專利名稱：：高頻區(qū)域的阻抗充分低的固體電解電容器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本申請(qǐng)基于2008月9月12日提交的日本特愿NO.2008-234354主張優(yōu)先權(quán)，在此援引其全部?jī)?nèi)容。本發(fā)明涉及電解質(zhì)層使用導(dǎo)電性高分子的固體電解電容器的制造方法。
背景技術(shù)：
：近年隨著電子儀器的小型化、高速化、數(shù)據(jù)化，在固體電解電容器的領(lǐng)域中，也強(qiáng)烈要求小型、大容量且高頻區(qū)域的阻抗低的電容器。作為100kHz幾十MHz的高頻區(qū)域使用的電容器，有云母電容器和疊層陶資電容器。由于形狀增大而難以進(jìn)行這些電容器的大容量化。另一方面，作為大容量的電容器，有鋁電解電容器、鉭固體電解電容器等電解電容器。通常鋁電解電容器的電解質(zhì)層含有電解液，此外鉭電解電容器的電解質(zhì)層含有二氧化錳。由于這些電解質(zhì)層的導(dǎo)電率低，難以將電容器高頻區(qū)域的阻抗設(shè)計(jì)得充分低。日本特公平4-56445號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)l)公開(kāi)了電解質(zhì)層使用導(dǎo)電率高的導(dǎo)電性高分子化合物的固體電解電容器。該固體電解電容器由于電解質(zhì)層的導(dǎo)電率高，可以降低高頻區(qū)域的阻抗。此外，日本特開(kāi)平9-320900號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)公開(kāi)了電解質(zhì)層使用導(dǎo)電率高的聚-亞乙基二氧基-噻吩的固體電解電容器。該固體電解電容器由于電解質(zhì)層的導(dǎo)電率高，也可以降低高頻區(qū)域的阻抗。
發(fā)明內(nèi)容但是，專利文獻(xiàn)1和2中的任意一篇專利公開(kāi)的固體電解電容器在電解質(zhì)層的形成狀態(tài)方面易產(chǎn)生問(wèn)題，因此，有可能引起介質(zhì)損耗角正切(tan5)或等效串聯(lián)電阻(ESR)的不良。這成為提供高頻區(qū)域的阻抗低的固體電解電容器的障礙。因此，本發(fā)明的目的在于，提供形成良好的電解質(zhì)層、由此高頻3區(qū)域的阻抗充分低的固體電解電容器的制造方法。本發(fā)明舉出的實(shí)施方式的固體電解電容器的制造方法，為含有閥作用金屬、對(duì)上述閥作用金屬的表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化而得到的電介質(zhì)氧化皮膜層、通過(guò)化學(xué)氧化聚合而形成在上述電介質(zhì)氧化皮膜層上的含有導(dǎo)電性高分子的電解質(zhì)層的固體電解電容器的制造方法，該方法中，作為引起上述化學(xué)氧化聚合的氧化劑，使用pH調(diào)節(jié)為6~8的含有過(guò)氧化二疏酸銨的溶液。本發(fā)明的其它實(shí)施方式涉及的固體電解電容器的制造方法，為制造固體電解電容器的方法，該方法包括準(zhǔn)備閥作用金屬，對(duì)上迷閥作用金屬的表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化而得到電介質(zhì)氧化皮膜層，以及在上述電介質(zhì)氧化皮膜層上通過(guò)使用氧化劑進(jìn)行化學(xué)氧化聚合，形成含有導(dǎo)電性高分子的電解質(zhì)層，作為上述氧化劑，使用pH調(diào)節(jié)為68的含有過(guò)氧化二硫酸銨的溶液。圖1為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的固體電解電容器的制造方法的截面示意圖。圖2為僅將圖1的a部放大顯示的部分放大圖。具體實(shí)施例方式首先參照?qǐng)D1和圖2對(duì)本發(fā)明舉出的實(shí)施方式涉及的固體電解電容器的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。該制造方法，除了固體電解質(zhì)的導(dǎo)電性高分子層的形成中使用的氧化劑之外，基本上與以往的固體電解電容器的制造方法相同。即，氧化劑以外的材質(zhì)、形狀等可以采用公知的，不特別限定。圖1和圖2所示的固體電解電容器可以通過(guò)以下說(shuō)明的制造方法來(lái)制造。首先，準(zhǔn)備閥作用金屬1,對(duì)該閥作用金屬1的表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化而得到電介質(zhì)氧化皮膜層2。在該電介質(zhì)氧化皮膜層2上，使用pH調(diào)節(jié)為6~8的過(guò)氧化二疏酸銨的溶液作為氧化劑將吡咯等單體化學(xué)氧化聚合，形成含有導(dǎo)電性高分子的電解質(zhì)層(以下稱為"導(dǎo)電性高分子層")3。然后，在導(dǎo)電性高分子層3上形成由導(dǎo)電糊形成的陰極層4。進(jìn)一步實(shí)施規(guī)定的外層覆蓋(外裝)形成固體電解電容器。如上所述，通過(guò)使用pH調(diào)節(jié)為6~8的過(guò)氧化二硫酸銨溶液作為氧化劑，與氧化劑使用鐵離子或pH小于6的過(guò)氧化二硫酸銨溶液的情況相比，反應(yīng)速度得到抑制。因此，在電介質(zhì)氧化皮膜層2上形成致密的導(dǎo)電性高分子層3。因此，得到tan5、ESR特性優(yōu)異的低阻抗固體電解電容器。優(yōu)選氧化劑中含有的摻雜劑為選自對(duì)甲苯磺酸、苯酚磺酸、萘磺酸和具有多個(gè)磺酸基的芳香族的衍生物中的1種以上。特別優(yōu)選該摻雜劑為具有多個(gè)磺酸基的萘的衍生物。通過(guò)選擇性地使用對(duì)甲苯磺酸、苯酚磺酸、萘磺酸作為摻雜劑，得到導(dǎo)電率優(yōu)異的導(dǎo)電性高分子。通過(guò)將該導(dǎo)電性高分子用于導(dǎo)電性高分子層3中，得到tan5、ESR特性優(yōu)異的低阻抗固體電解電容器。此外，通過(guò)使用具有多個(gè)磺酸基的芳香族衍生物、特別是具有多個(gè)磺酸基的萘的衍生物，得到導(dǎo)電率更優(yōu)異的導(dǎo)電性高分子。通過(guò)將該導(dǎo)電性高分子用于導(dǎo)電性高分子層3中，得到tan5、ESR特性優(yōu)異的低阻抗固體電解電容器。用作氧化劑的過(guò)氧化二硫酸銨溶液中的過(guò)氧化二硫酸銨的濃度優(yōu)選為1~50質(zhì)量％。過(guò)氧化二硫酸銨的濃度大于50質(zhì)量％時(shí)，過(guò)氧化二疏酸銨在室溫的水溶液中達(dá)到飽和狀態(tài)，溶解過(guò)程中殘留過(guò)氧化二硫酸銨的結(jié)晶。因此，向閥作用金屬的細(xì)孔內(nèi)部填充氧化劑時(shí)，在細(xì)孔部產(chǎn)生堵塞，有導(dǎo)電性高分子層的覆蓋率降低的問(wèn)題。另一方面，過(guò)氧化二硫酸銨的濃度小于1質(zhì)量％時(shí)，由于一次形成的導(dǎo)電性高分子的量少，存在用于形成導(dǎo)電性高分子層3的聚合工序次數(shù)非常多的問(wèn)題。氧化劑過(guò)氧化二疏酸銨優(yōu)選使用pH調(diào)節(jié)為6~8的。若pH小于6則聚合的速度變快，因此難以在電介質(zhì)氧化皮膜層2上形成致密的導(dǎo)電性高分子，存在得不到tan5、ESR良好的低阻抗固體電解電容器的問(wèn)題。此外，pH大于8時(shí)，由于pH調(diào)節(jié)中使用的陽(yáng)離子在氧化劑中增多，陽(yáng)離子作為導(dǎo)電性高分子的摻雜劑進(jìn)入，與摻雜劑使用對(duì)甲苯磺酸、笨酚磺酸、萘磧酸和具有多個(gè)磺酸基的芳香族衍生物的1種以上的導(dǎo)電性高分子相比，導(dǎo)電率變差。因此，存在得不到tan5、ESR良好的低阻抗固體電解電容器的問(wèn)題。接著對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例l-6的制造方法以及比較例l和2的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。(實(shí)施例1)通過(guò)實(shí)施例1的制造方法制造的固體電解電容器由于具有與實(shí)施方式中說(shuō)明的固體電解電容器相同的結(jié)構(gòu)，再次參照?qǐng)D1和圖2進(jìn)行說(shuō)明。圖1和圖2所示的固體電解電容器，含有作為陽(yáng)極側(cè)電極的閥作用金屬l,對(duì)該閥作用金屬1的表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化而得到的電介質(zhì)氧化皮膜層2，作為固體電解質(zhì)的導(dǎo)電性高分子層3，由導(dǎo)電糊形成的陰極層4,外部電極61、62和外層樹(shù)脂8。制造該固體電解電容器時(shí)，首先制造長(zhǎng)3.5mm、寬3.0mm、厚1.5mm的包括鉭微粉末的燒結(jié)體的閥作用金屬1。對(duì)其在磷酸水溶液中施加30V的電壓進(jìn)行陽(yáng)極氧化，得到鉭微粉末表面整體被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒。接著準(zhǔn)備作為氧化劑的含有過(guò)氧化二疏酸銨20質(zhì)量％和1，3,6-萘三磺酸20質(zhì)量°/。、并使用咪唑?qū)H調(diào)節(jié)為7的水溶液。在該水溶液中浸漬被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒IO分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下千燥30分鐘后，在吡咯中浸潰10分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充以及吡咯的填充的一系列操作(聚合操作)重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。接著，將形成了導(dǎo)電性高分子層3的顆粒用乙醇洗滌，千燥后，在導(dǎo)電性聚吡咯層的表面上涂布銀糊，并進(jìn)行加熱固化，由此形成厚度為1050pm的陰極層4，得到電容器元件。然后，使用由銀糊形成的粘接層5連接電容器元件的陰極層4和外部電極61。此外，電容器元件的陰極側(cè)，預(yù)先將由鉭燒結(jié)體拉出的閥作用金屬線7焊接在外部電極62上。進(jìn)一步從外側(cè)用環(huán)氧樹(shù)脂覆蓋電容器元件形成外層樹(shù)脂8,完成具有圖l所示結(jié)構(gòu)的固體電解電容器。實(shí)施例1中，導(dǎo)電性高分子層3的形成使用了聚吡咯，但是使用聚噻吩、聚苯胺或這些導(dǎo)電性高分子的衍生物等也可以得到同等的作用。(實(shí)施例2)6實(shí)施例2的制造方法中，將含有摻雜刑的氧化劑的水溶液的pH調(diào)節(jié)為6。除此之外與實(shí)施例l相同。首先，準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的閥作用金屬相同的閥作用金屬1。在其上用與實(shí)施例1相同的方法形成電介質(zhì)氣化皮膜層2，得到顆粒。此外，準(zhǔn)備作為氣化劑的含有過(guò)氧化二硫酸銨20質(zhì)量％和1,3,6-萘三磺酸20質(zhì)量％,并使用咪唑?qū)H調(diào)節(jié)為6的水溶液。在該水溶液中浸漬被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒IO分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下干燥30分鐘后，在吡咯中浸漬10分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充以及吡咯的填充的一系列聚合操作重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。實(shí)施例2中，導(dǎo)電性高分子層3的形成使用了聚吡咯，但是使用聚噻吩、聚苯胺或這些導(dǎo)電性高分子的衍生物等也可以得到同樣的作用。(實(shí)施例3)實(shí)施例3的制造方法中，將含有摻雜劑的氧化劑的水溶液的pH調(diào)節(jié)為8。除此之外與實(shí)施例1相同。首先，準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的閥作用金屬相同的閥作用金屬1。在其上用與實(shí)施例1相同的方法形成電介質(zhì)氧化皮膜層2,得到顆粒。此外，準(zhǔn)備作為氧化劑的含有過(guò)氧化二硫酸銨20質(zhì)量％和1，3,6-萘三磺酸20質(zhì)量％，并使用咪唑?qū)H調(diào)節(jié)為8的水溶液。在該水溶液中浸漬被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒IO分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下干燥30分鐘后，在吡咯中浸漬10分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充、吡咯的填充的一系列聚合操作重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。實(shí)施例3中，導(dǎo)電性高分子層3的形成使用了聚吡咯，但是使用聚噻吩、聚苯胺或這些導(dǎo)電性高分子的衍生物等也可以得到同樣的作用。(實(shí)施例4)實(shí)施例4的制造方法中，使用摻雜劑為對(duì)甲苯磺酸的氧化劑。除此之外與實(shí)施例1相同。首先，準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的閥作用金屬相同的閥作用金屬1。在其上用與實(shí)施例1相同的方法形成電介質(zhì)氧化皮膜層2，得到顆粒。此外，準(zhǔn)備作為氧化劑的含有過(guò)氧化二疏酸銨20質(zhì)量％和對(duì)甲苯磺酸20質(zhì)量。/。，并使用咪唑?qū)H調(diào)節(jié)為7的水溶液。在該水溶液中浸漬被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒IO分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下干燥30分鐘后，在吡咯中浸漬IO分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充、吡咯的填充的一系列聚合操作重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。實(shí)施例4中，導(dǎo)電性高分子層3的形成使用了聚吡咯，但是使用聚噻吩、聚苯胺或這些導(dǎo)電性高分子的衍生物等也可以得到同樣的作用。(實(shí)施例5)實(shí)施例5的制造方法中，使含有摻雜劑的氧化劑的水溶液中的過(guò)氧化二硫酸銨的濃度為1質(zhì)量％。除此之外與實(shí)施例1相同。首先，準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的閥作用金屬相同的閥作用金屬1。在其上用與實(shí)施例1相同的方法形成電介質(zhì)氧化皮膜層2,得到顆粒。此外，準(zhǔn)備作為氧化劑的含有過(guò)氧化二硫酸銨1質(zhì)量％和1，3,6-萘三磺酸20質(zhì)量％，并使用咪唑?qū)H調(diào)節(jié)為7的水溶液。在該水溶液中浸漬被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒IO分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下干燥30分鐘后，在吡咯中浸漬10分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充、吡咯的填充的一系列聚合操作重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。實(shí)施例5中，導(dǎo)電性高分子層3的形成使用了聚吡咯，但是使用聚噻吩、聚苯胺或這些導(dǎo)電性高分子的衍生物等也可以得到同樣的作用。(實(shí)施例6)實(shí)施例6的制造方法中，使含有摻雜劑的氧化劑的水溶液中的過(guò)氧化二疏酸銨的濃度為50質(zhì)量％。除此之外與實(shí)施例1相同。首先，準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的閥作用金屬相同的閥作用金屬1。在其上用與實(shí)施例1相同的方法形成電介質(zhì)氧化皮膜層2，得到顆粒。此外，準(zhǔn)備作為氧化劑的含有過(guò)氧化二硫酸銨50質(zhì)量％和1,3,6-萘三磺酸20質(zhì)量％，并使用咪唑?qū)H調(diào)節(jié)為7的水溶液。在該水溶液中浸漬被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒IO分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下干燥30分鐘后，在吡咯中浸漬10分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充、吡咯的填充的一系列的聚合操作重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。實(shí)施例6中，導(dǎo)電性高分子層3的形成使用了聚吡咯，但是使用聚噻吩、聚苯胺或這些導(dǎo)電性高分子的衍生物等也可以得到同樣的作用。(比較例1)比較例1的制造方法中，使用20質(zhì)量％的對(duì)甲苯磺酸鐵甲醇溶液作為氧化劑。除此之外與實(shí)施例l相同。首先，準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的閥作用金屬相同的閥作用金屬1。在其上用與實(shí)施例1相同的方法形成電介質(zhì)氧化皮膜層2，得到顆粒。將該顆粒浸漬在作為氧化劑的對(duì)曱苯磺酸鐵甲醇溶液中IO分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下干燥30分鐘后，在吡咯中浸漬10分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充、吡咯的填充的一系列的聚合操作重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。(比較例2)比較例2的制造方法中，將含有摻雜劑的氧化劑的水溶液的pH調(diào)節(jié)為1。除此之外與實(shí)施例l相同。首先，準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的閥作用金屬相同的閥作用金屬1。在其上用與實(shí)施例1相同的方法形成電介質(zhì)氧化皮膜層2,得到顆粒。此外，準(zhǔn)備作為氧化劑的含有過(guò)氧化二硫酸銨20質(zhì)量％和1,3,6-萘三磺酸20質(zhì)量％,pH為1的水溶液。在該水溶液中浸清被電介質(zhì)氧化皮膜層2覆蓋的顆粒10分鐘，填充氧化劑。接著在室溫下干燥30分鐘后，在吡咯中浸漬10分鐘，在室溫下保持30分鐘，進(jìn)行吡咯的聚合。將進(jìn)行這些氧化劑的填充、吡咯的填充的一系列的聚合操作重復(fù)5次，形成由導(dǎo)電性聚吡咯層形成的導(dǎo)電性高分子層3。接著對(duì)實(shí)施例1-6以及比較例1、2進(jìn)行比較說(shuō)明。通過(guò)實(shí)施例1-6的制造方法以及比較例1、2的制造方法得到的固體電解電容器的靜電容量、tan5、ESR特性如表1所示。而且，樣品數(shù)為各水平20個(gè)，算出各特性值的平均值。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>參照表1對(duì)通過(guò)實(shí)施例1-6的制造方法和比較例1、2的制造方法得到的固體電解電容器的結(jié)果進(jìn)行評(píng)價(jià)。關(guān)于tan5和ESR,相對(duì)于比較例1、2,實(shí)施例1-6的各固體電解電容器的各特性良好。與氧化劑使用對(duì)曱笨磺酸鐵甲醇溶液的比較例1、使用pH1的過(guò)氧化二硫酸銨水溶液的比較例2相比，將氧化劑的pH調(diào)節(jié)在68之間的實(shí)施例1-6中，各特性的值低。電解質(zhì)使用導(dǎo)電性高分子的固體電解電容器中，若形成在電介質(zhì)氣化皮膜上的導(dǎo)電性高分子的形成狀態(tài)差，則特別是內(nèi)部的導(dǎo)電性高分子的覆蓋率降低，因此得不到良好的tan5、ESR。為了解決此問(wèn)題，對(duì)在電介質(zhì)氧化皮膜上形成導(dǎo)電性高分子的聚合方法(氧化劑或摻雜劑)進(jìn)行研究，延遲反應(yīng)速度，由此在電介質(zhì)氧化皮膜上形成致密的導(dǎo)電性高分子，得到高頻區(qū)域的阻抗低的固體電解電容器。實(shí)施例卜6中氧化劑使用pH為6~8的過(guò)氧化二硫酸銨水溶液，與比較例1的氧化劑對(duì)甲苯磺酸鐵甲醇溶液或比較例2的pH為1的過(guò)氧化二硫酸銨水溶液相比，吡咯的聚合緩慢進(jìn)行，得到最優(yōu)的聚合反應(yīng)時(shí)間，所以在顆粒內(nèi)部全部表面上形成致密的導(dǎo)電性高分子層。通過(guò)該效果，得到tan5和ESR各特性得到抑制的固體電解電容器。如上所述，若根據(jù)實(shí)施例1-6,則通過(guò)化學(xué)聚合在電介質(zhì)氧化皮膜上形成致密的導(dǎo)電性高分子的膜，所以得到tan5、ESR特性優(yōu)異的低阻抗固體電解電容器。特別是通過(guò)使氧化劑過(guò)氧化二硫酸銨的溶液的pH為6-8，導(dǎo)電性高分子的聚合速度適當(dāng)，在電介質(zhì)氧化皮膜上形成更致密的導(dǎo)電性高分子的膜，所以得到tan5、ESR特性優(yōu)異的低阻抗固體電解電容器。權(quán)利要求1.固體電解電容器的制造方法，其為含有閥作用金屬、對(duì)所述閥作用金屬的表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化而得到的電介質(zhì)氧化皮膜層、通過(guò)化學(xué)氧化聚合而形成在所述電介質(zhì)氧化皮膜層上的含有導(dǎo)電性高分子的電解質(zhì)層的固體電解電容器的制造方法，該方法中，作為引起所述化學(xué)氧化聚合的氧化劑，使用pH調(diào)節(jié)為6～8的含有過(guò)氧化二硫酸銨的溶液。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述溶液含有選自對(duì)甲苯磺酸、苯酚磺酸、萘磺酸和具有多個(gè)磺酸基的芳香族的衍生物中的至少1種作為摻雜劑。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述溶液中的所迷過(guò)氧化二疏酸銨的濃度為1~50質(zhì)量％。4.如權(quán)利要求1所迷的方法，其中，所述溶液中的所述過(guò)氧化二硫酸銨的濃度為1~50質(zhì)量％。5.固,電解電容器的制造方:法，其中，包，，備閥作用金屬，層，以及在所述電介質(zhì)氧化皮膜層上通過(guò)使用氧化劑進(jìn)行化學(xué)氧化聚合，形成含有導(dǎo)電性高分子的電解質(zhì)層，作為所述氧化劑，使用pH調(diào)節(jié)為6~8的含有過(guò)氧化二硫酸銨的溶液。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述溶液含有選自對(duì)曱苯磺酸、笨酚磺酸、萘磺酸和具有多個(gè)磺酸基的芳香族的衍生物中的至少1種作為摻雜劑。7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述溶液中的所述過(guò)氧化二硫酸銨的濃度為1~50質(zhì)量％。8.如權(quán)利要求5所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述電解質(zhì)層上形9.—如權(quán)利要求8所述的方法，其進(jìn)一步包括用;卜層-樹(shù)脂覆蓋除所述各外部電極的一部分以外的其余部分。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述外部電極的一部分沿著所迷外層樹(shù)脂的表面延伸。全文摘要本發(fā)明涉及高頻區(qū)域的阻抗充分低的固體電解電容器的制造方法。在對(duì)閥作用金屬(1)的表面進(jìn)行陽(yáng)極氧化而得到的電介質(zhì)氧化皮膜層(2)上進(jìn)行化學(xué)氧化聚合而形成含有導(dǎo)電性高分子的電解質(zhì)層(3)的固體電解電容器的制造方法中，導(dǎo)電性高分子層的形成使用pH調(diào)節(jié)為6～8的過(guò)氧化二硫酸銨的溶液作為氧化劑。文檔編號(hào)H01G9/028GK101673623SQ20091017436公開(kāi)日2010年3月17日申請(qǐng)日期2009年9月11日優(yōu)先權(quán)日2008年9月12日發(fā)明者加藤一幸,大家昌子,菅原康久申請(qǐng)人:Nec東金株式會(huì)社