專利名稱：蕭基二極管裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體裝置，且特別是關(guān)于一種蕭基二極管(Schottky diode)裝置 及其制造方法。
背景技術(shù)：
蕭基二極管(Schottky diode)為具有金屬-半導(dǎo)體接面 (metal-semiconductorjunction)的一種半導(dǎo)體裝置，于此金屬-半導(dǎo)體接面結(jié)構(gòu)的電 流_電壓特性則按照所施加電壓的極性而定。當(dāng)蕭基二極管處于順向偏壓時(shí)(即陽極施加正電壓以及于陰極施加負(fù)電壓)可 使得載子導(dǎo)通，而當(dāng)蕭基二極管處于逆向偏壓時(shí)(即陽極施加負(fù)電壓以及于陰極施加正電 壓)則載子不易導(dǎo)通因而與一般pn接面二極管具有同樣的單向?qū)ㄌ匦浴Ａ硗?，由于蕭?二極管是單載子移動，故于順向偏壓時(shí)具有相對低的臨界電壓且于順逆向偏壓切換時(shí)反應(yīng) 速度極快。請參照圖1，顯示了一種已知蕭基二極管裝置100的剖面情形。如圖1所示，蕭基 二極管裝置100包括了 n型漂移區(qū)(n drift region) 104、陽極電極112、陰極電極114以 及形成于n型漂移區(qū)(n drift region) 104內(nèi)的n+摻雜區(qū)116等主要構(gòu)件。n型漂移區(qū) 104是形成于p型硅基底102的表面內(nèi)，而于n型漂移區(qū)104表面形成有兩分隔的場氧化物 108，以于n型漂移區(qū)104表面定義出為場氧化物108所分隔的陽極區(qū)150以及陰極區(qū)160。 于n型漂移區(qū)104表面上更形成有經(jīng)圖案化的層間介電層110，其覆蓋了場氧化物108及 其鄰近的n型漂移區(qū)104與n+摻雜區(qū)116的部分表面，而由鈦、氮化鈦、鎢、鋁等金屬材質(zhì) 所形成的陽極電極112與陰極電極114則分別覆蓋并穿透層間介電層110以分別實(shí)體接觸 位于陽極區(qū)150內(nèi)的n型漂移區(qū)104以及位于陰極區(qū)160內(nèi)的n+摻雜區(qū)116。于陽極區(qū) 150內(nèi)鄰近場氧化物108處的n型漂移區(qū)104內(nèi)分別形成有一 p型摻雜區(qū)106，以避免于電 極112鄰近n型漂移區(qū)104與場氧化物108處區(qū)域內(nèi)形成高電場，通過提升蕭基二極管裝 置100的逆向偏壓下的電壓崩潰表現(xiàn)。于蕭基二極管裝置100內(nèi)的陽極電極112及相接觸 的n型漂移區(qū)104間的介面即為一金屬-半導(dǎo)體接面120。另外，為了進(jìn)一步提升蕭基二極管裝置100的逆向偏壓下的崩潰電壓，n型漂移區(qū) 104內(nèi)的n型摻質(zhì)濃度通常不可高于2. OX 1016atomS/Cm3。如此的n型漂移區(qū)104的摻質(zhì) 濃度雖有助于提升蕭基二極管裝置100于逆向偏壓下的崩潰電壓表現(xiàn)，但是卻使得蕭基二 極管裝置100于順向偏壓下流通于陽極區(qū)150與陰極區(qū)160間的單位面積電流受到限制。因此，便需要一種新穎的蕭基二極管裝置，以滿足逆向電壓下的高崩潰電壓以及 順向偏壓下的高單位面積電流等元件需求。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種蕭基二極管裝置及其制造方法，以改善其崩潰電壓 與單位面積電流等電性表現(xiàn)。
依據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種蕭基二極管裝置，包括一 p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；一 n型漂移區(qū)，設(shè)置于所述p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面，其中所述n 型漂移區(qū)包括摻質(zhì)濃度相異的一第一 n型摻雜區(qū)以及一第二 n型摻雜區(qū)，而所述第二 n型 摻雜區(qū)是環(huán)繞所述第一 n型摻雜區(qū)的側(cè)壁且具有較所述第一 n型摻雜區(qū)為高的摻質(zhì)濃度； 多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述n型漂移區(qū)的所述第二 n型摻雜區(qū)內(nèi)，以定義出一陽極區(qū)以及一 陰極區(qū)，其中所述陽極區(qū)露出所述第一n型摻雜區(qū)的表面而所述陰極區(qū)部分露出所述第二 n型摻雜區(qū)的表面；一第三n型摻雜區(qū)，設(shè)置于為所述陰極區(qū)所部分露出的第二 n型摻雜區(qū) 表面，其中所述第三n型摻雜區(qū)具有高于所述第二 n型摻雜區(qū)的摻質(zhì)濃度；一陽極電極，設(shè) 置于所述陽極區(qū)內(nèi)的所述第一 n型摻雜區(qū)之上；以及一陰極電極，設(shè)置于所述陰極區(qū)內(nèi)的 所述第三n型摻雜區(qū)之上。依據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種蕭基二極管裝置的制造方法，包括 提供一 p型半導(dǎo)體層；形成一 n型漂移區(qū)于所述p型半導(dǎo)體層表面內(nèi)，其中所述n 型漂移區(qū)包括一第一 n型摻雜區(qū)以及環(huán)繞所述第一 n型摻雜區(qū)的一第二 n型摻雜區(qū)，而所 述第二 n型摻雜區(qū)具有高于所述第一 n型摻雜區(qū)的摻質(zhì)濃度；形成數(shù)個(gè)隔離結(jié)構(gòu)于鄰近所 述第一 n型摻雜區(qū)的所述第二 n型摻雜區(qū)之內(nèi)，進(jìn)而于所述p型半導(dǎo)體層上定義出一陽極 區(qū)與一陰極區(qū)，其中所述陽極區(qū)露出了所述第一 n型摻雜區(qū)及鄰近所述第一 n型摻雜區(qū)的 所述第二n型摻雜區(qū)的一部分，而所述陰極區(qū)僅露出了所述第二n型摻雜區(qū)的另一部分；形 成一第三n型摻雜區(qū)于所述陰極區(qū)所露出的所述第二 n型摻雜區(qū)之內(nèi)；以及于所述陽極區(qū) 與陰極區(qū)內(nèi)分別形成一陽極電極與一陰極電極，以分別實(shí)體接觸所述第一 n型摻雜區(qū)與所 述第三n型摻雜區(qū)。


圖1顯示了一已知蕭基二極管裝置的剖面情形；以及圖2-圖6為一系列剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的蕭基二極管裝置的制造 方法。附圖標(biāo)號100 蕭基二極管裝置；102 p型硅基底；104 n型漂移區(qū)；106 p型摻雜區(qū)；108 場氧化物；110 層間介電層；112 陽極電極；114 陰極電極；116 n+摻雜區(qū)；120 金屬-半導(dǎo)體接面；150 陽極區(qū)；160 陰極區(qū)；202 p型半導(dǎo)體層；
204 掩膜層；206 離子注入程序；208 η型摻雜區(qū)；210 ρ型條狀區(qū)；212 第二 η型摻雜區(qū)；214 第一 η型摻雜區(qū)；216 掩膜層；218 離子注入程序；220 ρ型摻雜區(qū)；222 隔離結(jié)構(gòu)；224 掩膜層；226 離子注入程序；228 η+摻雜區(qū)；230 層間介電層；232、234 電極；235、237 開口；250 η型漂移區(qū)；260 陽極區(qū)；270 陰極區(qū)；280 金屬-半導(dǎo)體接面；W 掩膜層/p型條狀區(qū)的寬度；P 掩膜層/p型條狀區(qū)的間距。
具體實(shí)施例方式為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí) 施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下圖2-圖6為一系列剖面圖，顯示了依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的蕭基二極管裝置的制造 方法。請參照圖2，首先提供一 ρ型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如為一 ρ型半導(dǎo)體層202。ρ型半導(dǎo)體 層202例如為含硅、硅鍺的半導(dǎo)體材料的外延層或基板的一部。接著于半導(dǎo)體基板202的 表面形成數(shù)個(gè)圖案化的掩膜層204并露出部分的ρ型半導(dǎo)體層202。接著，針對ρ型半導(dǎo)體 層202施行一離子注入程序206并采用此些掩膜層204做為離子注入掩膜，因此于ρ型半 導(dǎo)體層202內(nèi)形成了數(shù)個(gè)相分隔的η型摻雜區(qū)208。離子注入程序206是采用磷與砷等η 型摻質(zhì)，其所采用的離子注入能量約介于500KeV SOOKeV，而所注入η型摻質(zhì)劑量則約介 于 2X IO12 8Χ 1012atoms/cm2。如圖2所示，由于ρ型半導(dǎo)體層202之上形成有數(shù)個(gè)分隔的掩膜層204，故于離子 注入程序206施行后于所形成的相分隔的數(shù)個(gè)η型摻雜區(qū)208之間分別存在有一未經(jīng)η型 摻雜的P型條狀區(qū)210，其仍具有相同于ρ型半導(dǎo)體層202的摻雜特性與摻質(zhì)濃度。在此， 此些掩膜層204分別具有介于0. 4 μ m 0. 8 μ m的寬度W且相鄰掩膜層204之間存在有介
6于0.4μπι 0.8μ m之間距P。如此可通過調(diào)整形成于ρ型半導(dǎo)體層202上的掩膜層204 數(shù)量、其寬度W以及相鄰掩膜層204之間距P而達(dá)到控制所形成的ρ型條狀區(qū)210的數(shù)量、 范圍與輪廓。請參照圖3，于移除形成于ρ型半導(dǎo)體層202上的掩膜層204 (請參見第2圖)之 后，接著施行一退火程序(未顯示)，以于1000 iioo°c的溫度下進(jìn)行退火處理。因此， 于退火程序施行過后，于P型半導(dǎo)體層202表面便形成了一第一 η型摻雜區(qū)214以及環(huán)繞 此第一 η型摻雜區(qū)214側(cè)壁的一第二 η型摻雜區(qū)212，而第一 η型摻雜區(qū)214與第二 η型 摻雜區(qū)212的底面分別接觸了 ρ型半導(dǎo)體層202。在此，第二 η型摻雜區(qū)212內(nèi)的摻質(zhì)濃 度約介于2X IO16 8Χ 1016atoms/cm3，第一 η型摻雜區(qū)214內(nèi)摻質(zhì)濃度約介于4X IO15 2X1016atOmS/cm3，而第二 η型摻雜區(qū)212內(nèi)的摻質(zhì)濃度高于第一 η型摻雜區(qū)214內(nèi)摻質(zhì)濃 度，且先前的P型條狀區(qū)210于退火程序施行過后便不復(fù)存在。第一 η型摻雜區(qū)214與第 二 η型摻雜區(qū)212組成了蕭基二極管裝置的η型漂移區(qū)250。請繼續(xù)參照圖3，接著于η型漂移區(qū)250表面形成圖案化的一掩膜層216并分別 露出位于第一 η型摻雜區(qū)214兩側(cè)的第二 η型摻雜區(qū)212的一部分。接著采用掩膜層216 作為離子注入掩膜而施行一離子注入程序218，以于位于第一 η型摻雜區(qū)214兩側(cè)的第二 η型摻雜區(qū)212之內(nèi)分別形成了一 ρ型摻雜區(qū)220。離子注入程序218是采用如硼的ρ型 摻質(zhì)，其所采用的離子注入能量約介于40KeV 80KeV，而所注入ρ型摻質(zhì)劑量則約介于 8 X IO13 5Χ 1014atoms/cm2。請參照圖4，接著于除去掩膜層216 (請參見圖3)之后，于η型漂移區(qū)250內(nèi)的第 二 η型摻雜區(qū)212表面及其內(nèi)形成兩分隔的隔離結(jié)構(gòu)222，以于η型漂移區(qū)250表面定義 出此蕭基二極管裝置的陽極區(qū)260與陰極區(qū)270。在此，隔離結(jié)構(gòu)222是繪示為已知的場 氧化物(filed oxide)且可為已知場氧化物工藝所形成，但并非加以限定本發(fā)明，隔離結(jié)構(gòu) 222亦可采用其他型態(tài)的隔離結(jié)構(gòu)。于形成隔離結(jié)構(gòu)222時(shí)可同時(shí)對于先前形成的ρ型摻 雜區(qū)220 (請參見圖3)進(jìn)行退火動作，并于隔離結(jié)構(gòu)222形成后同時(shí)將的轉(zhuǎn)化成為鄰近并 包覆各隔離結(jié)構(gòu)222的一邊角的ρ型摻雜區(qū)220。此ρ型摻雜區(qū)220亦部分延伸進(jìn)入了第 一 η型摻雜區(qū)214之內(nèi)。接著形成一圖案化的掩膜層224，以大體覆蓋了隔離結(jié)構(gòu)222與 陽極區(qū)260并露出了陰極區(qū)270內(nèi)的第二 η型摻雜區(qū)212的表面。接著進(jìn)行一離子注入程 序226以于第二 η型摻雜區(qū)212表面形成了 η+摻雜區(qū)228以作為陰極接點(diǎn)之用。離子注 入程序226是采用磷與砷等η型摻質(zhì)，其所采用的離子注入能量約介于40KeV 60KeV，而 所注入η型摻質(zhì)劑量則約介于IX IO15 5Χ 1015atomS/Cm2。請參照圖5，于移除掩膜層224(見于圖4)之后，接著形成圖案化的層間介電層 230，其分別大體覆蓋了隔離結(jié)構(gòu)222及鄰近隔離結(jié)構(gòu)222的部分ρ型摻雜區(qū)220與η+摻雜 區(qū)228。于層間介電層230內(nèi)形成有一開口 235與237，分別大體露出第一 η型摻雜區(qū)214 的整個(gè)表面以及部分的η+摻雜區(qū)228表面。請參照圖6，接著形成圖案化的電極層232與234，其中電極層232是設(shè)置于ρ型 摻雜區(qū)220與第一 η型摻雜區(qū)214之上且部分覆蓋鄰近的層間介電層230，而電極層234則 設(shè)置于η+摻雜區(qū)228之上且部分覆蓋鄰近的層間介電層234。電極232與234分別作為陽 極電極與陰極電極之用，其可采用如鈦、氮化鈦、鎢、鋁等金屬材料且可采用如沉積、研磨與 蝕刻等已知工藝所形成。
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如圖6所示，顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的蕭基二極管裝置，其主要包括一 ρ型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(例如ρ型半導(dǎo)體層202) ；— η型漂移區(qū)，設(shè)置于ρ型半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)表面，其中η型漂移區(qū)包括摻質(zhì)濃度相異的一第一 η型摻雜區(qū)(例如第一 η型摻雜區(qū) 214)以及一第二 η型摻雜區(qū)(例如第二 η型摻雜區(qū)212)，而第二 η型摻雜區(qū)是環(huán)繞所述第 一 η型摻雜區(qū)的側(cè)壁且具有較第一 η型摻雜區(qū)為高的摻質(zhì)濃度；多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)(例如隔離 結(jié)構(gòu)222)，設(shè)置于η型漂移區(qū)的第二 η型摻雜區(qū)內(nèi)，以定義出一陽極區(qū)(例如陽極區(qū)260) 以及一陰極區(qū)(例如陰極區(qū)270)，其中所述陽極區(qū)露出第一 η型摻雜區(qū)的表面而陰極區(qū)部 分露出第二 η型摻雜區(qū)的表面；一第三η型摻雜區(qū)(例如η+摻雜區(qū)228)，設(shè)置于為所述陰 極區(qū)所部分露出的第二 η型摻雜區(qū)表面，其中第三η型摻雜區(qū)具有高于第二 η型摻雜區(qū)的 摻質(zhì)濃度；一陽極電極(例如陽極電極232)，設(shè)置于陽極區(qū)內(nèi)的所述第一 η型摻雜區(qū)之上； 以及一陰極電極(例如陰極電極234)，設(shè)置于陰極區(qū)內(nèi)的所述第三η型摻雜區(qū)之上。于本實(shí)施例中，蕭基二極管裝置是包括了由摻質(zhì)濃度相對較低的第一 η型摻雜區(qū) 214與摻質(zhì)濃度相對較高的第二 η型摻雜區(qū)212所組成的一 η型漂移區(qū)250，其中第一 η型 摻雜區(qū)214是實(shí)體接觸了陽極電極232，基于其相對為低的η型摻質(zhì)濃度，因而有助于提升 于陽極電極232與第一 η型摻雜區(qū)214間的金屬-半導(dǎo)體接面280處的逆向偏壓時(shí)的崩潰 電壓表現(xiàn)。另外，由于介于陽極區(qū)260與陰極區(qū)270間的第二 η型摻雜區(qū)212具有相對高 的η型摻質(zhì)濃度，因而可改善蕭基二極管裝置的單位面積電流量。另外，參照圖2 圖6的制造流程，本發(fā)明的蕭基二極管裝置的制造方法是針對如 圖1所示的已知蕭基二極管裝置內(nèi)用于形成η型漂移區(qū)104的光掩膜進(jìn)行圖樣修正，即可 形成如第6圖所示的由兩種不同η型摻質(zhì)濃度的η型摻雜區(qū)所組成的η型漂移區(qū)250，且不 會造成制造流程所需光掩膜數(shù)的增加，并可通過適度調(diào)整P型條狀區(qū)210的數(shù)量、寬度及ρ 型條狀區(qū)210間的間距而達(dá)成控制蕭基接面280下的η型摻質(zhì)濃度的目的。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)本領(lǐng) 域的一般技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā) 明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求范圍所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種蕭基二極管裝置，其特征在于，所述裝置包括一p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；一n型漂移區(qū)，設(shè)置于所述p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面，其中所述n型漂移區(qū)包括摻質(zhì)濃度相異的一第一n型摻雜區(qū)以及一第二n型摻雜區(qū)而所述第二n型摻雜區(qū)是環(huán)繞所述第一n型摻雜區(qū)的側(cè)壁且具有較所述第一n型摻雜區(qū)為高的摻質(zhì)濃度；多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述n型漂移區(qū)的所述第二n型摻雜區(qū)內(nèi)，以定義出一陽極區(qū)以及一陰極區(qū)，其中所述陽極區(qū)露出所述第一n型摻雜區(qū)的表面而所述陰極區(qū)部分露出所述第二n型摻雜區(qū)的表面；一第三n型摻雜區(qū)，設(shè)置于為所述陰極區(qū)所部分露出的第二n型摻雜區(qū)表面，其中所述第三n型摻雜區(qū)具有高于所述第二n型摻雜區(qū)的摻質(zhì)濃度；一陽極電極，設(shè)置于所述陽極區(qū)內(nèi)的所述第一n型摻雜區(qū)之上；以及一陰極電極，設(shè)置于所述陰極區(qū)內(nèi)的所述第三n型摻雜區(qū)之上。
2.如權(quán)利要求1所述的蕭基二極管裝置，其特征在于，所述第一η型摻雜區(qū)具有介 于4Χ IO15 2Χ 1016atomS/Cm3的摻質(zhì)濃度，而所述第二 η型摻雜區(qū)具有介于2Χ IO16 8X1016atoms/cm3 的摻質(zhì)濃度。
3.如權(quán)利要求1所述的蕭基二極管裝置，其特征在于，所述第一η型摻雜區(qū)與所述第二 η型摻雜區(qū)的底面接觸所述ρ型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的蕭基二極管裝置，其特征在于，所述裝置更包括一P型摻雜區(qū)， 設(shè)置于為所述陽極區(qū)所露出的所述第一 η型摻雜區(qū)與所述第二 η型摻雜區(qū)表面之內(nèi)并包覆 所述這些隔離結(jié)構(gòu)之一的邊角。
5.如權(quán)利要求4所述的蕭基二極管裝置，其特征在于，所述裝置更包括一層間介電層， 設(shè)置于所述這些隔離結(jié)構(gòu)與所述陽極電極與陰極電極之間，所述層間介電層分別覆蓋所述 這些隔離結(jié)構(gòu)及其鄰近的P型摻雜區(qū)及第三η型摻雜區(qū)的一部分。
6.如權(quán)利要求4所述的蕭基二極管裝置，其特征在于，所述陽極電極實(shí)體接觸所述ρ型 摻雜區(qū)與所述第一 η型摻雜區(qū)。
7.如權(quán)利要求1所述的蕭基二極管裝置，其特征在于，所述第三η型摻雜區(qū)具有介于 1 X IO17 5Χ 1017atoms/cm3 的摻質(zhì)濃度。
8.一種蕭基二極管裝置的制造方法，其特征在于，所述方法包括 提供一 P型半導(dǎo)體層；形成一 η型漂移區(qū)于所述ρ型半導(dǎo)體層表面內(nèi)，其中所述η型漂移區(qū)包括一第一 η型 摻雜區(qū)以及環(huán)繞所述第一 η型摻雜區(qū)的一第二 η型摻雜區(qū)，而所述第二 η型摻雜區(qū)具有高 于所述第一 η型摻雜區(qū)的摻質(zhì)濃度；形成數(shù)個(gè)隔離結(jié)構(gòu)于鄰近所述第一η型摻雜區(qū)的所述第二η型摻雜區(qū)之內(nèi)，進(jìn)而于所 述P型半導(dǎo)體層上定義出一陽極區(qū)與一陰極區(qū)，其中所述陽極區(qū)露出了所述第一 η型摻雜 區(qū)及鄰近所述第一 η型摻雜區(qū)的所述第二 η型摻雜區(qū)的一部分，而所述陰極區(qū)僅露出了所 述第二 η型摻雜區(qū)的另一部分；形成一第三η型摻雜區(qū)于所述陰極區(qū)所露出的所述第二 η型摻雜區(qū)之內(nèi)；以及 于所述陽極區(qū)與陰極區(qū)內(nèi)分別形成一陽極電極與一陰極電極，以分別實(shí)體接觸所述第 一 η型摻雜區(qū)與所述第三η型摻雜區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的蕭基二極管裝置的制造方法，其特征在于，所述第一η型摻雜區(qū) 具有介于4 X IO15 2 X 1016atoms/cm3的摻質(zhì)濃度，所述第二 η型摻雜區(qū)具有介于2 X IO16 8 X 1016atoms/cm3的摻質(zhì)濃度，而所述第三η型摻雜區(qū)具有介于1 X IO17 5 X 1017atoms/cm3 的摻質(zhì)濃度。
10.如權(quán)利要求8所述的蕭基二極管裝置的制造方法，其特征在于，形成所述η型漂移 區(qū)于所述P型半導(dǎo)體層表面內(nèi)包括于所述P型半導(dǎo)體層上形成多個(gè)分隔的第一掩膜層；施行一第一離子注入程序，采用所述這些第一掩膜層作為注入掩膜，于所述P型半導(dǎo) 體層內(nèi)形成多個(gè)分隔的第四η型摻雜區(qū)以及位于所述這些第四η型摻雜區(qū)間的多個(gè)P型條 狀區(qū)；移除所述這些第一掩膜層；以及施行一第一退火程序，以于所述P型半導(dǎo)體層內(nèi)形成所述第一 η型摻雜區(qū)以及環(huán)繞所 述第一 η型摻雜區(qū)的所述第二 η型摻雜區(qū)，藉以組成所述η型漂移區(qū)。
11.如權(quán)利要求10所述的蕭基二極管裝置的制造方法，其特征在于，所述這些ρ型條 狀區(qū)具有介于0. 4 μ m 0. 8 μ m的寬度以及所述這些ρ型條狀區(qū)之間具有介于0. 4 μ m 0. 8μπι的間距。
12.如權(quán)利要求8所述的蕭基二極管裝置的制造方法，其特征在于，形成所述這些隔離 結(jié)構(gòu)之前，更包括形成一第一掩膜層，部分露出鄰近所述第一 η型摻雜區(qū)的所述第二 η型摻雜區(qū)的一部 分；以及施行一第一離子注入程序，采用所述第一掩膜層作為注入掩膜，以于鄰近所述第一 η 型摻雜區(qū)的所述第二 η型摻雜區(qū)的表面形成一 ρ型摻雜區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述的蕭基二極管裝置的制造方法，其特征在于，于形成所述這些 隔離結(jié)構(gòu)時(shí)更包括同時(shí)將所述P型摻雜區(qū)轉(zhuǎn)變成為位于所述第一 η型摻雜區(qū)與所述第二 η型摻雜區(qū)連結(jié) 處的一 P型保護(hù)環(huán)，以包覆所述這些隔離結(jié)構(gòu)的一邊角。
全文摘要
本發(fā)明提供一種蕭基二極管裝置及其制造方法，所述蕭基二極管裝置包括一p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；一n型漂移區(qū)，設(shè)置于所述p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面，包括摻質(zhì)濃度相異的一第一n型摻雜區(qū)以及一第二n型摻雜區(qū)，而所述第二n型摻雜區(qū)具有較所述第一n型摻雜區(qū)為高的摻質(zhì)濃度；多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第二n型摻雜區(qū)內(nèi)，以定義出一陽極區(qū)以及一陰極區(qū)；一第三n型摻雜區(qū)，設(shè)置于為所述陰極區(qū)所部分露出的所述第二n型摻雜區(qū)表面；一陽極電極，設(shè)置于所述陽極區(qū)內(nèi)的所述第一n型摻雜區(qū)之上；以及一陰極電極，設(shè)置于所述陰極區(qū)內(nèi)的所述第三n型摻雜區(qū)之上。本發(fā)明提供了一種蕭基二極管裝置及其制造方法，以改善其崩潰電壓與單位面積電流等電性表現(xiàn)。
文檔編號H01L21/329GK101901840SQ20091020312
公開日2010年12月1日 申請日期2009年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月27日
發(fā)明者白煌朗, 蔡宏圣 申請人:世界先進(jìn)積體電路股份有限公司