專利名稱：偏移側(cè)墻及mos晶體管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種偏移側(cè)墻及MOS晶體管的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及相關(guān)配套技術(shù)的不斷發(fā)展進(jìn)步，在單位面積內(nèi)容納的晶 體管數(shù)目不斷增加，集成電路集成度越來越高，每個(gè)晶體管的尺寸越來越小。當(dāng)晶體管尺寸 縮小時(shí)，其柵極的長度也會(huì)隨之變短。但是隨著柵極長度的縮短，在離子注入過程中，出現(xiàn) 了很多影響晶體管正常工作的負(fù)面效應(yīng)，比如短溝道效應(yīng)(Shot Channel Effect，SCE)?，F(xiàn)有形成MOS晶體管過程中，可以采用在柵極兩側(cè)形成偏移側(cè)墻來解決短溝道效 應(yīng)，如中國專利申請(qǐng)200510108839可以發(fā)現(xiàn)在MOS有源區(qū)的柵極兩側(cè)都有偏移間隙壁。具 體制作方法如圖1所示，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100中形成有隔離結(jié)構(gòu)101， 隔離結(jié)構(gòu)101之間的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)102 ；在有源區(qū)102的半導(dǎo)體襯底100中摻雜離子，形成 摻雜阱103 ；在有源區(qū)102的半導(dǎo)體襯底100上依次形成柵介質(zhì)層104與柵極105，所述柵 介質(zhì)層104與柵極105構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)106。如圖2所示，以柵極結(jié)構(gòu)106兩側(cè)形成偏移側(cè)墻107，具體形成工藝如下用化學(xué) 氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底100上形成厚度為80埃 150埃的低溫氧化硅層，且所述低溫氧 化硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)106，其中低溫指溫度為350°C 450°C ；然后，采用等離子體回刻蝕工 藝刻蝕低溫氧化硅層，去除半導(dǎo)體襯底100及柵極結(jié)構(gòu)106上方的低溫氧化硅層，所述等離 子體回刻蝕工藝采用的是包含CHF3混合氣體，其中CHF3的流量為IOsccm 50sCCm。如圖3所示，以柵極結(jié)構(gòu)106和偏移側(cè)墻107為掩模，進(jìn)行離子注入，在半導(dǎo)體襯 底100內(nèi)形成源/漏極延伸區(qū)110。如圖4所示，在偏移側(cè)墻107兩側(cè)形成側(cè)墻112 ；以側(cè)墻112、偏移側(cè)墻107及柵 極結(jié)構(gòu)106為掩模，在柵極結(jié)構(gòu)106兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100中進(jìn)行離子注入，形成源/漏極 114。最后，對(duì)半導(dǎo)體襯底100進(jìn)行退火，使注入的各種離子擴(kuò)散均勻。隨著半導(dǎo)體器件例如MOS晶體管的尺寸進(jìn)入65nm，器件的溝道長度進(jìn)一步減小， 短溝道效應(yīng)更加明顯，因此，為了降低短溝道效應(yīng)，采用形成偏移側(cè)墻的方法。但是這種工 藝存在以下缺點(diǎn)在用包含CHF3混合氣體回刻蝕低溫氧化硅層的過程中，由于低蝕刻選擇 比原因，刻蝕后會(huì)導(dǎo)致柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底也被刻蝕掉一部分(如圖2中虛線標(biāo)示 部位刻蝕深度大于沈埃)，會(huì)產(chǎn)生例如曝露阱區(qū)之類的現(xiàn)象，導(dǎo)致MOS晶體管結(jié)漏電，影響 半導(dǎo)體器件的電性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種偏移側(cè)墻及MOS晶體管的形成方法，防止MOS晶體管結(jié)漏電。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種偏移側(cè)墻的形成方法，包括在半導(dǎo)體襯底上依 次形成柵介質(zhì)層與柵極，所述柵介質(zhì)層與柵極構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體襯底上形成低溫氧化硅層，且低溫氧化硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)；采用含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層進(jìn)行回刻 蝕，在垂直方向定義出偏移側(cè)墻的外形，所述含CF4的混合氣體刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底表 面之間有角度；采用含CH2F2的混合氣體低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成偏移側(cè)墻?？蛇x的，所述含CF4的混合氣體刻蝕低溫氧化硅層時(shí)CF4的流量為IOsccm IOOsccm,占混合氣體總流量的45 55%。所述含CF4的混合氣體刻蝕的角度為89° 90°。可選的，所述含CH2F2的混合氣體刻蝕低溫氧化硅層時(shí)CH2F2的流量為IOsccm 50sccm,占混合氣體總流量的20 30%。所述含CH2F2的混合氣體刻蝕低溫氧化硅層和半 導(dǎo)體襯底的速率比為3 1 4 1?？蛇x的，所述偏移側(cè)墻的厚度為80埃 150埃。本發(fā)明還提供一種MOS晶體管的形成方法，包括在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介 質(zhì)層與柵極，所述柵介質(zhì)層與柵極構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體襯底上形成低溫氧化硅層，且低 溫氧化硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)；采用含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層進(jìn)行回刻蝕，在垂直方向 定義出偏移側(cè)墻的外形，所述含CF4的混合氣體刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底表面之間有角度； 采用含CH2F2的混合氣體低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成偏移側(cè)墻；以柵極結(jié)構(gòu)和偏移 側(cè)墻為掩模，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)離子注入，形成源/漏極延伸區(qū)；在柵極結(jié) 構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻后，在柵極結(jié)構(gòu)及側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏極。可選的，所述含CF4的混合氣體刻蝕低溫氧化硅層時(shí)CF4的流量為IOsccm IOOsccm,占混合氣體總流量的45 55%。所述含CF4的混合氣體刻蝕的角度為89° 90°。可選的，所述含CH2F2的混合氣體刻蝕低溫氧化硅層時(shí)CH2F2的流量為IOsccm 50sccm,占混合氣體總流量的20 30%。所述含CH2F2的混合氣體刻蝕低溫氧化硅層和半 導(dǎo)體襯底的速率比為3 1 4 1。可選的，所述偏移側(cè)墻的厚度為80埃 150埃。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)采用包含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層 進(jìn)行回刻蝕，在垂直方向定義出偏移側(cè)墻的外形；采用高刻蝕選擇比的含CH2F2的混合氣體 低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，對(duì)偏移側(cè)墻的外形進(jìn)行修整，得到預(yù)定形狀。用CF4氣體對(duì) 低溫氧化硅層進(jìn)行刻蝕后，柵極結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體襯底交界處仍有較厚的低溫氧化硅層進(jìn)行保 護(hù)；用含CH2F2的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行刻蝕時(shí)，由于含CH2F2的混合氣體刻蝕 低溫氧化硅層刻蝕的速率比對(duì)半導(dǎo)體襯底刻蝕的速率快，因此在刻蝕形成偏移側(cè)墻時(shí)，對(duì) 半導(dǎo)體襯底的刻蝕影響不大，半導(dǎo)體襯底也被刻蝕掉的深度小于10埃，改善了 MOS晶體管 結(jié)漏電的情況，提高了半導(dǎo)體器件的電性能。


圖1至圖4是現(xiàn)有工藝形成MOS晶體管的示意圖；圖5是本發(fā)明形成MOS晶體管中偏移側(cè)墻的具體實(shí)施方式
流程圖；圖6是本發(fā)明形成MOS晶體管的具體實(shí)施方式
流程圖；圖7至圖12是本發(fā)明形成MOS晶體管的實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)為了降低短溝道效應(yīng)，采用形成偏移側(cè)墻的方法。但是在形成偏移側(cè)墻 時(shí)采用包含CHF3混合氣體回刻蝕低溫氧化硅層，刻蝕后會(huì)導(dǎo)致柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底 也被刻蝕掉的深度大于26埃，會(huì)產(chǎn)生例如曝露阱區(qū)之類的現(xiàn)象，導(dǎo)致MOS晶體管結(jié)漏電，影 響半導(dǎo)體器件的電性能。本發(fā)明針對(duì)上述問題對(duì)MOS晶體管工藝中的偏移側(cè)墻的形成方法進(jìn)行了改進(jìn)，具 體流程如圖5所示，執(zhí)行步驟S101，在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介質(zhì)層與柵極，所述柵介質(zhì) 層與柵極構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；執(zhí)行步驟S102，在半導(dǎo)體襯底上形成低溫氧化硅層，且低溫氧化 硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)；執(zhí)行步驟S103，采用含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層進(jìn)行回刻蝕，在 垂直方向定義出偏移側(cè)墻的外形，所述含CF4的混合氣體刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底表面之 間有角度；執(zhí)行步驟S104，采用含CH2F2的混合氣體低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成偏 移側(cè)墻。本發(fā)明形成包含上述偏移側(cè)墻的MOS晶體管的具體實(shí)施方式
流程如圖6所示， 執(zhí)行步驟S201，在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介質(zhì)層與柵極，所述柵介質(zhì)層與柵極構(gòu)成柵極 結(jié)構(gòu)；執(zhí)行步驟S202，在半導(dǎo)體襯底上形成低溫氧化硅層，且低溫氧化硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)； 執(zhí)行步驟S203，采用含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層進(jìn)行回刻蝕，在垂直方向定義出偏 移側(cè)墻的外形，所述含CF4的混合氣體刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底表面之間有角度；執(zhí)行步 驟S204，采用含CH2F2的混合氣體低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成偏移側(cè)墻；執(zhí)行步驟 S205，以柵極結(jié)構(gòu)和偏移側(cè)墻為掩模，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)離子注入，形成源 /漏極延伸區(qū)；執(zhí)行步驟S206，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻后，在柵極結(jié)構(gòu)及側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo) 體襯底內(nèi)形成源/漏極。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。圖7至圖12是本發(fā)明形成MOS晶體管的實(shí)施例示意圖。如圖7所示，提供半導(dǎo)體 襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200可以為硅或者絕緣體上硅(S0I)。在半導(dǎo)體襯底中形成隔離 結(jié)構(gòu)201，所述隔離結(jié)構(gòu)201為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。 在隔離結(jié)構(gòu)201之間為有源區(qū)202，在有源區(qū)202的半導(dǎo)體襯底200中摻雜離子，形成摻雜 阱203，如果是形成PMOS晶體管，則在半導(dǎo)體襯底200中摻雜η型離子，形成η摻雜阱；而 如果是形成NMOS晶體管，則在半導(dǎo)體襯底200中摻雜ρ型離子，形成ρ摻雜阱。在有源區(qū)202的半導(dǎo)體襯底200上依次形成柵介質(zhì)層204與柵極205，所述柵介質(zhì) 層204與柵極205構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)206。具體形成工藝為用熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法在 半導(dǎo)體襯底200上形成柵介質(zhì)層204 ；接著用化學(xué)氣相沉積法或低壓等離子體化學(xué)氣相沉 積或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在柵介質(zhì)層204上形成多晶硅層；在多晶硅層上形成 光刻膠層，定義柵極圖案；以光刻膠層為掩膜，刻蝕多晶硅層及柵介質(zhì)層204至露出半導(dǎo)體 襯底，形成柵極205 ；灰化去除光刻膠層。所述柵介質(zhì)層204的材料可以是氧化硅(SiO2)或氮氧化硅(SiNO)等。在65nm 以下工藝節(jié)點(diǎn)，柵極的特征尺寸很小，柵介質(zhì)層204優(yōu)選高介電常數(shù)(高K)材料。所述高 K材料包括氧化鉿、氧化鉿硅、氮氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化 鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化鋁等。特別優(yōu)選的是氧化鉿、氧化鋯和氧化鋁。柵介質(zhì)層 204的厚度為15埃到60埃。
柵極205還可以是包含半導(dǎo)體材料的多層結(jié)構(gòu)，例如硅、鍺、金屬或其組合。所述 柵極205的厚度為800埃到3000埃。如圖8所示，用化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底200上形成低溫氧化硅層207，且低 溫氧化硅層207包圍柵極結(jié)構(gòu)206，所述低濕指溫度為350°C 450°C。本實(shí)施例中，所述低溫氧化硅層207的厚度為80埃 150埃，以低溫氧化硅層207 作為后續(xù)偏移側(cè)墻的優(yōu)勢(shì)在于減少溫度效益對(duì)半導(dǎo)體器件的影響。如圖9所示，采用含CF4的混合氣體210經(jīng)過電離后以等離子體形式回刻蝕低溫氧 化硅層207，去除半導(dǎo)體襯底200及柵極結(jié)構(gòu)206上方的低溫氧化硅層207，保留柵極結(jié)構(gòu) 206兩側(cè)、半導(dǎo)體襯底200與柵極結(jié)構(gòu)206交界處半導(dǎo)體襯底200上的低溫氧化硅層207a ； 所述含CF4的混合氣體210刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底200表面之間有角度。本實(shí)施例中，所述含CF4的混合氣體210刻蝕低溫氧化硅層207時(shí)CF4的流量為 IOsccm lOOsccm，占混合氣體總流量的45 55%，其中優(yōu)選占有百分比為50%。本實(shí)施例中，所述含CF4的混合氣體210刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底200表面之間 的角度為89° 90°。如圖10所示，采用包含CH2F2的混合氣體211對(duì)柵極結(jié)構(gòu)206兩側(cè)、半導(dǎo)體襯底 200與柵極結(jié)構(gòu)206交界處半導(dǎo)體襯底200上的低溫氧化硅層207a繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成 偏移側(cè)墻207b。本實(shí)施例中，所述含CH2F2的混合氣體211刻蝕低溫氧化硅層207時(shí)CH2F2的流量 為IOsccm 50SCCm，占混合氣體總流量的20 30%，優(yōu)選占用百分比為25%。本實(shí)施例中，所述包含CH2F2的混合氣體211刻蝕低溫氧化硅層207a和半導(dǎo)體襯 底200具有高刻蝕選擇比，刻蝕低溫氧化硅層207a和半導(dǎo)體襯底200的速率比為3 1 4 1。采用含CF4的混合氣體210對(duì)低溫氧化硅層207進(jìn)行回刻蝕后，柵極結(jié)構(gòu)206與半 導(dǎo)體襯底200交界處仍有較厚的低溫氧化硅層207a進(jìn)行保護(hù)；用含CH2F2的混合氣體211 對(duì)保留的低溫氧化硅層207a繼續(xù)進(jìn)行刻蝕時(shí)，由于CH2F2氣體刻蝕低溫氧化硅層刻蝕的速 率比對(duì)半導(dǎo)體襯底刻蝕的速率快，因此在刻蝕形成偏移側(cè)墻207b時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體襯底的刻蝕 影響不大，半導(dǎo)體襯底也被刻蝕掉的深度小于10埃，改善了 MOS晶體管結(jié)漏電的情況，提高 了半導(dǎo)體器件的電性能。如圖11所示，以柵極結(jié)構(gòu)206和偏移側(cè)墻207b為掩膜，在柵極結(jié)構(gòu)206和偏移側(cè) 墻207b兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)進(jìn)行離子210注入，形成源/漏極延伸區(qū)208。然后，對(duì)半 導(dǎo)體襯底200進(jìn)行退火，使注入的離子210擴(kuò)散均勻。本實(shí)施例中，在形成PMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底200內(nèi)注入的是ρ型離子，所 述P型離子可以是硼離子。在形成NMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底200內(nèi)注入的是η型離 子，所述η型離子可以是磷離子或砷離子。所述退火工藝可以退火采用快速熱退火、脈沖退火或者激光退火。退火的溫度范 圍為1000°C 1070°C，時(shí)間為1秒 30秒。本實(shí)施例中，在形成源/漏極延伸區(qū)208后，還可以繼續(xù)以柵極結(jié)構(gòu)206為掩模， 在柵極結(jié)構(gòu)206兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200內(nèi)進(jìn)行袋形注入(Pocketimplant)的工藝步驟，所 述袋形注入一般采用角度介于O度至45度的離子注入，形成袋形注入?yún)^(qū)。所述袋形注入?yún)^(qū)位于源極延伸區(qū)和漏極延伸區(qū)的外側(cè)，其導(dǎo)電類型與源極延伸區(qū)或漏極延伸區(qū)的導(dǎo)電類型 相反。所述袋形注入工藝可以用來改善器件的短溝道效應(yīng)以及擊穿效應(yīng)(punch through)。 為了清楚解釋本發(fā)明的內(nèi)容，該區(qū)域未示出。然后，參照附圖12，在偏移側(cè)墻207b兩側(cè)形成側(cè)墻212，所述側(cè)墻的材料可以為氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅中一種或者它們組合構(gòu)成。作為本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)化實(shí)施方式，所 述側(cè)墻為氧化硅-氮化硅-氧化硅共同組成，具體工藝為在半導(dǎo)體襯底200上以及柵極結(jié) 構(gòu)206上用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法依次形成第一氧化硅層、氮化硅層以及第二 氧化硅層；然后，采用干法蝕刻的回蝕(etch-back)方法蝕刻第二氧化硅層、氮化硅層以及 第一氧化硅層至露出半導(dǎo)體襯底200及柵極205表面，形成側(cè)墻212。繼續(xù)參考圖12，以柵極結(jié)構(gòu)206、偏移側(cè)墻207b及側(cè)墻212為掩模，在柵極結(jié)構(gòu) 206兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200中進(jìn)行離子注入，形成源/漏極214。最后，對(duì)半導(dǎo)體襯底200 進(jìn)行退火處理，使注入的離子擴(kuò)散均勻。本實(shí)施例中，在形成PMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底200中注入的是ρ型離子，如硼離子等。本實(shí)施例中，在形成NMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底200中注入的是η型離子，如 磷離子或砷離子等。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種偏移側(cè)墻的形成方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介質(zhì)層與柵極，所述柵介質(zhì)層與柵極構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)； 在半導(dǎo)體襯底上形成低溫氧化硅層，且低溫氧化硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)； 采用含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層進(jìn)行回刻蝕，在垂直方向定義出偏移側(cè)墻的外 形，所述含CF4的混合氣體刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底表面之間有角度；采用含CH2F2的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成偏移側(cè)墻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述偏移側(cè)墻的形成方法，其特征在于，所述含CF4的混合氣體刻蝕 低溫氧化硅層時(shí)CF4的流量為IOsccm lOOsccm，占混合氣體總流量的45 55%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述偏移側(cè)墻的形成方法，其特征在于，所述含CF4的混合氣體刻蝕 的角度為89° 90°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述偏移側(cè)墻的形成方法，其特征在于，所述含CH2F2的混合氣體刻 蝕低溫氧化硅層時(shí)CH2F2的流量為IOsccm 50sCCm，占混合氣體總流量的20 30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述偏移側(cè)墻的形成方法，其特征在于，所述含CH2F2的混合氣體刻 蝕低溫氧化硅層和半導(dǎo)體襯底的速率比為3 1 4 1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述偏移側(cè)墻的形成方法，其特征在于，所述偏移側(cè)墻的厚度為80 埃 150埃。
7.—種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介質(zhì)層與柵極，所述柵介質(zhì)層與柵極構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)； 在半導(dǎo)體襯底上形成低溫氧化硅層，且低溫氧化硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)； 采用含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層進(jìn)行回刻蝕，在垂直方向定義出偏移側(cè)墻的外 形，所述含CF4的混合氣體刻蝕的方向與半導(dǎo)體襯底表面之間有角度；采用含CH2F2的混合氣體低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成偏移側(cè)墻； 以柵極結(jié)構(gòu)和偏移側(cè)墻為掩模，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)離子注入，形成源/ 漏極延伸區(qū)；在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻后，在柵極結(jié)構(gòu)及側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源/漏極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述含CF4的混合氣體刻 蝕低溫氧化硅層時(shí)CF4的流量為IOsccm lOOsccm，占混合氣體總流量的45 55%。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述含CF4的混合氣體刻 蝕的角度為89° 90°。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述含CH2F2的混合氣 體刻蝕低溫氧化硅層時(shí)CH2F2的流量為IOsccm 50sCCm，占混合氣體總流量的20 30%。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述含CH2F2的混合氣 體刻蝕低溫氧化硅層和半導(dǎo)體襯底的速率比為3 1 4 1。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述MOS晶體管的形成方法，其特征在于，所述偏移側(cè)墻的厚度為 80埃 150埃。
全文摘要
一種偏移側(cè)墻及MOS晶體管的形成方法。其中偏移側(cè)墻的形成方法，包括在半導(dǎo)體襯底上依次形成柵介質(zhì)層與柵極，所述柵介質(zhì)層與柵極構(gòu)成柵極結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體襯底上形成低溫氧化硅層，且低溫氧化硅層包圍柵極結(jié)構(gòu)；采用含CF4的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層進(jìn)行回刻蝕，在垂直方向定義出偏移側(cè)墻的外形，所述含CF4的混合氣體刻蝕的方向與垂直半導(dǎo)體襯底表面方向之間有角度；采用含CH2F2的混合氣體對(duì)低溫氧化硅層繼續(xù)進(jìn)行回刻蝕，形成偏移側(cè)墻。本發(fā)明改善了MOS晶體管結(jié)漏電的情況，提高了半導(dǎo)體器件的電性能。
文檔編號(hào)H01L21/311GK102054675SQ20091019811
公開日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月2日
發(fā)明者沈滿華, 黃怡 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司