專利名稱：低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)。屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。
(二)
背景技術(shù)：
在眾多的新型芯片封裝技術(shù)中，圓片級封裝技術(shù)最具創(chuàng)新性、最受世人矚目，是封裝技術(shù)取得革命性突破的標志。圓片級封裝技術(shù)以圓片為加工對象，在圓片上同時對眾多芯片進行封裝、老化、測試，最后切割成單個器件。它使封裝尺寸減小至IC芯片的尺寸，生產(chǎn)成本大幅度下降。圓片級封裝技術(shù)的優(yōu)勢使其一出現(xiàn)就受到極大的關(guān)注并迅速獲得巨大的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。在移動電話等便攜式產(chǎn)品中，已普遍采用圓片級封裝型的
EPROM、 IPD(集成無源器件)、模擬芯片等器件。采用圓片級封裝的器件門類正在不斷增多，圓片級封裝技術(shù)是一項正在迅速發(fā)展的新技術(shù)。為了提高圓片級封裝的適用性并擴大其應(yīng)用范圍，人們正在研究和開發(fā)各種新型技術(shù)同時解決產(chǎn)業(yè)化過程中出現(xiàn)的問題，開展對圓片級封裝技術(shù)的現(xiàn)狀、應(yīng)用和發(fā)展進行研究。
圓片級封裝具有許多獨特的優(yōu)點①封裝加工效率高，它以圓片形式的批量生產(chǎn)工藝進行制造；②具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點，即輕、薄、短、
3小；③圓片級封裝生產(chǎn)設(shè)施費用低，可充分利用圓片的制造設(shè)備，無須投資另建封裝生產(chǎn)線；④圓片級封裝的芯片設(shè)計和封裝設(shè)計可以統(tǒng)一考慮、同時進行，這將提高設(shè)計效率，減少設(shè)計費用；⑤圓片級封裝從芯片制造、封裝到產(chǎn)品發(fā)往用戶的整個過程中，中間環(huán)節(jié)大大減少，周期縮短很多，這必將導(dǎo)致成本的降低；⑥圓片級封裝的成本與每個圓片上的芯片數(shù)量密切相關(guān)，圓片上的芯片數(shù)越多，圓片級封裝的成本也越低。圓片級封裝是尺寸最小的低成本封裝。圓片級封裝技術(shù)是真正意義上的批量生產(chǎn)芯片封裝技術(shù)。圓片級封裝的優(yōu)勢在于它是一種適用于更小型集成電路的芯片級封裝(CSP)技術(shù)，由于在圓片級采用并行封裝和電子測試技術(shù)，在提高產(chǎn)量的同時顯著減少芯片面積。由于在圓片級采用并行操作進行芯片連接，因
此可以大大降低每個i/o的成本。此外，采用簡化的圓片級測試程序?qū)?br> 進一步降低成本。利用圓片級封裝可以在圓片級實現(xiàn)芯片的封裝與測試。
當前最典型的圓片級芯片凸點工藝是，采用PI或BCB作為應(yīng)力緩沖層，Cu作為再分布連線金屬，采用濺射法淀積凸點底部金屬層(UBM)，用植球或絲網(wǎng)印刷法淀積焊膏并回流，形成悍球悍球凸點。
目前凸點工藝的特點都是在整個芯片表面完全薄應(yīng)力緩沖的覆蓋，導(dǎo)致讓業(yè)界困惑的問題 一是圓片表面應(yīng)力，隨著芯片功能的增多，芯片尺寸也在不斷的增加，芯片表面應(yīng)力對于芯片在使用中的可靠性影響加重，而應(yīng)力緩沖層的完全覆蓋，作用在芯片表面的應(yīng)力無法釋放，降低了芯片在使用中的可靠性；二是在圓片級封裝工藝中，應(yīng)力緩沖層上金屬較難腐蝕，容易造成金屬殘留存在漏電流問題；另一方面，芯片尺寸不同的芯片必須單獨加工掩膜板，加工費用較高。
(三) 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種可以降低整個芯片應(yīng)力、改善工藝中漏電流問題、節(jié)省成本的低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的--種低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片本體、芯片電極、芯片表面鈍化層、凸點下應(yīng)力緩沖層、接觸電極和應(yīng)力緩沖層上焊料凸點，所述凸點下應(yīng)力緩沖層相互分隔開來不連續(xù)。
本實用新型的有益效果是
本實用新型通過將凸點下應(yīng)力緩沖層相互分隔開來，只有在凸點下有應(yīng)力緩沖層，應(yīng)力緩沖層不連續(xù)，可以降低整個芯片應(yīng)力，分散芯片應(yīng)力分布，提高了凸點結(jié)構(gòu)的可靠性能，改善工藝中漏電流問題，提高了工藝加工的實用性，并且不同尺寸的芯片可以共用同一塊掩膜板，節(jié)省成本。


圖1為本實用新型低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2為圖1的A-A剖示圖。
圖中芯片本體l、芯片電極2、芯片表面鈍化層3、凸點下應(yīng)力緩沖
層4、接觸電極5、應(yīng)力緩沖層上焊料凸點6。
具體實施方式
參見圖1~2，本實用新型低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片本體l、芯片電極2、芯片表面鈍化層3、凸點下應(yīng)力緩沖層4、接觸電極5和應(yīng)力緩沖層上焊料凸點6，所述凸點下應(yīng)力緩沖層4相互分隔開來不連續(xù)。所述凸點下應(yīng)力緩沖層4為高分子絕緣材料，如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂等。
所述應(yīng)力緩沖層上焊料凸點6包括焊球和焊膏回流后所形成的凸點。
權(quán)利要求1、一種低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片本體(1)、芯片電極(2)、芯片表面鈍化層(3)、凸點下應(yīng)力緩沖層(4)、接觸電極(5)和應(yīng)力緩沖層上焊料凸點(6)，其特征在于所述凸點下應(yīng)力緩沖層(4)相互分隔開來不連續(xù)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凸點下應(yīng)力緩沖層(4)為高分子絕緣材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于.-所述高分子絕緣材料是聚酰亞胺或環(huán)氧樹脂。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述應(yīng)力緩沖層上焊料凸點(6)包括焊球和焊膏回流后所形成的凸點。
專利摘要本實用新型涉及一種低應(yīng)力芯片凸點封裝結(jié)構(gòu)，屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。所述結(jié)構(gòu)包括芯片本體(1)、芯片電極(2)、芯片表面鈍化層(3)、凸點下應(yīng)力緩沖層(4)、接觸電極(5)和應(yīng)力緩沖層上焊料凸點(6)，其特征在于所述凸點下應(yīng)力緩沖層(4)相互分隔開來不連續(xù)。本實用新型的有益效果是本實用新型通過將凸點下應(yīng)力緩沖層相互分隔開來，只有在凸點下有應(yīng)力緩沖層，應(yīng)力緩沖層不連續(xù)，可以降低整個芯片應(yīng)力，分散芯片應(yīng)力分布，提高了凸點結(jié)構(gòu)的可靠性能，改善工藝中漏電流問題，提高了工藝加工的實用性，并且不同尺寸的芯片可以共用同一塊掩膜板，節(jié)省成本。
文檔編號H01L23/485GK201421840SQ20092004505
公開日2010年3月10日 申請日期2009年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月26日
發(fā)明者黎 張, 凱 曹, 賴志明, 棟 陳, 陳錦輝 申請人:江陰長電先進封裝有限公司