專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)
半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造 技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件可包括其上可安裝半導(dǎo)體芯片的載體。此外，半導(dǎo)體
器件可包括導(dǎo)電層?？商峁?dǎo)電部件以便在器件的組件之間提供耦 合，如半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)電層。
由于這些和其它原因，存在著對(duì)本發(fā)明的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一方面在于一種器件，包括載體；淀積在所述載體 上的第一材料，所述第一材料具有小于100MPa的彈性沖莫量；；改置在 所述第 一材料上方的半導(dǎo)體芯片；淀積在所述半導(dǎo)體芯片上的第二材 料，所述第二材料電絕緣；以及放置在所述第二材料上方的金屬層。
本發(fā)明的第二方面在于一種方法，包括提供載體；在所述載體 上淀積第一材料，所述第一材料包括硅；在所述第一材料上方放置至 少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片；以及在所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片上方應(yīng)用金屬 層。
本發(fā)明的第三方面在于一種方法，包括將至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片 貼到載體，所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片包括至少一個(gè)接觸單元；使用電 絕緣材料覆蓋所述載體和所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片；在所述至少兩個(gè) 半導(dǎo)體芯片上方應(yīng)用金屬箔；以及將所述金屬箔焊接到所述至少 一個(gè) 接觸單元。
本發(fā)明的第四方面在于一種器件，包括載體；貼到所述載體的 半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括至少一個(gè)接觸單元；覆蓋所述載體
和所述半導(dǎo)體芯片的電絕緣材料；以及覆蓋所述半導(dǎo)體芯片并焊接到
5所述至少一個(gè)接觸單元的金屬箔。
本發(fā)明的第五方面在于一種器件，包括包括接觸單元的半導(dǎo)體 芯片；外部接觸單元；以及將所述接觸單元電耦合到所述外部接觸單 元的導(dǎo)電線路，至少一部分所述導(dǎo)電線路具有連續(xù)彎曲形狀。
本發(fā)明的第六方面在于一種器件，包括載體；用于提供淀積在 所述載體上的第一材料的部件，所述第一材料部件具有小于100 MPa 的彈性模量；放置在所述第一材料上方的半導(dǎo)體芯片；用于提供淀積 在所述半導(dǎo)體芯片上的第二材料的部件，所述第二材料電絕緣；以及 用于提供放置在所述第二材料上方的金屬層的部件。


附圖包括在內(nèi)是為了提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖并入并 構(gòu)成此說(shuō)明書(shū)的一部分。附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說(shuō)明一 起用于解釋本發(fā)明的原理。本發(fā)明的其它實(shí)施例和本發(fā)明的許多預(yù)期 優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)參照以下具體實(shí)施方式
而得到更好地理解，因此將更容易 體會(huì)，圖中的要素彼此之間不必按比例畫(huà)出。類(lèi)似的標(biāo)號(hào)指定對(duì)應(yīng) 的類(lèi)似部分。
圖1以示意圖方式示出作為一個(gè)示范實(shí)施例的器件100。
圖2A到2D以示意圖方式示出制造器件的方法的一個(gè)示范實(shí)施例。
圖3A到3E以示意圖方式示出制造器件的方法的又一示范實(shí)施例。
圖4以示意圖方式示出作為又一示范實(shí)施例的器件。 圖5A到5K以示意圖方式示出制造器件的方法的示范實(shí)施例。 圖6A到6K以示意圖方式示出制造器件的方法的示范實(shí)施例。 圖7A到7I以示意圖方式示出制造器件的方法的示范實(shí)施例。 圖8A到8E以示意圖方式示出作為又一示范實(shí)施例的器件的不同 視角或器件的部分。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)說(shuō)明中，參照了形成本文一部分的附圖，并且圖中 通過(guò)示圖方式顯示了可實(shí)踐本發(fā)明的特定實(shí)施例。在此方面，諸如"頂 部"、"底部"、"前"、"后"、"頭"、"尾"等方向術(shù)語(yǔ)參照所述圖形的定 向使用。由于本發(fā)明實(shí)施例的組件可定位在多個(gè)不同定向中，因此， 方向術(shù)語(yǔ)用于說(shuō)明，而不是限制。要理解的是在不脫離本發(fā)明范圍的 情況下可利用其它實(shí)施例，并且可進(jìn)行結(jié)構(gòu)或邏輯更改。因此，下面 的詳細(xì)說(shuō)明不可從限制的意義理解，并且本發(fā)明的范圍由隨附權(quán)利要 求定義。
下面參照附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施例，其中，類(lèi)似的標(biāo)號(hào)一般用 于表示所有圖形中類(lèi)似的要素，并且其中，各種結(jié)構(gòu)不一定按比例畫(huà) 出。在下面的說(shuō)明中，為便于解釋?zhuān)愂隽嗽S多特定的細(xì)節(jié)以便提供 本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的詳盡理解。然而，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員可明白，可通過(guò)更少程度的這些特定細(xì)節(jié)實(shí)踐本發(fā)明實(shí)施例的一 個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。因此，下面的說(shuō)明不可從限制的意義理解，并且本 發(fā)明的范圍由隨附權(quán)利要求定義。
下面描述具有半導(dǎo)體芯片的器件。半導(dǎo)體芯片可以為極其不同的 類(lèi)型，并且可包括例如集成電氣、光電、電子機(jī)械或電子生物電路。
半導(dǎo)體芯片例如可配置為功率半導(dǎo)體芯片，如功率MOSFET (金屬氧 化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT (絕緣柵雙極晶體管)、JFET (結(jié) 柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、功率雙極晶體管或功率二極管。此外，半導(dǎo)體 芯片可包括邏輯電路、控制電路、微處理器或微電子機(jī)械組件。具體 而言，可涉及具有垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片，也就是說(shuō)半導(dǎo)體芯片可制 造為使得電流能夠在垂直于半導(dǎo)體芯片主表面的方向上流動(dòng)。具有垂 直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片可具有接觸單元，具體而言在其兩個(gè)主表面上， 也就是說(shuō)在其頂部側(cè)和底部側(cè)。具體而言，功率半導(dǎo)體芯片可具有垂 直結(jié)構(gòu)。此外，下述器件可包括集成電路以控制其它半導(dǎo)體芯片的集成電路。半導(dǎo)體芯片無(wú)需使用特定半導(dǎo)體材料制造，如Si、 SiC、 SiGe、 GaAs，并且還可包含不是半導(dǎo)體的無(wú)機(jī)和/或有機(jī)材料，如絕緣體、 塑料或金屬。另外，半導(dǎo)體芯片可以已封裝或未封裝。
半導(dǎo)體芯片可具有接觸單元(或接觸墊或電極)，允許與半導(dǎo)體
芯片中包括的集成電路形成電接觸。 一個(gè)或多個(gè)金屬層可應(yīng)用到半導(dǎo) 體芯片的接觸單元。金屬層可以任何所需的幾何形狀和任何所需的材 料組成制造。金屬層例如可以為覆蓋某個(gè)區(qū)域的層形式。例如源于鋁、 鈦、金、銀、銅、鈀、鉑、鎳、鉻或鎳釩的任何所需的金屬或金屬合 金可用作該材料。金屬層無(wú)需是同質(zhì)或只使用一種材料制造，也就是 說(shuō)，金屬層中包含的材料有各種組成和含量是可能的。
半導(dǎo)體芯片可放置在載體上。載體可以為任何形狀、大小或材料。 在器件制造期間，載體可相互連接。這些載體也可一件式制成。載體 可通過(guò)連接部件在相互之間連接，以便在制造過(guò)程中分隔一些載體。 載體的分隔可通過(guò)機(jī)械鋸切、激光束、切割、沖壓、銑削、蝕刻或任 何其它適當(dāng)?shù)姆椒▓?zhí)行。載體可以是導(dǎo)電型。它們可使用金屬或金屬 合金制造，具體而言使用銅、銅合金、鐵鎳、鋁、鋁合金或其它適當(dāng) 的材料。載體例如可以是引線框架或引線框架的一部分。此外，載體 可鍍有導(dǎo)電材料，如銅、銀、鐵鎳或鎳磷。
器件可包括電絕緣材料。電絕緣材料可覆蓋器件組件任意數(shù)量表 面的任何部分。電絕緣材料可提供各種功能。例如它可用于將器件的 組件相互電絕緣和/或與外部組件電絕緣，但電絕緣材料也可用作安裝 其它組件的平臺(tái)，例如繞絲層(wiring layer)。電絕緣材料可用于產(chǎn) 生扇出(fan-out)型封裝。在扇出型封裝中，至少一些外部接觸單元 和/或?qū)雽?dǎo)體芯片連接到外部接觸單元的導(dǎo)電帶在半導(dǎo)體芯片外形 外橫向定位，或者確實(shí)至少與半導(dǎo)體芯片外形相交。因此，在扇出型 封裝中，半導(dǎo)體芯片封裝的外圍外部部分一般(另外)用于將封裝電 氣接合到外部應(yīng)用，如應(yīng)用板等。相對(duì)于半導(dǎo)體芯片的尺寸，包含半 導(dǎo)體芯片的封裝的此外部部分有效地放大了封裝的接觸面積，因而導(dǎo)致在例如二級(jí)組裝等后續(xù)加工有關(guān)的封裝墊尺寸和間距方面約束變 寬松。
電絕緣材料可通過(guò)使用各種技術(shù)淀積在器件的組件上。例如，電 方法淀積。電絕緣材料例如可包含硅材料或者可完全由硅(或聚合硅
氧烷或聚硅氧烷)組成。電絕緣材料可具有例如小于100MPa的彈性 模量。電絕緣材料可導(dǎo)熱，以便它可散發(fā)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱。也可 提供包含不導(dǎo)熱的電絕緣材料的器件。
一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層可放置在半導(dǎo)體芯片和/或電絕緣材料上方。導(dǎo) 電層例如可用于產(chǎn)生重新分布層。導(dǎo)電層可用作布線層以便從器件外 與半導(dǎo)體芯片電接觸，或者與器件中包含的其它半導(dǎo)體芯片和/或組件 電接觸。導(dǎo)電層可以任何所需的幾何形狀和任何所需的材料組成制 造。
導(dǎo)電層例如可以由導(dǎo)電帶組成，但也可以為覆蓋某個(gè)區(qū)域的層形 式。諸如金屬等任何所需的導(dǎo)電材料可用作該材料，例如，銅、鋁、 鎳、把、銀、錫或金、金屬合金、金屬堆疊或有機(jī)導(dǎo)體。導(dǎo)電層無(wú)需 是同質(zhì)或只使用一種材料制造，也就是說(shuō)，導(dǎo)電層中包含的材料有各 種組成和含量是可能的。此外，導(dǎo)電層可布置在電絕緣層的上方或下 方或之間。
半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)電層可通過(guò)軟焊而結(jié)合。軟焊是諸如金屬物品等
兩個(gè)或更多個(gè)物品通過(guò)熔融并將焊料流入結(jié)點(diǎn)而結(jié)合在一起的工藝。 要將半導(dǎo)體芯片焊接到導(dǎo)電層，焊料可淀積在半導(dǎo)體芯片上，具體而
言，半導(dǎo)體芯片的一個(gè)或多個(gè)接觸單元上。
下述器件包括可以為任何形狀或大小的外部接觸單元或外部接觸 墊。外部接觸單元可從器件外部到達(dá)，并且因此可允許從器件外部與 半導(dǎo)體芯片進(jìn)行電接觸。此外，外部接觸單元可導(dǎo)熱，并且可用作散 熱器以散發(fā)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱。外部接觸單元可由任何所需的導(dǎo)電 材料組成，例如，由諸如銅、鋁或金等金屬、金屬合金或?qū)щ娪袡C(jī)材料組成。焊料可淀積在外部接觸單元上。
圖1以示意圖方式示出器件100。器件100包括載體10。第一材 料11淀積在載體10上。第一材料11具有小于100MPa的彈性模量。 半導(dǎo)體芯片12放置在第一材料11上方。電絕緣的第二材料13淀積 在半導(dǎo)體芯片12上。金屬層14放置在第二材料13上方。
圖2A到2D以示意圖方式示出用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的方法。首先， 提供載體10 (參見(jiàn)圖2A)。包含硅的第一材料11淀積在載體10上 (參見(jiàn)圖2B)。在第一材料ll的上方，放置至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片12 (參見(jiàn)圖2C)。金屬層14被應(yīng)用在至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片12上方(參 見(jiàn)圖2D)。
圖3A到3E和圖4以示意圖方式示出包括與器件100和圖2A到
此，器件和方法的類(lèi)似或相同的組成以相同的標(biāo)號(hào)表示。
圖3A到3E以示意圖方式示出用于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的方法。首先， 提供載體10 (參見(jiàn)圖3A)。至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片12貼到載體10(參 見(jiàn)圖3B)。半導(dǎo)體芯片12包括至少一個(gè)接觸單元15。載體10和半 導(dǎo)體芯片12覆蓋有電絕緣材料16 (參見(jiàn)圖3C)。金屬箔14被應(yīng)用 在半導(dǎo)體芯片12上方(參見(jiàn)圖3D)。金屬箔14被焊接到接觸單元 15 (參見(jiàn)圖3E)。
圖4以示意圖方式示出包括載體IO和貼到載體10的半導(dǎo)體芯片 12的器件400。半導(dǎo)體芯片12包括至少一個(gè)接觸單元15。電絕緣材 料16覆蓋載體10和半導(dǎo)體芯片12。金屬箔14覆蓋半導(dǎo)體芯片12, 并被焊接到接觸單元15。
圖5A到5K以示意圖方式示出用于生產(chǎn)器件500的方法，圖5K 中示出該器件的一個(gè)橫截面。圖5A到5K所示的方法是圖2A到2D 和圖3A到3E中所示方法的實(shí)現(xiàn)。此外，器件500是圖l和圖4中所 示器件100和400的實(shí)現(xiàn)。下述生產(chǎn)方法的細(xì)節(jié)因此能夠類(lèi)似地應(yīng)用 到圖2A到2D和圖3A到3E的方法。另外，器件500的細(xì)節(jié)能夠類(lèi)似地應(yīng)用到器件100和400。
如圖5A所示，提供了可導(dǎo)電的載體IO。載體10可以是由例如金 屬或金屬合金等剛性材料制成的板或箔，如銅、鋁、鎳、CuFeP、鋼 或不銹鋼。載體IO可具有平整的上表面，半導(dǎo)體芯片12以后要放置 到該表面上。載體10的形狀不限于任何幾何形狀，并且載體10可具 有任何適當(dāng)?shù)拇笮?。例如，載體10的厚度可以在50微米到1毫米的 范圍內(nèi)。此外，載體10可以加工成形(structure)。載體10例如可 以是引線框架或引線框架的一部分。另外，載體10可鍍有導(dǎo)電材料， 如銅、銀、鐵鎳或鎳磷。
如圖5B所示，例如粘合材料等材料11可淀積在載體10的上表 面上。粘合材料11可由聚合物或任何其它適合的材料制成。粘合材 料11可包含硅，即，聚合珪氧烷或聚硅氧烷，或氟硅，或者可以是 完全由硅制成。粘合材料11還可以是硅和環(huán)氧樹(shù)脂的混合物，或者 是硅和聚酰亞胺的混合物。在硬化后，粘合材料11可具有小于100 MPa的彈性才莫量，尤其是小于50 MPa、20 MPa、 10 MPa、5 MPa、2 MPa、 lMPa、 500kPa、 200kPa、 100kPa、 50kPa或20kPa。彈性才莫量也稱(chēng) 為楊氏模量、彈性模量或拉伸模量。彈性模量可定義為具有壓力單位 的應(yīng)力與無(wú)因次的張力之比，因此，彈性模量本身具有壓力單位。
如上所述粘合材料11的彈性模量可允許半導(dǎo)體芯片12的浮式支 承(floatingmounting)。由于載體10和半導(dǎo)體芯片12具有不同熱膨 脹系數(shù)的原因，因此，希望半導(dǎo)體芯片12的浮式支承降低在溫度循 環(huán)期間誘發(fā)的機(jī)械應(yīng)力。例如，可制造載體10的銅具有大約17xl(T6K 的熱膨脹系數(shù)，并且可制造半導(dǎo)體芯片12的硅具有大約3xl(T6/K的熱 膨脹系數(shù)。
粘合材料11可具有例如在介于0.1 W/mK與5 W/mK或更高值范 圍中的熱傳導(dǎo)系數(shù)。備選，粘合材料11可以是絕熱的。粘合材料ll 可在固化期間展示低釋氣性，并且尤其是高觸變性。硅膠(Elastosil) 可用于粘合材料11 ，例如市場(chǎng)上有售的硅膠RT705。
ii粘合材料11可淀積在載體10的上表面的以后要放置半導(dǎo)體芯片 12的那些位置處。淀積時(shí)，粘合材料ll可以是液體、粘性或可塑性 的。粘合材料11的淀積例如可通過(guò)漏版印刷(stencil printing)、絲 網(wǎng)印刷、滴涂(dispensing)或任何其它適當(dāng)?shù)姆椒ú磐?亍。
如圖5C所示，半導(dǎo)體芯片12及可能的其它半導(dǎo)體芯片放置在載 體IO上淀積的粘性材料11島(island)上方。雖然粘合材料11島和 半導(dǎo)體芯片12在圖5C中具有相同的表面積，但其表面積可以不同。 半導(dǎo)體芯片12可布置為陣列。此外，半導(dǎo)體芯片的任何適合陣列可 放置在載體10上(圖5C中只顯示其中兩個(gè)半導(dǎo)體芯片)。例如，在 載體10上可放置超過(guò)50或500或1000個(gè)半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片 12如在晶片鍵合中一樣以更大的間隔在載體10上重新定位。半導(dǎo)體 芯片12可在同一半導(dǎo)體晶片上制造，但備選可在不同晶片上制造。 此外，半導(dǎo)體芯片12可在物理上相同，但也可包含不同的集成電路
體芯片12可具有在介于50微米與幾百微米之間范圍中的厚度。半導(dǎo) 體芯片12具有活性主表面17,并且布置在載體10上方，其活性主表 面17背對(duì)載體10。接觸單元15位于活性主表面17上。半導(dǎo)體芯片 12中嵌入的集成電路能夠經(jīng)接觸單元15電接觸。接觸單元15可以由 例如鋁或銅等金屬制成的接觸墊。接觸單元15可以無(wú)規(guī)律布置，并 且可在大小和幾何形狀方面不同。
可使用能夠撿拾半導(dǎo)體芯片12并將它們放置在粘合材料11上的 拾放工具。半導(dǎo)體芯片12可按壓在粘合材料11中，并且可允許沉浸 達(dá)其100%厚度。
在放置半導(dǎo)體芯片12后，粘合材料11可通過(guò)適中溫度的熱處理 幾分鐘固化(硬化)，例如小于200 。C或140 。C或100 。C的溫度。 熱處理可通過(guò)使用電熱板或烤箱執(zhí)行。
可執(zhí)行光成像(Photo imaging)以存儲(chǔ)放置在載體10上的半導(dǎo)體 芯片12的位置和角度。視用于放置半導(dǎo)體芯片12的定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性而定，可能不必執(zhí)行光成像。
在電絕緣材料16淀積后，可執(zhí)行校平工藝以對(duì)齊半導(dǎo)體芯片12 的上部主表面17。為此，例如晶片等又一載體可按壓到半導(dǎo)體芯片 12上，或者到焊料淀積物或?qū)щ娔z或淀積在半導(dǎo)體芯片12的接觸單 元15上的任何其它導(dǎo)電材料上。校平工藝可在粘合材料11硬化之前 或之后扭J亍。
如圖5D所示，電絕緣材料16淀積在半導(dǎo)體芯片12和載體10的 暴露表面上。半導(dǎo)體芯片12之間的間隙也填充有電絕緣材料16。在 一個(gè)實(shí)施例中，在半導(dǎo)體芯片12的活性主表面17上方的電絕緣材料 16的高度山可以為至少I(mǎi)O微米，并且尤其是大約30微米。在其淀 積后，電絕緣材料16可在其上表面上提供平面部分，其與載體10的 上表面共面。這些平面表面可用于安裝其它組件，如重新分布層。
用于嵌入半導(dǎo)體芯片12的電絕緣材料16可由聚合物或任何其它 適合的材料制成。電絕緣材料16可包含硅或氟硅，或者可完全由硅 制成。電絕緣材料16還可以是硅和環(huán)氧樹(shù)脂的混合物，或者是珪和 聚酰亞胺的混合物。在硬化后，電絕緣材料16可具有小于100 MPa 的彈性模量，尤其是小于50MPa、 20MPa、 lOMPa、 5 MPa、 2MPa、 lMPa、 500kPa、 200kPa、 100kPa、 50kPa或20kPa。具體而言，其 彈性模量可以為大約3 MPa。電絕緣材料16可具有例如在介于0.1 W/mK與5 W/mK或更高值范圍中的熱傳導(dǎo)系數(shù)。電絕緣材料16可在 固化期間展示低釋氣性，并且尤其具有低觸變性。硅膠可用于電絕緣 材料16,但是為高觸變性，例如，市場(chǎng)上有售的硅膠RT705。
如上所述的電絕緣材料16的彈性模量可允許半導(dǎo)體芯片12相對(duì) 于以后放置在半導(dǎo)體芯片12上方的金屬箔14的浮式支承。由于半導(dǎo) 體芯片12和金屬蕩14具有不同熱膨脹系數(shù)的原因，因此，希望半導(dǎo) 體芯片12的浮式支承降低在溫度循環(huán)期間誘發(fā)的機(jī)械應(yīng)力。
在其淀積期間，電絕緣材料16可以是液體、粘性或可塑性的。電 絕緣材料16的淀積例如可通過(guò)漏版印刷、絲網(wǎng)印刷、滴涂或任何其它適當(dāng)?shù)姆椒?丸行。
在其淀積后，電絕緣材料16可通過(guò)適中溫度的熱處理幾分鐘而半
固化(部分硬化)，例如小于120 。C或100 。C或80 。C的溫度。熱處 理可通過(guò)使用電熱板或烤箱執(zhí)行。
電絕緣材料16可加工成形以形成如圖5E所示從電絕緣材料16 的上表面向下到達(dá)半導(dǎo)體芯片12的接觸單元15的挖空(cut-out)或 通孔18。通孔18的實(shí)施例比率是通孔18的高度與寬度的比率，可以 取決于用于使用導(dǎo)電材料填充通孔18的方法。電絕緣材料16例如可 以通過(guò)激光燒蝕加工成形。采用激光加工成形時(shí)，可提供不大于50 微米的通孔18直徑。具體而言，如果用于放置半導(dǎo)體芯片12的定位 系統(tǒng)的準(zhǔn)確性低，并且執(zhí)行了光成像以存儲(chǔ)放置在載體10上的半導(dǎo) 體芯片12的位置和角度，則可使用激光加工成形。如果電絕緣材料 16包含光敏成分，則形成通孔18的備選技術(shù)有化學(xué)蝕刻或光刻加工 成形。又一備選是為電絕緣材料16的淀積使用印刷技術(shù)，如漏版印 刷或絲網(wǎng)印刷，并且在載體IO和半導(dǎo)體芯片12上印刷電絕緣材料16 時(shí)暴露至少部分接觸單元15。
首先，焊料19如圖5F所示放置在通孔18中。焊料19可通過(guò)使 用漏版印刷或其它適合的印刷方法應(yīng)用。備選，具有直徑不大于通孔 18直徑的預(yù)成形焊料球可通過(guò)涂刷或滾動(dòng)而插入通孔18中。此外， 通過(guò)使用壓力將液態(tài)的材料填充到通孔18中，可將焊料19或任何其 它導(dǎo)電材料填充到通孔18中。作為焊料19的備選，諸如導(dǎo)電膠或納 米膏(nanopastes)等其它導(dǎo)電材料可淀積在通孔18中?？商峁碾娊^ 緣材料16的上表面突出的焊料19,這意味著在通孔18中淀積的焊料 19具有大于山的高度。焊料19可由例如從以下材料組成的金屬合金 制成SnPb、 SnAg、 SnAgCu、 SnAgCuNi、 SnAu、 SnCu和SnBi。焊 料19可包含有低釋氣性的熔劑。接觸單元15可具有可焊接表面。
在電絕緣材料16之上，可產(chǎn)生重新分布層。產(chǎn)生重新分布層的一 個(gè)可能性是使用標(biāo)準(zhǔn)PCB (印刷電路板)工業(yè)工藝流程。如圖5G所示，金屬箔14可應(yīng)用到電絕緣層16的上表面。金屬箔14可由銅、 鋁或任何其它金屬、金屬合金或金屬堆疊制成。金屬箔14的厚度可 以在介于1與500微米之間的范圍，并且具體而言在介于5與60微 米之間的范圍。
通過(guò)在適合時(shí)間內(nèi)應(yīng)用真空和壓力，將金屬箔14粘附到電絕緣材 料16，可將金屬箔M層壓到底層結(jié)構(gòu)上。此外，在金屬箔14的層壓 期間，可應(yīng)用熱。在金屬箔14層壓后，可應(yīng)用熱，并且尤其是還使 用壓力，以熔融在電絕緣材料16中嵌入的焊料19。溫度可在介于200 。C與400 。C之間的范圍。通過(guò)熔融焊料19,可啟動(dòng)焊接工藝，該工 藝在半導(dǎo)體芯片12的接觸單元15與金屬箔14之間產(chǎn)生焊接頭。由 于在焊接工藝期間應(yīng)用的熱量，電絕緣材料16可固化并且可與金屬 箔14牢固地連接。可將金屬箔14打孔以允許固化期間電絕緣材料16 和焊料19釋氣。
在金屬箔14之上，可層壓可光構(gòu)造(photostructurable)的干抗蝕 膜。通過(guò)暴露在適合波長(zhǎng)的光下，可在抗蝕膜中形成凹口。為此，可 使用激光束和在光成像期間記錄的數(shù)據(jù)。如果用于放置半導(dǎo)體芯片12 的定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性足夠高，則抗蝕膜可選擇性地暴露在通過(guò)掩膜發(fā) 射的適合波長(zhǎng)的光下。隨后，顯影抗蝕膜，并且蝕刻金屬箔14由此 而暴露的部分。在抗蝕膜剝離之后，如圖5H所示，只有加工成形的 金屬箔14保持在電絕緣材料16上。
如圖51所示，可由硅材料和延展性電絕緣材料組成的防焊層20 可應(yīng)用到加工成形的金屬膜14和電絕緣材料16的暴露部分。例如可 對(duì)防焊層20進(jìn)行漏版印刷或絲網(wǎng)印刷，從而使外部接觸墊21在適當(dāng) 的位置有開(kāi)口。之后，可固化和清潔防焊層20。防焊層20防止焊料 在導(dǎo)電帶之間橋接并形成短路。防焊層20也提供了免受環(huán)境影響的 保護(hù)。
備選，防焊層20可以是可光構(gòu)造。通過(guò)暴露在具有適合波長(zhǎng)的光 下及隨后的顯影，可在防焊層20中形成凹口以暴露外部接觸墊21。
15第二焊料22可應(yīng)用到如圖5J所示從防焊層20暴露的外部接觸墊 21的表面上。焊料22可通過(guò)印刷應(yīng)用，例如，漏版印刷，隨后進(jìn)行 熱處理工藝以熔融焊料22。外部接觸墊21和焊料22可在以后繼續(xù)用 作外部連接元件以便將器件400與例如PCB等其它組件電耦合。外部 接觸墊22可從半導(dǎo)體芯片12的接觸單元15橫向偏移。在應(yīng)用焊料 22前，可例如通過(guò)RIE (反應(yīng)離子蝕刻)或化學(xué)清潔來(lái)清潔外部接觸 墊21以便去除在外部接觸墊22上保留的防焊材料。
如圖5K所示，例如通過(guò)鋸切、激光燒蝕或蝕刻，器件500通過(guò) 載體IO、電絕緣材料16和重新分布層的分離而相互分離。
載體10的棵背側(cè)可用子散發(fā)器件500操作期間由半導(dǎo)體芯片12 產(chǎn)生的熱。例如，散熱器或冷卻元件可貼到載體10的背側(cè)。此外， 背側(cè)可例如通過(guò)印刷而涂上保護(hù)性和/或電絕緣層。
通過(guò)上述方法制造的器件50是扇出型封裝。電絕緣材料16允許 重新分布層延伸到半導(dǎo)體芯片12的外形之外。外部接觸墊21因此無(wú) 需布置在半導(dǎo)體芯片12的外形內(nèi)，而是能夠分布在更大的面積上。 由于電絕緣層16的原因而可供布置外部接觸墊21的增大面積意味著 外部接觸墊21不但能以相互距離較大地布置，而且與所有外部接觸 墊21布置在半導(dǎo)體芯片12的外形內(nèi)時(shí)的情況相比，能夠布置的外部 接觸墊21的最大數(shù)量同樣增大。作為扇出型封裝的備選，也可能使 用上述方法制造扇入型封裝。
圖5K中所示的器件500及上述其制造方法只用作示范實(shí)施例， 并且許多變化可能實(shí)現(xiàn)。例如，不同類(lèi)型的半導(dǎo)體芯片或無(wú)源元件可 包括在相同器件500中。半導(dǎo)體芯片和無(wú)源元件可在功能、大小和制 造技術(shù)等方面不同。
如果不止一個(gè)半導(dǎo)體芯片包括在同一器件500中，則其中一個(gè)半 導(dǎo)體芯片可通過(guò)使用導(dǎo)熱的粘合材料11貼到載體10，并且其中另一 個(gè)半導(dǎo)體芯片可通過(guò)使用絕熱的粘合材料11貼到載體10。這種情況 下，熱耦合到載體10并且例如可以是處理器的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱傳送到載體10，但不傳送到與例如可以是DRAM或任何其它熱敏器 件的載體10去耦合的半導(dǎo)體芯片。
此外，可不使用電絕緣粘合材料11,而使用導(dǎo)電粘合材料ll在 載體10上安裝半導(dǎo)體芯片12。在后一情況下，粘合材料ll可富含金 屬顆粒，例如，金、銀、鎳或銅顆粒，以便產(chǎn)生導(dǎo)電性。在使用導(dǎo)電 粘合材料ll時(shí)，建立了半導(dǎo)體芯片12背側(cè)與載體IO之間的電連接。
如果粘合材料ll導(dǎo)電，則半導(dǎo)體芯片12可包括在其背側(cè)上具有 接地電極或任何其它電極的邏輯電路。備選，半導(dǎo)體芯片12可以是 垂直功率二極管或垂直功率晶體管，例如，IGBT、 JFET、功率雙極 晶體管或功率MOSFET。如果是MOSFET,則半導(dǎo)體芯片12可在其 頂部表面上具有源電極和柵電極，并且漏電極位于半導(dǎo)體芯片12的 底部表面上，半導(dǎo)體芯片12通過(guò)使用導(dǎo)電粘合材料11電耦合到載體 10。這種情況下，載體IO可不完全覆蓋有電絕緣材料16，并且例如 焊球等焊料淀積物可放置在從電絕緣材料16暴露的載體10的部分上 以便形成MOSFET漏電極的外部接觸單元。
視半導(dǎo)體芯片12類(lèi)型而定，至少半導(dǎo)體芯片12上表面17的一部 分可從電絕緣材料16和重新分布層暴露。在半導(dǎo)體芯片12例如包括 微電子機(jī)械組件，如傳聲器或壓力傳感器或激光器時(shí)，可能需要此類(lèi) 布置。
在上面所述和圖5A到5K所示的實(shí)施例中，在通孔18中淀積的 焊料19在層壓金屬箔14后被熔融。備選，焊料19可在淀積在外部 接觸墊21上的焊料22熔融時(shí)熔融，即，在焊料19淀積后，其熔融 溫度直到熔融焊料22時(shí)才達(dá)到。
根據(jù)又一實(shí)施例，焊料19或任何其它適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料可在半導(dǎo)體 芯片12安裝在載體10上之前淀積在半導(dǎo)體芯片12的接觸單元15上。 例如，焊料19可在半導(dǎo)體芯片12仍在晶片鍵合中時(shí)淀積在接觸單元 15上。焊料19例如可通過(guò)漏版印刷、絲網(wǎng)印刷或任何其它適當(dāng)?shù)挠?刷技術(shù)淀積到接觸單元15上。備選，焊球可放置在接觸單元15上。作為又一備選，焊料19可以電化學(xué)方式淀積在接觸單元15上以^更產(chǎn) 生焊料凸起。此外，也可使用諸如濺射等其它淀積方法。視淀積方法 而定，加工成形工藝可能是必需的。
焊料19可由例如從以下材料組成的金屬合金制成SnPb、 SnAg、 SnAgCu、 SnAgCuNi、 SnAu、 SnCu和SnBi。焊料19可包含熔劑及溶 劑。淀積在接觸單元15上的焊料19可具有至少I(mǎi)O微米的高度。可 提供比半導(dǎo)體芯片12的活性主表面17上方的電絕緣材料16的高度 dj (參見(jiàn)圖5D)更高的焊料凸起19的高度。在焊料凸起19淀積后， 可切割半導(dǎo)體晶片，由此分離各個(gè)半導(dǎo)體芯片12。
根據(jù)又一實(shí)施例，淀積在半導(dǎo)體芯片12之上的電絕緣材料16可 與淀積在載體IO暴露表面上并覆蓋半導(dǎo)體芯片12側(cè)表面的電絕緣材 料16不同。兩種電絕緣材料16例如可在其彈性模量和/或?qū)嵝院? 或觸變性方面不同。
根據(jù)還有的又一實(shí)施例，電絕緣材料16可使用兩種淀積工藝淀 積。在第一工藝中，電絕緣材料16淀積在載體10的暴露部分上，以 便電絕緣材料16的上表面和半導(dǎo)體芯片12的上表面17形成基本上 共同的平面。在第二工藝中，厚度山的電絕緣材料16的層淀積在以 前淀積的電絕緣材料16和半導(dǎo)體芯片12上。備選，在第一工藝中， 電絕緣材料16淀積在載體10的暴露部分上，以便電絕緣材料16比 半導(dǎo)體芯片12高大約dl的高度。在第二工藝中，電絕緣材料16只 淀積在半導(dǎo)體芯片12的上表面17上。
在制造重新分布層后，可在位于載體10 —端的一個(gè)半導(dǎo)體芯片 12與位于載體10相對(duì)端的另一半導(dǎo)體芯片12之間提供小于3毫米或 1毫米或IOO微米的垂直偏移。具體而言，可選擇粘合材料11和電絕 緣材料16的彈性模量，以便此要求能夠得以滿足。
圖6A到6K以示意圖方式示出用于生產(chǎn)器件600的方法，圖6K 中示出該器件的一個(gè)橫截面。圖6A到6K中所示的方法是圖5A到5K 中所示方法的又一變型。因此，在兩種方法中使用的類(lèi)似或相同組成表示為相同的標(biāo)號(hào)。此外，在下述內(nèi)容中，在相同的方法過(guò)程可如上
所述執(zhí)行時(shí)，有時(shí)引用了圖5A到5K的方法。
圖6A到6D中所示的方法過(guò)程與圖5A到5D中所示的方法過(guò)程 相同。如圖6E所示，在電絕緣材料16淀積后，在電絕緣材料16中 未形成挖空或通孔，但金屬箔14如上結(jié)合圖5G所述層壓在電絕緣材 料16的上表面上。之后，例如通過(guò)使用上面結(jié)合圖5H所述的方法工 藝，如圖6F所示將金屬箔14加工成形。
在金屬箔14加工成形后，電絕緣材料16可加工成形以形成如圖 6G所示從電絕緣材料16的上表面向下到達(dá)半導(dǎo)體芯片12的接觸單 元15的挖空或通孔18。通孔18可在已去除金屬箔14的那些位置形 成。通孔18可具有低于1.5或1的實(shí)施例比率。電絕緣材料16例如 可以通過(guò)激光燒蝕加工成形。形成通孔18的備選技術(shù)是化學(xué)蝕刻或 光刻加工成形。由于電絕緣材料16的加工成形，至少半導(dǎo)體芯片12 的部分接觸單元15可暴露。接觸單元15的暴露表面可通過(guò)使用RIE 或其它適合的清潔技術(shù)清潔。
焊料19如圖6H所示放置在通孔18中。焊料19的放置可類(lèi)似于 如上結(jié)合圖5F所述的焊料19的放置。焊料19可熔融以便在接觸單 元15與金屬箔14之間形成電連接。作為焊料19的備選，導(dǎo)電粘合 材料可放置在通孔18中。此外，可使用由尺寸在納米范圍的金屬顆 粒組成的納米膏，而不使用焊料19。在應(yīng)用期間，金屬顆?？煞智冈?以后蒸發(fā)的溶劑中。
防焊層20的制造(參見(jiàn)圖61)和焊料22在外部接觸單元21上 的應(yīng)用(參見(jiàn)圖6J)及各個(gè)器件600的分離(參見(jiàn)圖6K)可與上面 結(jié)合圖51到5K所述的方法工藝類(lèi)似或相同。
圖7A到71以示意圖方式示出用于生產(chǎn)器件700的方法，圖71 中示出該器件的一個(gè)橫截面。圖7A到71中所示的方法是圖5A到5K 中所示方法的又一變型。因此，在兩種方法中使用的類(lèi)似或相同組成 表示為相同的標(biāo)號(hào)。
19此外，在下述內(nèi)容中，在相同的方法過(guò)程可如上所述執(zhí)行時(shí)，有
時(shí)引用了圖5A到5K的方法。
圖7A到7E中所示的方法過(guò)程與圖5A到5E中所示的方法過(guò)程 相同。如圖7F所示，在通孔18制造后，導(dǎo)電材料23淀積在通孔18 中和電絕緣材料16的上表面上，由此形成重新分布層。導(dǎo)電材料23 可不完全填充通孔18，而是只涂在通孔18的壁上。在導(dǎo)電材料23淀 積前，可例如通過(guò)使用R正執(zhí)行清潔工藝。
導(dǎo)電材料23可通過(guò)無(wú)電(electroless )工藝和/或水電鍍工藝 (galvanic plating processes)產(chǎn)生。因此，種子層先無(wú)電地淀積到電 絕緣材料16的上表面和接觸單元15的暴露區(qū)域上。諸如鈀或鈦等材 料可用于通常厚度小于1微米的種子層
種子層的厚度可通過(guò)將又一層導(dǎo)電材料淀積到種子層上而增大。 例如，銅層可無(wú)電地淀積到種子層上。此銅層可具有小于l微米的厚 度。之后，可水電鍍淀積另一層厚度大于5微米的銅。也可忽略無(wú)電 地銅淀積。
備選，種子層可通過(guò)諸如濺射等真空淀積工藝淀積。例如，首先， 濺射具有例如大約50納米厚度的鈦層，之后濺射大約200納米厚度 的銅層。銅層隨后可用作種子層以水電鍍淀積厚度超過(guò)5微米的又一 銅層。
為獲得如圖7F所示的重新分布層，可在所有其層淀積工藝完成 后或在種子層淀積后，將導(dǎo)電材料23加工成形。
防焊層20的制造(參見(jiàn)圖7G)和焊料22在外部接觸單元21的 應(yīng)用(參見(jiàn)圖7H)及各個(gè)器件700的分離(參見(jiàn)圖71)可與上面結(jié) 合圖51到5K所述的方法工藝類(lèi)似或相同。
在圖8A中，以示意圖方式示出包括安裝到例如PCB等電路板24 上的器件500的器件800的摘要。外部接觸單元21可已通過(guò)使用焊 料淀積25焊接到電路板24的接觸墊。
為示出金屬箔14的實(shí)施例，圖8B中放大了部分器件800。正如從圖8B能看到的一樣，將接觸單元15電耦合到外部接觸墊21的至 少一部分金屬箔14在與具有連續(xù)彎曲形狀的半導(dǎo)體芯片12的主活性 表面17正交的方向上具有橫截面。因此，金屬箔14不是完全扁平的， 而是可具有如圖8B所示的波形結(jié)構(gòu)。金屬箔14的波形結(jié)構(gòu)可在TCoB (板上溫度循環(huán))應(yīng)力測(cè)試期間及在電路板24上焊接器件500后從 焊料峰值溫度冷卻時(shí)防止金屬疲勞。金屬箔14的彎曲或彈簧形狀可 防止金屬箔14損壞，特別是在半導(dǎo)體芯片12的熱膨脹系數(shù)不同于電 路板24的熱膨脹系數(shù)時(shí)。
如圖8B所示的金屬箔14的峰間距離(12可在介于10與100微米 的范圍。金屬箔14的彎曲結(jié)構(gòu)可由底層電絕緣材料16的彎曲表面造 成。在淀積電絕緣材料16時(shí)，可利用諸如絲網(wǎng)印刷等印刷技術(shù)，這 允許產(chǎn)生電絕緣材料16的波狀表面。
備選，激光束可用于產(chǎn)生電絕緣材料16的波形表面。 圖8C示出沿圖8B所示線條A-A'的器件500的一部分橫截面。正 如從圖8C能看到的一樣，已通過(guò)金屬箔14加工成形產(chǎn)生的導(dǎo)電線路 14在與具有連續(xù)彎曲形狀，例如，曲折或波形結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片12 的活性主表面17平行的方向上具有橫截面。導(dǎo)電線路14的曲折或波
接器件500后從焊料峰值溫度冷卻時(shí)防止金屬疲勞。如圖8C所示的 導(dǎo)電線路14的彎曲或彈簧形狀可防止導(dǎo)電線路14損壞，特別是在半 導(dǎo)體芯片12的熱膨脹系數(shù)不同于電路板24的熱膨脹系數(shù)時(shí)。導(dǎo)電線 路14可朝TCoB應(yīng)力方向定向，這可以是朝器件500的中心定向。耦 合到接觸單元15或外部接觸墊21的導(dǎo)電線路14的截面可擴(kuò)大。
如圖8C所示的導(dǎo)電線路14的峰間距離ds可在介于導(dǎo)電線路14 兩倍的線寬與幾百倍線寬之間的范圍。相鄰導(dǎo)電線路可具有類(lèi)似或相 同的形狀，以允許導(dǎo)電線路的密集布置。導(dǎo)電線路14的曲折或波形 結(jié)構(gòu)可通過(guò)在重新分布層產(chǎn)生期間金屬箔14的激光加工成形或光刻 加工成形而產(chǎn)生。要快速成型，金屬箔14或種子層可直接通過(guò)使用激光束加工成形。
外部接觸墊21可具有邊長(zhǎng)為d4和ds的矩形。朝導(dǎo)電線路14主方 向定向的邊長(zhǎng)d4可大于邊長(zhǎng)d5。
可提供導(dǎo)電線路14只展示類(lèi)似于圖8B所示形狀的連續(xù)彎曲形狀 或類(lèi)似于圖8C所示形狀的連續(xù)彎曲形狀，或者導(dǎo)電線路14在與半導(dǎo) 體芯片12的活性主表面17正交和平行的方向上彎曲。
如圖8C所示的導(dǎo)電線路14的曲折或彎曲結(jié)構(gòu)變化在圖8D和8E 中示出。
另外，雖然本發(fā)明實(shí)施例的特定特性或?qū)嵤├梢阎幌鄬?duì)于幾個(gè) 實(shí)現(xiàn)之一公開(kāi)，但如任何給定或特定應(yīng)用可能期望的一樣，此類(lèi)特性 或?qū)嵤├膳c其它實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)其它特性或?qū)嵤├M合在一起。 此外，在詳細(xì)說(shuō)明或權(quán)利要求中使用術(shù)語(yǔ)"包括"、"具有"、"帶有"或 其其它變型方面，此類(lèi)術(shù)語(yǔ)要以類(lèi)似于術(shù)語(yǔ)"包括"的方式為包含在內(nèi) 的。術(shù)語(yǔ)"耦合"和"連接"及衍生詞可能已使用。應(yīng)理解，這些術(shù)語(yǔ)可 用于指示兩個(gè)要素互操作或相互交互，而無(wú)論它們是直接物理或電接 觸，還是它們相互未直接接觸。此外，應(yīng)理解，本發(fā)明的實(shí)施例可在 分立電路、部分集成電路或完全集成電路或編程部件中實(shí)現(xiàn)。此外， 術(shù)語(yǔ)"示范"只表示示例，而不是最好或最佳。也要理解，為簡(jiǎn)明和方 便理解起見(jiàn)，本文所示的特性和/或要素通過(guò)相互相對(duì)的特定尺寸示 出，并且實(shí)際尺寸可與本文所示尺寸大不相同。
雖然特定實(shí)施例已在本文中示出和描述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員將 理解，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，各種備用和/或等效實(shí)現(xiàn)可替 代所示和所述的特定實(shí)施例。本申請(qǐng)旨在涵蓋本文中所述的特定實(shí)施 例的所有修改或變化。因此，本發(fā)明只受權(quán)利要求及其等效物的限制。
權(quán)利要求
1.一種器件，包括載體；淀積在所述載體上的第一材料，所述第一材料具有小于100MPa的彈性模量；放置在所述第一材料上方的半導(dǎo)體芯片；淀積在所述半導(dǎo)體芯片上的第二材料，所述第二材料電絕緣；以及放置在所述第二材料上方的金屬層。
2. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第二材料具有小于100 MPa的彈性模量。
3. 如權(quán)利要求l所述的器件，其中所述第一材料電絕緣。
4 如權(quán)利要求l所述的器件，其中所述載體由金屬制成。
5. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中至少所述第一材料和所述第二 材料之一包括硅。
6. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中第三材料覆蓋所述半導(dǎo)體芯片 的至少一個(gè)側(cè)表面，所述第三材料具有小于100MPa的彈性模量。
7. —種方法，包括 提供載體；在所述載體上淀積第一材料，所述第一材料包括硅； 在所述第一材料上方;^文置至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片；以及 在所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片上方應(yīng)用金屬層。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一材料電絕緣。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中第二電絕緣材料淀積在所述至 少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片上方，所述第二電絕緣材料包括硅。
10. 如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第二電絕緣材料有開(kāi)口 以便達(dá)到所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片。
11. 如權(quán)利要求IO所述的方法，其中導(dǎo)電材料淀積在所述第二電絕緣材料的開(kāi)口中。
12. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一材料具有小于100 MPa的彈性模量。
13. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中在應(yīng)用所述金屬層后，所述 至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片之一與所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片的另一半導(dǎo)體 芯片分離。
14. 一種方法，包括將至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片貼到載體，所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片包括 至少一個(gè)接觸單元；使用電絕緣材料覆蓋所述載體和所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片； 在所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片上方應(yīng)用金屬箔；以及 將所述金屬箔焊接到所述至少 一個(gè)接觸單元。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述電絕緣材料有開(kāi)口以便 達(dá)到所述至少一個(gè)接觸單元。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中在將所述電絕緣材料開(kāi)口 前，部分去除所述金屬箔。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中焊料應(yīng)用到所述至少一個(gè)接 觸單元。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中在將所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯 片貼到所述載體前，所述焊料應(yīng)用到所述至少一個(gè)接觸單元。
19. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中在將所述金屬箔應(yīng)用到所述 至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片上方后，所述焊料應(yīng)用到所述至少一個(gè)接觸單 元。
20. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述金屬箔層壓在所述電絕 緣材料上。
21. —種器件，包括 載體；貼到所述載體的半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括至少一個(gè)接觸單元；覆蓋所述載體和所述半導(dǎo)體芯片的電絕緣材料；以及 覆蓋所述半導(dǎo)體芯片并焊接到所述至少 一個(gè)接觸單元的金屬箔。
22. —種器件，包括 包括接觸單元的半導(dǎo)體芯片； 外部接觸單元；以及將所述接觸單元電耦合到所述外部接觸單元的導(dǎo)電線路，至少一 部分所述導(dǎo)電線路具有連續(xù)彎曲形狀。
23. 如權(quán)利要求22所述的器件，其中所述導(dǎo)電線路在與具有連續(xù) 彎曲形狀的所述半導(dǎo)體芯片主表面所界定的平面平行的方向上具有 第一橫截面。
24. 如權(quán)利要求22所述的器件，其中所述導(dǎo)電線路在與具有連續(xù) 彎曲形狀的所述載體所界定的平面正交的方向上具有第二橫截面。
25. —種器件，包括 載體；用于提供淀積在所述載體上的第一材料的部件，所述第一材料部 件具有小于100MPa的彈性模量；放置在所述第一材料上方的半導(dǎo)體芯片；用于提供淀積在所述半導(dǎo)體芯片上的第二材料的部件，所述第二 材料電絕緣；以及用于提供放置在所述第二材料上方的金屬層的部件。
全文摘要
本發(fā)明的名稱(chēng)為半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體器件的制造，提供一種半導(dǎo)體器件。在一個(gè)實(shí)施例中，該器件包括載體。第一材料淀積在該載體上。第一材料具有小于100MPa的彈性模量。半導(dǎo)體芯片放置在第一材料上方。第二材料淀積在半導(dǎo)體芯片上，第二材料電絕緣。金屬層放置在第二材料上方。
文檔編號(hào)H01L21/50GK101582396SQ20091013821
公開(kāi)日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2009年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月5日
發(fā)明者G·邁耶-伯格 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司