專利名稱：制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng) 效應(yīng)晶體管的方法。
背景技術(shù)：
金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為N 溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)(NMOS)晶體管與P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)(PMOS)晶體管兩大類， PMOS晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)。
如圖1所示為PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。用較低濃度的VA族離子注入硅基 底101，形成摻雜濃度較低的N型阱102。在N型阱102上制作出兩個(gè)氟化硼輕摻雜注入 區(qū)104和110，以及兩個(gè)高摻雜濃度區(qū)103和109，分別作漏極區(qū)(dndn，簡(jiǎn)寫為d)和源 極區(qū)(source，簡(jiǎn)寫為s)。源極區(qū)和漏極區(qū)之間的硅基底上表面覆蓋柵極氧化物層105， 柵極氧化物層105之上是多晶硅柵極108，多晶硅柵極108的兩側(cè)是偏置側(cè)墻106和側(cè)墻 107。而PMOS管最外層的水平表面上均覆蓋硅化物阻擋層111。PMOS管與其他MOS 管之間用淺溝道隔離槽6TI) 112隔開(kāi)。
圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中構(gòu)造PMOS管的工藝流程，包括如下步驟
步驟201:在硅基底上表面沉積柵極氧化物層以及多晶硅層。
步驟202:在多晶硅層上面涂布光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，將基 板上的圖形轉(zhuǎn)印到所述光刻膠上，以剩余的光刻膠為掩膜對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行蝕刻，未 被蝕刻掉的多晶硅形成多晶硅柵極。多晶硅柵極的寬度約為65納米。
步驟203:用熱氧化生長(zhǎng)的方法在硅基底上表面形成一層氧化層。為與后續(xù)步 驟中的氧化硅層相區(qū)別，該氧化層稱為第一氧化硅層。
步驟204:在所述氧化層的上面再淀積一層氮化硅層。所述第一氮化硅層是連續(xù) 分布的，既覆蓋在多晶硅柵極的頂部，也覆蓋在多晶硅柵極的側(cè)壁上，還覆蓋多晶硅柵極 以外的硅基底表面。為與后續(xù)步驟的氮化硅層相區(qū)別，該氮化硅層稱為第一氮化硅層。
步驟205:對(duì)所述第一氮化硅層進(jìn)行蝕刻，使覆蓋在多晶硅柵極頂部以及硅基 底表面的水平分布的氮化硅薄膜通過(guò)蝕刻反應(yīng)消耗掉，在多晶硅柵極側(cè)壁上覆蓋的氮化 硅層殘留下來(lái)，成為偏置側(cè)墻結(jié)構(gòu)。多晶硅柵極與偏置側(cè)墻的總寬度范圍在70納米至 100納米。
步驟206 在多晶硅柵極兩側(cè)的偏置側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行輕摻雜(LDD) 注入，注入氟化硼劑量IxlO14 3xl015/cm2。
步驟207:對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理過(guò)程以升溫速率為180攝氏度/秒至 250攝氏度/秒對(duì)晶圓進(jìn)行熱處理，將晶圓的溫度從初始溫度升溫到峰值溫度，再用相同 的速率對(duì)晶圓降溫。所述初始溫度的范圍是400°C 650°C，峰值溫度的范圍900°C 1100°C。
步驟208:在晶圓表面依次淀積第二氧化硅層以及第二氮化硅層。所述第二氧化硅層以及第二氮化硅層是連續(xù)分布的，既覆蓋在多晶硅柵極的頂部，也覆蓋在多晶硅 柵極的側(cè)壁上，還覆蓋在多晶硅柵極以外的硅基底表面。
步驟209:對(duì)所述第二氮化硅層以及第二氧化硅層進(jìn)行蝕刻，使覆蓋在多晶硅 柵極頂部以及硅基底表面的水平分布的第二氮化硅層以及第二氧化硅層薄膜通過(guò)蝕刻反 應(yīng)消耗掉，在多晶硅柵極側(cè)壁上覆蓋的第二氮化硅層和第二氧化硅層殘留下來(lái)，成為側(cè) 墻結(jié)構(gòu)。
步驟210 在多晶硅柵極兩側(cè)分布的側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行大劑量離子注 入，分別形成源極和漏極。
該大劑量離子注入分兩步進(jìn)行，首先注入的是硼離子，能量4千電子伏(keV) 7KeV，劑量IxlO13 lxl014/cm2，接著注入氟化硼，能量為4keV 12KeV，劑量為 IxlO15 lxl016/cm2。
步驟211 在晶圓表面沉積第三氧化硅層作為硅化物阻擋層。
步驟212:對(duì)晶圓進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程以升溫速率為180攝氏度/秒至 250攝氏度/秒對(duì)晶圓進(jìn)行熱處理，將晶圓的溫度從初始溫度升溫到峰值溫度，再用相同 的速率對(duì)晶圓降溫。所述初始溫度的范圍是400°C 650°C，峰值溫度的范圍900°C 1100°C。
步驟213 對(duì)硅化物阻擋層進(jìn)行蝕刻。
隨著工藝的發(fā)展，MOS管的關(guān)鍵尺寸(CD)不斷減小，飽和電流也隨之減小。 當(dāng)MOS管的寬度(Width，簡(jiǎn)寫為W)小于10微米(μ m)時(shí)，則稱之為小尺寸MOS管。 圖3示出了當(dāng)柵極長(zhǎng)度(L)保持為0.06微米(μ m)時(shí)，MOS管飽和電流與MOS管柵極寬 度(W)的關(guān)系曲線，其中橫坐標(biāo)為柵極寬度，單位為微米，縱坐標(biāo)為飽和電流(Idsat)， 單位為微安(μΑ)。其中曲線301為目標(biāo)值，曲線302為實(shí)際測(cè)量的飽和電流?？梢钥?出，在柵極寬度較小的情況下，實(shí)際測(cè)量得到的MOS管飽和電流均小于目標(biāo)值，這被稱 為小尺寸MOS管性能退化問(wèn)題，這樣就在性能上對(duì)MOS管尺寸的進(jìn)一步減小造成了限 制。換句話說(shuō)，為了 MOS管仍然保持較好的性能，則MOS管的尺寸不能太小，而半導(dǎo) 體集成電路尺寸減小是技術(shù)進(jìn)步的總趨勢(shì)，如此一來(lái)就造成了 MOS管尺寸和半導(dǎo)體集成 電路尺寸之間的矛盾。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于，提出一種制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 的方法，可以提高小尺寸MOS管的性能。
本發(fā)明實(shí)施例提出了一種制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，包括如 下步驟
在晶圓的硅基底上表面堆疊多晶硅柵極結(jié)構(gòu)；
在所述多晶硅柵極的兩側(cè)構(gòu)造偏置側(cè)墻；
在所述多晶硅柵極兩側(cè)的偏置側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行輕摻雜注入；
對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理；
在多晶硅柵極側(cè)壁上的偏置側(cè)墻的外側(cè)構(gòu)造側(cè)墻；
在多晶硅柵極兩側(cè)分布的側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行大劑量離子注入，分別形成源極和漏極；
對(duì)晶圓進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程；
在晶圓表面沉積硅化物阻擋層，并對(duì)硅化物阻擋層進(jìn)行蝕刻。
較佳地，所述在晶圓的硅基底上表面堆疊多晶硅柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括
在硅基底上表面沉積柵極氧化物層以及多晶硅層；
在多晶硅層上面涂布光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，將基板上的圖形 轉(zhuǎn)印到所述光刻膠上，以剩余的光刻膠為掩膜對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行蝕刻，未被蝕刻掉的 多晶硅形成多晶硅柵極。
其中，所述多晶硅柵極的寬度范圍為65納米至75納米。
所述在所述多晶硅柵極的兩側(cè)構(gòu)造偏置側(cè)墻的步驟包括
用熱氧化生長(zhǎng)的方法在硅基底上表面形成第一氧化層；
在所述氧化層的上面淀積第一氮化硅層；
對(duì)所述第一氮化硅層進(jìn)行蝕刻，使覆蓋在多晶硅柵極頂部以及硅基底表面的水 平分布的氮化硅薄膜通過(guò)蝕刻反應(yīng)消耗掉，在多晶硅柵極側(cè)壁上覆蓋的氮化硅層殘留下 來(lái)，成為偏置側(cè)墻結(jié)構(gòu)。
較佳地，所述多晶硅柵極與偏置側(cè)墻的總寬度為70納米至100納米。
所述對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理和/或?qū)A進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程中，升 溫速率和降溫速率為50攝氏度/秒至100攝氏度/秒。
所述對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理和/或?qū)A進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程中，初 始溫度的范圍是400°C至650°C，峰值溫度的范圍900°C至1100°C。
所述在所述多晶硅柵極兩側(cè)的偏置側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行輕摻雜注入的步 驟中，注入氟化硼劑量1父1014/0112至3\1015/0112。
從以上技術(shù)方案可以看出，通過(guò)對(duì)制造PMOS管的流程進(jìn)行調(diào)整優(yōu)化，可以有 效提升小尺寸PMOS管的飽和電流，從而改善其性能。
其中，將高濃度摻雜熱處理過(guò)程放在硅化物阻擋層沉積過(guò)程之前，這樣作的目 的是減少源極/漏極注入的雜質(zhì)向外擴(kuò)散，從而降低等效的柵氧電學(xué)厚度，提高器件的 性能。通過(guò)減小氮化硅沉積形成的偏置側(cè)墻的關(guān)鍵尺寸，可以增加?xùn)艠O與源漏極的交疊 電容，從而提高器件的性能；在輕摻雜后的熱處理和高濃度摻雜后的熱處理過(guò)程中，使 用更低的升溫速率，這樣可以一方面改善器件的均勻性，另一方面熱處理預(yù)算增加，提 高的淺結(jié)隔離區(qū)對(duì)有源區(qū)的壓應(yīng)力。以上所列舉的各個(gè)優(yōu)化措施可以單獨(dú)使用，也可以 將上述措施結(jié)合起來(lái)使用。


圖1為PMOS晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖2為現(xiàn)有技術(shù)中構(gòu)造PMOS管的工藝流程圖3為當(dāng)柵極長(zhǎng)度(L)保持為0.06微米(μ m)時(shí)，PMOS管飽和電流與PMOS管柵極寬度(W)的關(guān)系曲線；
圖4為本發(fā)明實(shí)施例的制造PMOS管的流程圖。
具體實(shí)施例方式發(fā)明人通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，采用如下處理手段可以改善小尺寸PMOS管的性能1、減小氮化硅沉積形成的偏置側(cè)墻的關(guān)鍵尺寸。這樣作的效果是增加?xùn)艠O與源 漏極的交疊電容，從而提高器件的性能。2、增大多晶硅的關(guān)鍵尺寸，以補(bǔ)償偏置柵極減小的影響。3、ρ型輕摻雜(Light Doped Drain，LDD)后的熱處理以及ρ型高濃度摻雜后的
熱處理過(guò)程中，使用更低的升溫速率。這樣可以一方面改善器件的均勻性，另一方面熱 處理預(yù)算增加，提高的淺結(jié)隔離區(qū)對(duì)有源區(qū)的壓應(yīng)力，從而提高了小尺寸P型器件的性 能。例如初始為500攝氏度，峰值溫度為1000攝氏度，現(xiàn)有技術(shù)的升溫速率為 180攝氏度/秒至250攝氏度/秒，本發(fā)明推薦的升溫速率為50攝氏度/秒至100攝氏度/秒。4、將ρ型高濃度摻雜熱處理過(guò)程放在硅化物阻擋層沉積過(guò)程之前。這樣作的目 的是減少源極/漏極注入的P型雜質(zhì)向外擴(kuò)散，從而降低等效的柵氧電學(xué)厚度，提高器件 的性能。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一 步的詳細(xì)闡述。圖4示出了本發(fā)明實(shí)施例的制造PMOS管的流程，包括如下步驟步驟401 在硅基底上表面堆疊多晶硅柵極結(jié)構(gòu)。具體做法如下在硅基底上表面沉積柵極氧化物層以及多晶硅層；在多晶硅層上面涂布光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，將基板上的圖形 轉(zhuǎn)印到所述光刻膠上，以剩余的光刻膠為掩膜對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行蝕刻，未被蝕刻掉的 多晶硅形成多晶硅柵極。該多晶硅柵極的寬度可以比現(xiàn)有技術(shù)的65納米更大些，例如可 以是為65納米至75納米之間的某一個(gè)值。步驟402:用熱氧化生長(zhǎng)的方法在硅基底上表面形成一層氧化層。為與后續(xù)步 驟中的氧化硅層相區(qū)別，該氧化層稱為第一氧化硅層。步驟403:在所述氧化層的上面再淀積一層氮化硅層。所述第一氮化硅層是連 續(xù)分布的，既覆蓋在多晶硅柵極的頂部，也覆蓋在多晶硅柵極的側(cè)壁上，還覆蓋在多晶 硅柵極以外的硅基底表面。為與后續(xù)步驟的氮化硅層相區(qū)別，該氮化硅層稱為第一氮化 硅層。步驟404:對(duì)所述第一氮化硅層進(jìn)行蝕刻，使覆蓋在多晶硅柵極頂部以及硅基 底表面的水平分布的氮化硅薄膜通過(guò)蝕刻反應(yīng)消耗掉，在多晶硅柵極側(cè)壁上覆蓋的氮化 硅層殘留下來(lái)，成為偏置側(cè)墻結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例中，多晶硅柵極與偏置側(cè)墻的總寬度 范圍基本與現(xiàn)有技術(shù)保持不變，仍然為70納米至100納米。只是其中偏置側(cè)墻所占的比 例比現(xiàn)有技術(shù)偏小。以上步驟402至404可以稱為偏置側(cè)墻的構(gòu)造過(guò)程。步驟405 在多晶硅柵極兩側(cè)的偏置側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行輕摻雜(LDD) 注入，注入氟化硼劑量1父1014/0112至3\10170112。 步驟406:對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理以升溫速率為50攝氏度/秒至100攝氏度/秒對(duì)晶圓進(jìn)行熱處理，將晶圓的溫度從初始溫度升溫到峰值溫度，再用相同的速率 對(duì)晶圓降溫。所述初始溫度的范圍是400°C 650°C，峰值溫度的范圍900°C 1100°C。 該升溫速率和降溫速率要顯著低于現(xiàn)有技術(shù)中的升溫速率和降溫速率。步驟407:在晶圓 表面依次淀積第二氧化硅層以及第二氮化硅層。所述第二氧 化硅層以及第二氮化硅層是連續(xù)分布的，既覆蓋在多晶硅柵極的頂部，也覆蓋在多晶硅 柵極的側(cè)壁上，還覆蓋在多晶硅柵極以外的硅基底表面。步驟408:對(duì)所述第二氮化硅層以及第二氧化硅層進(jìn)行蝕刻，使覆蓋在多晶硅 柵極頂部以及硅基底表面水平分布的第二氮化硅層以及第二氧化硅層薄膜通過(guò)蝕刻反應(yīng) 消耗掉，在多晶硅柵極側(cè)壁上覆蓋的第二氮化硅層和第二氧化硅層殘留下來(lái)，成為側(cè)墻 結(jié)構(gòu)。以上步驟407至408可以稱為在多晶硅柵極側(cè)壁上的偏置側(cè)墻的外側(cè)構(gòu)造側(cè)
掉 丄回ο步驟409 在多晶硅柵極兩側(cè)分布的側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行大劑量離子注 入，分別形成源極和漏極。該大劑量離子注入分兩步進(jìn)行，首先注入的是硼離子，推薦的注入?yún)?shù)為能 量4keV 7KeV，劑量1 X IO13 1 X IO1Vcm2 ；接著注入氟化硼，推薦的注入?yún)?shù)為 能量為 4keV 12KeV，劑量為 1 X IO15 1 X IO1Vcm20步驟410:對(duì)晶圓進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程以升溫速率為50攝氏度/秒至 100攝氏度/秒對(duì)晶圓進(jìn)行熱處理，將晶圓的溫度從初始溫度升溫到峰值溫度，再用相同 的速率對(duì)晶圓降溫。所述初始溫度的范圍是4000C 650 0C，峰值溫度的范圍900 °C 1100°C。該升溫速率和降溫速率要顯著低于現(xiàn)有技術(shù)中的升溫速率和降溫速率。步驟411 在晶圓表面沉積第三氧化硅層作為硅化物阻擋層。步驟412:對(duì)硅化物阻擋層進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明方案通過(guò)對(duì)制造PMOS管的流程進(jìn)行調(diào)整優(yōu)化，可以有效提升小尺寸 PMOS管的飽和電流，從而改善其性能。其中，通過(guò)減小氮化硅沉積形成的偏置側(cè)墻的關(guān)鍵尺寸，可以增加?xùn)艠O與源漏 極的交疊電容，從而提高器件的性能；在P型輕摻雜后的熱處理和P型高濃度摻雜后的 熱處理過(guò)程中，使用更低的升溫速率，這樣可以一方面改善器件的均勻性，另一方面熱 處理預(yù)算增加，提高的淺結(jié)隔離區(qū)對(duì)有源區(qū)的壓應(yīng)力；將P型高濃度摻雜熱處理過(guò)程放 在硅化物阻擋層沉積過(guò)程之前。這樣作的目的是減少源極/漏極注入的P型雜質(zhì)向外擴(kuò) 散，從而降低等效的柵氧電學(xué)厚度，提高器件的性能。以上所列舉的各個(gè)優(yōu)化措施可以 單獨(dú)使用，也可以將上述措施結(jié)合起來(lái)使用。以上實(shí)施例以PMOS管的制造過(guò)程為例進(jìn)行說(shuō)明。由于NMOS管的結(jié)構(gòu)與 PMOS管結(jié)構(gòu)是類似的，只是其中的P型區(qū)和N型區(qū)恰好相反，本發(fā)明方案同樣可以應(yīng)用 于NMOS管的制造過(guò)程，只是其中的離子注入過(guò)程中，將陽(yáng)離子替換為陰離子，將陰離 子替換為陽(yáng)離子即可。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的 精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，包括如下步驟在晶圓的硅基底上表面堆疊多晶硅柵極結(jié)構(gòu)；在所述多晶硅柵極的兩側(cè)構(gòu)造偏置側(cè)墻；在所述多晶硅柵極兩側(cè)的偏置側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行輕摻雜注入；對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理；在多晶硅柵極側(cè)壁上的偏置側(cè)墻的外側(cè)構(gòu)造側(cè)墻；在多晶硅柵極兩側(cè)分布的側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行大劑量離子注入，分別形成源 極和漏極；對(duì)晶圓進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程；在晶圓表面沉積硅化物阻擋層，并對(duì)硅化物阻擋層進(jìn)行蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在晶圓的硅基底上表面堆疊多晶硅 柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括在硅基底上表面沉積柵極氧化物層以及多晶硅層；在多晶硅層上面涂布光刻膠，對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光并顯影，將基板上的圖形轉(zhuǎn)印 到所述光刻膠上，以剩余的光刻膠為掩膜對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行蝕刻，未被蝕刻掉的多晶 硅形成多晶硅柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述多晶硅柵極的寬度范圍為65納米 至75納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅柵極的兩 側(cè)構(gòu)造偏置側(cè)墻的步驟包括用熱氧化生長(zhǎng)的方法在硅基底上表面形成第一氧化層；在所述氧化層的上面淀積第一氮化硅層；對(duì)所述第一氮化硅層進(jìn)行蝕刻，使覆蓋在多晶硅柵極頂部以及硅基底表面的水平分 布的氮化硅薄膜通過(guò)蝕刻反應(yīng)消耗掉，在多晶硅柵極側(cè)壁上覆蓋的氮化硅層殘留下來(lái)， 成為偏置側(cè)墻結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述多晶硅柵極與偏置側(cè)墻的總寬度為 70納米至100納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理和/ 或?qū)A進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程中，升溫速率和降溫速率為50攝氏度/秒至100攝氏度/秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理和/或 對(duì)晶圓進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程中，初始溫度的范圍是400°C至650°C，峰值溫度的范圍 900 °C 至 1100°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3、6、7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅柵 極兩側(cè)的偏置側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行輕摻雜注入的步驟中，注入氟化硼劑量IX IO14/ cm2 至 3X1015/cm2。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一制造金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法，在晶圓的硅基底上表面堆疊多晶硅柵極結(jié)構(gòu)；在所述多晶硅柵極的兩側(cè)構(gòu)造偏置側(cè)墻；在所述多晶硅柵極兩側(cè)的偏置側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行輕摻雜注入；對(duì)晶圓進(jìn)行第一快速熱處理；在多晶硅柵極側(cè)壁上的偏置側(cè)墻的外側(cè)構(gòu)造側(cè)墻；在多晶硅柵極兩側(cè)分布的側(cè)墻底部的硅基底區(qū)域進(jìn)行大劑量離子注入，分別形成源極和漏極；對(duì)晶圓進(jìn)行第二快速熱處理過(guò)程；在晶圓表面沉積硅化物阻擋層，并對(duì)硅化物阻擋層進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明方案可以提高小尺寸金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能。
文檔編號(hào)H01L21/324GK102024704SQ20091019586
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月17日
發(fā)明者劉兵武, 居建華 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司