專利名稱：光電子半導體器件的制作方法
技術領域：
給出了一種光電子半導體器件。
背景技術：
本專利申請要求德國專利申請10 2008 054 0 . 3的優(yōu)先權，該德國專利申請的公開內容通過引用結合于此。

發(fā)明內容
要解決的任務在于給出一種光電子半導體器件，該光電子半導體器件在關斷的工作狀態(tài)下在觀察該光電子半導體器件的光出射面時針對外部觀察者根據(jù)可預先給定的色彩印象(Farbeindruck)來顯現(xiàn)。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，該器件包括至少一個發(fā)射輻射的半導體芯片。發(fā)射輻射的半導體芯片例如可以是冷光二極管芯片。冷光二極管芯片可以是發(fā)射在紫外光到紅外光的范圍中的輻射的發(fā)光二極管芯片或者激光二極管芯片。優(yōu)選地，冷光二極管芯片發(fā)射電磁輻射的光譜在可見或者紫外范圍中的光。根據(jù)至少一個實施形式，在發(fā)射方向上在發(fā)射輻射的半導體芯片的下游設置有至少一個轉換器元件，用于對由半導體芯片在工作時所發(fā)射的電磁輻射進行轉換。轉換器元件在用環(huán)境光照射(如果環(huán)境光包括適于激勵轉換器材料中的轉換物質的波長成分 (Wellenlaengenanteil)時)的情況下發(fā)射有色光。轉換器元件被布置在半導體芯片的輻射出射面上或者在半導體芯片的輻射出射面旁。在光電子半導體器件工作時，轉換元件將一種波長的光轉換成另一波長的光。例如，轉換器元件將由半導體芯片原始發(fā)射的藍色光部分地轉換成黃色光，該黃色光接著與藍色光一起可以混合成白色光。轉換器元件因此在半導體器件工作時具有光轉換器的功能。轉換器元件可以被涂敷在半導體芯片上并且由此直接與半導體芯片接觸。例如，這可以通過將轉換器元件粘貼到半導體芯片上或者借助絲網印刷方法來實現(xiàn)。但也存在如下可能性轉換器元件僅僅間接地與半導體芯片接觸。這可以意指在轉換器元件/半導體芯片的邊界面之間構造間隙， 并且這樣轉換器元件和半導體芯片不接觸。該間隙可以以氣體、例如空氣來填充。轉換器元件可以以硅樹脂、環(huán)氧化物、由硅樹脂和環(huán)氧化物構成的混合物或者透明的陶瓷形成，轉換物質的顆粒被引入到該轉換器元件中。根據(jù)至少一個實施形式，該器件具有光出射面。由半導體芯片所發(fā)射的電磁輻射例如通過光學元件從該器件耦合輸出。該器件的光學元件接著具有輻射透射口，該輻射通過該輻射透射口從該器件耦合輸出。輻射透射口具有背離半導體芯片的外表面，該外表面形成該器件的光出射面。該光學元件可以是透鏡或者也可以是簡單的蓋板。此外可能的是， 光學元件通過澆注材料形成，該澆注材料圍繞或包封該半導體芯片。此外，光電子半導體器件包括用于漫散射光的裝置，該用于漫散射光的裝置被設立為在器件的關斷的工作狀態(tài)下將射到該器件上的環(huán)境光進行散射，使得該器件的光出射面并不顯現(xiàn)為轉換器元件的色彩，即例如顯現(xiàn)為黃色。優(yōu)選地，光耦合輸出面并不有色地顯現(xiàn)，而是顯現(xiàn)為白色。當例如整個太陽光譜被散射時，本體顯現(xiàn)為白色。如果環(huán)境光落到該器件上，則用于漫散射光的裝置將環(huán)境光進行散射來使得在通過該裝置散射之后對于外部觀察者顯現(xiàn)為白色。在此可能的是，用于漫散射光的裝置由唯一的元件形成。此外也可能的是，用于漫散射光的裝置由多個部件構成，這些部件單獨而言都能夠漫散射光。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，該器件包括至少一個發(fā)射輻射的半導體芯片、至少一個布置在半導體芯片的下游的轉換器元件，用于將由半導體芯片在工作時所發(fā)射的電磁輻射進行轉換，其中轉換器元件在以環(huán)境光照射時發(fā)射有色光。此外，該光電子半導體器件包括用于漫散射光的裝置。用于漫散射光的裝置被設立，以便在該器件的關斷的工作狀態(tài)下將射到該器件上的環(huán)境光進行散射來使得該器件的光出射面顯現(xiàn)為白色。在此所描述的光電子半導體器件在此尤其是基于如下認知如果所描述的用于漫散射光的裝置并不存在，則在該器件的關斷的工作狀態(tài)下使該半導體器件對于外部觀察者而言顯現(xiàn)為有色的。在這種情況下，該器件的光耦合輸出面由于有轉換器元件而顯現(xiàn)為有色的。轉換器元件在以環(huán)境光照射時因此重發(fā)射有色光，因為在環(huán)境光中同樣存在對于轉換器元件進行激勵的成分。例如，轉換器元件將射出的藍色光轉換成黃色光。該器件因此在關斷的工作狀態(tài)下在其光耦合輸出面上顯現(xiàn)為不同于在接通的工作狀態(tài)下的顏色?，F(xiàn)在為了避免這種干擾性的有色色彩印象，在此所描述的器件利用如下構思有針對性地將用于漫散射光的裝置定位于光電子半導體器件的光路中的至少一個位置上。光路是由半導體芯片發(fā)射的電磁輻射直至通過該器件的光出射面耦合輸出所經過的路徑。光路中的所引入的用于漫散射光的裝置導致，在從外部通過光耦合輸出面入射的光落到轉換器元件上之前，該從外部通過光耦合輸出面入射的光被散射。由于用于漫散射光的裝置將從外部入射的環(huán)境光的整個光譜進行散射，所以該光顯現(xiàn)為白色。盡管該光的部分可以射到轉換器元件上并且有色地被重發(fā)射，然而被重發(fā)射的光在穿過用于漫散射光的裝置時又被散射并且與被散射的環(huán)境光混合。因此，與由用于漫散射光的裝置白色散射的光一起，觀察者看到由轉換器元件重發(fā)射的有色光。由于光只能通過光出射面從該器件射出，所以色彩印象僅僅通過來自出射面的光來限定?，F(xiàn)在，被散射的白色光與被重發(fā)射的有色光之比越大，則該器件的光出射面對于外部觀察者的整體印象就越白。完全特別有利地，通過用于漫散射光的裝置包括多個部件并且用于漫散射光的裝置的各個部件可以被安置在該器件的不同位置處并且以不同的濃度來安置，該器件的光出射面的外部色彩印象可以簡單地被調節(jié)。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，用于漫散射光的裝置包括基質材料，散射輻射的顆粒(也為漫射體顆粒)被引入到該基質材料中。優(yōu)選地，基質材料是對于由半導體芯片產生的電磁輻射而言是透明的材料，以便在該器件工作時保證從該器件中的盡可能高的輻射耦合輸出?；|材料可以是透明的塑料材料，如硅樹脂、環(huán)氧化物或者由硅樹脂和環(huán)氧化物構成的混合物。例如，基質材料包含這些材料之一。散射輻射的顆粒被引入到該基質材料中，這些散射輻射的顆粒將入射到基質材料上的輻射進行漫散射。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，散射輻射的顆粒至少包括來自如下材料的顆粒氧化硅(3102)、&02、1102和/或41找。例如，氧化鋁可以是A1203。散射輻射的顆粒在引入到半導體器件中之前與基質材料混雜。優(yōu)選地，散射輻射的顆粒分布在基質材料中，使得散射輻射的顆粒在硬化的基質材料中的濃度是均勻的。優(yōu)選地，由硬化的基質材料反射的光各向同性地被反射和被散射。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，散射輻射的顆粒在基質材料中的濃度高于6重量％。曾表明的是，從散射輻射的顆粒的這樣的濃度起產生了對于外部觀察而言為白色的色彩印象，并且所散射的白色光與由轉換器重發(fā)射的有色的(例如黃色的)光疊加。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，轉換器元件和用于漫散射光的裝置彼此直接接觸。例如，用于漫散射光的裝置包括散射光的薄膜。也就是說，薄膜沿著半導體器件的射束出射方向直接跟隨于轉換器元件。例如，該薄膜被粘貼到轉換器元件上。優(yōu)選地，在轉換器/薄膜的邊界上既未形成間隙也未形成中斷。為了制造薄膜，在硬化之前將散射輻射的顆粒(例如由Al2O3構成的顆粒)引入到散射光的薄膜的材料中。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，用于漫散射光的裝置在轉換器元件的所有暴露的外表面上遮蓋轉換器元件。優(yōu)選地，用于漫散射光的裝置包括由基質材料構成的層，該基質材料與散射輻射的顆?；祀s?；|材料在硬化之后形成在所有暴露的外表面上遮蓋轉換器元件的層。有利地，這樣份額盡可能高的入射到該器件中的環(huán)境光已經被該層從該器件中散射掉，而不會首先射到轉換器元件上。因為該層也遮蓋轉換器元件的所有暴露的側面，所以避免了轉換器元件的側面重發(fā)射有色光。以這種方式在被反射的光中產生了盡可能高的白色成分。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，用于漫散射光的裝置包括光學元件，該光學元件至少局部地形成透鏡。例如，用于漫散射光的裝置的與散射輻射的顆?；祀s的基質材料利用硅樹脂來形成，該硅樹脂對于電磁輻射是透明的。在使基質材料硬化之后， 透鏡可以以聚光透鏡的形式來構造。此外，同樣可能的是，經硬化的透鏡材料僅僅在光出射面的區(qū)域中透鏡狀地來構造。光電子半導體器件的透鏡負責有效地將從該器件耦合輸出的輻射耦合輸出。通過將用于漫散射光的裝置成形為透鏡，滿足了雙重功能。一方面，該裝置改進了輻射的耦合輸出，另一方面負責將射到的環(huán)境光散射成白光。此外，到達該器件中的并且被轉換器有色地(例如黃色地)重發(fā)射的光在從該器件射出時通過包含在透鏡中的散射輻射的顆粒而被漫散射。通過散射黃色光，再次增強了在耦合輸出的光譜中的白色成分。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，用于漫散射光的裝置包括透光的本體的光穿透面的粗化部(Auframmg)。透光的本體可以是透鏡、板、器件的護板 (Abdeckung)等等。優(yōu)選地，粗化部是根據(jù)標準VDI 3400的粗化部，尤其是N4型到NlO型的粗化部。例如，粗化部尤其是具有1 μ m至2 μ m的平均深度，優(yōu)選為1. 5 μ m的深度。一方面，粗化部將由轉換器元件重發(fā)射的有色光進行漫散射，另一方面，粗化部將入射的環(huán)境光散射來使得光電子半導體器件的光出射面顯現(xiàn)為白色。但此外同樣可能的是，用于漫散射光的裝置除了包含光穿透面的粗化部之外還包含另一進行漫散射的部件，該另一進行漫散射的部件增強了所述的效應。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，用于漫散射光的裝置包括微結構。 例如，微結構為平面地實施的蜂房結構，這些蜂房結構作為層借助絲網印刷工藝、熱轉移方法或UV復制被涂敷在透鏡的光耦合輸出面上。同樣，微結構可以具有不同于蜂房結構的形狀和特性并且因而在結構方面沒有被確定。微結構也可以具有彼此變化的和/或隨機得到的構型。優(yōu)選地，層厚度為至少ΙΟμπι。微結構關于射到其上的電磁輻射具有衍射作用。此外，通過微結構，射到的輻射并未發(fā)生衍射。微結構因而例如并不形成衍射光柵。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，用于漫散射光的裝置包括散射光的板，該散射光的板側向突出于轉換器元件。優(yōu)選地，散射光的板是剛性的。例如，板利用與散射輻射的顆?；祀s的基質材料形成，該基質材料被硬化成板。散射光的板也可以利用陶瓷材料來形成。同樣可考慮的是，板的背離半導體芯片的、環(huán)境光所射到的側被粗化并且通過板的這種構型將射到的環(huán)境光向回漫散射(diffus zurueckstreun)并且從該器件耦合輸出。優(yōu)選地，散射光的板和轉換器元件直接接觸。為了避免來自該器件的被轉換器元件側向反射的有色輻射到達并且同時盡可能少的環(huán)境光落到轉換器元件上，散射光的板側向突出于轉換器元件。也可能的是，該板除了突出于轉換器元件之外還附加地側向突出于半導體芯片。優(yōu)選地，散射光的板突出于半導體芯片200 μ m到500 μ m左右，特別優(yōu)選地突出于半導體芯片300μπι到400μπι左右，例如突出于半導體芯片350 μ m左右。優(yōu)選地，散射光的板具有100 μ m到Imm的厚度，優(yōu)選地具有300 μ m到800 μ m的厚度，例如具有500 μ m 的厚度。有利地，通過用于漫散射光的裝置的這種構型，份額盡可能高的環(huán)境光被漫散射， 由此光出射面顯現(xiàn)為白色。根據(jù)光電子半導體器件的至少一個實施形式，用于漫散射光的裝置包括被涂敷在透鏡的外表面上的膜。外表面是透鏡的表面的背離半導體芯片的側并且形成光出射面。用于漫散射光的裝置例如以薄層的膜的形式被涂敷到透鏡的光出射面上。優(yōu)選地，膜借助粘合而被固定在透鏡上。薄層的膜除了包含基質材料之外同樣還包含散射輻射的顆粒并且由此負責將入射的環(huán)境光漫反射并且同時將由轉換器元件反射的有色光漫散射，所述由轉換器元件反射的有色光同樣通過透鏡從該器件中耦合輸出。此外，給出了一種用于制造光電子半導體器件的方法。借助該方法可以制造在此所描述的器件。也就是說，所有與器件結合公開的特征對于給方法也予以公開，反之亦然。根據(jù)該方法的至少一個實施形式，首先提供支承體元件(Traegerelement)。支承體元件例如可以是薄膜。在第二步驟中，借助絲網印刷工藝在支承體元件上形式轉換器元件。在涂敷第一模板(Schablone )之后，借助絲網印刷工藝將轉換器元件的材料例如刮刻到支承體元件上。 在涂敷材料并且可能硬化材料之后，將第一模板從支承體元件去除。轉換器元件的材料例如可以是具有硅樹脂或者由透明的陶瓷構成的層，轉換器顆粒被引入到該層中。在第三步驟中，在使用涂敷到支承體元件上的第二模板的情況下，借助第二絲網印刷工藝將用于漫散射光的裝置作為第二層涂敷到轉換器元件的所有暴露的外表面上。用于漫散射光的裝置在所有暴露的側面和背離支承體元件的上側遮蓋轉換器元件。該材料例如可以被刮刻并且緊接著被硬化。在從由轉換器元件和第二層構成的復合結構剝離支承體元件和第二模板之后，該復合結構被涂敷在發(fā)射輻射的半導體芯片上。


在下文中借助實施例和所附的附圖更為詳細地闡述了在此所描述的器件以及在此所描述的方法。圖Ia至Ih在示意性截面圖中示出了在此所描述的光電子器件的實施例。圖h、2b、3a和北示出了用于制造在此所描述的器件的至少一個實施例的各個制
造步驟。在這些實施例和附圖中，相同的或者相同作用的組成部分分別配備有相同的附圖標記。所示的元件不應被視為比例正確的，更確切地說為了更好地理解而可以夸大地示出各個元件。
具體實施例方式在圖Ia中借助示意性截面圖示出了在此所描述的帶有基本體的光電子半導體器件13，該基本體由支承體1和安置在該支承體1上的殼體2構成。在殼體2之內，半導體芯片被涂敷在支承體1的表面上。支承體1和殼體2可以利用塑料或者陶瓷形成。支承體1被構造為器件的印刷電路板或者支承體框架(弓I線框架)。半導體芯片3與支承體1導電連接。在半導體芯片3上涂敷有轉換器元件4，該轉換器元件4在器件的接通狀態(tài)下將由半導體芯片3原始發(fā)射的輻射轉換成其它波長的輻射。在本例中，轉換器元件4是光學CLC層(芯片級(Chip-Level)轉換層)，該光學CLC層將由半導體芯片3原始發(fā)射的藍色光部分地轉換成黃色光。此外，轉換元件4將從外部入射的環(huán)境光重發(fā)射并且例如將在環(huán)境光中包含的藍色光轉換成黃色光。轉換器元件4可以是利用硅樹脂或者由透明的陶瓷形成的層，轉換器顆粒被引入到該層中。在轉換元件4上涂敷有散射光的板51。散射光的板51的材料是硅樹脂，該硅樹脂在硬化成板之前與由氧化鋁構成的散射輻射的顆?；祀s。氧化鋁顆粒在散射光的板51中的濃度為6重量％。利用這種濃度實現(xiàn)了關于在該器件的關斷工作狀態(tài)下對于外部觀察者而言為白色的表現(xiàn)的最為明顯的效果。散射光的板51并不覆蓋轉換器元件4的側面。散射光的板51的側向伸展被選擇得大于轉換器元件4的側向伸展，使得散射光的板51不僅突出于轉換器元件4而且同樣在半導體芯片3的側向伸展上突出于該半導體芯片3。散射光的板51在側向突出于半導體芯片3長度B左右，該長度B為半導體芯片3的邊長的至少10%。在此，長度B為200μπι。在光電子半導體芯片的關斷的工作狀態(tài)下，這具有如下優(yōu)點盡可能少的環(huán)境光落到轉換器元件4上并且由光電子半導體器件反射出的光因而主要是白色的。此外，圖Ia示出了一種光學元件，該光學元件以透鏡6的形式來構造并且被裝配入到殼體2中。透鏡6負責有效地將由器件重發(fā)射的、被散射的或者被發(fā)射的電磁輻射耦合輸出。總輻射的僅射到透鏡6的光入射面61上的輻射成分1 通過透鏡6從該器件經由光出射面62耦合輸出。光入射面61是透鏡6的外表面的朝向半導體芯片3的部分。光出射面62是透鏡6的外表面的背離半導體芯片3的部分。透鏡6具有厚度D。厚度D是在垂直于支承體1的朝著透鏡6的表面的方向上在光入射面61與光出射面62之間的最大距離。并未射到光入射面61上的輻射成分14B并不從該器件耦合輸出。透鏡6在本實施例中由硅樹脂形成并且對于電磁輻射是透明的。透鏡6并不包含散射輻射的顆粒。僅僅通過透鏡6將到達該器件中的并且由半導體芯片3在工作時發(fā)射的電磁輻射耦合輸出，因為不僅支承體1而且殼體2都是輻射能穿透的。圖Ib示出了光電子半導體器件，其中用于漫散射光的裝置5是透鏡6。對此，透鏡的材料(在本實施例中為硅樹脂)與氧化鋁構成的散射輻射的顆粒混雜，其中所述氧化鋁構成的散射輻射的顆粒的濃度為0. 2重量％到1重量％、優(yōu)選地為0. 4重量％到0. 8重量％、 在此為0.6重量％，其中透鏡6具有1.5mm的厚度D。圖Ic如在圖Ia中那樣示出了涂敷在轉換器元件4上的散射光的板51。附加地， 除了散射光的板51之外，透鏡6的光入射面61被粗化。粗化部7的平均深度為1到2 μ m, 在此為1. 5 μ m。用于漫散射光的裝置5在圖Ic中不僅包括散射光的板51而且包括粗化部 7，并且因此由兩個用于漫散射光的部件構成。圖Id示出了用于漫散射光的裝置5的各個部件的另一組合可能性。如已經在圖 Ib中所示的那樣，氧化鋁顆粒以0. 2重量％到1重量％、優(yōu)選地為0. 4重量％到0. 8重量％、 在此為0. 6重量％的濃度被引入到透鏡6的材料中，其中透鏡6的厚度D為1. 5mm。此外， 用于漫散射光的裝置5附加地包括在透鏡6的輻射入射面61上的粗化部7。兩個部件通過這種組合增強了對入射的環(huán)境光的漫散射作用。圖Ie示出了由清澈的硅樹脂構成的透鏡6，其中光出射面62利用散射光的材料通過使用二組分注塑(Zweikomponentenspritzguss)來擠壓包封。散射光的材料圍繞透鏡 6的光出射面62形成層并且與透鏡6 —起表示用于漫散射光的裝置5。漫射材料又是硅樹脂，該硅樹脂與由氧化鋁構成的散射輻射的顆?；祀s。氧化鋁顆粒的濃度在本實施例中為 0. 5重量％，其中層厚度在理想情況下為50 μ m到100 μ m,在此為75 μ m。在圖If中，在透鏡6的光出射面62上涂敷有具有微結構52的層，該具有微結構 52的層起到用于漫散射光的裝置5的物理作用。在本實施例中，涉及具有平面實施的蜂房結構形式的微結構52的層，該具有平面實施的蜂房結構形式的微結構52的層作為層借助絲網印刷、熱轉移式印刷方法或者UV復制被涂敷到透鏡6的光出射面62上。層厚度在此為 50 μ m0圖Ig示出了其中用于散射光的裝置5以膜53的形式被粘貼到透鏡6的光出射面 62上的光電子半導體器件。膜53可以是薄膜形式的薄層，該薄膜形式的薄層利用硅樹脂來形成。優(yōu)選地，膜53具有30 ym到500 μ m的厚度。在本實施例中，膜53選擇為250 μ m厚。在膜53中引入由氧化鋁構成的濃度為0. 5重量％到1重量％、在此為0. 75重量％ 的顆粒。膜53在這種情況下用作用于漫散射光的裝置。圖Ih示出了其中透鏡6的光出射面62被粗化并且粗化部7為用于漫散射光的裝置5的光電子半導體器件。優(yōu)選地，粗化部7具有為1 μπι到2 ym的平均深度，優(yōu)選地具有1.5 μπι的平均深度。結合圖h、2b、3a和北參照示意性截面圖闡述了在此所描述的用于制造根據(jù)至少一個實施形式的器件的方法。圖加示出了用作用于制造工藝的支承體元件9的薄膜。在支承體元件9上涂敷有第一模板8。借助加印裝置(Aufdruckmittel)(在該例子中涉及刮板12)將轉換器元件 4的材料引入到模板8的開口中。轉換器元件4的材料可以是具有硅樹脂或者由陶瓷材料構成的層，轉換器顆粒被引入到該層中。在借助絲網印刷將轉換器元件4涂敷到模板8上并且必要時使該材料硬化之后，模板8從支承體元件9和從轉換器元件4被去除。轉換器元件4形成支承體元件9上的第一層。在第二步驟中，第二模板10被涂敷到支承體元件9上并且借助第二絲網印刷工藝在使用刮板12的情況下將用于漫散射光的裝置刮刻到第二模板10上作為第二層11。第二層11在所有暴露的外表面上遮蓋轉換器元件4并且與轉換器元件4直接接觸，參見圖2b。 在將第二層11涂敷到轉換器元件4上之后，第二模板10不僅從支承體元件9而且從由轉換器元件4和第二層11構成的復合結構被去除。第二層11不僅可以是第二轉換器層，而且可以是配備有散射輻射的顆粒的層。例如，在此涉及轉換器層，該轉換器層將由轉換器元件4發(fā)射的光部分地轉換成其它顏色的光。如果涉及第二轉換器層11a，則該過程可以重復并且在第三或者其它步驟中將用于漫散射光的裝置5涂敷到第二轉換器層Ila上。對在此所描述的絲網印刷方法可替換地，粘性的介質被滴落到模板8或10上。借助旋涂(Spin-Coating)工藝緊接著將該材料分布到支承體元件9的表面上并且接著可以使該材料硬化。在最后的方法步驟中，支承體元件9從由轉換器元件4和第二層11構成的復合結構被去除，參見圖3a和北。緊接著，該復合結構被涂敷到發(fā)射輻射的半導體芯片3上。涂敷可以借助粘合、焊接或者小板轉移(Plaettchentransfer)來實現(xiàn)。本發(fā)明并不通過參照實施例的描述來限制。更確切地說，本發(fā)明把任意新特征以及任意特征組合考慮進去，這尤其是包含權利要求書中的任意特征組合，即使該特征或者該組合本身沒有明確地在權利要求書或者實施例中被說明。
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權利要求
1.一種光電子半導體器件，其具有-至少一個發(fā)射輻射的半導體芯片(3);-至少一個設置在半導體芯片(3)的下游的轉換器元件(4)，用于轉換由半導體芯片 (3)在工作時所發(fā)射的電磁輻射，其中轉換器元件(4)在用環(huán)境光照射時發(fā)射有色光；-用于漫散射光的裝置(5)，所述用于漫散射光的裝置(5)被設立為在該器件的關斷的工作狀態(tài)下將射到該器件上的環(huán)境光進行散射，使得該器件的光出射面(62)顯現(xiàn)為白色。
2.根據(jù)權利要求1所述的光電子半導體器件，其中，用于漫散射光的裝置(5)包括如下基質材料散射輻射的顆粒被引入到該基質材料中。
3.根據(jù)權利要求2所述的光電子半導體器件，其中，散射輻射的顆粒由以下材料中的至少一個構成或者包含以下材料之一 Si02、ZrO2, TiO2或者Alx0y。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的光電子半導體器件，其中，散射輻射的顆粒在基質材料中的濃度大于6重量％。
5.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中，轉換器元件(4)和用于漫散射光的裝置(5)彼此直接接觸。
6.根據(jù)權利要求5所述的光電子半導體器件，其中，用于漫散射光的裝置(5)在轉換器元件(4)的所有暴露的外表面上遮蓋轉換器元件(4)。
7.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中，用于漫散射光的裝置(5) 包括光學元件，該光學元件至少局部地形成透鏡(6)。
8.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中，用于漫散射光的裝置(5) 包括透光的本體(6)的光穿透面(61，62)的粗化部(7)。
9.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中，用于漫散射光的裝置(5) 包括微結構(52)。
10.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中，用于漫散射光的裝置(5) 包括散射光的板(51)，所述散射光的板(51)側向地突出于轉換器元件(4)。
11.根據(jù)上述權利要求之一所述的光電子半導體器件，其中，用于漫散射光的裝置(5) 包括涂敷在透鏡(6)的外表面上的膜(53)。
12.一種用于制造根據(jù)權利要求6所述的光電子半導體器件的方法，其具有如下步驟-提供支承體元件(9)；-借助第一絲網印刷工藝在支承體元件(9)上形成轉換器元件(4)，-借助第二絲網印刷工藝在轉換器元件(4)的暴露的外表面上形成用于漫散射光的裝置(5)，-剝離支承體元件(9)，-將由轉換器元件(4)和用于漫散射光的裝置(5)構成的復合結構涂敷在發(fā)射輻射的半導體芯片(3)上。
全文摘要
給出了一種光電子半導體器件，其具有至少一個發(fā)射輻射的半導體芯片(3)；至少一個布置在半導體芯片(3)的下游的轉換器元件(4)，用于轉換由半導體芯片(3)在工作時所發(fā)射的電磁輻射，其中轉換器元件(4)在用環(huán)境光照射時發(fā)射有色光；用于漫散射光的裝置(5)，所述用于漫散射光的裝置(5)被設立來在該器件的關斷工作狀態(tài)下將射到該器件上的環(huán)境光進行散射，使得該器件的光出射面(62)顯現(xiàn)為白色。
文檔編號H01L33/50GK102272955SQ200980153426
公開日2011年12月7日 申請日期2009年10月27日 優(yōu)先權日2008年10月30日
發(fā)明者E. 佐爾格 J., 恩格爾 M., 賴希 M., 蔡勒 T., 施特雷佩爾 U. 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司