專利名稱：高頻快恢復二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導體器件領(lǐng)域中的高頻二極管，特別涉及多晶粒的高頻快恢 復J1^及管的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，電子技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用在國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域中，t艮十分迅i4, 具有控制方便、高效節(jié)能的特點，被國家列入重點發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。電子技術(shù)的^^:勢是高壓大容量化，快速高頻化和模塊智能化，高頻快恢復Ji^及 管是近年來問世的新型半導體器件，具有開關(guān)特性好，反向恢復時間短、正向 電流大、體積小、安裝簡Y更等優(yōu)點，廣泛用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、不間斷 電源、交流電動才幾變頻調(diào)速、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續(xù)流J^及 管或整流管，是極有M前途的電力、電子半導體器件。傳統(tǒng)的高頻快恢復二極管均為多個快恢復二極管芯片組成，這些芯片均具 有較短的反向恢復時間，還具有較高的耐壓性能，但這類芯片不僅價格高，采 購困難，有時還需要進口。在大M^莫生產(chǎn)制造中，迫切需^^是供一種既能具有 較短的反向恢復時間特性和較高耐壓性能，又^H^更宜，采購方便，可適合 于工業(yè)化大生產(chǎn)的高頻快恢復J^f及管。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種既能縮短反向恢復時間，又能提高耐壓性能， 而且還能降4^本，適合于工業(yè)化大生產(chǎn)的高頻快恢復<^及管。為了達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是， 一種高頻快恢復J^f及管，包括 ^f及管芯片組、焊片、引線、引線頭、包月1^和塑封體。^^4及管芯片組包括n 片^f及管芯片，按同向極性順序排列，各片^f及管芯片的兩側(cè)均置有一焊片且 與焊片互相連接，兩個二極管引線的引線頭端面分別與二極管芯片組兩端的焊 片相連4妄，^^及管芯片組和焊片的外周設(shè)有包月^，兩個引線頭和包M外圍有塑封體。所述n片^T^及管芯片中有1片、或2片........或n-l片芯片為快恢復_^+及管芯片，其余芯片為普通整itJ^及管芯片。所述二極管芯片組可以是包括一 片快恢復二極管芯片和兩片普通整流二 極管芯片。所述塑封體為圓柱體，或為方形柱體，所述包"交層為》勤交包膠，塑封體為 環(huán)氧樹脂塑封。本發(fā)明與現(xiàn)有技 目比，具有以下優(yōu)點高頻快恢復二極管是將多片^^及 管芯片串連而成,其^i文電時間公式為單片J^及管芯片^^文電時間的倒數(shù)^。 快恢復二f及管芯片的充放電時間'J 、于普通整流^^^及管芯片的充放電時間，傳統(tǒng) 高頻快恢復>^及管充放電時間為各芯片的倒數(shù)之和必大于用普通整流^=^及管芯 片替代部分決恢復>^及管芯片后的高頻快恢復^^及管^^文電時間，故改ii^的 高頻快恢復^4及管較傳統(tǒng)的高頻快恢復二極具有較短的反向恢復時間棒1"生，能 縮短反向恢復時間。同時，高頻快恢復^f及管的耐壓性能是單片^^Jf及管芯片耐 壓性能的總和，相同價格可能購到耐壓性能更高的普通整流^^及管芯片，用更 高耐壓性能普通整流J^及管芯片替代原快恢復二極管芯片，可提高高頻快恢復 Ji^及管的耐壓性能。普通整流J^及管芯片的價^M叉為快恢復^^及管芯片的三分 之二，價格便宜，從而該發(fā)明可以降低高頻快恢復二極管的生產(chǎn)成本，此外普 通整流^f及管芯片采購方便，^^及管生產(chǎn)廠亦可自行切片加工，適合于工業(yè)化 大生產(chǎn)。


圖l是本發(fā)明實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖給出的實施例對本發(fā)明作進一步詳細地說明。 圖1為本發(fā)明實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示， 一種高頻快恢復J^及 管，包括^r^及管芯片組l、焊片2、引線3、引線頭3-l、包月^4和塑封體5;_^及管芯片組1包括n片^f及管芯片1-1、 1-2、 1-3.......l-n,按同向極性順序排列，各片^f及管芯片1-1、 1-2、 1-3........l-n的兩側(cè)均置有一焊片2且與焊片2互相連接，兩個^f及管引線3的引線頭3-l端面分別與^f及管芯片組1兩 端的焊片2相連接，^f及管芯片組l和焊片2的外周設(shè)有包膠層4，兩個引線 頭3-l和包膠層4外圍有塑封體5;所述n片二才及管芯片1-1、 1-2、 1-3........l-n中有1片、或2片........或n-l片芯片為快恢復^t L管芯片，其余芯片為普通整
冗u^f及管芯片。所述塑封體5為圓柱體。所述包膠層4為硅膠包膠，塑封體5 為環(huán)，脂塑封。
圖2為本發(fā)明實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示, 一種高頻快恢復^^及 管，包括^^及管芯片組1、焊片2、引線3、引線頭3-l、包膠層4和塑封體5，所 述J^及管芯片組1包括一片快恢復^fel管芯片1-1和兩片普通整流^f及管芯片 1-2、 1-3。所述塑封體5為圓柱體。所述包月交層4為硅月交包膠。塑封體5為環(huán) li^脂塑封。
關(guān)于本發(fā)明的高頻快恢復二極管較傳統(tǒng)的高頻快恢復二極管具有較短的 反向恢復時間特性的說明如下設(shè)快恢復二極管芯片的充放電時間為TFR,普 通整流二f及管芯片的充放電時間為TRR,貝'JTFR〈TRR;以實施例二為例，二 極管芯片組1釆用一片快恢復_=4及管芯片1-1和兩片普通整流J^及管芯片1-2、 1-3，其充放電時間為1/TFR1 + 1ATRR2+1/TRR3;而傳統(tǒng)的高頻快恢復二〖及管 全部采用快恢復>=4及管芯片，其充i文電時間為1ATFR1 + 1/TFR2 + 1ATR3,則 1/TFR1 + 1ATRR2 + 1ATRR3 < 1/TFR1 + 1/TFR2 + 1ATFR3，古丈改ii^的;^發(fā)明高 頻快恢復^^及管較傳統(tǒng)的高頻快恢復二極管具有較快的恢復時間特性，能縮短 反向恢復時間。。
關(guān)于本發(fā)明的高頻快恢復二f及管較傳統(tǒng)的高頻快恢復二f及管具有較高耐壓 性能的說明如下目前市場上以相同價格購得的快恢復^^f及管芯片的耐壓指標 為1300V,而普通整流二f及管芯片的耐壓指標可以iiJij 1800V。以實施例二為 例，本發(fā)明的高頻快恢復二才及管耐壓指標為1300V + 2x 1800V = 4900V;而同 等價格的傳統(tǒng)高頻快恢復二極管的耐壓指標為1300Vx3 = 3900V,故本發(fā)明的 高頻快恢復二極管較傳統(tǒng)的高頻快恢復二極管具有較高耐壓性能，也即能提高 耐壓性能。
在市場上，普通整流二極管芯片的價格為快恢復二fe管芯片價格的三分之 二，以實施例二為例，由于它的三片^^f及管芯片中只有一片快恢復J^及管芯片， 而用兩片普通整流^=4及管芯片替代了兩片快恢復<^及管芯片，故每個高頻快恢 復_^及管的成本可降低20%。假如一個高頻快恢復^f及管它用的^^及管芯片越 多，這時只要有一片快恢復^f及管芯片，其余的許多芯片均為普通整流二極管芯片，那么它的生產(chǎn)成本就下降得更多，這只因為普通整流J^及管芯片可由二 極管生產(chǎn)廠自行將多晶硅硅片切片而成，采購也十分方^f更，因此適合于工業(yè)化 大生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1、一種高頻快恢復二極管，包括二極管芯片組(1)、焊片(2)、引線(3)、引線頭(3-1)、包膠層(4)和塑封體(5)；二極管芯片組(1)包括n片二極管芯片(1-1、1-2、1-3、......1-n)，按同向極性順序排列，各片二極管芯片(1-1、1-2、1-3、.......1-n)的兩側(cè)均置有一焊片(2)且與焊片(2)互相連接，兩個二極管引線(3)的引線頭(3-1)端面分別與二極管芯片組(1)兩端的焊片(2)相連接，二極管芯片組(1)和焊片(2)的外周設(shè)有包膠層(4)，兩個引線頭(3-1)和包膠層(4)外圍有塑封體(5)；其特征在于所述n片二極管芯片(1-1、1-2、1-3、.......1-n)中有1片、或2片、.......或n-1片芯片為快恢復二極管芯片，其余芯片為普通整流二極管芯片。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻快恢復二極管，其特征在于所述^^ l管 芯片組(11)包括一片快恢復_^及管芯片(11-1)和兩片普通整流^^f及管芯片(11-2、 11-3)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高頻快恢復二極管，其特征在于所述塑 封體(5 )為圓柱體，或為方形柱體，所述包膠層(4 )為-iM包膠，塑封體(5 ) 為環(huán)M脂塑封。
全文摘要
一種高頻快恢復二極管，包括二極管芯片組、焊片、引線、引線頭、包膠層和塑封體。二極管芯片組包括n片二極管芯片按同向極性順序排列，n片二極管芯片中有1片、或2片、……或n-1片芯片為快恢復二極管芯片，其余芯片為普通整流二極管芯片，各片二極管芯片的兩側(cè)均置有一焊片且與焊片互相連接，兩個二極管引線的引線頭端面分別與二極管芯片組兩端的焊片相連接，二極管芯片組和焊片的外周設(shè)有包膠層，兩個引線頭和包膠層外圍有塑封體。塑封體為圓柱體，或為方形柱體。本發(fā)明較傳統(tǒng)高頻快恢復二極管具有短的反向恢復時間和較高耐壓性能，價格便宜，采購方便，從而降低了高頻快恢復二極管生產(chǎn)成本，適合于工業(yè)化大生產(chǎn)。
文檔編號H01L25/07GK101630677SQ20091018319
公開日2010年1月20日 申請日期2009年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月11日
發(fā)明者呂全亞, 楊吉明, 陳云峰 申請人:常州佳訊光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司