專利名稱：半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種其芯片具 有貫孔的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參照?qǐng)D1(現(xiàn)有技術(shù))，其繪示已知半導(dǎo)體封裝件的示意圖。半導(dǎo)體封裝件10包 括一具有凹槽26的陶瓷基板12、一玻璃基板14、一芯片16及數(shù)條焊線18。陶瓷基板12在個(gè)別形成后，將芯片16設(shè)于凹槽沈內(nèi)，并以焊線18將芯片16與 陶瓷基板12上的電路(未繪示)電性連接。陶瓷基板12的凹槽沈的內(nèi)部空間需夠大，才能提供打線工具頭活動(dòng)的空間，使焊 線18順利地連接焊線18與陶瓷基板12。半導(dǎo)體封裝件10在最后的步驟并無(wú)切割工藝，即半導(dǎo)體封裝件10在制造上一個(gè) 個(gè)制成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。以封膠封裝芯片，大幅縮小半 導(dǎo)體封裝件的體積及厚度。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括一芯片、一封膠 及一圖案線路并具有一凹槽。芯片包括相對(duì)設(shè)置的一第一基板及一第二基板，第二基板包 括一接墊。封膠包覆芯片并具有一導(dǎo)通貫孔及相對(duì)應(yīng)的一第一封膠表面與一第二封膠表 面。第一封膠表面露出第一基板，導(dǎo)通貫孔從第一封膠表面貫穿至第二封膠表面。圖案線 路通過(guò)導(dǎo)通貫孔連接接墊與第二封膠表面。凹槽貫穿第一基板以露出接墊。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法。制造方法包括以下 步驟。提供數(shù)個(gè)芯片，芯片包括相對(duì)設(shè)置的一第一基板及一第二基板，第二基板包括一接 墊；設(shè)置數(shù)個(gè)芯片于一載板上，使芯片的第一基板連接于載板；以一封膠包覆芯片，其中封 膠具有相對(duì)應(yīng)的一第一封膠表面與一第二封膠表面；移除載板，使第一封膠表面露出露出 芯片的第一基板；形成一凹槽，凹槽貫穿第一基板以露出接墊；形成一導(dǎo)通貫孔于封膠，導(dǎo) 通貫孔從第一封膠表面貫穿至第二封膠表面；形成一圖案線路，圖案線路通過(guò)導(dǎo)通貫孔連 接接墊與第二封膠表面；以及，沿著該些芯片的二者之間，切割封膠以形成數(shù)個(gè)半導(dǎo)體封裝 件。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì) 說(shuō)明如下


圖1(現(xiàn)有技術(shù))繪示已知半導(dǎo)體封裝件的示意圖。圖2繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。
圖3繪示圖2中往方向Vl觀看到的第一基板示意圖。圖4繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。圖5A至51繪示圖2的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。圖6繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的第一基板示意圖。圖7繪示依照本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的第一基板示意圖。圖8繪示依照本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的第一基板示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明10、100 半導(dǎo)體封裝件12:陶瓷基板14:玻璃基板16、102:芯片18 焊線26、126、226、326、426 凹槽104 封膠106:圖案線路108、208、308、408 第一基板110:第二基板112:接墊114:載板118:第一封膠表面120 第二封膠表面122 導(dǎo)通貫孔124 膠體128 基板表面130、230、330、430 外側(cè)緣面132、332:開(kāi)口134 主動(dòng)表面136 支撐件140 黏貼膜142:內(nèi)側(cè)壁S402-S418 步驟Vl 方向
具體實(shí)施例方式以下提出較佳實(shí)施例作為本發(fā)明的說(shuō)明，然而實(shí)施例所提出的內(nèi)容，僅為舉例說(shuō) 明之用，而繪制的附圖為配合說(shuō)明，并非作為限縮本發(fā)明保護(hù)范圍之用。再者，實(shí)施例的圖 標(biāo)亦省略不必要的組件，以利清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意圖。半導(dǎo)體封裝件100包括一芯片102、一封膠104、一圖案線路106及一膠體IM并具有一凹槽126。芯片102包括支撐件136及相對(duì)設(shè)置的一第一基板108與一第二基板110。第一 基板108與第二基板110以支撐件136連接。封膠104，例如是高分子聚合物，其包覆芯片102并露出第一基板108的基板表面 128。本實(shí)施例中，芯片102為一內(nèi)埋式芯片，大幅縮小半導(dǎo)體封裝件100的體積及厚度。第二基板110具有一主動(dòng)表面134并包括數(shù)個(gè)接墊112。接墊112設(shè)于主動(dòng)表面 134。凹槽1 貫穿第一基板108及第一基板108與第二基板110之間的封膠，以露出接墊 112。膠體IM形成于凹槽126內(nèi)并覆蓋接墊112及凹槽126內(nèi)的圖案線路106，以保護(hù) 接墊112免于受到環(huán)境的侵害及避免異物入侵。較佳但非限定地，膠體IM可填滿整個(gè)凹 槽U6。封膠104包覆芯片102并具有導(dǎo)通貫孔122及相對(duì)應(yīng)的一第一封膠表面118與一 第二封膠表面120。導(dǎo)通貫孔122從第一封膠表面118貫穿至第二封膠表面120。第一封膠 表面118露出第一基板108的基板表面128。本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100使用封膠104 來(lái)封裝芯片102，故半導(dǎo)體封裝件100的體積及厚度較小。圖案線路106連接接墊112與第二封膠表面120。例如，圖案線路106可從接墊 112延伸通過(guò)凹槽1 的內(nèi)側(cè)壁142、第一封膠表面118、導(dǎo)通貫孔122至第二封膠表面120， 使一外部電路(未繪示)，例如是電路板可以通過(guò)第一封膠表面118或第二封膠表面120上 的圖案線路106與芯片102電性連接。在另一實(shí)施例中，若半導(dǎo)體封裝件100為一光學(xué)型的半導(dǎo)體封裝件，則第一基板 108可以是透明基板，例如是玻璃基板，使光線可從第一基板108穿透至第二基板110上的 主動(dòng)表面134。較佳但非限定地，膠體IM及封膠104可具有吸旋光性，例如膠體IM及封膠104 的顏色為黑色或其材質(zhì)具有吸光特性。如此，穿透進(jìn)第一基板108的光線不會(huì)在芯片內(nèi)散 射。當(dāng)然，本技術(shù)領(lǐng)域的通常知識(shí)者應(yīng)當(dāng)明了，本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100可以是其它功 能的半導(dǎo)體封裝件，并不局限于光學(xué)型的半導(dǎo)體封裝件。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示圖2中往方向Vl觀看到的第一基板示意圖。為清楚表示第一 基板108的結(jié)構(gòu)，圖3僅繪示出第一基板108及接墊112。單個(gè)凹槽1 露出接墊112并從 第一基板108的外側(cè)緣面130露出一開(kāi)口 132，即凹槽1 連接于外側(cè)緣面130。以下將以半導(dǎo)體封裝件100為例，說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造 方法。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法流程圖。請(qǐng)同 時(shí)參照?qǐng)D5A至51，其繪示圖2的半導(dǎo)體封裝件的制造示意圖。于步驟S402中，如圖5A所示，提供數(shù)個(gè)芯片102。為清楚表示，圖5A僅繪示出單 個(gè)芯片102。每個(gè)芯片102包括相對(duì)設(shè)置的第一基板108及第二基板110。第二基板110 包括接墊112。然后，于步驟S404中，如圖5B所示，設(shè)置芯片102于一載板114上。芯片102的 第一基板108連接于載板114的黏貼膜140上。然后，于步驟S406中，如圖5C所示，以封膠104包覆芯片102。由于芯片102以封 膠104完成封裝，使半導(dǎo)體封裝件100的體積及厚度縮小，符合輕薄短小的趨勢(shì)。其中。封
6膠104具有相對(duì)應(yīng)的第一封膠表面118與第二封膠表面120。然后，于步驟S408中，如圖5D所示，移除載板114及黏貼膜140，以露出第一基板 108的基板表面128。移除載板114的方式例如是采用加熱的方式。在另一實(shí)施態(tài)樣中，于步驟S404中可稍微用力使第一基板108的一部份陷入黏貼 膜140內(nèi)。然后于步驟S408中，在移除載板114及黏貼膜140之后，第一基板108的該部 份突出于第一封膠表面118。然后，于步驟S408之后，可倒置(reverse)封膠104及芯片102至如圖5E所示的 狀態(tài)，使基板表面1 朝上。然后，于步驟S410中，如圖5F所示，例如以蝕刻方式，形成一凹槽126。凹槽126 貫穿第一基板108以及第一基板108與第二基板110之間的封膠，以露出接墊112。在另一實(shí)施態(tài)樣中，凹槽126的一部份亦可形成于封膠104。S卩，在形成凹槽126 的過(guò)程中，可貫穿第一基板108并同時(shí)去除部份的封膠104，以形成凹槽126。在其它實(shí)施態(tài)樣中，若第一基板108與第二基板110之間沒(méi)有封膠，則本步驟S410 中的凹槽1 僅需貫穿第一基板108就能露出接墊112。舉例來(lái)說(shuō)，該其它實(shí)施態(tài)樣的支撐 件的外形為環(huán)狀，其與第一基板108及第二基板110之間形成一密閉空間，接墊112位于該 密閉空間內(nèi)。因此，步驟S406中的封膠104受到支撐件的阻擋而無(wú)法進(jìn)入該密閉空間，使 步驟S410中的凹槽1 僅需貫穿第一基板108就能露出接墊112。然后，于步驟S412中，如圖5G所示，形成數(shù)個(gè)導(dǎo)通貫孔122于封膠104。導(dǎo)通貫孔 122從第一封膠表面118貫穿至第二封膠表面120。然后，于步驟S414中，如圖5H所示，形成圖案線路106。圖案線路106連接接墊 112與第二封膠表面120。S卩，圖案線路106可從接墊112延伸通過(guò)凹槽126的內(nèi)側(cè)壁142、 第一封膠表面118、導(dǎo)通貫孔122至第二封膠表面120，使一外部電路(未繪示)，例如是電 路板可通過(guò)圖案線路106與芯片102電性連接。然后，于步驟S416中，如第51圖所示，可形成膠體IM于凹槽126，以覆蓋接墊112 及凹槽126內(nèi)的圖案線路106。然后，于步驟S418中，沿著該些芯片102的二者之間，切割封膠104，以形成數(shù)個(gè)如 圖2所示的半導(dǎo)體封裝件100。第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的第一基板示意圖。第 二實(shí)施例中與第一實(shí)施例相同之處沿用相同標(biāo)號(hào)，在此不再贅述。第二實(shí)施例與第一實(shí)施 例不同之處在于，第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的凹槽226與第一基板208的外側(cè)緣面230 彼此隔離。于圖4的步驟S410中，凹槽226貫穿第一基板208后露出接墊112。本實(shí)施例的 凹槽226并不與第一基板208的外側(cè)緣面230連接。第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法相似于第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100 的制造方法，在此不再贅述。第三實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示依照本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的第一基板示意圖。第 三實(shí)施例中與第一實(shí)施例相同之處沿用相同標(biāo)號(hào)，在此不再贅述。第三實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于，第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的第一基板308具有數(shù)個(gè)凹槽326。于圖4的步驟S410中，形成數(shù)個(gè)凹槽326并貫穿第一基板308后，該些凹槽3 對(duì)應(yīng)地露出該些接墊112。該些凹槽3 于該第一基板308的外側(cè)緣面330露出數(shù)個(gè)開(kāi)口 332。第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法相似于第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100 的制造方法，在此不再贅述。第四實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D8，其繪示依照本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的第一基板示意圖。第 四實(shí)施例中與第三實(shí)施例相同之處沿用相同標(biāo)號(hào)，在此不再贅述。第四實(shí)施例與第三實(shí)施 例不同之處在于，第四實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的數(shù)個(gè)凹槽426與第一基板408的外側(cè)緣面 430彼此隔離。如圖8所示，數(shù)個(gè)凹槽似6不與第一基板408的外側(cè)緣面430連接。第四實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的制造方法相似于第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100 的制造方法，在此不再贅述。本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。通過(guò)封膠來(lái)封裝芯片， 大幅縮小半導(dǎo)體封裝件的體積及厚度。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā) 明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng) 與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括一芯片，包括相對(duì)設(shè)置的一第一基板及一第二基板，該第二基板包括至少一接墊； 一封膠，包覆該芯片并具有一導(dǎo)通貫孔及相對(duì)應(yīng)的一第一封膠表面與一第二封膠表 面，該第一封膠表面露出該第一基板，該導(dǎo)通貫孔從該第一封膠表面貫穿至該第二封膠表 面；以及一圖案線路，通過(guò)該導(dǎo)通貫孔連接該至少一接墊與該第二封膠表面； 其中，該半導(dǎo)體封裝件具有一凹槽，該凹槽貫穿該第一基板，以露出該至少一接墊。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該凹槽從該第一基板的外側(cè)緣面露出一開(kāi)
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該凹槽與該第一基板的外側(cè)緣面彼此隔1 O
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第二基板包括數(shù)個(gè)接墊，該第一基板具 有數(shù)個(gè)凹槽，該些凹槽露出該些接墊。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，更包括 一膠體，形成于該凹槽內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該膠體與該封膠中至少一者的材質(zhì)為吸旋 光性材質(zhì)。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該第一基板為透明基板。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中該芯片更包括 一支撐件，連接該第一基板與該第二基板。
9.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括提供數(shù)個(gè)芯片，各該些芯片包括相對(duì)設(shè)置的一第一基板及一第二基板，該第二基板包 括至少一接墊；設(shè)置該些芯片于一載板上，使各該些芯片的該第一基板連接于該載板；以一封膠，包覆該些芯片，該封膠具有相對(duì)應(yīng)的一第一封膠表面與一第二封膠表面；移除該載板，使該第一封膠表面露出各該些芯片的該第一基板；形成一凹槽，該凹槽貫穿該第一基板，以露出該至少一接墊；形成一導(dǎo)通貫孔于該封膠，該導(dǎo)通貫孔從該第一封膠表面貫穿至該第二封膠表面；形成一圖案線路，該圖案線路通過(guò)該導(dǎo)通貫孔連接該至少一接墊與該第二封膠表面；以及沿著該些芯片的二者之間，切割該封膠，以形成數(shù)個(gè)半導(dǎo)體封裝件。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，更包括 形成一膠體于該凹槽內(nèi)。
11.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中于以該封膠包覆該些芯片的該步驟之后，該制 造方法更包括倒置該封膠及該些芯片。
12.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中該凹槽從該第一基板的外側(cè)緣面露出一開(kāi)口。
13.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中該第二基板包括數(shù)個(gè)接墊，于形成該凹槽的該 步驟中更包括形成數(shù)個(gè)凹槽，該些凹槽貫穿該第一基板并露出該些接墊。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。半導(dǎo)體封裝件包括一芯片、一封膠及一圖案線路并具有一凹槽。芯片包括相對(duì)設(shè)置的一第一基板及一第二基板，第二基板包括一接墊。封膠包覆芯片并具有一導(dǎo)通貫孔及相對(duì)應(yīng)的一第一封膠表面與一第二封膠表面。第一封膠表面露出第一基板，導(dǎo)通貫孔從第一封膠表面貫穿至第二封膠表面。圖案線路通過(guò)導(dǎo)通貫孔連接接墊與第二封膠表面。凹槽貫穿第一基板以露出接墊。
文檔編號(hào)H01L23/28GK102082130SQ20091025310
公開(kāi)日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者高仁杰 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司