專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，尤其是涉及具有焊盤電極(bonding pad electrode)的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。本申請基于在2008年3月13日在日本申請的專利申請2008-64716號和在2008 年4月28日在日本申請的專利申請2008-117866號要求優(yōu)先僅，將上述申請的內(nèi)容援引到 本申請中。
背景技術(shù)：
近年，作為短波長光發(fā)光元件用的半導(dǎo)體材料，GaN系化合物半導(dǎo)體受到注目。GaN 系化合物半導(dǎo)體，采用有機(jī)金屬氣相化學(xué)淀積法(MOCVD)法或分子束外延法(MBE法)等的 薄膜形成方法在藍(lán)寶石單晶、各種的氧化物或III-V族化合物等的基板上形成。GaN系化合物半導(dǎo)體薄膜具有電流向薄膜面內(nèi)方向擴(kuò)散小的特性。此外，ρ型的 GaN系化合物半導(dǎo)體，與η型的GaN系化合物半導(dǎo)體相比，具有電阻率高的特性。因此，在ρ 型的半導(dǎo)體層的表面只層疊由金屬構(gòu)成的P型電極時(shí)，基本上沒有電流向P型半導(dǎo)體層的 面內(nèi)方向的擴(kuò)散。因此，在形成具有包含η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層的LED結(jié)構(gòu) 的疊層半導(dǎo)體層、并在最上部的P型半導(dǎo)體層上形成P型電極的場合，具有發(fā)光層中只有位 于P型電極正下方的部分發(fā)光的特性。因此，為了向發(fā)光元件的外部取出在P型電極的正下方發(fā)生的發(fā)光，必須對P型電 極透過發(fā)光而取出，因此，必須使P型電極具有透光性。為了使P型電極具有透光性，將使 用ITO等導(dǎo)電性的金屬氧化物，或者使用如專利文獻(xiàn)1所述的數(shù)IOnm左右的金屬薄膜。專 利文獻(xiàn)1提出了下述方案在P型半導(dǎo)體層上層疊Ni和Au各數(shù)IOnm左右來作為ρ型電極 后，在氧氣氛下加熱進(jìn)行合金化處理，來同時(shí)地進(jìn)行P型半導(dǎo)體層低電阻化的促進(jìn)和具有 透光性和歐姆性的P型電極的形成(參照專利文獻(xiàn)1)。然而，由ITO等的金屬氧化物構(gòu)成的透光性電極，或由數(shù)IOnm左右的金屬薄膜構(gòu) 成的歐姆電極，電極本身的強(qiáng)度低，因此難以將電極本身作為焊盤使用。所以，一般在P型 電極上配置具有某種程度的厚度的接合用的盤電極。然而，該盤電極是具有某種程度的厚 度的金屬材料，因此沒有透光性，透過P型電極的發(fā)光被盤電極遮蔽，結(jié)果有時(shí)不會將發(fā)光 的一部分向發(fā)光元件的外部取出。于是，最近，作為盤電極在研究使用由Ag、Al等構(gòu)成的反射膜。通過在ρ型電極上 層疊由反射膜構(gòu)成的盤電極，透過P型電極的發(fā)光被盤電極反射到發(fā)光元件內(nèi)，因此能夠 從盤電極的形成區(qū)域以外的地方向發(fā)光元件的外部取出該反射光。(參照專利文獻(xiàn)2)專利文獻(xiàn)1 日本專利第2803742號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2006-66903號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，作為ρ型電極使用ITO等的金屬氧化物等、作為盤電極使用由Ag等構(gòu)成的反射膜的發(fā)光元件，當(dāng)要將接合線等與盤電極接合時(shí)，有時(shí)盤電極不能耐受接合線接合時(shí) 的拉伸應(yīng)力從而盤電極剝離。本發(fā)明是鑒于上述狀況而完成的，其目的在于提供具有即使受接合線接合時(shí)的拉 伸應(yīng)力也不會剝離的盤電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法。為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明采用以下構(gòu)成。[1] 一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，具有基板；形成于上述基板上的包含發(fā)光層的疊層半 導(dǎo)體層；在上述疊層半導(dǎo)體層的上面形成的透光性電極；以及，在上述透光性電極上形成 的接合層和焊盤電極，上述焊盤電極由包含從透光性電極側(cè)依次層疊的金屬反射層和連接層(結(jié)合層； bonding layer)的疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，上述金屬反射層包含選自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt 中的一種金屬或含有該金屬的合金。[2]根據(jù)前項(xiàng)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，上述焊盤電極的全部層疊于上述接
合層上。[3]根據(jù)前項(xiàng)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，上述焊盤電極的一部分層疊于上述 接合層上，上述焊盤電極的剩余部分接合于上述透光性電極上。[4]根據(jù)前項(xiàng)1 3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，上述接合層是包含選 自 Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN 中的至少
一種的層，是厚度為10人(埃) 400A范圍的薄膜。[5]根據(jù)前項(xiàng)1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，上述焊盤電極在元件發(fā)光波長下的 光反射率為60%以上。[6]根據(jù)前項(xiàng)1 5的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，上述透光性電極由透 光性的導(dǎo)電性材料構(gòu)成，該透光性的導(dǎo)電性材料是含有選自In、Zn、Al、Ga、Ti、Bi、Mg、W、 Ce、Sn、M中的一種元素的導(dǎo)電性的氧化物、硫化鋅或硫化鉻。[7]根據(jù)前項(xiàng)1 6的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，上述疊層半導(dǎo)體層，是 從上述基板側(cè)依次地層疊η型半導(dǎo)體層、上述發(fā)光層、ρ型半導(dǎo)體層而成，上述ρ型半導(dǎo)體 層和上述發(fā)光層的一部分被除去從而露出上述η型半導(dǎo)體層的一部分，在露出的上述η型 半導(dǎo)體層上層疊有η型電極，并且在上述P型半導(dǎo)體層的剩余部分的上面層疊有上述透光 性電極、上述接合層和上述焊盤電極。[8]根據(jù)前項(xiàng)1 7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，上述疊層半導(dǎo)體層以 氮化鎵系半導(dǎo)體為主體來構(gòu)成。[9] 一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，包括在基板上形成包含發(fā)光層的疊層半 導(dǎo)體層的工序；形成透光性電極的工序；形成接合層的工序；以及，形成焊盤電極的工序， 其中，形成上述透光性電極的工序包括使透光性電極用材料結(jié)晶化的工序。[10]根據(jù)前項(xiàng)9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其中，在形成上述透光性電 極的工序之后，進(jìn)行形成上述接合層的工序和形成上述焊盤電極的工序。[11]根據(jù)前項(xiàng)10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其中，形成上述焊盤電極 的工序包括形成金屬反射層的工序和形成連接層的工序；在形成上述透光性電極的工序之 后，進(jìn)行形成上述接合層的工序、形成上述金屬反射層的工序和形成上述連接層的工序；上 述金屬反射層包含選自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一種金屬或含有該金屬的合金。
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[12]根據(jù)前項(xiàng)10或11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其中，上述接合層是包 含選自 Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN 中的
至少一種的層，是厚度為10人~ 400人范圍的薄膜。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供發(fā)光輸出高且穩(wěn)定的半導(dǎo)體發(fā)光元件。此外，本發(fā)明能夠提 供具有即使受接合線接合時(shí)的拉伸應(yīng)力也不會剝離的盤電極的高輝度的半導(dǎo)體發(fā)光元件。尤其是，本發(fā)明是焊盤電極由包含從透光性電極側(cè)隔著接合層而依次層疊的金 屬反射層和連接層的疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，金屬反射層包含選自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中 的一種金屬或含有該金屬的合金的半導(dǎo)體發(fā)光元件，更優(yōu)選是接合層包含選自Al、Ti、V、 Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN 中的至少一種的半導(dǎo)體 發(fā)光元件，因此在接合不良數(shù)或高溫高濕度試驗(yàn)下的不良率方面可得到顯著優(yōu)異的效果。


圖1是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面模式圖的一例。圖2是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視模式圖的一例。圖3是表示構(gòu)成作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的疊層半導(dǎo)體層的剖面 模式圖的一例。圖4是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的變形例的剖面模式圖的一 例。圖5是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的變形例的俯視模式圖的一 例。圖6是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面模式圖的另外的例子。圖7是表示具有作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的燈的剖面模式圖的一 例。附圖標(biāo)記說明1-半導(dǎo)體發(fā)光元件、20-疊層半導(dǎo)體層、101-基板、104-n型半導(dǎo)體層、105-發(fā)光 層、106-p型半導(dǎo)體層、107-焊盤電極、107a-金屬反射層、107b-阻擋層、107c-連接層、 108-n型電極、109-透光性電極、110、120-接合層
具體實(shí)施例方式以下，一邊適當(dāng)參照附圖一邊對作為本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件和具有半 導(dǎo)體發(fā)光元件的燈進(jìn)行說明。圖1是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面模式圖，圖2是半 導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視模式圖，圖3是構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光元件的疊層半導(dǎo)體層的剖面模式圖。另外，圖4是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的變形例的剖面模式圖，圖5是圖 4所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的俯視模式圖。另外，圖6是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面模式圖的另外的例子。此 外，圖7是具有本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的燈的剖面模式圖。再者，以下的說明中參照 的附圖是說明半導(dǎo)體發(fā)光元件和燈的附圖，圖示的各部分的大小、厚度和尺寸等與實(shí)際的 半導(dǎo)體發(fā)光元件等的尺寸關(guān)系不同。<半導(dǎo)體發(fā)光元件>
如圖1所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1，具有基板101、層疊于基板101上的 包含發(fā)光層105的疊層半導(dǎo)體層20、層疊于疊層半導(dǎo)體層20的上面的透光性電極109、層 疊于透光性電極109上的接合層110、和層疊于接合層110上的焊盤電極107從而構(gòu)成。本 實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1是從形成了具有反射功能的焊盤電極107 (反射性焊盤電極) 的一側(cè)取出來自發(fā)光層105的光的面朝上發(fā)光(face up mount)型的發(fā)光元件。如圖1所示，疊層半導(dǎo)體層20，是層疊多個(gè)半導(dǎo)體層而構(gòu)成。更具體地講，疊層半 導(dǎo)體層20，是從基板側(cè)依次地層疊η型半導(dǎo)體層104、發(fā)光層105、ρ型半導(dǎo)體層106而構(gòu) 成。P型半導(dǎo)體層106和發(fā)光層105，其一部分通過蝕刻等的方法被除去，從被除去了的部 分露出η型半導(dǎo)體層的一部分。并且，在該η型半導(dǎo)體層的露出面104c上層疊有η型電極 108。另外，在ρ型半導(dǎo)體層106的上面106a上，層疊有透光性電極109、接合層110和 焊盤電極107。采用這些的透光性電極109、接合層110和焊盤電極107構(gòu)成了 ρ型電極 111。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1，通過在ρ型電極111與η型電極108之間流通電 流，來從發(fā)光層105發(fā)出光。另外，從發(fā)光層105發(fā)出的光的一部分，透過透光性電極109和接合層110，在接 合層Iio與焊盤電極107的界面被焊盤電極107反射，再一次導(dǎo)入到疊層半導(dǎo)體層20的內(nèi) 部。然后，再導(dǎo)入到疊層半導(dǎo)體層20中的光，進(jìn)而重復(fù)進(jìn)行透射和反射后，從焊盤電極107 的形成區(qū)域以外的地方向半導(dǎo)體發(fā)光元件1的外部取出。η型半導(dǎo)體層104、發(fā)光層105和ρ型半導(dǎo)體層106，優(yōu)選以化合物半導(dǎo)體為主體而 構(gòu)成，優(yōu)選以III族氮化物半導(dǎo)體為主體而構(gòu)成，更優(yōu)選以氮化鎵系為主體而構(gòu)成。層疊于ρ型半導(dǎo)體層106上的透光性電極109，優(yōu)選是與ρ型半導(dǎo)體層106的接觸 電阻小的透光性電極。另外，由于在形成了焊盤電極107的一側(cè)取出來自發(fā)光層105的光， 因此透光性電極109優(yōu)選是光透過性優(yōu)異的透光性電極。另外，為了使電流在ρ型半導(dǎo)體 層106的整個(gè)面均勻地?cái)U(kuò)散，優(yōu)選透光性電極109具有優(yōu)異的導(dǎo)電性。由以上所述，作為透光性電極109的構(gòu)成材料，優(yōu)選是選自導(dǎo)電性的氧化物、硫化 鋅或硫化鉻之中的任一種的透光性導(dǎo)電性材料，所述導(dǎo)電性的氧化物含有In、Zn、Al、Ga、 Ti、Bi、Mg、W、Ce、Sn、Ni中的任一種。另外，作為導(dǎo)電性的氧化物，優(yōu)選ΙΤ0(氧化銦錫 (In2O3-SnO2))、IZO(氧化銦鋅(In2O3-ZnO)、AZO(氧化鋁鋅(ZnO-Al2O3))、GZO(氧化鎵鋅 (ZnO-Ga2O3))、摻雜氟的氧化錫、氧化鈦等。可以通過采用在該技術(shù)領(lǐng)域熟知的慣用的手段 來設(shè)置這些材料從而形成透光性電極109。另外，透光性電極109的結(jié)構(gòu)也可以沒有任何限制地采用包含現(xiàn)有公知結(jié)構(gòu)的任 何的結(jié)構(gòu)。另外，透光性電極109，可以以被覆ρ型半導(dǎo)體層106的上面106a的大致整個(gè)面 的方式形成，也可以隔開間隙而形成為格子狀和/或樹形狀。形成透光性電極109后，有時(shí) 實(shí)施以合金化或透明化為目的的熱退火，但也可以不實(shí)施該熱退火。此外，本發(fā)明中，透光性電極109可以使用已結(jié)晶化的結(jié)構(gòu)的透光性電極，特別是 可優(yōu)選使用包含具有六方晶結(jié)構(gòu)或方鐵錳礦結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的透光性電極(例如ITO和 IZO 等)。例如，使用含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO作為透光性電極109的場合，可以使用蝕刻性優(yōu)異的非晶的IZO膜加工成特定形狀，進(jìn)而，其后通過采用熱處理等從非晶狀 態(tài)轉(zhuǎn)化成含有該晶體的結(jié)構(gòu)，能夠加工成透光性比非晶的IZO膜優(yōu)異的電極。另外，作為IZO膜，優(yōu)選采用電阻率最低的組成。例如，IZO中的ZnO濃度優(yōu)選是 1 20質(zhì)量％，更優(yōu)選是5 15質(zhì)量％的范圍。特別優(yōu)選是10質(zhì)量％。另外，IZO膜的膜厚，優(yōu)選是能夠得到低電阻率、高光透過率的35nm IOOOOnm(IOym)范圍。此外，從生產(chǎn)成本的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選IZO膜的膜厚是1000nm(l μ m) 以下。IZO膜的圖案化，優(yōu)選在進(jìn)行后述的熱處理工序之前進(jìn)行。通過熱處理，非晶狀態(tài) 的IZO膜成為被結(jié)晶化了的ΙΖ0，因此與非晶狀態(tài)的IZO膜相比難以蝕刻。與此相對，由于 熱處理前的IZO膜是非晶狀態(tài)，因此使用眾所周知的蝕刻液(IT0-07N蝕刻液(關(guān)東化學(xué)公 司制)能夠容易地高精度地進(jìn)行蝕刻。另外，非晶狀態(tài)的IZO膜的蝕刻，也可以使用干蝕刻裝置進(jìn)行。此時(shí)，在蝕刻氣體 中可以使用Cl2、SiCl4、BCl3等。非晶狀態(tài)的IZO膜，通過進(jìn)行例如500°C 1000°C的熱處理，并控制條件，能夠形 成含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO膜和/或含有方鐵錳礦結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO膜。 由于含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO膜如上述那樣難以蝕刻，因此優(yōu)選在上述的蝕刻處 理之后進(jìn)行熱處理。另外，IZO膜的熱處理，優(yōu)選在不含有O2的氣氛中進(jìn)行，作為不含有O2的氣氛，可 舉出N2氣氛等的惰性氣體氣氛、或N2等的惰性氣體與H2的混合氣體氣氛等，優(yōu)選N2氣氛或 N2與H2的混合氣體氣氛。在N2氣氛或N2與H2的混合氣體氣氛中進(jìn)行IZO膜的熱處理時(shí)，例如，可以使IZO 膜結(jié)晶化成含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的膜，并且可以有效地減少IZO膜的薄膜電阻。IZO膜進(jìn)行熱處理時(shí)的溫度，優(yōu)選500°C 1000°C。在低于500°C的溫度下進(jìn)行熱 處理的場合，產(chǎn)生不能夠使IZO膜充分地結(jié)晶化的可能性，有時(shí)不能成為IZO膜的光透過率 充分高的膜。在超過1000°c的溫度下進(jìn)行熱處理的場合，雖然IZO膜已被結(jié)晶化，但有時(shí) IZO膜的光透過率不能充分高。另外，在超過1000°c的溫度下進(jìn)行熱處理的場合，也有可能 使位于IZO膜之下的半導(dǎo)體層劣化。另外，使非晶狀態(tài)的IZO膜結(jié)晶化的場合，若成膜條件和/或熱處理?xiàng)l件等不同， 則IZO膜中的晶體結(jié)構(gòu)不同。然而，本發(fā)明在與接合層的粘合性方面，雖然透光性電極 材料沒有限定，但優(yōu)選結(jié)晶性的材料，尤其是在結(jié)晶性IZO的場合，可以是含有方鐵錳礦 (bixbyite)晶體結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的ΙΖ0，也可以是含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的ΙΖ0。特 別優(yōu)選含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的ΙΖ0。尤其是，如上述，通過熱處理而結(jié)晶化了的IZO膜，與非晶狀態(tài)的IZO膜相比，與接 合層110和/或P型半導(dǎo)體層106的粘附性好，因此在本發(fā)明中很有效。接著，為了提高焊盤電極107與透光性電極109的接合強(qiáng)度，在透光性電極109與 焊盤電極107之間層疊接合層110。另外，為了透過透光性電極109并且使照射到焊盤電極 107的來自發(fā)光層105的光不損失地透過，優(yōu)選接合層110具有透光性。為了同時(shí)地發(fā)揮接合強(qiáng)度和透光性，接合層110是包含選自Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、 Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN 中的至少一種的接合層，優(yōu)選是厚
8度為10A~400A范圍的薄膜。另外，本發(fā)明中的接合層110，優(yōu)選是包含選自Ti、Cr、Co、 Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Rh、Ir、Ni、TiN中的至少一種的接合層，更優(yōu)選是包含選自Ti、Cr、Co、 Nb、Mo、Ta、W、Rh、Ni、TiN, TaN中的至少一種的接合層。尤其是，通過使用Ti、Cr、Co、Nb、Mo、Ta或Ni等金屬、TiN或TaN，能夠格外地提高 焊盤電極107與透光性電極109的接合強(qiáng)度。另外，通過使厚度為400A以下，優(yōu)選為IOA 以上、400人以下的范圍，能夠不遮蔽來自發(fā)光層105的光而有效地使之透過。再者，厚度 低于10人時(shí)，接合層110的強(qiáng)度降低，由此，焊盤107與透光性電極109的接合強(qiáng)度降低，因 而不優(yōu)選。使用Ti、Cr、Co或Ni的接合層110的接合強(qiáng)度特別高。這樣的接合力強(qiáng)的接合層 110，可以不是滿膜(X々膜)狀而以點(diǎn)狀層疊。在點(diǎn)的形成區(qū)域以外的區(qū)域，金屬反射層 107a與透光性電極109直接接觸，因此來自發(fā)光層105的光不透過接合層110而被金屬反 射層107a反射。結(jié)果，沒有由接合層110所致的透過光強(qiáng)度的減少，反射率提高。點(diǎn)的直 徑是數(shù)十nm 數(shù)百nm。為了形成點(diǎn)，通過提高接合層110的生長溫度而使發(fā)生遷移，同時(shí) 使接合層110的材料凝聚。由此，能夠形成點(diǎn)。另外，如圖1所示，優(yōu)選焊盤電極107的全部層疊于接合層110上，但由于線接合 時(shí)拉伸應(yīng)力而導(dǎo)致焊盤電極107剝離時(shí)，從焊盤電極107的外周部剝離的情況較多。因此， 如圖4和圖5所示，優(yōu)選焊盤電極107的一部分層疊于接合層210上，焊盤電極107的剩余 部分接合于透光性電極109上。即，可以在透光性電極109與焊盤電極107之間的、與焊盤 電極107的外周部107d重合的位置上形成環(huán)狀的接合層210，通過形成環(huán)狀的接合層210， 透光性電極109與焊盤電極107在除去外周部107d(—部分)以外的中心部107e(剩余部 分)直接地接觸。由此，不僅確保透光性電極109與焊盤電極107之間的接合強(qiáng)度，而且能 夠降低透光性電極109與焊盤電極107之間的電阻，能夠提高發(fā)光效率。其次，優(yōu)選焊盤電極107反射來自發(fā)光層的光，并且與接合線的接合性優(yōu)異。因 此，例如，優(yōu)選焊盤電極107是由疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的層，至少含有金屬反射層107a和接合層 107c，所述金屬反射層107a包含Ag、Al、Pt屬元素中的任一種金屬或含有這些金屬中的任 一種金屬的合金。更具體地講，如圖1或圖4所示，焊盤電極107，優(yōu)選由從透光性電極109 側(cè)依次地層疊金屬反射層107a、阻擋層107b、接合層107c而成的疊層體構(gòu)成。另外，焊盤 電極107，可以是只包含金屬反射層107a的單層結(jié)構(gòu)，也可以是金屬反射層107a與接合層 107c的二層結(jié)構(gòu)。圖1或圖4所示的金屬反射層107a，優(yōu)選由反射率高的金屬構(gòu)成，更優(yōu)選由Ru、 Rh、Pd、0s、Ir、Pt等的鉬族金屬、Al、Ag以及含有這些金屬中的至少一種的合金構(gòu)成。其中， Al、Ag、Pt以及含有這些金屬中的至少一種的合金，一般作為電極用的材料，從容易得到、容 易操作等的觀點(diǎn)考慮是優(yōu)異的。另外，在由具有高的反射率的金屬形成金屬反射層107a的 場合，優(yōu)選厚度是20 3000nm。金屬反射層107a過于薄時(shí)不能得到充分的反射效果。過 于厚時(shí)不產(chǎn)生特別的優(yōu)點(diǎn)，只會產(chǎn)生工序時(shí)間的長時(shí)間化和材料的浪費(fèi)。更優(yōu)選的厚度是 50 lOOnm，最優(yōu)選的厚度是100 500nm。另外，金屬反射層107a與接合層110粘附，從高效率地反射來自發(fā)光層105的光， 并且提高焊盤電極107的接合強(qiáng)度的觀點(diǎn)考慮是優(yōu)選的。因此，焊盤電極107為了得到充 分的強(qiáng)度，金屬反射層107a隔著接合層110牢固地與透光性電極109接合是必要的。優(yōu)選最低限在采用一般的方法在焊盤上連接金線的工序中不剝離程度的強(qiáng)度。尤其是Rh、Pd、 Ir、Pt以及含有這些金屬中的至少一種的合金，從光的反射性等的觀點(diǎn)考慮很適合作為金 屬反射層107a使用。另外，焊盤電極107的反射率，根據(jù)金屬反射層107a的構(gòu)成材料而大大地變化，但 優(yōu)選是60%以上。更優(yōu)選是80%以上，進(jìn)一步優(yōu)選是90%以上。使用分光光度計(jì)能夠比較 容易地測定反射率。然而，焊盤電極107本身面積小，因此難以測定反射率。作為反射率的 測定方法，可舉出在焊盤電極形成時(shí)將透明的例如玻璃制的面積大的「偽(dummy)基板」放 入室內(nèi)，同時(shí)地在偽基板上制作相同的焊盤電極進(jìn)行測定等的方法。焊盤電極107也可以只由上述的反射率高的金屬構(gòu)成。S卩，焊盤電極107可以只 由金屬反射層107a構(gòu)成。然而，作為焊盤電極107已知使用了各種材料的各種的結(jié)構(gòu)的 電極，既可以在這些公知的焊盤電極的半導(dǎo)體層側(cè)(透光性電極側(cè))新設(shè)置上述的金屬反 射層107a，也可以將這些公知的焊盤電極的半導(dǎo)體層側(cè)的最下層置換成上述的金屬反射層 107a。這樣的疊層結(jié)構(gòu)的場合，對比金屬反射層107a靠上面的疊層結(jié)構(gòu)部，沒有特別的 限制，任何的結(jié)構(gòu)都可以使用。例如，在焊盤電極107的金屬反射層107a的上面形成的層， 具有強(qiáng)化焊盤電極107整體強(qiáng)度的作用。因此，必須使用比較牢固的金屬材料，或者充分地 增厚膜厚。作為材料優(yōu)選的是Ti、Cr或Al。其中，從材料強(qiáng)度的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選Ti。在賦予 這樣的功能的場合，將該層稱作阻擋(barrier)層107b。阻擋層107b也可以兼作金屬反射層107a。在較厚地形成具有良好的反射率、并在 機(jī)械性上較強(qiáng)固的金屬材料的場合，無需形成阻擋層。例如，在使用Al或Pt作為金屬反射 層107a的場合，不一定需要阻擋層107b。阻擋層107b的厚度優(yōu)選是20 3000nm。阻擋層過于薄時(shí)不能夠得到充分的強(qiáng)度 強(qiáng)化的效果，過于厚不產(chǎn)生特別的優(yōu)點(diǎn)，只招致成本增大。更優(yōu)選是50 lOOOnm，最優(yōu)選是 100 500nm。作為焊盤電極107的最上層(與金屬反射層107a相反側(cè))的連接層107c，優(yōu)選為 與焊球的接合性好的材料。焊球使用金的情況較多，作為與金球的接合性好的金屬已知Au 和Al。其中，特別優(yōu)選的是金。該最上層的厚度優(yōu)選50 2000nm，更優(yōu)選是100 1500nm。 過于薄時(shí)與焊球的接合性差，過于厚也不產(chǎn)生特別的優(yōu)點(diǎn)，只招致成本增大。朝向焊盤電極107的光被焊盤電極107的最下面(透光性電極側(cè)的面)的金屬反 射層107a反射，一部分被散射沿橫向或斜方向前進(jìn)，一部分向焊盤107的正下方前進(jìn)。被散 射而沿著橫向和/或斜方向前進(jìn)的光，從半導(dǎo)體發(fā)光元件1的側(cè)面向外部取出。另一方面， 沿著焊盤電極107的正下方向前進(jìn)的光，在半導(dǎo)體發(fā)光元件1的下面再散射和/或反射，通 過側(cè)面和/或透光性電極109 (在上面不存在焊盤電極的部分)向外部取出。焊盤電極107只要是在透光性電極109的上面，則可以在任何地方形成。例如可 以在離η型電極108最遠(yuǎn)的位置形成，也可以在半導(dǎo)體發(fā)光元件1的中心等形成。然而，若 在太接近于η型電極108的位置形成，則進(jìn)行接合時(shí)，線間、球間會產(chǎn)生短路，因而不優(yōu)選。另外，作為焊盤電極107的電極面積，盡量大時(shí)雖然接合作業(yè)容易進(jìn)行，但妨礙發(fā) 光的取出。例如，覆蓋超過芯片面的一半面積的面積時(shí)，會妨礙發(fā)光的取出，輸出顯著地下 降。反之過于小時(shí)難以進(jìn)行接合作業(yè)，使制品的收率降低。具體地，優(yōu)選為比焊球的直徑稍
10微大的程度，一般是直徑100 μ m的圓形的程度。在上述的接合層、金屬反射層、阻擋層等的金屬元素方面，可以是組入了相同的金 屬元素的情況，還可以是不同的金屬元素組合的構(gòu)成。以下，對構(gòu)成本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1的基板和疊層半導(dǎo)體層20進(jìn)行說明。(基板)作為本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的基板101，只要是能在表面外延生長III族 氮化物半導(dǎo)體晶體的基板就沒有特別的限定，可以選擇各種的基板使用。例如，可以使用由 藍(lán)寶石、SiC、硅、氧化鋅、氧化鎂、氧化錳、氧化鋯、氧化錳鋅鐵、氧化鎂鋁、硼化鋯、氧化鎵、 氧化銦、氧化鋰鎵、氧化鋰鋁、氧化釹鎵、氧化鑭鍶鋁鉭、氧化鍶鈦、氧化鈦、鉿、鎢、鉬等構(gòu)成 的基板。另外，上述基板之中，特別優(yōu)選使用以c面為主面的藍(lán)寶石基板。使用藍(lán)寶石基板 的場合，優(yōu)選在藍(lán)寶石的c面上形成中間層102 (緩沖層)。再者，上述基板之中，可以使用已知通過在高溫下與氨接觸引起化學(xué)改性的氧化 物基板和金屬基板等，不使用氨也能夠成膜出中間層102，而使用氨的方法，為了構(gòu)成后述 的η型半導(dǎo)體層104而成膜出基底層103的場合，中間層102也作為涂層發(fā)揮作用，因此這 些方法從防止基板101化學(xué)改性的觀點(diǎn)考慮是有效的。另外，采用濺射法形成中間層102的場合，能夠抑制基板101的溫度使其較低，因 此即使是使用由具有在高溫下分解的性質(zhì)的材料構(gòu)成的基板101的場合，也能夠不給基板 101造成損傷而在基板上成膜出各層。(疊層半導(dǎo)體層)本說明書中，所謂疊層半導(dǎo)體層，意指在基板上形成的包含發(fā)光層的疊層結(jié)構(gòu)的 半導(dǎo)體層。具體地講，疊層半導(dǎo)體層，例如如圖1和圖3所示，在為III族氮化物半導(dǎo)體的 場合，是包含III族氮化物半導(dǎo)體的疊層半導(dǎo)體，可舉出基板上的η型半導(dǎo)體層104、發(fā)光 層105和ρ型半導(dǎo)體層106的各層依次地層疊而成的疊層半導(dǎo)體層。上述疊層半導(dǎo)體20 還可以包含基底層103、中間層102。疊層半導(dǎo)體層20采用MOCVD法形成時(shí)，能夠得到結(jié)晶 性好的疊層半導(dǎo)體層，但即使采用濺射法，通過將條件最佳化也能夠形成具有比MOCVD法 優(yōu)異的結(jié)晶性的半導(dǎo)體層。以下，依次進(jìn)行說明。(緩沖層)緩沖層102優(yōu)選是由多晶的AlxGa1J(0 ^ χ ^ 1)形成的層，更優(yōu)選是單晶的 AlxGa1^N (0 彡 χ 彡 1)的層。緩沖層102，如上述，例如可以形成為由多晶的AlxGai_xN(0 ^ χ ^ 1)構(gòu)成的厚度 0.01 0.5μπι的層。緩沖層102的厚度低于0.01 μ m時(shí)，有時(shí)不能夠充分地得到利用緩 沖層102緩和基板101與基底層103的晶格常數(shù)不同的效果。而緩沖層102的厚度超過 0.5μπι時(shí)，雖然作為緩沖層102的功能沒有變化，但有可能緩沖層102的成膜處理時(shí)間變 長，生產(chǎn)率降低。緩沖層102具有緩和基板101與基底層103的晶格常數(shù)不同，使在基板101的 (OOOl)C面上形成C軸取向單晶層容易的作用。然而，若在緩沖層102的上面層疊單晶的基 底層103，則能夠?qū)盈B結(jié)晶性更進(jìn)一步好的基底層103。再者，本發(fā)明中優(yōu)選進(jìn)行緩沖層形成工序，但也可以不進(jìn)行該工序。緩沖層102可以是具有包含III族氮化物半導(dǎo)體的六方晶系的晶體結(jié)構(gòu)的層。另 外，形成緩沖層102的III族氮化物半導(dǎo)體的晶體，可以是具有單晶結(jié)構(gòu)的晶體，可優(yōu)選使 用具有單晶結(jié)構(gòu)的晶體。III族氮化物半導(dǎo)體的晶體，通過控制生長條件，不僅在上方向、而 且在面內(nèi)方向也生長來形成單晶結(jié)構(gòu)。因此，通過控制緩沖層102的成膜條件，能夠形成為 由單晶結(jié)構(gòu)的III族氮化物半導(dǎo)體的晶體構(gòu)成的緩沖層102。在基板101上成膜出具有這 樣的單晶結(jié)構(gòu)的緩沖層102的場合，由于有效地發(fā)揮緩沖層102的緩沖作用，因此在其上面 成膜出的III族氮化物半導(dǎo)體成為具有良好的取向性和結(jié)晶性的晶體膜。另外，形成緩沖層102的III族氮化物半導(dǎo)體的晶體，通過控制成膜條件，能夠形 成為由以六角柱(六棱柱)為基本的織構(gòu)構(gòu)成的柱狀晶體(多晶)。再者，在此，所謂由織 構(gòu)構(gòu)成的柱狀晶體，是指在與相鄰的晶粒之間形成晶界而隔開，其本身縱剖面形狀為柱狀 的晶體。(基底層)作為基底層103，可舉出AlxGayInzN(0彡χ彡1、0彡y彡1、0彡ζ彡1、x+y+z = 1)，但使用AlxGai_xN(0彡χ < 1)時(shí)能夠形成結(jié)晶性好的基底層103因而優(yōu)選?；讓?03的膜厚優(yōu)選為0. 1 μ m以上，更優(yōu)選是0. 5 μ m以上，最優(yōu)選為1 μ m以 上。在為該膜厚以上時(shí)容易得到結(jié)晶性良好的AlxGai_xN層。為了使基底層103的結(jié)晶性良好，優(yōu)選在基底層103中不摻雜雜質(zhì)。但是，在需要 P型或η型的導(dǎo)電性的場合，可以添加受主雜質(zhì)或施主雜質(zhì)。(η型半導(dǎo)體層)η型半導(dǎo)體層104，通常優(yōu)選由η接觸層104a和η覆蓋層104b構(gòu)成。η接觸層 104a也可以兼作η覆蓋層104b。另外，η型半導(dǎo)體層中也可以包含上述的基底層。η接觸層104a是用于設(shè)置η型電極的層。作為η接觸層104a，優(yōu)選由AlxGai_xN層 (0彡χ < 1、優(yōu)選0彡χ彡0. 5、更優(yōu)選0彡χ彡0. 1)構(gòu)成。另外，優(yōu)選在η接觸層104a中 摻雜有η型雜質(zhì)，當(dāng)以1\1017 1\102°/側(cè)3、優(yōu)選以1\1018 1\1019/0113的濃度含有11 型雜質(zhì)時(shí)，從維持與η型電極良好的歐姆接觸的觀點(diǎn)考慮是優(yōu)選的。作為η型雜質(zhì)，沒有特 別的限定，例如，可舉出Si、Ge和Sn等，優(yōu)選舉出Si和Ge。η接觸層104a的膜厚優(yōu)選為0. 5 5 μ m，更優(yōu)選設(shè)定在1 3 μ m的范圍。η接觸 層104a的膜厚在上述范圍時(shí)，可良好地維持半導(dǎo)體的結(jié)晶性。優(yōu)選在η接觸層104a與發(fā)光層105之間設(shè)置η覆蓋層104b。η覆蓋層104b是進(jìn) 行載流子注入和載流子封入發(fā)光層105的層。η覆蓋層104b可以由AlGaN、GaN, GaInN等 形成。另外，可以形成為這些的結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)或多次層疊的超晶格結(jié)構(gòu)。在由GaInN形成 η覆蓋層104b的場合，不用說，希望比發(fā)光層105的GaInN的帶隙大。η覆蓋層104b的膜厚沒有特別的限定，優(yōu)選是0. 005 0. 5 μ m，更優(yōu)選是0. 005 0. Iym0 η覆蓋層104b的η型摻雜物濃度優(yōu)選1 X IO17 1 X IO2tVcm3、更優(yōu)選是1 X IO18 lX1019/cm3。摻雜物濃度在該范圍時(shí)，從維持良好的結(jié)晶性和降低元件工作電壓的觀點(diǎn)考 慮是優(yōu)選的。再者，在使η覆蓋層104b為含有超晶格結(jié)構(gòu)的層的場合，省略詳細(xì)的圖示，但可以 是包含下述結(jié)構(gòu)的層，所述結(jié)構(gòu)是具有100人以下的膜厚的包含III族氮化物半導(dǎo)體的η側(cè)第1層、和與該η側(cè)第1層組成不同并且具有100人以下膜厚的包含ΠΙ族氮化物半導(dǎo) 體的η側(cè)第2層層疊而成的結(jié)構(gòu)。另外，η覆蓋層104b，也可以是含有η側(cè)第1層與η側(cè)第 2層交替地重復(fù)層疊而成的結(jié)構(gòu)的層。另外，優(yōu)選是上述η側(cè)第1層或η側(cè)第2層中的任 一個(gè)與活性層(發(fā)光層105)接觸的構(gòu)成。如上所述的η側(cè)第1層和η側(cè)第2層，可以為例如含有Al的AlGaN系(有時(shí)只記 載為AlGaN)、含有In的GaInN系(有時(shí)只記載為GaInN)、GaN的組成。另外，η側(cè)第1層 和η側(cè)第2層，也可以是GaInN/GaN的交替結(jié)構(gòu)、AlGaN/GaN的交替結(jié)構(gòu)、GalnN/AlGaN的 交替結(jié)構(gòu)、組成不同的GalnN/GalnN的交替結(jié)構(gòu)(本發(fā)明中的“組成不同，，這一說明，是指 各元素組成比不同，以下同樣)、組成不同的AlGaN/AlGaN的交替結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，η側(cè)第1 層和η側(cè)第2層優(yōu)選是GalnN/GaN的交替結(jié)構(gòu)或組成不同的GalnN/GalnN。上述η側(cè)第1層和η側(cè)第2層的超晶格層，優(yōu)選分別是60人以下，更優(yōu)選分別是 40人以下，最優(yōu)選分別是10人~ 40人的范圍。形成超晶格層的η側(cè)第1層和η側(cè)第2層的 膜厚超過100人時(shí)，容易產(chǎn)生晶體缺陷而不優(yōu)選。上述η側(cè)第1層和η側(cè)第2層，可以分別為摻雜了的結(jié)構(gòu)，還可以是摻雜結(jié)構(gòu)/未 摻雜結(jié)構(gòu)的組合。作為被摻雜的雜質(zhì)，對于上述材料組成可以沒有任何限制地使用現(xiàn)有公 知的雜質(zhì)。例如，在作為η覆蓋層采用GalnN/GaN的交替結(jié)構(gòu)或組成不同的GalnN/GalnN 的交替結(jié)構(gòu)的層的場合，作為雜質(zhì)優(yōu)選Si。另外，如上述那樣的η側(cè)超晶格多層膜，即使由 GaInN或AlGaN、GaN代表的組成相同，也可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行(ON)、停止(OFF)摻雜來制作。(發(fā)光層)作為層疊于η型半導(dǎo)體層104上的發(fā)光層105，有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu) 等的發(fā)光層105。作為如圖4所示的量子阱結(jié)構(gòu)的阱層105b，通?？刹捎冒珿ai_yInyN(0 < y < 0. 4)的III族氮化物半導(dǎo)體層。作為阱層105b的膜厚，可以為可獲得量子效應(yīng)的 程度的膜厚，例如，可以為1 lOnm，從發(fā)光輸出方面考慮，優(yōu)選為2 6nm。另外，在為多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)光層105的場合，以上述Gai_yInyN為阱層105b，以帶 隙能量比阱層105b大的AlzGa1=N(0 ^ ζ < 0. 3)為勢壘層105a。阱層105b和勢壘層105a 也可以通過設(shè)計(jì)不摻雜雜質(zhì)。(P型半導(dǎo)體層)ρ型半導(dǎo)體層106，通常由ρ覆蓋層106a和ρ接觸層106b構(gòu)成。另外，ρ接觸層 106b也可以兼作ρ覆蓋層106a。ρ覆蓋層106a是進(jìn)行載流子封入和載流子注入發(fā)光層105的層。作為ρ覆蓋層 106a，是比發(fā)光層105的帶隙能量大的組成，只要是載流子能夠封入發(fā)光層105的層則沒有 特別的限制，優(yōu)選舉出AlxGai_xN (0 < χ彡0. 4)的層。ρ覆蓋層106a包含這樣的AlGaN時(shí)， 從載流子封入發(fā)光層的觀點(diǎn)考慮是優(yōu)選的。P覆蓋層106a的膜厚沒有特別的限定，優(yōu)選 是1 400nm，更優(yōu)選是5 lOOnm。ρ覆蓋層106a的ρ型摻雜物濃度，優(yōu)選是1 X IO18 1 X IO2Vcm3,更優(yōu)選是1 X IO19 1 X 102°/cm3。ρ型摻雜物濃度在上述范圍時(shí)，可以不使結(jié) 晶性降低而獲得良好的P型晶體。另外，ρ覆蓋層106a也可以為多次層疊而成的超晶格結(jié)構(gòu)。再者，使ρ覆蓋層106a為含有超晶格結(jié)構(gòu)的層的場合，省略詳細(xì)的圖示，但可以是 含有下述結(jié)構(gòu)的層，所述結(jié)構(gòu)是具有100人以下膜厚的包含III族氮化物半導(dǎo)體的P側(cè)第
131層、和與該η側(cè)第1層組成不同并且具有100人以下膜厚的包含III族氮化物半導(dǎo)體的P 側(cè)第2層層疊而成的結(jié)構(gòu)。另外，也可以是含有ρ側(cè)第1層與ρ側(cè)第2層交替地重復(fù)層疊 而成的結(jié)構(gòu)的層。如上所述的ρ側(cè)第1層和ρ側(cè)第2層，可以是分別不同的組成，例如AlGalGaInN 或GaN中的某個(gè)組成，還可以是GalnN/GaN的交替結(jié)構(gòu)、AlGaN/GaN的交替結(jié)構(gòu)、或GaInN/ AlGaN的交替結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，ρ側(cè)第1層和ρ側(cè)第2層，優(yōu)選是AlGaN/AlGaN或AlGaN/GaN 的交替結(jié)構(gòu)。上述ρ側(cè)第1層和ρ側(cè)第2層的超晶格層，優(yōu)選分別是60人以下，更優(yōu)選分別是 40人從下，最優(yōu)選分別是10人~ 40人的范圍。形成超晶格層的ρ側(cè)第ι層和Ρ側(cè)第2層 的膜厚超過100人時(shí)，成為大量含有晶體缺陷等的層因而不優(yōu)選。上述ρ側(cè)第1層和ρ側(cè)第2層，可以分別為摻雜了的結(jié)構(gòu)，還可以是摻雜結(jié)構(gòu)/未 摻雜結(jié)構(gòu)的組合。作為被摻雜的雜質(zhì)，對上述材料組成可以沒有任何限制地使用現(xiàn)有公知 的雜質(zhì)。例如，在作為P覆蓋層，使用AlGaN/GaN的交替結(jié)構(gòu)或組成不同的AlGaN/AlGaN的 交替結(jié)構(gòu)的層的場合，作為雜質(zhì)優(yōu)選Mg。另外，如上所述的ρ側(cè)超晶格多層膜，即使由GaInN 或AlGaN、GaN代表的組成相同，也可以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行(ON)、停止(OFF)摻雜來制作。ρ接觸層106b是用于設(shè)置正極的層。ρ接觸層106b優(yōu)選是AlxGai_xN (0彡χ彡0. 4)。 Al組成在上述范圍時(shí)，從維持良好的結(jié)晶性和與ρ歐姆電極的良好的歐姆接觸的觀點(diǎn)考慮 是優(yōu)選的。以1 X IO18 1 X IO2Vcm3的濃度、優(yōu)選以5X IO19 5Χ 102°/cm3的濃度含有ρ型 雜質(zhì)(摻雜物)時(shí)，從維持良好的歐姆接觸、防止發(fā)生裂紋、維持良好的結(jié)晶性的觀點(diǎn)考慮 是優(yōu)選的。作為P型雜質(zhì)，沒有特別的限定，例如優(yōu)選舉出Mg。ρ接觸層106b的膜厚沒有 特別的限定，優(yōu)選0.01 0.5 μ m，更優(yōu)選是0.05 0.2 μ m。ρ接觸層106b的膜厚在該范 圍時(shí)，在發(fā)光輸出方面是優(yōu)選的。(η型電極)η型電極108兼作為焊盤，以與疊層半導(dǎo)體層20的η型半導(dǎo)體層104接觸的方式 形成。為此，在形成η型電極108時(shí)，除去發(fā)光層105和ρ半導(dǎo)體層106的一部分而使η型 半導(dǎo)體層104的η接觸層露出，在該露出面104c上形成兼作為焊盤的η型電極108。作為η型電極108，眾所周知各種組成、結(jié)構(gòu)，可以沒有任何限制地采用這些眾所 周知的組成、結(jié)構(gòu)。可采用在本技術(shù)領(lǐng)域熟知的慣用的手段來設(shè)置。另外，如圖6所示，也可以在η型電極108與η型半導(dǎo)體層104之間層疊η型電極 用的接合層120。該接合層120與焊盤電極107的接合層110同樣地，優(yōu)選是下述金屬膜， 所述金屬膜包含選自 Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、 TiN、TaN中的至少一種。厚度沒有特別的限定，與接合層110同樣地，希望是厚度為1000人 以下、優(yōu)選為500人以下、更優(yōu)選為IOA以上400A以下的范圍的薄膜。另外，接合層120更 優(yōu)選是包含選自Ti、Cr、Co、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Rh、Ir、Ni、TiN, TaN中的至少一種元素的 層，最優(yōu)選是包含選自Ti、Cr、Co、Nb、Mo、Ta、W、Rh、Ni、TiN、TaN中的至少一種元素的層。尤其是，通過使用Ti、Cr、Co、Nb、Mo、Ta或Ni等金屬、TiN或TaN，能夠格外地提高 η型電極108與η型半導(dǎo)體層104的接合強(qiáng)度。另外，作為接合層120，也可以使用從含有In、Zn、Al、Ga、Ti、Bi、Mg、W、Ce、Sn、Ni中的任一種元素的導(dǎo)電性的氧化物、硫化鋅或硫化鉻中選擇的任一種的透光性的導(dǎo)電性材 料。作為導(dǎo)電性的氧化物，優(yōu)選ITO(氧化銦錫(In2O3-SnO2)、IZO(氧化銦鋅(In2O3-ZnO)、 AZO (氧化鋁鋅(ZnO-Al2O3)、GZO (氧化鎵鋅(ZnO-Ga2O3))、摻雜氟的氧化錫、氧化鈦等。通 過采用在該技術(shù)領(lǐng)域中熟知的慣用的手段設(shè)置這些材料，能夠作為接合層120使用。作為接合層120使用導(dǎo)電性的氧化物的場合，與透光性電極109的場合同樣地，可 以使用被結(jié)晶化了的結(jié)構(gòu)的層，特別是可以優(yōu)選使用含有具有六方晶結(jié)構(gòu)或方鐵錳礦結(jié)構(gòu) 的In2O3晶體的透光性電極(例如，ITO和IZO等)。例如，以含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO作為接合層120使用的場合，可以使 用蝕刻性優(yōu)異的非晶的IZO膜加工成特定形狀，進(jìn)而，在其后通過采用熱處理等從非晶狀 態(tài)轉(zhuǎn)化成含有該晶體的結(jié)構(gòu)，可以加工成導(dǎo)電性比非晶的IZO膜優(yōu)異的層。另外，作為IZO膜，優(yōu)選使用電阻率最低的組成。例如，IZO中的ZnO濃度優(yōu)選是 1 20質(zhì)量％，更優(yōu)選是5 15質(zhì)量％的范圍。特別優(yōu)選是10質(zhì)量％。另外，IZO膜的膜厚，優(yōu)選是能夠獲得低電阻率、高光透過率的35nm IOOOOnm(IOym)的范圍。從生產(chǎn)成本的觀點(diǎn)考慮、IZO膜的膜厚優(yōu)選是IOOOnm(1 μ m)以 下。IZO膜的圖案化，可以與透光性電極109的場合同樣地進(jìn)行。另外，非晶狀態(tài)的IZO膜，例如通過進(jìn)行500°C 1000°C的熱處理，并控制條件，能 夠形成含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO膜，或含有方鐵錳礦結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO膜。 如前所述，含有六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶體的IZO膜難以進(jìn)行蝕刻，因此優(yōu)選在上述的蝕刻處 理之后進(jìn)行熱處理。IZO膜的熱處理可以與透光性電極109的場合同樣的地進(jìn)行。此外，作為接合層120，可以采用由上述的透光性的導(dǎo)電性材料構(gòu)成的層與包含選 自 Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN 中的至少 一種的金屬膜或薄膜的疊層結(jié)構(gòu)。該場合，只要在η型半導(dǎo)體層104上依次層疊由透光性 的導(dǎo)電材料構(gòu)成的層和Cr等的金屬膜或薄膜即可。通過在η型電極108與η型半導(dǎo)體層104之間層疊如以上所述的接合層120，能夠 大幅度地提高η型電極108與η型半導(dǎo)體層104的接合強(qiáng)度。另外，在形成接合層120的場合，作為η型電極，更優(yōu)選使用與焊盤電極107相同 構(gòu)成的電極。即，作為η型電極108，優(yōu)選是由疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的電極，所述疊層結(jié)構(gòu)至少包含 金屬反射層和連接層，所述金屬反射層包含Ag、Al、Pt屬元素中的任一種或含有這些金屬 中的任一種的合金。更具體地講，優(yōu)選由疊層體構(gòu)成，所述疊層體是從η型半導(dǎo)體層104側(cè) 按順序依次層疊金屬反射層、阻擋層、連接層而成的疊層體。另外，η型電極108可以是只 包含金屬反射層的單層結(jié)構(gòu)，也可以是金屬反射層與連接層的二層結(jié)構(gòu)。(半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法)為制造本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1，首先準(zhǔn)備藍(lán)寶石基板等的基板101。接著，在基板101的上面層疊緩沖層102。在基板101上形成緩沖層的場合，優(yōu)選在對基板101實(shí)施預(yù)處理后形成緩沖層 102。作為預(yù)處理，例如，可舉出在濺射裝置的室內(nèi)配置基板101，在形成緩沖層102前進(jìn)行濺射等的方法。具體地，可以通過在室內(nèi)將基板101暴露在Ar或N2的等離子體中來 進(jìn)行洗滌上表面的預(yù)處理。通過使Ar氣或N2氣等的等離子體作用于基板101，可以除去附 著在基板101的上面的有機(jī)物和氧化物。采用濺射法在基板101上成膜出緩沖層102。采用濺射法形成具有單晶結(jié)構(gòu)的緩 沖層102的場合，優(yōu)選使氮?dú)饬髁肯鄬τ谑覂?nèi)的氮原料和惰性氣體的流量的比為氮原料 為50% 100%、優(yōu)選為75%。另外，采用濺射法形成具有柱狀晶體(多結(jié)晶)的緩沖層102的場合，優(yōu)選使氮?dú)?流量相對于室內(nèi)的氮原料與惰性氣體的流量的比為氮原料為 50%、優(yōu)選為25%。再 者，緩沖層102，不僅可以采用上述的濺射法，也可以采用MOCVD法形成。接著，形成緩沖層后，在形成有緩沖層102的基板101的上面上形成單晶的基底層
103?；讓?03優(yōu)選采用濺射法進(jìn)行成膜。在采用濺射法的場合，與MOCVD法和MBE法等 比較，能夠使裝置成為簡便的結(jié)構(gòu)。采用濺射法形成基底層103時(shí)，優(yōu)選采用使氮等的V 族原料在反應(yīng)器內(nèi)流通的反應(yīng)濺射法來成膜的方法。一般地，在濺射法中，靶材料的純度越高，則成膜后的薄膜的結(jié)晶性等的膜質(zhì)越 好。采用濺射法成膜基底層103的場合，也可以使用III族氮化物半導(dǎo)體作為成為原料的 靶材料，來進(jìn)行利用Ar氣等的惰性氣體的等離子體的濺射，但在反應(yīng)濺射法中用于靶材料 的III族金屬單質(zhì)及其混合物，與III族氮化物半導(dǎo)體相比能夠高純度化。因此，反應(yīng)濺射 法能夠進(jìn)一步提高被成膜的基底層103的結(jié)晶性。形成基底層103時(shí)的基板101的溫度，即，基底層103的生長溫度優(yōu)選為800°C以 上，更優(yōu)選為900°C以上的溫度，最優(yōu)選為1000°C以上的溫度。這是因?yàn)橥ㄟ^提高成膜基底 層103時(shí)的基板101的溫度，容易產(chǎn)生原子的遷移，容易進(jìn)行位錯(cuò)環(huán)化的緣故。另外，形成 基底層103時(shí)的基板101的溫度，必須是比晶體進(jìn)行分解的溫度低的溫度，因此優(yōu)選為低于 1200°C。形成基底層103時(shí)的基板101的溫度，只要是在上述溫度范圍內(nèi)則能夠得到結(jié)晶 性好的基底層103?；讓?03形成后，層疊η接觸層104a和η覆蓋層104b從而形成η型半導(dǎo)體層
104。η接觸層104a和η覆蓋層104b，可以采用濺射法形成，也可以采用MOCVD法形成。發(fā)光層105的形成可以采用濺射法、MOCVD法的任一種方法，但特別優(yōu)選MOCVD法。 具體地，交替地重復(fù)層疊勢壘層105a和阱層105b，并且以勢壘層105a配置在η型半導(dǎo)體層 104側(cè)和ρ型半導(dǎo)體層106側(cè)的順序來層疊即可。另外，ρ型半導(dǎo)體層106的形成也可以采用濺射法、MOCVD法的任一種方法。具體 地，依次層疊P覆蓋層106a和P接觸層106b即可。然后，在ρ型半導(dǎo)體層106上層疊透光性電極，例如，采用一般公知的光刻方法除 去規(guī)定的區(qū)域以外的透光性電極。接著，同樣地例如采用光刻法進(jìn)行圖案化，蝕刻規(guī)定的區(qū) 域的疊層半導(dǎo)體層的一部分而使η接觸層104a的一部分露出，在η接觸層104a的露出面 104c上形成η型電極108。另外，在透光性電極109的上面形成接合層110，接著，依次層疊金屬反射層107a、 阻擋層107b和連接層107c來形成焊盤電極107。接合層110，例如可以采用蒸鍍法或?yàn)R射 法形成。作為形成接合層11 0的預(yù)處理，可以對形成接合層的區(qū)域的透光性電極的表面實(shí)施洗滌。作為洗滌的方法，有暴露在等離子體中的干工藝的方法和與藥液接觸的濕工藝的 方法。但從工序簡便性的觀點(diǎn)考慮優(yōu)選干工藝。這樣地制造出圖1 圖3所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件1。另外，在η型電極108與η型半導(dǎo)體層104之間形成接合層120的場合，只要在形 成透光性電極109和接合層110的同時(shí)，形成η電極108用的接合層120，然后，在形成焊盤 電極107的同時(shí)形成η型電極108即可。
根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件，由于在透光性電極109與焊盤電極107之間 層疊有接合層110，因此能夠提高焊盤電極107與透光性電極109的接合強(qiáng)度。由此，即使 是對反射性焊盤電極107接合接合線等的場合，也能夠防止接合線接合時(shí)的拉伸應(yīng)力所引 起的反射性焊盤電極107的剝離。另外。接合層110能夠透過來自發(fā)光層105的光，因此 不會被接合層110遮蔽來自發(fā)光層105的光，而能夠高效率地被焊盤電極107反射。由此， 能夠提高半導(dǎo)體發(fā)光元件1的光取出效率。另外，作為接合層110，通過使用含有選自Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、&、Nb、Mo、 Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN中的至少一種的、厚度為10人~ 400人范圍的薄膜， 能夠提高焊盤電極107的接合強(qiáng)度，并且確保透光性。其中，優(yōu)選Ti、Cr、C0、&、Nb、M0、Hf、 Ta、W、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN,最優(yōu)選 Ti、Cr、Co、Nb、Mo、Ta、W、Rh、Ni、TiN、TaN。此外，焊盤電極107在元件發(fā)光波長下的光反射率是60%以上，因此能高效率地 反射來自發(fā)光層105的光，提高半導(dǎo)體發(fā)光元件1的光取出效率。接合層的光透過率和接合強(qiáng)度依賴于膜厚，膜厚越薄則光透過率越高，膜厚越厚 則接合強(qiáng)度越高。通過將膜厚控制在lnm( IOA ) 40nm( 400人)，能夠兼?zhèn)浣雍蠌?qiáng)度和 光透過率。另外，焊盤電極107是由疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的電極，至少包含包含Ag、Al、Ru、Rh、Pd、 0s、Ir、Pt等的金屬反射層107a、和連接層107c。其中，金屬反射層107a優(yōu)選是Ag、Al、Rh、 Pt。金屬反射層107a配置在透光性電極109側(cè)。Ag、Al等金屬對透光性電極109的接合 強(qiáng)稍低，特別是有時(shí)不能耐受線接合時(shí)的拉伸應(yīng)力。在這樣的場合，通過在透光性電極109 與金屬反射層107a之間層疊包含Cr等的厚度10 ~ 400人的接合層110，能夠提高透光性 電極109與金屬反射層107a的接合強(qiáng)度。尤其是，作為接合層110使用Cr薄膜或M薄膜 的場合效果更大。透光性電極109中使用的一般稱作ITO、IZO的材料，相對于包含Ag、Al等金屬的 金屬反射層107a接合強(qiáng)度稍低，但通過在透光性電極109與金屬反射層107a之間層疊接 合層110，能夠提高透光性電極109與金屬反射層107a的接合強(qiáng)度。另外，由通過熱處理結(jié)晶化了的IZO膜構(gòu)成的透光性電極109，與非晶狀態(tài)的IZO 膜相比，與接合層110、P型半導(dǎo)體層106的粘附性好，因此在本發(fā)明中很有效。(燈)本實(shí)施方式的燈是使用本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1而構(gòu)成的燈。作為本實(shí)施方式的燈，例如，可舉出上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件1與熒光體組合而成 的燈。半導(dǎo)體發(fā)光元件1與熒光體組合而成的燈，可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的手段形 成為本領(lǐng)域技術(shù)人員周知的構(gòu)成。另外，以往就已知通過將半導(dǎo)體發(fā)光元件1與熒光體組 合來改變發(fā)光色的技術(shù)，可以沒有任何限制地使用這樣的技術(shù)。
圖7是模式地表示使用上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件1構(gòu)成的燈的一例的概略圖。圖7 所示的燈是炮彈型的燈，使用了圖1 5所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件1。如圖7所示，半導(dǎo)體發(fā) 光元件1的焊盤電極107用線33與2個(gè)框31、32之中的一個(gè)(圖7中為框31)接合，發(fā)光 元件1的η型電極108 (焊盤)用線34與另一個(gè)框32接合，由此組裝出半導(dǎo)體發(fā)光元件1。 另外，由透明的樹脂形成的塑模35封裝半導(dǎo)體發(fā)光元件1的周邊。本實(shí)施方式的燈是使用上述的半導(dǎo)體發(fā)光元件1構(gòu)成的燈，具有優(yōu)異的發(fā)光特 性。 再者，本實(shí)施方式的燈，可以用于一般用途的炮彈型、便攜式的背光用途的側(cè)面發(fā) 光型、在顯示器中使用的頂面發(fā)光型等的任何的用途中。實(shí)施例以下，通過實(shí)施例更詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明不只限定于這些實(shí)施例。(實(shí)施例1)制造圖1 圖3所示的包含氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體發(fā)光元件。實(shí)施例1 的半導(dǎo)體發(fā)光元件，在由藍(lán)寶石制成的基板101上，隔著由AlN形成的緩沖層102，依次層 疊了 5次層疊厚度8 μ m的非摻雜GaN形成的基底層103、厚度2 μ m的摻雜Si的η型GaN 接觸層104a、厚度250nm的η型Ina ^aa9N覆蓋層104b、厚度16nm的摻雜Si的GaN勢壘層 和厚度2. 5nm的Ina2Gaa8N阱層，并在最后設(shè)置了勢壘層的多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)光層105 ；厚 度IOnm的摻雜Mg的ρ型Alatl7Gaa93N覆蓋層106a ；厚度150nm的摻雜Mg的ρ型GaN接觸 層 106b。進(jìn)而，采用一般已知的光刻的方法，在ρ型GaN接觸層106b上形成了厚度200nm 的ITO構(gòu)成的透光性電極109和10人的Cr構(gòu)成的接合層110。即，接合層110以滿膜狀層疊。然后，在接合層110的上面，采用光刻的方法在圖2的107所示的區(qū)域形成了 3層 結(jié)構(gòu)的焊盤結(jié)構(gòu)107，所述3層結(jié)構(gòu)的焊盤結(jié)構(gòu)107包含200nm的Al構(gòu)成的金屬反射層 107a、80nm的Ti構(gòu)成的勢壘層107b、200nm的Au構(gòu)成的連接層107c。接著，也采用光刻的方法實(shí)施蝕刻，在所希望的區(qū)域使η型接觸層露出，在該η型 GaN接觸層上形成TI/Au的二層結(jié)構(gòu)的η型電極108，以光取出面作為半導(dǎo)體側(cè)。氮化鎵系化合物半導(dǎo)體層的層疊，采用MOCVD法在該技術(shù)領(lǐng)域熟知的通常的條件 下進(jìn)行。對實(shí)施例1的發(fā)光元件測定正向電壓，結(jié)果在探針通電下電流施加值20mA下的正 向電壓是3. 0V。另外，在其后，組裝成T0-18罐組件，通過測試機(jī)測量發(fā)光輸出，結(jié)果施加電流 20mA下的發(fā)光輸出顯示20mW。另外，其發(fā)光面的發(fā)光分布，可確認(rèn)在正極下的全面上發(fā)光。此外，由本實(shí)施例制作的焊盤電極的反射率，在460nm的波長區(qū)域下是80%。該值 使用在焊盤電極形成時(shí)放入到同一室內(nèi)的玻璃制的偽基板，由分光光度計(jì)進(jìn)行測定。另外，對于100，000個(gè)芯片實(shí)施接合測試(接合不良數(shù))，但連一個(gè)芯片都沒有發(fā) 生盤剝離。(高溫高濕度試驗(yàn))按照常規(guī)法實(shí)施了芯片的高溫度濕度試驗(yàn)。作為試驗(yàn)方法，將芯片放入高溫高濕器(P t f制作所，μ -SERIES)內(nèi)，在溫度85°C、相對濕度85RH%的環(huán)境下分別進(jìn)行100個(gè) 的芯片數(shù)的發(fā)光試驗(yàn)(對芯片的通電量為5mA、2000小時(shí))，得到表2的結(jié)果。(實(shí)施例2 比較例5)按下述表1所示變更透光性電極、接合層和焊盤電極的構(gòu)成，另外η型電極108的 構(gòu)成是從η型半導(dǎo)體層104側(cè)依次地層疊下述表1所述的接合層和焊盤電極(金屬反射層、 阻擋層、 連接層)而成的疊層體，除此之外，與上述實(shí)施例1同樣地準(zhǔn)備了實(shí)施例2 比較 例5的發(fā)光元件。但是，在表1中，作為透光性電極使用的IZO膜采用濺射法形成。S卩，IZO膜使用 10質(zhì)量％的IZO靶采用DC磁控濺射按約250nm的膜厚成膜。在此形成的IZO膜的薄膜電 阻是ΠΩ/sq，剛成膜后的IZO膜采用X射線衍射(XRD)確認(rèn)是非晶。然后，采用周知的光 刻法和濕蝕刻法，與實(shí)施例1的ITO同樣地只在ρ型GaN接觸層27上的正極形成區(qū)域設(shè)置 IZO膜，作為正極。另外，在實(shí)施例22中，不是滿膜狀而是點(diǎn)狀地層疊了接合層110。此外，通過濕蝕刻進(jìn)行圖案化后，使用RTA退火爐在700°C的溫度下進(jìn)行N2氣氛的 熱處理，得到在350 600nm的波長區(qū)域顯示比剛成膜后高的光透過率的IZO膜。薄膜電 阻是ΙΟΩ/sq。另外，熱處理后的X射線衍射(XRD)的測定中，測出由六方晶結(jié)構(gòu)的In2O3晶 體形成的X射線峰，確認(rèn)了 IZO膜以六方晶結(jié)構(gòu)結(jié)晶化了。然后，與實(shí)施例1的場合同樣地，對實(shí)施例2 比較例5的發(fā)光元件測定正向電 壓、發(fā)光輸出、焊盤電極的反射率和接合不良數(shù)。將結(jié)果示于表2。表權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，具有基板；形成于所述基板上的包含發(fā)光層的疊層半導(dǎo)體層；在所述疊層半導(dǎo)體層的上面形成的透光性電極；以及，在所述透光性電極上形成的接合層和焊盤電極，所述焊盤電極由包含從透光性電極側(cè)依次層疊的金屬反射層和連接層的疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述金屬反射層包含選自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一種金屬或含有該金屬的合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，所述焊盤電極的全部層疊于所述接合層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中， 所述焊盤電極的一部分層疊于所述接合層上，所述焊盤電極的剩余部分接合于所述透光性電極上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，所述接合層是包含選自 Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、 Ir、Ni、TiN、TaN中的至少一種的層，是厚度為10人~ 400人范圍的薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，所述焊盤電極在元件發(fā)光波長下的 光反射率為60%以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中， 所述透光性電極由透光性的導(dǎo)電性材料構(gòu)成，該透光性的導(dǎo)電性材料是含有選自In、Zn、Al、Ga、Ti、Bi、Mg、W、Ce、Sn、Ni中的一種元 素的導(dǎo)電性的氧化物、硫化鋅或硫化鉻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，所述疊層半導(dǎo)體層，是從所述基板側(cè)依次地層疊η型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層、ρ型半導(dǎo) 體層而成，所述P型半導(dǎo)體層和所述發(fā)光層的一部分被除去從而露出所述η型半導(dǎo)體層的一部 分，在露出的所述η型半導(dǎo)體層上層疊有η型電極，并且，在所述P型半導(dǎo)體層的剩余部分的上面層疊有所述透光性電極、所述接合層和所述焊 盤電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，所述疊層半導(dǎo)體層以氮 化鎵系半導(dǎo)體為主體來構(gòu)成。
9.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，包括 在基板上形成包含發(fā)光層的疊層半導(dǎo)體層的工序； 形成透光性電極的工序；形成接合層的工序；以及， 形成焊盤電極的工序，形成所述透光性電極的工序包括使透光性電極用材料結(jié)晶化的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其中，在形成所述透光性電極的工序之后，進(jìn)行形成所述接合層的工序和形成所述焊盤電極的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其中，形成所述焊盤電極的工序包括形成金屬反射層的工序和形成連接層的工序； 在形成所述透光性電極的工序之后，進(jìn)行形成所述接合層的工序、形成所述金屬反射 層的工序和形成所述連接層的工序；所述金屬反射層包含選自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一種金屬或含有該金屬的α全口巫ο
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，其中，所述接合層是包 含選自 Al、Ti、V、Cr、Mn、Co、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Hf、Ta、W、Re、Rh、Ir、Ni、TiN、TaN 中的至少一種的層，是厚度為10人~ 400人范圍的薄膜。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件，具有基板(101)、形成于所述基板(101)上的包含發(fā)光層(105)的疊層半導(dǎo)體層(20)、在所述疊層半導(dǎo)體層(20)的上面形成的透光性電極(109)以及在所述透光性電極(109)上形成的接合層(110)和焊盤電極(107)，所述焊盤電極(107)由包含從透光性電極(109)側(cè)依次層疊的金屬反射層(107a)和連接層(107c)的疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，所述金屬反射層(107a)包含選自Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt中的一種金屬或含有該金屬的合金。
文檔編號H01L33/32GK101971368SQ20098010869
公開日2011年2月9日 申請日期2009年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月13日
發(fā)明者三木久幸, 中田正人, 岡部健彥, 平巖大介, 福永修大, 篠原裕直 申請人:昭和電工株式會社