專利名稱：可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，特別是涉及一 種應(yīng)用于發(fā)光二極管的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
中國臺灣新型專利第M337845號是揭露一種發(fā)光二極管反射環(huán)與基板 的結(jié)合構(gòu)造，其是利用耐高溫的含有氧化硅成份的結(jié)合劑，例如高溫玻璃 膠，用以結(jié)合反射環(huán)與基板，以因應(yīng)高功率發(fā)光二極管的工作溫度，并使基 板和反射環(huán)在高溫時仍能保持穩(wěn)固結(jié)合。
但是，實際上在結(jié)合反射環(huán)及基板時，由于難以準確控制高溫玻璃膠 的用量，因此當涂布過多的高溫玻璃膠于反射環(huán)及基板之間時，高溫玻璃 膠可能外溢至反射環(huán)之外，進而使得發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光線由高溫玻 璃膠外溢處外漏，并降低了發(fā)光二極管在正向的出光量。
此外，當涂布了過多的高溫玻璃膠，并使得高溫玻璃膠涂布不均勻 時，填充于發(fā)光二極管座體中的封裝膠材可能由反射環(huán)與基板間的接面處 滲漏出來，而相對地濕氣亦可能由接面處進入發(fā)光二極管座體中，進而大 幅影響了發(fā)光二極管的使用壽命及發(fā)光效率。
再者，為了提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，又可在反射環(huán)的反射面鍍上 金屬反射層，藉以反射發(fā)光二極管晶粒所發(fā)出的光線，并提高發(fā)光二極管 晶粒的出光量，然而受限于反射環(huán)材料本身的孔隙及粗糙度影響，反射面 上的金屬反射層反而不具有光澤并導(dǎo)致反射效果極差，進而使得光線被大 量漫射與吸收，并降低了光線的反射率，所以難以達到提高發(fā)光亮度的功 效。
此外，為了再進一步提高發(fā)光二極管的出光效率，又可在反射環(huán)上再 設(shè)置透鏡，但是實際在組裝透鏡時，由于無法準確地使透鏡的光軸與發(fā)光 二極管晶粒的出光光軸重合，所以使得發(fā)光二極管的光形與預(yù)先設(shè)計的光 學(xué)設(shè)計結(jié)果相去甚遠，因此如何提高透鏡組裝的準確率，并使得透鏡組裝 的流程更加的順暢，也是業(yè)者需要解決的問題之一。
由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管反射環(huán)與基板的結(jié)合構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與 使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上 述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直 未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的可 防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè) 界極需改進的目標。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于，克服現(xiàn)有的可防滲漏的發(fā)光二極管反射環(huán)與 基板的結(jié)合構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的可防滲漏的發(fā)光二極 管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由耐高溫環(huán)氧樹脂結(jié)合陶覺基 板及陶瓷反射環(huán)，以使得發(fā)光二極管座體可以承受極高的制程溫度，非常 適于實用。
本實用新型的另 一 目的在于，克服現(xiàn)有的可防滲漏的發(fā)光二極管反射 環(huán)與基板的結(jié)合構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的可防滲漏的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由耐高溫環(huán)氧樹脂緊密結(jié) 合陶瓷基板及陶瓷反射環(huán)，以避免發(fā)光二極管晶粒發(fā)出的光線由陶瓷基板 及陶瓷反射環(huán)的接面處外泄，從而更加適于實用。
本實用新型的還一目的在于，克服現(xiàn)有的可防滲漏的發(fā)光二極管反射 環(huán)與基板的結(jié)合構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的可防滲漏的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由在陶瓷反射環(huán)的結(jié)合面 處形成凹槽，用以容置外溢的耐高溫環(huán)氧樹脂，藉此避免耐高溫環(huán)氧樹脂 溢出陶瓷反射環(huán)之外，從而更加適于實用。
本實用新型的再一目的在于，克服現(xiàn)有的可防滲漏的發(fā)光二極管反射 環(huán)與基板的結(jié)合構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的可防滲漏的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由在陶瓷反射環(huán)的反射面 上拋光以形成拋光反射面，可以藉此提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，從而更 加適于實用。
本實用新型的又一目的在于，克服現(xiàn)有的可防滲漏的發(fā)光二極管反射 環(huán)與基板的結(jié)合構(gòu)造存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的可防滲漏的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由在陶瓷反射環(huán)上設(shè)置透 鏡定位部，以節(jié)省透鏡組裝所需的時間，并可以提高透鏡定位的準確度,從 而更加適于實用。
本實用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn) 的。依據(jù)本實用新型提出的 一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包
括一陶瓷基板，其具有 一第一表面，該第一表面具有至少一對第一電 極、 一固晶金屬層及一結(jié)合區(qū)；及一第二表面，該第二表面具有一對第二 電極，是與該對第一電極電性連接；以及一陶瓷反射環(huán)，其具有一結(jié)合面 及一反射面，其中該結(jié)合面是與該反射面鄰接并且藉由一耐高溫環(huán)氧樹脂與該結(jié)合區(qū)結(jié)合，且該結(jié)合面對應(yīng)于該結(jié)合區(qū)處具有一凹槽，以容置外溢的 該耐高溫環(huán)氧樹脂。
本實用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來 進一步實現(xiàn)。
前述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的陶資基板為 一氧 化鋁基板、 一氮化鋁基板或一低溫共燒結(jié)陶乾基板。
前述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的陶瓷基板具有至 少一導(dǎo)熱柱，其是設(shè)置于該陶瓷基板中，且該導(dǎo)熱柱的一第一端部是與該 固晶金屬層導(dǎo)熱結(jié)合。
前述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面進一步 具有一導(dǎo)熱金屬層，并且該導(dǎo)熱金屬層是與該導(dǎo)熱柱的一第二端部導(dǎo)熱結(jié) 合。
前述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的耐高溫環(huán)氧樹脂
的耐溫是大于等于27(TC、大于等于300。C、或大于等于40(TC。
前述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的反射面為一拋光 反射面。
前述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的反射面的頂部形 成有一透鏡定位部。
前述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的透鏡定位部為一 定位凸緣。
本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。經(jīng)由以上可 知，為了達到上述目的，本實用新型提供了一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體 結(jié)構(gòu)，其包括 一陶瓷基板，其具有 一第一表面，其具有至少一對第一 電極、 一固晶金屬層及一結(jié)合區(qū)；以及一第二表面，其具有一對第二電極,是 與第一電極電性連接；以及一陶瓷反射環(huán)，其具有一結(jié)合面及一反射面，其 中結(jié)合面是與反射面鄰接并且藉由一耐高溫環(huán)氧樹脂與結(jié)合區(qū)結(jié)合，又在 結(jié)合面對應(yīng)于結(jié)合區(qū)處具有一凹槽，用以容置外溢的耐高溫環(huán)氧樹脂。
借由上述技術(shù)方案，本實用新型可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)至少 具有下列優(yōu)點及有益效果
1、 藉由耐高溫環(huán)氧樹脂的耐高溫特性，以使得發(fā)光二極管座體可以承 受高達400。C的制程溫度。
2、 利用耐高溫環(huán)氧樹脂緊密結(jié)合陶瓷基板及陶瓷反射環(huán)，以避免發(fā)光 二極管晶粒發(fā)出的光線由陶瓷基板及陶瓷反射環(huán)的接面處外漏，而發(fā)生漏 光的情形。
3、 在陶瓷反射環(huán)的結(jié)合面處形成凹槽，用以容置外溢的耐高溫環(huán)氧樹 月旨，藉此防止耐高溫環(huán)氧樹脂溢出陶瓷反射環(huán)之外。，可以提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度。
5、 藉由透鏡定位部的設(shè)置，以使得透鏡可以簡單地與陶瓷反射環(huán)進行 定位，并可以提高透鏡定位的準確率。
綜上所述，本實用新型是有關(guān)于一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié) 構(gòu)，其包括陶瓷基板；以及陶瓷反射環(huán)，其中陶瓷反射環(huán)是藉由耐高溫環(huán) 氧樹脂與陶瓷基板結(jié)合，以避免充填于發(fā)光二極管座體中的封裝膠材由接
面處滲漏出來，并且陶瓷反射環(huán)的結(jié)合面又具有凹槽，可用以容置外溢的 耐高溫環(huán)氧樹脂。此外，陶瓷反射環(huán)具有拋光反射面，可用以反射發(fā)光二 極管晶粒的光線，進而提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，而且拋光反射面的頂 部又具有透鏡定位部，可使透鏡準確組裝定位，進而提高透鏡組裝的精確 度,并使發(fā)光二極管具有較佳的出光光形。本實用新型在技術(shù)上有顯著的進 步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本實用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實 用新型的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本實用 新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施 例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1是本實用新型的一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)第一較佳實 施例的分解剖面圖。
圖2是圖1較佳實施例的結(jié)合圖。
圖3是本實用新型的一種陶瓷基板第一較佳實施例的俯視圖。
圖4是本實用新型的一種陶瓷基板第一較佳實施例的仰視圖。
圖5是本實用新型的一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)第二較佳實 施例的分解剖面圖。
圖6是本實用新型的一種陶瓷基板第二較佳實施例的仰視圖。 '
圖7是本實用新型的一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的第三較佳 實施例分解剖面圖。
圖8是圖7較佳實施例的結(jié)合圖。
10、 10， 、 10":可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)
20、 20，陶資基板 21:第一表面
211:第一電極 212:固晶金屬層
213:結(jié)合區(qū) 22:第二表面
221:第二電極 222:導(dǎo)熱金屬層
23:導(dǎo)電層 24:導(dǎo)熱柱
241:第一端部 242:第二端部30、 30':陶瓷反射環(huán)
32
33 40 60
結(jié)合面 透鏡定位部 發(fā)光二極管晶粒 透鏡
31:反射面 321:凹槽
34 50 61
接觸面
耐高溫環(huán)氧樹脂 凹部
具體實施方式
功效，
以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本實用新型提出的可防滲漏的發(fā) 光二極管座體結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
有關(guān)本實用新型的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參 閱圖式的較佳實施例的詳細說明中將可清楚的呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的 說明，當可對本實用新型為達成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效獲得一 更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用 來對本實用新型加以限制。
圖1是本實用新型的一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)第一較佳實 施例的分解剖面圖。圖2是圖1較佳實施例的結(jié)合圖。圖3是本實用新型 的一種陶覺基板第一較佳實施例的俯視圖。圖4是本實用新型的一種陶瓷 基板第一較佳實施例的仰-現(xiàn)圖。圖5是本實用新型的一種可防滲漏的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)第二較佳實施例的分解剖面圖。圖6是本實用新型的一種 陶瓷基板第二較佳實施例的仰視圖。圖7是本實用新型的一種可防滲漏的 發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)第三較佳實施例的分解剖面圖。圖8是圖7較佳實施 例的結(jié)合圖。
請參閱圖1及圖2所示，本實用新型較佳實施例的一種可防滲漏的發(fā) 光二極管座體結(jié)構(gòu)IO，其包括 一陶瓷基板20;以及一陶瓷反射環(huán)30。
上述的陶瓷基板20,其可以為一氧化鋁基板、 一氮化鋁基板或一低溫 共燒結(jié)陶瓷基板。由于陶瓷基板20具有良好的導(dǎo)熱特性，因此可適時地將 發(fā)光二極管晶粒40產(chǎn)生的熱能即時地帶離，進而提高發(fā)光二極管晶粒40 的發(fā)光效率。
如圖1所示，陶瓷基板20具有 一第一表面21以及一第二表面22。如 圖3所示，陶資基板20的第一表面21具有至少一對第一電極211、 一固晶 金屬層212及一結(jié)合區(qū)213。第一電極211可在測試階段與外部電路電性連 接，進而測試發(fā)光二極管晶粒40是否正常發(fā)光，又如圖2所示，固晶金屬 層212是用以設(shè)置發(fā)光二極管晶粒40，而結(jié)合區(qū)213則是用以與陶瓷反射 環(huán)30結(jié)合的區(qū)域。
舉例來說，陶瓷基板2 0的第 一表面21可具有兩對第 一電極211 ，其分別設(shè)置于結(jié)合區(qū)213的兩側(cè)，并且又可在陶瓷基板20中利用導(dǎo)電層23使兩 對第一電極211彼此電性連接，而發(fā)光二極管晶粒40則可設(shè)置于固晶金屬 層212上，并可利用打線的方式使發(fā)光二極管晶粒40與第一電極211電性 連接。
如圖4所示，陶資基板20的第二表面22具有一對第二電極221,并且 第二電極221可用以直接與電路板電性連接，進而使發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu) 10成為一種表面粘著式(Surface Mount Device, SMD)電子元件。如圖1及 圖2所示，第二電極221是利用設(shè)置于陶瓷基板20中的導(dǎo)電層23分別與 第一電極211電性連接。
如圖1所示，陶資反射環(huán)30，其具有一反射面31及一結(jié)合面32，其中 結(jié)合面32是與陶瓷基板20的結(jié)合區(qū)213結(jié)合的表面，而反射面31又與結(jié) 合面32相互鄰接。陶瓷反射環(huán)30的反射面31可以為一錐狀反射面或一弧 狀反射面，更佳的是，為了提高發(fā)光二極管晶粒40的發(fā)光亮度，可藉由拋 光處理使得反射面31成為一拋光反射面，而且由于經(jīng)過拋光處理后的反射 面31的表面更加地平整，因此反射面31可具有更良好的反射率，并使得 發(fā)光二極管晶粒40發(fā)出的光線得以有效反射出發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)10。
為了使陶瓷反射環(huán)30與陶瓷基板20緊密結(jié)合，可利用一耐高溫環(huán)氧 樹脂50使陶瓷反射環(huán)30的結(jié)合面32與陶瓷基板20的結(jié)合區(qū)213相互結(jié) 合。此外，耐高溫環(huán)氧樹脂50的耐溫可大于等于27(TC或者大于等于300 。C,更佳的是耐高溫環(huán)氧樹脂50的耐溫可大于等于40(TC,藉此^f吏耐高溫環(huán) 氧樹脂50在經(jīng)過回焊(reflow)制程時，可承受回焊制程中高達26(TC左右 的高溫，并且仍可使陶乾反射環(huán)30與陶瓷基板20緊密結(jié)合，進而可通過 針對發(fā)光二極管所進行的各項測試，例如可靠度測試、老化測試、紅墨水 測試...等。
如圖1及圖2所示，為了避免耐高溫環(huán)氧樹脂50隨意外溢，并導(dǎo)致發(fā) 光二極管晶粒40發(fā)出的光線由耐高溫環(huán)氧樹脂50外溢處外漏，因此在陶 瓷反射環(huán)30的結(jié)合面32對應(yīng)于陶瓷基板20的結(jié)合區(qū)213處設(shè)置有一凹槽 321，可用以容置外溢的耐高溫環(huán)氧樹脂50。
藉由耐高溫環(huán)氧樹脂50緊密結(jié)合陶瓷反射環(huán)30與陶瓷基板20,可避 免充填于發(fā)光二極管座體10中的封裝膠材由陶瓷反射環(huán)30與陶瓷基板20 之間接面處滲漏出來，而且耐高溫環(huán)氧樹脂50又可承受回焊制程的制程高 溫。此外，由于在陶資反射環(huán)30的結(jié)合面32上設(shè)置有凹槽321,因此可避 免耐高溫環(huán)氧樹脂50隨意外溢至陶乾反射環(huán)30之外，并可防止發(fā)光二極 管晶粒4 0發(fā)出的光線由陶瓷基板2 0及陶瓷反射環(huán)3 0的接面處外漏。
如圖5所示，為了使發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)10，具有更良好的導(dǎo)熱效 能，又可在陶瓷基板20，中設(shè)置至少一導(dǎo)熱柱24,而導(dǎo)熱柱24的一第一端部241是與第一表面21的固晶金屬層212導(dǎo)熱結(jié)合，并可直接將發(fā)光二極 管晶粒40產(chǎn)生的熱能經(jīng)由固晶金屬層212及導(dǎo)熱柱24帶離。又如圖5及 圖6所示，陶瓷基板20，的第二表面22亦可再進一步具有一導(dǎo)熱金屬層 222，并且導(dǎo)熱金屬層222又與導(dǎo)熱柱24的一第二端部242導(dǎo)熱結(jié)合，藉以 將導(dǎo)熱柱24所傳導(dǎo)至導(dǎo)熱金屬層222的熱能迅速地分散傳導(dǎo)至他處。
如圖7及圖8所示，為了在封裝發(fā)光二極管時，透鏡60可以準確地對 位設(shè)置在陶瓷反射環(huán)30，上，可藉由在陶瓷反射環(huán)30，的反射面31的頂 部形成一透鏡定位部33，用以與透鏡60的凹部61相互對位，并且使透鏡 60的凹部61可卡設(shè)在透鏡定位部33上，而透鏡定位部33可以為一定位凸 緣，藉此使透鏡60可準確地J殳置于陶瓷反射環(huán)30'上，并使得透鏡60的光 軸與發(fā)光二極管晶粒40的出光光軸重合，進而達到預(yù)先設(shè)計的光學(xué)設(shè)計效 果。
此外，為了使透鏡60可順利地安裝于陶瓷反射環(huán)30，上，可將陶瓷反 射環(huán)30，與透鏡60接觸的表面設(shè)計為弧形的接觸面34,以使得接觸面34 可以與透鏡60的曲面相互吻合，藉此可便于安裝及卸除透鏡60,進而使透 鏡60的組裝流程更為流暢。
以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作 任何形式上的限制，雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非 用以限定本實用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員在不脫離本實用新型技 術(shù)方案范周內(nèi)，當可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同 變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實 用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均 仍屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一陶瓷基板，其具有一第一表面，該第一表面具有至少一對第一電極、一固晶金屬層及一結(jié)合區(qū)；及一第二表面，該第二表面具有一對第二電極，是與該對第一電極電性連接；以及一陶瓷反射環(huán)，其具有一結(jié)合面及一反射面，其中該結(jié)合面是與該反射面鄰接并且藉由一耐高溫環(huán)氧樹脂與該結(jié)合區(qū)結(jié)合，且該結(jié)合面對應(yīng)于該結(jié)合區(qū)處具有一凹槽，以容置外溢的該耐高溫環(huán)氧樹脂。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的陶乾基板為一氧化鋁基板、 一氮化鋁基板或一低溫共燒結(jié)陶 瓷基板。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的陶資基板具有至少一導(dǎo)熱柱，其是設(shè)置于該陶瓷基板中，且該 導(dǎo)熱柱的一第一端部是與該固晶金屬層導(dǎo)熱結(jié)合。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面進一步具有一導(dǎo)熱金屬層，并且該導(dǎo)熱金屬層是與該導(dǎo)熱柱的一第二端部導(dǎo)熱結(jié)合。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的耐高溫環(huán)氧樹脂的耐溫是大于等于270°C、大于等于300。C、或大于等于400。C。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的反射面為一拋光反射面。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的反射面的頂部形成有 一透鏡定位部。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的透鏡定位部為 一定位凸緣。
專利摘要本實用新型是有關(guān)于一種可防滲漏的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括一陶瓷基板，其具有一第一表面，該第一表面具有至少一對第一電極、一固晶金屬層及一結(jié)合區(qū)；一第二表面，該第二表面具有一對第二電極，是與該對第一電極電性連接；以及一陶瓷反射環(huán)，其具有一結(jié)合面及一反射面，其中結(jié)合面是與反射面鄰接并藉由一耐高溫環(huán)氧樹脂與結(jié)合區(qū)結(jié)合，且結(jié)合面對應(yīng)于結(jié)合區(qū)處具有一凹槽，以容置外溢的耐高溫環(huán)氧樹脂。此外，陶瓷反射環(huán)具有拋光反射面，可用以反射發(fā)光二極管晶粒的光線，進而提高發(fā)光二極管的發(fā)光亮度，而且拋光反射面的頂部又具有透鏡定位部，可使透鏡準確組裝定位，進而提高透鏡組裝的精確度，并使發(fā)光二極管具有較佳的出光光形。
文檔編號H01L33/00GK201378597SQ20092000674
公開日2010年1月6日 申請日期2009年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月13日
發(fā)明者林忠慶, 蕭勝彥, 魏孝文 申請人:晶越科技股份有限公司