專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于數(shù)字照相機(jī)或便攜式電話等的半導(dǎo)體裝置、例如半導(dǎo)體攝像元件 或光電IC等受光元件、LED或激光器等發(fā)光元件、其他通用的具有各種功能的通用半導(dǎo)體 裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備的小型化、薄型化及輕量化，半導(dǎo)體裝置的高密度安裝化的 要求越來越高。此外，結(jié)合微細(xì)加工技術(shù)的進(jìn)步所帶來的半導(dǎo)體裝置高集成化，提出了直接 安裝芯片尺寸封裝或裸芯片的半導(dǎo)體裝置的所謂芯片安裝技術(shù)。例如，作為半導(dǎo)體裝置的現(xiàn)有技術(shù)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)，存在如下元件結(jié)構(gòu)及 制造方法在半導(dǎo)體攝像元件中，利用粘接劑將透明板粘貼在半導(dǎo)體元件的攝像區(qū)域上，從 而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體攝像元件的薄型化和低成本化。該方法如圖6所示，通過粘接劑23將玻璃等保護(hù)構(gòu)件M固接在具有攝像區(qū)域21 的半導(dǎo)體元件22上，在半導(dǎo)體元件22的電極25的正下方形成貫通孔沈，在貫通孔沈的內(nèi) 壁及半導(dǎo)體元件22的背面形成絕緣層27，之后，通過導(dǎo)體層觀將電極25與形成于半導(dǎo)體 元件22的背面的外部電極30進(jìn)行電連接，由此得到半導(dǎo)體攝像元件。這樣，半導(dǎo)體攝像元 件的外形尺寸與半導(dǎo)體元件22相同，實(shí)現(xiàn)了與所謂芯片尺寸相同的小型化。專利文獻(xiàn)1 美國(guó)專利US2008/0042227號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，上述現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置在半導(dǎo)體元件22的貫通孔沈的結(jié)構(gòu)上，外部電極30 側(cè)的貫通孔26的面積較大，例如因?qū)雽?dǎo)體裝置安裝到電子設(shè)備基板上時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力(在 該情況下是對(duì)外部電極側(cè)、即附圖上對(duì)下方的應(yīng)力)而導(dǎo)致貫通孔沈從半導(dǎo)體裝置脫落， 成為引起半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備基板在電氣上短路不好的主要原因。此外，半導(dǎo)體元件22的貫通孔沈本身也容易產(chǎn)生微小裂紋，成為半導(dǎo)體裝置的電 氣特性劣化的主要原因。因此，具有以下問題產(chǎn)品(半導(dǎo)體裝置)的成品率下降，導(dǎo)致產(chǎn)品的成本提高，且 可靠性及批量生產(chǎn)性也下降。本發(fā)明旨在解決上述現(xiàn)有的問題，其目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方 法，該半導(dǎo)體裝置能抑制產(chǎn)品的成品率的下降，抑制產(chǎn)品成本的提高，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)可靠性高 且批量生產(chǎn)性高的元件結(jié)構(gòu)。為了解決上述問題，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有半導(dǎo)體元件，該半導(dǎo) 體元件在一主面上形成有多個(gè)與突起部相連接的第一電極部；以及保持構(gòu)件，該保持構(gòu)件 以覆蓋所述突起部和所述第一電極部、且通過所述突起部進(jìn)行保持的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體元 件相接合，形成有多個(gè)貫通所述半導(dǎo)體元件的所述一主面與另一面之間并進(jìn)行電連接的貫 通孔導(dǎo)體部，使其孔徑從所述半導(dǎo)體元件的內(nèi)部側(cè)朝所述一主面?zhèn)茸兇?，所述多個(gè)第一電極部分別通過所述貫通孔導(dǎo)體部，與形成于所述半導(dǎo)體元件的所述另一面的外部電極電連接。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，所述貫通孔導(dǎo)體部位于所述第一電極部 的正下方，所述孔徑從所述半導(dǎo)體元件的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另一面?zhèn)茸兇蟆８鶕?jù)這些結(jié)構(gòu)，貫通孔導(dǎo)體部難以因在將半導(dǎo)體裝置安裝到電子設(shè)備基板上時(shí)產(chǎn) 生的應(yīng)力而脫落，從而不會(huì)引起半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備基板在電氣上的短路不好，能提供 高可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，貫通孔導(dǎo)體部本身也難以產(chǎn)生微小裂紋，從而不會(huì)使半導(dǎo)體 裝置的電氣特性劣化，能提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，所述貫通孔導(dǎo)體部位于所述第一電極部 的正下方，所述孔徑從所述半導(dǎo)體元件的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另一面?zhèn)却篌w相同。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置，并且，在通過刻蝕等制造貫通孔導(dǎo)體 部時(shí)，能在半導(dǎo)體元件的單面進(jìn)行刻蝕，能抑制制造成本的提高。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，所述保持構(gòu)件是以與所述突起部相接觸 的狀態(tài)粘接于所述半導(dǎo)體元件的光學(xué)構(gòu)件。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，所述保持構(gòu)件是在一主面上形成有多個(gè) 第二電極部、并以將所述第二電極部與所述突起部相接合的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體元件電連接 的另一半導(dǎo)體元件。根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，貫通孔導(dǎo)體部難以因在將半導(dǎo)體裝置安裝到電子設(shè)備基板上時(shí)產(chǎn) 生的應(yīng)力而脫落，從而不會(huì)引起半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備基板在電氣上的短路不好，能提供 高可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，貫通孔導(dǎo)體部本身也難以產(chǎn)生微小裂紋，從而不會(huì)使半導(dǎo)體 裝置的電氣特性劣化，能提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括以下工序在半導(dǎo)體晶片 內(nèi)等間隔地進(jìn)行虛擬分割而形成多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；在每一所述半導(dǎo)體元件的一主 面上分別形成多個(gè)貫通孔導(dǎo)體部上部的工序，使得孔徑從所述半導(dǎo)體元件的內(nèi)部側(cè)朝所述 一主面?zhèn)茸兇螅辉诿恳凰鲐炌讓?dǎo)體部上部的上表面形成第一電極部的工序；在每一所 述第一電極部的上表面連接突起部的工序；將保持構(gòu)件以覆蓋所述突起部和所述第一電極 部、且通過所述突起部進(jìn)行保持的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體晶片相接合的工序；對(duì)所述半導(dǎo)體晶 片的另一面進(jìn)行研磨的工序；在所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面在每一所述第一電極部的正 下方附近形成貫通孔導(dǎo)體部下部的工序，使得該貫通孔導(dǎo)體部下部與所述貫通孔導(dǎo)體部上 部貫通，且所述孔徑從所述半導(dǎo)體元件的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另一面?zhèn)茸兇?；在所述貫通?導(dǎo)體部上部及所述貫通孔導(dǎo)體部下部的內(nèi)壁、和所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面形成絕緣膜 的工序；在所述貫通孔導(dǎo)體部上部及所述貫通孔導(dǎo)體部下部的內(nèi)壁的所述絕緣膜上、以及 與所述貫通孔導(dǎo)體部下部的內(nèi)壁相連的所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面的所述絕緣膜上的 一部分形成導(dǎo)體層，從而將所述導(dǎo)體層在所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面?zhèn)茸鳛橥獠侩姌O， 通過所述導(dǎo)體層與所述第一電極部電連接的工序；以及將所述半導(dǎo)體晶片分割切斷成各半 導(dǎo)體元件、從而將半導(dǎo)體裝置單片化的工序。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，包括以下工序在半導(dǎo)體晶片 內(nèi)等間隔地進(jìn)行虛擬分割而形成多個(gè)半導(dǎo)體元件的工序；在每一所述半導(dǎo)體元件的一主 面上分別形成多個(gè)貫通孔導(dǎo)體部上部的工序，使得孔徑從所述半導(dǎo)體元件的內(nèi)部側(cè)朝所述一主面?zhèn)茸兇螅辉诿恳凰鲐炌讓?dǎo)體部上部的上表面形成第一電極部的工序；在每一所 述第一電極部的上表面連接突起部的工序；將保持構(gòu)件以覆蓋所述突起部和所述第一電極 部、且通過所述突起部進(jìn)行保持的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體晶片相接合的工序；對(duì)所述半導(dǎo)體晶 片的另一面進(jìn)行研磨的工序；在所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面在每一所述第一電極部的正 下方附近形成貫通孔導(dǎo)體部下部的工序，使得該貫通孔導(dǎo)體部下部與所述貫通孔導(dǎo)體部上 部貫通，且所述孔徑從所述半導(dǎo)體元件的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另一面?zhèn)却篌w相同；在所述貫 通孔導(dǎo)體部上部及所述貫通孔導(dǎo)體部下部的內(nèi)壁、和所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面形成絕 緣膜的工序；在所述貫通孔導(dǎo)體部上部及所述貫通孔導(dǎo)體部下部的內(nèi)壁的所述絕緣膜上、 以及與所述貫通孔導(dǎo)體部下部的內(nèi)壁相連的所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面的所述絕緣膜 上的一部分形成導(dǎo)體層，從而將所述導(dǎo)體層在所述半導(dǎo)體晶片的所述另一面?zhèn)茸鳛橥獠侩?極，通過所述導(dǎo)體層與所述第一電極部電連接的工序；以及將所述半導(dǎo)體晶片分割切斷成 各半導(dǎo)體元件、從而將半導(dǎo)體裝置單片化的工序。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，使用光學(xué)構(gòu)件作為所述保持 構(gòu)件，以與所述突起部相接觸的狀態(tài)粘接于所述半導(dǎo)體晶片。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，使用在一主面上形成有多個(gè) 第二電極部的另一半導(dǎo)體元件作為所述保持構(gòu)件，將所述第二電極部與所述突起部相接合 而與所述半導(dǎo)體晶片電連接。根據(jù)這些方法，能提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)本發(fā)明，貫通孔導(dǎo)體部難以因在將半導(dǎo)體裝置安裝到電子設(shè)備基板上時(shí)產(chǎn)生 的應(yīng)力而脫落，從而不會(huì)引起半導(dǎo)體裝置和電子設(shè)備基板在電氣上的短路不好，能提供高 可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，貫通孔導(dǎo)體部本身也難以產(chǎn)生微小裂紋，不會(huì)使半導(dǎo)體裝置的電氣特性劣 化，能提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，能提供該高可靠性的半導(dǎo)體裝置的制造方法。以上的結(jié)果是，可縮短制造工序所需的時(shí)間，并且可抑制半導(dǎo)體裝置的成品率的 下降，能實(shí)現(xiàn)適于組裝有半導(dǎo)體裝置的商品的小型化、可靠性高且批量生產(chǎn)性高的元件結(jié) 構(gòu)，抑制半導(dǎo)體裝置的成本的提高，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)組裝有半導(dǎo)體裝置的商品的薄型化及小 型化。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的各工序的簡(jiǎn)要剖視圖。圖2是表示該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中的貫通孔導(dǎo)體部部分的基本結(jié)構(gòu)例的詳 細(xì)剖視圖。圖3是表示該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中的貫通孔導(dǎo)體部部分的其他結(jié)構(gòu)例1的詳 細(xì)剖視圖。圖4是表示該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中的貫通孔導(dǎo)體部部分的其他結(jié)構(gòu)例2的詳 細(xì)剖視圖。圖5是表示該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的其他制造方法的各工序的簡(jiǎn)要剖視圖。圖6是表示現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖7是表示將本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置用于發(fā)光元件LED時(shí)的結(jié)構(gòu)例的俯視圖及剖視圖。圖8是表示該實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置使用另一半導(dǎo)體元件以代替光學(xué)構(gòu)件的通 用半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，具體說明表示本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。另外，對(duì)于與現(xiàn)有的附圖標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)的部件，這里有時(shí)省略其說明。此外，為了 易于理解，附圖示意性地將各結(jié)構(gòu)要素作為主體進(jìn)行表示，其形狀等并不是準(zhǔn)確的顯示。首先，作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，以受光元件的一種即半導(dǎo)體攝像元件為例 進(jìn)行說明。圖1是表示作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體攝像元件的制造方法的各工 序的簡(jiǎn)要剖視圖。圖2是作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體攝像元件中的貫通孔導(dǎo)體 部部分的詳細(xì)剖視圖。在圖1及圖2中，1表示半導(dǎo)體晶片，2表示攝像區(qū)域，3表示電極部(第一電極 部)，4表示突起部，5表示切斷線，6表示半導(dǎo)體元件，7表示作為保持在半導(dǎo)體元件6上的 保持構(gòu)件的光學(xué)構(gòu)件，8表示粘接劑(透明粘接構(gòu)件)，9表示貫通孔導(dǎo)體部下部，9’表示貫 通孔導(dǎo)體部上部，12表示外部電極(導(dǎo)體層)，13表示焊球，14表示絕緣膜。首先，如圖1(a)所示，在半導(dǎo)體晶片1內(nèi)等間隔地進(jìn)行虛擬分割，形成多個(gè)半導(dǎo)體 元件6，在相當(dāng)于半導(dǎo)體元件6的電極部3的正下方的部位形成貫通孔導(dǎo)體部上部9’。貫 通孔導(dǎo)體部上部9’的形成方法是如下進(jìn)行的在半導(dǎo)體晶片1的背面選擇性地形成抗蝕劑 等，利用等離子刻蝕或濕法刻蝕等對(duì)半導(dǎo)體晶片1的背面露出的部分進(jìn)行刻蝕，從而形成 絕緣膜14，之后，在相當(dāng)于貫通孔導(dǎo)體部上部9’的形狀的孔中埋入導(dǎo)電性材料。接下來，如圖1(b)所示，對(duì)于在半導(dǎo)體晶片1內(nèi)等間隔地進(jìn)行虛擬分割而得到的 多個(gè)半導(dǎo)體元件6，在各半導(dǎo)體元件6上的預(yù)定位置配置形成攝像區(qū)域2及電極部3。接下 來，在半導(dǎo)體元件6上的電極部3形成突起部4。這里，作為半導(dǎo)體晶片1，例如使用由硅、鍺或化合物半導(dǎo)體材料(例如，GaAs, InP、GaN、SiC等)等形成、厚度為100 800 μ m左右、尺寸為2英寸Φ 15英寸Φ左右 的圓盤狀的半導(dǎo)體基板。此外，在電極部3上形成突起部4的方法是被稱為所謂植球(ball bumping)的方 法，通過超聲波熱壓接等方法將使用引線接合器形成于Au金屬細(xì)線(Au引線)前端的球狀 突起物與半導(dǎo)體元件6上的電極部3進(jìn)行接合。所使用的Au引線的直徑為15 30 μ πιΦ 左右，形成于Au引線前端的球狀突起物的尺寸為30 90 μ πιΦ左右。Au的球狀突起物的 重量為10 IOOg左右，加熱溫度為80 150°C左右。這樣形成的突起部4的尺寸是直徑 40 150 μ m左右、厚度10 80 μ m左右。根據(jù)該方法，由于能非常高精度地形成突起部4的尺寸，因此，能使作為之后粘接 在半導(dǎo)體元件6上的保持構(gòu)件的光學(xué)構(gòu)件7與半導(dǎo)體元件6上的攝像區(qū)域2的表面之間的 距離均勻，從而作為半導(dǎo)體攝像元件能得到偏差較小的高品質(zhì)結(jié)構(gòu)。此外，作為突起部4的其他形成方法，還有通過鍍覆在電極部3形成Ni、Au、Cu等 的方法，和通過光刻技術(shù)在電極部3上選擇性地形成感光性樹脂的方法。
該突起部4的任一形成方法都使其剛性大于之后粘接光學(xué)構(gòu)件7的粘接劑8的剛性。即是粘接劑8對(duì)于應(yīng)力的位移量大于突起部4的結(jié)構(gòu)。突起部4通過像本實(shí)施例 那樣使用Au等金屬，彈性率為IOGPa 300GPa左右，粘接劑8通常是不含填料的環(huán)氧、硅、 丙烯酸類等，其彈性率通常為0. 01 IOGPa左右，從而能容易地使粘接劑8對(duì)于應(yīng)力的位
移量更大。接下來，如圖1(c)所示，使用粘接劑8將玻璃等光學(xué)構(gòu)件7與半導(dǎo)體晶片1固接， 以覆蓋半導(dǎo)體晶片1內(nèi)形成的各半導(dǎo)體元件6上的攝像區(qū)域2的表面。光學(xué)構(gòu)件7的材質(zhì)是玻璃或樹脂等，厚度為0. 05 1. Omm左右。光學(xué)構(gòu)件7的尺 寸是與半導(dǎo)體晶片1相同的尺寸，為2英寸Φ 15英寸Φ左右。粘接劑8是環(huán)氧、硅、丙 烯酸類等樹脂。在固接光學(xué)構(gòu)件7的方法中，首先，將粘接劑8涂布在半導(dǎo)體晶片1上。作為涂布 的方法，有利用涂布機(jī)進(jìn)行的涂布、印刷方法、利用旋涂器進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)涂布等方法。之后，將 光學(xué)構(gòu)件7設(shè)置在半導(dǎo)體晶片1上。此時(shí)，對(duì)光學(xué)構(gòu)件7進(jìn)行加壓，使光學(xué)構(gòu)件7與突起部 4接觸。上面闡述的突起部4的形成方法是在設(shè)置光學(xué)構(gòu)件7之前形成于電極部3的方 法，但也可以是在設(shè)置光學(xué)構(gòu)件7時(shí)、將預(yù)先在位于電極部3的部分形成的突起部4設(shè)置于 半導(dǎo)體晶片1的方法。此外，作為將粘接劑8涂布于半導(dǎo)體晶片1的順序，雖然闡述了在涂布粘接劑8之 后設(shè)置光學(xué)構(gòu)件7的方法，但也可以是如下方法在涂布粘接劑8之前，將光學(xué)構(gòu)件7設(shè)置 并臨時(shí)固定于半導(dǎo)體晶片1，之后，在因突起部4而形成的、半導(dǎo)體晶片1與光學(xué)構(gòu)件7的間 隙內(nèi)注入粘接劑8。此時(shí)，通過在真空中進(jìn)行注入，能夠不產(chǎn)生氣泡且在短時(shí)間內(nèi)在半導(dǎo)體 晶片1上形成粘接劑8。接下來，固化粘接劑8而結(jié)束。粘接劑8的固化方法在粘接劑8是紫外線固化型 的情況下，通過光學(xué)構(gòu)件7對(duì)粘接劑8照射紫外線來進(jìn)行。此外，在粘接劑8是熱固化型的 情況下，通過固化爐、加熱板、紅外燈等，將粘接劑8加熱到50 200°C使其固化。接下來，如圖1(d)所示，對(duì)半導(dǎo)體晶片1的背面進(jìn)行研磨，使半導(dǎo)體晶片1的厚度 變薄。研磨后的半導(dǎo)體晶片1的厚度為10 500 μ m左右。半導(dǎo)體晶片1的研磨通過對(duì)半 導(dǎo)體晶片1進(jìn)行加壓同時(shí)利用旋轉(zhuǎn)的磨具進(jìn)行機(jī)械研磨、或干法刻蝕等方法來進(jìn)行。在利用機(jī)械研磨進(jìn)行的情況下，由于是突起部4的剛性大于粘接劑8的結(jié)構(gòu)，因 此，對(duì)半導(dǎo)體晶片1加壓所產(chǎn)生的荷重集中施加于突起部4正下方的半導(dǎo)體晶片1部分，因 此，突起部4正下方的半導(dǎo)體晶片1的研磨量比其他區(qū)域的研磨量要多，從而在半導(dǎo)體晶片 1中突起部4的正下方形成相當(dāng)于貫通孔導(dǎo)體部下部9的凹狀。相當(dāng)于貫通孔導(dǎo)體部下部 9的凹狀的直徑為10 200 μ m，深度為3 IOOym左右。此外，相當(dāng)于該貫通孔導(dǎo)體部下部9的凹狀也可以通過圖1(a)中闡述的刻蝕方法 來形成。接下來，如圖1(e)所示，雖然未圖示，但是，在對(duì)半導(dǎo)體晶片1的相當(dāng)于貫通孔導(dǎo) 體部下部9的凹狀的內(nèi)壁及半導(dǎo)體晶片1背面的整個(gè)表面形成氧化硅膜等絕緣膜之后，通 過光刻等方法去除位于半導(dǎo)體元件6底部的絕緣膜14。之后，在相當(dāng)于貫通孔導(dǎo)體部下部9的凹狀的內(nèi)部、以及半導(dǎo)體晶片1的背面選擇性地形成貫通孔導(dǎo)體部下部(導(dǎo)體層)9、導(dǎo) 體層12。導(dǎo)體層12成為外部電極12，在該區(qū)域形成焊球13。此外，通過將貫通孔導(dǎo)體部上 部9’與貫通孔導(dǎo)體部下部9電導(dǎo)通，從而使形成有多個(gè)電極部的半導(dǎo)體元件6與外部電極 12電導(dǎo)通。此外，在圖1(a)、圖1(e)的相當(dāng)于貫通孔導(dǎo)體部下部9、貫通孔導(dǎo)體部上部9’的凹 狀形成導(dǎo)體層時(shí)，也可以對(duì)與半導(dǎo)體裝置的必要電量相匹配的與電極部3及外部電極(導(dǎo) 體層)12接觸的面積(導(dǎo)體層)以外的部分埋入樹脂等，從而削減導(dǎo)體層的量及導(dǎo)體層的
加工量。此外，在相當(dāng)于貫通孔導(dǎo)體部下部9、貫通孔導(dǎo)體部上部9’的凹狀的內(nèi)部表面形 成凹凸，增大與半導(dǎo)體元件6的接觸面積，還具有貫通孔導(dǎo)體部(由貫通孔導(dǎo)體部下部9及 貫通孔導(dǎo)體部上部9’形成)變得難以脫落的效果。這里，貫通孔導(dǎo)體部上部9’位于電極部3的正下方，貫通孔導(dǎo)體部上部9’與貫通 孔導(dǎo)體部下部9的接合面的孔徑A小于貫通孔導(dǎo)體部上部9’在半導(dǎo)體元件6 —主面?zhèn)鹊?孔徑B、以及貫通孔導(dǎo)體部下部9在半導(dǎo)體元件6另一面?zhèn)鹊目讖紺，從而，在將半導(dǎo)體裝置 (半導(dǎo)體攝像元件)安裝于電子設(shè)備基板時(shí)，使得貫通孔難以因這時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力而從半導(dǎo) 體攝像元件脫落，消除引起半導(dǎo)體攝像元件和電子設(shè)備基板在電氣上的短路不好的情況， 由此能提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，貫通孔導(dǎo)體部9、9’本身難以產(chǎn)生微小裂紋，從 而不會(huì)使半導(dǎo)體攝像元件的電氣特性劣化，能提供高可靠性的半導(dǎo)體攝像元件(半導(dǎo)體裝 置)。圖2是貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔導(dǎo)體部下部9部分的詳細(xì)剖視圖，作為上述 圖1 (e)中說明的絕緣膜14的形成方法，通過使用利用等離子CVD的氧化硅膜形成方法、或 利用旋涂的聚酰亞胺等樹脂形成方法，能容易進(jìn)行。由于絕緣膜14暫時(shí)也形成于貫通孔導(dǎo)體部上部9’的底部，因此，在通過光刻法選 擇性地形成光刻膠(photo resist)之后，通過等離子刻蝕或濕法刻蝕等，去除位于貫通孔 導(dǎo)體部上部9’的底面的絕緣膜14。貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔導(dǎo)體部下部9的形成使用在通過濺射等蒸鍍了 Ti/ Cu膜等之后、通過電鍍形成Ni、Cu、Au等金屬膜的方法等。金屬模的厚度為0. 1 2 μ m左 右。在通過濺射進(jìn)行金屬膜的蒸鍍之前，通過干法刻蝕或濕法刻蝕將貫通孔導(dǎo)體部上部9’ 的孔徑A部分的面刻蝕得較薄，從而使貫通孔導(dǎo)體部上部9’與貫通孔導(dǎo)體部下部9相接觸 的面(金屬膜孔徑A的部分)能以低電阻進(jìn)行連接。此時(shí)，由于貫通孔導(dǎo)體部上部9’的 與電極部3相接觸的面的孔徑B大于貫通孔導(dǎo)體部上部9’與貫通孔導(dǎo)體部下部9相接觸 的面的孔徑A，因此，通過過刻蝕，貫通孔導(dǎo)體部上部9’不會(huì)消失，成品率不會(huì)下降。然后，通過鍍覆形成貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔導(dǎo)體部下部9。鍍覆可使用電 鍍、無電解電鍍等方法。此時(shí)，由于貫通孔導(dǎo)體部上部9’為孔徑A <孔徑B，貫通孔導(dǎo)體部 下部9為孔徑A <孔徑C，因此，鍍覆液也容易地浸入到貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔導(dǎo)體 部下部9的內(nèi)部，從而，能容易地形成貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔導(dǎo)體部下部9。在圖1 中，雖然采用了填充貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔導(dǎo)體部下部9的整個(gè)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，但是， 也可以對(duì)與半導(dǎo)體裝置的必要電量相匹配的與電極部3及外部電極(導(dǎo)體層)12接觸的面 積(導(dǎo)體層)以外的部分埋入樹脂等，削減導(dǎo)體層的量及導(dǎo)體層的加工量。
接下來，如圖1(f)所示，通過利用切斷線5將半導(dǎo)體晶片1分成各半導(dǎo)體裝置，從 而將半導(dǎo)體攝像元件單片化。使用通過切割法等同時(shí)切斷光學(xué)構(gòu)件7和半導(dǎo)體晶片1的方 法等，將半導(dǎo)體攝像元件從半導(dǎo)體晶片1分離。接下來，說明圖3所示的作為半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體攝像元件。圖3是貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔(導(dǎo)體層)11部分的詳細(xì)剖視圖，表示貫通 孔導(dǎo)體部上部9’為孔徑A <孔徑B、貫通孔(導(dǎo)體層)11為孔徑A=孔徑C的狀態(tài)。在該 情況下，在將半導(dǎo)體攝像元件安裝到電子設(shè)備基板上時(shí)，貫通孔導(dǎo)體部上部9’也難以因這 時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力而從半導(dǎo)體攝像元件脫落，不會(huì)引起半導(dǎo)體攝像元件和電子設(shè)備基板在電 氣上的短路不好，由此能提供高可靠性的半導(dǎo)體攝像元件。此外，貫通孔(導(dǎo)體層)11的形 成可以是通過鉆孔等的孔加工，可以僅在形成貫通孔導(dǎo)體部上部9’時(shí)在單面進(jìn)行刻蝕，能 抑制制造成本的提高，能提供高可靠性的半導(dǎo)體攝像元件。接下來，說明圖4所示的作為半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體攝像元件。圖4是使由圖2的貫通孔導(dǎo)體部上部9’和貫通孔導(dǎo)體部下部9形成的貫通孔導(dǎo) 體部部分不完全成為導(dǎo)體層而是形成導(dǎo)體層16的情況的典型例，若貫通孔導(dǎo)體部上部9’ 側(cè)為孔徑A <孔徑B、貫通孔導(dǎo)體部下部9側(cè)為孔徑A <孔徑C的關(guān)系，則可發(fā)揮與上述圖 2及圖3的情況相同的效果，并且，可以不用全部都埋入導(dǎo)體層，能抑制制造成本的提高，能 提供高可靠性的半導(dǎo)體攝像元件。接下來，說明圖5所示的作為半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體攝像元件及其制造方法。在圖5中示出雖然圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)是表示與圖1 (a)、圖1 (b)、圖1 (c) 相同的工序的圖，但是，如圖5(d)所示，為了形成圖2的貫通孔導(dǎo)體部下部(導(dǎo)體層)9，預(yù) 先將貫通孔15進(jìn)行鉆孔加工等，從而圖5(e)所示的相當(dāng)于貫通孔導(dǎo)體部下部9的凹狀變 得容易形成，能抑制制造成本的提高。由于完成的半導(dǎo)體攝像元件是粘接劑8至少在厚度方向具有收縮應(yīng)力的結(jié)構(gòu)，因 此，當(dāng)之后組裝到設(shè)備后周圍溫度發(fā)生變化時(shí)，光學(xué)構(gòu)件7和半導(dǎo)體元件6的攝像區(qū)域表面 之間的尺寸不會(huì)發(fā)生變化，光學(xué)特性的品質(zhì)優(yōu)異。作為半導(dǎo)體裝置，雖然以上舉出了受光元件的一種即半導(dǎo)體攝像元件作為示例進(jìn) 行了說明，但是，作為受光元件，除了半導(dǎo)體攝像元件之外，雖未進(jìn)行圖示，還可舉出光電IC 等作為一個(gè)示例。另外，在上述實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體裝置，雖然舉出半導(dǎo)體攝像元件或光電IC 等受光元件的情況作為示例進(jìn)行了說明，但是，在LED、或未圖示的激光器發(fā)光元件等的情 況下，也能同樣地進(jìn)行實(shí)施，能得到相同效果，該LED是發(fā)光元件的一種，具有平面形狀如 圖7(a)所示、圖7(a)的向視部的截面形狀如圖7 (b)所示那樣的結(jié)構(gòu)，在作為保持構(gòu)件的 光學(xué)構(gòu)件7與半導(dǎo)體元件6之間形成發(fā)光區(qū)域HRl。此外，在上述實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置中，用通用地選擇構(gòu)成各種功能的另一半導(dǎo) 體元件代替作為保持構(gòu)件的光學(xué)構(gòu)件7，并與半導(dǎo)體元件6 —起使用，從而，能制成形成 有防止貫通孔導(dǎo)體部下部9及貫通孔導(dǎo)體部上部9’脫落的Si貫通底切型的Si中介層 (interposer)的通用半導(dǎo)體裝置。圖8是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置使用了另一半導(dǎo)體元件以代替光學(xué)構(gòu)件7的 通用半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)例的剖視圖。
該通用半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有半導(dǎo)體元件6，該半導(dǎo)體元件6在一主面上 形成有多個(gè)與突起部4相連接的電極部(第一電極部)3 ；以及另一半導(dǎo)體元件21，該另一 半導(dǎo)體元件21是以覆蓋突起部4和電極部3、且通過突起部4保持于半導(dǎo)體元件6的狀態(tài) 與半導(dǎo)體元件6相接合的保持構(gòu)件，所述另一半導(dǎo)體元件21在一主面上形成有多個(gè)另一半 導(dǎo)體元件側(cè)電極部(第二電極部)22，并以將另一半導(dǎo)體元件側(cè)電極部22與突起部4相接 合的狀態(tài)與半導(dǎo)體元件6電連接，形成有多個(gè)貫通半導(dǎo)體元件6的一主面與另一面之間并 進(jìn)行電連接的貫通孔導(dǎo)體部(上部9’及下部9)，所述各貫通孔導(dǎo)體部的貫通孔導(dǎo)體部上部 9’的孔徑從半導(dǎo)體元件6的內(nèi)部側(cè)朝一主面?zhèn)茸兇?，且貫通孔?dǎo)體部下部9的孔徑從半導(dǎo) 體元件6的內(nèi)部側(cè)朝另一面?zhèn)茸兇螅鄠€(gè)電極部3分別通過貫通孔導(dǎo)體部(上部9’及下部 9)而與形成于半導(dǎo)體元件6的另一面的外部電極12電連接。在該通用半導(dǎo)體裝置中，如圖8所示，通過突起部4將半導(dǎo)體元件6上的電極部3、 與另一半導(dǎo)體元件21上的另一半導(dǎo)體元件側(cè)電極部22電接合，在本實(shí)施方式的裝置中，突 起部4使用了金或焊料等金屬球。此外，對(duì)于電極部3、突起部4、以及另一半導(dǎo)體元件側(cè)電極部22的連接，為了抑制 因外部應(yīng)力等而導(dǎo)致的連接不好，在將電極部3、突起部4、以及另一半導(dǎo)體元件側(cè)電極部 22電連接之后，使底部填充物23流入到半導(dǎo)體元件6與另一半導(dǎo)體元件21的間隙內(nèi)，提高 它們的連接強(qiáng)度。另外，作為本實(shí)施方式的裝置中使用的底部填充物23，使用熱固化性樹脂，在使底 部填充物23流入到半導(dǎo)體元件6與另一半導(dǎo)體元件21的間隙內(nèi)之后，對(duì)底部填充物23施 加約200°C的溫度，使底部填充物23固化。在采用了以上結(jié)構(gòu)的情況下，貫通孔導(dǎo)體部上部9’位于電極部3的正下方，貫通 孔導(dǎo)體部上部9’與貫通孔導(dǎo)體部下部9的接合面的孔徑A小于貫通孔導(dǎo)體部上部9’在半 導(dǎo)體元件6主面?zhèn)鹊目讖紹、以及貫通孔導(dǎo)體部下部9在半導(dǎo)體元件6另一面?zhèn)鹊目讖紺， 從而，在將半導(dǎo)體裝置安裝到電子設(shè)備基板上時(shí)，貫通孔難以因這時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力而從半 導(dǎo)體元件脫落，消除引起半導(dǎo)體元件和電子設(shè)備基板在電氣上的短路不好的情況，由此能 提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置。此外，貫通孔導(dǎo)體部9、9’本身難以產(chǎn)生微小裂紋，從而不會(huì) 使半導(dǎo)體元件的電氣特性劣化，能提供高可靠性的半導(dǎo)體裝置。另外，在該通用半導(dǎo)體裝置中，根據(jù)其使用目的，作為另一半導(dǎo)體元件21，通用地 選擇構(gòu)成像放大元件、存儲(chǔ)元件、或微機(jī)元件等那樣的各種功能元件。此外，在圖8中，使用倒裝芯片型半導(dǎo)體元件作為另一半導(dǎo)體元件21，并與半導(dǎo)體 元件6形成堆疊結(jié)構(gòu)，但是，也可以使另一半導(dǎo)體元件21為Si貫通型而形成面朝上(face up)連接結(jié)構(gòu)。此外，在圖8中，在利用倒裝芯片型的另一半導(dǎo)體元件21與半導(dǎo)體元件6形成堆 疊結(jié)構(gòu)的情況下，雖然為了使另一半導(dǎo)體元件21與半導(dǎo)體元件6的接合性穩(wěn)定而使用了底 部填充物23，但是，只要另一半導(dǎo)體元件21與半導(dǎo)體元件6之間具有足夠?qū)乖趯雽?dǎo)體 裝置安裝于電子設(shè)備基板時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力的必要的接合強(qiáng)度，也可以不使用底部填充物23。工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法由于可縮短制造工序所需的時(shí)間，并且可抑制 半導(dǎo)體裝置的成品率的下降，能實(shí)現(xiàn)適于組裝有半導(dǎo)體裝置的商品的小型化、可靠性高且批量生產(chǎn)性高的元件結(jié)構(gòu)，能夠抑制半導(dǎo)體裝置的成本的提高，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)組裝有半導(dǎo) 體裝置的商品的薄型化及小型化，因此，在今后越來越高性能且要求薄型化及小型化的數(shù) 字相機(jī)或便攜式電話等領(lǐng)域是有用的。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有半導(dǎo)體元件(6)，該半導(dǎo)體元件(6)在一主面上形成有多個(gè)與突起部(4)相連接的第一 電極部⑶；以及保持構(gòu)件(7、21)，該保持構(gòu)件(7、21)以覆蓋所述突起部(4)和所述第一電極部(3)、 且通過所述突起部(4)進(jìn)行保持的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體元件(6)相接合，形成有多個(gè)貫穿所述半導(dǎo)體元件(6)的所述一主面與另一面之間而進(jìn)行電連接的貫 通孔導(dǎo)體部(9’、9)，使所述貫通孔導(dǎo)體部(9’、9)的孔徑從所述半導(dǎo)體元件(6)的內(nèi)部側(cè)朝 所述一主面?zhèn)茸兇螅龆鄠€(gè)第一電極部C3)分別通過所述貫通孔導(dǎo)體部(9’、9)，與形成于所述半導(dǎo)體元 件(6)的所述另一面的外部電極(12)電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述貫通孔導(dǎo)體部(9’、9)位于所述第一電極部(3)的正下方，所述孔徑從所述半導(dǎo)體元件(6)的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另一面?zhèn)茸兇蟆?br> 3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述貫通孔導(dǎo)體部(9’、9)位于所述第一電極部(3)的正下方，所述孔徑從所述半導(dǎo)體元件(6)的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另一面?zhèn)却篌w相同。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是以與所述突起部(4)相接觸的狀態(tài)粘接于所述半導(dǎo)體元件(6) 的光學(xué)構(gòu)件⑵。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是以與所述突起部(4)相接觸的狀態(tài)粘接于所述半導(dǎo)體元件(6) 的光學(xué)構(gòu)件⑵。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是以與所述突起部(4)相接觸的狀態(tài)粘接于所述半導(dǎo)體元件(6) 的光學(xué)構(gòu)件⑵。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是在一主面上形成有多個(gè)第二電極部(22)、并以將所述第二電 極部0 與所述突起部(4)相接合的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體元件(6)電連接的另一半導(dǎo)體元 件 01)。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是在一主面上形成有多個(gè)第二電極部(22)、并以將所述第二電 極部0 與所述突起部(4)相接合的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體元件(6)電連接的另一半導(dǎo)體元 件 01)。
9.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是在一主面上形成有多個(gè)第二電極部(22)、并以將所述第二電 極部0 與所述突起部(4)相接合的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體元件(6)電連接的另一半導(dǎo)體元 件 01)。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序在半導(dǎo)體晶片(1)內(nèi)等間隔地進(jìn)行虛擬分割而形成多個(gè)半導(dǎo)體元件(6)的工序；在每一所述半導(dǎo)體元件(6)的一主面上分別形成多個(gè)貫通孔導(dǎo)體部上部(9’)的工序， 使得所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’ )的孔徑從所述半導(dǎo)體元件(6)的內(nèi)部側(cè)朝所述一主面?zhèn)?變大；在每一所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’ )的上表面形成第一電極部(3)的工序； 在每一所述第一電極部(3)的上表面連接突起部的工序； 將保持構(gòu)件(7、21)以覆蓋所述突起部(4)和所述第一電極部(3)、且通過所述突起部 (4)進(jìn)行保持的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體晶片(1)相接合的工序； 對(duì)所述半導(dǎo)體晶片(1)的另一面進(jìn)行研磨的工序；在所述半導(dǎo)體晶片(1)的所述另一面在每一所述第一電極部C3)的正下方附近形成貫 通孔導(dǎo)體部下部(9)的工序，使得該貫通孔導(dǎo)體部下部(9)與所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’) 貫通，且所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的孔徑從所述半導(dǎo)體元件(6)的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另 一面?zhèn)茸兇?；在所述貫通孔?dǎo)體部上部(9’)及所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的內(nèi)壁、和所述半導(dǎo)體晶 片(1)的所述另一面形成絕緣膜(14)的工序；在所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’ )及所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的內(nèi)壁的所述絕緣膜 (14)上、以及與所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的內(nèi)壁相連的所述半導(dǎo)體晶片(1)的所述另一 面的所述絕緣膜(14)上的一部分形成導(dǎo)體層(9、9’、12)，從而將所述導(dǎo)體層(9、9’、12)在 所述半導(dǎo)體晶片(1)的所述另一面?zhèn)茸鳛橥獠侩姌O(12)，通過所述導(dǎo)體層(9、9’、12)與所 述第一電極部(3)電連接的工序；以及將所述半導(dǎo)體晶片(1)分割切斷成各半導(dǎo)體元件(6)、從而將半導(dǎo)體裝置單片化的工序。
11. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序 在半導(dǎo)體晶片(1)內(nèi)等間隔地進(jìn)行虛擬分割而形成多個(gè)半導(dǎo)體元件(6)的工序； 在每一所述半導(dǎo)體元件(6)的一主面上分別形成多個(gè)貫通孔導(dǎo)體部上部(9’)的工序， 使得所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’ )的孔徑從所述半導(dǎo)體元件(6)的內(nèi)部側(cè)朝所述一主面?zhèn)?變大；在每一所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’ )的上表面形成第一電極部(3)的工序； 在每一所述第一電極部(3)的上表面連接突起部的工序； 將保持構(gòu)件(7、21)以覆蓋所述突起部(4)和所述第一電極部(3)、且通過所述突起部 (4)進(jìn)行保持的狀態(tài)與所述半導(dǎo)體晶片(1)相接合的工序； 對(duì)所述半導(dǎo)體晶片(1)的另一面進(jìn)行研磨的工序；在所述半導(dǎo)體晶片(1)的所述另一面在每一所述第一電極部C3)的正下方附近形成貫 通孔導(dǎo)體部下部(9)的工序，使得該貫通孔導(dǎo)體部下部(9)與所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’) 貫通，且所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的孔徑從所述半導(dǎo)體元件(6)的所述內(nèi)部側(cè)朝所述另 一面?zhèn)却篌w相同；在所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’)及所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的內(nèi)壁、和所述半導(dǎo)體晶 片(1)的所述另一面形成絕緣膜(14)的工序；在所述貫通孔導(dǎo)體部上部(9’ )及所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的內(nèi)壁的所述絕緣膜 (14)上、以及與所述貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的內(nèi)壁相連的所述半導(dǎo)體晶片(1)的所述另一面的所述絕緣膜(14)上的一部分形成導(dǎo)體層(9’、11、12)，從而將所述導(dǎo)體層(9’、11、12) 在所述半導(dǎo)體晶片⑴的所述另一面?zhèn)茸鳛橥獠侩姌O(12)，通過所述導(dǎo)體層(9’、11、12)與 所述第一電極部⑶電連接的工序；以及將所述半導(dǎo)體晶片(1)分割切斷成各半導(dǎo)體元件(6)、從而將半導(dǎo)體裝置單片化的工序。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是光學(xué)構(gòu)件(7)，以與所述突起部(4)相接觸的狀態(tài)粘接于所述 半導(dǎo)體晶片(1)。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是光學(xué)構(gòu)件(7)，以與所述突起部(4)相接觸的狀態(tài)粘接于所述 半導(dǎo)體晶片(1)。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是在一主面上形成有多個(gè)第二電極部0 的另一半導(dǎo)體元件 (21)，將所述第二電極部0 與所述突起部(4)相接合而與所述半導(dǎo)體晶片(1)電連接。
15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述保持構(gòu)件(7、21)是在一主面上形成有多個(gè)第二電極部0 的另一半導(dǎo)體元件 (21)，將所述第二電極部0 與所述突起部(4)相接合而與所述半導(dǎo)體晶片(1)電連接。
全文摘要
形成半導(dǎo)體元件(6)的貫通孔導(dǎo)體部上部(9’)及貫通孔導(dǎo)體部下部(9)，使得貫通孔導(dǎo)體部上部(9’)與貫通孔導(dǎo)體部下部(9)的接合面的孔徑(A)小于貫通孔導(dǎo)體部上部(9’)在半導(dǎo)體元件(6)一主面?zhèn)鹊目讖?B)、以及貫通孔導(dǎo)體部下部(9)在半導(dǎo)體元件(6)另一面?zhèn)鹊目讖?C)，在貫通孔導(dǎo)體部上部(9’)的上表面形成電極部(3)，并在電極部(3)的上表面形成突起部(4)，利用粘接劑(8)將光學(xué)構(gòu)件(7)以按壓在該突起部(4)的狀態(tài)固接在半導(dǎo)體元件(6)上。
文檔編號(hào)H01L23/12GK102132409SQ20098013415
公開日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月21日
發(fā)明者佐野光, 內(nèi)海勝喜, 富田佳宏, 藤本博昭 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社