專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光裝置、像素結(jié)構(gòu)、接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制備方法，特別是關(guān)于一種具有機(jī)發(fā)光裝
置、像素結(jié)構(gòu)、接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于具有尺寸輕薄、高解析度、高對(duì)比度、省電及主動(dòng)發(fā)光等特 性，已凌駕液晶顯示器而成為下一世代平面薄型顯示裝置的主流產(chǎn)品。圖l例示一已知的 有機(jī)發(fā)光裝置1的電路架構(gòu)。該有機(jī)發(fā)光裝置1包括兩個(gè)薄膜晶體管Tl、 T2、一電容C及 一發(fā)光元件。該薄膜晶體管T1的柵極耦接于一掃描線(xiàn)，而源極和漏極則分別耦接至一數(shù)據(jù) 線(xiàn)和該薄膜晶體管T2的柵極。該薄膜晶體管T2的源極耦接至一 Vdd電壓源，而其漏極則 耦接至該發(fā)光元件的陽(yáng)極。該發(fā)光元件的陰極耦接于一Vss電壓源。 當(dāng)有機(jī)發(fā)光裝置需要大面積的發(fā)光元件時(shí)，研發(fā)人員直覺(jué)地增加在該薄膜晶體管 T2與該Vss電壓源間的發(fā)光元件的面積。增加發(fā)光元件面積的等效電路為并聯(lián)多個(gè)小型發(fā) 光元件，然而只要其中一個(gè)小型發(fā)光元件的陽(yáng)極與陰極發(fā)生短路，則所有電流都會(huì)流經(jīng)短 路路徑，導(dǎo)致發(fā)光元件失效而不會(huì)發(fā)光。因此，研發(fā)人另行嘗試在該薄膜晶體管T2與該Vss 電壓源之間串接多個(gè)發(fā)光元件。惟欲實(shí)現(xiàn)此一串接多個(gè)發(fā)光元件的電路架構(gòu)，需要一種串 接技術(shù)可將一發(fā)光元件的陰極串接于相鄰發(fā)光元件的陽(yáng)極。再者，此一電路架構(gòu)將串接的 多個(gè)發(fā)光元件設(shè)置于該薄膜晶體管T2與該Vss電壓源之間，亦導(dǎo)致發(fā)光元件的發(fā)光強(qiáng)度易 于因該薄膜晶體管T2的電流變化而不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的是提供一種具有多個(gè)串聯(lián)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明 的一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置包括一基板及多個(gè)相鄰的發(fā)光元件。各發(fā)光元件包括一第一電 極，設(shè)置于該基板上，具有一發(fā)光區(qū)與一接觸區(qū)；一保護(hù)層，局部覆蓋該第一電極且裸露該 第一電極的該發(fā)光區(qū)及該接觸區(qū)；一分隔物，設(shè)置于該保護(hù)層上且分隔該發(fā)光區(qū)與該接觸 區(qū)；至少一柱體，位于該接觸區(qū)內(nèi)的該第一電極上，該柱體具有一頂面與一底面，且該頂面 寬于該底面；一有機(jī)發(fā)光層，覆蓋該發(fā)光區(qū)的該第一電極，且局部覆蓋相鄰的該發(fā)光元件的 該接觸區(qū)的該第一電極，暴露出該接觸區(qū)的該柱體周?chē)牟糠衷摰谝浑姌O；以及一第二電 極，覆蓋該發(fā)光區(qū)的該有機(jī)發(fā)光層，且局部覆蓋相鄰的該發(fā)光元件的該接觸區(qū)暴露的部分 該第一電極。 本發(fā)明的另一目的是提供一種具有多個(gè)串聯(lián)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)。根據(jù) 本發(fā)明的一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)形成于一基板上，該基板具有相鄰的一開(kāi)關(guān)區(qū)及一 發(fā)光元件區(qū)。該有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)包括一第一電極，設(shè)置于該發(fā)光元件區(qū)的該基板上，具有 一發(fā)光區(qū)與一接觸區(qū)；一保護(hù)層，局部覆蓋該第一電極，該保護(hù)層裸露該第一電極的該發(fā)光 區(qū)及該接觸區(qū)；一分隔物，設(shè)置于該第二保護(hù)層上且環(huán)繞該發(fā)光區(qū)；至少一柱體，位于該接 觸區(qū)的該第一電極上，該柱體具有一頂面與一底面，且該頂面寬于該底面；一有機(jī)發(fā)光層，
5覆蓋該發(fā)光區(qū)的該第一電極，以及覆蓋相鄰的該發(fā)光元件的該接觸區(qū)的該第一電極，暴露 出該接觸區(qū)的該柱體周?chē)牟糠衷摰谝浑姌O；以及一第二電極，覆蓋該有機(jī)發(fā)光層，以及覆 蓋該接觸區(qū)暴露的部分該第一電極。 本發(fā)明的另一 目的是提供一種有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，包括一第一導(dǎo)電層，具有 一接觸區(qū)；至少一柱體，位于該接觸區(qū)的該第一導(dǎo)電層上，該柱體具有一具有一頂面與一底 面，且該頂面寬于該底面；一發(fā)光層，覆蓋該接觸區(qū)的該第一導(dǎo)電層，暴露出該接觸區(qū)的該 柱體周?chē)牟糠衷摰谝粚?dǎo)電層；以及一第二導(dǎo)電層，覆蓋該接觸區(qū)暴露的部分該第一導(dǎo)電 層。 本發(fā)明的另一 目的是提供一種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，包括在一基板上形成一 第一電極，該第一電極具有一發(fā)光區(qū)與一接觸區(qū)；在該第一電極上形成一保護(hù)層，該保護(hù)層 局部覆蓋該第一電極且裸露該第一電極的該發(fā)光區(qū)及該接觸區(qū)；形成一分隔物與至少一柱 體，該分隔物位于該保護(hù)層上且分隔該發(fā)光區(qū)與該接觸區(qū)，該柱體位于該接觸區(qū)內(nèi)的該第 一電極上，該柱體具有一頂面與一底面，且該頂面寬于該底面；蒸發(fā)一有機(jī)發(fā)光層，局部覆 蓋該發(fā)光區(qū)的該第一電極，以及覆蓋相鄰的該發(fā)光元件的該接觸區(qū)的該第一電極，暴露出 該接觸區(qū)的該柱體周?chē)牟糠衷摰谝浑姌O；以及蒸發(fā)一第二電極，覆蓋該發(fā)光區(qū)的有機(jī)發(fā) 光層，以及覆蓋相鄰的該發(fā)光元件的接觸區(qū)暴露的部分該第一電極。 根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，解決了現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光元件易失效而不發(fā)光的技術(shù)問(wèn) 題，本發(fā)明發(fā)光元件的發(fā)光強(qiáng)度穩(wěn)定。



30B頂部32頂面34底面40遮蔽結(jié)構(gòu)62基板64開(kāi)關(guān)區(qū)66發(fā)光元件區(qū)68薄膜晶體管70源極74A-'MB 發(fā)光元件76陽(yáng)極78保護(hù)層80發(fā)光區(qū)81接觸區(qū)82分隔物84有機(jī)發(fā)光層86陰極90A柱體92A頂面94A底面90B柱體92B頂面94B底面100A遮蔽結(jié)構(gòu)100B遮蔽結(jié)構(gòu)110有機(jī)發(fā)光像素
具體實(shí)施例方式
上文已相當(dāng)廣泛地概述本發(fā)明的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，使下文的本發(fā)明詳細(xì)描述得以 獲得較佳了解。構(gòu)成本發(fā)明的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本發(fā)明 所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實(shí)施例 可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或工藝而實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明相同的目的。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技 術(shù)人員亦應(yīng)了解，這類(lèi)等效建構(gòu)無(wú)法脫離權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍。
圖2至圖13例示本發(fā)明的一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置10的制備方法。首先，在一 基板12上形成多個(gè)發(fā)光元件14A-14C的第一電極(例如是陽(yáng)極)16。之后，形成一保護(hù)層 18于該基板12上，該保護(hù)層18局部覆蓋該陽(yáng)極16且裸露該陽(yáng)極16的一發(fā)光區(qū)20及一接 觸區(qū)22。在向下發(fā)光型有機(jī)發(fā)光裝置中，該陽(yáng)極16的材料是使用透明導(dǎo)電材料，例如氧化 銦錫、氧化銦鋅、氧化鋁鋅或上述材料組合；在向上發(fā)光型有機(jī)發(fā)光裝置，該陽(yáng)極16的材料 可使用金屬材料。
參考圖3、圖4及圖5，其中圖3是該有機(jī)發(fā)光裝置10的局部俯視圖，圖4是圖3 沿剖面線(xiàn)1-1的剖示圖，圖5是圖3沿剖面線(xiàn)2-2的剖示圖。進(jìn)行一光刻工藝以形成一分 隔物28與一遮蔽結(jié)構(gòu)40。該分隔物28形成于該保護(hù)層18上且分隔該陽(yáng)極16的該發(fā)光區(qū) 20與該接觸區(qū)22。該遮蔽結(jié)構(gòu)40包括至少一柱體30且形成于該接觸區(qū)22內(nèi)的該陽(yáng)極16 上。參考圖4，該柱體30具有一頂面32與一底面34，且該頂面32的寬度大于該底面34的 寬度，該柱體30剖面的側(cè)壁與基板12的夾角至少有一部分大于90度，例如是該柱體30的 垂直剖面呈上寬下窄的倒置梯形，但本發(fā)明并不以此為限。另，參考圖3，該分隔物28是環(huán) 繞相鄰發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)及接觸區(qū)(例如環(huán)繞該發(fā)光元件14B的該發(fā)光區(qū)20及該發(fā)光元 件14C的該接觸區(qū)22)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該分隔物28及該遮蔽結(jié)構(gòu)40可利用同一 光刻刻蝕工藝予以制備，亦可使用個(gè)別的光刻工藝予以制備，但本發(fā)明并不以此為限。該柱 體30可包括一圓柱形基部30A及一倒梯形頂部30B，如圖6所示，但本發(fā)明并不以此為限。
圖7至圖10例示該遮蔽結(jié)構(gòu)40的多種實(shí)施例。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該遮蔽 結(jié)構(gòu)40的該柱體30的水平剖面呈星形，如圖7所示，但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的 另一實(shí)施例中，該遮蔽結(jié)構(gòu)40包括多個(gè)柱體30，該些柱體30在該接觸區(qū)22內(nèi)排列成mXn 的矩陣，且m、n皆為正整數(shù)如圖8及圖9所示，但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施 例中，該遮蔽結(jié)構(gòu)40包括多個(gè)柱體30，該些柱體30在該接觸區(qū)22內(nèi)排列成多列奇數(shù)列與 多列偶數(shù)列，且各該偶數(shù)列的該些柱體30是對(duì)應(yīng)于該些奇數(shù)列中相鄰的該些柱體30間的 間隔，如圖10所示，但本發(fā)明并不以此為限。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該柱體30的水平剖 面呈星形或圓形，如圖8和圖9所示。 參考圖11及圖12，其中圖12是該陽(yáng)極16的該接觸區(qū)22的局部剖示圖。在該等 圖中，是進(jìn)行一蒸發(fā)工藝以形成一有機(jī)發(fā)光層24于該陽(yáng)極16上。通過(guò)該遮蔽結(jié)構(gòu)40的該 柱體30的遮蔽效應(yīng)，該蒸發(fā)工藝無(wú)需使用金屬掩膜即可使得該有機(jī)發(fā)光層24僅局部覆蓋 該發(fā)光區(qū)20的該陽(yáng)極16，以及覆蓋相鄰的發(fā)光元件的該接觸區(qū)22的該陽(yáng)極16，并暴露出 該接觸區(qū)22的該柱體30周?chē)牟糠衷撽?yáng)極16，如圖12所示。 參考圖13及圖14，其中圖14是該陽(yáng)極16的該接觸區(qū)22的局部剖示圖。在該等 圖中，是進(jìn)行一蒸發(fā)工藝以形成一第二電極(例如是陰極26)于該有機(jī)發(fā)光層24上。該陰 極26覆蓋該發(fā)光區(qū)20的有機(jī)發(fā)光層24，以及覆蓋相鄰的該發(fā)光元件的該接觸區(qū)22暴露 的部分該陽(yáng)極16。由于該遮蔽結(jié)構(gòu)40的該柱體30的遮蔽效應(yīng)，該有機(jī)發(fā)光層24并未完 全覆蓋該發(fā)光元件14B的該接觸區(qū)22的該陽(yáng)極16，使得后續(xù)形成的該發(fā)光元件14C的該 陰極26得以接觸相鄰的該發(fā)光元件14B的該接觸區(qū)22的該陽(yáng)極16，因而實(shí)現(xiàn)該發(fā)光元件 14C的該陰極26串接于相鄰的該發(fā)光元件14B的該接觸區(qū)22的該陽(yáng)極16。同理，該發(fā)光 元件14B的該陰極26亦串接于相鄰的該發(fā)光元件14A的該接觸區(qū)22的該陽(yáng)極16，而形成 三個(gè)串接的發(fā)光元件14A-14C。 圖15例示本發(fā)明一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光像素110的電路架構(gòu)，而圖16至圖26例示 該有機(jī)發(fā)光像素110的制備方法的一實(shí)施例。該有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)IIO包括二個(gè)薄膜晶體 管T1、T2 (例如NMOS薄膜晶體管)、一電容C、以及多個(gè)串聯(lián)的發(fā)光元件。該薄膜晶體管Tl 的柵極耦接于一掃描線(xiàn)，而其源極和漏極則分別耦接至一數(shù)據(jù)線(xiàn)和一薄膜晶體管T2的柵 極。該薄膜晶體管T2的源極耦接至該多個(gè)串接發(fā)光元件的陽(yáng)極，而其漏極則耦接一Vss電 壓源。在此一實(shí)施例中，該多個(gè)串聯(lián)發(fā)光元件設(shè)置于該薄膜晶體管T2的源極與一Vdd電壓源之間，俾便降低發(fā)光元件的跨壓上升對(duì)該薄膜晶體管T2的影響。 參考圖16，該有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)110形成于一基板62上，該基板62具有相鄰的 一開(kāi)關(guān)區(qū)64及一發(fā)光元件區(qū)66。首先，在該開(kāi)關(guān)區(qū)64形成一薄膜晶體管68，并于該發(fā)光 元件區(qū)66形成多個(gè)發(fā)光元件74A-74B的第一電極(例如是陽(yáng)極)76，其中該薄膜晶體管68 的制備方法已廣為業(yè)界所熟知，在此不再贅述。之后，形成一保護(hù)層78于該基板62上，該 保護(hù)層78局部覆蓋該陽(yáng)極76，且裸露該陽(yáng)極76的一發(fā)光區(qū)80及一接觸區(qū)81。此外，該保 護(hù)層78亦覆蓋該薄膜晶體管68，且裸露該薄膜晶體管68的一源極70。
參考圖17、圖18、圖19及圖20，其中圖17是該有機(jī)發(fā)光像素110的局部俯視圖， 圖18是圖17沿剖面線(xiàn)3-3的剖示圖，圖19是圖17沿剖面線(xiàn)4-4的剖示圖，圖20是圖17 沿剖面線(xiàn)5-5的剖示圖。利用光刻工藝形成一分隔物82、一第一遮蔽結(jié)構(gòu)IOOA及一第二 遮蔽結(jié)構(gòu)IOOB。參考圖16，該分隔物82是形成于該保護(hù)層18上，該分隔物82分隔該發(fā)光 元件74A的該發(fā)光區(qū)80與該接觸區(qū)81，該分隔物82亦分隔該發(fā)光元件74B的該發(fā)光區(qū)80 與該接觸區(qū)81。參考圖18，該第一遮蔽結(jié)構(gòu)100A包括至少一柱體90A，且是形成于該接觸 區(qū)81內(nèi)的該陽(yáng)極76上。參考圖19，該第二遮蔽結(jié)構(gòu)100B包括至少一柱體90B，且是形成 于該薄膜晶體管68的該源極70上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該分隔物82、該第一遮蔽結(jié) 構(gòu)IOOA及該第二遮蔽結(jié)構(gòu)100B可利用同一光刻刻蝕工藝予以制備，亦可使用個(gè)別的光刻 工藝予以制備，但本發(fā)明并不以此為限。 參考圖18，該第一遮蔽結(jié)構(gòu)100A的該柱體90A具有一頂面92A與一底面94A，且 該頂面92A的寬度大于該底面94A的寬度，亦即該柱體90A的垂直剖面呈上寬下窄的倒置 梯形，但本發(fā)明并不以此為限。參考圖18，該第二遮蔽結(jié)構(gòu)100B的該柱體90B具有一頂面 92B與一底面94B，且該頂面92B的寬度大于該底面94B的寬度，亦即該柱體90B的垂直剖 面呈上寬下窄的倒置梯形，但本發(fā)明并不以此為限。另，該分隔物82是環(huán)繞該薄膜晶體管 68的該源極70及該發(fā)光元件74A的該發(fā)光區(qū)80，該分隔物82亦環(huán)繞該發(fā)光元件74A的該 接觸區(qū)81及該發(fā)光元件74B的該發(fā)光區(qū)80，如圖19所示。此外，該第一遮蔽結(jié)構(gòu)IOOA及 該第二遮蔽結(jié)構(gòu)100B可選擇性地采用圖6至圖10例示的多種實(shí)施例。
參考圖21、圖22及圖23，其中圖22是該陽(yáng)極76的該接觸區(qū)81的局部剖示圖，圖 23是該源極70的局部剖示圖。在該等圖中，是進(jìn)行一蒸發(fā)工藝以形成一有機(jī)發(fā)光層84于 該陽(yáng)極76上。參考圖22，通過(guò)該第一遮蔽結(jié)構(gòu)100A的該些柱體90A的遮蔽效應(yīng)，該蒸發(fā)工 藝無(wú)需使用金屬掩膜即可使得該有機(jī)發(fā)光層84僅局部覆蓋該發(fā)光區(qū)80的該陽(yáng)極76，以及 覆蓋相鄰的發(fā)光元件的該接觸區(qū)81的該陽(yáng)極86，并暴露出該接觸區(qū)81的該些柱體90A周 圍的部分該陽(yáng)極76。此外，參考圖23，通過(guò)該第二遮蔽結(jié)構(gòu)100B的該些柱體90B的遮蔽效 應(yīng)，該蒸發(fā)工藝無(wú)需使用金屬掩膜即可使得該有機(jī)發(fā)光層84僅局部覆蓋該薄膜晶體管68 的該源極70，并暴露出該源極70的該柱體90B周?chē)牟糠衷撛礃O70。
參考圖24、圖25及圖26，其中圖25是該陽(yáng)極76的該接觸區(qū)81的局部剖示圖，圖 26是該源極70的局部剖示圖。在該等圖中，是進(jìn)行一蒸發(fā)工藝以形成一第二電極(例如是 陰極)86于該基板62上。該陰極86覆蓋該發(fā)光區(qū)80的該有機(jī)發(fā)光層84，以及覆蓋相鄰的 該發(fā)光元件的該接觸區(qū)81暴露的部分該陽(yáng)極76。由于該遮蔽結(jié)構(gòu)100A的遮蔽效應(yīng)，該有 機(jī)發(fā)光層84并未完全覆蓋該發(fā)光元件74A的該接觸區(qū)81的該陽(yáng)極76，使得后續(xù)形成的該 發(fā)光元件74B的陰極86得以接觸該發(fā)光元件74A的該接觸區(qū)81的該陽(yáng)極76，因而實(shí)現(xiàn)該
9發(fā)光元件74B的該陰極76串接于相鄰的該發(fā)光元件74A的該接觸區(qū)81的該陽(yáng)極76。同 理，由于該遮蔽結(jié)構(gòu)100B的遮蔽效應(yīng)，該有機(jī)發(fā)光層84并未完全覆蓋該薄膜晶體管68的 該源極70，使得后續(xù)形成的該發(fā)光元件74A的陰極86得以接觸該薄膜晶體管68的該源極 70。 本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員 應(yīng)了解，在不背離后附權(quán)利要求所界定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本發(fā)明的教示及揭示可作 種種的替換及修飾。例如，上文揭示的許多工藝可以不同的方法實(shí)施或以其它工藝予以取 代，或者采用上述二種方式的組合。 此外，本案的權(quán)利范圍并不局限于上文揭示的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)臺(tái)、制造、物 質(zhì)的成分、裝置、方法或步驟。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，基于本發(fā)明教示及揭示工藝、機(jī)臺(tái)、 制造、物質(zhì)的成分、裝置、方法或步驟，無(wú)論現(xiàn)在已存在或日后開(kāi)發(fā)者，其與本案實(shí)施例揭示 者是以實(shí)質(zhì)相同的方式執(zhí)行實(shí)質(zhì)相同的功能，而達(dá)到實(shí)質(zhì)相同的結(jié)果，亦可使用于本發(fā)明。 因此，權(quán)利要求是用以涵蓋用以此類(lèi)工藝、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)的成分、裝置、方法或步驟。
10
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括一基板；以及多個(gè)相鄰的發(fā)光元件，各發(fā)光元件包括一第一電極，設(shè)置于所述基板上，具有一發(fā)光區(qū)與一接觸區(qū)；一保護(hù)層，局部覆蓋所述第一電極且裸露所述第一電極的所述發(fā)光區(qū)及所述接觸區(qū)；一分隔物，設(shè)置于所述保護(hù)層上且分隔所述發(fā)光區(qū)與所述接觸區(qū)；至少一柱體，位于所述接觸區(qū)內(nèi)的所述第一電極上，所述柱體具有一頂面與一底面，且所述頂面寬于所述底面；一有機(jī)發(fā)光層，覆蓋所述發(fā)光區(qū)的所述第一電極，且局部覆蓋相鄰的所述發(fā)光元件的所述接觸區(qū)的所述第一電極，暴露出所述接觸區(qū)的所述柱體周?chē)牟糠炙龅谝浑姌O；及一第二電極，覆蓋所述發(fā)光區(qū)的所述有機(jī)發(fā)光層，且局部覆蓋相鄰的所述發(fā)光元件的所述接觸區(qū)暴露的部分所述第一電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，各發(fā)光元件的所述第二電極接觸 所述相鄰發(fā)光元件的所述柱體與所述有機(jī)發(fā)光層間的部分所述第一電極。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，所述柱體的垂直剖面呈上寬下窄 的倒置梯形。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，所述柱體的水平剖面呈星形。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括多個(gè)柱體， 且所述柱體的水平剖面呈星形或圓形。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括多個(gè)柱體， 其中所述柱體在所述接觸區(qū)排列成mXn的矩陣，且m、n皆為正整數(shù)。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括多個(gè)柱體， 其中所述柱體在所述接觸區(qū)排列成多列奇數(shù)列與多列偶數(shù)列，且各所述偶數(shù)列的所述柱體 是對(duì)應(yīng)于所述奇數(shù)列中相鄰的所述柱體間的間隔。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光裝置更包括一薄膜 晶體管，電性連接所述發(fā)光元件的所述第二電極。
9. 一種有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)形成于一基板上，所述 基板具有相鄰的一開(kāi)關(guān)區(qū)及一發(fā)光元件區(qū)，包括一第一電極，設(shè)置于所述發(fā)光元件區(qū)的所述基板上，具有一發(fā)光區(qū)與一接觸區(qū)； 一保護(hù)層，局部覆蓋所述第一電極，所述保護(hù)層裸露所述第一電極的所述發(fā)光區(qū)及所 述接觸區(qū)；一分隔物，設(shè)置于所述第二保護(hù)層上且環(huán)繞所述發(fā)光區(qū)；至少一柱體，位于所述接觸區(qū)的所述第一電極上，所述柱體具有一頂面與一底面，且所 述頂面寬于所述底面；一有機(jī)發(fā)光層，覆蓋所述發(fā)光區(qū)的所述第一電極，以及覆蓋相鄰的所述發(fā)光元件的所 述接觸區(qū)的所述第一電極，暴露出所述接觸區(qū)的所述柱體周?chē)牟糠炙龅谝浑姌O；以及一第二電極，覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層，以及覆蓋所述接觸區(qū)暴露的部分所述第一電極。
10. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層向所述開(kāi)關(guān) 區(qū)延伸而局部覆蓋所述電極的接觸區(qū)。
11. 如權(quán)利要求io所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極向所述開(kāi)關(guān)區(qū)延伸而接觸所述柱體與所述有機(jī)發(fā)光層間的接觸區(qū)。
12. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柱體的垂直剖面呈上寬 下窄的倒置梯形。
13. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柱體的水平剖面呈星形。
14. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)包括 多個(gè)柱體，其中所述柱體的水平剖面呈星形或圓形。
15. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)包括 多個(gè)柱體，其中所述柱體在所述接觸區(qū)排列成mXn的矩陣，且m、n皆為正整數(shù)。
16. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)包括 多個(gè)柱體，其中所述柱體在所述接觸區(qū)排列成多列奇數(shù)列與多列偶數(shù)列，且各所述偶數(shù)列 的所述柱體是對(duì)應(yīng)于所述奇數(shù)列中相鄰的所述柱體間的間隔。
17. 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光像素結(jié)構(gòu)更包 括一薄膜晶體管，電性連接所述發(fā)光元件的所述第二電極。
18. —種有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)包括 一第一導(dǎo)電層，具有一接觸區(qū)；至少一柱體，位于所述接觸區(qū)的所述第一導(dǎo)電層上，所述柱體具有一具有一頂面與一 底面，且所述頂面寬于所述底面；一發(fā)光層，覆蓋所述接觸區(qū)的所述第一導(dǎo)電層，暴露出所述接觸區(qū)的所述柱體周?chē)?部分所述第一導(dǎo)電層；以及一第二導(dǎo)電層，覆蓋所述接觸區(qū)暴露的部分所述第一導(dǎo)電層。
19. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柱體的垂直剖面 呈上寬下窄的倒置梯形。
20. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柱體的水平剖面呈星形。
21. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光元件接 觸結(jié)構(gòu)包括多個(gè)柱體，其中所述柱體在所述第一導(dǎo)電層上排列成mXn的矩陣，且m、 n皆為 正整數(shù)。
22. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光元件接 觸結(jié)構(gòu)包括多個(gè)柱體，其中所述柱體在所述接觸區(qū)排列成多列奇數(shù)列與多列偶數(shù)列，且各 所述偶數(shù)列的所述柱體是對(duì)應(yīng)于所述奇數(shù)列中相鄰的所述柱體間的間隔。
23. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光元件接 觸結(jié)構(gòu)包括多個(gè)柱體，其中所述柱體的水平剖面呈星形或圓形。
24. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層是一 第一發(fā)光元件的一第一電極，所述第二導(dǎo)電層是一第二發(fā)光元件的一第二電極，所述第一 發(fā)光元件與所述第二發(fā)光元件相鄰。
25. 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光元件接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層是一 薄膜晶體管的一電極，所述第二導(dǎo)電層是一發(fā)光元件的一第二電極。
26. —種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括 在一基板上形成一第一電極，所述第一電極具有一發(fā)光區(qū)與一接觸區(qū)； 在所述第一電極上形成一保護(hù)層，所述保護(hù)層局部覆蓋所述第一電極且裸露所述第一電極的所述發(fā)光區(qū)及所述接觸區(qū)；形成一分隔物與至少一柱體，所述分隔物位于所述保護(hù)層上且分隔所述發(fā)光區(qū)與所述 接觸區(qū)，所述柱體位于所述接觸區(qū)內(nèi)的所述第一電極上，所述柱體具有一頂面與一底面，且 所述頂面寬于所述底面；蒸發(fā)一有機(jī)發(fā)光層，局部覆蓋所述發(fā)光區(qū)的所述第一電極，以及覆蓋相鄰的所述發(fā)光 元件的所述接觸區(qū)的所述第一電極，暴露出所述接觸區(qū)的所述柱體周?chē)牟糠炙龅谝浑?極；以及蒸發(fā)一第二電極，覆蓋所述發(fā)光區(qū)的有機(jī)發(fā)光層，以及覆蓋相鄰的所述發(fā)光元件的接 觸區(qū)暴露的部分所述第一電極。
27. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，形成一分隔物與至 少一柱體的步驟，包括進(jìn)行一第一光刻刻蝕 工藝以形成所述分隔物于所述保護(hù)層上；以及 進(jìn)行一第二光刻刻蝕工藝以形成所述柱體于所述接觸區(qū)內(nèi)的第一 電極上。
28. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，形成一分隔物與至 少一柱體利用 一光刻刻蝕工藝。
29. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括進(jìn)行 一光刻工藝以形成所述柱體，且所述柱體的垂直剖面呈上寬下窄的倒置梯形。
30. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括進(jìn)行 一光刻工藝以形成所述柱體，且所述柱體的水平剖面呈星形。
31. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括進(jìn)行 一光刻工藝以形成多個(gè)柱體，其中所述柱體在所述第一導(dǎo)電層上排列成mXn的矩陣，且m、 n皆為正整數(shù)。
32. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括進(jìn)行 一光刻工藝以形成多個(gè)柱體，其中所述柱體在所述接觸區(qū)排列成多列奇數(shù)列與多列偶數(shù) 列，且各所述偶數(shù)列的所述柱體是對(duì)應(yīng)于所述奇數(shù)列中相鄰的所述柱體間的間隔。
33. 如權(quán)利要求26所述的有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括進(jìn)行 一光刻工藝以形成多個(gè)柱體，其中所述柱體的水平剖面呈星形或圓形。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光裝置、像素結(jié)構(gòu)、接觸結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述接觸結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、至少一柱體、一發(fā)光層、以及一第二導(dǎo)電層。該導(dǎo)電層具有一接觸區(qū)，該至少一柱體位于該接觸區(qū)的該第一導(dǎo)電層上，該發(fā)光層局部覆蓋該接觸區(qū)的該第一導(dǎo)電層且暴露出該接觸區(qū)的該柱體周?chē)牟糠衷摰谝粚?dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層覆蓋該接觸區(qū)暴露的部分該第一導(dǎo)電層。該柱體具有一頂面與一底面，且該頂面寬于該底面。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101771070SQ200910249589
公開(kāi)日2010年7月7日 申請(qǐng)日期2009年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月30日
發(fā)明者方俊雄, 陳介偉 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司