專(zhuān)利名稱(chēng)：Apparatus for measuring beam characteristics and a method thereof的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種粒子處理，尤其涉及一種偵測(cè)粒子束特性的裝置及方法。
背景技術(shù)：
離子植入是在制造半導(dǎo)體裝置中所執(zhí)行的特性改變制程。在其他工具中，可以使 用束線(xiàn)離子植入機(jī)。圖1顯示為現(xiàn)有的離子植入機(jī)的示意圖。現(xiàn)有的離子植入機(jī)可以包 括可以被電源供應(yīng)器101偏置的離子源102。離子源102通常包含在真空室(稱(chēng)為源殼體 (source housing))(未示出)中。離子植入系統(tǒng)100也可以包括一系列的離子10通過(guò)的束 線(xiàn)構(gòu)件。一系列的束線(xiàn)構(gòu)件可以包括諸如萃取電極104、90°磁分析器106、第一減速(Dl) 臺(tái)108、70°磁校正器110以及第二減速(D2)臺(tái)112。與操縱光束的一系列的光學(xué)透鏡極 相似，在將離子束10導(dǎo)向靶工件前，束線(xiàn)構(gòu)件可以操縱且聚焦離子束10。在離子植入期間， 晶圓114通常固定在平臺(tái)116上，平臺(tái)116可以通過(guò)有時(shí)被稱(chēng)為“轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)(roplat)”(未 示出)的裝置進(jìn)行一維或多維的移動(dòng)(諸如轉(zhuǎn)移、轉(zhuǎn)動(dòng)以及傾斜)。在操作中，在離子源102中產(chǎn)生離子且通過(guò)萃取電極104萃取離子。所萃取的離 子10以似粒子束的形式沿著束線(xiàn)構(gòu)件移動(dòng)且植入晶圓114。如上述，離子植入步驟是特性改變制程。舉例來(lái)說(shuō)，諸如硼離子與磷離子的離子可 以植入至一部分的硅晶圓中以改變晶圓的電性。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用上述植入的一種裝 置。如本領(lǐng)域所周知，這樣的植入可以加強(qiáng)晶圓的電性。離子植入制程也可以用來(lái)加強(qiáng)其他特性，諸如光學(xué)與機(jī)械特性。舉例來(lái)說(shuō)，離子植 入制程可以用來(lái)破壞結(jié)晶基板的結(jié)晶，藉此限制基板的晶滑動(dòng)(crystalline slips)與加 強(qiáng)基板的機(jī)械強(qiáng)度。此外，制程可以用來(lái)減少植入至基板中的離子的擴(kuò)散速率或移動(dòng)速率。由于最終產(chǎn)品的特性可能取決于特性改變離子植入制程的參數(shù)，因此較佳為控制 植入制程的參數(shù)。離子導(dǎo)向至晶圓的角度可以是此參數(shù)之一。由于角度可以決定植入?yún)^(qū)域 的尺寸及/或位置，所以離子角度很重要。此外，離子角度可以影響植入的深度。舉例來(lái)說(shuō)， 以垂直于晶圓的角度所導(dǎo)向的離子相較于以其他角度導(dǎo)向的離子以較大的深度植入。當(dāng)離 子以多且不一致的角度導(dǎo)向基板，離子可以不同的深度植入且植入可以是不一致的。此外， 由于三維裝置基板可以包括以不同角度排列的表面(諸如垂直與水平表面)，因此離子的 角度是重要的參數(shù)。以一角度導(dǎo)向至基板的離子可能到達(dá)一表面，但可能不會(huì)到達(dá)另一個(gè) 表面。離子劑量是另一個(gè)重要的參數(shù)。較佳為控制離子劑量以使處理過(guò)的產(chǎn)品可以具有 所需的電性?？刂齐x子劑量對(duì)于制造一致的裝置而言也是重要的。舉例來(lái)說(shuō)，較佳為控制 離子劑量以使由單一半導(dǎo)體基板所制造的多個(gè)裝置具有一致的特性。此外，較佳為控制離 子劑量，使得由不同基板所制造的裝置可以有一致的特性。用來(lái)測(cè)量與控制離子劑量的工具之一為如圖2所顯示的法拉第杯(Faraday cup) 200。現(xiàn)有的法拉第杯200可以包括法拉第杯主體22，其定義了空區(qū)域24。法拉第杯 主體22包括端壁22a與側(cè)壁22b。法拉第杯200可以還包括包圍法拉第杯主體22的殼體26。殼體26可以包括具有開(kāi)口的前板28，其中開(kāi)口定義室24的入射孔30。法拉第杯主體 22可以連接劑量處理器。法拉第杯主體22可以接收離子且產(chǎn)生代表離子劑量的電流。電流接著輸入至劑 量處理器中。通過(guò)測(cè)量劑量，可以調(diào)整離子植入機(jī)的構(gòu)件以產(chǎn)生符合想要的特性的離子。即使圖2所顯示的法拉第杯200可以偵測(cè)離子劑量，但法拉第杯200無(wú)法測(cè)量粒 子束的其他特性。因此，仍需要新的裝置。

發(fā)明內(nèi)容
揭示一種偵測(cè)粒子束特性的裝置與方法。在一特定實(shí)施例中，偵測(cè)粒子束特性的 方法可以通過(guò)一裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述裝置包括主體，其包括定義腔體的側(cè)壁、第一端以及接 近第一端以接收多個(gè)粒子且連通腔體的入射孔；以及至少一偵測(cè)器，其配置在腔體內(nèi)且構(gòu) 造成偵測(cè)至少一部分的粒子。在另一特定實(shí)施例中，偵測(cè)粒子束特性的方法可以通過(guò)基板處理系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)?；?板處理系統(tǒng)可以包括構(gòu)造成產(chǎn)生多個(gè)粒子的粒子產(chǎn)生器；基板；以及粒子束偵測(cè)裝置，其 構(gòu)造成接收多個(gè)粒子中的至少一粒子、構(gòu)造成偵測(cè)至少一粒子、以及具有至少一維的轉(zhuǎn)動(dòng)
自由度。在另一特定實(shí)施例中，偵測(cè)粒子束特性的方法可以包括產(chǎn)生粒子束且沿著粒子 束路徑導(dǎo)向所述粒子束；將粒子束偵測(cè)系統(tǒng)配置在粒子束路徑上以接收至少一部分的產(chǎn)生 粒子，其中粒子束偵測(cè)器包括至少一偵測(cè)器；轉(zhuǎn)動(dòng)粒子束偵測(cè)系統(tǒng)；以及偵測(cè)至少一部分 的接收粒子。在另一特定實(shí)施例中，偵測(cè)粒子束特性的方法可以通過(guò)另一粒子處理系統(tǒng)來(lái)實(shí) 現(xiàn)。粒子處理系統(tǒng)可以包括構(gòu)造成產(chǎn)生多個(gè)粒子的粒子產(chǎn)生器；以及粒子偵測(cè)器，其構(gòu)造 成接收至少一部分的產(chǎn)生粒子、構(gòu)造成偵測(cè)至少一部分接收粒子以及具有可變的透明度狀 態(tài)以收集至少一部分接收粒子與控制一些通過(guò)粒子偵測(cè)器的接收粒子。本揭示將參照實(shí)施例與附圖而進(jìn)一步詳述。雖然在后文中是以參照實(shí)施例來(lái)敘述 本揭示，但應(yīng)了解的是本揭示并未受限于這些實(shí)施例。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解其他 的實(shí)施、潤(rùn)飾以及實(shí)施例以及其他領(lǐng)域的用途都涵蓋在本揭示的范疇中，且本揭示可以具 有顯著的功用。


為加速對(duì)本揭示的完整了解，現(xiàn)參照附圖，其中類(lèi)似的特征參照類(lèi)似的組件符號(hào)。 這些圖示僅用以示例性，并不用以限制本揭示。圖1顯示為現(xiàn)有的離子植入機(jī)的示意圖。圖2顯示為現(xiàn)有的法拉第杯的示意圖。圖3a與圖3b顯示為根據(jù)本揭示的一實(shí)施例的測(cè)量粒子束特色的裝置的示意圖。圖4顯示為根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的測(cè)量粒子束特色的裝置的示意圖。圖5a與圖5b顯示為根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的測(cè)量粒子束特色的裝置的示意 圖。圖6a、圖6b以及圖6c顯示為根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的測(cè)量粒子束特色的裝置的示意圖。圖7顯示為根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的與測(cè)量粒子束特色的裝置結(jié)合的離子植 入機(jī)的示意圖。圖8顯示為由本揭示的裝置所測(cè)量的粒子束特色。
具體實(shí)施例方式在本揭示中，將介紹測(cè)量粒子束特性的裝置的多個(gè)實(shí)施例。為了例示目的，本 揭示在文中是以束線(xiàn)離子植入系統(tǒng)為例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能理解本揭示可以 同樣地應(yīng)用在其他處理系統(tǒng)，包括等離子體浸沒(méi)離子植入系統(tǒng)(plasma immersion ion implantation system (Pi 11))、等離子體摻雜(plasmadoping (PLAD))系統(tǒng)以及粒子蝕刻系 統(tǒng)。此外，本揭示可以同樣的應(yīng)用在其他制程，諸如激光制程。為了清楚的目的，本揭示文中使用詞匯“粒子束”。此詞匯指的是包括多個(gè)粒子的 束或射束(beamlet)。粒子束也可以指包括多個(gè)與粒子相似的光子的連貫的、實(shí)質(zhì)上非分離 的電磁輻射。同時(shí)，粒子可以指光子、或帶電或中性次原子、原子或分子粒子。這些粒子可 以源自于粒子產(chǎn)生器，諸如激光、微波、束線(xiàn)離子植入系統(tǒng)的離子源以及包含粒子的等離子 體或氣體。本揭示文中使用詞匯“靶”。此詞匯表示粒子的最后目的地，包括但不限于已處理 基板或粒子儲(chǔ)存(particle dump)。靶可以由金屬、絕緣材料、半導(dǎo)體材料或上述的組合所 制成。此外，此揭示包括詞匯“基板平面”以簡(jiǎn)化粒子束想要入射至基板上的理論平面。請(qǐng)參照?qǐng)D3，所顯示為根據(jù)本揭示的一實(shí)施例的例示性的離子束特色偵測(cè)系統(tǒng) 300的剖面?zhèn)纫晥D。在圖3a中，顯示為偵測(cè)系統(tǒng)300的剖面平面視圖。如圖3a與圖3b所 示，偵測(cè)系統(tǒng)300包括定義腔體304的主體302、配置在主體302的第一端以接收多個(gè)粒子 306的入射孔308以及偵測(cè)粒子306的一個(gè)或多個(gè)偵測(cè)器312。入射孔308可以由偵測(cè)系 統(tǒng)300的主體302定義。入射孔308也可以由具有接近第一端的開(kāi)口的平板310定義。偵測(cè)系統(tǒng)300可選地包括配置在第二端的出射孔314，出射孔314與入射孔308相 對(duì)配置?？蛇x地，偵測(cè)系統(tǒng)300包括配置在第二端的第二壁302a(如虛線(xiàn)所示)，且可能沒(méi) 有出射孔314。在又一實(shí)施例中，第二壁302a可以具有定義出射孔314的孔，因此偵測(cè)系統(tǒng) 300可以具有第二壁302a與稍微較小的出射孔314。即使本揭示也包含不具有出射孔314 的偵測(cè)系統(tǒng)，但基于清楚的目的，本揭示將著重在包含出射孔314的偵測(cè)系統(tǒng)?？梢栽诔錾淇?14后方配置粒子靶318以接收離開(kāi)系統(tǒng)300的粒子306。也可以 在出射孔314后方配置另一粒子偵測(cè)器(未示出)以偵測(cè)至少一部分的離開(kāi)粒子306?？梢栽诮咏鼈蓽y(cè)系統(tǒng)300處配置處理控制器313以接收代表已偵測(cè)粒子306的信 號(hào)。在本揭示中，偵測(cè)器312、主體302或兩者可以偵測(cè)粒子306與傳送代表偵測(cè)粒子306 的信號(hào)至處理控制器313。若存在第二壁302a，第二壁302a也可以偵測(cè)粒子306與傳送信 號(hào)。在接收信號(hào)時(shí)，處理控制器313可以通過(guò)偵測(cè)器312、主體302、及/或第二壁302a中 的每一者來(lái)辨認(rèn)信號(hào)的來(lái)源且確定已偵測(cè)粒子的量。包含于主體302的腔體304中以偵測(cè)粒子306的偵測(cè)器312可以是單一偵測(cè)器 312。然而，偵測(cè)系統(tǒng)300也有可能包括在腔體304中的多個(gè)偵測(cè)器312。一個(gè)或多個(gè)偵測(cè) 器312可以包括及/或定義一個(gè)或多個(gè)通道316，其中粒子306可以經(jīng)過(guò)通道316而由入射孔308進(jìn)入出射孔314。每一個(gè)通道316可能具有沿著χ軸的預(yù)定長(zhǎng)度與沿著y軸的預(yù) 定寬度，因而具有預(yù)定的深寬比。此外，每一個(gè)通道316可能具有沿著ζ軸的預(yù)定高度。再 者，每一個(gè)通道316可能具有圓形或任何其他多邊形的剖面，包括四邊形剖面。根據(jù)通道316的深寬比與導(dǎo)向至系統(tǒng)300的粒子306的角度，粒子306可以通過(guò)通 道316或入射至偵測(cè)器312且被偵測(cè)。為了偵測(cè)入射粒子306，偵測(cè)器312可以包括金屬、 絕緣材料、半導(dǎo)體材料或上述的組合。舉例來(lái)說(shuō)，偵測(cè)器312可以包括可以偵測(cè)光子的光子 偵測(cè)器或偵測(cè)中性粒子的溫度感應(yīng)器。偵測(cè)器312的每一個(gè)表面312a、312b、312c、312d可 以分別偵測(cè)粒子與決定入射至每一個(gè)表面312a、312b、312c、312d上的粒子量。本揭示的偵測(cè)系統(tǒng)300可以是可動(dòng)的。舉例來(lái)說(shuō)，偵測(cè)系統(tǒng)300可以具有繞著χ軸 的一維的轉(zhuǎn)動(dòng)自由度，如箭頭352所示。此外，系統(tǒng)300可以具有至少一維的轉(zhuǎn)移自由度。在操作中，可以根據(jù)粒子束方向與粒子束角度而將包括多個(gè)粒子306的粒子束 導(dǎo)向至偵測(cè)系統(tǒng)300。即使本揭示也涵蓋匯聚粒子束(converging beam)與輻散粒子束 (diverging beam)，本揭示將著重在具有四邊形剖面的帶狀粒子束。在帶狀粒子束中，大部 分的粒子306可以根據(jù)粒子束角度而以實(shí)質(zhì)上平行的方式沿著粒子束的方向行進(jìn)。然而， 少數(shù)的粒子306可能由方向與角度中輕微的偏離。若多個(gè)粒子角度的帶狀粒子束對(duì)準(zhǔn)通道316，因而其在通道的深寬比范圍內(nèi)，則大 量的粒子306可以通過(guò)通道316行進(jìn)且離開(kāi)偵測(cè)系統(tǒng)300。然而，脫離粒子束方向與角度的 粒子306可能會(huì)對(duì)不準(zhǔn)且入射至偵測(cè)器312或主體302上。偵測(cè)器312與主體302可以測(cè) 量入射粒子306的量、產(chǎn)生代表所測(cè)量量的信號(hào)(諸如入射粒子劑量)以及傳送信號(hào)至處 理控制器313。根據(jù)信號(hào)，可以評(píng)估粒子束特性，且可以將粒子束調(diào)整成具有需要的特性。若需要，可以將系統(tǒng)300轉(zhuǎn)移至其他位置，以決定其他部分的粒子束的特性。系統(tǒng) 300可以是在一或多個(gè)橫向方向上可轉(zhuǎn)移地穿過(guò)粒子束，且橫向方向可以是與粒子束之間 成直角或垂直。此外，橫向方向也可以是與粒子束之間不成直角或不垂直。再者，橫向方向 可以平行或不平行于基板平面。然而，若無(wú)法進(jìn)行偵測(cè)系統(tǒng)300的轉(zhuǎn)移，則可以將多個(gè)偵測(cè) 系統(tǒng)300配置成陣列狀，以評(píng)估不同部分的粒子束的特性。除了可轉(zhuǎn)移以外，系統(tǒng)300也可能為可轉(zhuǎn)動(dòng)。系統(tǒng)300可以繞著χ軸轉(zhuǎn)動(dòng)，且在系 統(tǒng)300轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，系統(tǒng)300可以測(cè)量粒子束特性。繞著χ軸轉(zhuǎn)動(dòng)的角度可以最佳為約90度。 然而，可以理解的是轉(zhuǎn)動(dòng)的角度也可以為0至360度之間的任意角度。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其顯示為根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的另一例示性的粒子束特性偵測(cè) 系統(tǒng)400的剖面?zhèn)纫晥D。如圖4所示，本實(shí)施例的偵測(cè)系統(tǒng)400可以相似于圖3所示的偵 測(cè)系統(tǒng)300，且包括圖3所示的偵測(cè)系統(tǒng)300的所有構(gòu)件與特征。因此，系統(tǒng)400的敘述將 著重在先前實(shí)施例中未描述的構(gòu)件與特征。在本實(shí)施例中，偵測(cè)系統(tǒng)400可以包括至少另一維的轉(zhuǎn)動(dòng)自由度。舉例來(lái)說(shuō)，與系 統(tǒng)300相似，偵測(cè)系統(tǒng)400可以至少繞著χ軸轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，偵測(cè)系統(tǒng)400可以至少繞著ζ軸 轉(zhuǎn)動(dòng)，如箭頭354所示。偵測(cè)系統(tǒng)400也可以繞著y軸轉(zhuǎn)動(dòng)，如箭頭356所示。繞著ζ軸轉(zhuǎn) 動(dòng)的系統(tǒng)400可以使系統(tǒng)400測(cè)量粒子束特性，包括諸如帶狀粒子束中的垂直粒子角度分 布。同時(shí)，繞著y軸轉(zhuǎn)動(dòng)的系統(tǒng)400可以使系統(tǒng)400測(cè)量粒子束特性，包括諸如帶狀粒子束 中的水平粒子角度分布。在另一實(shí)施例中，包含于系統(tǒng)400中的偵測(cè)器312也可以獨(dú)立于 系統(tǒng)主體302而繞著x、y及/或ζ軸為可轉(zhuǎn)動(dòng)。因此偵測(cè)系統(tǒng)400及/或偵測(cè)器312可以是相對(duì)于粒子束或其他束線(xiàn)構(gòu)件(諸如萃取電極、90°磁分析器、減速臺(tái)以及70°磁校正 器等……)為可轉(zhuǎn)動(dòng)。在本揭示中，粒子束可以是固定式粒子束(fixed beam)?？蛇x的，粒 子束可以是非固定式粒子束且粒子束的方向或路經(jīng)可以改變。不論靶318是配置在接近出 射孔314處、接近系統(tǒng)主體302的側(cè)邊處或接近入射孔306處，偵測(cè)系統(tǒng)400也可以是相對(duì) 于靶318為可轉(zhuǎn)動(dòng)。可以理解的是，在一些實(shí)施例中，靶318可以沿著偵測(cè)系統(tǒng)400為可轉(zhuǎn) 動(dòng)。在本揭示中，每一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)中心可以位在單一個(gè)點(diǎn)或多個(gè)不同的點(diǎn)?？梢岳斫獾氖?每一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)中心可以位在偵測(cè)系統(tǒng)400的中心或偵測(cè)系統(tǒng)400的其他部分/多個(gè)部分。也 能理解的是每一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)中心可以位在由系統(tǒng)400所移動(dòng)的一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)。若導(dǎo)向偵測(cè)系統(tǒng)400的帶狀粒子束對(duì)準(zhǔn)通道316，則大部分的粒子306可以行經(jīng)通 道316且離開(kāi)偵測(cè)系統(tǒng)400。因此，偵測(cè)系統(tǒng)400可以實(shí)質(zhì)上為透明的(諸如最大透明度狀 態(tài))且僅能偵測(cè)極少量的粒子306。所偵測(cè)的粒子306可以包括那些偏離粒子束方向與角 度的粒子。在最大透明度狀態(tài)期間，偵測(cè)系統(tǒng)400可以測(cè)量粒子束特性，諸如粒子束方向、 角度以及平行度。當(dāng)偵測(cè)系統(tǒng)400繞著ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，偵測(cè)系統(tǒng)400也可以具有最小透明度 狀態(tài)。若偵測(cè)器312可以獨(dú)立地轉(zhuǎn)動(dòng)，此狀態(tài)也可以通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)偵測(cè)器312而達(dá)成。在最小 透明度狀態(tài)期間，粒子束與通道316可以對(duì)準(zhǔn)且入射至偵測(cè)器312及/或主體302上，且系 統(tǒng)400可以測(cè)量粒子束強(qiáng)度或粒子劑量。在介于最小與最大透明度狀態(tài)之間，偵測(cè)系統(tǒng)400可以處于中間透明度狀態(tài)。在 本揭示中，中間透明度狀態(tài)可以是介于最小與最大透明度狀態(tài)之間的單一固定狀態(tài)或一系 列的轉(zhuǎn)變狀態(tài)。處于中間透明度狀態(tài)的偵測(cè)系統(tǒng)400可以測(cè)量帶狀粒子束中的粒子306的 角度分布。在系統(tǒng)繞著ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)以及系統(tǒng)400的透明度狀態(tài)由最小透明度狀態(tài)轉(zhuǎn)換至最 大透明度狀態(tài)時(shí)，通過(guò)測(cè)量入射至偵測(cè)器312上的粒子306可以決定粒子306的垂直角度 分布。若有需要，亦可以決定粒子的水平角度分布。舉例來(lái)說(shuō)，在系統(tǒng)400繞著y軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí) 以及系統(tǒng)400的透明度狀態(tài)由最小透明度狀態(tài)轉(zhuǎn)換至最大透明度狀態(tài)時(shí)，系統(tǒng)400可以測(cè) 量入射至偵測(cè)器312上的粒子。在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)400的偵測(cè)器312可以構(gòu)造成使得系統(tǒng)400可以只測(cè)量垂 直與水平角度分布中的一者。在這樣的實(shí)施例中，偵測(cè)系統(tǒng)400也可以繞著χ軸轉(zhuǎn)動(dòng)約90 度。而后，系統(tǒng)400可以繞著y軸與ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)且測(cè)量垂直與水平粒子角度分布中的另一者。 在一些其他實(shí)施例中，系統(tǒng)400可以其他角度繞著χ軸轉(zhuǎn)動(dòng)，如此可以測(cè)量沿著其他方向的 粒子分布，也就是垂直與水平粒子角度分布以外的分布。較佳是，當(dāng)在處理基板時(shí)，偵測(cè)系統(tǒng)400可以處于最小透明度狀態(tài)以測(cè)量粒子劑 量。若有需要測(cè)量其他特性，諸如粒子束方向、角度、平行度以及角度分布，偵測(cè)系統(tǒng)400或 偵測(cè)器312可以繞著χ、y及/或ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)。參照?qǐng)D5a，其顯示為根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的例示性粒子束強(qiáng)度與角度偵測(cè)系 統(tǒng)500的剖面?zhèn)纫晥D。圖5b顯示為系統(tǒng)500的前視圖。如圖5a與圖5b所示，本實(shí)施例的 偵測(cè)系統(tǒng)500可以相似于圖3與圖4所示的偵測(cè)系統(tǒng)300、400。因此，系統(tǒng)500的描述將著 重在先前實(shí)施例中未描述的構(gòu)件與特征。在本實(shí)施例中，偵測(cè)系統(tǒng)500可以包括偵測(cè)器512，偵測(cè)器512包括垂直部分512a 與水平部分512b且定義蜂巢結(jié)構(gòu)。具有如此的結(jié)構(gòu)，偵測(cè)器512可以定義多個(gè)環(huán)狀通道516。垂直部分512a可以是諸如垂直于水平部分512b以定義矩形環(huán)狀通道516。然而，也 可以理解的是部分512a、512b可以其他角度彼此分離。也可以理解的是，每一個(gè)環(huán)狀通道 516可以具有多種剖面形狀，包括圓形、三角形以及四邊形剖面。本實(shí)施例的系統(tǒng)500可以具有繞x、y以及ζ軸的轉(zhuǎn)動(dòng)自由度。系統(tǒng)500可繞ζ軸 轉(zhuǎn)動(dòng)以達(dá)到第一最小、中間以及最大透明度狀態(tài)。此外，系統(tǒng)500可繞y軸轉(zhuǎn)動(dòng)以達(dá)到第二 最小、中間以及最大透明度狀態(tài)。系統(tǒng)500繞ζ軸以達(dá)到不同的第一透明度狀態(tài)的轉(zhuǎn)動(dòng)可 使系統(tǒng)500測(cè)量粒子束特性，諸如粒子束方向、角度、平行度、強(qiáng)度或粒子劑量，以及垂直粒 子角度分布。同時(shí)，系統(tǒng)500繞著y軸以達(dá)到不同的第二透明度狀態(tài)的轉(zhuǎn)動(dòng)可使系統(tǒng)測(cè)量 其他特性，諸如水平粒子角度分布。請(qǐng)參照?qǐng)D6a，其顯示為根據(jù)本揭示的另一實(shí)施例的例示性的粒子強(qiáng)度與角度偵測(cè) 系統(tǒng)600的剖面?zhèn)纫晥D。在本實(shí)施例中，偵測(cè)系統(tǒng)600可以相似于前述的偵測(cè)系統(tǒng)300、400、 500。舉例來(lái)說(shuō)，偵測(cè)系統(tǒng)600也可以包括一或多個(gè)偵測(cè)器312、偵測(cè)器312定義或包含多個(gè) 通道616。在本實(shí)施例中，偵測(cè)器312與通道316可以具有相似于系統(tǒng)300、400的結(jié)構(gòu)或相 似于系統(tǒng)500的結(jié)構(gòu)。此外，偵測(cè)系統(tǒng)600也可以具有一或多個(gè)轉(zhuǎn)移與移動(dòng)自由度。后文 中，本實(shí)施例的敘述將著重在先前實(shí)施例中未描述的構(gòu)件與特征。偵測(cè)系統(tǒng)600可以包括接近入射孔308的第一抑制組件620。若偵測(cè)系統(tǒng)600包 含出射孔314，則偵測(cè)系統(tǒng)600也可以包括配置成接近出射孔314的第二場(chǎng)抑制組件640。請(qǐng)參照?qǐng)D6b，第一場(chǎng)抑制組件620可以包括第一間隙622，其中粒子306可以通過(guò) 第一間隙622穿過(guò)第一場(chǎng)抑制組件620。第一場(chǎng)抑制組件620也可以包括多個(gè)橫向配置的 場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、620c。即使每一個(gè)橫向配置的場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、620c可以是單片，可 以理解的是每一個(gè)場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、620c也可以是配置成與第一間隙622成直角的多個(gè) 片(諸如沿著y軸)。在本實(shí)施例中，沿著χ軸的第二場(chǎng)構(gòu)件620b的長(zhǎng)度可以是每一個(gè)第 一與第三場(chǎng)構(gòu)件620a、620c的長(zhǎng)度的兩倍。然而，可以理解的是，每一個(gè)場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、 620c可以具有其他長(zhǎng)度，且長(zhǎng)度可以等長(zhǎng)或不等長(zhǎng)。此外，場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、620c通過(guò)第 一傳導(dǎo)構(gòu)件624 (諸如鋼)而彼此耦合。在本實(shí)施例中，第二場(chǎng)抑制組件640可以相似于第一場(chǎng)組件620。特別是，第二 場(chǎng)抑制組件640也可以包括第二間隙642、第二組件640的多個(gè)橫向配置的場(chǎng)構(gòu)件640a、 640b,640c以及第二傳導(dǎo)構(gòu)件644。由于第一與第二場(chǎng)抑制組件620、640可能相似，因此將 不敘述第二組件640。相反的，系統(tǒng)600的敘述將著重在第一組件620。在本實(shí)施例中，第一組件620的場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、620c可以排列成使得交替的磁 極接近間隙622。舉例來(lái)說(shuō)，若場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、620c包括磁構(gòu)件，則接近間隙的第一與 第三構(gòu)件620a、620c的磁極可以是S磁極，而接近間隙的第二構(gòu)件620b的磁極可以是N磁 極。然而，可以理解的是，接近間隙的第一與第三構(gòu)件620a、620c的磁極也可以是N磁極， 而接近間隙的第二構(gòu)件620b的磁極也可以是S磁極。在操作中，帶狀粒子束可以導(dǎo)向偵測(cè)系統(tǒng)600。粒子束的粒子306可以進(jìn)入第一場(chǎng) 抑制組件620且經(jīng)由第一間隙622通過(guò)場(chǎng)構(gòu)件620a、620b、620c。接著粒子306可以通過(guò)至 主體302。若系統(tǒng)處于最小透明度狀態(tài)以外的狀態(tài)，至少一部分的粒子306可以通過(guò)系統(tǒng)主 體302。若出射孔314與第二場(chǎng)抑制組件640皆存在，則通過(guò)系統(tǒng)600的粒子306可以接著 通過(guò)出射孔314與第二場(chǎng)抑制組件640。
相似于上述的系統(tǒng)300，偵測(cè)系統(tǒng)600可以繞χ軸轉(zhuǎn)動(dòng)。此外，本實(shí)施例的系統(tǒng)600 相似于可以繞1軸與ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)的系統(tǒng)400、500。因此，系統(tǒng)600可以具有第一最小、中間以 及最大傳送狀態(tài)，以及/或第二最小、中間以及最大傳送狀態(tài)。若本實(shí)施例的系統(tǒng)600繞χ、 y以及ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)，則系統(tǒng)主體302可以獨(dú)立于第一與第二場(chǎng)抑制組件620、640而轉(zhuǎn)動(dòng)(如圖 6c所示)?？蛇x地，第一與第二場(chǎng)抑制組件620、640可以沿著系統(tǒng)主體302轉(zhuǎn)動(dòng)。通過(guò)配置第一與第二場(chǎng)抑制組件620、640，偵測(cè)系統(tǒng)600可以限制二次電子效應(yīng)。 當(dāng)高能粒子(包括光子)與固態(tài)材料碰撞時(shí)，可能產(chǎn)生二次電子。通過(guò)在出射孔314附近 配置第二場(chǎng)抑制組件640，偵測(cè)系統(tǒng)600可以防止在偵測(cè)系統(tǒng)600外產(chǎn)生的二次電子(諸如 通過(guò)粒子306與靶318的碰撞)進(jìn)入偵測(cè)系統(tǒng)600且被收集。此外，第二場(chǎng)抑制組件640 可以防止任何在系統(tǒng)600內(nèi)產(chǎn)生的二次電子經(jīng)由出射孔314逃逸。相似地，第一場(chǎng)抑制組 件620可以防止在系統(tǒng)600外的二次電子經(jīng)由入射孔308進(jìn)入且防止在系統(tǒng)600內(nèi)產(chǎn)生的 二次電子經(jīng)由入射孔308逃逸。場(chǎng)抑制組件620、640的另一優(yōu)點(diǎn)可以在帶電粒子束(諸如離子束)的角度測(cè)量中 發(fā)現(xiàn)。在現(xiàn)有的磁抑制系統(tǒng)中，若通過(guò)抑制系統(tǒng)的粒子帶電，則可能會(huì)被由抑制系統(tǒng)的磁體 所產(chǎn)生的磁場(chǎng)偏移或移動(dòng)且獲得凈偏移或位移。若粒子朝向角度測(cè)量較敏感的方向偏移， 則粒子束的角度可能會(huì)被不正確地測(cè)量。此外，若粒子被位移到一定的程度，則系統(tǒng)或偵測(cè) 器可能無(wú)法捕獲粒子。這是因?yàn)橥ǔo(wú)法將磁偏移構(gòu)造成使得測(cè)量角度的偵測(cè)器對(duì)于偏移 或位移不敏感。然而，偵測(cè)系統(tǒng)600可以縮小(若無(wú)法消除)凈偏移或位移。通過(guò)在粒子的路徑 中可選地配置具有相反磁極的構(gòu)件，則偵測(cè)系統(tǒng)600可以補(bǔ)償不同磁極的效應(yīng)且可以防止 通過(guò)兩相對(duì)磁極組的帶電粒子獲得凈偏移。在此處理中，偵測(cè)系統(tǒng)600可以準(zhǔn)確地測(cè)量粒 子束特性，諸如角度、強(qiáng)度或劑量以及帶電粒子的角度分布。請(qǐng)參照?qǐng)D7，顯示為根據(jù)本揭示的一實(shí)施例的離子植入機(jī)700的示意圖。如前文所 述，本揭示在文中是以離子植入機(jī)作為例示的目的，但本揭示可以等同地應(yīng)用于其他系統(tǒng)。 本揭示的離子植入機(jī)可以包括離子源102、萃取電極104、90°磁分析器106、第一減速(Dl) 臺(tái)108、70°磁校正器110以及第二減速(D2)臺(tái)112以及轉(zhuǎn)動(dòng)平臺(tái)116。此外，植入機(jī)可以 包括支撐至放在基板平面上的基板114的平臺(tái)116。離子植入系統(tǒng)700也可以包括至少一個(gè)第一至第三粒子束偵測(cè)系統(tǒng)702、704、 706。若存在第一偵測(cè)系統(tǒng)702，第一偵測(cè)系統(tǒng)702可以配置在基板平面前方，第二偵測(cè)系統(tǒng) 704可以配置在基板平面上或附近，以及第三偵測(cè)系統(tǒng)706可以配置在基板平面后方。若存 在第一至第三偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706，可以有一個(gè)或多個(gè)第一偵測(cè)系統(tǒng)702、一個(gè)或多個(gè)第 二偵測(cè)系統(tǒng)704以及一個(gè)或多個(gè)第三偵測(cè)系統(tǒng)706。此處，將著重在描述包括至少一第一偵 測(cè)系統(tǒng)702、至少一第二偵測(cè)系統(tǒng)704以及至少一第三偵測(cè)系統(tǒng)706的離子植入機(jī)700。每一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706可以相似于前述的偵測(cè)系統(tǒng)300、400、500、600中的 任一個(gè)。舉例來(lái)說(shuō)，每一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706也可以具有位于系統(tǒng)主體302的腔體中 的一個(gè)或多個(gè)偵測(cè)器(未示出)。此外，每一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706也可以具有一個(gè)或 多個(gè)場(chǎng)抑制組件。每一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706也可以具有一維或多維的轉(zhuǎn)移與轉(zhuǎn)動(dòng)自由 度。此外，每一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706可以各自包括排列成陣列的多于一個(gè)的偵測(cè)器。在操作中，可以產(chǎn)生粒子束10且將其導(dǎo)向偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706。每一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706可以處于最小透明度狀態(tài)，且偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706可以決定粒子劑量。偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706可以決定其他粒子束特性，諸如粒子束角度或粒子束平行 度。舉例來(lái)說(shuō)，粒子束可以導(dǎo)向至第一偵測(cè)系統(tǒng)702，第一偵測(cè)系統(tǒng)702可以為固定式或移 動(dòng)式且其可以處于比最大透明度狀態(tài)小的透明度狀態(tài)。若第一偵測(cè)系統(tǒng)702是移動(dòng)式，則 其可以移動(dòng)跨越粒子束路徑。不論第一偵測(cè)系統(tǒng)702是固定式或移動(dòng)式，第一偵測(cè)系統(tǒng)702 可以阻擋一部分的粒子束且產(chǎn)生陰影(shadow)?？梢酝ㄟ^(guò)固定式或移動(dòng)式的第二及/或 第三偵測(cè)系統(tǒng)704、706偵測(cè)陰影。且可以根據(jù)陰影來(lái)決定粒子束強(qiáng)度、角度、均勻度以及其 他特性。根據(jù)粒子束陰影來(lái)測(cè)量粒子束特性的方法的詳述可以參照美國(guó)專(zhuān)利第6，791，094 號(hào)，其全文參考并入本文中。當(dāng)任何一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706的透明度狀態(tài)由第一最小透明度轉(zhuǎn)變成最大 透明度狀態(tài)及/或由第二最小透明度轉(zhuǎn)變成最大透明度狀態(tài)時(shí)，也可以通過(guò)偵測(cè)粒子來(lái)決 定粒子束角度、平行度以及粒子的角度分布。若多個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706配置在不同位 置，或若任何一個(gè)偵測(cè)系統(tǒng)702、704、706轉(zhuǎn)移穿過(guò)粒子束，也可以決定在其他位置的粒子 束均勻度與其他特性。若粒子束的特性與所需的特性不符時(shí)，則可以調(diào)整粒子束。在本揭示中，較佳是在決定粒子束特性與校正任何不足處之后才對(duì)基板執(zhí)行離子 植入步驟。然而，可以理解的是也可以同時(shí)執(zhí)行決定粒子束特性與基板處理。舉例來(lái)說(shuō)，在 植入處理期間，可以監(jiān)控粒子束特性以確保特性不會(huì)與所需特性不同。請(qǐng)參照?qǐng)D8，其為通過(guò)本揭示的偵測(cè)系統(tǒng)測(cè)量的粒子束特性的圖表，其中系統(tǒng)繞著 軸轉(zhuǎn)動(dòng)或傾斜而從最小透明度狀態(tài)至最大透明度狀態(tài)。在本實(shí)施例中，偵測(cè)系統(tǒng)可以是上 述的系統(tǒng)400、500、600、702、704、706中的一個(gè)。同時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)可能是y軸與ζ軸中的一者。此 外，粒子束可以是離子帶狀粒子束。然而，其他種類(lèi)的粒子束也可以同樣地應(yīng)用且可理解。后文中，將結(jié)合本揭示的偵測(cè)系統(tǒng)的操作而敘述圖8。首先，偵測(cè)系統(tǒng)可以處于最 初最小透明度狀態(tài)，如區(qū)域A所示。而后，偵測(cè)系統(tǒng)可以繞y軸與ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)至最初中間透明 度狀態(tài)，如區(qū)域B所示。偵測(cè)系統(tǒng)可以持續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)至最大透明度狀態(tài)，如區(qū)域C所示，其中僅 偵測(cè)一小部分的粒子。而后，系統(tǒng)可以在同一方向上持續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng)至達(dá)到如區(qū)域D所示的第二 中間透明度狀態(tài)，以及如區(qū)域E所示的第二最小透明度狀態(tài)?？蛇x地，系統(tǒng)可以在相反的方 向上轉(zhuǎn)動(dòng)以回復(fù)至最初中間與最小透明度狀態(tài)。如前文所提，在本揭示的偵測(cè)系統(tǒng)轉(zhuǎn)動(dòng)或 轉(zhuǎn)移時(shí)，偵測(cè)系統(tǒng)可以偵測(cè)粒子。圖8所示的測(cè)量可以提供與粒子束相關(guān)的較多信息。舉例來(lái)說(shuō)，區(qū)域A與區(qū)域E的 電流、在最小透明度狀態(tài)期間所偵測(cè)的粒子的量可以代表粒子劑量。同時(shí)，區(qū)域B與區(qū)域D 的斜率可以代表粒子角度分布。若系統(tǒng)繞著ζ軸轉(zhuǎn)動(dòng)，兩區(qū)域的斜率可以代表垂直角度分 布。然而，若系統(tǒng)繞著y軸轉(zhuǎn)動(dòng)，區(qū)域B與區(qū)域D的斜率可以代表水平角度分布。若偵測(cè)系 統(tǒng)的偵測(cè)器的結(jié)構(gòu)使得系統(tǒng)僅能夠偵測(cè)垂直與水平角度分布中的一者的粒子角度分布，則 系統(tǒng)可以轉(zhuǎn)動(dòng)，諸如繞著χ軸轉(zhuǎn)動(dòng)90度。而后，系統(tǒng)可以測(cè)量垂直與水平角度分布中的另 一者。如前文所提，也可以由測(cè)量獲得其他粒子束特性，諸如粒子束平行度。本揭示揭示偵測(cè)粒子束特性的裝置與方法的許多實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了 解本揭示未受限于此處所敘述的特定實(shí)施例的范疇。確實(shí)，除了此處所敘述的這些實(shí)施例 以外，本領(lǐng)域技術(shù)人員經(jīng)由前述與附圖能清楚地了解本揭示的其他各種實(shí)施例以及對(duì)本揭 示的變動(dòng)。舉例來(lái)說(shuō)，偵測(cè)系統(tǒng)600、702、704、706可以應(yīng)用靜電抑制排列(electrostaticsuppression arrangement)來(lái)同時(shí)抑制粒子的凈偏移與凈位移?？蛇x地，本揭示所敘述的 系統(tǒng)可以應(yīng)用軟件校正來(lái)計(jì)算可能的角度誤差。在另一例示中，當(dāng)系統(tǒng)由最大透明度狀態(tài) 轉(zhuǎn)動(dòng)至最小透明度狀態(tài)時(shí)，本揭示的偵測(cè)系統(tǒng)可以是先處于最大透明度狀態(tài)且測(cè)量粒子束 特性。因此，這些其他實(shí)施例與潤(rùn)飾皆隱含在本揭示的范疇中。此外，即使本揭示在此處是 以敘述在特定環(huán)境中使用特定施行以達(dá)到特定目的為例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解本揭 示的功用并不限于此且本揭示可以有利地施行于任何多個(gè)環(huán)境中以達(dá)到任何多個(gè)目的。因 此，本申請(qǐng)專(zhuān)利范圍是以此處所述的本揭示的全面性與精神為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種裝置，包括主體，包括定義腔體的側(cè)壁、第一端以及入射孔，其中所述入射孔接近所述第一端以接收多個(gè)粒子且連通所述腔體；以及至少一偵測(cè)器，配置在所述腔體中且構(gòu)造成用以偵測(cè)至少一部分的所述粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述主體具有至少一維的轉(zhuǎn)動(dòng)自由度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，還包括接近所述主體的所述入射孔的第一場(chǎng)抑制組件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括至少一通道，所述通道連通所述入射孔且接近 所述至少一偵測(cè)器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一偵測(cè)器具有蜂巢結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置包括多個(gè)偵測(cè)器，所述多個(gè)偵測(cè)器具有 平行關(guān)系。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述至少一偵測(cè)器具有獨(dú)立于所述主體的一維的 轉(zhuǎn)動(dòng)自由度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，還包括出射孔，接近相對(duì)于所述入射孔的所述主體的第二端，其中所述入射孔、所述腔體以及 所述出射孔彼此連通；第一場(chǎng)抑制組件，配置在接近所述入射孔處；以及第二場(chǎng)抑制組件，配置在接近所述出射孔處。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述第一場(chǎng)組件包括入射間隙與多個(gè)橫向配置的 第一磁構(gòu)件，所述橫向相鄰的第一磁構(gòu)件具有接近所述入射間隙的交替磁極，以及其中所述第二場(chǎng)組件包括出射間隙與多個(gè)橫向配置的第二磁構(gòu)件，所述橫向相鄰的第 二磁構(gòu)件具有接近所述出射間隙的交替磁極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中每一所述第一與第二場(chǎng)抑制組件包括多個(gè)構(gòu)件， 每一構(gòu)件構(gòu)造成用以縮小由位在所述粒子上的至少一相鄰構(gòu)件所產(chǎn)生的場(chǎng)效應(yīng)。
11.一種基板處理系統(tǒng)，包括粒子產(chǎn)生器，構(gòu)造成產(chǎn)生多個(gè)粒子；基板；以及至少一粒子束偵測(cè)裝置，構(gòu)造成接收多個(gè)粒子中的至少一粒子、構(gòu)造成偵測(cè)所述至少 一粒子、以及具有至少一維的轉(zhuǎn)動(dòng)自由度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的處理系統(tǒng)，其中所述粒子束偵測(cè)裝置包括主體，具有入射孔與相對(duì)于所述入射孔的出射孔；以及至少一偵測(cè)器，位于所述入射孔與所述出射孔之間以偵測(cè)所述至少一粒子，所述主體 具有至少一粒子通道，所述粒子通道連通所述入射孔與所述出射孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理系統(tǒng)，其中所述粒子束偵測(cè)裝置還包括接近所述入射 孔的第一場(chǎng)抑制組件與接近所述出射孔的第二場(chǎng)抑制組件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的處理系統(tǒng)，其中每一所述第一與第二場(chǎng)抑制組件包括多個(gè) 構(gòu)件，每一構(gòu)件構(gòu)造成用以縮小由位在所述至少一粒子上的至少一相鄰構(gòu)件所產(chǎn)生的場(chǎng)效 應(yīng)。2
15.一種方法，用以測(cè)量具有多個(gè)粒子的粒子束特性，所述方法包括產(chǎn)生所述粒子束且沿著粒子束路徑導(dǎo)向所述粒子束；將至少一粒子束偵測(cè)系統(tǒng)配置在至少一部分的所述粒子束路徑上，以接收至少一部分 的所述產(chǎn)生粒子，其中所述粒子束偵測(cè)器包括至少一偵測(cè)器；轉(zhuǎn)動(dòng)所述粒子束偵測(cè)系統(tǒng)；以及偵測(cè)至少一部分的所述接收粒子。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述粒子束偵測(cè)器還包括主體，包括入射孔、由所述主體所定義的腔體以及出射孔，其中所述入射孔、所述腔體 以及所述出射孔彼此連通；第一場(chǎng)抑制器，接近所述入射孔；以及第二場(chǎng)抑制器，接近所述出射孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括防止通過(guò)所述第一與第二場(chǎng)抑制器的粒子獲 得凈位移。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)動(dòng)包括相對(duì)于所述粒子束轉(zhuǎn)動(dòng)所述粒子 束偵測(cè)系統(tǒng)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述偵測(cè)包括在所述粒子束偵測(cè)系統(tǒng)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)偵 測(cè)所述至少一部分的所述接收粒子。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括決定所述粒子束中的粒子劑量、粒子束平行 度以及所述粒子的角度分布中的至少一者。
21.—種粒子處理系統(tǒng)，包括粒子產(chǎn)生器，構(gòu)造成產(chǎn)生多個(gè)粒子；以及粒子偵測(cè)器，構(gòu)造成接收至少一部分的所述產(chǎn)生粒子、構(gòu)造成偵測(cè)至少一部分的所述 接收粒子、以及具有可變的透明度狀態(tài)以控制一些通過(guò)所述粒子偵測(cè)器的所述接收粒子。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述粒子偵測(cè)器還包括配置在接近所述粒子 偵測(cè)器的相對(duì)端的第一與第二場(chǎng)抑制組件，其中每一所述第一與第二場(chǎng)抑制器包括多個(gè)構(gòu) 件，每一構(gòu)件構(gòu)造成用以縮小由位在通過(guò)所述粒子偵測(cè)器的所述粒子上的至少一相鄰構(gòu)件 所產(chǎn)生的場(chǎng)效應(yīng)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中所述粒子偵測(cè)器、所述第一抑制組件以及所述 第二抑制組件構(gòu)造成一起轉(zhuǎn)動(dòng)。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中所述粒子偵測(cè)器構(gòu)造成相對(duì)于所述第一與第二 抑制組件轉(zhuǎn)動(dòng)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的裝置，其中所述粒子偵測(cè)器構(gòu)造成用以測(cè)量粒子劑量、粒 子束平行度以及所述粒子的角度分布中的至少一者。
全文摘要
文檔編號(hào)H01L21/66GK101952942SQ20098010505
公開(kāi)日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2009年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月14日
發(fā)明者Gupta Atul, Joseph C Olson 申請(qǐng)人:Varian Semiconductor Equipment