專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，尤指一種可以避免產(chǎn)生閂鎖(Iatch-UP)現(xiàn)象的半 導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參考圖1，圖1所繪示的為傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置100的簡(jiǎn)化示意圖。如圖1所示， 半導(dǎo)體裝置100包含有P型半導(dǎo)體基底102、N型阱區(qū)104、第一 P+擴(kuò)散區(qū)域106、第一 N+ 擴(kuò)散區(qū)域108、第二 N+擴(kuò)散區(qū)域110、第二 P+擴(kuò)散區(qū)域112、第三P+擴(kuò)散區(qū)域114、第一絕 緣層116、第二絕緣層118、第一寄生雙極性結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT) 120以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管122。N型阱區(qū)104設(shè)置于P型半導(dǎo)體基底102 中，并且第一 P+擴(kuò)散區(qū)域106設(shè)置于N型阱區(qū)104內(nèi)。第一 P+擴(kuò)散區(qū)域106用以耦接于 輸入信號(hào)VDDl。第一 N+擴(kuò)散區(qū)域108以及第二 N+擴(kuò)散區(qū)域110設(shè)置于N型阱區(qū)104內(nèi)， 并且用以分別耦接于半導(dǎo)體裝置100本身的電壓源VDD2。第二 P+擴(kuò)散區(qū)域112以及第三 P+擴(kuò)散區(qū)域114設(shè)置于P型半導(dǎo)體基底102中，并且用以分別耦接于電壓電平VSS1，而第 一絕緣層116設(shè)置于第一 N+擴(kuò)散區(qū)域108以及第二 P+擴(kuò)散區(qū)域112之間，并且第二絕緣 層118設(shè)置于第二 N+擴(kuò)散區(qū)域110以及第三P+擴(kuò)散區(qū)域114之間。第一寄生雙極性結(jié)型 晶體管120具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中第一寄生雙極性結(jié)型晶體管120的發(fā)射極是 由第一 P+擴(kuò)散區(qū)域106所構(gòu)成，第一寄生雙極性結(jié)型晶體管120的基極是由N型阱區(qū)104 串接至第一 N+擴(kuò)散區(qū)域108所構(gòu)成，以及第一寄生雙極性結(jié)型晶體管120的集電極是由P 型半導(dǎo)體基底102串接至第二 P+擴(kuò)散區(qū)域112所構(gòu)成。第二寄生雙極性結(jié)型晶體管122具 有發(fā)射極、基極以及集電極，其中第二寄生雙極性結(jié)型晶體管122的發(fā)射極是由第二 P+擴(kuò) 散區(qū)域106所構(gòu)成，第二寄生雙極性結(jié)型晶體管122的基極是由N型阱區(qū)104串接至第二 N+擴(kuò)散區(qū)域110所構(gòu)成，以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管122的集電極是由P型半導(dǎo)體基 底102串接至第三P+擴(kuò)散區(qū)域114所構(gòu)成。請(qǐng)參考圖2，圖2繪示圖1中的電壓電平VSSl、輸入信號(hào)VDDl及電壓源VDD2的時(shí) 序圖，如圖2所示，輸入信號(hào)VDDl的電壓電平的升高速度比電壓源VDD2的電壓電平的升高 速度快，因此，當(dāng)輸入信號(hào)VDDl的電壓電平高于電壓源VDD2的電壓電平時(shí)，半導(dǎo)體裝置100 中的第一寄生雙極性結(jié)型晶體管120以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管122均會(huì)被導(dǎo)通，以 致于產(chǎn)生閂鎖現(xiàn)象，如此就會(huì)產(chǎn)生大電流，使得半導(dǎo)體裝置100容易遭到損壞。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種可以避免產(chǎn)生閂鎖現(xiàn)象的半導(dǎo)體裝 置，以解決上述的問(wèn)題。依據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，其披露一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包含有P型半導(dǎo) 體基底、N型阱區(qū)、第一 P+擴(kuò)散區(qū)域、第二 P+擴(kuò)散區(qū)域、肖特基二極管(Schottky diode)、 第一 N+擴(kuò)散區(qū)域、第二 N+擴(kuò)散區(qū)域、第三P+擴(kuò)散區(qū)域、第四P+擴(kuò)散區(qū)域、第一絕緣層、第二絕緣層、第一寄生雙極性結(jié)型晶體管以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管。該N型阱區(qū)設(shè)置 于該P(yáng)型半導(dǎo)體基底中，并且該第一 P+擴(kuò)散區(qū)域以及該第二 P+擴(kuò)散區(qū)域設(shè)置于該N型阱 區(qū)內(nèi)。該肖特基二極管設(shè)置于該N型阱區(qū)內(nèi)，并且用以耦接于輸入信號(hào)。該第一 N+擴(kuò)散區(qū) 域以及該第二 N+擴(kuò)散區(qū)域設(shè)置于該N型阱區(qū)內(nèi)，并且用以分別耦接于電壓源。該第三P+ 擴(kuò)散區(qū)域以及該第四P+擴(kuò)散區(qū)域設(shè)置于該P(yáng)型半導(dǎo)體基底中，而該第一絕緣層設(shè)置于該第 一 N+擴(kuò)散區(qū)域以及該第三P+擴(kuò)散區(qū)域之間，并且該第二絕緣層設(shè)置于該第二 N+擴(kuò)散區(qū) 域以及該第四P+擴(kuò)散區(qū)域之間。該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管具有發(fā)射極、基極以及集電 極，其中該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管的該發(fā)射極是由該第一 P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第一 寄生雙極性結(jié)型晶體管的該基極是由該N型阱區(qū)串接至該第一N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該 第一寄生雙極性結(jié)型晶體管的該集電極是由該P(yáng)型半導(dǎo)體基底串接至該第三P+擴(kuò)散區(qū)域 所構(gòu)成。該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中該第二寄生雙極 性結(jié)型晶體管的該發(fā)射極是由該第二 P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管 的該基極是由該N型阱區(qū)串接至該第二 N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該第二寄生雙極性結(jié)型晶 體管的該集電極是由該P(yáng)型半導(dǎo)體基底串接至該第四P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成。其中，當(dāng)該輸入 信號(hào)的電壓電平大于該電壓源的電壓電平時(shí)，該肖特基二極管導(dǎo)通電荷來(lái)使得該第一寄生 雙極性結(jié)型晶體管與該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管均不導(dǎo)通。依據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，其另披露一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包含有N型半 導(dǎo)體基底、P型講區(qū)、第一 N+擴(kuò)散區(qū)域、第二 N+擴(kuò)散區(qū)域、肖特基二極管、第一 P+擴(kuò)散區(qū)域、 第二 P+擴(kuò)散區(qū)域、第三N+擴(kuò)散區(qū)域、第四N+擴(kuò)散區(qū)域、第一絕緣層、第二絕緣層、第一寄生 雙極性結(jié)型晶體管以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管。該P(yáng)型阱區(qū)設(shè)置于該N型半導(dǎo)體基底 中，并且該第一 N+擴(kuò)散區(qū)域以及該第二 N+擴(kuò)散區(qū)域設(shè)置于該P(yáng)型阱區(qū)內(nèi)，該肖特基二極管 設(shè)置于該P(yáng)型阱區(qū)內(nèi)，并且用以耦接于輸入信號(hào)。該第一 P+擴(kuò)散區(qū)域以及該第二 P+擴(kuò)散 區(qū)域設(shè)置于該P(yáng)型阱區(qū)內(nèi)，并且用以分別耦接于電壓源。該第三N+擴(kuò)散區(qū)域以及該第四N+ 擴(kuò)散區(qū)域設(shè)置于該N型半導(dǎo)體基底中，而該第一絕緣層設(shè)置于該第一 P+擴(kuò)散區(qū)域以及該第 三N+擴(kuò)散區(qū)域之間，并且該第二絕緣層設(shè)置于該第二 P+擴(kuò)散區(qū)域以及該第四N+擴(kuò)散區(qū)域 之間。該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中該第一寄生雙極性 結(jié)型晶體管的該發(fā)射極是由該第一 N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管的 該基極是由該P(yáng)型阱區(qū)串接至該第一 P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該第一寄生雙極性結(jié)型晶體 管的該集電極是由該N型半導(dǎo)體基底串接至該第三N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成。該第二寄生雙極 性結(jié)型晶體管具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的該發(fā)射 極是由該第二 N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的該基極是由該P(yáng)型阱區(qū) 串接至該第二 P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的該集電極是由該N 型半導(dǎo)體基底串接至該第四N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成。其中，當(dāng)該輸入信號(hào)的電壓電平小于該電 壓源的電壓電平時(shí)，該肖特基二極管導(dǎo)通電荷來(lái)使得該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管與該第 二寄生雙極性結(jié)型晶體管均不導(dǎo)通。綜上所述，本發(fā)明所披露的半導(dǎo)體裝置可以避免產(chǎn)生閂鎖現(xiàn)象，因此，本發(fā)明的半 導(dǎo)體裝置不容易遭到損壞，并且具有較長(zhǎng)的使用壽命。


圖1所繪示的為傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn)化示意圖。
圖2所繪示的為圖1中的電壓電平VSS1、輸入信號(hào)VDDl以及電壓源VDD2的時(shí)序圖。
圖3所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的第-一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn).化示意圖。
圖4所繪示的為本發(fā)明的第-一實(shí)施例中的電壓電平VSS1、輸入信號(hào)VDDl以及電壓源VDD2的時(shí)序圖。
圖5所繪示的為依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的簡(jiǎn).化示意圖。
圖6所繪示的為本發(fā)明的第:二實(shí)施例中的電壓電平VSS1、輸入信號(hào)VDDl以及電壓源VDD2的時(shí)序圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
100半導(dǎo)體裝置102 =P型半導(dǎo)體基底
104 :N型阱區(qū)106:第一 P+擴(kuò)散區(qū)域
108第一 N+擴(kuò)散區(qū)域110:第二 N+擴(kuò)散區(qū)域
112第二 P+擴(kuò)散區(qū)域114:第三P+擴(kuò)散區(qū)域
116第一絕緣層118:第二絕緣層
120第一寄生雙極性結(jié)型晶體管120 第二寄生雙極性結(jié)型晶體管
VDDl輸入信號(hào)VDD2 電壓源
VSSl電壓電平200 半導(dǎo)體裝置
202=P型半導(dǎo)體基底204 :N型阱區(qū)
206第一 P+擴(kuò)散區(qū)域208:第二 P+擴(kuò)散區(qū)域
210肖特基二極管212:第一 N+擴(kuò)散區(qū)域
214第二 N+擴(kuò)散區(qū)域216:第三P+擴(kuò)散區(qū)域
218第四P+擴(kuò)散區(qū)域220 第一絕緣層
222第二絕緣層224 第一寄生雙極性結(jié)型晶體管
226第二寄生雙極性結(jié)型晶體管300 半導(dǎo)體裝置
302=N型半導(dǎo)體基底304 :P型阱區(qū)
306第一 N+擴(kuò)散區(qū)域308:第二 N+擴(kuò)散區(qū)域
310肖特基二極管312:第一 P+擴(kuò)散區(qū)域
314第二 P+擴(kuò)散區(qū)域316:第三N+擴(kuò)散區(qū)域
318第四N+擴(kuò)散區(qū)域320 第一絕緣層
322第二絕緣層324 第一寄生雙極性結(jié)型晶體管
326第二寄生雙極性結(jié)型晶體管
具體實(shí)施例方式
本說(shuō)明書(shū)及權(quán)利要求中使用某些詞匯來(lái)指稱特定的元件，而所屬領(lǐng)域技術(shù)人員 應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同的名詞來(lái)稱呼同一個(gè)元件，本說(shuō)明書(shū)及后續(xù)的權(quán)利要 求并不以名稱的差異來(lái)作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來(lái)作為區(qū)分的準(zhǔn) 則，在通篇說(shuō)明書(shū)及后續(xù)的權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含有”為開(kāi)放式的用語(yǔ)，故應(yīng)解釋成 “包含有但不限定于”，此外，“耦接”一詞在此包含有任何直接及間接的電氣連接手段，因此，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則代表該第一裝置可以直接電氣連接于該第二 裝置，或通過(guò)其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。請(qǐng)參考圖3，圖3繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置200的簡(jiǎn)化示意圖，其中半 導(dǎo)體裝置200屬于使用邏輯工藝所制作而成的半導(dǎo)體裝置。如圖3所示，半導(dǎo)體裝置200 包含有P型半導(dǎo)體基底202、N型阱區(qū)204、第一 P+擴(kuò)散區(qū)域206、第二 P+擴(kuò)散區(qū)域208、肖 特基二極管210、第一 N+擴(kuò)散區(qū)域212、第二 N+擴(kuò)散區(qū)域214、第三P+擴(kuò)散區(qū)域216、第四 P+擴(kuò)散區(qū)域218、第一絕緣層220、第二絕緣層222、第一寄生雙極性結(jié)型晶體管224及第二 寄生雙極性結(jié)型晶體管226。N型阱區(qū)204設(shè)置于P型半導(dǎo)體基底202中，并且第一 P+擴(kuò) 散區(qū)域206及第二 P+擴(kuò)散區(qū)域208設(shè)置于N型阱區(qū)204內(nèi)。肖特基二極管210設(shè)置于第 一 P+擴(kuò)散區(qū)域206及第二 P+擴(kuò)散區(qū)域208之間，并且用以耦接于輸入信號(hào)VDDl。第一 N+ 擴(kuò)散區(qū)域212及第二 N+擴(kuò)散區(qū)域214設(shè)置于N型阱區(qū)204內(nèi)，并且用以分別耦接于電壓源 VDD2。第三P+擴(kuò)散區(qū)域216及第四P+擴(kuò)散區(qū)域218設(shè)置于P型半導(dǎo)體基底202中，并且用 以分別耦接于電壓電平VSS1，而第一絕緣層220設(shè)置于第一 N+擴(kuò)散區(qū)域212及第三P+擴(kuò) 散區(qū)域216之間，并且第二絕緣層222設(shè)置于第二 N+擴(kuò)散區(qū)域214及第四P+擴(kuò)散區(qū)域218 之間。第一寄生雙極性結(jié)型晶體管224具有發(fā)射極、基極及集電極，其中第一寄生雙極性結(jié) 型晶體管224的發(fā)射極是由第一 P+擴(kuò)散區(qū)域206所構(gòu)成，第一寄生雙極性結(jié)型晶體管224 的基極是由N型阱區(qū)204串接至第一 N+擴(kuò)散區(qū)域212所構(gòu)成，以及第一寄生雙極性結(jié)型晶 體管224的集電極是由P型半導(dǎo)體基底202串接至第三P+擴(kuò)散區(qū)域216所構(gòu)成。第二寄 生雙極性結(jié)型晶體管226具有發(fā)射極、基極及集電極，其中第二寄生雙極性結(jié)型晶體管226 的發(fā)射極是由第二 P+擴(kuò)散區(qū)域208所構(gòu)成，第二寄生雙極性結(jié)型晶體管226的基極是由N 型阱區(qū)204串接至第二 N+擴(kuò)散區(qū)域214所構(gòu)成，以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管226的集 電極是由P型半導(dǎo)體基底202串接至第四P+擴(kuò)散區(qū)域218所構(gòu)成。此外，請(qǐng)注意，上述實(shí) 施例僅作為本發(fā)明的舉例說(shuō)明，而不是本發(fā)明的限制條件，例如，肖特基二極管210不一定 要設(shè)置于第一 P+擴(kuò)散區(qū)域206及第二 P+擴(kuò)散區(qū)域208之間，肖特基二極管210也可以設(shè) 置于N型阱區(qū)204中的其它位置。請(qǐng)參考圖4，圖4繪示本發(fā)明第一實(shí)施例中的電壓電平VSS1、輸入信號(hào)VDDl及電 壓源VDD2的時(shí)序圖，如圖4所示，輸入信號(hào)VDDl的電壓電平的升高速度比電壓源VDD2的 電壓電平的升高速度快，然而，由于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置200中的肖特基二極管210的崩潰 電壓(例如0. 4V)小于第一寄生雙極性結(jié)型晶體管224及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管226 的崩潰電壓(例如0. 7V)，因此，當(dāng)輸入信號(hào)VDDl的電壓電平高于電壓源VDD2的電壓電平 時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置200可以通過(guò)肖特基二極管210來(lái)導(dǎo)通電荷，以使得第一寄生雙極 性結(jié)型晶體管224及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管226均不導(dǎo)通。如此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝 置200就可以避免產(chǎn)生閂鎖現(xiàn)象，因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置200不容易遭到損壞，并且具 有較長(zhǎng)的使用壽命。此外，請(qǐng)注意，上述的實(shí)施例僅作為本發(fā)明的舉例說(shuō)明，而不是本發(fā)明 的限制條件，例如，本發(fā)明的概念同樣也可以用于使用其它半導(dǎo)體工藝(例如高壓工藝)所 制作而成的半導(dǎo)體裝置中。請(qǐng)參考圖5，圖5繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置300的簡(jiǎn)化示意圖，其中半 導(dǎo)體裝置300是屬于使用邏輯工藝所制作而成的半導(dǎo)體裝置。如圖5所示，半導(dǎo)體裝置300 包含有N型半導(dǎo)體基底302、P型阱區(qū)304、第一 N+擴(kuò)散區(qū)域306、第二 N+擴(kuò)散區(qū)域308、
7肖特基二極管310、第一 P+擴(kuò)散區(qū)域312、第二 P+擴(kuò)散區(qū)域314、第三N+擴(kuò)散區(qū)域316、第 四N+擴(kuò)散區(qū)域318、第一絕緣層320、第二絕緣層322、第一寄生雙極性結(jié)型晶體管324及第 二寄生雙極性結(jié)型晶體管326。P型阱區(qū)304設(shè)置于N型半導(dǎo)體基底302中，并且第一 N+ 擴(kuò)散區(qū)域306及第二 N+擴(kuò)散區(qū)域308設(shè)置于P型阱區(qū)304內(nèi)，肖特基二極管310設(shè)置于第 一 N+擴(kuò)散區(qū)域306及第二 N+擴(kuò)散區(qū)域308之間，并且用以耦接于輸入信號(hào)VDDl。第一 P+ 擴(kuò)散區(qū)域312及第二 P+擴(kuò)散區(qū)域314設(shè)置于P型阱區(qū)304內(nèi)，并且用以分別耦接于電壓源 VDD2。第三N+擴(kuò)散區(qū)域316及第四N+擴(kuò)散區(qū)域318設(shè)置于N型半導(dǎo)體基底302中，并且用 以分別耦接于電壓電平VSSl，而第一絕緣層320設(shè)置于第一 P+擴(kuò)散區(qū)域312及第三N+擴(kuò) 散區(qū)域316之間，并且第二絕緣層322設(shè)置于第二 P+擴(kuò)散區(qū)域314及第四N+擴(kuò)散區(qū)域318 之間。第一寄生雙極性結(jié)型晶體管324具有發(fā)射極、基極及集電極，其中第一寄生雙極性結(jié) 型晶體管324的發(fā)射極是由第一 N+擴(kuò)散區(qū)域306所構(gòu)成，第一寄生雙極性結(jié)型晶體管324 的基極是由P型阱區(qū)304串接至第一 P+擴(kuò)散區(qū)域312所構(gòu)成，以及第一寄生雙極性結(jié)型晶 體管324的集電極是由N型半導(dǎo)體基底302串接至第三N+擴(kuò)散區(qū)域316所構(gòu)成。第二寄 生雙極性結(jié)型晶體管326具有發(fā)射極、基極及集電極，其中第二寄生雙極性結(jié)型晶體管326 的發(fā)射極是由第二 N+擴(kuò)散區(qū)域308所構(gòu)成，第二寄生雙極性結(jié)型晶體管326的基極是由P 型阱區(qū)304串接至第二 P+擴(kuò)散區(qū)域314所構(gòu)成，以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管326的集 電極是由N型半導(dǎo)體基底302串接至第四N+擴(kuò)散區(qū)域318所構(gòu)成。此外，請(qǐng)注意，上述的 實(shí)施例僅作為本發(fā)明的舉例說(shuō)明，而不是本發(fā)明的限制條件，例如，肖特基二極管210不一 定要設(shè)置于第一 N+擴(kuò)散區(qū)域306及第二 N+擴(kuò)散區(qū)域308之間，肖特基二極管210也可以 設(shè)置于P型阱區(qū)304中的其它位置。參考圖6，圖6繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的電壓電平VSS1、輸入信號(hào)VDDl及電壓源 VDD2的時(shí)序圖。如圖6所示，輸入信號(hào)VDDl的電壓電平的降低速度比電壓源VDD2的電壓 電平的降低速度快，然而，由于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置300中的肖特基二極管310的崩潰電壓 大于第一寄生雙極性結(jié)型晶體管324及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管326的崩潰電壓，因此， 當(dāng)輸入信號(hào)VDDl的電壓電平低于電壓源VDD2的電壓電平時(shí)，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置300可 以通過(guò)肖特基二極管310來(lái)導(dǎo)通電荷，使得第一寄生雙極性結(jié)型晶體管324及第二寄生雙 極性結(jié)型晶體管326均不導(dǎo)通。如此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置300就可以避免產(chǎn)生閂鎖現(xiàn)象， 因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置300不容易遭到損壞，并且具有較長(zhǎng)的使用壽命。此外，請(qǐng)注意， 上述實(shí)施例僅作為本發(fā)明的舉例說(shuō)明，而不是本發(fā)明的限制條件，例如，本發(fā)明的概念同樣 也可以用于使用其它半導(dǎo)體工藝(例如高壓工藝)所制作而成的半導(dǎo)體裝置中。綜上所述，本發(fā)明所披露的半導(dǎo)體裝置可以避免產(chǎn)生閂鎖現(xiàn)象，因此，本發(fā)明的半 導(dǎo)體裝置不容易遭到損壞，并且具有較長(zhǎng)的使用壽命。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等同變化與修 飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，包含有P型半導(dǎo)體基底；N型阱區(qū)，設(shè)置于該P(yáng)型半導(dǎo)體基底中；第一P+擴(kuò)散區(qū)域以及第二P+擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置于該N型阱區(qū)內(nèi)；肖特基二極管，設(shè)置于該N型阱區(qū)內(nèi)，用以耦接于輸入信號(hào)；第一N+擴(kuò)散區(qū)域以及第二N+擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置于該N型阱區(qū)內(nèi)，用以分別耦接于電壓源；第三P+擴(kuò)散區(qū)域以及第四P+擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置于該P(yáng)型半導(dǎo)體基底中；第一絕緣層，設(shè)置于該第一N+擴(kuò)散區(qū)域以及該第三P+擴(kuò)散區(qū)域之間；第二絕緣層，設(shè)置于該第二N+擴(kuò)散區(qū)域以及該第四P+擴(kuò)散區(qū)域之間；第一寄生雙極性結(jié)型晶體管，其具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管的該發(fā)射極是由該第一P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管的該基極是由該N型阱區(qū)串接至該第一N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管的該集電極是由該P(yáng)型半導(dǎo)體基底串接至該第三P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成；以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管，其具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的該發(fā)射極是由該第二P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的該基極是由該N型阱區(qū)串接至該第二N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的該集電極是由該P(yáng)型半導(dǎo)體基底串接至該第四P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，其中當(dāng)該輸入信號(hào)的電壓電平大于該電壓源的電壓電平時(shí)，該肖特基二極管導(dǎo)通電荷來(lái)使得該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管與該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管均不導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置使用邏輯工藝所制作而成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置使用高壓工藝所制作而成。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該肖特基二極管設(shè)置于該第一P+擴(kuò)散區(qū)域以 及該第二 P+擴(kuò)散區(qū)域之間。
5.一種半導(dǎo)體裝置，包含有 N型半導(dǎo)體基底；P型阱區(qū)，設(shè)置于該N型半導(dǎo)體基底中；第一 N+擴(kuò)散區(qū)域以及第二 N+擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置于該P(yáng)型阱區(qū)內(nèi)；肖特基二極管，設(shè)置于該P(yáng)型阱區(qū)內(nèi)，用以耦接于輸入信號(hào)；第一 P+擴(kuò)散區(qū)域以及第二 P+擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置于該P(yáng)型阱區(qū)內(nèi)，用以分別耦接于電壓源；第三N+擴(kuò)散區(qū)域以及第四N+擴(kuò)散區(qū)域，設(shè)置于該N型半導(dǎo)體基底中； 第一絕緣層，設(shè)置于該第一 P+擴(kuò)散區(qū)域以及該第三N+擴(kuò)散區(qū)域之間； 第二絕緣層，設(shè)置于該第二 P+擴(kuò)散區(qū)域以及該第四N+擴(kuò)散區(qū)域之間； 第一寄生雙極性結(jié)型晶體管，其具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中該第一寄生雙極性 結(jié)型晶體管的該發(fā)射極是由該第一 N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管的 該基極是由該P(yáng)型阱區(qū)串接至該第一 P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該第一寄生雙極性結(jié)型晶體 管的該集電極是由該N型半導(dǎo)體基底串接至該第三N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成；以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管，其具有發(fā)射極、基極以及集電極，其中該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的該發(fā)射極是由該第二 N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管的 該基極是由該P(yáng)型阱區(qū)串接至該第二 P+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，以及該第二寄生雙極性結(jié)型晶體 管的該集電極是由該N型半導(dǎo)體基底串接至該第四N+擴(kuò)散區(qū)域所構(gòu)成，其中當(dāng)該輸入信號(hào)的電壓電平小于該電壓源的電壓電平時(shí)，該肖特基二極管導(dǎo)通電荷 來(lái)使得該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管與該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管均不導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置使用邏輯工藝所制作而成。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該半導(dǎo)體裝置使用高壓工藝所制作而成。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該肖特基二極管設(shè)置于該第一N+擴(kuò)散區(qū)域 206以及該第二 N+擴(kuò)散區(qū)域之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體裝置，其包含有P型半導(dǎo)體基底、N型阱區(qū)、第一P+擴(kuò)散區(qū)域、第二P+擴(kuò)散區(qū)域、肖特基二極管、第一N+擴(kuò)散區(qū)域、第二N+擴(kuò)散區(qū)域、第三P+擴(kuò)散區(qū)域、第四P+擴(kuò)散區(qū)域、第一絕緣層、第二絕緣層、第一寄生雙極性結(jié)型晶體管以及第二寄生雙極性結(jié)型晶體管。肖特基二極管耦接于輸入信號(hào)。第一N+擴(kuò)散區(qū)域以及第二N+擴(kuò)散區(qū)域分別耦接于電壓源。當(dāng)輸入信號(hào)的電壓電平大于電壓源的電壓電平時(shí)，該肖特基二極管導(dǎo)通電荷來(lái)使得該第一寄生雙極性結(jié)型晶體管與該第二寄生雙極性結(jié)型晶體管均不導(dǎo)通。
文檔編號(hào)H01L29/73GK101958320SQ20091013994
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月15日
發(fā)明者余錦旗, 呂育倫 申請(qǐng)人:奕力科技股份有限公司