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導(dǎo)體引出裝置的制作方法

文檔序號(hào):7185496閱讀:157來源:國知局

專利名稱::導(dǎo)體引出裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本實(shí)用新型涉及一種如套管裝置的,將連接在箱體內(nèi)部收納的電氣機(jī)器和外部電路用的導(dǎo)體,與箱體絕緣固定的導(dǎo)體引出裝置。
背景技術(shù)
:圖6中,l是內(nèi)部克填了絕緣媒介(例如SF6氣體'空氣)的箱體,2是收納在箱體1內(nèi)部的油入電容器,其搭載在架臺(tái)3上,通過絕緣子4固定。5是從油入電容器2引出的導(dǎo)體,6是導(dǎo)體5用的套管,7是連接從各油入電容器2導(dǎo)出的導(dǎo)體5的連接導(dǎo)體,8是將連接導(dǎo)體7從箱體1外部引出用的絕緣隔片。圖3表示現(xiàn)有的套管6。導(dǎo)體5貫通套管本體9而固定。套管本體9的外周上形成突出部10,此突出部10其表里面,分別通過外觀為圃筒狀的上部法蘭11和下部法蘭12(都為金屬制)固定。上部法蘭11緊固于下部法蘭12而予以固定。通常上部法蘭11和下部法蘭12,其內(nèi)徑使用相同物質(zhì)。因此,兩法蘭ll、12的各內(nèi)面13、14沿上下方向一致地構(gòu)成。一方面,下部法蘭12的下方為絕緣油,上部法蘭ll的上部為SF6氣體,絕緣油和SF6氣體,其介電常數(shù)不同。另,導(dǎo)體5的高電壓與接地電位的法蘭之間,由套管本體9分擔(dān)。此時(shí),介電常數(shù)小區(qū)域的電壓分擔(dān)變大是眾所周知的。即,套管本體9和上部法蘭11間的SF6氣體部分比套管本體9和下部法蘭12間的絕緣油9的部分電壓分擔(dān)大。特別是上部法蘭11和套管本體9和介電常數(shù)低的絕緣媒介SF6氣體一致的部位A(三重匯接點(diǎn))電場值極大。
實(shí)用新型內(nèi)容要解決的技術(shù)問題因上述電場的局部集中,在其部分易產(chǎn)生絕緣破壞,故需緩和其電場。現(xiàn)有的如圖4所示的,提出了從套管本體9的內(nèi)部到突出部10的內(nèi)部的部分,埋入接地電位的金具15的構(gòu)成。但是,埋入這樣的金具15構(gòu)成套管本體9,則制造價(jià)格變高。另,通過埋入這樣的金具15,有時(shí)因應(yīng)力集中而石皮壞。技術(shù)方案本實(shí)用新型,絕緣支持體由環(huán)氧樹脂構(gòu)成,將絕緣支持體的突出部從其表里面夾入的法蘭內(nèi),使介電常數(shù)小的絕緣區(qū)域側(cè)的法蘭內(nèi)面和絕緣支持體間的距離,比介電常數(shù)大的絕緣區(qū)域側(cè)的法蘭內(nèi)面和絕緣支持體間的距離大,將這些法蘭間可自由裝卸地安裝。有益效果通過固定介電常數(shù)小的絕緣區(qū)域側(cè)的法蘭和導(dǎo)體的絕緣體間距離變長的簡單的構(gòu)成,可緩和介電常數(shù)小的絕緣區(qū)域側(cè)的電場。另,通過將法蘭作成可裝卸式,跨介電常數(shù)無差別的絕緣區(qū)域時(shí)的結(jié)構(gòu)和基本構(gòu)成相同,僅通過交換法蘭,即可獲得緩和電場的效果。圖l是表示本實(shí)用新型實(shí)施例的剖視圖。圖2是圖1的局部放大剖視圖。圖3是表示現(xiàn)有例的剖視圖。圖4是圖3的局部》文大剖4見圖。圖5是電場的分布圖。圖6是表示套管使用例的電容器裝置的剖視圖。具體實(shí)施方式就本實(shí)用新型的實(shí)施例通過圖1進(jìn)行說明。另,同圖3相同符號(hào)的部分表示相同或?qū)?yīng)的部分。上部法蘭11和下部法蘭12通過螺栓和螺母可自由裝卸地固定。上部法蘭11在絕緣氣體側(cè),下部法蘭12在絕緣油側(cè)時(shí),上部法蘭11的內(nèi)面13和絕緣支持體的環(huán)氧樹脂制的套管本體9間的距離X,比下部法蘭12的內(nèi)面14和套管本體9間的距離Y長(參照圖2)。由此,從高電位的導(dǎo)體5,上部法蘭11的內(nèi)面13比下部法蘭12的內(nèi)面l4遠(yuǎn)離,上部法蘭11的內(nèi)面13和套管本體9間的電場比下部法蘭12的內(nèi)面14和套管本體9間的電場緩和。電場的解析結(jié)果如表1所示。此表對前述各距離X、Y(單位為mm)的部位A的電場值,以X=15、Y=15時(shí)的電場偵—作為100%表示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>表l中,距離X、Y相同的樣本l、2,如將距離X、Y變長則電場值變小,但此值不會(huì)太小。對此僅將距離X變長的樣本3至8的電場值變得非常小。另,如樣本4至8的,使距離X為距離Y的2倍以上為好,但其條件是由安裝地點(diǎn)的限制和成本上的限制決定。圖5表示套管本體9和法蘭間的電場分布狀態(tài)。(b)是對應(yīng)樣本1的現(xiàn)有構(gòu)成,在上部法蘭11內(nèi)面13的附近,特別是部位A附近電場集中。一方面(a)是對應(yīng)樣本3至8的本實(shí)用新型的構(gòu)成,電場集中在下部法蘭12的內(nèi)面14的結(jié)果,上部法蘭11內(nèi)面13附近的電場變疏。另(c)是對應(yīng)樣本2的構(gòu)成,將兩法蘭ll、12的內(nèi)面都充分遠(yuǎn)離,則比(b)電場變疏,但比較(a)則比上部法蘭11內(nèi)面附近的電場密。權(quán)利要求1.一種導(dǎo)體引出裝置,其支持跨介電常數(shù)有差別的絕緣區(qū)域引出的導(dǎo)體的絕緣支持體的突出部,從其表里面由法蘭夾入固定;其特征在于,絕緣支持體由環(huán)氧樹脂構(gòu)成,將絕緣支持體的突出部從其表里面夾入的法蘭內(nèi),使介電常數(shù)小的絕緣區(qū)域側(cè)的法蘭內(nèi)面和絕緣支持體間的距離,比介電常數(shù)大的絕緣區(qū)域側(cè)的法蘭內(nèi)面和絕緣支持體間的距離大,使這些法蘭間可自由裝卸地安裝。專利摘要本實(shí)用新型提供一種導(dǎo)體引出裝置,支持跨介電常數(shù)有差別的絕緣區(qū)域引出的導(dǎo)體用的絕緣支持體中,使介電常數(shù)低的絕緣區(qū)域側(cè)的絕緣支持體的電場通過簡單的構(gòu)成緩和。將絕緣支持體的突出部,從其表里面夾入的上部法蘭和下部法蘭中,使介電常數(shù)小的絕緣區(qū)域側(cè)的法蘭內(nèi)面和絕緣支持體間的距離,比介電常數(shù)大的絕緣區(qū)域側(cè)的法蘭內(nèi)面和絕緣支持體間的距離大。文檔編號(hào)H01B17/28GK201378479SQ200920009000公開日2010年1月6日申請日期2009年3月24日優(yōu)先權(quán)日2009年3月24日發(fā)明者榎靖弘申請人:日新電機(jī)株式會(huì)社
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