專利名稱：放射線檢測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種エ業(yè)用或醫(yī)用的放射線檢測(cè)器，特別是涉及ー種將放射線直接轉(zhuǎn)換為載流子的放射線檢測(cè)器的構(gòu)造。
背景技術(shù)：
以往的直接轉(zhuǎn)換型的放射線檢測(cè)器為以下結(jié)構(gòu)對(duì)形成在放射線感應(yīng)型的半導(dǎo)體層的表面上的共用電極施加規(guī)定的偏壓，并且利用形成在半導(dǎo)體層的背面的載流子收集電極收集隨著放射線(X射線等)的照射而生成的載流子，并作為放射線檢測(cè)信號(hào)取出，從而進(jìn)行放射線的檢測(cè)。特別是作為半導(dǎo)體層使用像a-k (無(wú)定形硒)這樣的無(wú)定形半導(dǎo)體層的情況下， 無(wú)定形半導(dǎo)體通過(guò)真空蒸鍍等方法能夠很容易地形成厚度大且面積大的層。因此，適合于構(gòu)成需要大面積并且較厚的層的2維陣列型放射線檢測(cè)器。但是，在這樣的以往的直接轉(zhuǎn)換型的放射線檢測(cè)器中，由于對(duì)共用電極施加高電壓而進(jìn)行使用，因此存在有由放電現(xiàn)象導(dǎo)致的問(wèn)題，特別是易于發(fā)生沿面放電的問(wèn)題。沿面放電是電流從施加有高電壓的共用電極沿半導(dǎo)體層等的表面向形成有各種配線、元件等的矩陣基板側(cè)流動(dòng)的現(xiàn)象。由此，放射線檢測(cè)器受到損壞，成為放射線的檢測(cè)精度降低等、縮短產(chǎn)品壽命的原因。如圖9所示，在專利文獻(xiàn)1中，提出有如下結(jié)構(gòu)的放射線檢測(cè)器的技術(shù)方案，S卩，為了抑制沿面放電，以作為高耐壓的絕緣膜的硅酮樹(shù)脂的固化性合成樹(shù)脂膜1 來(lái)覆蓋共用電極105、載流子選擇性的高電阻膜107、無(wú)定形半導(dǎo)體層109的整個(gè)表面。但是，在該結(jié)構(gòu)中，由于熱膨脹系數(shù)的不同，由溫度變化導(dǎo)致在放射線檢測(cè)器上產(chǎn)生翹曲。由此，在共用電極105、高電阻膜107、無(wú)定形半導(dǎo)體層109及硅酮樹(shù)脂的固化性合成樹(shù)脂膜1 上會(huì)出現(xiàn)龜裂而成為沿面放電耐壓不充分的結(jié)構(gòu)。因此，如專利文獻(xiàn)2所述，提出有如下結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案，S卩，通過(guò)將具有與絕緣性基板123同等程度的熱膨脹系數(shù)的絕緣性的輔助板131夾著固化性合成樹(shù)脂膜1 地固定在與絕緣性基板123相対的位置上，而抑制放射線檢測(cè)器的翹曲(圖10)。另外，在專利文獻(xiàn)3中也提案有與此相同的結(jié)構(gòu)。在專利文獻(xiàn)3中，進(jìn)而提出有如下的技術(shù)方案，S卩，在固化性合成樹(shù)脂膜129中使用硅烷化合物，該固化性合成樹(shù)脂膜1 形成在形成有無(wú)定形半導(dǎo)體層109等的絕緣性基板123與輔助板131之間。由此，能夠使固化性合成樹(shù)脂膜129的熱膨脹系數(shù)為與絕緣性基板131同等程度的熱膨脹系數(shù)，從而能夠抑制翹曲、龜裂。但是，最適合于大面積形成的如a-k這樣的無(wú)定形半導(dǎo)體109，由于其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低(即，耐熱較差)，因此受到不能使用通過(guò)加熱而進(jìn)行固化的類型的固化性合成樹(shù)脂129、而必須使用在常溫下固化的類型的固化性合成樹(shù)脂的制約。在專利文獻(xiàn)2中記載有，作為在不足40°C的常溫下固化的固化性合成樹(shù)脂1 使用有環(huán)氧樹(shù)脂，且環(huán)氧樹(shù)脂的含有成分與無(wú)定形半導(dǎo)體膜109的反應(yīng)性比較小。而且，提出有如下結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案，即，為了防止環(huán)氧樹(shù)脂與無(wú)定形半導(dǎo)體膜109的化學(xué)反應(yīng)，將像Sb2^膜這樣的耐溶劑性且載流子選擇性的高電阻膜107夾在共用電極105與無(wú)定形半導(dǎo)體層109之間。在專利文獻(xiàn)4中，提出有如下結(jié)構(gòu)的放射線檢測(cè)器的技術(shù)方案，S卩，作為具有與 Sb2^膜同等效果的膜，使用了混入有空穴移動(dòng)劑的聚碳酸酯的有機(jī)膜。另外，如圖11所示，在專利文獻(xiàn)5中，提出有如下的技術(shù)方案，即，在共用電極105 與無(wú)定形半導(dǎo)體層109的外緣部之間，形成高耐壓的絕緣性物質(zhì)128，而阻止由共用電極 105的外緣部的電場(chǎng)集中所導(dǎo)致的貫穿放電、沿面放電。作為高耐壓的絕緣性物質(zhì)1 的例子，能夠列舉有絕緣性物質(zhì)128的含有成分與無(wú)定形半導(dǎo)體層109的化學(xué)反應(yīng)較小并且為在常溫下固化的類型的材料的硅酮樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、氟樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂。這些絕緣樹(shù)脂128的形成厚度由所需要的偏壓來(lái)決定，偏壓越高厚度必須越厚。另外，從圖9到圖11及圖13中，對(duì)于相同結(jié)構(gòu)的部分，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2002-似68號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2002-311144號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)2002-116259號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 日本特開(kāi)2000-230981號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本特開(kāi)2003-133575號(hào)公報(bào)但是，又發(fā)現(xiàn)了在上述專利文獻(xiàn)中也未公開(kāi)的新的問(wèn)題點(diǎn)。那就是如圖10所示， 盡管以耐溶劑性且載流子選擇性的高電阻膜107覆蓋無(wú)定形半導(dǎo)體層109的整個(gè)表面，但無(wú)定形半導(dǎo)體層的還會(huì)與作為固化性合成樹(shù)脂膜的環(huán)氧樹(shù)脂的含有成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。該反應(yīng)雖然比較小，但是若在高電壓下經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間，則無(wú)定形半導(dǎo)體層109結(jié)晶化而表面電阻值降低，特別是在電場(chǎng)集中的共用電極105的外緣部上，發(fā)生了作為沿面放電的前兆的樹(shù)枝放電現(xiàn)象。圖12是將圖13的結(jié)構(gòu)的放射線檢測(cè)器在40°C 14kV的條件下進(jìn)行加速試驗(yàn)后的共用電極外緣部的光學(xué)顯微鏡照片，表示作為樹(shù)狀放電痕跡的樹(shù)枝從共用電極 105的外緣部成長(zhǎng)的形態(tài)。當(dāng)樹(shù)枝成長(zhǎng)而引發(fā)沿面放電時(shí)，在放電部附近產(chǎn)生如圖14所示那樣的線狀的噪聲。在產(chǎn)生有該線狀的噪聲的部分上，檢測(cè)精度顯著下降。另外，圖14是對(duì)共用電極105施加偏壓而未照射放射線地、利用各檢測(cè)元件檢測(cè)到的圖像。另外，圖13所示的放射線檢測(cè)器是在加速試驗(yàn)中所使用的放射線檢測(cè)器，且通過(guò)在形成有配線、元件等的絕緣性基板123上依次形成載流子選擇性的高電阻膜108、無(wú)定形半導(dǎo)體層109、載流子選擇性的高電阻膜107、共用電極105而構(gòu)成。然后，通過(guò)以覆蓋無(wú)定形半導(dǎo)體層109、高電阻膜107、108及共用電極105所露出的整個(gè)表面的方式，在由絕緣性基板123、輔助板131及間隔件(spacer) 133包圍的空間內(nèi)注入固化性合成樹(shù)脂1 而構(gòu)成。另外，專利文獻(xiàn)3的硅烷化合物雖然熱膨脹系數(shù)與作為絕緣性基板123的玻璃基板相同，但是為了具有能夠承受a-k半導(dǎo)體層的熱膨脹與收縮的強(qiáng)度，需要數(shù)mm以上的厚度和完全水解反應(yīng)形成交聯(lián)。但是，為了獲得向大面積半導(dǎo)體層上涂敷的涂敷膜，需要在交聯(lián)反應(yīng)的中途使硅烷化合物溶解于有機(jī)溶劑中，由此，硅烷化合物的濃度降低而不能獲得充分的強(qiáng)度。另外，為了獲得強(qiáng)度，在涂敷后需要使有機(jī)溶劑完全揮發(fā)而形成高濃度的厚膜，且必須加熱至至少40°C 80°C。通過(guò)該加熱，促進(jìn)了硅烷化合物的固化，但是產(chǎn)生了 a-Se半導(dǎo)體層從無(wú)定形狀態(tài)結(jié)晶化的問(wèn)題。即，像a-k這樣的無(wú)定形半導(dǎo)體，由于其玻璃
5化轉(zhuǎn)變溫度較低，因此必須選擇在不足40°C的常溫下固化的固化性合成樹(shù)脂膜129。另外，如專利文獻(xiàn)5所示，提出有如下結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案，S卩，為了緩和共用電極105 的外緣部的電場(chǎng)集中而防止放電現(xiàn)象，在共用電極105的外緣部的下方形成絕緣性物質(zhì) 128，并在共用電極105的外緣部形狀上設(shè)置仰角(圖11)，但是理論上已證明了在共用電極 105、無(wú)定形半導(dǎo)體層109及高耐壓的絕緣性物質(zhì)1 均接觸的三重合點(diǎn)上，在無(wú)定形半導(dǎo)體層109與高耐壓的絕緣性物質(zhì)128的介電常數(shù)不同的情況下，電場(chǎng)呈無(wú)限大。無(wú)定形半導(dǎo)體層109在a-k的情況下介電常數(shù)是6 7，由于專利文獻(xiàn)5所列舉的絕緣材料的介電常數(shù)均為2 6，因此可以想象三重合點(diǎn)部分的電場(chǎng)増大，反而會(huì)產(chǎn)生暗電流增加、貫穿放電現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種能夠防止從共用電極外緣部產(chǎn)生的沿面放電的放射線檢測(cè)器。本發(fā)明人進(jìn)行認(rèn)真研究的結(jié)果，能夠獲得以下見(jiàn)解。首先，為了確定與a-k發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而造成低電阻化的物質(zhì)是什么，將與環(huán)氧樹(shù)脂的主劑和固化劑的混合物以兩者彼此不接觸的方式密封，并在40°C下放置10天。于是，得知a-k表面因來(lái)自環(huán)氧樹(shù)脂的揮發(fā)成分而結(jié)晶化。利用氣相色譜分析揮發(fā)成分，并在a-k上滴下多種由分離后的氣體成分構(gòu)成的試劑，比較結(jié)晶化狀態(tài)，其結(jié)果，得知胺系的試劑使a-k劇烈地結(jié)晶化。若a-k 結(jié)晶化則會(huì)低電阻化，因此，根據(jù)以上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，得知在環(huán)氧樹(shù)脂的含有成分中，使a-k 低電阻化的成分是胺系化合物。另外，如圖10所示，盡管以載流子選擇性的高電阻膜107覆蓋無(wú)定形半導(dǎo)體層109 的整個(gè)表面，但無(wú)定形半導(dǎo)體層109還會(huì)與環(huán)氧樹(shù)脂的含有成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的原因判明是由載流子選擇性的高電阻膜107如圖15所示不是完全致密的膜引起的。圖15是載流子選擇性的高電阻膜的截面電子顯微鏡照片，根據(jù)該照片判明在載流子選擇性的高電阻膜 107的內(nèi)部存在有非致密的區(qū)域。為了消除該載流子選擇性的高電阻膜107的不完全致密性的影響，防止含有成分的滲透，必須增厚載流子選擇性的高電阻膜107的膜厚。但是，膜厚越厚載流子的流動(dòng)性越差，特別是當(dāng)超過(guò)數(shù)μ m吋，放射線的檢測(cè)靈敏度降低，因此，增厚載流子選擇性的高電阻膜107的膜厚也存在限度。因此，如圖16所示，考慮有僅增厚電場(chǎng)集中的共用電極外緣部的膜厚的結(jié)構(gòu)，但難以形成。于是，發(fā)現(xiàn)了在電場(chǎng)集中的共用電極 105的外緣部周邊上形成新的阻擋層(barrier layer)的方法。另外，用于防止沿面放電而形成的專利文獻(xiàn)1所述的硅酮樹(shù)脂也具有防止無(wú)定形半導(dǎo)體層與作為固化性合成樹(shù)脂膜的環(huán)氧樹(shù)脂的含有成分的化學(xué)反應(yīng)的效果，但是存在與環(huán)氧樹(shù)脂間的粘合性較差，抑制由溫度變化導(dǎo)致的翹曲、龜裂的效果降低這樣的問(wèn)題。因此，作為選擇條件要求所形成的阻擋層與固化性合成樹(shù)脂間的粘合性良好。另外，阻擋層選擇不與a-k發(fā)生化學(xué)反應(yīng)且能夠在不足40°C的常溫下形成的材料。另外，本發(fā)明人在本發(fā)明之前先行提出有國(guó)際專利申請(qǐng)PCT/JP2008/056945、PCT/ JP2009/001611所示的發(fā)明的技術(shù)方案。S卩，如圖17所示，提出有如下結(jié)構(gòu)的放射線檢測(cè)器的技術(shù)方案，即，在形成在絕緣性基板23上的無(wú)定形半導(dǎo)體層9、載流子選擇性的高電阻膜7、8及共用電極5所露出的表面上與固化性合成樹(shù)脂膜之間，形成不含有胺系化合物的阻擋層27B。另外，在圖16及圖17中，對(duì)與后述的各實(shí)施例相同結(jié)構(gòu)的部分，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。本發(fā)明是基于上述見(jiàn)解而完成的，為了達(dá)到其目的而采用如下結(jié)構(gòu)。即，本發(fā)明的放射線檢測(cè)器的特征在于，具有(a)放射線感應(yīng)型的半導(dǎo)體層，其利用放射線的入射生成載流子；(b)高電阻膜，其以覆蓋上述半導(dǎo)體層的上表面的方式形成，選擇性地使載流子透過(guò)；(c)共用電極，其形成在上述高電阻膜的上表面上，對(duì)上述高電阻膜及上述半導(dǎo)體層施加偏壓；(d)矩陣基板，其形成在上述半導(dǎo)體層的下表面上，對(duì)每個(gè)像素蓄積由上述半導(dǎo)體層生成的載流子并讀出該載流子；(e)固化性合成樹(shù)脂膜，其覆蓋形成在上述矩陣基板的上表面上的上述半導(dǎo)體層、上述高電阻膜及上述共用電極的整個(gè)表面；(f)絕緣性的輔助板，其以?shī)A著上述固化性合成樹(shù)脂膜地與上述矩陣基板相對(duì)的方式配置，具有與矩陣基板同等程度的熱膨脹系數(shù)；以及(g)阻擋層，其沿上述共用電極的外緣部形成在上述高電阻膜的上表面上，防止上述半導(dǎo)體層與上述固化性合成樹(shù)脂膜的化學(xué)反應(yīng)，并且與上述固化性合成樹(shù)脂膜間具有粘合性，由不與上述半導(dǎo)體層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的絕緣材料形成。采用本發(fā)明的放射線檢測(cè)器，沿共用電極的外緣部在高電阻膜的上表面上具有阻擋層，從而能夠防止半導(dǎo)體層與固化性合成樹(shù)脂的化學(xué)反應(yīng)。另外，阻擋層與固化性合成樹(shù)脂膜間具有粘合性，從而能夠防止由溫度變化導(dǎo)致在阻擋層與固化性合成樹(shù)脂膜間的界面處發(fā)生剝離等而使強(qiáng)度不充分、從而降低抑制翹曲、龜裂的效果。另外，由于阻擋層的材料是不含有與半導(dǎo)體層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)的絕緣材料，因此能夠防止阻擋層的材料的含有成分與半導(dǎo)體層的化學(xué)反應(yīng)。由此，能夠防止電場(chǎng)集中的共用電極外緣部的沿面放電。另外，沿共用電極的外緣部在高電阻膜的上表面上形成阻擋層，從而能夠與在半導(dǎo)體層、高電阻膜及共用電極所露出的整個(gè)表面上形成阻擋層的結(jié)構(gòu)同樣地防止沿面放電等放電現(xiàn)象。另外，由于未在半導(dǎo)體層、高電阻膜及共用電極所露出的整個(gè)表面上形成阻擋層，因此阻擋層的形成較為容易，并且能夠抑制阻擋層的材料成本。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述共用電極是多邊形形狀，且上述阻擋層在沿共用電極的外緣部形成在上述高電阻膜的上表面上的區(qū)域內(nèi)，形成在限定于上述共用電極的頂點(diǎn)周邊部分的區(qū)域的上表面上。在共用電極是多邊形的情況下，通過(guò)限定在電場(chǎng)最為集中的頂點(diǎn)部分形成阻擋層，能夠抑制沿面放電等大部分的放電現(xiàn)象。另外，阻擋層的形成更加容易，并且能夠進(jìn)一步抑制阻擋層的材料成本。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述矩陣基板是由以下構(gòu)件構(gòu)成的有源矩陣基板像素電極，其對(duì)每個(gè)像素收集由上述半導(dǎo)體層生成的載流子；電容器，其蓄積與收集在上述像素電極內(nèi)的載流子的數(shù)量相應(yīng)的電荷；開(kāi)關(guān)元件，其讀出上述被蓄積的電荷；以及電荷配線，其呈格柵狀排列，并且與設(shè)在各格柵點(diǎn)上的上述開(kāi)關(guān)元件連接。由此能夠制作出大畫面并且串?dāng)_的影響較小的放射線檢測(cè)器。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述半導(dǎo)體層是無(wú)定形硒。由此能夠制作出大面積的放射線檢測(cè)器。另外，優(yōu)選上述固化性合成樹(shù)脂膜是環(huán)氧樹(shù)脂。由此，由于與輔助板間的粘合性良好，因此在粘合面上不會(huì)剝離，且環(huán)氧樹(shù)脂的硬度較高，因此難以產(chǎn)生由溫度變化導(dǎo)致的翹曲、龜裂。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述阻擋層的膜厚比上述高電阻膜的膜厚厚且上限為500 μ m以下。在阻擋層的膜厚較薄的情況下，固化性合成樹(shù)脂膜的含有成分會(huì)發(fā)生滲透，而不具有作為防止固化性合成樹(shù)脂膜的含有成分與半導(dǎo)體層發(fā)生反應(yīng)的阻擋層的功能。另外，在阻擋層的膜厚比500μπι厚的情況下，在阻擋層的由溫度變化導(dǎo)致的熱膨脹應(yīng)力的影響下，例如，無(wú)法防止在高電阻膜上產(chǎn)生龜裂的情況。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述阻擋層是不含有胺系材料的非胺系合成樹(shù)脂。由此，能夠防止阻擋層因其本身的含有成分而與半導(dǎo)體層發(fā)生反應(yīng)從而使半導(dǎo)體層的上表面的表面電阻值下降。另外，優(yōu)選上述阻擋層是在不足40°C的溫度下所形成的上述非胺系合成樹(shù)脂。由此，能夠防止半導(dǎo)體層因阻擋層形成時(shí)的熱量而結(jié)晶化從而低電阻化。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述非胺系合成樹(shù)脂是溶解在不含有胺系材料的非胺系溶劑中的丙烯酸樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂及合成橡膠中的任1種，且通過(guò)使非胺系溶劑以常溫?fù)]發(fā)而形成。另外，上述非胺系溶劑優(yōu)選至少含有甲苯、醋酸丁酷、甲基乙基酮、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、ニ甲苯及ニ氯苯中的1種。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述阻擋層是光固化性樹(shù)脂，利用光照射使光固化性樹(shù)脂固化而形成該阻擋層。由此，能夠不加熱地進(jìn)行固化，并且能夠縮短固化時(shí)間地形成。在本發(fā)明的放射線檢測(cè)器中，優(yōu)選上述阻擋層通過(guò)利用真空蒸鍍法被覆上述非胺系合成樹(shù)脂而形成。另外，利用真空蒸鍍法所被覆的上述非胺系合成樹(shù)脂的一例為聚對(duì)ニ 甲苯。采用本發(fā)明的放射線檢測(cè)器，通過(guò)沿共用電極的外緣部在高電阻膜的上表面上具有阻擋層，能夠防止半導(dǎo)體層與固化性合成樹(shù)脂的化學(xué)反應(yīng)。另外，阻擋層與固化性合成樹(shù)脂膜間具有粘合性，從而能夠防止由溫度變化導(dǎo)致在阻擋層與固化性合成樹(shù)脂膜的界面處發(fā)生剝離等而使強(qiáng)度不充分、從而降低抑制翹曲、龜裂的效果。另外，由于阻擋層的材料是不含有與半導(dǎo)體層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)的絕緣材料，因此能夠防止阻擋層的材料的含有成分與半導(dǎo)體層的化學(xué)反應(yīng)。由此，能夠防止電場(chǎng)集中的共用電極外緣部的沿面放電


圖1是表示實(shí)施例1的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖。圖2是表示實(shí)施例1的有源矩陣基板及周邊電路的結(jié)構(gòu)的電路圖。圖3是表示實(shí)施例1的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖4是表示在圖13所示的以往型的放射線檢測(cè)器的Au電極外緣部上、在加速試驗(yàn)后產(chǎn)生的樹(shù)枝的照片。圖5是表示加速試驗(yàn)后的、根據(jù)阻擋層的有無(wú)所產(chǎn)生的樹(shù)枝放電現(xiàn)象的區(qū)別的照片。圖6是表示實(shí)施例2的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。圖7是表示在圖13所示的以往型的放射線檢測(cè)器上、在加速試驗(yàn)3日后產(chǎn)生的樹(shù)枝的照片。圖8是表示在圖13所示的以往型的放射線檢測(cè)器上、在加速試驗(yàn)20日后產(chǎn)生的樹(shù)枝的照片。圖9是表示以往例的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖。圖10是表示以往例的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖。
圖11是表示以往例的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖。圖12是表示作為從共用電極外緣部成長(zhǎng)的樹(shù)狀放電痕跡的樹(shù)枝放電現(xiàn)象的照片。圖13是表示加速試驗(yàn)所使用的以往型的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖。圖14表示由沿面放電所產(chǎn)生的線狀的噪聲，(a)是示意圖，(b)是照片。圖15是表示載流子選擇性的高電阻膜具有非致密區(qū)域的照片。圖16是表示對(duì)共用電極外側(cè)的載流子選擇性的高電阻膜部分設(shè)置厚度的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖。圖17是表示國(guó)際專利申請(qǐng)PCT/JP2008/056945、PCT/JP2009/001611中所述的放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1、1A、放射線檢測(cè)器5、共用電極7、8、高電阻膜9、無(wú)定形半導(dǎo)體層23、絕緣性基板25、有源矩陣基板27、27A、阻擋層29、固化性合成樹(shù)脂膜31、輔助板
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施例1。圖1是表示放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略縱剖視圖，圖2是表示有源矩陣基板及周邊電路的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖3是表示放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。另外，為了便于說(shuō)明，圖3省略輔助板、固化性合成樹(shù)脂膜及間隔件來(lái)進(jìn)行表示?！斗派渚€檢測(cè)器》參照?qǐng)D1。本實(shí)施例的放射線檢測(cè)器1在從偏置電源供給部3施加偏壓的共用電極 5的下層形成有選擇性地使載流子透過(guò)的載流子選擇性的高電阻膜7，而且，在載流子選擇性的高電阻膜7的下層，形成有利用放射線的入射而生成載流子的無(wú)定形半導(dǎo)體層9。艮口， 通過(guò)對(duì)共用電極5施加偏壓，而對(duì)載流子選擇性的高電阻膜7及無(wú)定形半導(dǎo)體層9施加偏壓。而且，在無(wú)定形半導(dǎo)體層9的下層再次形成有載流子選擇性的高電阻膜7。而且，在該載流子選擇性的高電阻膜8的下層形成有有源矩陣基板25，該有源矩陣基板25由對(duì)每個(gè)像素收集載流子的像素電極11、蓄積由像素電極11收集的載流子的載流子蓄積用電容器13、 與載流子蓄積用電容器13電連接的開(kāi)關(guān)元件15及接地線17、向開(kāi)關(guān)元件15輸送開(kāi)關(guān)作用的信號(hào)的柵極線19、通過(guò)開(kāi)關(guān)元件15讀出蓄積在載流子蓄積用電容器13中的電荷的數(shù)據(jù)線21、支承以上構(gòu)件的絕緣性基板23構(gòu)成。利用該有源矩陣基板25能夠?qū)γ總€(gè)像素讀出由無(wú)定形半導(dǎo)體層9生成的載流子。
另外，無(wú)定形半導(dǎo)體層9相當(dāng)于本發(fā)明中的放射線感應(yīng)型的半導(dǎo)體層。另外，載流子選擇性的高電阻膜7相當(dāng)于本發(fā)明中的高電阻膜。另外，柵極線19及數(shù)據(jù)線21相當(dāng)于本發(fā)明中的電極配線。另外，有源矩陣基板25相當(dāng)于本發(fā)明中的矩陣基板。而且，沿共用電極5的外緣部，至少在載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上形成有阻擋層27。另外，以覆蓋共用電極5、載流子選擇性的高電阻膜7、8、無(wú)定形半導(dǎo)體層9及阻擋層27的方式形成有固化性合成樹(shù)脂膜四。而且，在固化性合成樹(shù)脂膜四的上表面上， 形成有絕緣性的輔助板31。即，絕緣性的輔助板31以?shī)A著固化性合成樹(shù)脂膜四地與有源矩陣基板25相対的方式配置。另外，對(duì)阻擋層27將在后面詳述。無(wú)定形半導(dǎo)體層9為電阻率IO9 Ω cm以上(優(yōu)選IO11 Ω cm以上)，膜厚為0. 5mm 1.5mm的高純度a-k厚膜。該厚膜特別是能夠易于使檢測(cè)區(qū)域大面積化。另外，當(dāng)無(wú)定形半導(dǎo)體層9較薄吋，放射線不被轉(zhuǎn)換而透過(guò)，因此使用0. 5mm 1. 5mm的稍厚的膜。共用電極5及像素電極11由Au、Pt、Ni、Al、Ta、In等金屬和I TO等形成。當(dāng)然， 無(wú)定形半導(dǎo)體層9的材料、電極的材料并不限于上述例示的材料。載流子選擇性的高電阻膜7根據(jù)對(duì)共用電極5施加的偏壓是正偏壓還是負(fù)偏壓， 在正偏壓下采用空穴注入阻止性能較高的膜，在負(fù)偏壓下采用電子注入阻止性能高的膜。 一般地在正偏壓下使用的情況下，載流子選擇性的高電阻膜7使用N型(多個(gè)載流子為電子)的選擇膜，在負(fù)偏壓下使用的情況下，載流子選擇性的高電阻膜7使用P型(多數(shù)載流子為空穴)的選擇膜。但是，由于在IO9 Ω cm以上的高電阻區(qū)域中也有一般規(guī)則未必成立的情況，因此也可能有將作為P型層所例示的Sb2Te3, Sb2S3、SiTe膜等在正偏壓下使用而有效的情況。在N型層中，例示CdS、ZnS膜等。高電阻膜7的電阻率優(yōu)選IO9Qcm以上。另夕卜， 高電阻膜7的膜厚在0. 1 μ m 5 μ m為宜。輔助板31優(yōu)選具有與絕緣性基板23同等程度的熱膨脹系數(shù)、并且放射線的透過(guò)性良好的材料，使用石英玻璃等。厚度在0.5mm 1.5mm為宜。另外，輔助板31只要以在無(wú)定形半導(dǎo)體層9不產(chǎn)生翹曲的方式形成即可，并不限于上述的實(shí)施方式，可以采用任何實(shí)施方式。另外，作為高耐電壓的固化性合成樹(shù)脂膜四，在本實(shí)施例中采用環(huán)氧樹(shù)脂。環(huán)氧樹(shù)脂硬度較高，與輔助板31間的粘合性也較好，另外，固化環(huán)氧樹(shù)脂時(shí)能夠在不足40°C的常溫下進(jìn)行固化，因此，也不會(huì)使a-k結(jié)晶化。作為固化性合成樹(shù)脂膜四選擇其他樹(shù)脂的情況下，根據(jù)在半導(dǎo)體層中采用何種半導(dǎo)體來(lái)決定固化溫度的上限。如上所述，使用a-k的情況下，由于a-k容易因熱而結(jié)晶化，因此需要選擇在不足40°C的常溫下固化的類型的合成樹(shù)脂。對(duì)于這些固化性合成樹(shù)脂膜四的形成厚度，若過(guò)薄則絕緣耐壓降低，若過(guò)厚則入射放射線衰減，因此，絕緣性基板23與輔助板12間的間隙為Imm 5mm，優(yōu)選2mm 4mm。 為了可靠地形成該間隙，在絕緣性基板23的周邊部設(shè)置由AB S樹(shù)脂等形成的間隔件33。 通過(guò)這樣在輔助板31與有源矩陣基板25之間設(shè)置間隔件33，能夠調(diào)整間隙。以2維陣列狀形成有多個(gè)像素電極11，并且分別各設(shè)置一個(gè)蓄積由各像素電極11 收集的載流子的載流子蓄積用電容器13及載流子讀出用的開(kāi)關(guān)元件15。由此，本實(shí)施例的放射線檢測(cè)器1構(gòu)成為由多個(gè)作為放射線檢測(cè)像素的檢測(cè)元件DU沿X、Y方向排列而成的 2維陣列結(jié)構(gòu)的平板型放射線傳感器(參照?qǐng)D2)，因此，能夠?qū)γ總€(gè)放射線檢測(cè)像素進(jìn)行局部的放射線檢測(cè)，能夠測(cè)量放射線強(qiáng)度的2維分布。另外，檢測(cè)元件DU的開(kāi)關(guān)元件15的起開(kāi)關(guān)作用的薄膜晶體管的柵極與橫⑴向的柵極線19連接，其漏極與縱(Y)向的數(shù)據(jù)線21連接。而且，如圖2所示，數(shù)據(jù)線21經(jīng)由電荷一電壓轉(zhuǎn)換器組35與多路轉(zhuǎn)接器37連接。 柵極線19與柵極驅(qū)動(dòng)器39連接。另外，由于放射線傳感器部的檢測(cè)元件DU的確定基于沿 X方向·Υ方向的排列向各檢測(cè)元件DU順次分配的地址進(jìn)行，因此信號(hào)取出用的掃描信號(hào)成為分別指定X方向地址或Y方向地址的信號(hào)。另外，為了便于說(shuō)明，在圖2中，形成有3X3 像素量的矩陣結(jié)構(gòu)，但是在實(shí)際中使用與放射線檢測(cè)器1的像素?cái)?shù)吻合的尺寸的有源矩陣基板25。隨著根據(jù)Y方向的掃描信號(hào)從柵極驅(qū)動(dòng)器39對(duì)X方向的柵極線19施加取出用的電源，以行單位選擇各檢測(cè)元件DU。然后，根據(jù)X方向的掃描信號(hào)切換多路轉(zhuǎn)接器37，由此， 蓄積在被選擇的行的檢測(cè)元件DU的載流子蓄積用電容器13內(nèi)的電荷依次經(jīng)過(guò)電荷一電壓轉(zhuǎn)換器組35及多路轉(zhuǎn)接器37向外部送出。S卩，本實(shí)施例的放射線檢測(cè)器1的放射線檢測(cè)動(dòng)作如下。在對(duì)無(wú)定形半導(dǎo)體層9 的表面?zhèn)鹊墓灿秒姌O5施加有偏壓的狀態(tài)下使檢測(cè)對(duì)象的放射線入射時(shí)，由放射線的入射生成的載流子(電子 空穴對(duì))由偏壓向共用電極5和像素電極11移動(dòng)。與該載流子的生成數(shù)量相對(duì)應(yīng)地在像素電極11側(cè)的載流子蓄積用電容器13內(nèi)蓄積電荷，并且隨著載流子讀出用的開(kāi)關(guān)元件15的向開(kāi)狀態(tài)的過(guò)渡，蓄積電荷經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件15作為放射線檢測(cè)信號(hào)被讀出，由電荷一電壓轉(zhuǎn)化器組35轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。在本實(shí)施例的放射線檢測(cè)器1例如用作X射線透視攝影裝置的X射線檢測(cè)器的情況下，各檢測(cè)元件DU的檢測(cè)信號(hào)從多路轉(zhuǎn)接器37作為像素信號(hào)依次被取出，之后，在圖像處理部41進(jìn)行噪聲處理等必要的信號(hào)處理，并由像素顯示部43作為2維圖像(X射線透視圖像)顯示。另外，在制作本實(shí)施例的放射線檢測(cè)器1的情況下，利用各種真空成膜法的薄膜形成技術(shù)、光刻法的圖案化技術(shù)，在絕緣性基板23的表面上依次層疊形成開(kāi)關(guān)元件15用的薄膜晶體管及載流子蓄積用電容器13、像素電極11、載流子選擇性的高電阻膜8、無(wú)定形半導(dǎo)體層9、載流子選擇性的高電阻膜7、共用電極5等?！蹲钃鯇印穮⒄?qǐng)D1及圖3。阻擋層27沿共用電極5的四邊形的外緣部至少形成在形成于無(wú)定形半導(dǎo)體層9的上表面的載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上。另外，優(yōu)選阻擋層27 在共用電極5的側(cè)面上不設(shè)有間隙地與該側(cè)面接觸而形成在載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上。但是，由于難以像這樣在共用電極5的側(cè)面上不設(shè)有間隙地與該側(cè)面接觸而形成阻擋層，因此阻擋層27除了形成在載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上，也形成在共用電極5的上表面上。即，沿共用電極5的四邊形的外緣部遍及載流子選擇性的高電阻膜 7和共用電極5地形成。另外，在本實(shí)施例中，阻擋層27并不覆蓋共用電極5的整個(gè)表面， 而以在共用電極5的中央部具有開(kāi)口部的方式形成。另外，優(yōu)選阻擋層27防止無(wú)定形半導(dǎo)體層9與固化性合成樹(shù)脂膜四的化學(xué)反應(yīng)， 并且與固化性合成樹(shù)脂膜四間具有粘合性，是與無(wú)定形半導(dǎo)體層9不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的絕緣材料。即，阻擋層27通過(guò)形成在形成于無(wú)定形半導(dǎo)體層9的上表面的載流子選擇性的高電阻膜7與固化性合成樹(shù)脂膜四之間，防止固化性合成樹(shù)脂膜四的含有成分與無(wú)定形半導(dǎo)體層9的上表面部分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而低電阻化。另外，優(yōu)選阻擋層27與固化性合成樹(shù)脂膜 29間具有密合性。在沒(méi)有密合性的情況下，由溫度變化導(dǎo)致的熱膨脹及收縮的重復(fù)導(dǎo)致在阻擋層27與固化性合成樹(shù)脂膜四間的界面處發(fā)生剝離等，在強(qiáng)度方面不夠充分，而降低抑制翹曲、龜裂的效果。另外，阻擋層27的材料優(yōu)選使用不與無(wú)定形半導(dǎo)體層9發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料。具體而言，優(yōu)選阻擋層27為不含有與無(wú)定形半導(dǎo)體層9發(fā)生反應(yīng)而使無(wú)定形半導(dǎo)體層9的表面低電阻化的胺系材料的合成樹(shù)脂、S卩非胺系合成樹(shù)脂。另外，優(yōu)選在不足40°C 的溫度下形成阻擋層。作為阻擋層27所使用的非胺系合成樹(shù)脂列舉有溶解于非胺系溶劑的丙烯酸樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、合成橡膠等。另外，作為非胺系溶劑列舉有甲苯、醋酸丁酷、 甲基乙基酮、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、ニ甲苯或ニ氯苯等的任意単體或混合物。優(yōu)選阻擋層27的膜厚至少比載流子選擇性的高電阻膜7的厚度厚。在比高電阻膜7薄的情況下，固化性合成樹(shù)脂膜四的含有成分有可能透過(guò)阻擋層27。另外，阻擋層27 的膜厚為500 μ m以下，優(yōu)選100 μ m以下。若阻擋層27的膜厚過(guò)厚(比500 μ m大的情況下)，則無(wú)法無(wú)視阻擋層27的熱膨脹應(yīng)力，而有可能產(chǎn)生與絕緣性合成樹(shù)脂膜等的其他膜間的剝離等的問(wèn)題。另外，在本實(shí)施例中，載流子選擇性的高電阻膜7的厚度為1 μ m左右。《試驗(yàn)結(jié)果1》使用真空蒸鍍法，在有源矩陣基板25上順次形成SId2^膜(高電阻膜8)、a-Se層 (無(wú)定形半導(dǎo)體層9)、Sb2S3膜(高電阻膜7)、Au電極(共用電極5)，之后，使用分配器的方法，將用醋酸丁酯稀釋聚氨酯樹(shù)脂所得的溶液沿Au電極的外緣部描畫而滴下，并在不足 40°C下進(jìn)行常溫干燥，從而在圖1及圖3所示的區(qū)域內(nèi)形成了聚氨酯樹(shù)脂的阻擋層27。然后，借助間隔件33覆蓋玻璃制的輔助板31并注入·固化環(huán)氧樹(shù)脂(固化性合成樹(shù)脂膜四)， 從而制造了本實(shí)施例的放射線檢測(cè)器1。另外，作為比較用也制造了未形成阻擋層27的以往型的放射線檢測(cè)器(圖13)。然后，在40°C 14kV的條件下進(jìn)行加速試驗(yàn)，當(dāng)觀察加速試驗(yàn)84日后的Au電極外緣部吋，在本實(shí)施例的放射線檢測(cè)器1上沒(méi)有樹(shù)枝的產(chǎn)生，但是在以往型的放射線檢測(cè)器上，如圖4所示，確認(rèn)到樹(shù)枝的產(chǎn)生。另外，圖5是表示另外制造了的放射線檢測(cè)器由于阻擋層27涂敷的有無(wú)而產(chǎn)生的邊界部的樹(shù)枝的產(chǎn)生的區(qū)別的照片。通過(guò)僅在非涂敷部分的Au電極外緣部上產(chǎn)生有樹(shù)枝，能夠確認(rèn)阻擋層27的效果?！秾?shí)施例1的效果》采用如上所述的放射線檢測(cè)器1的結(jié)構(gòu)，沿共用電極5的外緣部在載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上形成有阻擋層27，因此，能夠防止作為絕緣性合成樹(shù)脂膜(環(huán)氧樹(shù)脂等)29的含有成分的胺系化合物滲透載流子選擇性的高電阻膜7而與無(wú)定形半導(dǎo)體層9 發(fā)生反應(yīng)、從而使無(wú)定形半導(dǎo)體層9低電阻化。另外，形成阻擋層27的材料使用與固化性合成樹(shù)脂膜四間具有密合性的材料。因此，能夠消除由溫度變化導(dǎo)致的膨脹及收縮導(dǎo)致在阻擋層27與固化性合成樹(shù)脂膜四間的界面處發(fā)生剝離等而使強(qiáng)度不充分、從而降低抑制翹曲、龜裂的效果的問(wèn)題。另外，形成阻擋層27的材料使用不含有與無(wú)定形半導(dǎo)體層9反應(yīng)的胺系化合物的材料。因此，能夠防止阻擋層27的含有成分滲透載流子選擇性的高電阻膜7而與無(wú)定形半導(dǎo)體層9發(fā)生反應(yīng)、從而使無(wú)定形半導(dǎo)體層9低電阻化。另外，形成阻擋層27的材料使用能夠在不足40°C的常溫下固化的材料，因此，能夠防止半導(dǎo)體層因固化阻擋層時(shí)的熱量結(jié)晶化而低電阻化。由此，能夠防止自共用電極5產(chǎn)生的沿面放電，因此，能夠防止由電場(chǎng)集中的共用電極外緣部的沿面放電導(dǎo)致的線狀的噪聲的產(chǎn)生。另外，與如圖17所示，與在共用電極5、載流子選擇性的高電阻膜7、8及無(wú)定形半導(dǎo)體層9的露出的整個(gè)表面上形成阻擋層27E的放射線檢測(cè)器相同地，能夠防止沿面放電。 但是，如圖17所示的放射線檢測(cè)器，未在露出的整個(gè)表面上形成阻擋層27，因此，能夠易于形成阻擋層27，并且能夠抑制阻擋層27的材料成本。實(shí)施例2接著，參照

本發(fā)明的實(shí)施例2。圖6是表示放射線檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。另外，省略與實(shí)施例1重復(fù)的部分的說(shuō)明。在實(shí)施例1中，在共用電極5上沿外緣部在載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上形成阻擋層27。但是，并不限于該結(jié)構(gòu)。例如，由于與共用電極5的邊部相比，越靠近共用電極5的頂點(diǎn)樹(shù)枝的成長(zhǎng)越快，因此也可以在限定于共用電極5的頂點(diǎn)部分的區(qū)域的載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上形成阻擋層27A。參照?qǐng)D6。阻擋層27A在沿共用電極5的外緣部形成在載流子選擇性的高電阻膜 7的上表面上的區(qū)域內(nèi)，形成在限定于共用電極5的頂點(diǎn)周邊部分的區(qū)域的上表面上。在共用電極5的形狀是四邊形的情況下，在作為四邊形的頂點(diǎn)的4個(gè)部位的附近形成阻擋層 27A?！对囼?yàn)結(jié)果2》圖7及圖8是使用如圖13所示的未形成阻擋層的以往型的放射線檢測(cè)器在 400C 14kV的條件下進(jìn)行加速試驗(yàn)后的共用電極105的外緣部的光學(xué)顯微鏡照片。圖7表示加速試驗(yàn)3日后的作為樹(shù)狀放電痕跡的樹(shù)枝的產(chǎn)生，確認(rèn)樹(shù)枝僅從共用電極105的頂點(diǎn)部分產(chǎn)生。另外，圖8表示加速試驗(yàn)20日后的樹(shù)枝的產(chǎn)生，與圖7的加速試驗(yàn)3日后的情況相比，確認(rèn)產(chǎn)生在共用電極105的頂點(diǎn)部分的樹(shù)枝發(fā)生成長(zhǎng)。另外，確認(rèn)在共用電極105 的邊部也產(chǎn)生有樹(shù)枝的形態(tài)。因而，在共用電極105的形狀是四邊形的情況下，得知與邊部分相比，越靠近頂點(diǎn)部分樹(shù)枝的成長(zhǎng)越快?！秾?shí)施例2的效果》采用具有上述結(jié)構(gòu)的放射線檢測(cè)器1A，通過(guò)僅在共用電極5的電場(chǎng)最為集中的頂點(diǎn)部分形成阻擋層27A，能夠抑制大部分的沿面放電現(xiàn)象。另外，如圖6所示，與實(shí)施例1相比，能夠進(jìn)一步減少阻擋層27A的形成區(qū)域，因此，能夠更加易于形成阻擋層27A，并且能夠進(jìn)一步抑制阻擋層27A材料等的成本。本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，能夠?qū)嵤┤缦滤龅淖冃巍?1)在上述的各實(shí)施例中，阻擋層27、27A通過(guò)用非胺系溶劑溶解非胺系合成樹(shù)脂而涂敷，并在不足40°C的溫度下進(jìn)行干燥固化而成。但是，并不限于此。例如，對(duì)于阻擋層 27、27A也可以采用利用紫外線等的光照射進(jìn)行固化而形成的光固化性樹(shù)脂。能夠不進(jìn)行加熱而使阻擋層27、27A固化，并且能夠縮短固化時(shí)間地形成阻擋層27、27A。另外，作為光固化性樹(shù)脂列舉有配合了巰基酯的丙烯酸類樹(shù)脂。(2)在上述的各實(shí)施例中，阻擋層27、27A利用分配器的方法，沿共用電極5的外緣部，描畫或連續(xù)涂敷阻擋層27、27A的材料而成。但是，并不限于此。例如，阻擋層27、27A也可以利用真空蒸鍍法，以金屬制的掩模覆蓋形成部分以外的部分，而使非胺系合成樹(shù)脂被覆在上述規(guī)定的位置上而成。在該情況下，作為非胺系合成樹(shù)脂，優(yōu)選聚對(duì)ニ甲苯。(3)在上述的各實(shí)施例中，共用電極5的形狀是四邊形，但是也可以采用形成為三角形、五邊形等多邊形形狀的共用電極。(4)在上述實(shí)施例1中，阻擋層27沿共用電極5的外緣部以同等程度的寬度形成在載流子選擇性的高電阻膜7的上表面上。但是，并不限于此。例如，也可以以如下方式形成阻擋層27 増大形成在容易產(chǎn)生樹(shù)枝放電現(xiàn)象的共用電極5的頂點(diǎn)部分的阻擋層27的寬度，并使共用電極5的邊部的阻擋層27的寬度比頂點(diǎn)部分的阻擋層27的寬度小。另外， 阻擋層27沿共用電極5的外緣部連續(xù)地形成，但是也可以具有一部分未形成阻擋層27的區(qū)域。另外，以在共用電極5的中央部上具有開(kāi)ロ部的方式形成阻擋層27，但是也可以形成不具有開(kāi)ロ部的阻擋層27。(5)在上述的各實(shí)施例中，在俯視中，在阻擋層27、27A的頂點(diǎn)部分形成為具有角的形狀，但是，例如也可以是在角的部分帶有圓角的形狀。(6)在上述各實(shí)施例中，作為矩陣基板，采用了有源矩陣基板25，但是也可以采用無(wú)源矩陣基板。
1權(quán)利要求
1.ー種放射線檢測(cè)器，其特征在干，具有(a)放射線感應(yīng)型的半導(dǎo)體層，其利用放射線的入射生成載流子；(b)高電阻膜，其以覆蓋上述半導(dǎo)體層的上表面的方式形成，選擇性地使載流子透過(guò)；(c)共用電極，其形成在上述高電阻膜的上表面上，對(duì)上述高電阻膜及上述半導(dǎo)體層施加偏壓；(d)矩陣基板，其形成在上述半導(dǎo)體層的下表面上，對(duì)每個(gè)像素蓄積由上述半導(dǎo)體層生成的載流子并讀出該載流子；(e)固化性合成樹(shù)脂膜，其覆蓋形成在上述矩陣基板的上表面上的上述半導(dǎo)體層、上述高電阻膜及上述共用電極的整個(gè)表面；(f)絕緣性的輔助板，其以?shī)A著上述固化性合成樹(shù)脂膜地與上述矩陣基板相対的方式配置，具有與矩陣基板同等程度的熱膨脹系數(shù)；以及(g)阻擋層，其沿上述共用電極的外緣部形成在上述高電阻膜的上表面上，防止上述半導(dǎo)體層與上述固化性合成樹(shù)脂膜的化學(xué)反應(yīng)，并且與上述固化性合成樹(shù)脂膜間具有粘合性，由不與上述半導(dǎo)體層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的絕緣材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述共用電極是多邊形形狀，上述阻擋層在沿共用電極的外緣部形成在上述高電阻膜的上表面上的區(qū)域內(nèi)，形成在限定于上述共用電極的頂點(diǎn)周邊部分的區(qū)域的上表面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述矩陣基板是由以下構(gòu)件構(gòu)成的有源矩陣基板像素電極，其對(duì)每個(gè)像素收集由上述半導(dǎo)體層生成的載流子；電容器，其蓄積與收集在上述像素電極內(nèi)的載流子的數(shù)量相應(yīng)的電荷；開(kāi)關(guān)元件，其讀出上述被蓄積的電荷；以及電荷配線，其呈格柵狀排列，并且與設(shè)在各格柵點(diǎn)上的上述開(kāi)關(guān)元件連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述半導(dǎo)體層是無(wú)定形硒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述固化性合成樹(shù)脂膜是環(huán)氧樹(shù)脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述阻擋層的膜厚比上述高電阻膜的膜厚厚且上限為500 μ m以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述阻擋層是不含有胺系材料的非胺系合成樹(shù)脂。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述阻擋層是在不足40°C的溫度下所形成的上述非胺系合成樹(shù)脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述非胺系合成樹(shù)脂是溶解在不含有胺系材料的非胺系溶劑中的丙烯酸樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂及合成橡膠中的任1種，且通過(guò)使非胺系溶劑以常溫?fù)]發(fā)而形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述非胺系溶劑至少含有甲苯、醋酸丁酷、甲基乙基酮、甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、ニ甲苯及ニ氯苯中的1種。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述阻擋層是光固化性樹(shù)脂，利用光照射使光固化性樹(shù)脂固化而形成該阻擋層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干，上述阻擋層通過(guò)利用真空蒸鍍法被覆上述非胺系合成樹(shù)脂而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的放射線檢測(cè)器，其特征在干， 上述非胺系合成樹(shù)脂是聚對(duì)ニ甲苯。
全文摘要
本發(fā)明提供一種放射線檢測(cè)器(1)，該放射線檢測(cè)器(1)沿共用電極(5)的外緣部在高電阻膜(7)的上表面上具有阻擋層(27)，從而能夠防止無(wú)定形半導(dǎo)體層(9)與固化性合成樹(shù)脂(29)的化學(xué)反應(yīng)。另外，阻擋層(27)與固化性合成樹(shù)脂膜(29)間具有粘合性，從而能夠防止由溫度變化導(dǎo)致在阻擋層(27)與固化性合成樹(shù)脂膜(29)間的界面處發(fā)生剝離等而使強(qiáng)度不充分、從而降低抑制翹曲、龜裂的效果。另外，由于阻擋層(27)的材料是不含有與無(wú)定形半導(dǎo)體層(9)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的物質(zhì)的絕緣材料，因此能夠防止阻擋層(27)的材料的含有成分與半導(dǎo)體層的化學(xué)反應(yīng)。由此，能夠防止電場(chǎng)集中的共用電極(5)外緣部的沿面放電。
文檔編號(hào)H01L27/14GK102549454SQ200980161770
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2009年10月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月5日
發(fā)明者佐佐木理, 佐藤賢治, 山口庸一, 山本武史, 岸本榮俊, 村上大輔, 辻久男 申請(qǐng)人:株式會(huì)社島津制作所