專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在通過利用天線的無線通信而進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā)的半導(dǎo)體裝置(所述半導(dǎo)體裝置被稱為非接觸型信號(hào)處理裝置、半導(dǎo)體集成電路芯片、IC芯片等)中，有因靜電放電等而使半導(dǎo)體裝置受到損壞(靜電損壞)的問題。靜電損壞是會(huì)在制造階段、測(cè)試階段、產(chǎn)品使用階段等所有階段上引起可靠性降低和生產(chǎn)率降低的嚴(yán)重問題。因此展開針對(duì)該問題對(duì)策的研究(例如參照專利文獻(xiàn)1)。在專利文獻(xiàn)1中，通過使用導(dǎo)電聚合物作為半導(dǎo)體裝置的襯底或粘合劑，來防止靜電損壞。[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請(qǐng)公開2007-241999號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
隨著上述半導(dǎo)體裝置的市場(chǎng)擴(kuò)大，半導(dǎo)體裝置需要具有更多樣的形狀和更高的特性。因此，需要抗靜電損壞性高且具有各種所需特性的半導(dǎo)體裝置。另外，還需要以更簡(jiǎn)單的方法制造具有充分的特性的半導(dǎo)體裝置。鑒于上述問題，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的目的在于提供一種減少了起因于靜電放電等的特性不良的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的另一目的在于以簡(jiǎn)單的方法提供上述半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的另一目的在于提供一種抗外部沖擊的高可靠性半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的另一目的在于提供一種減少了隨時(shí)間的形狀和特性變化的半導(dǎo)體裝置。 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體裝置的最外表面上形成第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層，以提高抗靜電損壞性。另外，當(dāng)分割成獨(dú)立的半導(dǎo)體裝置時(shí)，通過使用使絕緣體以及導(dǎo)電層熔化的方法(例如激光照射)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體裝置進(jìn)行分割，能夠使導(dǎo)電層導(dǎo)通。另外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體裝置的相對(duì)表面上配置第一絕緣體及第二絕緣體，使得半導(dǎo)體裝置具有抗外部沖擊性。這些絕緣體還可以用作制造半導(dǎo)體裝置時(shí)的貼合步驟中的粘合劑。另外，用作粘合劑的第一絕緣體及第二絕緣體由相同材料形成，從而能夠減少隨時(shí)間的形狀和特性的變化。另外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，在電路部上和天線上設(shè)置絕緣膜，以進(jìn)一步減少隨時(shí)間的形狀和特性的變化。另外，這些絕緣膜在周圍區(qū)域中彼此直接接觸。注意，周圍區(qū)域是指包括薄膜晶體管的電路部的周圍區(qū)域。就是說，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式是一種半導(dǎo)體裝置，其至少具有如下三個(gè)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)(1)在周圍區(qū)域中，電路部上的第一絕緣膜與天線上的第二絕緣膜彼此直接接觸的結(jié)構(gòu)；(2)在周圍區(qū)域中，電路部上的第一絕緣膜及天線上的第二絕緣膜被去除，在第一絕緣膜和第二絕緣膜被去除的區(qū)域中用作粘合劑的第一絕緣體與第二絕緣體彼此密接的結(jié)構(gòu)；以及C3)在第一及第二絕緣體的外側(cè)的表面(沒有設(shè)置電路部等的表面)上分別設(shè)置有第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層在周圍區(qū)域的側(cè)表面導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，當(dāng)提供上述所有結(jié)構(gòu)時(shí)，它們可以提供增效作用，并因此能夠顯著提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。 當(dāng)通過上述分割使第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層導(dǎo)通時(shí)，第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層間的電阻值優(yōu)選為IGQ以下。在上述半導(dǎo)體裝置中，第一及第二絕緣體優(yōu)選為在纖維體中浸滲有有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體。在上述半導(dǎo)體裝置中，第一及第二絕緣膜優(yōu)選為氮化硅膜。氮化硅膜比氧化硅膜等致密，所以能夠高效地防止水分和氧的侵入。注意，在本說明書中，半導(dǎo)體裝置是指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的裝置。發(fā)明的效果通過在半導(dǎo)體裝置的表面上形成導(dǎo)電層，能夠防止半導(dǎo)體集成電路的靜電損壞 (電路的故障或半導(dǎo)體元件的損傷等)。另外，通過照射激光將半導(dǎo)體裝置分割成單獨(dú)的裝置，能夠以極為簡(jiǎn)單的方法提供抗靜電損壞性充分高的半導(dǎo)體裝置。另外，通過將絕緣體配置在半導(dǎo)體裝置的相對(duì)表面上，半導(dǎo)體裝置能夠具有抗外部沖擊性，并因此具有更高的可靠性。另外，采用在貼合步驟中由同一材料形成的部件彼此密接的結(jié)構(gòu)，能夠減少隨時(shí)間的半導(dǎo)體裝置的形狀和特性的變化。


圖IA至IC示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置；圖2A至2C示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖3A至3C示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖4A和4B示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖5示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖6示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖7示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖8示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖9示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖10示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)體；圖11示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用示例；圖12示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用示例；圖13A至13C示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用示例；圖14示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用示例；
圖15示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用示例；圖16A至16C示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用示例；圖17A至17G示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用示例；圖18是示出被分割后的第一和第二導(dǎo)電層間的外加電壓和電流的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式下面，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以多種方式來實(shí)施，所述技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是，其方式及詳細(xì)內(nèi)容可以在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍的情況下以各種方式修改。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在以下所述的本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，在附圖中，對(duì)相同部分或具有相同功能的部分使用相同附圖標(biāo)記指代，并且省略其重復(fù)說明。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，說明半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。由于本實(shí)施方式中的半導(dǎo)體裝置整體的膜厚度薄，為40 μ m至90 μ m，優(yōu)選為70 μ m至80 μ m，所以該半導(dǎo)體裝置具有柔性。圖IA示出在絕緣襯底上同時(shí)形成的多個(gè)半導(dǎo)體裝置的俯視圖。可以使用矩形絕緣襯底同時(shí)形成多個(gè)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。因此，與使用圓形硅晶片的情況相比，通過一個(gè)襯底可獲得的半導(dǎo)體裝置的個(gè)數(shù)增多，而能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。利用分割方法將多個(gè)半導(dǎo)體裝置分割成分離的半導(dǎo)體裝置。圖IB示出一個(gè)半導(dǎo)體裝置。圖IC示出沿圖IB的A-B線的截面圖。半導(dǎo)體裝置具有作為無線芯片等發(fā)揮作用的電路部100。電路部100具有形成在絕緣襯底上的薄膜晶體管。與形成在半導(dǎo)體襯底上的晶體管相比，上述薄膜晶體管具有較小的厚度，而可以有助于使半導(dǎo)體裝置具有柔性。另外，還設(shè)置有電連接于電路部100的內(nèi)置天線105，以進(jìn)行無線通信。通過將內(nèi)置天線105設(shè)置在電路部的薄膜晶體管上，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體裝置的較高集成水平和小型化，因此是優(yōu)選的。因此，當(dāng)在薄膜晶體管上設(shè)置內(nèi)置天線105時(shí)，內(nèi)置天線和電路部100的總厚度為7μπι至8μπι。電路部100的周圍存在著沒有設(shè)置上述薄膜晶體管和天線的區(qū)域(稱為周圍區(qū)域)。再者，在周圍區(qū)域中存在著設(shè)置有覆蓋薄膜晶體管的絕緣膜和覆蓋天線的絕緣膜的區(qū)域(稱為絕緣膜形成區(qū)域)101 (101a及101b)。因?yàn)樯鲜鼋^緣膜相互直接接觸，絕緣膜形成區(qū)域IOla及IOlb能夠防止水分和氧的侵入。再者，優(yōu)選地是，上述絕緣膜由相同材料形成；例如，它們可以是氮化硅膜。氮化硅膜比氧化硅膜等致密，所以能夠高效地防止水分和氧的侵入。另外，當(dāng)從上面看時(shí)，絕緣膜形成區(qū)域101設(shè)置成圍繞電路部100 ；因此能夠高效地防止成為薄膜晶體管等退化的原因的水分和雜質(zhì)的侵入。其結(jié)果是，能夠減少半導(dǎo)體裝置，尤其是構(gòu)成電路部的薄膜晶體管的隨時(shí)間的特性變化。上述絕緣膜形成區(qū)域IOla及 IOlb的膜厚度比電路部100薄，并且具有3μπι至4μπι的厚度。周圍區(qū)域的一部分(在本實(shí)施方式中，周圍區(qū)域的中心附近的部分)是區(qū)域(稱為貼合區(qū)域)102。在區(qū)域102中，絕緣膜被去除，且設(shè)置在電路部100上下的用作粘合劑的第一絕緣體110與第二絕緣體111密接地貼合。根據(jù)作為貼合區(qū)域102的區(qū)域的位置及數(shù)量，絕緣膜形成區(qū)域有可能處于多個(gè)區(qū)域中。在本實(shí)施方式中，描述了在周圍區(qū)域的中心附近設(shè)置一個(gè)貼合區(qū)域102，因而設(shè)置有兩個(gè)絕緣膜形成區(qū)域(101a及IOlb)的例子。當(dāng)然，可以在周圍區(qū)域內(nèi)選擇性地設(shè)置兩個(gè)貼合區(qū)域102。在這種情況下設(shè)置有三個(gè)絕緣膜形成區(qū)域。可以在周圍區(qū)域內(nèi)形成兩個(gè)以上的貼合區(qū)域。在貼合區(qū)域102中，第一絕緣體與第二絕緣體密接，該第一及第二絕緣體設(shè)置在半導(dǎo)體裝置的相對(duì)表面上。當(dāng)?shù)谝唤^緣體及第二絕緣體由同一材料形成時(shí)，密接性提高，因此是優(yōu)選的，其結(jié)果是，能夠減少隨時(shí)間的半導(dǎo)體裝置形狀和特性變化。用作粘合劑的第一絕緣體110及第二絕緣體111的外側(cè)的表面(沒有設(shè)置電路部等的表面)分別被第一導(dǎo)電層113及第二導(dǎo)電層114覆蓋。通過導(dǎo)電層，能夠防止由靜電導(dǎo)致的半導(dǎo)體裝置的損壞。這是因?yàn)槿缦戮壒十?dāng)發(fā)生靜電時(shí)高電壓被施加到半導(dǎo)體裝置的局部，但是其電阻比絕緣體低的相對(duì)表面上的導(dǎo)電層能夠分散高電壓。其結(jié)果是，能夠提高半導(dǎo)體裝置的抗靜電損壞性。半導(dǎo)體裝置在周圍區(qū)域的外側(cè)終結(jié)。在周圍區(qū)域的外側(cè)的表面，即半導(dǎo)體裝置的終端部120中，第一導(dǎo)電層113與第二導(dǎo)電層114相互電導(dǎo)通。其結(jié)果是，能夠?qū)㈧o電分散到更廣的區(qū)域，由此能夠高效地防止由靜電導(dǎo)致的損壞。第一導(dǎo)電層113與第二導(dǎo)電層114 間的電導(dǎo)通不局限于通過膜狀導(dǎo)電層而實(shí)現(xiàn)。只要在分?jǐn)喟雽?dǎo)體裝置時(shí)，將第一導(dǎo)電層113 或第二導(dǎo)電層114的材料分散并附著到終端部120就能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通。這是因?yàn)槿缦戮壒?由于用作粘合劑的絕緣體的電阻高，所以僅在導(dǎo)電層的材料的一部分如上所述那樣附著于終端部，就能夠降低終端部120的電阻，從而基本上實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電層113與第二導(dǎo)電層114 之間的電導(dǎo)通。只要第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層間的電阻值為IGQ以下左右(10V施加時(shí))， 就能夠充分分散靜電，因此可以采用依賴于該值的對(duì)抗靜電的手段。在這種半導(dǎo)體裝置中，能夠通過設(shè)置在最外表面上的導(dǎo)電層防止由靜電導(dǎo)致的電路部的損壞。另外，由于由相同材料形成的部分密接地彼此貼合，所以密接性高，并且能夠防止由水分導(dǎo)致的退化和在不希望部分處的剝離。像這樣，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置是缺陷少且可靠性高的。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，說明用于制造上述實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的方法的例子。首先，在襯底701的一個(gè)表面上形成剝離層702，并形成用作基底的絕緣膜703及半導(dǎo)體膜704(例如含有非晶硅的膜)(參照?qǐng)D2A)。剝離層702、絕緣膜703及半導(dǎo)體膜 704可以連續(xù)地形成，由于這些膜不暴露于大氣，所以這些膜可以防止雜質(zhì)的侵入。作為襯底701，可以使用玻璃襯底、石英襯底、金屬襯底、不銹鋼襯底、具有可承受本工序的處理溫度的耐熱性的塑料襯底等。對(duì)上述襯底的面積和形狀沒有特別的限制。例如通過使用一個(gè)邊長(zhǎng)為1米以上的矩形襯底，則可以顯著提高生產(chǎn)性。與使用圓形硅襯底的情況相比，這是很大的優(yōu)勢(shì)。與使用硅襯底的情況相比，即使在電路部占有較大面積的情況下，也可以降低生產(chǎn)成本。注意，在本工序中，在襯底701的整個(gè)表面上形成剝離層702，然而還可以根據(jù)需要，在襯底701的整個(gè)表面上形成剝離層，然后通過光刻法選擇性地設(shè)置剝離層702。此外， 雖然在本工序中以與襯底701接觸的方式形成剝離層702，然而還可以根據(jù)需要，以與襯底 701接觸的方式形成絕緣膜，如氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜，并且以與該絕緣膜接觸的方式形成剝離層702。在此，氧氮化物是指氧的含量大于氮的含量的物質(zhì)，并且氮氧化物是指氮的含量大于氧的含量的物質(zhì)。例如，氧氮化硅可以是分別以50原子％以上且70原子％以下的濃度范圍含有氧，以0. 5原子％以上且15原子％以下的濃度范圍含有氮，以25原子％以上且35原子％以下的濃度范圍含有硅，并且以0. 1原子％以上且10原子％以下的濃度范圍含有氫的物質(zhì)。此外，氮氧化硅可以是分別以5原子％以上且30原子％以下的濃度范圍含有氧，以20原子％以上且55原子％以下的濃度范圍含有氮，以25原子％以上且35原子％ 以下的濃度范圍含有硅，并且以10原子％以上且30原子％以下的濃度范圍含有氫的物質(zhì)。注意，上述濃度范圍是在利用盧瑟福背散射光譜學(xué)法(RBS =RutherfordBackscattering Spectrometry)或氫前方散射法(HFS :Hydrogen Forward Scattering)進(jìn)行測(cè)量時(shí)獲得的。此外，構(gòu)成元素的百分比的合計(jì)不超過100原子％。作為剝離層702可以采用金屬膜以及金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)等。金屬膜具有由選自鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋯(Zr)、鋅(Zn)、釕 (Ru)、銠(1 )、鈀(Pd)、鋨(Os)、銥(Ir)中的元素、包含任意上述元素為其主要成分的合金材料或包含任意上述元素為其主要成分的化合物材料構(gòu)成的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。此外，由任意這些材料構(gòu)成的膜可以通過濺射法或諸如等離子體CVD法等的各種CVD法等形成。作為金屬膜和金屬氧化膜的疊層結(jié)構(gòu)，在形成上述的金屬膜之后，通過在氧氣氣氛中或在隊(duì)0氣氛中進(jìn)行等離子體處理或者在氧氣氣氛中或在隊(duì)0氣氛中進(jìn)行加熱處理，可以在金屬膜的表面上形成該金屬膜的氧化物或氧氮化物。此外，還可以在形成金屬膜之后，使用氧化能力強(qiáng)的溶液如臭氧水等處理金屬膜的表面，來在金屬膜的表面上設(shè)置該金屬膜的氧化物或氧氮化物。絕緣膜703具有通過濺射法、等離子體CVD法等形成的含有硅的氧化物或硅的氮化物的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。在用作基底的絕緣膜703具有兩層結(jié)構(gòu)的情況下，例如， 可以作為第一層形成氮氧化硅膜，并且可以作為第二層形成氧氮化硅膜。在用作基底的絕緣膜703具有三層結(jié)構(gòu)的情況下，可以分別作為第一層、第二層和第三層形成氧化硅膜、氮氧化硅膜和氧氮化硅膜。或者，可以分別作為第一層、第二層和第三層形成氧氮化硅膜、氮氧化硅膜和氧氮化硅膜。用作基底的絕緣膜703起到阻擋膜的功能，該阻擋膜防止來自襯底701的雜質(zhì)的侵入。通過濺射法、LPCVD法、等離子體CVD法等將半導(dǎo)體膜704的厚度形成為25nm以上且200nm以下左右，優(yōu)選為50nm以上且70nm以下左右。具體地，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體膜704的厚度為66nm。作為半導(dǎo)體膜704，例如可以形成非晶硅膜。接著，通過用激光照射半導(dǎo)體膜704來進(jìn)行晶化。注意，也可以通過組合激光照射與快速熱退火(RTA)、使用退火爐的熱晶化法或利用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱晶化法進(jìn)行半導(dǎo)體膜704的晶化。之后，將所得到的結(jié)晶半導(dǎo)體膜蝕刻為所希望的形狀，由此形成半導(dǎo)體膜70 和半導(dǎo)體膜704b。然后形成柵極絕緣膜705以覆蓋半導(dǎo)體膜70 和704b (參照?qǐng)D 2B)。以下簡(jiǎn)單地說明半導(dǎo)體膜70 和半導(dǎo)體膜704b的制造步驟的例子。首先，通過等離子體CVD法形成非晶半導(dǎo)體膜(例如非晶硅膜)。接著，將含有作為促進(jìn)晶化的金屬元素的鎳的溶液施加在非晶半導(dǎo)體膜上，然后對(duì)非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行脫氫處理(500°C，1小時(shí)) 和熱晶化處理(550°C，4小時(shí))，由此形成結(jié)晶半導(dǎo)體膜。之后，根據(jù)晶化程度，如果有需要的話，用來自激光器的激光照射結(jié)晶半導(dǎo)體膜。再者，通過光刻法，形成半導(dǎo)體膜70 和半導(dǎo)體膜704b。注意，使用促進(jìn)晶化的金屬元素的熱晶化不是必須進(jìn)行的，也可以僅通過激光照射來進(jìn)行非晶半導(dǎo)體膜的晶化。此外，可以對(duì)半導(dǎo)體膜照射連續(xù)波激光或以IOMHz以上的重復(fù)速率振蕩的激光， 并使激光向一個(gè)方向掃描而進(jìn)行結(jié)晶化，從而可以獲得結(jié)晶的半導(dǎo)體膜704a和半導(dǎo)體膜 704b。在這種結(jié)晶化的情況下，晶體在激光掃描方向上生長(zhǎng)?？梢允箿系篱L(zhǎng)度方向(形成溝道形成區(qū)域時(shí)載流子流動(dòng)的方向)與掃描方向一致地提供薄膜晶體管。

接著， 形成覆蓋半導(dǎo)體膜704a和半導(dǎo)體膜704b的柵極絕緣膜705。柵極絕緣膜 705具有通過CVD法或?yàn)R射法等形成的含有硅的氧化物或硅的氮化物的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。具體而言，柵極絕緣膜705具有氧化硅膜、氧氮化硅膜、或者氮氧化硅膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。此外，柵極絕緣膜705可以通過用等離子體處理氧化或氮化半導(dǎo)體膜704a和704b 的表面形成。例如，柵極絕緣膜705通過利用稀有氣體(如He、Ar、Kr或Xe)與氧、氧化氮 (NO2)、氨、氮、氫等的混合氣體的等離子體處理形成。在這種情況下，通過微波激發(fā)等離子體，使得可以生成低電子溫度且高密度的等離子體。利用通過該高密度等離子體生成的氧基(可以包括OH基)或氮基(可以包括NH基)，可以使半導(dǎo)體膜的表面氧化或氮化。通過利用這種高密度等離子體的處理，Inm以上且20nm以下左右，典型為5nm以上且IOnm以下左右厚的絕緣膜被形成在半導(dǎo)體膜上。由于在此情況下的反應(yīng)為固相反應(yīng)， 所以可以顯著降低所述絕緣膜和半導(dǎo)體膜的界面態(tài)密度。通過這種等離子體處理使半導(dǎo)體膜(結(jié)晶硅或多晶硅)直接氧化(或氮化)，由此可以極度降低被形成的絕緣膜的厚度的變化。而且，在結(jié)晶硅的晶粒邊界不進(jìn)行氧化，這成為極為優(yōu)選的狀態(tài)。即，通過用這里所述的高密度等離子體處理使半導(dǎo)體膜的表面固相氧化，可以形成均勻性好且界面態(tài)密度低的絕緣膜，而不導(dǎo)致在晶粒邊界處過多的氧化反應(yīng)。作為柵極絕緣膜705，可以僅使用通過等離子體處理形成的絕緣膜，或者可以在其上通過利用等離子體或熱反應(yīng)的CVD法附加地淀積的氧化硅、氧氮化硅、氮化硅的絕緣膜進(jìn)行層疊。在任何一種情況中，如果通過等離子體處理形成的絕緣膜包括在薄膜晶體管的部分或整個(gè)柵極絕緣膜中，則可以降低薄膜晶體管的特性的變化，因此是優(yōu)選的。此外，在以對(duì)半導(dǎo)體膜照射連續(xù)波激光或以IOMHz以上的重復(fù)速率振蕩的激光并使激光向一個(gè)方向掃描而進(jìn)行結(jié)晶化的方式形成半導(dǎo)體膜704a和704b的情況下，通過組合進(jìn)行了上述等離子體處理的柵極絕緣膜和半導(dǎo)體膜704a和704b，可以得到一種特性變化小且場(chǎng)效應(yīng)遷移率高的薄膜晶體管(TFT)。接著，在柵極絕緣膜705上形成導(dǎo)電膜。這里，形成厚度為IOOnm以上且500nm以下左右的單層導(dǎo)電膜?？捎糜趯?dǎo)電膜的材料的例子包括含有選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、 鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)等中的元素的材料、包含以上任意元素作為其主要成分的合金材料或包含以上任意元素作為其主要成分的化合物材料?？蛇x地，可以使用以摻雜有磷等的雜質(zhì)元素的多晶硅為代表的半導(dǎo)體材料。在導(dǎo)電膜具有疊層結(jié)構(gòu)的情況下，例如可以使用氮化鉭膜和鎢膜的疊層結(jié)構(gòu)、氮化鎢膜和鎢膜的疊層結(jié)構(gòu)、或者氮化鉬膜和鉬膜的疊層結(jié)構(gòu)。例如，可以采用30nm厚的氮化鉭膜和150nm厚的鎢膜的疊層結(jié)構(gòu)。由于鎢和氮化鉭具有高耐熱性，所以可以在形成導(dǎo)電膜后進(jìn)行以熱激活為目的的加熱處理。 此外，導(dǎo)電膜也可以具有三層以上的疊層結(jié)構(gòu)，例如可以采用由鉬膜、鋁膜、以及鉬膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。接著，在上述導(dǎo)電膜上通過光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，進(jìn)行用于形成柵電極和柵極布線的蝕刻處理，從而在半導(dǎo)體膜70 和704b上方形成柵電極707。接著，通過光刻法形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩模，并通過離 子摻雜法或離子注入法以低濃度將賦予η型或ρ型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜70 和704b中。在本實(shí)施方式中，以低濃度將賦予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜70 和704b中。作為賦予 η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，可以使用屬于元素周期表中第15族的元素，例如磷(P)或砷(As)。 作為賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，可以使用屬于元素周期表中第13族的元素，例如硼(B)。盡管在本實(shí)施方式中，為了簡(jiǎn)化起見，僅示出包括添加有賦予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(η型TFT)，但是本發(fā)明不限定于該結(jié)構(gòu)。也可以僅使用包括添加有賦予P型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管(P型TFT)。此外，也可以組合形成η型TFT和ρ型TFT兩者。在形成η型TFT和ρ型TFT兩者的情況下，使用覆蓋要包括在ρ型TFT中的半導(dǎo)體層的掩模，添加賦予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，然后使用覆蓋要包括在η型TFT中的半導(dǎo)體層的掩模，添加賦予ρ型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素，從而可以選擇性地添加賦予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素和賦予ρ型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素。接著，形成絕緣膜以覆蓋柵極絕緣膜705和柵電極707。所形成的絕緣膜和柵極絕緣膜705具有通過CVD法或?yàn)R射法等形成的含有無機(jī)材料如硅、硅的氧化物或硅的氮化物的膜、或者含有有機(jī)材料如有機(jī)樹脂的膜的單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。然后，通過主要沿著垂直方向進(jìn)行的各向異性蝕刻選擇性地蝕刻絕緣膜，形成與柵電極707的側(cè)面接觸的絕緣膜 708(也被稱為側(cè)壁)。將絕緣膜708用作后面形成輕摻雜漏(LDD)區(qū)域時(shí)的掩模。接著，使用柵電極707以及絕緣膜708作為掩模，將賦予η型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體膜70 和704b中。由此，形成溝道形成區(qū)域706a、第一雜質(zhì)區(qū)域706b、以及第二雜質(zhì)區(qū)域706c (參照?qǐng)D2C)。將第一雜質(zhì)區(qū)域706b用作薄膜晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，第二雜質(zhì)區(qū)域706c用作LDD區(qū)域。使第二雜質(zhì)區(qū)域706c中所含有的雜質(zhì)元素的濃度低于第一雜質(zhì)區(qū)域706b所含有的雜質(zhì)元素的濃度。接著，形成具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)的絕緣膜以覆蓋柵電極707和絕緣膜708等。 在本實(shí)施方式中，描述了絕緣膜具有絕緣膜709、710以及711的三層結(jié)構(gòu)的例子。這些絕緣膜可以通過CVD法形成。例如，可以分別形成50nm厚的氧氮化硅膜、200nm厚的氮氧化硅膜和400nm厚的氧氮化硅膜作為絕緣膜709、絕緣膜710和絕緣膜711。這些絕緣膜的表面雖然也要依賴于厚度，但沿設(shè)置在其下的層的表面形成。就是說，因?yàn)榻^緣膜709的厚度薄，所以絕緣膜709的表面緊密對(duì)應(yīng)于柵電極707的表面。因?yàn)槟ず穸仍胶?，其表面變得越平坦；所以三個(gè)膜中厚度最大的絕緣膜711的表面最平坦。但是，絕緣膜711不是使用有機(jī)材料形成的；所以絕緣膜711的表面不是完全的。就是說，如果想要使絕緣膜711的表面平坦，可以使用有機(jī)材料如聚酰亞胺、聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸或環(huán)氧；硅氧烷材料等。另外，作為這些絕緣膜的形成方法，除了 CVD法以外，還可以使用濺射法、SOG法、液滴釋放法或絲網(wǎng)印刷法等。接著，使用光刻法蝕刻絕緣膜709、710、711等，以形成到達(dá)第一雜質(zhì)區(qū)域706b的接觸孔。然后形成用作薄膜晶體管的源電極和漏電極的導(dǎo)電膜731a和用作連接布線的導(dǎo)電膜731b?？梢砸韵路绞叫纬蓪?dǎo)電膜731a及導(dǎo)電膜731b 形成導(dǎo)電膜以填充接觸孔，然后
12選擇性地蝕刻該導(dǎo)電膜。注意，也可以在形成導(dǎo)電膜之前在接觸孔所露出的半導(dǎo)體膜704a 和704b的表面上形成硅化物，以降低電阻。導(dǎo)電膜731a及導(dǎo)電膜731b優(yōu)選使用低電阻材料形成，以減少信號(hào)延遲。通常，由于低電阻材料的耐熱性低，因此優(yōu)選在低電阻材料的上下設(shè)置高耐熱性材料。例如，以下結(jié)構(gòu)是優(yōu)選的，其中形成300nm厚的低電阻材料的鋁膜， 并且在鋁膜的上下形成IOOnm厚的鈦膜。另外，在用作連接布線的導(dǎo)電膜731b被形成為具有與導(dǎo)電膜731a相同的疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，連接布線的電阻可降低，并且連接布線的耐熱性可提高。導(dǎo)電膜731a及導(dǎo)電膜731b可以使用其他導(dǎo)電材料以單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)形成，所述其他導(dǎo)電材料如包含選自鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀 (Ag)、錳(Mn)、釹(Nd)、碳(C)、硅(Si)中的元素的材料、包含任意這些元素作為其主要成分的合金材料或包含任意這些元素作為其主要成分的化合物材料。包含鋁作為其主要成分的合金材料，例如對(duì)應(yīng)于包含鋁作為其主要成分并還含有鎳的材料或者包含鋁作為其主要成分并還含有鎳以及碳和硅中之一或兩者的合金材料。導(dǎo)電膜731a及導(dǎo)電膜731b可以通過 CVD法、濺射法等形成。因此，可以得到包括薄膜晶體管730a和薄膜晶體管730b的元件層749(參照?qǐng)D 3A)。注意，在形成絕緣膜709、710和711之前、在形成絕緣膜709之后或在形成絕緣膜 709及710之后，可以進(jìn)行目的在于恢復(fù)半導(dǎo)體膜704的結(jié)晶性、激活添加到半導(dǎo)體膜704 中的雜質(zhì)元素以及使半導(dǎo)體膜氫化的加熱處理。對(duì)于加熱處理，可以采用熱退火法、激光退火法、RTA法等。接著，形成絕緣膜712及713以覆蓋導(dǎo)電膜731a及導(dǎo)電膜731b (參照?qǐng)D3B)。這里，作為例子描述使用100nm厚的氮化硅膜作為絕緣膜712，并使用1500nm厚的聚酰亞胺膜作為絕緣膜713的情況。優(yōu)選地是，絕緣膜713的表面的平坦性高。因此，除了作為有機(jī)材料的聚酰亞胺的特征以外，通過使膜具有大的厚度，如750nm以上且3000nm以下的厚度 (具體地說，1500nm)，而提高絕緣膜713的平坦性。在該絕緣膜712及713中形成開口部。 在本實(shí)施方式中，作為例子描述形成暴露導(dǎo)電膜731b的開口部714的情況。在該開口部 714中(詳細(xì)地說，由虛線圍繞的區(qū)域715中)，絕緣膜712的端部由絕緣膜713覆蓋。通過以上層的絕緣膜713覆蓋下層的絕緣膜712的端部，能夠防止后面形成在開口部714中的布線的斷裂。在本實(shí)施方式中，因?yàn)榻^緣膜713由有機(jī)材料的聚酰亞胺形成，所以在開口部714中絕緣膜713呈坡度小的錐形，并能夠有效地防止斷裂。作為能夠獲得該斷裂防止效果的絕緣膜713的材料，除了聚酰亞胺以外，還可以使 用例如聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸或環(huán)氧等有機(jī)材料、硅氧烷材料等。另外，還可以使用氧氮化硅膜、氮氧化硅膜代替氮化硅膜作為絕緣膜712。另外，作為絕緣膜712及713的形成方法，可以使用CVD法、濺射法、 SOG法、液滴釋放法、絲網(wǎng)印刷法等。接著，在絕緣膜713上形成導(dǎo)電膜717，在該導(dǎo)電膜717上形成絕緣膜718 (參照?qǐng)D 3C)。可以使用與導(dǎo)電膜731a及導(dǎo)電膜731b相同的材料形成導(dǎo)電膜717，并且例如，可以采用100nm厚的鈦膜、200nm厚的鋁膜和100nm厚的鈦膜的疊層結(jié)構(gòu)。因?yàn)樵陂_口部714中導(dǎo)電膜717與導(dǎo)電膜731b連接，所以使用鈦形成的膜相互接觸，由此能夠抑制接觸電阻。另夕卜，因?yàn)榛诒∧ぞw管與天線(后面形成)之間的信號(hào)的電流在導(dǎo)電膜717中流動(dòng)，所以導(dǎo)電膜717的布線電阻優(yōu)選為低。因此，優(yōu)選使用鋁等低電阻材料。導(dǎo)電膜717可以使用其他導(dǎo)電材料形成為具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)，所述其他導(dǎo)電材料如選自鎢(W)、鉭(Ta)、 鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉬(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、錳(Mn)、釹(Nd) M (C)、硅(Si)中的元素的材料、包含任意這些元素作為其主要成分的合金材料或包含任意這些元素作為其主要成分的化合物材料。包含鋁作為其主要成分的合金材料，例如對(duì)應(yīng)于包含鋁作為其主要成分并還含有鎳的材料或者包含鋁作為其主要成分并還含有鎳以及碳和硅中之一或兩者的合金材料。導(dǎo)電膜717可以通過CVD法、濺射法等形成。絕緣膜718應(yīng)具有平坦的表面， 因此優(yōu)選使用有機(jī)材料形成絕緣膜718。這里，作為例子描述了使用2000nm厚的聚酰亞胺膜作為絕緣膜718的情況。因?yàn)樾枰?500nm厚的絕緣膜713的開口部714和形成在開口部714中的導(dǎo)電膜717的表面的凹凸平坦，因此絕緣膜718的厚度被形成為比絕緣膜713 厚的2000nm。因此，絕緣膜718的厚度為絕緣膜713的厚度的1. 1倍至2倍，優(yōu)選為1. 2倍至1. 5倍。當(dāng)絕緣膜713的厚度為750nm以上且3000nm以下時(shí)，絕緣膜718的厚度優(yōu)選為 900nm以上且4500nm以下。優(yōu)選地使用可提高平坦性的材料并考慮絕緣膜718的厚度形成絕緣膜718。作為用于絕緣膜718的可提高平坦性的材料，除了聚酰亞胺以外，還可以使用聚酰胺、苯并環(huán)丁烯、丙烯酸、環(huán)氧等有機(jī)材料、硅氧烷材料等。當(dāng)在絕緣膜718上形成天線時(shí)，如上所述，應(yīng)考慮到絕緣膜718的表面形狀的平坦性。圖7示出電路部的周圍區(qū)域。此外，在電路部中，在天線的外側(cè)(具體地說，區(qū)域 740)，絕緣膜718優(yōu)選地覆蓋絕緣膜713的端部。當(dāng)絕緣膜718覆蓋絕緣膜713時(shí)，絕緣膜 718的端部?jī)?yōu)選地距離絕緣膜713的端部絕緣膜713和絕緣膜718的厚度的總和的2倍以上的距離(距離d)。在本實(shí)施方式中，因?yàn)榻^緣膜713被形成為1500nm厚，并且絕緣膜718 并形成為2000nm厚，所以覆蓋絕緣膜713的端部的絕緣膜718的端部與絕緣膜713的端部相距距離d = 7000nm。通過該結(jié)構(gòu)，能夠確保工藝裕度，并能夠防止水分和氧的侵入。接著，在絕緣膜718上形成天線720 (參照?qǐng)D4A)。然后，天線720和導(dǎo)電膜717 通過開口部(未圖示)彼此連接。在天線720的下方設(shè)置開口部，以提高集成化程度。注意，盡管天線720可以直接連接于導(dǎo)電膜731a，但是優(yōu)選如本實(shí)施方式所示那樣設(shè)置導(dǎo)電膜717，因?yàn)槟軌虼_保形成用于與天線720連接的開口部時(shí)的形成裕度，以實(shí)現(xiàn)高集成化。 因此，還可以在導(dǎo)電膜717上設(shè)置一導(dǎo)電膜以連接于天線720。就是說，可以將天線720電連接于包括在薄膜晶體管中的導(dǎo)電膜731a，并且能夠以通過多個(gè)導(dǎo)電膜的連接結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高集成化。當(dāng)上述導(dǎo)電膜717等的多個(gè)導(dǎo)電膜的厚度大時(shí)，半導(dǎo)體裝置也變厚；因此多個(gè)導(dǎo)電膜的厚度優(yōu)選為薄。因此，優(yōu)選地是，導(dǎo)電膜717等的厚度比導(dǎo)電膜731a的厚度薄。天線720可以采用第一導(dǎo)電膜721和第二導(dǎo)電膜722的疊層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，描述以下情況，采用IOOnm厚的鈦膜作為第一導(dǎo)電膜721，并且采用5000nm厚的鋁膜作為第二導(dǎo)電膜722，而形成疊層結(jié)構(gòu)。鈦既可以提高天線的耐濕性，又可以提高絕緣膜718 與天線720的密接性。再者，通過采用鈦?zhàn)鳛榈谝粚?dǎo)電膜721，可以降低第一導(dǎo)電膜721與導(dǎo)電膜717的接觸電阻。這是因?yàn)樵趯?dǎo)電膜717的最上層形成有鈦，彼此接觸的導(dǎo)電膜717 與第一導(dǎo)電膜721均是由鈦形成的。由于作為第一導(dǎo)電膜721采用的鈦膜利用干蝕刻來形成，因此往往其端部具有陡峭的角度。由于用于第二導(dǎo)電膜722的鋁為低電阻材料，因此其適合用于天線。由于使第二導(dǎo)電膜722厚化，所以可以進(jìn)一步降低電阻。通過使天線的電阻降低，可以延長(zhǎng)通信距離，因此是優(yōu)選的。由于用于第二導(dǎo)電膜722的鋁膜是利用濕蝕刻來形成的，因此其端部的側(cè)面往往具有錐形。本實(shí)施方式中的錐形形成為向第二導(dǎo)電膜722的內(nèi)側(cè)彎曲的形狀，即具有內(nèi)凹形的側(cè)面的形狀。另外，當(dāng)對(duì)第二導(dǎo)電膜722進(jìn)行濕蝕刻時(shí)，與第一導(dǎo)電膜721的端部相比，第二導(dǎo)電膜722的端部位于內(nèi)側(cè)(區(qū)域742)。例如， 優(yōu)選第二導(dǎo)電膜722的端部在第一導(dǎo)電膜721內(nèi)側(cè)，并且第二導(dǎo)電膜722和第一導(dǎo)電膜721 的端部之間的距離是第二導(dǎo)電膜722的厚度的1/6至1/2的距離(距離L)。在本實(shí)施方式中，第二導(dǎo)電膜722的端部可以設(shè)置在第一導(dǎo)電膜721的端部的內(nèi)側(cè)，并且它們之間的距離可以是L = 0. 8 μ m以上且2 μ m以下的距離。由于第一導(dǎo)電膜721的端部從第二導(dǎo)電膜 722的端部突出，因此可以防止之后形成的絕緣膜的斷裂，而且可以提高天線的耐性。天線除了可以使用鈦、 鋁以外，還可以使用包含銀、銅、金、鉬、鎳、鈀、鉭、鉬等的金屬元素的材料、包含任意這些金屬元素的合金材料、包含任意這些金屬元素的化合物材料作為導(dǎo)電性材料形成。作為天線的形成方法，可以給出CVD法、濺射法、印刷法如絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等、液滴釋放法、點(diǎn)滴法、鍍敷法等。此外，雖然在本實(shí)施方式中示出了疊層結(jié)構(gòu)作為例子，但是也可以采用上述任一個(gè)材料的單層結(jié)構(gòu)。覆蓋天線720地形成絕緣膜723。在本實(shí)施方式中，使用200nm厚的氮化硅膜形成絕緣膜723。通過設(shè)置絕緣膜723，可以提高天線的耐濕性，因此是優(yōu)選的。由于鈦膜的端部從鋁膜的端部突出，所以可以不使絕緣膜723斷開地將其形成。上述絕緣膜723除了使用氮化硅膜形成以外，還可以使用氧氮化硅膜、氮氧化硅膜或其他無機(jī)材料形成。此外，如圖7所示，優(yōu)選在絕緣膜718的外側(cè)，即電路部中的天線的外側(cè)(具體而言，圖7中的區(qū)域741)使絕緣膜723與絕緣膜712彼此直接接觸。在本實(shí)施方式中，絕緣膜712和723都是氮化硅膜。由于由相同的材料形成的部分彼此直接接觸，所以密接性高， 而可以有效地防止水分和氧的侵入。另外，由于與氧化硅膜相比氮化硅膜的致密性高，因此可以有效地防止水分和氧的侵入。由于絕緣膜712與絕緣膜723密接的區(qū)域?yàn)橹車鷧^(qū)域， 沒有設(shè)置天線或薄膜晶體管，因此其膜厚度極薄，為3 μ m以上且4 μ m以下。周圍區(qū)域以圍繞電路部的方式形成。與不采用這樣的周圍區(qū)域的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置相比，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可以減少因隨時(shí)間的形狀和特性的變化而導(dǎo)致的缺陷，例如在半導(dǎo)體裝置的端部處剝離等。接著，覆蓋絕緣膜723地配置第一絕緣體751 (參照?qǐng)D4B)。在本實(shí)施方式中，作為第一絕緣體751，使用在纖維體727中浸滲有機(jī)樹脂728的結(jié)構(gòu)體726。此外作為更優(yōu)選的示例，示出在結(jié)構(gòu)體726的表面上設(shè)置有第一沖擊緩和層750的情況。在本實(shí)施方式中，作為第一沖擊緩和層750，使用芳族聚酰胺樹脂。在纖維體727中浸滲有機(jī)樹脂728的結(jié)構(gòu)體726也被稱為預(yù)浸料(pr印reg)。預(yù)浸料具體地說是利用使用有機(jī)溶劑稀釋矩陣樹脂而成的清漆浸滲纖維體，之后使有機(jī)溶劑揮發(fā)并使矩陣樹脂半固化而成的。預(yù)浸料的彈性模量為13GPa以上且15GPa以下，并其破斷模量為140MPa。通過使用形成為薄膜的預(yù)浸料，可以制造薄型且可彎曲的半導(dǎo)體裝置。 作為預(yù)浸料的纖維體的代表例子，有聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酸胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二噁唑纖維、玻璃纖維、和碳纖維。作為用于形成矩陣樹脂的樹脂的代表例子，有環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂和氟樹脂。此外，在后面的實(shí)施方式中，對(duì)預(yù)浸料進(jìn)行詳細(xì)說明。除了這種結(jié)構(gòu)體726以外，第一絕緣體751可以包括包含環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹月旨、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂或氰酸酯樹脂等熱固性樹脂的層。此外，對(duì)于第一絕緣體751，可以使用熱塑性樹脂諸如聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂或氟樹脂。另外，第一沖擊緩和層750優(yōu)選地由高強(qiáng)度材料形成。高強(qiáng)度材料的例子包括聚乙烯醇樹脂、聚酯樹脂、聚酰胺樹脂、聚乙烯樹脂、或聚對(duì)苯撐苯并雙噁唑樹脂、和玻璃樹脂，以及芳族聚酰胺樹脂。第一絕緣體751的厚度為5μπι以上且100 μ m以下，優(yōu)選為10 μ m以上且50 μ m
以下。在本實(shí)施方式中，第一絕緣體751的厚度為32μπι。在本實(shí)施方式中，在第一絕緣體 751中，將絕構(gòu)體7 的厚度設(shè)定為20 μ m，將第一沖擊緩和層750的厚度設(shè)定為12 μ m。采用這種結(jié)構(gòu)，可以制造薄型且可彎曲的半導(dǎo)體裝置。在形成第一沖擊緩和層750之后，在第一沖擊緩和層750的表面上形成第一導(dǎo)電層729。描述使用膜厚度為IOOnm的氧化硅和銦錫氧化物的復(fù)合物作為第一導(dǎo)電層729的例子。只要第一導(dǎo)電層729的電阻低于結(jié)構(gòu)體7 和第一沖擊緩和層750的電阻，這種第一導(dǎo)電層7 就是可接受的。因此，第一導(dǎo)電層7 既可以是膜，又可以是其間設(shè)置有較小的間隔的一組島塊。此外，由于第一導(dǎo)電層729的電阻優(yōu)選為低，考慮到使用的材料的具體電阻等，其厚度可以為50nm以上且200nm以下。如果第一導(dǎo)電層7 具有增大的厚度，可以使電阻降低，這是優(yōu)選的。第一導(dǎo)電層7 除了氧化硅和銦錫氧化物的復(fù)合物以外，還可以使用含有選自鈦、鉬、鎢、鋁、銅、銀、金、鎳、錫、鉬、鈀、銥、銠、鉭、鎘、鋅、鐵、硅、鍺、鋯、鋇中的元素的材料、包含任意這些元素作為其主要成分的合金材料、包含任意這些元素作為其主要成分的化合物材料等來形成。第一導(dǎo)電層7 可以使用濺射法、等離子體CVD法、涂敷法、印刷法等形成。可選地，也可以采用電鍍法或無電鍍法等的鍍敷法。注意，可以在第一導(dǎo)電層729的表面上形成絕緣膜，從而可以保護(hù)第一導(dǎo)電層729。接著，從襯底701剝離包括薄膜晶體管730a、薄膜晶體管730b的元件層、用作天線 720的導(dǎo)電膜等層(參照?qǐng)D5)。在該步驟，從剝離層702和襯底701的界面、剝離層702和絕緣膜703的界面或剝離層702的內(nèi)部發(fā)生分離，由此實(shí)現(xiàn)包括包含薄膜晶體管730a、薄膜晶體管730b的元件層、用作天線720的導(dǎo)電膜的層。如果剝離層702不必要地保留在所釋放的層上，則可以利用蝕刻等去除該剝離層702。其結(jié)果是，可以提高絕緣膜703與后面接觸于絕緣膜703而形成的層的密接性。注意，剝離優(yōu)選地在通過使用水或臭氧水等的溶液潤(rùn)濕剝離面時(shí)進(jìn)行，從而可以防止薄膜晶體管730a、薄膜晶體管730b等的元件被靜電等損壞。這是因?yàn)橥ㄟ^溶液中的離子使剝離層702中的不成對(duì)電子成對(duì)。此外，通過再次利用剝離后的襯底701，可以實(shí)現(xiàn)低成本化。接著，以覆蓋因剝離而露出的表面的方式設(shè)置第二絕緣體753(參照?qǐng)D6)。在本實(shí)施方式中，示出作為第二絕緣體753設(shè)置在纖維體731中浸滲有機(jī)樹脂732的結(jié)構(gòu)體 730 (預(yù)浸料)，并在結(jié)構(gòu)體730的表面上還設(shè)置第二沖擊緩和層752的情況。對(duì)于第二沖擊緩和層752，使用芳族聚酰胺樹脂。當(dāng)然，可以只將結(jié)構(gòu)體7 及結(jié)構(gòu)體730貼合設(shè)置。 在該情況下，半導(dǎo)體裝置的厚度為40 μ m至70 μ m，優(yōu)選為40 μ m至50 μ m。設(shè)置有第一及第二沖擊緩和層的半導(dǎo)體裝置的厚度為70 μ m至90 μ m，優(yōu)選為70 μ m至80 μ m。接著，在第二絕緣體753的表面上形成第二導(dǎo)電層733。第二導(dǎo)電層733可以與第一導(dǎo)電層7 類似的方式形成。注意，可以在第二導(dǎo)電層733的表面上形成絕緣膜，從而可以保護(hù)第二導(dǎo)電層733。通過以上步驟，可以得到一種疊層體，其中元件層和天線在第一絕緣體751和第二絕緣體753之間密封，在第一絕緣體751的表面上形成第一導(dǎo)電層729，并且在第二絕緣體753的表面上形成第二導(dǎo)電層733。然后，利用分割方法，將上述疊層體分成分離的半導(dǎo)體裝置。作為分割方法，優(yōu)選使用當(dāng)進(jìn)行分割時(shí)熔化第一絕緣體751及第二絕緣體753的方法(更優(yōu)選地使用熔化第一導(dǎo)電層729及第二導(dǎo)電層733的方法)。在本實(shí)施方式中利用激光照射進(jìn)行分割。對(duì)于用于上述分割的激光的波長(zhǎng)、強(qiáng)度和光束尺寸等的條件沒有特別的限制。可以在能夠進(jìn)行分割的條件下進(jìn)行激光照射。作為激光器，例如可以使用連續(xù)波激光器，如Ar 激光器、Kr激光器、CO2激光器、YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4 激光器、Y2O3激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti 藍(lán)寶石激光器或氦鎘激光器；或脈沖振激光器，如Ar激光器、Kr激光器、受激準(zhǔn)分子(ArF、KrF, XeCl)激光器、CO2激光器、YAG 激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4激光器、Y2O3激光器、紅寶石激光器、 變石激光器、Ti 藍(lán)寶石激光器、銅蒸汽激光器、或金蒸汽激光器。 如本實(shí)施方式中所述，通過利用激光照射將上述半導(dǎo)體裝置分成分離的半導(dǎo)體裝置，第一導(dǎo)電層729和第二導(dǎo)電層733之間的電阻降低，從而可以實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電層729和第二導(dǎo)電層733之間的導(dǎo)通。由此，可以同時(shí)進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的分割步驟以及實(shí)現(xiàn)第一導(dǎo)電層729和第二導(dǎo)電層733之間的導(dǎo)通的步驟。第一導(dǎo)電層729和第二導(dǎo)電層733之間的電阻值應(yīng)低于第一絕緣體751和第二絕緣體753的電阻值。第一導(dǎo)電層729和第二導(dǎo)電層733之間的電阻值可以例如為IGQ以下，優(yōu)選為5ΜΩ以上且500ΜΩ以下左右，更優(yōu)選為10ΜΩ以上且200ΜΩ以下左右。因此， 半導(dǎo)體裝置可以通過激光照射等分割，使得能夠獲得以上的電阻值。以這種方式，可以完成使用絕緣襯底而形成的半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施方式可以與任意其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，說明半導(dǎo)體裝置的分割步驟的一個(gè)示例。注意，參照示出半導(dǎo)體裝置之間的部分，即周圍部的圖8、圖9說明分割步驟。首先，如上述實(shí)施方式所述，進(jìn)行直到形成第一導(dǎo)電層729的步驟。然后，如圖8 所示，利用去除方法，在周圍區(qū)域內(nèi)選擇性地，即在周圍區(qū)域的一部分形成貼合區(qū)域102a 和102b。當(dāng)選擇性地去除周圍區(qū)域時(shí)，在深度方向上，以露出結(jié)構(gòu)體726的方式去除絕緣膜等。此外，當(dāng)從上方看半導(dǎo)體裝置時(shí)，貼合區(qū)域102a和102b設(shè)置為均圍繞電路部100。作為這種去除方法，可以使用激光。換言之，可以使用激光燒蝕的原理。對(duì)于用于去除方法的激光的波長(zhǎng)、強(qiáng)度和光束尺寸等的條件沒有特別的限制?？梢栽谀軌蛑辽偃コ^緣膜等的條件下進(jìn)行激光照射。作為激光器，例如可以使用連續(xù)波激光器，如Ar激光器、 Kr激光器、CO2激光器、YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4激光器、 Y2O3激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti 藍(lán)寶石激光器、或氦鎘激光器；或脈沖激光器， 如Ar激光器、Kr激光器、受激準(zhǔn)分子(ArF、KrF、XeCl)激光器、CO2激光器、YAG激光器、YVO4 激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、GdVO4激光器、Y2O3激光器、紅寶石激光器、變石激光器、 Ti 藍(lán)寶石激光器、銅蒸汽激光器、或金蒸汽激光器。注意，在將半導(dǎo)體裝置分成分離的半導(dǎo)體裝置之后，貼合區(qū)域102a和102b分別包括在相鄰的半導(dǎo)體裝置中。類似地，在將半導(dǎo)體裝置分成分離的半導(dǎo)體裝置之后，絕緣膜形成區(qū)域也成為分別包括在相鄰的半導(dǎo)體裝置中的形成區(qū)域IOla和101c(參照?qǐng)D9)。然后，如圖9所示，形成第二導(dǎo)電層733。在貼合區(qū)域10 和102b中，結(jié)構(gòu)體7 和730是直接貼合著的。具體而言，結(jié)構(gòu)體726的有機(jī)樹脂7 和結(jié)構(gòu)體730的有機(jī)樹脂 732接觸并彼此密接。以這種方式使由相同的材料形成的部分彼此密接，提高了貼合強(qiáng)度， 因此是優(yōu)選的。在完成貼合后，將半導(dǎo)體裝置分成分離的半導(dǎo)體裝置。對(duì)于分割方法的細(xì)節(jié)，可以參照上述實(shí)施方式。以這種方式可以完成使用絕緣襯底而形成的貼合強(qiáng)度高并且可靠性也得到提高的半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施方式可以與任何其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D10，對(duì)作為用于半導(dǎo)體裝置的密封的第一及第二絕緣體的例子，在纖維體中摻雜有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體進(jìn)行詳細(xì)說明。纖維體160是用以固定距離間隔的經(jīng)線和以固定距離間隔的緯線紡織的(參照?qǐng)D 10)。由這種經(jīng)線和緯線紡織的纖維體包括沒有經(jīng)線及緯線的區(qū)域。纖維體160更容易被有機(jī)樹脂161浸滲，因此可以提高纖維體160和半導(dǎo)體集成電路之間的密接性。纖維體160可以具有更高的經(jīng)線及緯線的密度，以及更小的經(jīng)線及緯線不存在的區(qū)域。在纖維體160中浸滲有機(jī)樹脂161的結(jié)構(gòu)體也被稱為預(yù)浸料。預(yù)浸料具體地說是使纖維體中浸滲用有機(jī)溶劑稀釋矩陣樹脂而成的清漆，然后進(jìn)行干燥使該有機(jī)溶劑揮發(fā)來使矩陣樹脂半固化而成的。結(jié)構(gòu)體的厚度為5 μ m以上且100 μ m以下，更優(yōu)選為10 μ m以上且30μπι以下。通過使用具有這樣的厚度的結(jié)構(gòu)體，可以制造薄型且可彎曲的半導(dǎo)體裝置。例如，可以使彈性模量為13GPa以上且15GPa以下、斷裂模量為140MPa的預(yù)浸料薄化而用作絕緣體。此外，如上述實(shí)施方式那樣，能夠在還設(shè)置沖擊緩和層時(shí)，也可以制造薄型且可彎曲的半導(dǎo)體裝置。作為有機(jī)樹脂161，可以使用熱固性樹脂，諸如環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、或氰酸鹽樹脂。此外，也可以使用熱塑性樹脂，諸如聚苯氧基樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、或氟樹脂，作為有機(jī)樹脂161。通過使用上述有機(jī)樹脂，纖維體可以通過熱處理固定于半導(dǎo)體集成電路上。注意，有機(jī)樹脂161的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度越高，受到局部壓力而造成的有機(jī)樹脂161的損壞越少，因此是優(yōu)選的?？梢詫⒏邔?dǎo)熱性填料分散在有機(jī)樹脂161或纖維線束中。作為高導(dǎo)熱性填料，可以有氮化鋁、氮化硼、氮化硅、釩土等。此外，作為高導(dǎo)熱性填料，可以有銀或銅等的金屬粒子。當(dāng)有機(jī)樹脂或纖維線束中含有高導(dǎo)熱性填料時(shí)，可以容易地將在半導(dǎo)體集成電路中產(chǎn)生的熱釋放到外面。因此，可以抑制半導(dǎo)體裝置中的蓄熱，并且可以減少半導(dǎo)體裝置的損壞。纖維體160是使用有機(jī)化合物或無機(jī)化合物的高強(qiáng)度纖維的紡織物或無紡織物， 并且配置為與半導(dǎo)體集成電路的一部分部分重疊。高強(qiáng)度纖維具體地是具有高拉伸彈性模量或具有高楊氏模量的纖維。作為高強(qiáng)度纖維的典型例子，有聚乙烯醇纖維、聚酯纖維、聚酰胺纖維、聚乙烯纖維、芳族聚酸胺纖維、聚對(duì)苯撐苯并二噁唑纖維、玻璃纖維和碳纖維。作為玻璃纖維，有使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。注意，纖維體160可以由 一種上述高強(qiáng)度纖維或者多種上述高強(qiáng)度纖維形成。纖維體160可以是由用于經(jīng)線和緯線的纖維(單股線)的束(以下稱為線束)形成的紡織物，或者通過以隨機(jī)方式或一個(gè)方向地堆疊多種纖維的線束而得到的無紡織物。 當(dāng)采用紡織物時(shí)，可以適當(dāng)?shù)厥褂闷郊y織物、斜紋織物、緞紋織物等。線束可以具有圓形或橢圓形的截面。作為纖維線束，可以使用通過高壓水流、用液體作為介質(zhì)的高頻率振動(dòng)、連續(xù)超聲振動(dòng)、用滾筒的壓緊等受開纖加工的纖維線束。經(jīng)過開纖加工的纖維線束具有大的寬度，并且可以減少在厚度方向上的單股線數(shù)目。此外，該纖維線束的截面為橢圓形或扁平形。此外，通過使用弱捻紗線作為纖維線束，容易將線束扁平化，并使線束的截面形狀為橢圓形或扁平形。通過使用這種具有橢圓形或扁平形的截面的線束，可以減少纖維體160的厚度。因此，可以制造薄型半導(dǎo)體裝置。通過使用上述的結(jié)構(gòu)體作為密封半導(dǎo)體裝置的絕緣體，可以提高半導(dǎo)體裝置的對(duì)外部壓力的耐受性。此外，可以防止在加壓處理等中產(chǎn)生的損壞或特性不良。由此，可以高成品率制造半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施方式可以與任意其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式5在本實(shí)施方式中，將說明希望具有較高可靠性的半導(dǎo)體裝置的例子。詳細(xì)地說，作為半導(dǎo)體裝置的例子說明微處理器及具有運(yùn)算功能并能夠以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā)的半導(dǎo)體裝置的例子。作為半導(dǎo)體裝置的例子，圖11示出微處理器500的例子。該微處理器500是使用根據(jù)上述實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置來制造的。該微處理器500包括運(yùn)算邏輯單元(ALU)501、 ALU控制部502、指令譯碼部503、中斷控制部504、時(shí)序控制部505、寄存器506、寄存器控制部507、總線接口(Bus I/F)508、只讀存儲(chǔ)器(ROM) 509、以及存儲(chǔ)器接口(ROM I/F)510。通過總線接口 508輸入到微處理器500的指令輸入到指令譯碼部503并被譯碼之后輸入到ALU控制部502、中斷控制部504、寄存器控制部507、以及時(shí)序控制部505。ALU控制部502、中斷控制部504、寄存器控制部507、以及時(shí)序控制部505根據(jù)被譯碼的指令進(jìn)行各種控制。具體地說，ALU控制部502產(chǎn)生用來控制ALU501的工作的信號(hào)。中斷控制部504 是在微處理器500執(zhí)行程序時(shí)對(duì)來自外部輸入/輸出裝置或外圍電路的中斷要求根據(jù)其優(yōu)先度或掩模狀態(tài)進(jìn)行處理的電路。寄存器控制部507產(chǎn)生寄存器506的地址，并且根據(jù)微處理器500的狀態(tài)從和向寄存器506讀出和寫入數(shù)據(jù)。時(shí)序控制部505產(chǎn)生控制ALU501、 ALU控制部502、指令譯碼部503、中斷控制部504及寄存器控制部507的工作時(shí)序的信號(hào)。 例如，時(shí)序控制部505具備根據(jù)基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)CLKl產(chǎn)生內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)CLK2的內(nèi)部時(shí)鐘產(chǎn)生部，并且將時(shí)鐘信號(hào)CLK2提供給上述各種電路。注意，圖11所示的微處理器500只是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化的一個(gè)實(shí)例，實(shí)際的微處理器可以根據(jù)用途具有多種多樣的結(jié)構(gòu)。接著，參照?qǐng)D12說明具有運(yùn)算功能并以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)收發(fā)的半導(dǎo)體裝置的例子。圖12示出以無線通信與外部裝置進(jìn)行信號(hào)的收發(fā)而工作的計(jì)算機(jī)(以下稱為 RFCPU)的例子。RFCPTO11包括模擬電路部512和數(shù)字電路部513。模擬電路部512包括具有諧振電容器的諧振電路514、整流電路515、恒壓電路516、復(fù)位電路517、振蕩電路518、解調(diào)電路519、調(diào)制電路520、以及電源控制電路530。數(shù)字電路部513包括RF接口 521、控制寄存器522、時(shí)鐘控制器523、接口 524、中央處理器525、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器526、以及只讀存儲(chǔ)器 527。下面概要地說明具有這種結(jié)構(gòu)的RFCPTO11的工作?；谔炀€528所接收的信號(hào)由諧振電路514產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)經(jīng)過整流電路515而存儲(chǔ)在電容部529中。
該電容部529優(yōu)選由陶瓷電容器或雙電層電容器等的電容器構(gòu)成。電容部529不需要與 RFCPTO11在同一襯底上形成，而可以作為另外的部件安裝在形成RFCPTO11的具有絕緣表面的襯底上。復(fù)位電路517產(chǎn)生對(duì)數(shù)字電路部513進(jìn)行復(fù)位和初始化的信號(hào)。例如，作為復(fù)位信號(hào)復(fù)位電路517產(chǎn)生在電源電壓上升之后延遲升高的信號(hào)。振蕩電路518響應(yīng)于由恒壓電路516產(chǎn)生的控制信號(hào)改變時(shí)鐘信號(hào)的頻率和占空比。使用低通濾波器形成解調(diào)電路519， 其例如將振幅調(diào)制(ASK)系統(tǒng)的接收信號(hào)的振幅的變動(dòng)二值化。調(diào)制電路520通過使振幅調(diào)制(ASK)系統(tǒng)的發(fā)送信號(hào)的振幅變動(dòng)來發(fā)送發(fā)送數(shù)據(jù)。調(diào)制電路520改變諧振電路514 的諧振點(diǎn)，由此來改變通信信號(hào)的振幅。時(shí)鐘控制器523根據(jù)電源電壓或中央處理器525 中的電流消耗，產(chǎn)生用來改變時(shí)鐘信號(hào)的頻率和占空比的控制信號(hào)。電源控制電路530監(jiān)視電源電壓。從天線528輸入到RFCPTO11的信號(hào)被解調(diào)電路519解調(diào)，然后由RF接口 521分解為控制指令、數(shù)據(jù)等?？刂浦噶畲鎯?chǔ)在控制寄存器522中?？刂浦噶畎ù鎯?chǔ)在只讀存儲(chǔ)器527中的數(shù)據(jù)的讀出、向隨機(jī)存取存儲(chǔ)器526的數(shù)據(jù)的寫入、對(duì)中央處理器525的運(yùn)算指令等。中央處理器525通過接口 524對(duì)只讀存儲(chǔ)器527、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器526、以及控制寄存器522進(jìn)行存取。接口 524具有如下功能根據(jù)中央處理器525所要求的地址，產(chǎn)生用于只讀存儲(chǔ)器527、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器526、以及控制寄存器522中的任一個(gè)的存取信號(hào)。作為中央處理器525的運(yùn)算方法，可以采用將OS(操作系統(tǒng))存儲(chǔ)在只讀存儲(chǔ)器 527中且在開始運(yùn)行時(shí)讀出并執(zhí)行程序的方法。此外，也可以采用由專用電路構(gòu)成運(yùn)算電路且使用硬件進(jìn)行運(yùn)算處理的方法。在使用硬件和軟件二者的方法中，可以利用專用運(yùn)算電路進(jìn)行一部分的運(yùn)算處理，并且由中央處理器525使用程序來進(jìn)行其他部分的運(yùn)算處理。此外，在本實(shí)施方式的微處理器中，設(shè)置在表面上的導(dǎo)電層防止靜電放電造成的半導(dǎo)體集成電路的靜電損壞(電路的故障，半導(dǎo)體元件的損壞等)。由此，防止起因于靜電放電的特性不良的半導(dǎo)體裝置可以高成品率制造。本實(shí)施方式可以與任意其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式6在本實(shí)施方式中，將對(duì)于上述實(shí)施方式所示的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例子進(jìn)行說明。 具體地說，下面參照附圖對(duì)于可以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)發(fā)送和接收的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例子進(jìn)行說明。可以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)的發(fā)生和接收的半導(dǎo)體裝置根據(jù)應(yīng)用也被稱為 RFID標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或無線芯片。參照?qǐng)D13A說明本實(shí)施方式中所示的半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)的例子的俯視圖。半導(dǎo)體裝置400是根據(jù)上述實(shí)施方式通過分割成分離的裝置而形成的裝置(這種狀態(tài)下的半導(dǎo)體裝置也稱為半導(dǎo)體芯片)。半導(dǎo)體裝置400夾著絕緣膜設(shè)置在支撐襯底406上。支撐襯底406 設(shè)置有天線(也稱為增益天線)405，其與內(nèi)置天線720在由虛線圍繞的區(qū)域407中接近。在半導(dǎo)體裝置內(nèi)的電路部設(shè)置有存儲(chǔ)部和邏輯部，并且這些部分包括例如薄膜晶體管的多個(gè)半導(dǎo)體元件。在根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，作為半導(dǎo)體元件，不僅可以應(yīng)用薄膜晶體管之外的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，還可以應(yīng)用包括半導(dǎo)體層的存儲(chǔ)元件等。在圖13A中，增益天線405主要在由虛線圍繞的環(huán)狀區(qū)域407中與內(nèi)置天線720 電磁耦合(電磁感應(yīng))，從而發(fā)送和接收信號(hào)以及供電。此外，增益天線405可以主要在由虛線圍繞的區(qū)域407之外的區(qū)域中，通過無線電波向和從詢問器發(fā)送和接收信號(hào)，以及向詢問器供電。在詢問器與半導(dǎo)體裝置之間，用作載體(載波)的無線電波優(yōu)選地具有30MHz 以上且5GHz以下左右的頻率，例如可以具有950MHz或2. 45GHz的頻帶。盡管增益天線405在由虛線圍繞的區(qū)域407中具有一個(gè)線圈的矩形環(huán)狀形狀，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。環(huán)狀部分不限于矩形形狀，還可以是具有曲線的形狀，例如圓形。此外，線圈的數(shù)目不限于一個(gè)，而還可以是多個(gè)。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置也可以應(yīng)用電磁感應(yīng)方法、電磁耦合方法或微波方法。在微波方法的情況下，根據(jù)所使用的電磁波的波長(zhǎng)可以適當(dāng)?shù)貨Q定天線720和增益天線405的形狀。例如，在應(yīng)用微波方式(例如，UHF頻帶(860MHz頻帶到960MHz頻帶)或2. 45GHz 頻帶)作為半導(dǎo)體裝置中的信號(hào)傳輸方法的情況下，可以考慮用于信號(hào)傳輸?shù)碾姶挪ǖ牟ㄩL(zhǎng)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定天線的長(zhǎng)度、形狀等。例如，可以將天線形成為線形(例如，偶極天線)、平坦的形狀(例如，貼片天線或帶形)等。此外，天線不限于具線形的形狀，天線也可以考慮到電磁波的波長(zhǎng)具有曲線狀、蜿蜒形狀或者組合這些而成的形狀。圖14示出均具有線圈狀的內(nèi)置天線720和增益天線405，并應(yīng)用電磁感應(yīng)方法或電磁耦合方法的例子。在圖14中，在支撐襯底406上設(shè)置線圈狀的天線405作為增益天線，并在支撐襯底406上設(shè)置包括線圈狀的內(nèi)置天線720的半導(dǎo)體裝置400。注意，將電容器411形成為夾在增益天線405和支撐襯底406之間。接著，將說明半導(dǎo)體裝置400和增益天線405的結(jié)構(gòu)及配置。圖1 是圖13A的半導(dǎo)體裝置400和形成在支撐襯底406上的增益天線405層疊的立體圖。圖13C是沿著圖 13B的虛線X-Y的截面圖。作為圖13C所示的半導(dǎo)體裝置400，可以使用上述實(shí)施方式中所述的半導(dǎo)體裝置。 在此，可以使用通過將半導(dǎo)體裝置分割成分離的半導(dǎo)體裝置而獲得的芯片。所以也將半導(dǎo)體裝置400也稱為半導(dǎo)體芯片。圖13C所示的半導(dǎo)體裝置中包括的電路部403保持在第一絕緣體751和第二絕緣體753之間，并且電路部403側(cè)面也被密封。對(duì)于第一絕緣體751及第二絕緣體753的結(jié)構(gòu)，可以參照上述實(shí)施方式。此外，利用激光作為分割方法，由此第一及第二絕緣體熔化，從而密封電路部403的側(cè)面。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，天線和與該天線電連接的電路部夾在第一絕緣體和第二絕緣體之間，并且第一導(dǎo)電層7 和第二導(dǎo)電層733分別位于第一絕緣體和第二絕緣體的外側(cè)。第一導(dǎo)電層7 和第二導(dǎo)電層733具有使內(nèi)置天線720要收發(fā)的電磁波透過， 并且阻擋來自外部的靜電施加到半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的電路部中的功能。在圖13C中，電路部403位于比內(nèi)置型天線720更接近增益天線405的位置。在該狀態(tài)下，容易進(jìn)行利用電磁耦合(電磁感應(yīng))的信號(hào)的發(fā)送和接收以及供電。然而，也可以將內(nèi)置型天線720配置在比電路部403更接近增益天線405的位置。根據(jù)天線的材料， 并根據(jù)容易進(jìn)行電磁耦合(電磁感應(yīng))的距離，可以采用任一種結(jié)構(gòu)。此外，電路部403和內(nèi)置天線720可以直接緊密地固定在第一絕緣體751和第二絕緣體753上，或者可以由粘合劑緊密地固定。注意，在圖13C中，半導(dǎo)體裝置400設(shè)置在形成在支撐襯底406及增益天線405上的絕緣膜410上，但是本發(fā)明不局限于此。例如，如果導(dǎo)電層的電阻充分高，第一導(dǎo)電層729 或第二導(dǎo)電層733可以和增益天線405接觸。接著，將說明根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工作。圖15為示出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的框圖的例子。圖15所示的半導(dǎo)體裝置400包括增益天線405、增益電路部403和內(nèi)置芯片天線720。當(dāng)電磁波從詢問器421發(fā)出時(shí)，增益天線405接收該電磁波以產(chǎn)生交流電流，從而在增益天線405周圍產(chǎn)生磁場(chǎng)。然后，增益天線405的環(huán)狀部分和具有環(huán)形形狀的內(nèi)置天線720電磁耦合，使得在內(nèi)置天線720中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。電路部403 利用上述感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)接收來自詢問器421的信號(hào)或電力。另一方面，依照電路部403中產(chǎn)生的信號(hào)，使電流流過內(nèi)置天線720，并且在增益天線405中產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，由此可以將信號(hào)發(fā)送到詢問器421，作為從詢問器121發(fā)出的無線電波的反射波。注意，增益天線405具有主要進(jìn)行和內(nèi)置天線720之間的電磁耦合的環(huán)狀部分和主要接收來自詢問器421的電磁波的部分。主要接收來自詢問器421的無線電波的增益天線405的部分的形狀沒有特別的限制，只要增益天線405可以接收無線電波即可。例如，可以采用偶極天線、折疊偶極天線、槽縫天線、彎折線天線、微帶天線等的形狀。雖然圖13A至13C說明只具有一個(gè)天線的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限于該結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置可以具有兩個(gè)天線，即用來接收電力的天線和用來接收信號(hào)的天線。 當(dāng)包括兩個(gè)天線時(shí)，用于供電的無線電波的頻率和用于發(fā)送信號(hào)的無線電波的頻率可以不同。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，使用內(nèi)置芯片天線，并且可以向和從增益天線和內(nèi)置芯片天線以非接觸的方式進(jìn)行信號(hào)或電力的發(fā)送和接收。因此，與將增益天線等的外部天線連接到電路部的情況不同，電路部與天線之間的連接不容易被外力切斷，這減少了連接的初期故障。此外，在本實(shí)施方式中使用增益天線。因此與只使用內(nèi)置芯片天線的情況不同，電路部的面積很少限制內(nèi)置芯片天線的尺寸或形狀。因此，能接收的無線電波的頻帶不受到限制，而且可以增大通信距離。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，表面上的導(dǎo)電層可以防止靜電放電造成的電路部的靜電損壞(電路的故障，半導(dǎo)體元件的損壞等)。由此，可以高成品率制造防止了起因于靜電放電的特性不良的半導(dǎo)體裝置。由于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置抗外力及靜電的可靠性高，所以其可以在廣泛的條件下使用；因此可以擴(kuò)大半導(dǎo)體裝置的用途范圍。另外，本實(shí)施方式可以與任意其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式7在本實(shí)施方式中，以下參照?qǐng)D16A至16C說明根據(jù)上述實(shí)施方式形成的可以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)發(fā)送和接收的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用例?？梢苑墙佑|的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)發(fā)送和接收的半導(dǎo)體裝置根據(jù)應(yīng)用還被稱為RFID標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC標(biāo)簽、IC芯片、RF標(biāo)簽、無線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽或無線芯片。
半導(dǎo)體裝置800具有以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的功能，并且包括高頻電路 810、電源電路820、復(fù)位電路830、時(shí)鐘產(chǎn)生電路840、數(shù)據(jù)解調(diào)電路850、數(shù)據(jù)調(diào)制電路860、 控制其它電路的控制電路870、存儲(chǔ)電路880、以及天線890 (參照?qǐng)D16A)。高頻電路810接收來自天線890的信號(hào)并且將由數(shù)據(jù)調(diào)制電路860接收的信號(hào)通過天線890輸出。電源電路820根據(jù)接收的信號(hào)產(chǎn)生電源電位。復(fù)位電路830產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)。時(shí)鐘產(chǎn)生電路840根據(jù)來自天線890的信號(hào)輸入產(chǎn)生各種時(shí)鐘信號(hào)。數(shù)據(jù)解調(diào)電路850解調(diào)接收的信號(hào)并且將該信號(hào)輸出到控制電路870。數(shù)據(jù)調(diào)制電路860調(diào)制從控制電路870接收的信號(hào)。控制電路870例如包括取碼電路910、判碼電路920、CRC判定電路930、以及輸出器電路940。注意，取碼電路910提取傳送到控制電路870的指令中所包括的多個(gè)代碼。判碼電路920比較被提取的代碼與參考代碼以判定指令內(nèi)容。CRC判定電路930根據(jù)被判定的代碼檢測(cè)發(fā)送錯(cuò)誤等。 接著，對(duì)上述半導(dǎo)體裝置的工作的例子進(jìn)行說明。首先，天線890接收無線電信號(hào)。無線電信號(hào)經(jīng)由高頻電路810而被傳送到電源電路820，由此產(chǎn)生高電源電位(以下， 表示為VDD)。VDD被提供給半導(dǎo)體裝置800的電路。經(jīng)由高頻電路810被傳送到數(shù)據(jù)解調(diào)電路850的信號(hào)被解調(diào)(以下稱為解調(diào)信號(hào))。而且，經(jīng)由高頻電路810并且經(jīng)過復(fù)位電路830及時(shí)鐘產(chǎn)生電路840的信號(hào)以及解調(diào)信號(hào)被傳送到控制電路870。取碼電路910、判碼電路920、CRC判定電路930等解碼被傳送到控制電路870的信號(hào)。然后，根據(jù)所解碼的信號(hào)，輸出存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電路880內(nèi)的半導(dǎo)體裝置800的數(shù)據(jù)。被輸出的半導(dǎo)體裝置800的數(shù)據(jù)經(jīng)過輸出器電路940而被編碼。再者，被編碼的半導(dǎo)體裝置800的數(shù)據(jù)經(jīng)過數(shù)據(jù)調(diào)制電路860，由天線890作為無線電信號(hào)發(fā)送。注意，在包括在半導(dǎo)體裝置800中的多個(gè)電路中，低電源電位(以下稱為VSS)是共同的，并且可以將VSS設(shè)置為GND。以這種方式，通過將信號(hào)從通信裝置傳送到半導(dǎo)體裝置800并且使用通信裝置接收來自該半導(dǎo)體裝置800的信號(hào)，可以讀出半導(dǎo)體裝置800的數(shù)據(jù)。半導(dǎo)體裝置800可以具有不內(nèi)置電源(電池)而使用電磁波將電源電壓供應(yīng)給各個(gè)電路的結(jié)構(gòu)，或者內(nèi)置電源(電池)并且使用電磁波和電源(電池)將電源電壓供應(yīng)給各個(gè)電路的結(jié)構(gòu)。接下來，將說明可以非接觸的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)的發(fā)生和接收的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用的例子。通信裝置3200設(shè)置在包括顯示部3210的便攜式終端的側(cè)面，并且半導(dǎo)體裝置3230 被設(shè)置在產(chǎn)品3220的側(cè)面(參照?qǐng)D16B)。當(dāng)通信裝置3200接近于產(chǎn)品3220上的半導(dǎo)體裝置3230時(shí)，有關(guān)商品的信息諸如產(chǎn)品的原材料、原產(chǎn)地、各個(gè)生產(chǎn)步驟的檢查結(jié)果、流通過程的歷史、以及產(chǎn)品說明等被顯示在顯示部3210上。此外，當(dāng)通過傳送帶傳輸商品3260 時(shí)，可以利用通信裝置3240和設(shè)置在商品3260上的半導(dǎo)體裝置3250，對(duì)該商品3260進(jìn)行檢查(參照?qǐng)D16C)。如此，通過將所述半導(dǎo)體裝置利用于該系統(tǒng)，可以容易地獲得信息，從而實(shí)現(xiàn)高功能化和高附加價(jià)值化的系統(tǒng)。如上所述，本實(shí)施方式的可靠性高的半導(dǎo)體裝置的應(yīng)用范圍極為廣泛，使得所述半導(dǎo)體裝置可以應(yīng)用到廣泛領(lǐng)域的電子設(shè)備中。本實(shí)施方式可以與任意其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)施方式8根據(jù)上述實(shí)施方式，可以形成用作具有處理器電路的芯片(下文中也稱為處理器芯片、無線芯片、無線處理器、無線存儲(chǔ)器或無線標(biāo)簽)的半導(dǎo)體裝置。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置可應(yīng)用于多種產(chǎn)品中，其中以非接觸的方式揭示關(guān)于產(chǎn)品的諸如歷史的信息并用于生產(chǎn)、管理等。例如，可以將這種半導(dǎo)體裝置包含于紙幣、硬幣、有價(jià)證券、證書、無記名債券、包裝容器、書籍、記錄介質(zhì)、身邊帶的東西、交通工具、食品、衣物、保健用品、生活用品、 藥品、以及電子設(shè)備中。對(duì)這些產(chǎn)品的實(shí)例參照?qǐng)D17A至17G進(jìn)行說明。紙幣和硬幣是在市場(chǎng)中流通的貨幣，并包括可以在特定區(qū)域中作為貨幣以相同方式使用的票據(jù)(代金券)、紀(jì)念硬幣等。有價(jià)證券是指支票、證券、期票等，其可以設(shè) 置有包括處理器電路的芯片190(參照?qǐng)D17A)。證書是指駕駛執(zhí)照、居民卡等，其可以設(shè)置有包括處理器電路的芯片191 (參照?qǐng)D17B)。身邊帶的東西是指包、眼鏡等，其可以設(shè)置有包括處理器電路的芯片197(參照?qǐng)D17C)。無記名債券是指郵票、米票、各種禮品票等。包裝容器是指用于盒飯等的包裝紙、塑料瓶等，其可以設(shè)置有包括處理器電路的芯片193(參照?qǐng)D 17D)。書籍是指書、本等，其可以設(shè)置有包括處理器電路的芯片194(參照?qǐng)D17E)。記錄介質(zhì)是指DVD軟件、錄像帶等，其可以設(shè)置有包括處理器電路的芯片195(參照?qǐng)D17F)。交通工具是指自行車等的有輪車輛、船只等，其可以設(shè)置有包括處理器電路的芯片196(參照?qǐng)D 17G)。食品是指食物、飲料等。衣物是指衣服、鞋等。保健用品是指醫(yī)療設(shè)備、保健設(shè)備等。 生活用品是指家具、照明裝置等。藥品是指醫(yī)藥、農(nóng)藥等。電子設(shè)備是指液晶顯示裝置、EL 顯示裝置、電視機(jī)(電視接收機(jī)或薄型電視接收機(jī))、移動(dòng)電話等。這種半導(dǎo)體裝置通過貼在物品的表面上或者嵌入在物品中而被設(shè)置。例如，如果是書，半導(dǎo)體裝置可以嵌入在紙中，而如果是由有機(jī)樹脂構(gòu)成的包裝，半導(dǎo)體裝置可以嵌入在該有機(jī)樹脂中。通過這樣將半導(dǎo)體裝置設(shè)置到包裝容器、記錄介質(zhì)、身邊帶的東西、食品、衣物、生活用品、電子設(shè)備等中，可以提高檢查系統(tǒng)或用于租賃店的系統(tǒng)等的效率。此外，通過將半導(dǎo)體裝置設(shè)置到交通工具中，可以防止對(duì)其的偽造或偷竊。此外，通過將半導(dǎo)體裝置嵌入到動(dòng)物等生物中，可以容易進(jìn)行每個(gè)生物的識(shí)別。例如，通過將具有傳感器的半導(dǎo)體裝置植入或附著到家畜等生物中，可以容易地識(shí)別當(dāng)前體溫等健康狀態(tài)，以及其生年、性別或種類寸。本實(shí)施方式可以與任意其他實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合。實(shí)例1本實(shí)例示出對(duì)于作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的制造方法的效果進(jìn)行驗(yàn)證的結(jié)果。樣品以以下方式形成第一導(dǎo)電層、第一沖擊緩和層、第一絕緣體、天線、包括薄膜晶體管等的電路部、第二絕緣體、第二沖擊緩和層和第二導(dǎo)電層疊置形成分層結(jié)構(gòu)，并且通過激光照射將該分層結(jié)構(gòu)分成分離的半導(dǎo)體裝置。作為比較例子，以以下方式制備另一個(gè)樣品第一導(dǎo)電層、第一沖擊緩和層、第一絕緣體、天線、與上述樣品相同的電路部、第二絕緣體、第二沖擊緩和層和第二導(dǎo)電層疊置形成分層結(jié)構(gòu)，并且通過用刀具將該分層結(jié)構(gòu)分成分離的半導(dǎo)體裝置。在上述樣品中，對(duì)于第一絕緣體及第二絕緣體中的每一個(gè)分別使用在纖維體(玻璃纖維)中浸滲有機(jī)樹脂(溴化環(huán)氧樹脂)的結(jié)構(gòu)體的預(yù)浸料(2(^!11的膜厚)。通過濺射法形成鈦膜(IOnrn厚)作為第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層。對(duì)于第一沖擊緩和層及第二沖擊緩和層中的每一個(gè)使用芳族聚酰胺樹脂(12μπι厚)。注意，在天線上作為保護(hù)層形成氮化硅膜，并且在第一沖擊緩和層和電路部之間作為粘合劑形成丙烯酸樹脂膜(10 μ m厚)。對(duì)上述樣品(三個(gè)樣品和三個(gè)比較樣品)施加電壓，然后測(cè)量第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間流動(dòng)的電流值。圖18示出外加電壓和電流之間的關(guān)系。圖18顯示，通過激光照射分割的樣品與使用刀具分割的樣品相比，電流值較大 (電阻值較小)。具體而言，在使用刀具分割的樣品中，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的電阻為20GQ左右(施加IOV時(shí))。另一方面，在通過激光照射分割的樣品中，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的電阻為10ΜΩ以上且200ΜΩ以下左右(施加IOV時(shí))。據(jù)此，可知，當(dāng)通過激光照射分割半導(dǎo)體裝置時(shí)，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的電阻降低?？梢哉J(rèn)為這是因?yàn)槿缦戮壒试谕ㄟ^激光照射分割半導(dǎo)體裝置的情況下，導(dǎo)電層的材料在絕緣體熔化時(shí)分散到絕緣體中，由此實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電層的電導(dǎo)通，而在使用刀具分割半導(dǎo)體裝置的情況下，導(dǎo)電層的材料不會(huì)形成電流路徑。注意，若是第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的電阻值為IGQ以下左右(施加IOV時(shí))，則可以充分地分散靜電；因此可以根據(jù)該值采用對(duì)抗靜電的措施。另外，本實(shí)施例可以與本說明書的其他實(shí)施方式中所述的結(jié)構(gòu)或制造方法適當(dāng)?shù)亟M合實(shí)施。本申請(qǐng)基于2008年9月19日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)序列號(hào) 2008-240812，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用包含于此。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 包括薄膜晶體管的電路部； 所述電路部上的第一絕緣膜； 所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜；所述電路部上的天線，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜夾在所述電路部和所述天線之間，所述天線電連接于所述薄膜晶體管； 所述天線上的第三絕緣膜；以及所述電路部周圍的周圍區(qū)域，其中，所述周圍區(qū)域包括在所述第二絕緣膜的外側(cè)所述第一絕緣膜與所述第二絕緣膜彼此直接接觸的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣膜及所述第三絕緣膜均為氮化硅膜。
3.一種半導(dǎo)體裝置，包括 第一絕緣體；所述第一絕緣體上的包括薄膜晶體管的電路部； 所述電路部上的電連接于所述薄膜晶體管的天線； 所述天線上的第二絕緣體；以及所述電路部周圍的周圍區(qū)域，其中，所述周圍區(qū)域包括所述第一絕緣體與所述第二絕緣體密接而彼此貼合的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣體及所述第二絕緣體均為在纖維體中浸滲有有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包括 第一導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層上的第一絕緣體； 所述第一絕緣體上的包括薄膜晶體管的電路部； 所述電路部上的電連接于所述薄膜晶體管的天線； 所述天線上的第二絕緣體；所述第二絕緣體上的與所述第一導(dǎo)電層導(dǎo)通的第二導(dǎo)電層；以及所述電路部周圍的周圍區(qū)域，其中，所述周圍區(qū)域包括所述第一絕緣體與所述第二絕緣體密接而彼此貼合的區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣體及所述第二絕緣體均為在纖維體中浸滲有有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由鈦形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由氧化硅與銦錫氧化物的復(fù)合物形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的電阻值為10ΜΩ以上且200ΜΩ以下。
10.一種半導(dǎo)體裝置，包括第一導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層上的第一絕緣體； 所述第一絕緣體上的包括薄膜晶體管的電路部； 所述電路部上的第一絕緣膜； 所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜；所述電路部上的天線，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜夾在所述電路部和所述天線之間，所述天線電連接于所述薄膜晶體管； 所述天線上的第三絕緣膜； 所述第三絕緣膜上的第二絕緣體；所述第二絕緣體上的與所述第一導(dǎo)電層導(dǎo)通的第二導(dǎo)電層；以及所述電路部周圍的周圍區(qū)域，其中，所述周圍區(qū)域包括在所述第二絕緣膜的外側(cè)所述第一絕緣膜與所述第三絕緣膜直接彼此接觸的區(qū)域以及所述第一絕緣體與所述第二絕緣體密接而彼此貼合的區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣膜及所述第三絕緣膜均為氮化硅膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣體及所述第二絕緣體均為在纖維體中浸滲有有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由鈦形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由氧化硅與銦錫氧化物的復(fù)合物形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的電阻值為10ΜΩ以上且200ΜΩ以下。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 形成包括薄膜晶體管的電路部；在所述電路部上及所述電路部的周圍區(qū)域中形成第一絕緣膜； 在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；夾著所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜在所述電路部上形成天線，所述天線電連接于所述薄膜晶體管；以及在所述第一絕緣膜和所述天線上形成第三絕緣膜，所述第三絕緣膜在所述周圍區(qū)域中的所述第二絕緣膜的外側(cè)區(qū)域中與所述第一絕緣膜直接接觸。
17.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 形成包括薄膜晶體管的電路部；在所述電路部上形成電連接于所述薄膜晶體管的天線； 在所述天線上及所述電路部的周圍區(qū)域中配置第一絕緣體；以及在所述電路部下配置第二絕緣體，所述第二絕緣體在所述周圍區(qū)域中與所述第一絕緣體密接并貼合。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣體及所述第二絕緣體均為在纖維體中浸滲有有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體。
19.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 形成包括薄膜晶體管的電路部；在所述電路部上形成電連接于所述薄膜晶體管的天線； 在所述天線上配置第一絕緣體； 在所述第一絕緣體上形成第一導(dǎo)電層； 在所述電路部下配置第二絕緣體；以及在所述第二絕緣體下形成第二導(dǎo)電層，其中，在所述電路部的周圍區(qū)域中，對(duì)所述第一絕緣體、所述第一導(dǎo)電層、所述第二絕緣體以及所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行分割，并使所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層熔化，由此在所述周圍區(qū)域的側(cè)面使所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層彼此導(dǎo)通。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中分割所述第一導(dǎo)電層、所述第二絕緣體以及所述第二導(dǎo)電層的手段是激光照射。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣體及所述第二絕緣體均為在纖維體中浸滲有有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由鈦形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由氧化硅與銦錫氧化物的復(fù)合物形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的電阻值為10ΜΩ以上且200ΜΩ以下。
25.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括 形成包括薄膜晶體管的電路部；在所述電路部上及所述電路部的周圍區(qū)域中形成第一絕緣膜； 在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；夾著所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜在所述電路部上形成天線，所述天線電連接于所述薄膜晶體管；在所述第一絕緣膜和所述天線上形成第三絕緣膜，所述第三絕緣膜在所述周圍區(qū)域中的所述第二絕緣膜的外側(cè)區(qū)域中與所述第一絕緣膜直接接觸； 在所述第二絕緣膜上配置第一絕緣體； 在所述第一絕緣體上形成第一導(dǎo)電層；去除所述周圍區(qū)域中的所述第一絕緣膜及所述第三絕緣膜的一部分； 在所述電路部下配置第二絕緣體，在所述周圍區(qū)域的所述第一絕緣膜及所述第三絕緣膜的一部分被去除的區(qū)域中所述第二絕緣體與所述第一絕緣體密接并貼合；以及在所述第二絕緣體下形成第二導(dǎo)電層，其中，在所述電路部的所述周圍區(qū)域中，對(duì)所述第一絕緣體、所述第一導(dǎo)電層、所述第二絕緣體以及所述第二導(dǎo)電層進(jìn)行分割，并使所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層熔化，從而在所述周圍區(qū)域的側(cè)面使所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層彼此導(dǎo)通。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中分割所述第一導(dǎo)電層、所述第二絕緣體以及所述第二導(dǎo)電層的手段是激光照射。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一絕緣體及所述第二絕緣體均為在纖維體中浸滲有有機(jī)樹脂的結(jié)構(gòu)體。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由鈦形成。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層由氧化硅與銦錫氧化物的復(fù)合物形成。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的電阻值為10ΜΩ以上且200ΜΩ以下。
全文摘要
提供了減少了起因于靜電放電的特性不良的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。該半導(dǎo)體裝置至少具有如下三個(gè)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)(1)在電路部的周圍區(qū)域中，第一和第二絕緣膜彼此直接接觸的結(jié)構(gòu)；(2)第一和第二絕緣體彼此密接的結(jié)構(gòu)；(3)在第一絕緣體和第二絕緣體的外表面上分別設(shè)置第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的電導(dǎo)通在周圍區(qū)域的側(cè)面實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)。注意，通過將多個(gè)半導(dǎo)體裝置分割成分離的半導(dǎo)體裝置可以實(shí)現(xiàn)側(cè)面的導(dǎo)通。
文檔編號(hào)H01L21/20GK102160179SQ20098013649
公開日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2009年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日
發(fā)明者及川欣聰, 江口晉吾 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所