專利名稱：移送基板用托盤(pán)及具有該托盤(pán)的真空處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的如圖3所示，排氣孔設(shè)置在反應(yīng)器110的側(cè)面。 另外，在上述排氣孔113處設(shè)有排氣管140，排氣管插入于排氣孔中并與泵連接。 泵驅(qū)動(dòng)時(shí)，反應(yīng)器110內(nèi)部的未反應(yīng)的加工氣體以及反應(yīng)殘余物等通過(guò)排氣孔113和排氣 管140向外排出，這樣，調(diào)整通過(guò)排氣管140排出的氣體的量來(lái)，可調(diào)整反應(yīng)器110內(nèi)部的 壓力。 氣體供給機(jī)構(gòu)120設(shè)置在反應(yīng)器110的氣體供給孔112上，用于向反應(yīng)器的空間 部111提供加工氣體。加工氣體是用于處理基板1的氣體，本發(fā)明涉及的實(shí)施例利用了蝕 刻基板的腐蝕性氣體，其腐蝕性氣體由氯氣、氧氣、六氟化硫(SF6)氣體混合形成。另外，雖 然圖中未示出，氣體供給機(jī)構(gòu)還可以具備噴射腐蝕性氣體的噴頭和調(diào)整腐蝕性氣體流量的 質(zhì)量流量控制器(mass flow controller, MFC)。 等離子發(fā)生器用于在反應(yīng)器的空間部111產(chǎn)生等離子。本發(fā)明涉及的實(shí)施例中， 等離子發(fā)生器包括RF電力供給裝置130(RF power su卯ly unit)。在下面所述的基板支撐 臺(tái)150和反應(yīng)器110中，其一接地、另外一個(gè)與RF電力供給裝置130連接。特別是，本發(fā)明 涉及的實(shí)施例中，RF電力供給裝置130與基板支撐臺(tái)150連接，反應(yīng)器110接地。向基板 支撐臺(tái)150提供RF電源，在反應(yīng)器內(nèi)部，更具體地說(shuō)在反應(yīng)器110的上端部和基板支撐臺(tái) 150之間產(chǎn)生等離子。 基板支撐臺(tái)150設(shè)置在反應(yīng)器110的內(nèi)部，可與驅(qū)動(dòng)軸(K)結(jié)合，可升降?；逯?撐臺(tái)150上安裝并支撐有下面所述的移送基板用托盤(pán)。而且，基板支撐臺(tái)的內(nèi)部埋設(shè)有加 熱基板的加熱元件(圖中未表示)。 移送基板用托盤(pán)180可將多個(gè)基板向反應(yīng)器內(nèi)部移送，并通過(guò)反應(yīng)器110的閘閥 進(jìn)出。移送基板用托盤(pán)180包括平板部160和遮擋壁170。 平板部160具有四邊形的平板形狀，可以由陶瓷或者玻璃等材料制成。平板部160 的上面設(shè)有向上方向突起的放置突起161，基板1放置在上述放置突起上。本發(fā)明涉及的實(shí) 施例中，16個(gè)基板1以4X4的矩陣形式放置在平板部160的上面。另外，與本發(fā)明涉及的 實(shí)施例不同，也可以在平板部的上面形成凹槽，凹槽上安裝基板的形式構(gòu)成。
遮擋壁170用于增加在氣體供給機(jī)構(gòu)120噴射的腐蝕性氣體通過(guò)基板1的上面向排氣孔113流動(dòng)時(shí)，基板上的滯留時(shí)間。遮擋壁170由與平板部160相同的材料形成，即、 陶瓷或者玻璃組成。還包括邊框部171和隔離壁173。 邊框部171具有對(duì)應(yīng)平板部190的周邊形狀的四邊形環(huán)狀。邊框部171與平板部 160的上表面結(jié)合，邊框部171的內(nèi)部設(shè)置有基板1。邊框部171形成有貫穿內(nèi)側(cè)面和外側(cè) 面的多個(gè)通孔171a，腐蝕性氣體通過(guò)該通孔171a流動(dòng)。而且，邊框部171形成有沿著上部 周邊向內(nèi)側(cè)突出的擋板部172。隔離壁173如圖4所示，由橫向形成的基板之間設(shè)置的3個(gè) 第一墻173a和豎向形成的基板之間設(shè)置的3個(gè)第二墻部173b組成。具有上述結(jié)構(gòu)的隔離 壁173與邊框部171結(jié)合，通過(guò)上述隔離壁173邊框部的內(nèi)部空間分隔成16個(gè)獨(dú)立的格柵。 并且，各格柵上分別設(shè)置有如圖4所示的假設(shè)的線表示的基板1。 而且，如上所述各格柵上設(shè)置基板，可增加基板與腐蝕性氣體接觸的面。S卩，以往 是如圖2所示，腐蝕性氣體無(wú)阻礙的直接向外部流出，所以移送基板用托盤(pán)的邊角(A)上設(shè) 置的基板不能與腐蝕性氣體充分接觸。但是，本發(fā)明涉及的實(shí)施例，如圖5所示，沿著箭頭 (a)的方向流向基板上的腐蝕性氣體在遮擋壁170受阻，腐蝕性氣體在格柵內(nèi)部旋轉(zhuǎn)，從而 提高腐蝕性氣體在基板1的上側(cè)停留的時(shí)間，即增加基板1與腐蝕性氣體接觸的時(shí)間。所 以，平板部160的邊角上設(shè)置的基板也與腐蝕性氣體充分接觸。 另外，包含在腐蝕性氣體中的氯氣、氧氣、六氟化硫(SF6)氣體在隔離壁停留，可減 小各氣體之間的流動(dòng)速度之差，從而防止以往包含在腐蝕性氣體中的氯氣、氧氣、六氟化硫 (SF6)氣體因流動(dòng)速度的不同在腐蝕性氣體中比例變化。 而且，以往的通過(guò)氣體供給機(jī)構(gòu)噴射的腐蝕性氣體徑直向排氣孔流出，所以接近
排氣孔的部分與基板支撐臺(tái)的邊角(A)部分的腐蝕性氣體的濃度差別較大，受其影像等離
子的密度也不均勻。但是，根據(jù)本發(fā)明涉及的實(shí)施例，腐蝕性氣體在在各格柵中停留，因此，
跟以往相比腐蝕性氣體的濃度均衡，其結(jié)果，等離子的濃度也比以往更加均勻。 S卩，根據(jù)本實(shí)施例，配置在平板部160的角部的基板也能夠充分暴露在蝕刻氣體
中，可以防止在此包含于蝕刻氣體中的各氣體比率發(fā)生變化，使得等離子的濃度也整體上
變得均勻。由此，不論配置在平板部160上的位置如何，都可以使整個(gè)基板1得到均勻的刻
蝕，其結(jié)果，能夠在基板上均勻地形成突起，生產(chǎn)出品質(zhì)優(yōu)良的太陽(yáng)能電池。 圖6是本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及的移送基板用托盤(pán)的剖視圖。如圖6所示，本實(shí)
施例涉及的移送基板用托盤(pán)28包括平板部260和遮擋壁270。 平板部260具備四角形的平板形狀，設(shè)有多個(gè)放置突起261。遮擋壁270包括邊框 部271、擋板部272、隔離壁273。 邊框部271具備四角形的環(huán)形。該邊框部271與平板部260的上表面結(jié)合，在邊 框部271的內(nèi)部配置基板。并且，在邊框部271上形成有多個(gè)通孔271a。擋板部272沿著 該邊框部271的上周邊向內(nèi)側(cè)突出地形成。 隔離壁273設(shè)置在基板之間，劃分出配置各基板的空間。此時(shí)，如圖6所示，包圍位 于平板部260中央部分的基板的隔離壁部分273b的突出高度低于其它隔離壁部分、即包圍 位于平板部外側(cè)的基板的隔離壁部分273a的突出高度。在此，突出高度表示自平板部260 的上表面向上方延伸的高度。 如本實(shí)施例那樣，使在包圍位于平板部中央部分的基板的位置設(shè)置的隔離壁部分 273b的突出高度低于其它部分，同上述的實(shí)施例相比，可以更均勻地蝕刻基板。更詳細(xì)地
6說(shuō)，如上述背景技術(shù)部分中說(shuō)明的那樣，同位于外側(cè)的基板相比，位于平板部中央部分的基 板更多地暴露于蝕刻氣體中。這種狀態(tài)下，如果像上述實(shí)施例那樣使隔離壁具備相同的高 度，同位于外側(cè)的基板相比，位于平板部中央部分的基板依舊更多地暴露于蝕刻氣體中。
但是，如果像本實(shí)施例那樣，使設(shè)于平板部中央部分的隔離壁部分比設(shè)于平板部 的外側(cè)的隔離壁部分低，則通過(guò)遮擋壁270的作用，使得蝕刻氣體在外側(cè)部分的滯留時(shí)間 比中央部更長(zhǎng)。因此，同上述的實(shí)施例相比，設(shè)置于平板部外側(cè)的基板和設(shè)置于中央部的基 板在蝕刻氣體中的暴露度更加均勻，其結(jié)果，可以更均勻地蝕刻基板。 如上所述，在此圖示并說(shuō)明了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，但本發(fā)明并不限定于具備上 述特征的較佳實(shí)施例。毋庸置疑，在不脫離權(quán)利要求中記載的本發(fā)明主旨的前提下，本領(lǐng)域 的普通技術(shù)人員都可以進(jìn)行各種變化及變形，而且，這些變化及變形都包含在本發(fā)明的權(quán) 利要求記載的保護(hù)范圍內(nèi)。 例如，如圖7所示，移送基板用托盤(pán)380可以只包括平板部360和沿著平板部360 的外側(cè)設(shè)置的邊框部371。 此外，也可以如圖8所示的那樣，移送基板用托盤(pán)480包括平板部460、邊框部471 和隔離壁472，而且，隔離壁472的突出高度都相同。 另外，也可以如圖9所示的那樣，移送基板用托盤(pán)580只包括平板部560、邊框部 571和擋板部572。 再者，在上述的實(shí)施例中，平板部和遮擋壁是各自獨(dú)立的構(gòu)件，遮擋壁結(jié)合在平板 部上，但也可以是，平板部和邊框部一體形成。
權(quán)利要求
一種移送基板用托盤(pán)，用于將多個(gè)基板移送到開(kāi)設(shè)有排氣孔的真空處理裝置的內(nèi)部，該排氣孔使收容于內(nèi)部的加工氣體流出到外部，其特征在于，該移送基板用托盤(pán)包括平板部，具有平板形狀，用于放置所述多個(gè)基板；以及遮擋壁，自上述平板部向上方延伸突出，以便延長(zhǎng)在所述基板的上側(cè)向基板側(cè)噴射的加工氣體的滯留時(shí)間。
2. 如權(quán)利要求l所述的移送基板用托盤(pán)，其特征在于， 所述遮擋壁包括沿著所述平板部的周邊設(shè)置的邊框部。
3. 如權(quán)利要求2所述的移送基板用托盤(pán)，其特征在于，所述遮擋壁還包括隔離壁，所述隔離壁設(shè)置在所述多個(gè)基板之間，劃分出設(shè)置所述各 基板的空間。
4. 如權(quán)利要求3所述的移送基板用托盤(pán)，其特征在于，包圍所述多個(gè)基板中的位于所述平板部中央部分的基板的隔離壁部分自所述平板部 向上方延伸突出的高度，低于包圍所述多個(gè)基板中的位于所述平板部外側(cè)的基板的隔離壁 部分自所述平板部向上方延伸突出的高度。
5. 如權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的移送基板用托盤(pán)，其特征在于， 在所述邊框部上設(shè)有貫通一側(cè)面和另一側(cè)面的通孔，該通孔使所述加工氣體能夠流動(dòng)。
6. 如權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的移送基板用托盤(pán)，其特征在于， 所述遮擋壁還包括沿著所述邊框部的邊沿向內(nèi)側(cè)突出而形成的擋板部。
7. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的移送基板用托盤(pán)，其特征在于， 所述平板部和所述遮擋壁由陶瓷或玻璃構(gòu)成。
8. —種真空處理裝置，其特征在于，包括 反應(yīng)器，開(kāi)設(shè)有使內(nèi)部和外部相互聯(lián)通的排氣孔； 基板支撐臺(tái)，設(shè)置在所述反應(yīng)器的內(nèi)部； 氣體供給機(jī)構(gòu)，向所述反應(yīng)器的內(nèi)部噴射加工氣體；以及移送基板用托盤(pán)，被移送到所述反應(yīng)器的內(nèi)部，并且被支撐在所述基板支撐臺(tái)上，該移 送基板用托盤(pán)包括平板部，具有平板形狀，用于放置所述多個(gè)基板；和遮擋壁，自上述平 板部向上方延伸突出，以便延長(zhǎng)從所述氣體供給機(jī)構(gòu)噴射的所述加工氣體的滯留時(shí)間。
9. 如權(quán)利要求8所述的真空處理裝置，其特征在于， 所述遮擋壁包括沿著所述平板部的周邊設(shè)置的邊框部。
10. 如權(quán)利要求9所述的真空處理裝置，其特征在于，所述遮擋壁還包括隔離壁，所述隔離壁設(shè)置在所述多個(gè)基板之間，劃分出設(shè)置所述各 基板的空間。
11. 如權(quán)利要求8所述的真空處理裝置，其特征在于， 在所述反應(yīng)器的內(nèi)部還包括產(chǎn)生等離子的等離子發(fā)生器。
全文摘要
提供一種改善了結(jié)構(gòu)的移送基板用托盤(pán)及具備該托盤(pán)的真空處理裝置，能夠均勻地蝕刻基板。根據(jù)本發(fā)明的移送基板用托盤(pán)，用于將多個(gè)基板移送到開(kāi)設(shè)有排氣孔的真空處理裝置的內(nèi)部，該排氣孔使收容于內(nèi)部的加工氣體流出到外部，其包括平板部，具有平板形狀，用于放置所述多個(gè)基板；以及遮擋壁，自上述平板部向上方延伸突出，以便延長(zhǎng)在所述基板的上側(cè)向基板側(cè)噴射的加工氣體的滯留時(shí)間。
文檔編號(hào)H01L21/67GK101719479SQ20091020600
公開(kāi)日2010年6月2日 申請(qǐng)日期2009年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月9日
發(fā)明者田榮一 申請(qǐng)人:金炳埈