專利名稱：具有改進(jìn)終端的igbt的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，尤其涉及一種具有改進(jìn)終端的IGBT。
背景技術(shù)：
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)是在一塊硅芯片上的許多小器件單元(稱為元胞)并 聯(lián)而成的，各元胞在表面有基本相同的電位，因此元胞之間并不存在擊穿的問(wèn)題。但是在元 胞的最外圈和襯底之間存在高電壓差，是器件擊穿最先發(fā)生的區(qū)域，所以，在芯片中元胞的 最外圈的外面要增加終端進(jìn)行保護(hù)，以降低這些區(qū)域的表面峰值電場(chǎng)，提高擊穿電壓，這就 是所謂的終端保護(hù)。傳統(tǒng)的IGBT結(jié)構(gòu)的正面結(jié)構(gòu)分為元胞區(qū)和終端區(qū)，背面結(jié)構(gòu)為均勻的P+集電極 區(qū)。所述正面為芯片中IGBT用于引出發(fā)射極和柵極所在的一面，所述背面為芯片中IGBT用 于引出集電極所在的一面。圖1是傳統(tǒng)的IGBT結(jié)構(gòu)的俯視圖，即芯片的正面示意圖。如圖 1所示，IGBT包括中間部分的元胞區(qū)100和將元胞區(qū)100都包裹的終端區(qū)200。圖2是圖1 沿A-A線的剖面圖，如圖2所示，元胞區(qū)100包括柵極區(qū)103、與柵極區(qū)接觸的發(fā)射區(qū)101、與 發(fā)射區(qū)101連接的N+發(fā)射極區(qū)102、與發(fā)射區(qū)101連接的P型體區(qū)104，所述N+發(fā)射極區(qū) 102位于P型體區(qū)104內(nèi)，所述P型體區(qū)104位于元胞N-漂移區(qū)105內(nèi)，在元胞N-漂移區(qū) 105的下方形成有P+集電極區(qū)106，也就是P+陽(yáng)極區(qū)，在P+集電極區(qū)106設(shè)置有集電極， 也就是陽(yáng)極，在所述柵極區(qū)103上設(shè)置柵極，在所述發(fā)射區(qū)101上設(shè)置發(fā)射極。在每個(gè)元胞 單元中，柵極區(qū)103形成于兩個(gè)N+發(fā)射極區(qū)102和溝道區(qū)的上面，通過(guò)柵氧化層與N+發(fā)射 極區(qū)102和溝道區(qū)相對(duì)。終端區(qū)200包括終端正面結(jié)構(gòu)201、與元胞N-漂移區(qū)105相同的 終端漂移區(qū)203、與P+集電極區(qū)106相同的終端集電極區(qū)204和分布于終端漂移區(qū)203中 的終端內(nèi)部結(jié)構(gòu)202。所述終端正面結(jié)構(gòu)201與所述發(fā)射區(qū)101中間具有絕緣層，所述終端 正面結(jié)構(gòu)可以為場(chǎng)板。所述終端內(nèi)部結(jié)構(gòu)202為溝道截止環(huán)和若干場(chǎng)環(huán)。所述元胞N-漂 移區(qū)105和終端漂移區(qū)203統(tǒng)稱為IGBT漂移區(qū)。IGBT是重要的大功率開關(guān)器件，其開關(guān)特性參數(shù)是IGBT最重要的性能參數(shù)之一。 一般而言，IGBT是一種典型的MOS (絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管)驅(qū)動(dòng)BJT (雙極結(jié)型晶體管)的達(dá)林 頓結(jié)構(gòu)，保持了功率MOS開通速度快的優(yōu)點(diǎn)。而關(guān)斷過(guò)程由于BJT結(jié)構(gòu)存在電荷存儲(chǔ)效應(yīng)， 大體上可分為溝道電流關(guān)斷和過(guò)剩載流子復(fù)合兩個(gè)過(guò)程。通常DMOS (垂直雙擴(kuò)散金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)溝道電流關(guān)斷比較快，然而，IGBT漂移區(qū)過(guò)剩載流子復(fù)合過(guò)程較慢，所 以引起IGBT關(guān)斷過(guò)程有一個(gè)長(zhǎng)的電流拖尾，增加關(guān)斷能量損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種具有改進(jìn)終端的IGBT，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中IGBT漂移 區(qū)過(guò)剩載流子的復(fù)合過(guò)程較慢，引起IGBT關(guān)斷過(guò)程有一個(gè)長(zhǎng)的拖尾電流，因此關(guān)斷能量損 耗較大的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的
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一種具有改進(jìn)終端的IGBT，包括元胞區(qū)和環(huán)繞于所述元胞區(qū)的終端區(qū)，所述IGBT 的背面具有IGBT集電極區(qū)，所述IGBT集電極區(qū)與第一導(dǎo)電類型的IGBT漂移區(qū)連接且位于 所述IGBT漂移區(qū)的下面，所述IGBT集電極區(qū)包括元胞集電極區(qū)和終端集電極區(qū)，所述元胞 集電極區(qū)具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體，其中，所述終端集電極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的IGBT集電極區(qū)全部為第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體而言，本發(fā)明 的終端集電極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體，因此，就減少了終端集電極區(qū)向IGBT漂移區(qū) 注入第二導(dǎo)電類型載流子的數(shù)量，減少了關(guān)斷時(shí)IGBT漂移區(qū)中第一導(dǎo)電類型載流子和第 二導(dǎo)電類型載流子的復(fù)合時(shí)間以及復(fù)合數(shù)量，降低了拖尾電流和關(guān)斷能耗。


圖1是傳統(tǒng)的IGBT結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2是圖1中IGBT結(jié)構(gòu)沿A-A線的剖面圖；圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的IGBT結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì) 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。根據(jù)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子決定，決定半導(dǎo)體的類型。如果第一導(dǎo)電類型的多數(shù)載 流子為空穴，則第一導(dǎo)電類型為P型，重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型為P+型，輕摻雜的第一類型為 P-型；如果第一導(dǎo)電類型的多數(shù)載流子為電子，則第一導(dǎo)電類型為N型，重?fù)诫s的第一導(dǎo)電 類型為N+型，輕摻雜的第一類型為N-型。第二導(dǎo)電類型的多數(shù)載流子為第二類型載流子， 第一導(dǎo)電類型的多數(shù)載流子為第一類型載流子。第一導(dǎo)電類型為N型時(shí)，則第二導(dǎo)電類型 為P型。本發(fā)明實(shí)施例的主要宗旨在于降低位于終端區(qū)集電極區(qū)上方的IGBT漂移區(qū)內(nèi)的 第二類型載流子的濃度。本發(fā)明的具有改進(jìn)終端的IGBT(下面簡(jiǎn)稱為IGBT)，包括元胞區(qū)和環(huán)繞于所述元 胞區(qū)的終端區(qū)，所述IGBT的背面具有IGBT集電極區(qū)，所述IGBT集電極區(qū)與第一導(dǎo)電類型 的IGBT漂移區(qū)連接且位于所述IGBT漂移區(qū)的下面，所述IGBT集電極區(qū)包括元胞集電極區(qū) 和終端集電極區(qū)，所述元胞集電極區(qū)具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體，其中，所述終端集電極區(qū)具 有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體。所述終端集電極區(qū)可以全部為第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體，也可以部分 為第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的IGBT集電極區(qū)全部為第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo) 體而言，本發(fā)明的終端集電極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體，因此，就減少了終端集電極區(qū) 向IGBT漂移區(qū)注入第二導(dǎo)電類型載流子的數(shù)量，減少了關(guān)斷時(shí)，在IGBT漂移區(qū)中第一導(dǎo) 電類型載流子和第二導(dǎo)電類型載流子的復(fù)合時(shí)間以及復(fù)合數(shù)量，降低了拖尾電流和關(guān)斷能
^^ ο進(jìn)一步，本發(fā)明優(yōu)選所述終端集電極區(qū)部分具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體。本技術(shù)方 案中，所述終端集電極區(qū)的另一部分為第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體，所述終端集電極區(qū)的第二導(dǎo)
4電類型半導(dǎo)體為若干小塊分別設(shè)置在所述終端集電極區(qū)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體中。進(jìn)一步，本發(fā)明優(yōu)選所述終端集電極區(qū)部分具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體。本技術(shù)方 案中，所述終端集電極區(qū)分成相互連接兩塊區(qū)域，第一塊區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體，第二 塊區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電類型半導(dǎo)體，所述終端集電極區(qū)的第二塊區(qū)域鄰接于元胞集電極區(qū)。進(jìn)一步，所述第二塊區(qū)域的長(zhǎng)度等于IGBT漂移區(qū)的厚度。所述IGBT漂移區(qū)的厚 度為60微米至500微米。在IGBT漂移區(qū)中，IGBT集電極區(qū)的多數(shù)載流子電流流向趨近于 元胞周邊45度角范圍內(nèi)的區(qū)域，所以第二塊區(qū)域中多數(shù)載流子對(duì)于IGBT的電流是有貢獻(xiàn) 的，這樣既可以減少?gòu)?fù)合時(shí)間和拖尾電流，又不會(huì)對(duì)IGBT的工作電流造成影響。進(jìn)一步，所述終端集電極區(qū)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的摻雜濃度與IGBT漂移區(qū)的 摻雜濃度相同，這樣可以減少制作工序，節(jié)約成本。進(jìn)一步，所述終端集電極區(qū)的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的摻雜濃度大于IGBT漂移區(qū) 的摻雜濃度，為重?fù)诫s，這樣有利于與材料為金屬的接觸層進(jìn)行歐姆接觸，降低接觸電阻。進(jìn)一步，所述IGBT還包括用于引出集電極的接觸層，所述接觸層鄰接于所述IGBT 集電極區(qū)之下。為了降低接觸電阻，位于終端集電極區(qū)的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體下面的接 觸層是氧化物層，其他的接觸層為金屬層；所述氧化物層優(yōu)選硅氧化層。進(jìn)一步，所述IGBT還包括一緩沖層，所述緩沖層位于所述IGBT集電極區(qū)與IGBT 漂移區(qū)之間，用于防止IGBT發(fā)生穿通，實(shí)現(xiàn)低的通態(tài)電壓。以下將參照附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例一圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例的IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖。參照?qǐng)D3，本實(shí)施例的IGBT包括 中間部分的元胞區(qū)100和環(huán)繞于所述元胞區(qū)100的終端區(qū)200，所述元胞區(qū)100包括平面柵 極區(qū)103、與平面柵極區(qū)103接觸的元胞發(fā)射區(qū)101、與元胞發(fā)射區(qū)101連接的重?fù)诫s的第 一導(dǎo)電類型(例如N+型)發(fā)射極區(qū)102、與元胞發(fā)射區(qū)101連接的第二導(dǎo)電類型(例如P 型)體區(qū)(下面簡(jiǎn)稱P型體區(qū))104，所述發(fā)射極區(qū)102位于P型體區(qū)104中，所述P型體區(qū) 104位于元胞的輕摻雜的第一導(dǎo)電類型(例如N-型)漂移區(qū)(下面簡(jiǎn)稱元胞漂移區(qū))105 內(nèi)，在元胞漂移區(qū)105的下方形成有重?fù)诫s的第二導(dǎo)電類型(例如P+型)元胞集電極區(qū) 106，也稱為P+陽(yáng)極區(qū)。在元胞集電極區(qū)106上設(shè)置有集電極，也稱為陽(yáng)極。在平面柵極區(qū) 103上設(shè)置柵極、在元胞發(fā)射區(qū)101上設(shè)置發(fā)射極。IGBT中用于引出集電極的一面為背面， 與之相對(duì)的一面為正面。在每個(gè)IGBT元胞單元中，柵極區(qū)103形成于兩個(gè)發(fā)射極區(qū)102和 溝道區(qū)的上面，通過(guò)柵氧化層與發(fā)射極區(qū)102和溝道區(qū)相對(duì)。終端區(qū)200具有終端正面結(jié) 構(gòu)201、與元胞漂移區(qū)105相同的終端漂移區(qū)203、分布于終端漂移區(qū)203中的終端內(nèi)部結(jié) 構(gòu)202以及終端集電極區(qū)204。所述終端正面結(jié)構(gòu)201與所述元胞發(fā)射區(qū)101之間具有絕 緣層，所述終端正面結(jié)構(gòu)201可以為場(chǎng)板。所述元胞漂移區(qū)105和終端漂移區(qū)203統(tǒng)稱為 IGBT漂移區(qū)。所述終端集電極區(qū)204和與之相連接的元胞集電極區(qū)106統(tǒng)稱為IGBT集電 極區(qū)。所述終端集電極區(qū)204包括重?fù)诫s的第二導(dǎo)電類型(例如P+型)第二塊區(qū)域2042 和輕摻雜的第一導(dǎo)電類型(例如N-型)第一塊區(qū)域2041，所述第二塊區(qū)域2042設(shè)置于第 一塊區(qū)域2041與元胞集電極區(qū)106之間。所述第二塊區(qū)域2042的長(zhǎng)度L大于等于零小于 終端區(qū)的長(zhǎng)度。本實(shí)施例優(yōu)選第二塊區(qū)域2042的長(zhǎng)度L等于IGBT漂移區(qū)的厚度H。所述 IGBT漂移區(qū)的厚度H為60微米至500微米，本實(shí)施例優(yōu)選所述地塊區(qū)域2042的長(zhǎng)度L為
5180微米。因?yàn)樵贗GBT漂移區(qū)中，空穴電流流向趨近于元胞周邊45度角范圍內(nèi)的區(qū)域，所 以這樣既可以保證適當(dāng)?shù)腎GBT電流，又可以在IGBT關(guān)斷時(shí)減少漂移區(qū)中的空穴的注入，進(jìn) 而減少空穴電子復(fù)合帶來(lái)的關(guān)斷時(shí)間和減少關(guān)斷損耗。進(jìn)一步，在IGBT的背面還具有接觸層3，所述接觸層3位于終端區(qū)集電極區(qū)204和 元胞集電區(qū)106的下面，為了降低接觸電阻，本實(shí)施例的接觸層3包括位于第一塊區(qū)域2041 下面的氧化層302 (例如二氧化硅層)和位于第二塊區(qū)域2042和元胞集電極區(qū)106下面的 金屬層301，所述金屬可以為鋁。實(shí)施例二圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例的IGBT結(jié)構(gòu)示意圖。第一實(shí)施例的IGBT為平面柵型 IGBT，本實(shí)施例的IGBT為溝槽柵型IGBT。本實(shí)施例IGBT除了柵結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例的IGBT 不一樣外，其他的主要區(qū)別如下參照?qǐng)D4，本實(shí)施例的IGBT包括中間部分的元胞區(qū)100和環(huán)繞于所述元胞區(qū)100 的終端區(qū)200，所述元胞區(qū)100包括溝槽型柵極區(qū)103、與溝槽型柵極區(qū)103通過(guò)一絕緣層 相對(duì)的元胞發(fā)射區(qū)101、與元胞發(fā)射區(qū)101連接的重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型(例如N+型)發(fā) 射極區(qū)102、與元胞發(fā)射區(qū)101連接的第二導(dǎo)電類型(例如P型)體區(qū)(下面簡(jiǎn)稱P型體 區(qū))104，所述發(fā)射極區(qū)102位于所述P型體區(qū)104中，所述P型體區(qū)104位于元胞輕摻雜 的第一導(dǎo)電類型(例如N-型)漂移區(qū)(下面簡(jiǎn)稱元胞漂移區(qū))105內(nèi)，所述溝槽型柵極區(qū) 103和柵氧化層穿過(guò)P型體區(qū)104到達(dá)元胞漂移區(qū)105，在元胞漂移區(qū)105的下方形成有重 摻雜的第二導(dǎo)電類型(例如P+型)元胞集電極區(qū)106，也稱為P+陽(yáng)極區(qū)。在元胞集電極區(qū) 106上設(shè)置有集電極，也稱為陽(yáng)極。在溝槽型柵極區(qū)103上設(shè)置有柵極、在元胞發(fā)射區(qū)101 上設(shè)置有發(fā)射極。IGBT中用于引出集電極的一面為背面，與之相對(duì)的一面為正面。終端區(qū) 200具有終端正面結(jié)構(gòu)201、與元胞漂移區(qū)105相同的終端漂移區(qū)203、分布于終端漂移區(qū) 203中的終端內(nèi)部結(jié)構(gòu)202以及終端集電極區(qū)204。所述終端正面結(jié)構(gòu)201與所述元胞發(fā) 射區(qū)101之間具有絕緣層，所述終端正面結(jié)構(gòu)201為場(chǎng)板。所述元胞漂移區(qū)105和終端漂 移區(qū)203統(tǒng)稱為IGBT漂移區(qū)。所述元胞集電極區(qū)106和終端集電極區(qū)204統(tǒng)稱為IGBT集 電極區(qū)。所述IGBT漂移區(qū)與IGBT集電極區(qū)間還包括重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型(例如N+型) 緩沖層107。所述終端集電極區(qū)204包括重?fù)诫s的第二導(dǎo)電類型(例如P+型)第二塊區(qū)域 2042和重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型(例如N+型)第一塊區(qū)域2041，所述第二塊區(qū)域2042設(shè)置 于第一塊區(qū)域2041與元胞集電極區(qū)106之間。所述第二塊區(qū)域2042的長(zhǎng)度大于等于零小 于終端區(qū)的長(zhǎng)度。本實(shí)施例優(yōu)選第二塊區(qū)域2042的長(zhǎng)度為漂移區(qū)的厚度。這樣既可以保 證適當(dāng)?shù)腎GBT電流，又可以在IGBT關(guān)斷時(shí)減少漂移區(qū)中的空穴的注入，進(jìn)而減少空穴電子 復(fù)合帶來(lái)的關(guān)斷時(shí)間和減少關(guān)斷損耗。進(jìn)一步，在IGBT的背面還具有接觸層3，所述接觸層位于終端區(qū)集電極區(qū)204和 元胞集電區(qū)106的下面，為了降低接觸電阻，本實(shí)施例的接觸層3包括位于終端區(qū)集電極區(qū) 204和元胞集電極區(qū)106下面的金屬層3，所述金屬可以為鋁。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在 本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范 圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有改進(jìn)終端的IGBT，包括元胞區(qū)和環(huán)繞于所述元胞區(qū)的終端區(qū)，所述IGBT的 背面具有IGBT集電極區(qū)，所述IGBT集電極區(qū)與第一導(dǎo)電類型的IGBT漂移區(qū)連接且位于所 述IGBT漂移區(qū)的下面，所述IGBT集電極區(qū)包括元胞集電極區(qū)和終端集電極區(qū)，所述元胞集 電極區(qū)具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體，其特征在于，所述終端集電極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo) 體。
2.如權(quán)利要求1所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體 為N型半導(dǎo)體。
3.如權(quán)利要求1所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體 為P型半導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求1所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，所述終端集電極區(qū)分成相 互連接的兩塊區(qū)域，第一塊區(qū)域?yàn)榈谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體，第二塊區(qū)域?yàn)榈诙?dǎo)電類型半導(dǎo) 體，所述終端集電極區(qū)的第二塊區(qū)域鄰接于元胞集電極區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，所述終端集電極區(qū)的第二 塊區(qū)域的長(zhǎng)度等于IGBT漂移區(qū)的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，所述終端集電極區(qū)的第一 導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的摻雜濃度與IGBT漂移區(qū)的摻雜濃度相同。
7.如權(quán)利要求1所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，所述終端集電極區(qū)的第一 導(dǎo)電類型半導(dǎo)體的摻雜濃度大于IGBT漂移區(qū)的摻雜濃度。
8.如權(quán)利要求1所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，所述IGBT可以為平面柵 IGBT，也可以是溝槽柵IGBT。
9.如權(quán)利要求1所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，還包括用于引出集電極的 接觸層，所述接觸層鄰接于所述IGBT集電極區(qū)之下，位于終端集電極區(qū)的第一導(dǎo)電類型半 導(dǎo)體下面的接觸層是氧化物層，其他的接觸層為金屬層。
10.如權(quán)利要求7所述的具有改進(jìn)終端的IGBT，其特征在于，還包括用于引出集電極的 接觸層，所述接觸層鄰接于所述IGBT集電極區(qū)之下，所述接觸層為金屬層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有改進(jìn)終端的IGBT，包括元胞區(qū)和環(huán)繞于所述元胞區(qū)的終端區(qū)，所述IGBT的背面具有IGBT集電極區(qū)，所述IGBT集電極區(qū)與第一導(dǎo)電類型的IGBT漂移區(qū)連接且位于所述IGBT漂移區(qū)的下面，所述IGBT集電極區(qū)包括元胞集電極區(qū)和終端集電極區(qū)，所述元胞集電極區(qū)具有第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體，其中，所述終端集電極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體。本發(fā)明的終端集電極區(qū)具有第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體，因此，就減少了終端集電極區(qū)向IGBT漂移區(qū)注入第二導(dǎo)電類型載流子的數(shù)量，減少了關(guān)斷時(shí)IGBT漂移區(qū)中第一導(dǎo)電類型載流子和第二導(dǎo)電類型載流子的復(fù)合時(shí)間以及復(fù)合數(shù)量，降低了拖尾電流和關(guān)斷能耗。
文檔編號(hào)H01L29/38GK102005473SQ20091018982
公開日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者吳海平, 賈容本 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司