專利名稱：預(yù)先模鑄成形且封裝黏著的多晶粒半導(dǎo)體封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請大體而言涉及半導(dǎo)體裝置及用于制造該裝置的方法。更特別地，本申請描述了含有多個(gè)晶粒的半導(dǎo)體封裝及用于制造該封裝的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝在本領(lǐng)域中是公知的。通常，所述封裝可包括一或多個(gè)半導(dǎo)體裝置 (諸如集成電路(“IC”)晶粒)，其可連接至在形成在引線框架中央的晶粒座。在一些情況下，接合引線(bond wire)將該IC晶粒電連接至一系列端子，所述端子充當(dāng)與外部裝置 (諸如，印刷電路板(PCB)的電連接。可使用囊封材料來覆蓋所述接合引線、所述IC晶粒、所述端子和/或其它組件以形成所述半導(dǎo)體封裝的外部。所述端子的一部分以及可能地所述晶粒座的一部分可自所述囊封材料暴露于外部。以此方式，可保護(hù)晶粒免受環(huán)境危險(xiǎn)-諸如，潮濕、污染、腐蝕及機(jī)械沖擊-同時(shí)電連接且機(jī)械連接至在所述半導(dǎo)體封裝外部的預(yù)期
直ο在所述半導(dǎo)體封裝形成后，其通常用于日漸增長的電子應(yīng)用種類之中，諸如，磁盤驅(qū)動器、USB控制器、便攜式計(jì)算機(jī)裝置、移動電話等等。取決于晶粒及電子應(yīng)用，所述半導(dǎo)體封裝可高度微型化且可需要盡可能小。在許多情形下，每一半導(dǎo)體封裝僅含有包含IC裝置的單個(gè)晶粒。因此，每一半導(dǎo)體封裝的功能性通常限于晶粒所含的特定IC裝置的功能。

發(fā)明內(nèi)容
本申請涉及含有多個(gè)晶粒的半導(dǎo)體封裝及用于制造該封裝的方法。所述半導(dǎo)體封裝含有具有多個(gè)晶粒的引線框架且還含有連接所述晶粒的單個(gè)預(yù)先模鑄成形的夾件 (clip)。所述預(yù)先模鑄成形的夾件將源極晶粒及柵極晶粒的焊接座經(jīng)由間隙部連接至所述引線框架的源極及柵極。所述晶粒上及所述間隙部上的所述焊接座提供大體上平坦的表面，所述預(yù)先模鑄成形的夾件附著至所述表面。當(dāng)與引線接合(wirebonded)連接相比時(shí)， 該配置增加互連的橫截面積，由此改善所述半導(dǎo)體封裝的電性能(導(dǎo)通電阻(RDSon))及熱性能。相對于使用引線接合連接的類似半導(dǎo)體封裝而言，該配置還降低了成本。


可根據(jù)附圖更好地理解下面的描述，其中圖1示出了用于制造半導(dǎo)體封裝的面板化預(yù)先模鑄成形的夾件的一些實(shí)施例；圖2示出了用于制造半導(dǎo)體封裝的面板化模鑄成形的夾件的一些實(shí)施例；圖3和圖4分別示出了用于半導(dǎo)體封裝中的預(yù)先模鑄成形的夾件的一些實(shí)施例的俯視圖及仰視圖；以及圖5示出了用于半導(dǎo)體封裝中的引線框架的一些實(shí)施例以及間隙部特征結(jié)構(gòu)的特寫；圖6A和圖6B示出了一些實(shí)施例中的間隙部特征結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)頂層特征結(jié)構(gòu)之間的比較；圖7示出了具有用于半導(dǎo)體封裝中的具有多個(gè)晶粒的引線框架的一些實(shí)施例；圖8示出了涂覆至晶粒及間隙部的焊膏的一些實(shí)施例圖9示出了可用于半導(dǎo)體封裝中的預(yù)先模鑄成形的夾件的一些實(shí)施例；圖10示出了可用于半導(dǎo)體封裝中的引線接合的一些實(shí)施例；圖11和圖12示出了經(jīng)囊封的半導(dǎo)體封裝的一些實(shí)施例。所述附圖示出了含有多個(gè)晶粒的半導(dǎo)體封裝及用于制造所述封裝的方法的特定方面。各附圖與下面的描述一起說明并解釋所述方法的原理及由此方法產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)。在附圖中，為了清楚起見，放大了層及區(qū)域的厚度。還應(yīng)理解，當(dāng)一層、組件或基板被稱為在另一層、組件或基板“上”時(shí)，其可直接在所述另一層、組件或基板上，或還可存在介入層。不同附圖中的相同附圖標(biāo)記表示相同組件，且因此將不重復(fù)其描述。
具體實(shí)施例方式下文的描述提供了特定細(xì)節(jié)以便提供徹底理解。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解可在不使用所述特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施并使用所述半導(dǎo)體封裝及使用該封裝的相關(guān)聯(lián)方法。實(shí)際上，所述裝置及相關(guān)聯(lián)方法可通過修改所示出的裝置及相關(guān)聯(lián)方法而投入實(shí)踐并且可結(jié)合傳統(tǒng)的用于該工業(yè)中的任何其它設(shè)備及技術(shù)來使用。舉例而言，雖然下文描述著重于用于制造IC工業(yè)中的半導(dǎo)體裝置的方法，但其可用于且適用于其它電子裝置，如光電裝置、太陽能電池、微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)結(jié)構(gòu)、照明控制器、電源及放大器。含有由預(yù)先模鑄成形的夾件連接的多個(gè)晶粒的半導(dǎo)體封裝及用于制造該封裝的方法的一些實(shí)施例展示于附圖中。在一些實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置以四方、扁平無引線 (QFN)半導(dǎo)體封裝的形式提供。在其它實(shí)施例中，該半導(dǎo)體裝置以電源四方、扁平無引線 (PQFN)半導(dǎo)體封裝的形式提供。該半導(dǎo)體封裝可使用任意提供在此說明和描述的結(jié)構(gòu)的方法制造。在一些實(shí)施例中，用于制造半導(dǎo)體封裝的方法提供用于產(chǎn)生預(yù)先模鑄成形的夾件的第一引線框架。如圖1 所示，如本領(lǐng)域所公知，第一引線框架10通過金屬沖壓或蝕刻以產(chǎn)生框架12來制造，所述框架12含有具有期望形狀的多個(gè)面板14，所述面板14由連桿16彼此連接。該引線框架 10可由本領(lǐng)域公知的任何導(dǎo)電材料制成，所述材料包括Cu、Cu合金、Ni-Pd，Ni-Pd-Au或其組合。在一些實(shí)施例中，該第一引線框架10包含Cu。圖1描述了具有六個(gè)獨(dú)立面板14的引線框架10。每對面板可與在所述面板之間的連桿16分離并且用作如在此所描述的預(yù)先模鑄成形的夾件。因此，每一引框架10可用于制造3個(gè)預(yù)先模鑄成形的夾件，其中每個(gè)夾件由一對面板14制成。引線框架10可以只有2個(gè)面板(以制造1個(gè)預(yù)先模鑄成形的夾件)及可以具有所期望的多個(gè)面板(以制造一半數(shù)目的預(yù)先模鑄成形的夾件)，只要引線框架的總尺寸適合于模鑄成形設(shè)備。接著，如圖2所示，引線框架10可由模鑄成形材料18囊封。該模鑄成形材料18 通過任意已知囊封工藝(包括灌封、轉(zhuǎn)移模鑄成形或注入)在所述面板的側(cè)面及所述面板的部分底表面的周圍形成。在圖2中示出了含有所述面板14的得到的部分模鑄成形的引線框架20。面板14在模鑄成形的引線框架20內(nèi)仍經(jīng)由連桿16彼此連接。該模鑄成形的引線框架20可接著分離為描繪于圖3(俯視圖)及圖4(仰視圖)
5中的單獨(dú)的模鑄成形的夾件引線框架25 (或預(yù)先模鑄成形的夾件)?？墒褂帽绢I(lǐng)域中已知的任何工藝執(zhí)行此分離，包括沖切成形工藝或鋸切成形工藝。在該工藝期間，移除連接面板 14的連桿16以使得僅保留面板14。在圖4示出的一些實(shí)施例中，該囊封工藝僅覆蓋該面板的部分下表面。未經(jīng)囊封的所述面板的底部上的暴露表面將用作互連表面。接著，可提供半導(dǎo)體封裝的引線框架(或基礎(chǔ)引線框架)。在一些實(shí)施例中，如圖 5所示，引線框架30具有3個(gè)部分(晶粒黏接焊盤或DAP) 34,36及38，所述晶粒將位于所述3個(gè)部分上。如本領(lǐng)域所公知，例如所述引線框架30可由金屬沖壓或蝕刻制造。引線框架30可由本領(lǐng)域已知的導(dǎo)電材料制成，該材料包括Cu、Cu合金、Ni-Pd, Ni-Pd-Au或其組合。在一些實(shí)施例中，引線框架30包含Cu。引線框架30可配置成最小化這些晶粒所需的頂層特征結(jié)構(gòu)的長度，這些晶粒稍后將置放于引線框架30上。通過最小化該頂層特征結(jié)構(gòu)的長度，可增加DAP的長度。在一些配置中，該頂層特征結(jié)構(gòu)被配置成圖5所述的折疊間隙部(folded standoff) 320雖然圖 5示出了兩個(gè)間隙部特征結(jié)構(gòu)，但所述半導(dǎo)體封裝可含有一個(gè)間隙部并且甚至可含有3個(gè)或3個(gè)以上間隙部特征結(jié)構(gòu)。此特征結(jié)構(gòu)的特寫示出了間隙部32在垂直方向上自引線框架30的側(cè)面延伸。該間隙部可具有與在此描述的其功能相符的任何長度及寬度。在一些實(shí)施例中，該間隙部可具有約40米的長度以及約5米的寬度。該間隙部可配置成相對于該引線框架或DAP的鄰近邊緣偏置或齊平。在其中該間隙部可配置成齊平的實(shí)施例在圖5中被描繪為間隙部32。在其中該間隙部可配置成偏置的實(shí)施例在圖5中被描繪為間隙部31。由該間隙部32添加的額外長度(相對于引線框架30的基座而言)取決于所述晶粒的厚度，因?yàn)殚g隙部32的上表面將大體上與將附著至DAP的晶粒的上表面齊平。在圖6A和圖6B中示出了間隙部特征結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的頂層特征結(jié)構(gòu)的比較。在圖6A 的上部示出了一個(gè)常規(guī)的頂層特征并且所述常規(guī)的頂層特征包含向上延伸的短區(qū)段35及向引線框架的近區(qū)段延伸的長區(qū)段37。由于此常規(guī)的構(gòu)造，該常規(guī)的頂層特征需要引線框架的一區(qū)段(通常為DAP)至下一區(qū)段之間的距離為約1. 195mm。然而，使用該折疊間隙部的構(gòu)造允許該距離縮短至約0. 5mm。但是，在其它實(shí)施例中，該間隙部可由圖6B中示出的階梯特征結(jié)構(gòu)39進(jìn)行構(gòu)造。如圖7所示，一旦已形成具有DAP 34、36和38的引線框架30，則接著將晶粒42、 44和46設(shè)置到引線框架30上。在附圖所示出的實(shí)施例中，使用三個(gè)晶粒。但在其它實(shí)施例中，可使用2個(gè)晶粒或甚至4個(gè)或4個(gè)以上晶粒。所述晶?？蔀楸绢I(lǐng)域公知的任何半導(dǎo)體晶粒，包括由硅或任何其它公知的半導(dǎo)電材料制成的晶粒。在一些實(shí)施例中，所述晶粒可含有本領(lǐng)域公知的任何IC裝置。任何給定晶粒中的 IC裝置可與任何其它晶粒中所使用的IC裝置相同或不同。所述IC裝置的一些非限制實(shí)例包括音頻放大器、LD0、邏輯驅(qū)動器、信號交換器或其組合。在其它實(shí)施例中，所述晶粒還可含有分立器件。任何給定晶粒中的所述分立器件可與任何其它晶粒中所使用的分立器件相同或不同?？墒褂帽绢I(lǐng)域公知的任何分立器件， 包括二極管及/或晶體管。所述分立器件的實(shí)例包括齊納二極管(zener diode)、肖特基二極管(schot tky diode)、小信號二極管、雙極結(jié)型晶體管(“BJT”)、金屬氧化物半導(dǎo)體型場效晶體管(“M0SFET”)、絕緣柵極雙極型晶體管(“ IGBT”)、絕緣柵極場效應(yīng)管(“IGFET”) 或其組合。在一些實(shí)施例中，分立器件134包含MOSFET器件。在又一些其它實(shí)施例中，所述晶粒還可含有無源器件。任何給定晶粒中的所述無源器件可與任何其它晶粒中所使用的無源器件相同或不同?？墒褂帽绢I(lǐng)域中已知的任何無源器件，包括電容器、電感器、電阻器、濾波器或其組合。在又一些其它實(shí)施例中，所述晶?？珊蠭C裝置、分立器件及無源器件的任何組合。舉例而言，在所述附圖示出的實(shí)施例中，晶粒42含有M0SFET，晶粒44含有M0SFET，且晶粒46含有控制IC裝置。可使用任何已知工藝制造具有IC裝置、無源器件及/或分立器件的晶粒。在一些實(shí)施例中，可分別地制造三個(gè)晶粒。但在其它實(shí)施例中，可大體上同時(shí)制造所有的晶粒。所述晶粒可利用任何已知工藝被附著至引線框架30。在一些實(shí)施例中，此工藝包括使用焊料凸塊法的覆晶工藝，其可包括使用焊料凸塊、球、栓及其組合以及焊膏，繼之以固化及回流焊工藝。在其它實(shí)施例中，附著工藝包括使用導(dǎo)電粘著劑的覆晶工藝。該導(dǎo)電粘著劑可為例如導(dǎo)電環(huán)氧樹脂、導(dǎo)電膜、可絲網(wǎng)印刷的焊膏或焊接材料，諸如含引線的焊料或無引線的焊料。接著，預(yù)先模鑄成形的夾件25附著至所期望的晶粒(也就是，晶粒42及晶粒44)。 可使用本領(lǐng)域中已知的任何工藝進(jìn)行此附著。在一些實(shí)施例中，附著工藝通過在將附著預(yù)先模鑄成形的夾件的位置上提供任何已知焊膏50開始。因此，如圖8所示，焊膏50提供于晶粒42、晶粒44的上表面及兩個(gè)間隙部25的上表面上?？墒褂帽绢I(lǐng)域中已知的任何方法提供焊膏50。預(yù)先模鑄成形的夾件25的底表面接著使用焊膏50附著至所述晶粒。預(yù)先模鑄成形的夾件25被附著以使得預(yù)先模鑄成形的夾件25的底表面上的所暴露連接被連接至所述晶粒中所含的不同器件的期望部分。在一些實(shí)施例中，預(yù)先模鑄成形的夾件25被附著至晶粒以使得晶粒42的源極經(jīng)由所述引線框架電連接至晶粒44的漏極。在一些實(shí)施例中，該預(yù)先模鑄成形的夾件可附著至所有3個(gè)晶粒。在上文描述的方法中，在引線框架30之前，制造預(yù)先模鑄成形的夾件25。但是，在其它實(shí)施例中，可大體與引線框架30同時(shí)或甚至在引線框架30之后而非在其之前制造預(yù)先模鑄成形的夾件25。夾件引線框架已附著至所期望晶粒之后的所得結(jié)構(gòu)被在圖9中示
出ο若需要，則可在不同晶粒之間及/或在晶粒與引線框架30之間進(jìn)行額外連接。在一些實(shí)施例中，可通過本領(lǐng)域中公知的任意引線接合工藝進(jìn)行該額外連接。作為引線接合的實(shí)例，晶粒的所期望部分可在晶粒的所期望位置上及引線框架的所期望位置上具備接觸點(diǎn)。此后，自其它晶粒及/或引線框架30上的所期望連接點(diǎn)的接觸點(diǎn)形成引線接合55以形成電連接。引線接合陽可由在本領(lǐng)域中公知的任意工藝并且由本領(lǐng)域中公知的任意導(dǎo)電材料(包括金或銅)形成。在圖10中示出了已形成引線接合55之后的所得結(jié)構(gòu)。接著，所得結(jié)構(gòu)經(jīng)囊封以形成完成的半導(dǎo)體封裝100。如在圖11中所示出的，所述晶粒、所述預(yù)先模鑄成形的夾件25、引線接合55及引線框架30的大部分可囊封于本領(lǐng)域公知的任意模鑄成形材料130中。圖12描述了為了觀看內(nèi)部部件以透明材料進(jìn)行的囊封。 在一些實(shí)施例中，模鑄成形材料130可包含環(huán)氧樹脂模鑄成形化合物、熱固性樹脂、熱塑性材料或灌封材料。在其它實(shí)施例中，棋鑄成形材料包含環(huán)氧樹脂模鑄成形化合物。在該囊封工藝期間，引線框架30的特定側(cè)面未經(jīng)囊封，由此形成半導(dǎo)體封裝100的端子105。由此工藝形成的半導(dǎo)體封裝含有兩個(gè)(或兩個(gè)以上)晶粒，所述晶粒具有經(jīng)由單個(gè)預(yù)先模鑄成形的夾件彼此連接的裝置。該預(yù)先模鑄成形的夾件25通過使用在定位所述晶粒的引線框架上的間隙部保持大體上平坦。當(dāng)與使用的傳統(tǒng)的引線接合相比時(shí)，該預(yù)先模鑄成形的夾件增加互連的橫截面積。通過增加的橫截面積，該半導(dǎo)體封裝的電性能 (RDSon)及熱效能得以改善。在一些組態(tài)中，一類型的傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝使用8根銅線連接所述晶粒。因?yàn)樗鼍€其有約2米的直徑，所以互連的橫截面積為約25平方米。但將預(yù)先模鑄成形的封裝用于相同互連(但其有長度為約40米且寬度為約5米的折疊間隙部)提供約200平方米的橫截面積，進(jìn)而產(chǎn)生約700%的增加。除了任何前面所指示的修改外，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)許多其它變化及替代設(shè)置而不背離本說明書的精神與范疇，且所附的權(quán)利要求旨在覆蓋這些修改和設(shè)置。 因此，雖然已在上文結(jié)合當(dāng)前被視為最實(shí)用且較優(yōu)先的內(nèi)容以特定性及細(xì)節(jié)描述了信息， 但可進(jìn)行包括但不限于形式、功能、操作方式及用途的許多修改而不背離本文中所闡述的原理及概念，這對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言是顯而易見的。且，如本文中所使用的，示例意味著僅是說明性的并且不應(yīng)該被認(rèn)為以任何方式加以限制。
8
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，其包含第一晶粒的底表面，所述第一晶粒的底表面連接至引線框架的上表面；第二晶粒的底表面，所述第二晶粒的底表面連接至所述引線框架的上表面；及預(yù)先模鑄成形的夾件，其連接至所述第一晶粒的上表面、所述第二晶粒的上表面、且連接至形成于所述引線框架的上表面上的間隙部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述引線框架的所述上表面含有復(fù)數(shù)個(gè)間隙部，所述預(yù)先模鑄成形的夾件的底表面連接至所述復(fù)數(shù)個(gè)間隙部。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述間隙部形成于所述引線框架的柵極及源極引線柱上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還進(jìn)一步包含第三晶粒，其中所述第三晶粒的底表面連接至引線框架的上表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第三晶粒通過引線接合連接至所述第一晶粒及所述第二晶粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一晶粒、所述第二晶粒、所述第三晶粒或這些晶粒的組合通過引線接合連接至所述引線框架。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包含囊封所述第一晶粒、所述第二晶粒及所述預(yù)先模鑄成形的夾件的模鑄成形材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述模鑄成形材料還囊封所述引線框架，但除所述引線框架的側(cè)面的一部分之外。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述間隙部可具有折疊結(jié)構(gòu)、偏置結(jié)構(gòu)，或階梯結(jié)構(gòu)。
10.一種半導(dǎo)體封裝，其包含第一晶粒的底表面，所述第一晶粒的底表面連接至引線框架的上表面；第二晶粒的底表面，所述第二晶粒的底表面連接至所述引線框架的上表面；及預(yù)先模鑄成形的夾件，其連接至所述第一晶粒的上表面、所述第二晶粒的上表面、且連接至形成于所述引線框架的上表面上的復(fù)數(shù)個(gè)間隙部。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述間隙部形成于所述引線框架的柵極及源極引線柱上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，還包含第三晶粒，其中所述第三晶粒的底表面連接至引線框架的上表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第三晶粒通過引線接合連接至所述第一晶粒及所述第二晶粒。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述第一晶粒、所述第二晶粒、 所述第三晶?；蜻@些晶粒的組合通過引線接合連接至所述引線框架。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，還包含囊封所述第一晶粒、所述第二晶粒及所述預(yù)先模鑄成形的夾件的模鑄成形材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述模鑄成形材料還囊封所述引線框架，但除作為所述半導(dǎo)體封裝的端子的所述引線框架的側(cè)面的一部分之外。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述間隙部可具有折疊結(jié)構(gòu)、偏置結(jié)構(gòu)，或階梯結(jié)構(gòu)。
18.一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包含以下步驟 提供引線框架，所述引線框架具有含有隙部的上表面； 將第一晶粒的底表面連接至所述引線框架的上表面； 將第二晶粒的底表面連接至所述引線框架的上表面；及將預(yù)先模鑄成形的夾件連接至所述第一晶粒的上表面、所述第二晶粒的上表面、且連接至所述間隙部。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述引線框架的所述上表面含有復(fù)數(shù)個(gè)間隙部，所述預(yù)先模鑄成形的夾件的底表面連接至所述復(fù)數(shù)個(gè)間隙部。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其進(jìn)一步包含以下步驟將第三晶粒的底表面連接至引線框架的上表面。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其進(jìn)一步包含以下步驟通過引線接合將所述第三晶粒連接至所述第一晶粒及所述第二晶粒。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其進(jìn)一步包含以下步驟提供一模鑄成形材料以囊封所述第一晶粒、所述第二晶粒、及所述預(yù)先模鑄成形的封裝。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述模鑄成形材料還囊封所述引線框架，但除作為所述半導(dǎo)體封裝的端子的所述引線框架的側(cè)面的一部分之外。
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述間隙部可具有折疊結(jié)構(gòu)、偏置結(jié)構(gòu)，或階梯結(jié)構(gòu)。
25.一種用于制造半導(dǎo)體封裝的方法，其包含以下步驟 提供引線框架，所述引線框架具有含有間隙部的上表面；將第一晶粒的底表面連接至所述引線框架的上表面以使得所述第一晶粒的上表面大體上與所述間隙部齊平；將第二晶粒的底表面連接至所述引線框架的上表面以使得所述第二晶粒的上表面大體上與所述間隙部齊平；由獨(dú)立引線框架形成預(yù)先模鑄成形的夾件；將所述預(yù)先棋鑄成形的夾件連接至所述第一晶粒的上表面、所述第二晶粒的上表面、 且連接至所述間隙部；及提供模鑄成形材料以囊封所述第一晶粒、所述第二晶粒、所述預(yù)先模鑄成形的夾件及所述引線框架，但除作為所述半導(dǎo)體封裝的端子的所述引線框架的側(cè)面的一部分之外。
全文摘要
本發(fā)明描述了含有多個(gè)晶粒的半導(dǎo)體封裝及用于制造該封裝的方法。所述半導(dǎo)體封裝含有具有多個(gè)晶粒的引線框架且還含有連接所述晶粒的單個(gè)預(yù)先模鑄成形的夾件。所述預(yù)先模鑄成形的夾件將源極晶粒及柵極晶粒的焊接座經(jīng)由間隙部連接至所述引線框架的源極和柵極。所述晶粒上及所述間隙部上的所述焊接座提供大體上平坦的表面，所述預(yù)先模鑄成形的夾件附著至所述表面。當(dāng)與引線接合連接相比時(shí)，該配置增加互連的橫截面積，由此改善了所述半導(dǎo)體封裝的電性能(RDSon)及熱性能。相對于使用引線接合連接的類似半導(dǎo)體封裝而言，該配置還降低了成本。本發(fā)明還描述了其它實(shí)施例。
文檔編號H01L23/495GK102217062SQ200980141793
公開日2011年10月12日 申請日期2009年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月31日
發(fā)明者阿爾曼德·文森特·C.·葉雷薩 申請人:仙童半導(dǎo)體公司