專利名稱：具有高esd閾值的光電二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電探測(cè)器，特別涉及其針對(duì)靜電放電的防護(hù)。
背景技術(shù)：
包括PINs和雪崩光電二極管(APDs)的光電二極管或光電探測(cè)器被廣泛使用于光 纖和光學(xué)應(yīng)用中以將接收到的光轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)。光電二極管需要快速響應(yīng)時(shí)間，以能夠 在高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中運(yùn)轉(zhuǎn)。在這樣的高速信號(hào)傳輸中所使用的具有快速響應(yīng)時(shí)間的光電二極管特別易于受 到靜電放電(ESD)的損傷。電子部件對(duì)于ESD的敏感性以ESD閾值來(lái)測(cè)量。閾值越高，部 件抗損傷的能力越強(qiáng)。典型地，光電二極管的帶寬由其電容和串聯(lián)電阻的乘積(已知為其RC常數(shù))所限 制，在大多數(shù)光電二極管中，總電容主要取決于p-n結(jié)的電容或結(jié)電容。因此，為了獲得寬 的帶寬，就需要通過(guò)將光電二極管的有源面積制作得盡可能的小以減小結(jié)電容。然而，一般來(lái)說(shuō)，ESD閾值和有源面積的大小成正比。有源面積越小并且ESD閾值 越低，光電二極管就越易于受到ESD損傷。對(duì)于速度性能大于2. 5Gbps的光電二極管，典型 的ESD閾值低于50伏特。低ESD閾值對(duì)于光電二極管的制造是很重要的問(wèn)題，即使當(dāng)使用 高成本的ESD防護(hù)裝置和工藝時(shí)，它也會(huì)導(dǎo)致低組裝成品率。圖Ia是由晶片襯底制作成芯片的典型的p-i-n光電二極管100的示意結(jié)構(gòu)的平 面圖。在諸如磷化銦(InP)，砷化銦鎵(InGaAs)，砷化鎵(GaAs)及其類似的III-V化合物 半導(dǎo)體系統(tǒng)中，P-i-n結(jié)構(gòu)在η-摻雜或半絕緣襯底上外延生長(zhǎng)。對(duì)于在光纖電信所需的波 長(zhǎng)的操作而言，InP是優(yōu)選的襯底材料。具有外圍Ia的ρ-區(qū)域1由通過(guò)擴(kuò)散掩模的局部ρ-型摻雜劑擴(kuò)散過(guò)程而形成。 典型地，鋅(Zn)作為ρ-型摻雜劑。p-i-n光電二極管100的表面由電介質(zhì)層5鈍化，典型 地，該電介質(zhì)層5為氮化硅(SiNx)。為了與光電二極管的陽(yáng)極接觸，將環(huán)形金屬接觸環(huán)2通過(guò)ρ-區(qū)域1外圍內(nèi)的絕緣 層5中的環(huán)形開口或通孔(via)6而沉積。金屬接觸環(huán)2是環(huán)形的，以允許光信號(hào)8從光電 二極管100的前面進(jìn)入。將金屬接觸環(huán)2制作的盡可能小，以將對(duì)應(yīng)于金屬接觸環(huán)2的內(nèi) 直徑的光電二極管100的光學(xué)敏感面積最大化。鈦/鉬/金(Ti/Pt/Au)是一種適合于金 屬接觸環(huán)2的金屬組合。用于使光電二極管陽(yáng)極與金屬絲鍵合(wire bond)外部連接的鍵合焊盤(bond pad) 3被沉積在介電絕緣層5上，鍵合焊盤3通過(guò)金屬連接鏈接4而被連接到金屬接觸環(huán) 2。箭頭A-A’表明了圖Ib中示出的光電二極管的橫截面的位置。參考圖lb，在P-i-n光電二極管100中，InP襯底10支撐n_型層結(jié)構(gòu)，而該n_型 層結(jié)構(gòu)包含厚度為0. 3-1. 0 μ m的η-摻雜InP緩沖層11、厚度為0. 8-4 μ m的非故意摻雜 InGaAs吸收層12和η-摻雜或非故意摻雜的InP窗口層13。ρ_η結(jié)Ib通過(guò)局部ρ-型摻雜 劑擴(kuò)散過(guò)程而形成于吸收層12中，以形成ρ-區(qū)域1。
金屬接觸環(huán)2 —般被沉積在薄的高度摻雜P-型InGaAs層7上以降低接觸電阻率， 因而減少光電二極管的串聯(lián)電阻。如果InP襯底10是傳導(dǎo)η-型的，到光電二極管陰極的接觸(未示出)通常被沉 積在InP襯底的底部?？商娲?，如果InP襯底是半絕緣的，則可以制作從光電二極管頂部 到η-型層的陰極連接。光電二極管結(jié)構(gòu)已經(jīng)在目的為增加ESD閾值的現(xiàn)有技術(shù)中公開。Derkits, Jr.等人(美國(guó)專利6，835，984 “耐ESD器件”)公開了例如光電探測(cè)器 靜電放電(ESD)保護(hù)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。將介電層沉積在有源區(qū)域?qū)由?，而將金屬有源區(qū) 域接觸沉積在有源區(qū)域之上的介電層中并與有源區(qū)域電接觸。圍繞著有源區(qū)域接觸將組成 ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的環(huán)形金屬保護(hù)環(huán)沉積在介電層中，其中，ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)與襯底的有源區(qū)域?qū)?電接觸，以為介電層表面上的電荷提供ESD放電路徑。雖然金屬保護(hù)環(huán)為介電層的較大表面部分上的電荷提供了放電表面，其并沒有直 接為光電二極管陽(yáng)極提供ESD保護(hù)。孫茂有和盧意成在論文“耐ESD InGaAs p-i-n光電二極管的非線性 (Nonlinearity inESD robust InGaAs p-i-n photodiode) ” 中提出了一種保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，以 提高InGaAs光電二極管的ESD閾值，該論文發(fā)表在電子器件，IEEE學(xué)報(bào)，2005年第52卷第 7期第1508-1513頁(yè)。然而，該保護(hù)環(huán)增加了會(huì)減小光電二極管帶寬和線性的總體光電二極
管電容。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種通過(guò)降低ESD誘發(fā)的電流密度而具有改進(jìn)的ESD損傷閾 值的光電二極管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的進(jìn)一步目的是通過(guò)在與鍵合焊盤連接的相交處提供環(huán)接觸的局部加寬， 引入低電導(dǎo)率層以提高側(cè)向電流擴(kuò)展，以及通過(guò)增加陽(yáng)極接觸的接觸電阻率而增加光電二 極管的串聯(lián)電阻，從而獲得較低的ESD-誘發(fā)的電流密度。本發(fā)明公開了一種具有提高了的ESD閾值的光電二極管，其包括被支撐在InP半 導(dǎo)體襯底的上表面的η-型InP緩沖層，用于吸收光電二極管的頂表面的入射光且處于緩沖 層上的本征InGaAs吸收層，用于將入射光傳輸?shù)轿諏忧姨幱谖諏由系腎nP窗口層，以 及用于提供鈍化且處于窗口層上的SiNx介電層。從窗口層的頂表面延伸至吸收層內(nèi)的圓形ρ-型區(qū)域在其中形成ρ-η結(jié)，環(huán)形金屬 接觸在圓形P-型區(qū)域的外圍內(nèi)的窗口層上，從而通過(guò)接觸區(qū)域形成與P-型區(qū)域的接觸。在 介電層上且遠(yuǎn)離P-型區(qū)域提供有鍵合焊盤，以形成到光電二極管的外部連接，并且金屬鏈 接將鍵合焊盤連接至環(huán)形金屬接觸。接觸區(qū)域包括環(huán)形部分和在金屬鏈接與環(huán)形金屬接觸的相交處的擴(kuò)大部分。該擴(kuò) 大部分的面積至少是接觸區(qū)域的環(huán)形部分的面積的兩倍。


下面將參考代表本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明，其中圖Ia和Ib分別是現(xiàn)有技術(shù)常規(guī)p-i-n光電二極管的俯視圖和截面示意圖2a和2b分別是在接觸環(huán)和到鍵合焊盤的連接鏈接的相交區(qū)域處的對(duì)光電二極 管的ESD損傷的EBIC和SEM圖像；圖3a和3b分別是根據(jù)本發(fā)明的具有Ti/InGaAs和AuZn/InP接觸界面的p-i_n 光電二極管的橫截面示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的具有電流擴(kuò)展層的p-i-n光電二極管的橫截面示意圖；圖5a和圖5b分別是根據(jù)本發(fā)明的p-i_n光電二極管的俯視圖和橫截面示意圖， 其具有通孔，該通孔在接觸環(huán)和到鍵合焊盤的連接的相交處被加寬；以及圖6a和6b分別是根據(jù)本發(fā)明的p_i-n光電二極管的俯視圖和橫截面示意圖，其 具有接觸層，該接觸層在接觸環(huán)和到鍵合焊盤的連接的相交處被加寬。
具體實(shí)施例本發(fā)明公開的頂部入射(top-entry)或前面入射(front-entry)光電二極管結(jié)構(gòu) 克服了上述現(xiàn)有技術(shù)器件的缺點(diǎn)，同時(shí)獲得了改進(jìn)的較高的靜電放電(ESD)閾值。該光電 二極管可以是PIN，APD或類似的光電探測(cè)器。實(shí)驗(yàn)表明，ESD損傷典型地位于遠(yuǎn)離的陽(yáng)極鍵合焊盤(bond pad) 3和接觸環(huán)2的 相交處，在此處，在靜電放電發(fā)生的過(guò)程中電流脈沖被注入。圖2a示出了一個(gè)例子，ESD損 傷20在由掃描電子顯微鏡(SEM)取得的電子束誘發(fā)的電流(EBIC)圖像中，以及在同一區(qū) 域的傳統(tǒng)SEM表面圖像(圖2b)中是明顯的。由ESD電流脈沖產(chǎn)生的高電流密度導(dǎo)致接觸 環(huán)2下面的半導(dǎo)體的局部熔化和隨后的再結(jié)晶。這種損傷會(huì)造成危害器件操作的高泄漏電 流。低接觸電阻和小接觸面積會(huì)提高光電二極管100的速度，但也會(huì)導(dǎo)致局部高電流 密度，特別是在遠(yuǎn)離的陽(yáng)極鍵合焊盤3和接觸環(huán)2的相交處。因此，減小峰值電流密度是改 善ESD電阻的有效方法。根據(jù)本發(fā)明，公開了減小由ESD電流脈沖產(chǎn)生的高電流密度的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。大體上， 將下面的一種或多種結(jié)構(gòu)引入光電二極管可以減小峰值電流密度(1)高接觸電阻金屬 化；(2)分離的電流擴(kuò)展層；以及(3)局部增大的接觸區(qū)域。這些結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)可以單獨(dú)或組合 引入，從而改進(jìn)光電二極管的ESD閾值。p-i-n光電二極管的第一個(gè)實(shí)施例200的橫截面如圖3a所示。p-i-n光電二極管200的襯底10支撐n_型層結(jié)構(gòu)，該n_型層結(jié)構(gòu)包括厚度為 0. 3-1. 0 μ m的η-摻雜緩沖層11、厚度為0. 8-4 μ m的非故意摻雜吸收層12、和η-摻雜或 非故意摻雜窗口層13。窗口層13可以包括ρ-摻雜水平低于lX1017cnT3的低摻雜ρ-型半 導(dǎo)體層。可替代的，窗口層13可以包括具有高電阻的補(bǔ)償層，例如摻雜水平在IxlO17到 5X1017cm_3的原生(grown-irOn-型層。由于這種n_型摻雜只略低于通過(guò)ρ-區(qū)域擴(kuò)散過(guò)程 產(chǎn)生的P-摻雜，其在P-區(qū)域擴(kuò)散后成為補(bǔ)償層。ρ-η結(jié)Ib通過(guò)局部ρ-型摻雜劑擴(kuò)散過(guò)程而形成在吸收層12中，從而形成具有外 圍Ia的P-區(qū)域1。典型地，鋅(Zn)被作為用于擴(kuò)散的ρ-型摻雜劑。在擴(kuò)散ρ-區(qū)域1中， 窗口層13和吸收層12的較高部分的初始摻雜(incipient doping)變?yōu)棣?型摻雜。在摻 雜P-區(qū)域1以外，窗口層13和吸收層12的摻雜實(shí)質(zhì)上保持不變。p-i-n光電二極管200的表面由典型為氮化硅(SiNx)的介電絕緣層5鈍化。
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在例如磷化銦(InP)、砷化銦鎵(InGaAs)、砷化鎵(GaAs)及其類似的III-V化合 物半導(dǎo)體系統(tǒng)中，p-i-n結(jié)構(gòu)在η-摻雜或半絕緣襯底上外延生長(zhǎng)。對(duì)于在光纖電信所需的 波長(zhǎng)的操作而言，InP是用于襯底10的優(yōu)選材料。對(duì)于相同的應(yīng)用，InP通常被用于緩沖層11和窗口層13。為了吸收所需的光波 長(zhǎng)，吸收層12優(yōu)選為InGaAS。為了與光電二極管的陽(yáng)極接觸，環(huán)形金屬接觸環(huán)2通過(guò)ρ-區(qū)域1的外圍內(nèi)的絕緣 層5中的環(huán)形開口或通孔6而被沉積。金屬接觸環(huán)2是環(huán)形，從而允許光信號(hào)8從光電二 極管200的前面進(jìn)入。金屬接觸環(huán)2被制作得盡可能小，從而最大化光電二極管200的光 學(xué)敏感面積，該光學(xué)敏感面積相應(yīng)于金屬接觸環(huán)2的內(nèi)直徑。鈦/鉬/金(Ti/Pt/Au)是適 合于金屬接觸環(huán)2的金屬組合。用于使光電二極管陽(yáng)極與金屬絲鍵合(wire bond)外部連接的鍵合焊盤3被沉積 在介電絕緣層5上，并通過(guò)金屬連接鏈接4與金屬接觸環(huán)2連接。為了光電二極管200中較低的接觸電阻率和減小的串聯(lián)電阻，金屬接觸環(huán)2可以 與沉積在窗口層13頂部的薄接觸層7電接觸。鈦/鉬/金是適合于金屬接觸環(huán)2的金屬 系統(tǒng)。在基于InP的器件中，一般ρ-型InGaAs被用于接觸層7。在典型的現(xiàn)有技術(shù)接 觸原理圖中，沉積在P-型InGaAs接觸層7上的Ti/Pt/Au被高度摻雜(大于5xl018Cm_3) 從而形成與金屬接觸環(huán)2的歐姆Ti/InGaAs界面。為了該目的，可獲得的接觸電阻率小于 IxlO-5Ohm cm2。而這種接觸對(duì)于器件速度有好處，對(duì)于側(cè)向電流擴(kuò)展則沒有好處。然而，在本實(shí)施例中，金屬接觸環(huán)2的接觸電阻率被修正以保持足夠低的接觸電 阻，從而獲得P-i-n光電二極管200的高速運(yùn)轉(zhuǎn)能力，但該接觸電阻率足夠高以獲得良好的 電流側(cè)向擴(kuò)散展。因此，接觸電阻率被提高到1χ10_4和5xl0_4ohm cm2之間的范圍。這可以通過(guò)多種 方法獲得，如下面的例子中所示。對(duì)于圖3a中的光電二極管200，由Ti/Pt/Au制成的接觸環(huán)2通過(guò)接觸層7與ρ-區(qū) 域1連接，而接觸層7具有低于2X1018CnT3的低摻雜水平。當(dāng)InP襯底10為傳導(dǎo)η-型時(shí)，到光電二極管的陰極的接觸(未示出)通常被沉 積在InP襯底10的底部?？商娲模绻鸌nP襯底10是半絕緣的，可以在光電二極管200 頂部形成至P-區(qū)域1以外的η-型層的陰極連接，例如，窗口層13或接觸層7。在第二個(gè)實(shí)施例中，圖3b中的光電二極管300的接觸環(huán)2在ρ-區(qū)域1內(nèi)與InP 窗口層13直接接觸。為了該目的，金-鋅(AuZn)層16代替了前面實(shí)施例中的接觸層7。 AuZn層16形成了到InP窗口 13的較次的(inferior)歐姆接觸，但其對(duì)于光電二極管的高 速運(yùn)轉(zhuǎn)是足夠良好的。第三個(gè)實(shí)施例，圖4中的光電二極管400中，前面實(shí)施例中的窗口層13被再分為 較低窗口層13，電流擴(kuò)展層14和較高窗口層15。較低和較高窗口層13和15不摻雜或輕 微η-摻雜至IO16到5xl016CnT3的水平，從而減小光電二極管400的暗電流。為了提高從接觸環(huán)2流向緩沖層11的電流側(cè)向擴(kuò)展，電流擴(kuò)展層14被摻雜高于 較低和較高窗口層13和15。對(duì)于電流擴(kuò)展層14，摻雜水平應(yīng)該在IxlO17到5X1017cm_3范圍 之內(nèi)，而厚度應(yīng)該大約為0. 2-0. 5微米。
為了在吸收層12中形成p-n結(jié)lb，局部ρ-型摻雜劑擴(kuò)散(例如使用Zn)延伸通 過(guò)較高窗口層15，電流擴(kuò)展層14和較低窗口層13。在擴(kuò)散ρ-區(qū)域1內(nèi)，較低和較高窗口 層13和15，電流擴(kuò)展層14以及吸收層12的較高部分的初始摻雜(incipient doping)變 為P-型。在擴(kuò)散P-區(qū)域1之外，較低和較高窗口層13和15，電流擴(kuò)展層14以及吸收層 12的較高部分的摻雜實(shí)質(zhì)上保持不變。金屬接觸環(huán)2與沉積在窗口層15頂部的薄接觸層7電接觸。摻雜水平大于 5xl018cm-3的ρ-型InGaAs可以用于接觸層7以與Ti/Pt/Au結(jié)合用于金屬接觸環(huán)2。第四個(gè)實(shí)施例如圖5a所示。光電二極管500的結(jié)構(gòu)類似于前面的實(shí)施例，但有一 個(gè)重要的區(qū)別。在環(huán)形金屬接觸環(huán)2和金屬連接鏈接4的相交處，通過(guò)鈍化層5的通孔6 被局部擴(kuò)大，從而形成擴(kuò)大的通孔相交區(qū)域6’。在這種情況下，接觸層7可以保持為環(huán)寬度 不變的環(huán)形。雖然通孔相交區(qū)域6’所示形狀為正方形，其也可以使用其它形狀，需要記住 的是，其優(yōu)選具有光滑或圓形邊緣的形狀，從而避免高電場(chǎng)集中。增加通孔相交區(qū)域6’的面積可以在光電二極管500的接觸環(huán)2的最易受損的位 置有效的減小電流密度。通孔相交區(qū)域6’尺寸的面積是未擴(kuò)大的通孔6的面積的2倍或 更多倍。箭頭B-B’表示了圖5b中的光電二極管500的橫截面位置。本實(shí)施例的變體可以與第二個(gè)實(shí)施例結(jié)合，其中接觸層7被省略并且接觸環(huán)2的 金屬化由Ti/Pt/Au變?yōu)锳uZn，從而增加金屬接觸環(huán)2的接觸電阻率。可替代的，接觸層7的ρ-摻雜水平也可以被降低，從而提高金屬接觸環(huán)2的接觸 電阻率。在圖6a中示出了第五個(gè)實(shí)施例，除了通孔相交區(qū)域6’由接觸層相交區(qū)域V替代 以外，光電二極管600類似于第四個(gè)實(shí)施例，該接觸層相交區(qū)域V是接觸層7在環(huán)形金屬 接觸環(huán)2與金屬連接鏈接4的相交處的局部擴(kuò)大。可以包括接觸層相交區(qū)域7’的接觸層 7可以由ρ-摻雜InGaAS層組成，如果期望低接觸電阻率，ρ-摻雜InGaAS層可以被高度摻
ο類比于前面的情況，通過(guò)鈍化層5的通孔6可以保持具有環(huán)寬度不變的環(huán)形形狀。在這里，接觸層相交區(qū)域7’被示為具有正方形形狀，但是也可以使用其它形狀，優(yōu) 選具有光滑或圓形邊緣，從而避免高電場(chǎng)集中。接觸層相交區(qū)域V被標(biāo)尺寸所具有的面積是未擴(kuò)大的接觸層7的面積的兩倍或 更多倍。箭頭C-C’表示在圖6b中示出的光電二極管600的橫截面的位置。
權(quán)利要求
一種光電二極管，其包括半導(dǎo)體襯底；n 型緩沖層，所述n 型緩沖層被支撐在所述半導(dǎo)體襯底的上表面；本征吸收層，所述本征吸收層在所述緩沖層上，用于吸收所述光電二極管的頂表面上的入射光；窗口層，所述窗口層在所述吸收層上，用于將所述入射光傳輸至所述吸收層；介電層，所述介電層在所述窗口層上，用于提供鈍化；圓形p 型區(qū)域，所述圓形p 型區(qū)域從所述窗口層的頂表面延伸至所述吸收層內(nèi)，以在其中形成p n結(jié)；環(huán)形金屬接觸，所述環(huán)形金屬接觸在所述圓形p 型區(qū)域的外圍內(nèi)的窗口層上，以通過(guò)接觸區(qū)域與所述p 型區(qū)域接觸；鍵合焊盤，所述鍵合焊盤在所述介電層上，且遠(yuǎn)離所述p 型區(qū)域，以形成到所述光電二極管的外部連接；以及金屬鏈接，所述金屬鏈接將所述鍵合焊盤連接至所述環(huán)形金屬接觸；其中，所述接觸區(qū)域包括環(huán)形部分和在所述金屬鏈接與所述環(huán)形金屬接觸的相交處的擴(kuò)大部分；以及其中，所述擴(kuò)大部分的面積是所述接觸區(qū)域的所述環(huán)形部分的面積的至少兩倍。
2.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其中，所述環(huán)形金屬接觸的接觸電阻率在1Χ10—4 和 5 X l(T4ohm cm2 之間。
3.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其中，所述半導(dǎo)體襯底，所述η-型緩沖層，和所述 窗口層包括InP，并且所述本征吸收層包括InGaAs。
4.如權(quán)利要求3所述的光電二極管，其中，所述接觸區(qū)域包括通過(guò)所述介電層的通孔。
5.如權(quán)利要求4所述的光電二極管，其中，所述環(huán)形金屬接觸包括金-鋅合金。
6.如權(quán)利要求3所述的光電二極管，其中，所述接觸區(qū)域包括沉積在所述窗口層和所 述環(huán)形金屬接觸之間的InGaAs接觸層。
7.如權(quán)利要求6所述的光電二極管，其中，所述InGaAs接觸層的摻雜水平低于 2 X IO18CnT3。
8.如權(quán)利要求3所述的光電二極管，其中，所述窗口層是具有ρ-摻雜水平低于 IXlO17Cm-3 的摻雜 ρ-型。
9.如權(quán)利要求3所述的光電二極管，其中，所述窗口層是具有P-摻雜水平在1X IO17到 5 X IO17CnT3范圍內(nèi)的摻雜ρ-型。
10.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其中，所述窗口層包括較低窗口層，用于增大側(cè) 向電流流動(dòng)的電流擴(kuò)展層，以及較高窗口層。
11.如權(quán)利要求10所述的光電二極管，其中，所述電流擴(kuò)展層的摻雜水平在IXlO17到 5 X IO17CnT3之間并且厚度在0. 2-0. 5微米之間。
12.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其中，所述P-型區(qū)域包括擴(kuò)散鋅摻雜。
13.如權(quán)利要求1所述的光電二極管，其中，所述介電層包括氮化硅。
14.如權(quán)利要求6所述的光電二極管，其中，所述環(huán)形金屬接觸包括鈦/鉬/金。
15.如權(quán)利要求6所述的光電二極管，其中，所述InGaAs接觸層具有的摻雜水平大于[5 X IO1W30
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有改進(jìn)的靜電放電損傷閾值的光電探測(cè)器，其適合應(yīng)用于以高數(shù)據(jù)率操作的電信系統(tǒng)中。該光電探測(cè)器可以是制作在InP化合物半導(dǎo)體系統(tǒng)中的PIN或APD。該ESD損傷閾值的增高是通過(guò)減小光電探測(cè)器中ESD引起的電流密度而實(shí)現(xiàn)的，而減小光電探測(cè)器中ESD引起的電流密度是通過(guò)在關(guān)鍵位置適當(dāng)加寬接觸，增大串聯(lián)電阻以及借助電流擴(kuò)展層來(lái)增高側(cè)向電流擴(kuò)展而實(shí)現(xiàn)的。
文檔編號(hào)H01L31/02GK101969079SQ20091026547
公開日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2009年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月1日
發(fā)明者大衛(wèi)·維納布爾斯, 潘忠 申請(qǐng)人:Jds尤尼弗思公司