo)電性溶劑114以形 成導(dǎo)電性布線的工序。圖10和圖11示出在實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置中形成導(dǎo)電性布線的被描繪圖 案形成區(qū)。圖10是表示在基底晶片1的被描繪圖案形成區(qū)上形成的槽部8的剖面圖，圖11 是表示在基底晶片1的被描繪圖案形成區(qū)上形成的凸部IP上形成的槽部8的剖面圖。如 圖10或圖11所示，實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置制造的半導(dǎo)體裝置在其被描繪圖案形成 區(qū)形成具有規(guī)定深度的槽部8。在對(duì)檢查對(duì)象的晶片實(shí)施晶片測(cè)試(工序A)之后，決定應(yīng)修整的IC芯片(工序 B)。其次，將該IC芯片安裝在實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)上，根據(jù)描 繪圖案信息，將把硅梯形聚合物5作為成膜母材的導(dǎo)電粘性清漆作為導(dǎo)電性溶劑114，向?qū)?應(yīng)的槽部8射出(工序C)。在該射出之后，緊接著進(jìn)行除氣，消除射出的溶劑中的在槽部8的側(cè)壁部分等上二次發(fā)生的氣泡等(工序D)。其次，通過(guò)低溫退火，例如在100°C的空氣中暴露15分鐘，使有機(jī)溶劑蒸騰(工序 E)。接著，利用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光法)，使導(dǎo)電性布線3的表面平坦化(工序F)。最后，利用高溫退火，例如在300°C的環(huán)境下放置60分鐘，使其硬化(工序G)。在像上述那樣形成的描繪圖案中，作為成膜母材的硅梯形聚合物5幾乎不發(fā)生收 縮應(yīng)力，所以，即使在槽部8內(nèi)形成厚的填充膜，也不會(huì)發(fā)生裂縫，可以形成可靠性高的導(dǎo) 電性布線3。實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)像上述那樣，即使對(duì)于在描繪圖 案中在槽部8內(nèi)形成了厚膜的導(dǎo)電性布線3，也可以防止發(fā)生裂縫，但考慮到添加在導(dǎo)電性 溶劑114中的導(dǎo)電性原材料的膨脹率，在基底晶片1上形成的槽部8的側(cè)壁向上部?jī)A斜以 擴(kuò)大開口。如圖10所示，槽部8的兩側(cè)的側(cè)壁面8A向上方傾斜，以使開口更大。發(fā)明者已 經(jīng)確認(rèn)，該側(cè)壁面8A的最佳傾斜角度是在5度以上10度以下的范圍內(nèi)。當(dāng)傾斜角度不到 5度時(shí)，因添加在導(dǎo)電性溶劑114中的導(dǎo)電性原材料的膨脹而沒(méi)有足夠的緩和區(qū)域，優(yōu)選在 基底晶片1上形成的槽部8的描繪圖案應(yīng)盡可能細(xì)，因此，要保證有足夠的緩和區(qū)域，傾斜 角度優(yōu)選為10度以下。如圖10所示，通過(guò)對(duì)具有傾斜的側(cè)壁面8A的槽部8實(shí)施射出并充填導(dǎo)電性溶劑 114(工序C)、除氣(工序D)、低溫退火(工序E)、拋光平坦化(工序F)和高溫退火(工序 G)，可以形成所要的描繪圖案。圖10所示的槽部8的側(cè)壁面8A預(yù)先具有5度以上的傾斜 角，所以，描繪圖案不會(huì)發(fā)生裂縫等損傷。在導(dǎo)電性溶劑114中，硅梯形聚合物本身幾乎不會(huì)因高溫退火而產(chǎn)生收縮應(yīng)力， 所以，槽部8內(nèi)產(chǎn)生裂縫的可能性很低，但是，有必要考慮為了使其具有導(dǎo)電性而添加的導(dǎo) 電性原材料的膨脹率。因此，在圖10所示的槽部8中形成傾斜的側(cè)壁面8A，以確保因?qū)щ?性原材料的膨脹而產(chǎn)生的應(yīng)力的緩和空間。再有，在圖10所示的槽部8中，通過(guò)規(guī)定側(cè)壁面8A的傾斜角來(lái)構(gòu)成因?qū)щ娦栽?料的膨脹而產(chǎn)生的應(yīng)力的緩和空間，但若制造工序允許，也可以是只將槽部8的側(cè)壁面8A 的表面附近的區(qū)域作為傾斜面的結(jié)構(gòu)，或者是使側(cè)壁面翹起來(lái)形成弓狀的結(jié)構(gòu)。當(dāng)半導(dǎo)體裝置的規(guī)格允許在描繪圖案的導(dǎo)線性布線3上流過(guò)高壓大電流時(shí)，必須 提高該描繪圖案附近的元件或其他布線部分的絕緣性能，確保絕緣距離。因此，在實(shí)施方式 4的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)中，采用在基底晶片1的表面形成山峰狀的凸部1P、 將該凸部IP的頂部區(qū)域IB作為描繪圖案的結(jié)構(gòu)。圖11是表示在基底晶片1上形成的凸部IP的剖面圖。如圖11所示，在作為凸部 IP的尖端面的頂部區(qū)域IB上形成槽部8。該槽部8的兩側(cè)的側(cè)壁面8A向上方傾斜以擴(kuò)大 開口。該側(cè)壁面8A的傾斜角度和圖10的槽部8 一樣，最好是在5度以上10度以下的范圍 內(nèi)。通過(guò)像上述那樣，在基底晶片1上形成的凸部IP的頂部區(qū)域IB上形成槽部8作為描 繪圖案，可以可靠地確保對(duì)描繪圖案附近的元件或其他布線部分的絕緣距離。此外，通過(guò)像 這樣將凸部IP的頂部區(qū)域IB作為描繪圖案，可以滿足所要的規(guī)格而不用增大IC芯片的面 積。如圖11所示，在形成于基底晶片1上的凸部IP的頂部區(qū)域IB上形成槽部8，具有規(guī)定傾斜角地形成該槽部8的側(cè)壁面8A。在圖11所示的結(jié)構(gòu)中，通過(guò)對(duì)在凸部IP上形成 的槽部8射出并充填導(dǎo)電性溶劑114 (工序C)、除氣(工序D)、低溫退火(工序E)、拋光平 坦化(工序F)和高溫退火(工序G)等工序，可以在凸部IP的頂部區(qū)域IB形成所要的描 繪圖案。因此，如圖11所示，通過(guò)在作為基底晶片1上的被描繪圖案形成區(qū)的凸部IP上形 成描繪圖案，可以確保描繪圖案與附近的元件或其他布線部分的絕緣距離。因此，上述那樣 的結(jié)構(gòu)在要求導(dǎo)電性布線的通電條件是高壓、大電流時(shí)特別有效。再有，在基底晶片1上形成的凸部IP可以和基底晶片1 一體形成，也可以在基底 晶片1上另外形成凸部1P。在實(shí)施方式4的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)中，為了使導(dǎo)電性布線3或絕緣 膜4高精度成膜，最好是，相對(duì)于作為成膜區(qū)的槽部8的寬度或凸部IP中的頂部區(qū)域IB的 寬度，從噴嘴射出的導(dǎo)電性溶劑114和絕緣性溶劑115的射出區(qū)域直徑設(shè)定為30%以下。 這樣通過(guò)設(shè)定粘性溶劑的射出區(qū)域，可以在槽部8或凸部IP的規(guī)定區(qū)域高精度形成導(dǎo)電性 布線3和絕緣膜4。上述數(shù)值是發(fā)明人在粘性溶劑的射出時(shí)根據(jù)對(duì)溶劑的粘度或射出壓力設(shè)定進(jìn)行 各種變更來(lái)實(shí)驗(yàn)并考慮了射出后的溶劑的擴(kuò)展和飛散的結(jié)果而得出的。當(dāng)膜厚在幾Pm 10 μ m左右的范圍內(nèi)且描繪圖案的線條的最小寬度為30 μ m以上時(shí)，必須特別加以考慮。但 是，在導(dǎo)電性布線3或絕緣膜4是很薄的薄膜且線條寬度很細(xì)的條件、例如膜厚約為2μπι 以下且最小寬度為5μπι以下的情況下，通過(guò)將導(dǎo)電性溶劑114或絕緣性溶劑115的射出區(qū) 域的直徑限制在成膜區(qū)的寬度的30% 50%，就可以進(jìn)行應(yīng)對(duì)。實(shí)施方式5.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體制造裝置。實(shí)施方式5的半導(dǎo)體制造裝置 是使用前述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)來(lái)制造半導(dǎo)體裝置的具體例 子。在以下的說(shuō)明中，使用前述的圖2所示的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō) 明，但也可以使用實(shí)施方式2和實(shí)施方式3的半導(dǎo)體制造裝置來(lái)制造。此外，前述實(shí)施方式 4使用的導(dǎo)電性溶劑和絕緣性溶劑可以適用于本發(fā)明的任何一個(gè)實(shí)施方式。實(shí)施方式5的半導(dǎo)體制造裝置使用實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中電路描繪系統(tǒng) 的描繪圖案印刷部110，對(duì)晶片測(cè)試后的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行修整。簡(jiǎn)單說(shuō)明實(shí)施方式5的電路描繪系統(tǒng)中使用的電阻值修整。圖12是表示具有梯 形電阻網(wǎng)絡(luò)的R-2R電路方式的電阻值修整原理的電路圖。在圖12中，在(a)所示的半導(dǎo) 體裝置的D-A轉(zhuǎn)換器中相當(dāng)于開關(guān)的修整區(qū)Sl S5全部是ON狀態(tài)，輸出電壓Vout是參 考電壓Vref的31/32。另一方面，圖12的(b)示出的半導(dǎo)體裝置和(a)相同，是D-A轉(zhuǎn)換 器，相當(dāng)于開關(guān)的修整區(qū)Sl S5中的第2修整布線S2和第4修整布線S4變成OFF狀態(tài)， 其他的修整布線Si、S3、S5變成ON狀態(tài)。其結(jié)果是，輸出電壓Vout變成為參考電壓Vref 的21/32。如圖12所示，為了使輸出電壓Vout變成所要的值，通過(guò)對(duì)相當(dāng)于開關(guān)的修整區(qū) Sl S5中的所要的修整布線進(jìn)行0N/0FF控制(連接/切斷控制)，可以調(diào)整并修整作為 電路常數(shù)的電阻值。圖13到圖15是在實(shí)施方式5的電路描繪系統(tǒng)中表示進(jìn)行用來(lái)對(duì)晶片測(cè)試后的晶 片狀I(lǐng)C芯片進(jìn)行修整的布線描繪的情況的圖，是表示印刷頭111在修整用焊盤電極9的指 定的2個(gè)焊盤電極9A、9B之間射出前處理液116和導(dǎo)電性溶劑114、形成導(dǎo)電性布線3的狀態(tài)的圖。圖14示出圖13中的A-A’線剖面圖，示出印刷頭111的射出狀態(tài)。圖15是表示 在焊盤電極9A和9B之間形成導(dǎo)電性布線3的狀態(tài)的剖面圖。在圖14和圖15中，在基底晶片1的上表面形成修整用的焊盤電極9A和9B，再形 成鈍化膜10，使該焊盤電極9A和9B的上表面露出來(lái)。對(duì)這樣形成的晶片測(cè)試后的基底晶 片1，使用前述實(shí)施方式1的半導(dǎo)體制造裝置中的電路描繪系統(tǒng)的描繪圖案印刷部110進(jìn)行 修整處理。從描繪圖案印刷部110的印刷頭111向基底晶片1的修整用的焊 盤電極9A、9B射 出前處理液116和導(dǎo)電性溶劑114，在焊盤電極9A、9B之間形成成為所要的描繪圖案的導(dǎo)電 性布線3。其結(jié)果是，焊盤電極9A、9B之間實(shí)現(xiàn)電連接(ON狀態(tài))，進(jìn)行指定的修整處理。上述描繪圖案的布線描繪動(dòng)作根據(jù)表示晶片測(cè)試結(jié)果的修整數(shù)據(jù)進(jìn)行上述修整 處理，形成具有所要的范圍內(nèi)的特性值的半導(dǎo)體裝置。在該布線描繪動(dòng)作中，根據(jù)修整數(shù) 據(jù)，在指定的焊盤電極之間射出導(dǎo)電性溶劑114，形成布線，這時(shí)的印刷狀態(tài)是600dpi (每 英寸的點(diǎn)數(shù))，可以得到約43 μ m以上的分辨力。因此，也可以在IC芯片的鈍化膜上描繪布 線。因此，通過(guò)使用實(shí)施方式5的電路描繪系統(tǒng)，對(duì)于晶片狀的IC芯片的結(jié)構(gòu)，即使不 形成特殊的修整用結(jié)構(gòu)，也可以形成成本低且通用性強(qiáng)的描繪圖案。進(jìn)而，通過(guò)使用實(shí)施方 式5的電路描繪系統(tǒng)，可以進(jìn)行可靠性高的修整。實(shí)施方式6.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置是使用前 述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置制造的半導(dǎo)體裝置，是使用電路描繪系統(tǒng)的描繪圖案 印刷部110并根據(jù)晶片測(cè)試后的修整數(shù)據(jù)進(jìn)行修整處理的半導(dǎo)體裝置。圖16是表示成為半導(dǎo)體裝置的修整處理對(duì)象的1組焊盤電極9、9的半導(dǎo)體裝置 的平面圖，示出修整處理前的狀態(tài)。圖17的(a)是圖16的B-B’線的剖面圖，圖17(b)是 圖16的C-C’線的剖面圖。圖18的(a)是圖16所示的對(duì)半導(dǎo)體裝置修整處理后的狀態(tài)下 圖16的B-B’線的剖面圖。圖18(b)是在將圖16所示的半導(dǎo)體裝置修整處理后的狀態(tài)下 的C-C’線的剖面圖。如圖16和圖17所示，實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置在半導(dǎo)體襯底12上形成層間氧化 膜11，并在其上設(shè)置修整用鋁電極(焊盤電極)9。在實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的表面，除 了修整處理時(shí)設(shè)置的1組焊盤電極9、9及其間露出的層間氧化膜11之外，利用鈍化膜10 覆蓋，1組焊盤電極9、9及它們之間變成凹部區(qū)域13。使用前述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置的電路描繪系統(tǒng)，對(duì)像上述那樣構(gòu)成 的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行修整處理。如圖18的(a)、(b)所示，根據(jù)修整數(shù)據(jù)，向1組焊盤電極9、 9及它們之間的凹部區(qū)域13射出導(dǎo)電性溶劑，在1組焊盤電極9、9之間形成導(dǎo)電性布線3， 結(jié)束修整處理。在半導(dǎo)體裝置的制造中，當(dāng)進(jìn)行修整處理時(shí)，從印刷頭向IC芯片的表面上射出前 處理液或?qū)щ娦匀軇┑龋?，在這些溶劑揮發(fā)固化之前的期間內(nèi)溶劑發(fā)生滲出(液體下 垂(drooling))，存在IC芯片的表面上的布線部分發(fā)生斷線的危險(xiǎn)性。為了防止這樣的問(wèn) 題的出現(xiàn)，在實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置中，如圖16所示，留下成為描繪圖案的應(yīng)進(jìn)行修整處 理的區(qū)域，對(duì)鈍化膜10進(jìn)行構(gòu)圖，形成凹部區(qū)域13，由此可以向該凹部區(qū)域13射出需要的溶劑，可靠地進(jìn)行用于修整處理的布線描繪。此外，如圖19所示，也可以將從修整用鋁電極(焊盤電極)9到具有規(guī)定距離的外 側(cè)的區(qū)域作為對(duì)鈍化膜10進(jìn)行構(gòu)圖的凹部區(qū)域。圖20的(a)是圖19所示的半導(dǎo)體裝置中 B-B'線的剖面圖。圖20的(b)是圖19所示的對(duì)半導(dǎo)體裝置修整處理后的狀態(tài)下的B-B’ 線的剖面圖。如圖20的(b)所示，用于修整處理的凹部區(qū)域13將焊盤電極9包圍，所以， 能夠進(jìn)行更可靠的修整處理。實(shí)施方式7.
下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置是利用前 述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置而制造的半導(dǎo)體裝置，是使用電路描繪系統(tǒng)的描繪圖 案印刷部110并根據(jù)晶片測(cè)試后的修整數(shù)據(jù)進(jìn)行修整處理的半導(dǎo)體裝置。為了提高由修整處理引起的各半導(dǎo)體裝置的特性值的調(diào)整精度，可以增加用于修 整處理的描繪圖案的種類。但是，當(dāng)單純地并排形成多個(gè)描繪圖案時(shí)，如前述實(shí)施方式6中 說(shuō)明的那樣，存在溶劑發(fā)生滲出(液體下垂)、流入相鄰的描繪圖案中而引起相互干涉的危 險(xiǎn)。在修整處理時(shí)，再出現(xiàn)次品是應(yīng)該絕對(duì)避免的事情。為了防止出現(xiàn)這樣的次品，有充分 加大用于修整處理的描繪圖案的間隔、考慮到液體下垂而加大余裕量的方法。但是，這樣的 方法會(huì)增加IC芯片上的描繪圖案的配設(shè)面積，從而，因無(wú)效面積的增加而造成IC芯片面積 的損失(增加成本)。為了防止該現(xiàn)象的出現(xiàn)，如圖21所示，在凹部區(qū)域13的外側(cè)進(jìn)而形 成液體下垂防止槽14，將鈍化膜10的凹部區(qū)域(描繪圖案形成區(qū)域)13包圍。圖21是實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖22的(a)是圖21的E_E’線的剖 面圖。圖22的(b)示出對(duì)圖21的半導(dǎo)體裝置的變成所要的描繪圖案的焊盤電極9、9射出 了溶劑的狀態(tài)，是向圖21的半導(dǎo)體裝置射出溶劑時(shí)的E-E’線的剖面圖。如圖22所示，即使射出的溶劑超過(guò)凹部區(qū)域(描繪圖案形成區(qū))13，也可以使其可 靠地止于液體下垂防止槽14內(nèi)，防止其對(duì)相鄰的描繪圖案產(chǎn)生干涉。再有，在圖21所示的半導(dǎo)體裝置中，示出了形成1道液體下垂防止槽14使其將凹 部區(qū)域13包圍的例子，但形成多道這樣的液體下垂防止槽也是有效的。利用這樣形成的液 體下垂防止槽，可以防止溶劑對(duì)不要區(qū)域的滲出(液體下垂)，盡量減小用于修整處理的描 繪圖案的面積。實(shí)施方式8.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置和實(shí)施方 式7的半導(dǎo)體裝置一樣，是使用前述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置制造的半導(dǎo)體裝置， 是使用電路描繪系統(tǒng)的描繪圖案印刷部110并根據(jù)晶片測(cè)試后的修整數(shù)據(jù)進(jìn)行修整處理 的半導(dǎo)體裝置。在實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置中，為了防止液體下垂，與實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置中 的液體下垂防止槽不同，形成液體下垂防止凸起15。圖23是實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖24的(a)是圖23的F_F’線的剖 面圖。圖24的(b)示出在圖23的半導(dǎo)體裝置中對(duì)焊盤電極9、9射出溶劑形成所要的描繪 圖案的狀態(tài)，是對(duì)圖23的半導(dǎo)體裝置射出溶劑時(shí)的F-F’線的剖面圖。如圖23所示，形成液體下垂防止凸起15，將凹部區(qū)域(描繪圖案形成區(qū))13包圍， 配設(shè)鋁線再在其上對(duì)鈍化膜10進(jìn)行構(gòu)圖。因此，在實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置中，在凹部區(qū)域13的周圍形成鈍化膜10，進(jìn)而，在該鈍化膜10中形成將凹部區(qū)域13包圍的成為外環(huán)凸 起的液體下垂防止凸起15。因此，如圖24的(a)和(b)所示那樣，在凹部區(qū)域13的周圍形 成凹凸形狀，可以完全防止來(lái)自作為描繪圖案形成區(qū)的凹部區(qū)域13的液體下垂。實(shí)施方式9.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置和實(shí)施方 式7及8的半導(dǎo)體裝置一樣，是使用前述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置制造的半導(dǎo)體 裝置，公開了和實(shí)施方式7及8的半導(dǎo)體裝置不同的防止布線描繪動(dòng)作中的液體下垂的機(jī) 構(gòu)。圖25是本發(fā)明實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖26是表示對(duì)實(shí)施方式9的 半導(dǎo)體裝置的描繪圖案進(jìn)行修整處理之前的狀態(tài)的剖面圖，圖27是表示修整處理后的狀 態(tài)的剖面圖。圖26的(a)是圖25的G-G’線的剖面圖，圖26的(b)是H-H’線的剖面圖。 圖27的(a)是圖25的半導(dǎo)體裝置修整后的G-G’線的剖面圖，圖27的(b)是圖25的半導(dǎo) 體裝置修整后的H-H’線的剖面圖。如圖25至圖27所示，在位于由鈍化膜10形成的凹部區(qū)域13的內(nèi)側(cè)的層間絕緣 膜11形成凹槽16。該凹槽16穿過(guò)層間絕緣膜11而形成，以便連接在修整處理時(shí)應(yīng)連接的 1組焊盤電極9、9形成的位置。該凹槽16在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，利用接觸腐蝕工序 等，通過(guò)使層間絕緣膜11凹陷來(lái)形成，較大地形成層間絕緣膜11表面的凹凸，在后面工序 的焊盤電極9、9上形成臺(tái)階差。通過(guò)這樣來(lái)形成，在修整處理時(shí)，可以防止射出的導(dǎo)電性溶 劑114的液體下垂，并且在規(guī)定的區(qū)域形成所要的導(dǎo)電性布線3。實(shí)施方式10.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置是使用 前述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置制造的半導(dǎo)體裝置，是使用電路描繪系統(tǒng)的描繪圖 案印刷部110并根據(jù)與晶片測(cè)試后的測(cè)試結(jié)果相對(duì)應(yīng)的修整數(shù)據(jù)進(jìn)行修整處理的半導(dǎo)體 裝置。實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置是IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)。圖28是作為實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的I GBT芯片的平面圖。如圖28所示， IGBT芯片的結(jié)構(gòu)包括柵極焊盤17、發(fā)射極焊盤18和柵極走線用的鋁線19。在該I GBT芯 片中，符號(hào)22是高耐壓分離區(qū)。圖29是圖28所示的I GBT芯片的等效電路。作為實(shí)施 方式10的半導(dǎo)體裝置的IGBT芯片，從微觀看如圖29的等效電路所示那樣，是多個(gè)微小的 IGBT單元的集合體。實(shí)施方式10的I GBT芯片的結(jié)構(gòu)包含6個(gè)IGBT單元20A、20B、20C、 20E、20F。一般，芯片面積大的IGBT因柵極氧化膜的缺陷而使柵極_發(fā)射極間短路，容易發(fā) 生產(chǎn)品不合格的情況。這樣的柵極故障雖然在IGBT芯片中的極少數(shù)IGBT單元中發(fā)生，但 是，即使1處發(fā)生柵極故障，整個(gè)IGBT芯片也都會(huì)因不合格而報(bào)廢。因此，通過(guò)只切斷發(fā)生 柵極故障的IGBT單元的柵極線并使柵極-發(fā)射極間短路，即對(duì)相應(yīng)IGBT單元進(jìn)行修整處 理，可以使該IGBT芯片整體變成合格品。因此，在作為實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的IGBT芯片中，為了能夠在利用晶片測(cè)試 對(duì)各IGBT單元檢查結(jié)束之后進(jìn)行修整處理，對(duì)各IGBT單元20A、20B、20C、20D、20E、20F設(shè) 置修整用焊盤電極21A、21B、21C、21D、21E、21F。在IGBT單元檢查中，使測(cè)定探針與各IGBT 單元的焊盤電極21A、21B、21C、21D、21E、21F接觸，檢查柵極是否良好。
在圖28所示的IGBT芯片中，示出在檢查中檢測(cè)到有1個(gè)IGBT單元20E發(fā)生柵極 故障且已被修整處理后的狀態(tài)。此外，圖29表示圖28所示的IGBT芯片的等效電路，IGBT 單元20E的柵極-發(fā)射極間被短路。在IGBT芯片中，對(duì)合格的IGBT單元，使其焊盤電極 21A、21B、21C、21D、21E、21F經(jīng)柵極走線用的鋁線19和柵極焊盤電極17連接于柵極上。在 該鋁線19的與各焊盤電極21A、21B、21C、21D、21E、21F對(duì)應(yīng)的位置上形成修整用焊盤23A、 23B、23C、23D、23E、23F。因此，在修整處理時(shí)，焊盤電極21A、21B、21C、21D、21F連接在對(duì)應(yīng) 的鋁線19的修整用焊盤23A、23B、23C、23D、23F。另一方面，對(duì)已檢測(cè)出柵極故障的不合格 品IGBT單元20E進(jìn)行使該焊盤電極21E連接于發(fā)射極焊盤18上的修整處理。該發(fā)射極焊 盤18是所有的IGBT單元公用的。利用上述那樣的修整處理，只有不合格的IGBT單元變成不使用的 狀態(tài)，整個(gè)IGBT 芯片變成合格狀態(tài)。圖30是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的IGBT的效果的圖表。在圖 30所示的圖表中，虛線表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中的芯片面積和成品率的關(guān)系，實(shí)線表示作 為實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的IGBT中的芯片面積和成品率的關(guān)系。如前所述，IGBT的成品率隨芯片面積的增加而下降。實(shí)施方式10的IGBT因必須 形成焊盤電極或修整用焊盤，故在芯片面中存在無(wú)效區(qū)域。因此，本質(zhì)上，視在成品率下降。 例如，1個(gè)晶片能夠制造的芯片數(shù)是500個(gè)，但是，如果因無(wú)效區(qū)域的增加而下降到450個(gè)， 則視在成品率變成90%。但是，在本發(fā)明的實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置中，即使是不合格的IGBT芯片，也可 以挽救成合格品，所以，大大改善了成品率對(duì)芯片面積的下降。只是，對(duì)于除了因柵極故障 之外的原因引起的IGBT單元的不合格的情況或在1個(gè)IGBT芯片中存在多個(gè)不合格的IGBT 單元的情況，有時(shí)對(duì)這樣的IGBT不能進(jìn)行挽救。因此，在本發(fā)明的實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝 置中，不是對(duì)所有的不合格IGBT都能挽救，而是如圖30的實(shí)線所示那樣，圖線有點(diǎn)向右下 方傾斜。但是，與虛線表示的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的情況相比，當(dāng)芯片面積增加到某一程度時(shí) 顯示出飛躍性的效果。如圖30所示，當(dāng)芯片面積小時(shí)，現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的成品率高，但如前面所述，這 只是視在成品率，實(shí)際的成品率幾乎一樣。只有當(dāng)芯片面積增加到某一程度時(shí)，本發(fā)明實(shí)施 方式10的半導(dǎo)體裝置的效果才飛躍性地變大。實(shí)施方式11.下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式11的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式11的半導(dǎo)體裝置是使用 前述實(shí)施方式1 3的半導(dǎo)體制造裝置制造的半導(dǎo)體裝置，是使用電路描繪系統(tǒng)的描繪圖 案印刷部110并利用印刷動(dòng)作形成靜電屏蔽的半導(dǎo)體裝置。實(shí)施方式11的半導(dǎo)體裝置是 非易失性存儲(chǔ)器的EPR0M(可擦寫可編程的只讀存儲(chǔ)器)。圖31是表示一般的非易失性存儲(chǔ)器的EPROM的剖面圖。在圖31中，N溝道的EPROM 的結(jié)構(gòu)包括P型半導(dǎo)體襯底24、形成EPROM的源極/漏極的N型擴(kuò)散區(qū)25、柵極氧化膜26、 浮柵極27、控制柵極28、層間氧化膜29、鈍化膜30和場(chǎng)氧化膜31。該EPROM是浮柵極27 和控制柵極28自行匹配的結(jié)構(gòu)。一般的EPROM在晶片測(cè)試中，進(jìn)行用于其動(dòng)作確認(rèn)的寫入/擦除動(dòng)作。在該晶片 測(cè)試中，通過(guò)照射紫外線等光來(lái)擦除數(shù)據(jù)，必須激勵(lì)俘柵極27內(nèi)的電子。但是，在現(xiàn)有的EPROM中，要求層間氧化膜29或鈍化膜30有很高的透光性。作為層間氧化膜29使用的氧 化硅膜(SiO2)因本質(zhì)上具有很高的透光性故沒(méi)有問(wèn)題。此外，作為保護(hù)膜的鈍化膜30使 用的氮化硅膜(SiN)通過(guò)在特殊條件下成膜，形成了具有透光性的膜體。這時(shí)的氮化硅膜 的物理性質(zhì)包含很多N-H鍵，折射率必須是1. 95之下。在像上述那樣構(gòu)成的現(xiàn)有的EPROM中，當(dāng)和高耐壓元件在同一芯片上形成時(shí)，會(huì) 發(fā)生如下問(wèn)題。圖32是表示現(xiàn)有的EPROM和耐高壓元件在同一芯片上形成并利用模塑樹 脂32封裝后的狀態(tài)的剖面圖。當(dāng)像圖32那樣構(gòu)成的現(xiàn)有的EPROM和耐高壓元件在同一芯片上形成時(shí)，因耐高壓 元件的電力線到達(dá)低電位區(qū)的EPR0M，故作為該EPROM的封裝材料的模塑樹脂32產(chǎn)生極化。 因該極化而在模塑樹脂32中的EPROM側(cè)感應(yīng)正電荷。其結(jié)果是，模塑樹脂32變成作為柵 極而加給正電位的狀態(tài)。這時(shí)，EPROM的源極-漏極間的場(chǎng)氧化膜31下的P型半導(dǎo)體襯底 24的極性受模塑樹脂32的正電荷的影響而反轉(zhuǎn)，從而構(gòu)成N型MOS溝道。其結(jié)果是，如圖 32所示，源極-漏極間產(chǎn)生漏電流，出現(xiàn)數(shù)據(jù)亂碼的問(wèn)題。在像上述那樣構(gòu)成的現(xiàn)有的EPROM中，作為因模塑樹脂的極化(模塑極化)引起 的故障的對(duì)策，有對(duì)一部分鈍化膜30使用半絕緣性的氮化硅膜33。但是，當(dāng)像這樣使用半 絕緣性的氮化硅膜時(shí)，該氮化硅膜的折射率是2. 1以上，透光性極差，所以，通過(guò)構(gòu)圖成氮 化硅膜不在EPROM上形成來(lái)形成為光到達(dá)EPROM (參照?qǐng)D32)。因此，在作為本發(fā)明的實(shí)施方式11的半導(dǎo)體裝置的EPROM中，使用前述的從實(shí)施 方式1至3的半導(dǎo)體制造裝置，在晶片測(cè)試后利用印刷動(dòng)作形成靜電屏蔽。圖33是表示本發(fā)明實(shí)施方式11的EPROM的結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖33所示，因不必 在晶片測(cè)試后通過(guò)照射光來(lái)擦除數(shù)據(jù)，故利用本發(fā)明的布線描繪技術(shù)，在未被半絕緣性氮 化硅膜33覆蓋的EPROM的區(qū)域印刷靜電屏蔽34。該靜電屏蔽34是射出導(dǎo)電性溶劑而形成 的導(dǎo)電性布線。該靜電屏蔽34通過(guò)與GND端子等連接，起到利用模塑樹脂封裝時(shí)防止模塑 極化的屏蔽膜的作用。像上述那樣構(gòu)成的實(shí)施方式11的半導(dǎo)體裝置因能夠防止因模塑極化產(chǎn)生的故 障，故能夠使耐高壓元件和EPROM在同一芯片上形成。實(shí)施方式12.本發(fā)明的實(shí)施方式12的半導(dǎo)體裝置是將功率用半導(dǎo)體裝置和邏輯電路集成在1 塊芯片上的功率用集成電路裝置(HVIC:高電壓IC)，在該功率用集成電路裝置(以下，簡(jiǎn)稱 為HVIC)的制造中，使用前述實(shí)施方式1至3的半導(dǎo)體制造裝置，利用印刷頭形成后面的電 平移動(dòng)布線。圖34是表示將功率用半導(dǎo)體裝置和邏輯電路集成在1塊芯片上的現(xiàn)有的功率用 集成電路裝置(HVIC 高電壓IC)的平面圖。該功率用集成電路裝置(以下，簡(jiǎn)稱為HVIC) 用于電動(dòng)機(jī)、照明設(shè)備、影像設(shè)備等各種設(shè)備的驅(qū)動(dòng)控制。從圖35到圖37是圖34所示的 HVIC的剖面圖，圖35是圖34的A-A，線的剖面圖，圖36是圖34的B-B，線的剖面圖，圖37 是圖34的C-C’線的剖面圖。圖34所示的HVIC的結(jié)構(gòu)包括耐高壓的N溝道M0SFET35、其柵極上連接的第1邏輯電路36和具有與M0SFET35的漏極連接的高電位側(cè)的第2邏輯電路37的高電位島分離 區(qū)38。M0SFET35的漏極和第2邏輯電路37利用高電位的電平移動(dòng)布線39連接。
如圖35、圖36和圖37的HVIC的剖面圖所示，在P-半導(dǎo)體襯底40上形成N+埋入擴(kuò)散區(qū)41和N-外延層42。如圖35所示，P+分離擴(kuò)散區(qū)43形成為到達(dá)埋入擴(kuò)散區(qū)41。 在圖35、圖36和圖37中，符號(hào)44是深的N+擴(kuò)散區(qū)，符號(hào)45是P擴(kuò)散區(qū)，符號(hào)46是P+擴(kuò) 散區(qū)，符號(hào)47是N+擴(kuò)散區(qū)，符號(hào)48是作為場(chǎng)板使用的柵極，符號(hào)49是作為GND側(cè)的場(chǎng)板 使用的鋁電極，符號(hào)50是氧化膜，符號(hào)51是作為電平移動(dòng)布線使用的電平移動(dòng)鋁電極，符 號(hào)52是場(chǎng)氧化膜(L0C0S膜)。此外，符號(hào)53是作為保護(hù)膜的鈍化膜。像上述那樣構(gòu)成的HVIC具有分離結(jié)構(gòu)，即N+埋入擴(kuò)散區(qū)41和N-外延層42利用 P+分離擴(kuò)散區(qū)43分離并包圍的RESURF(ReducedSurface Field 表面場(chǎng)減小)結(jié)構(gòu)。在現(xiàn)有的HVIC中，高電位電平移動(dòng)鋁電極51橫跨在作為襯底電位的P+分離擴(kuò)散 區(qū)43和P擴(kuò)散區(qū)45的上面，所以，存在耗盡層的延伸受阻、耐壓低的問(wèn)題。為了應(yīng)對(duì)該問(wèn) 題，在圖35所示的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，利用柵極48等在PN結(jié)上形成場(chǎng)板，確保耗盡層的延伸，進(jìn) 而，利用浮柵極形成多重場(chǎng)板，利用通過(guò)電容耦合使表面電場(chǎng)穩(wěn)定的MFFP (多浮置場(chǎng)板)結(jié) 構(gòu)來(lái)應(yīng)對(duì)。只是，在上述現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中，在變成高電位的電平移動(dòng)布線的電平移動(dòng)鋁電極51和 作為GND側(cè)場(chǎng)板的鋁電極49之間的層間形成的氧化膜50的厚度是1. 0 μ m以上。但是，在 這樣的結(jié)構(gòu)中，存在制造工藝復(fù)雜、成本上升的問(wèn)題。此外，若層間氧化膜50厚，則存在微 細(xì)加工技術(shù)不能應(yīng)用的缺點(diǎn)。在作為本發(fā)明實(shí)施方式12的半導(dǎo)體裝置的功率用集成電路裝置(HVIC)中，為了 解決上述問(wèn)題，使用前述實(shí)施方式1至3中說(shuō)明的半導(dǎo)體制造裝置來(lái)布線描繪電平移動(dòng)布 線。圖38是表示在本發(fā)明實(shí)施方式12的HVIC中形成電平移動(dòng)布線54的結(jié)構(gòu)的剖面 圖。在圖38中，對(duì)和圖35至圖37所示的膜體具有相同的功能的膜體附加相同的符號(hào)。如圖38所示，在實(shí)施方式12的HVIC中，使用實(shí)施方式1至3中說(shuō)明的半導(dǎo)體制 造裝置的電路描繪系統(tǒng)，在鈍化膜53上形成作為導(dǎo)電性布線的電平移動(dòng)布線54。因此，不 必像圖35所示那樣設(shè)置電平移動(dòng)鋁電極51，并且也不必使作為GND側(cè)場(chǎng)板的鋁電極49表 面?zhèn)鹊膶娱g絕緣膜50的厚度形成為1. Ομπι以上。其結(jié)果是，HVIC的制造中可以應(yīng)用微細(xì) 加工技術(shù)。進(jìn)而，在實(shí)施方式12的HVIC中，形成鈍化膜53的構(gòu)圖只要求有幾十Pm以上的 焊盤電極用的開口，所以，鈍化膜53可以以比1. 0 μ m更厚的厚度成膜。此外，因?qū)︹g化膜 53可以使用半絕緣性SiN膜，故可以通過(guò)該靜電屏蔽效果進(jìn)一步緩和對(duì)Si表面電場(chǎng)分布的影響。再有，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，有時(shí)因IC芯片面的關(guān)系，形成布線的地方的面 積比絕緣區(qū)的面積大。這時(shí)，在IC芯片面上進(jìn)行印刷時(shí)，使用絕緣性高的物質(zhì)、例如聚酰亞 胺等作為印刷溶劑，將其噴射在不形成布線的地方。然后，通過(guò)對(duì)整個(gè)晶片面涂敷導(dǎo)電性溶 齊IJ，在IC芯片面的絕緣區(qū)內(nèi)可靠地形成絕緣膜，IC芯片面中的絕緣區(qū)可靠地絕緣，變成可 靠性高的半導(dǎo)體裝置。圖39是表示在半導(dǎo)體裝置中形成多個(gè)修整用的焊盤電極的例子的平面圖。在圖 39所示的半導(dǎo)體裝置中，進(jìn)行指定了修整處理的焊盤電極之間的切斷和其他焊盤電極的連 接。在圖39所示的半導(dǎo)體裝置的修整處理中，使用電路描繪系統(tǒng)形成膜體，使得使虛線T包圍的區(qū)域內(nèi)的焊盤電極9A、9B成為切斷狀態(tài)，其他的焊盤電極9變成連接狀態(tài)。圖40是表示在圖39所示的半導(dǎo)體裝置中在2個(gè)焊盤電極9A和9B之間射出絕緣 性溶劑并形成絕緣膜體4的狀態(tài)的平面圖。圖41是表示對(duì)圖40所示的半導(dǎo)體裝置的被描 繪圖案形成區(qū)全面涂敷導(dǎo)電性溶劑并形成導(dǎo)電性膜體3的狀態(tài)的平面圖。再有，在圖42中，(a)是圖40的A_A’線的剖面圖，(b)是 圖40的B_B’線的剖面 圖，(c)是圖41的C-C’線的剖面圖，(d)是圖41的D-D’線的剖面圖。在圖42中，對(duì)和圖 17至圖18所示的膜體具有相同的功能的膜體附加相同的符號(hào)。此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，也可以在利用電路描繪系統(tǒng)形成導(dǎo)電性布線之 后，利用聚酰亞胺等絕緣性物質(zhì)保護(hù)表面。此外，可以利用本發(fā)明的半導(dǎo)體制造裝置中使用的電路描繪系統(tǒng)來(lái)印刷芯片信 息，例如，規(guī)格、質(zhì)量、晶片內(nèi)的芯片位置等各種信息。本發(fā)明能夠容易對(duì)半導(dǎo)體裝置形成所要的導(dǎo)電性布線或絕緣膜，所以，在半導(dǎo)體 制造領(lǐng)域非常有用。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，對(duì)晶片中的各芯片在修整用的被描繪圖案形成區(qū)形成具有規(guī)定深度的槽部，上述槽部的側(cè)壁以具有5°以上的傾斜角來(lái)展寬開口側(cè)的方式傾斜，在上述槽部的內(nèi)部形成導(dǎo)電性布線。
2.權(quán)利要求1記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，被描繪圖案形成區(qū)形成的槽部在形成 于晶片面上的凸?fàn)顓^(qū)域內(nèi)形成。
3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在晶片狀態(tài)下，在各芯片面上形成從鈍化膜露出的至 少2個(gè)修整用焊盤電極，根據(jù)要不要修整的檢查結(jié)果，利用印刷處理對(duì)上述修整用焊盤電 極形成描繪圖案。
4.權(quán)利要求3記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在分別連接描繪圖案被印刷處理的至 少2個(gè)修整用焊盤電極的區(qū)域之外形成鈍化膜。
5.權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在距離描繪圖案被印刷處理的至少2個(gè) 修整用焊盤電極具有規(guī)定距離的區(qū)域之外形成鈍化膜。
6.權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在將描繪圖案被印刷處理的至少2個(gè)修 整用焊盤電極包圍的位置上形成槽。
7.權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在將描繪圖案被印刷處理的至少2個(gè)修 整用焊盤電極包圍的位置上形成凸起。
8.權(quán)利要求4記載的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在描繪圖案被印刷處理的至少2個(gè)修整 用焊盤電極之間形成槽。
9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置是具有多個(gè)單元并設(shè)置了在與各單元 對(duì)應(yīng)的位置上形成走線用焊盤電極的走線布線的I GBT芯片，各單元具有連接于第1電極 上的第1焊盤電極和連接于第2電極上的第2焊盤電極，根據(jù)各單元的檢查結(jié)果，利用印刷 處理在上述第1電極與上述走線用焊盤電極或上述第2電極之間形成描繪圖案。
10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置是非易失性存儲(chǔ)器，利用印刷處理形 成接地的靜電屏蔽膜體使其將存儲(chǔ)器區(qū)覆蓋，并進(jìn)行模塑加工，將上述靜電屏蔽膜體覆蓋。
11.一種半導(dǎo)體裝置，是將功率用半導(dǎo)體裝置和邏輯電路集成在一塊芯片上的功率用 集成電路裝置，其特征在于，利用描繪圖案的印刷處理在鈍化膜上形成導(dǎo)電性布線，該導(dǎo)電 性布線是對(duì)在高電位島分離區(qū)內(nèi)部形成的邏輯電路和耐高壓開關(guān)元件進(jìn)行電連接的電平 移動(dòng)布線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體制造裝置中的描繪圖案印刷部具有分別射出導(dǎo)電性溶劑、絕緣性溶劑和界面處理液的印刷頭，印刷頭根據(jù)來(lái)自晶片測(cè)試部的描繪圖案的信息、來(lái)自存儲(chǔ)部的與該晶片有關(guān)的信息和來(lái)自芯片坐標(biāo)識(shí)別部的坐標(biāo)信息，可以對(duì)該晶片印刷所要的電路描繪圖案，半導(dǎo)體制造方法使用半導(dǎo)體制造裝置，并利用印刷處理形成所要的電路，制造出半導(dǎo)體裝置，在半導(dǎo)體裝置上形成焊盤電極等，以便可以利用電路描繪圖案的印刷對(duì)該半導(dǎo)體裝置進(jìn)行修整處理。
文檔編號(hào)H01L23/60GK101826508SQ201010113008
公開日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2006年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者保田直紀(jì), 清水和宏, 秋山肇 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社