專利名稱：充放電控制電路及電池裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及控制電池的充放電的充放電控制電路及電池裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，各式各樣的便攜式電子設(shè)備得到普及。這些便攜式電子設(shè) 備通常由搭載電池的電池裝置來驅(qū)動。
在使用便攜式電子設(shè)備的場合，電池與便攜式電子設(shè)備連接，當(dāng) 電池被充電時，電池與充電器連接。在此，作為電池的危險狀態(tài)，有 電池充電時電池與充電器以相反極性連接的充電器反接狀態(tài)。
作為該對策，提出了若電池與充電器以相反極性連接，檢測端子 的電壓高于電源電壓，且比較電路檢測出該情況，則停止電池的放電
的技術(shù)(例如，參照專利文獻(xiàn)l:日本特開2006-210026號公報)。

發(fā)明內(nèi)容
但是，由于使用比較電路，電路規(guī)模會相應(yīng)地變大。因而，消耗 電流會變多。此外，制造成本會變高。
本發(fā)明鑒于上述問題構(gòu)思而成，提供可減小電路規(guī)才莫的充放電控 制電路及電池裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種一種用于控制電池的充放電 的充放電控制電路，該充放電控制電路形成在第二導(dǎo)電型的基板上， 并在充放電路徑上設(shè)有第二導(dǎo)電型的第一 MOS晶體管以及第二導(dǎo)電 型的第二MOS晶體管，其特征在于包括檢測端子，用于檢測所述 電池與充電器的相反極性的連接；以及充電器反接檢測電路，該充電 器反接檢測電路包括設(shè)置在所述檢測端子上的輸入端子；輸出端子；第 一寄生雙極性晶體管，該第 一寄生雙極性晶體管的第二導(dǎo)電型的基 極設(shè)置在第 一 電源供給端子上且發(fā)射極設(shè)置在所述輸入端子上；以及 第二寄生雙極性晶體管，該第二寄生雙極性晶體管的第一導(dǎo)電型的基 極設(shè)置在所述第一寄生雙極性晶體管的集電極，發(fā)射極經(jīng)由電阻成分 設(shè)置在第二電源供給端子上，集電極設(shè)置在所述第一電源供給端子 上，若所述輸入端子的電壓成為在電源電壓加上二極管的闊值電壓后
的電壓以上，則使所述第一MOS晶體管進(jìn)行導(dǎo)通動作，該第一MOS 晶體管在導(dǎo)通時使充放電電流流過而在截止時僅使第一寄生二極管 的放電電流流過，且使所述第二 MOS晶體管進(jìn)行截止動作，該第二 MOS晶體管在導(dǎo)通時使充放電電流流過而在截止時僅使第二寄生二 極管的充電電流流過，從而使所述電池停止放電。
此外，本發(fā)明為了解決上述課題，提供一種電池裝置，該電池裝 置具備控制電池的充放電的充放電控制電路，該充放電控制電路形成 在第二導(dǎo)電型的基板上，并在充放電路徑上設(shè)有第二導(dǎo)電型的第一
MOS晶體管及第二導(dǎo)電型的第二MOS晶體管，其特征在于包括檢 測端子，用于檢測所述電池與充電器的相反極性的連接；以及充電器 反接檢測電路，該充電器反接檢測電路包括設(shè)置在所述檢測端子上 的輸入端子；輸出端子；第一寄生雙極性晶體管，該第一寄生雙極性 晶體管的第二導(dǎo)電型的基極設(shè)置在第 一 電源供給端子上且發(fā)射極設(shè) 置在所述輸入端子上；以及第二寄生雙極性晶體管，該第二寄生雙極 性晶體管的第 一導(dǎo)電型的基極設(shè)置在所述第 一寄生雙極性晶體管的 集電極，發(fā)射極經(jīng)由電阻成分設(shè)置在第二電源供給端子上，集電極設(shè) 置在所述第一電源供給端子上，若所述輸入端子的電壓成為在電源電 壓加上二極管的閾值電壓后的電壓以上，則使所述第一MOS晶體管 進(jìn)行導(dǎo)通動作，該第一 MOS晶體管在導(dǎo)通時使充放電電流流過而在 截止時僅使第一寄生二極管的放電電流流過，且使所述第二MOS晶 體管進(jìn)行截止動作，該第二 MOS晶體管在導(dǎo)通時使充放電電流流過 而在截止時僅使第二寄生二極管的充電電流流過，從而使所述電池停止放電，而且還具備所述第一MOS晶體管、所述第二MOS晶體管和 所述電池。
發(fā)明效果
在本發(fā)明中，由于在充電器反接檢測電路中沒有使用比較電路 等，充電器反接檢測電路及充放電控制電路的電路規(guī)模變小。


圖1是表示電池裝置的方框圖。
圖2是表示充放電控制電路的方框圖。 圖3是表示充電器反接檢測電路的電路圖。 圖4是表示充電器反接檢測電路的器件剖視圖。 圖5是表示充電器反接檢測電路的電路圖。 圖6是表示充電器反接檢測電路的器件剖視圖。 圖7是表示充電器反接檢測電路的電路圖。 圖8是表示充電器反接檢測電路的器件剖視圖。 (符號說明)
110......充》丈電控制電路；111......過充電檢測電路；112......過方欠
電才企測電3各；113......過電流〗僉測電路；115......延遲電^各；116......
充電器反接檢測電^各；117......邏輯電路；VDD......電源端子；
VSS......接地端子；DO......控制端子；CO......控制端子；VM......檢
測端子。
具體實施例方式
以下，參照附圖，就本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。 第一實施方式
首先，對電池裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖l是表示電池裝置的方框 圖。圖2是表示充放電控制電路的方框圖。
電池裝置向負(fù)載(未圖示)供給電源電壓，或者通過充電器(未圖示)被充電。保護(hù)電路100保護(hù)電池200。充放電控制電路110通 過對NMOS晶體管120及NMOS晶體管130進(jìn)行導(dǎo)通/截止控制來控 制電池200的充》丈電。
電池裝置具有保護(hù)電路100及電池200。電池裝置具有端子EB + 及端子EB -。保護(hù)電路100具有充放電控制電路110、 NMOS晶體管 120和NMOS晶體管130。充放電控制電路110具備過充電檢測電路 111、過放電檢測電路112、過電流檢測電路113、延遲電路115、充 電器反接檢測電路116以及邏輯電路117。充放電控制電路110具備 電源端子VDD、，接地端子VSS、控制端子DO、控制端子CO以及才企 測端子VM。
電池200的正極端子與端子EB +及電源端子VDD連接，負(fù)極端 子與接地端子VSS連接，而且負(fù)極端子經(jīng)由NMOS晶體管120及 NMOS晶體管130連接到端子EB -。即，畫OS晶體管120及NMOS 晶體管130設(shè)置在充放電路徑上。充放電控制電路110的控制端子 DO與NMOS晶體管130連接，控制端子CO與NMOS晶體管120 連接，檢測端子VM與端子EB -連接。過充電檢測電路111的一端 與電源端子VDD連接,.另一端與延遲電路115的第一輸入端子連接。 過放電檢測電路112的一端與電源端子VDD連接，另一端與延遲電 路115的第二輸入端子連接。過電流檢測電路113的一端與檢測端子 VM連接，另一端與延遲電路115的第三輸入端子連接。延遲電路115 的輸出端子與邏輯電路117的第一輸入端子連接。充電器反接檢測電 路116的一端與^r測端子VM連接，另一端與邏輯電^各117的第二輸 入端子連接。邏輯電路117的第一輸出端子與控制端子CO連接，第 二輸出端子與控制端子DO連接。此外，充電器或負(fù)載連接在端子EB +以及端子EB-之間。
在此，檢測端子VM是用于檢測電池200處于過電流狀態(tài)的端子。 此外，；險測端子VM是用于檢測電池200與充電器以相反極性的連接 的端子。
7此外，充放電控制電路110形成在N型基板上。
接著，對充放電控制電路110的動作進(jìn)行說明。 <電池200處于過充電狀態(tài)的場合>
若電池200的電壓變高而成為規(guī)定電壓以上，且電池200成為過 充電狀態(tài)，則過充電檢測電路lll通過監(jiān)視電源端子VDD,過充電檢 測電路11U企測出電池200的過充電。然后，若以電池200處于過充 電狀態(tài)經(jīng)過了延遲電路115設(shè)定的延遲時間(例如，l秒)，即，電 池200的過充電狀態(tài)的時間成為延遲時間以上，則邏輯電^各117向 NMOS晶體管120及NMOS晶體管130的柵極分別輸出低電平信號 以及高電平信號。這樣，NMOS晶體管120截止而僅使寄生二極管產(chǎn) 生的放電電流流過，且NMOS晶體管130導(dǎo)通而4吏充》i電電流流過， 過充電檢測電路111使電池200停止充電。
<電池200成為過放電狀態(tài)的場合〉
若電池200的電壓變低而小于規(guī)定電壓，電池200成為過》文電狀 態(tài)，則過放電檢測電路112通過監(jiān)視電源端子VDD，過放電檢測電路 112檢測出電池200的過^L電。然后，若以電池200處于it改電狀態(tài) 經(jīng)過延遲電^各115設(shè)定的延遲時間，即，電池200的過方欠電狀態(tài)的時 間成為延遲時間以上，則邏輯電路117向NMOS晶體管120及NMOS 晶體管130的柵極分別輸出高電平信號及低電平信號。這樣，NMOS 晶體管120導(dǎo)通而使充放電電流流過，NMOS晶體管130截止而僅使 寄生二極管產(chǎn)生的充電電流流過，過放電檢測電路112使電池200停 止放電。
<電池200成為過電流狀態(tài)的場合〉
若異常電流流過負(fù)載而電池200成為過電流狀態(tài)，則過電流;險測 電路113通過監(jiān)視檢測端子VM,過電流檢測電路113檢測出電池200 的過電流。然后，若以電池200處于過電流狀態(tài)經(jīng)過了延遲電路115 i殳定的延遲時間，即，電池200的過電流狀態(tài)的時間成為延遲時間以 上，則邏輯電路117向NMOS晶體管120及NMOS晶體管130的柵極分別輸出高電平信號;S^氐電平信號。這樣，NMOS晶體管120導(dǎo)通 而使充ii電電流流過，NMOS晶體管130截止而僅使寄生二極管產(chǎn)生 的充電電流流過，過電流檢測電路113使電池200停止放電。
<電池200與充電器以相反極性連接的場合>
充電器與電池200連接而進(jìn)行對電池200的充電的場合，充電器 的正極端子與端子EB +連接，充電器的負(fù)極端子與端子EB -連接， 但是充電器與電池200 ^t晉誤連接，使得充電器的正極端子與端子EB -連接，充電器的負(fù)極端子與端子EB +連接。即，充電器與電池200 以相反極性連接。這樣，通常在接地電壓附近的4企測端子VM及端子 EB-的電壓，會成為電池200的電壓即電源電壓附近。若4企測端子 VM的電壓成為規(guī)定電壓，則充電器反接4企測電^各116^僉測出該規(guī)定 電壓，邏輯電路117向NMOS晶體管120及NMOS晶體管130的柵 極分別輸出高電平信號及低電平信號。這時，自檢測出規(guī)定電壓后輸 出高電平信號以及低電平信號為止的期間不存在延遲時間。這樣， NMOS晶體管120導(dǎo)通而有電流流過，NMOS晶體管130截止而仫/f吏 寄生二極管產(chǎn)生的充電電流流過，充電器反接纟企測電路116使電池200 停止放電。還有，自檢測出規(guī)定電壓后輸出高電平信號及低電平信號 為止的期間，不存在延遲時間，但可以存在比電池200成為過充電狀 態(tài)、過;^文電狀態(tài)或過電流狀態(tài)時的延遲時間短的延遲時間。
接著，就充電器反接檢測電路116的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是表示 充電器反接檢測電路的電路圖。圖4是表示充電器反接檢測電路的器 件剖一見圖。
充電器反接沖企測電路116具有NMOS晶體管21 ~22。 此外，充電器反接檢測電路116具有寄生PNP雙極性晶體管24、 寄生NPN雙極性晶體管25及寄生電阻26 ~ 27。
NMOS晶體管21的柵極與電源端子VDD連接，源極及背柵極與 NMOS晶體管22的漏極連接，漏4及與輸出端子out連接。NMOS晶 體管22的柵才及與電源端子VDD連接，源極及背4冊極與接地端子VSS連接。
此外，寄生PNP雙極性晶體管24的基極與電源端子VDD連接， 發(fā)射極與輸入端子in (檢測端子VM )連接，集電極與寄生NPN雙極 性晶體管25的基極連接。寄生NPN雙極性晶體管25的發(fā)射極經(jīng)由 寄生電阻26連接至NMOS晶體管21的源極，集電極與電源端子VDD 連接。寄生電阻27存在于NMOS晶體管22的源極和漏極之間。
接著，就充電器反接檢測電路116的動作進(jìn)行說明。
<電池200與充電器正常連接的場合〉
輸入端子in U企測端子VM)的電壓成為接地電壓附近。NMOS 晶體管21~22的柵極上被輸入電源電壓，因此導(dǎo)通。這樣，輸出端 子out的電壓就成為低電平信號(接地電壓)。即，充電器反接;險測 電路116不檢測電池200與充電器的相反^fel性的連接。
<電池200與充電器以相反極性連接的場合>
在此，第一寄生二極管以連接在輸入端子in U企測端子VM)的 P型阱為陽極，以連接在電源端子VDD的N型基板為陰極。寄生PNP 雙極性晶體管24以連接在電源端子VDD的N型基板為基極，以連接 在輸入端子in (檢測端子VM)的P型阱為發(fā)射極，以連接在NMOS 晶體管21的背柵極的P型阱為集電極。第二寄生二極管以連接在 NMOS晶體管21的背柵極的P型阱為陽極，以經(jīng)由NMOS晶體管22 連接至接地端子的N型源極區(qū)域為陰極。寄生NPN雙極性晶體管25 以連接在NMOS晶體管21的背柵極的P型阱為基極，以經(jīng)由NMOS 晶體管22連接至接地端子的N型源極區(qū)域為發(fā)射極，以連接在電源 端子VDD的N型基板為集電極。
輸入端子in (檢測端子VM)的電壓變高，成為在電源電壓加上 寄生二極管的閾值電壓后的電壓以上。這樣，第一寄生二極管工作， 有寄生電流流過。因該寄生電流而寄生PNP雙極性晶體管24工作， 并且有寄生電流流過。由于在第二寄生二極管中有寄生PNP雙極性晶 體管24產(chǎn)生的寄生電流流過，寄生NPN雙極性晶體管25工作，使被放大的寄生電流流過。該寄生電流流過寄生電阻26~27以及布線 (電阻成分)，在寄生電阻26 ~ 27以及布線上發(fā)生電壓。因而，NMOS 晶體管21的漏極電壓變高，若成為規(guī)定電壓以上，則成為針對應(yīng)邏 輯電路117的高電平信號。即，充電器反接檢測電路116檢測出電池 200與充電器以相反極性連接。
這樣，在充電器反接檢測電路116中，不使用比較電路等而使用 2個NMOS晶體管，因此充電器反接檢測電路116及充放電控制電路 110的電路規(guī)模變小。因而，消耗電流減少。此外，制造成本降低。
此外，在充電器反接檢測電路116中，不使用比較電路等，因此 不會因寄生二極管以及寄生雙極性晶體管工作而出現(xiàn)比較電路等誤 動作的情形。因而，充電器反接檢測電路116的可靠性變高。
又，可在NMOS晶體管21的源極與接地端子VSS之間追加電阻 (未圖示)。這樣，充電器反接檢測電路116的輸出端子out的電壓 相應(yīng)于該電阻分量而變高。
此外，第一實施方式中，在N型基板上，NMOS晶體管21 22 設(shè)于輸出端子out與接地端子VSS之間，NMOS晶體管21 ~ 22的柵 極與電源端子連接。這時，在端子EB -和電池200之間設(shè)有2個NMO S 晶體管。此外，設(shè)置在端子EB-上的檢測端子VM的電壓若成為在 電源電壓加上寄生二極管的閾值電壓后的電壓以上，則充電器反接檢 測電路116檢測出電池200與充電器以相反極性連接。但是，可在P 型基板上，電源端子VDD與輸出端子out之間設(shè)置2個PMOS晶體 管，且使該2個PMOS晶體管的4冊^l與接地端子連接(未圖示)。這 時，在端子EB +和電池之間設(shè)有2個PMOS晶體管。此外，設(shè)置在 端子EB +上的4企測端子VM的電壓若小于>^人接地電壓減去寄生二極 管的閾值電壓后的電壓，則充電器反接檢測電路檢測出電池與充電器 以相反極性連4妄。
第二實施方式
接著，對充電器反接檢測電路116的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖5是表示
ii充電器反接檢測電路的電路圖。圖6是表示充電器反接檢測電路的器 件剖視圖。
與第一實施方式相比，第二實施方式的充電器反接一全測電路116 中NMOS晶體管22變更為下拉電阻28,并除去了寄生電阻27。下 拉電阻28設(shè)置在NMOS晶體管21的源極與接地端子之間。
接著，對充電器反接檢測電路116的動作進(jìn)行說明。
<電池200與充電器正常連接的場合〉
輸入端子in (4企測端子VM)的電壓成為接地電壓附近。NMOS 晶體管21的柵極上被輸入電源電壓，因此導(dǎo)通。這樣，輸出端子out 的電壓成為低電平信號(接地電壓)。即，充電器反接檢測電路116 不斗企測電池200與充電器的相反極性的連接。
<電池200與充電器以相反極性連接的場合〉
車命入端子in U企測端子VM)的電壓變高，成為在電源電壓加上 寄生二極管的閾值電壓后的電壓以上。這樣，第一寄生二極管工作， 使寄生電流流過。因該寄生電流而寄生PNP雙極性晶體管24工作， 使寄生電流流過。由寄生PNP雙極性晶體管24產(chǎn)生的寄生電流流過 第二寄生二極管，從而寄生NPN雙極性晶體管25工作，使被放大的 寄生電流流過。該寄生電流流過寄生電阻26和下拉電阻和布線(電 阻成分)，在寄生電阻26和下拉電阻和布線上發(fā)生電壓。因而，NMOS 晶體管21的漏極電壓變高，若成為規(guī)定電壓以上，則成為針對邏輯 電路117的高電平信號。即，充電器反接檢測電路116檢測出電池200 與充電器以相反極性連接。
還有，在第二實施方式中，采用下拉電阻28,但可采用電流源(未 圖示)。
此外，在第二地方式中，N型基板上，NMOS晶體管21及下拉 電阻28依次設(shè)于輸出端子out和接地端子VSS之間，NMOS晶體管 21的4冊4及與電源端子連接。這時，在端子EB-和電池200之間設(shè)有 2個NMOS晶體管。此外，設(shè)置在端子EB -上的檢測端子VM的電壓若成為在電源電壓加上寄生二極管的閾值電壓后的電壓以上，則充 電器反接檢測電路116檢測出電池200與充電器以相反極性連接。但
是，可在P型基板上，使上拉電阻及PMOS晶體管依次設(shè)置在電源端 子VDD與輸出端子out之間，PMOS晶體管的柵極與接地端子(未圖 示)。這時，在端子EB +與電池之間設(shè)有2個PMOS晶體管。此外， 設(shè)置在端子EB +上的檢測端子VM的電壓若小于從接地電壓減去寄 生二極管的閾值電壓后的電壓，則充電器反接檢測電路檢測出電池與 充電器以相反極性連接。 第三實施方式
接著，對充電器反接檢測電路116的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖7是表示 充電器反接檢測電路的電路圖。圖8是表示充電器反接檢測電路的器 件剖一見圖。
充電器反接檢測電路116具有二極管29以及下拉電阻28。 此外，充電器反接檢測電路116具有寄生PNP雙極性晶體管31、
寄生NPN雙極性晶體管32及寄生電阻33。
二極管29的陽極與輸出端子out連接，陰極經(jīng)由下拉電阻28連
接至接地端子。
此外，寄生PNP雙極性晶體管31的基極與電源端子VDD連接， 發(fā)射極與輸入端子in (檢測端子VM)連接，集電極與寄生NPN雙極 性晶體管32的基極連接。寄生NPN雙極性晶體管32的發(fā)射極經(jīng)由 寄生電阻33連接至下拉電阻28的一端，集電極與電源端子VDD連 接。
接著，對充電器反接纟企測電路116的動作進(jìn)行說明。 <電池200與充電器正常連接的場合〉
在此，第一寄生二極管以連接在輸入端子in (檢測端子VM)的 P型辨為陽極，并以連接在電源端子VDD的N型基板為陰極。寄生 PNP雙極性晶體管31以連接在電源端子VDD的N型基板為基極， 以連接在輸入端子in (;f企測端子VM )的P型阱為發(fā)射才及，以連接在輸出端子out的P型阱為集電極。寄生NPN雙^l性晶體管32以連才妄 在輸出端子out的P型阱為基極，以經(jīng)由下拉電阻28連接至接地端子 的N型陰極區(qū)域為發(fā)射極，以連接在電源端子VDD的N型基板為集 電極。
輸入端子in (4企測端子VM)的電壓成為接地電壓附近。這樣， 第一寄生二極管不工作，且寄生PNP雙極性晶體管24也不工作。這 樣，輸出端子out下拉，輸出端子out的電壓成為低電平信號(在接 地電壓加上寄生二極管的閾值電壓后的電壓)。即，充電器反接檢測 電路116不檢測電池200與充電器的相反極性的連接。
<電池200與充電器以相反極性連接的場合>
輸入端子in (檢測端子VM)的電壓變高，成為在電源電壓加上 寄生二極管的閾值電壓后的電壓以上。這樣，第一寄生二極管工作， 使寄生電流流過。通過該寄生電流，寄生PNP雙極性晶體管31工作， 使寄生電流流過。由于寄生PNP雙極性晶體管31產(chǎn)生的寄生電流流 過二極管29,寄生NPN雙極性晶體管32工作，使放大后的寄生電流 流過。該寄生電流流過寄生電阻33和下拉電阻28和布線(電阻成分)， 在寄生電阻33和下拉電阻28和布線上發(fā)生電壓。因而，二極管29 的陽極電壓變高，若成為規(guī)定電壓以上，則成為針對邏輯電路117的 高電平信號。即，充電器反接檢測電路116檢測出電池200與充電器 以相反才及性連才妾。
又，在第三施方式中，在N型基板上，二極管29及下拉電阻28 依次設(shè)置在輸出端子out和接地端子VSS之間。這時，在端子EB-和電池200之間設(shè)有2個NMOS晶體管。此外，設(shè)置在端子EB-上 的檢測端子VM的電壓若成為在電源電壓加上寄生二極管的閾值電壓 后的電壓以上，則充電器反接檢測電路116檢測出電池200與充電器 以相反極性連接。但是，可在P型基板上，使上拉電阻以及二極管依 次設(shè)置在電源端子VDD與輸出端子out之間(未圖示)。這時，在端 子EB +和電池之間-沒有2個PMOS晶體管。此外，設(shè)置在端子EB +上的檢測端子VM的電壓若小于從接地電壓減去寄生二極管的閾值電 壓后的電壓，則充電器反接檢測電路檢測出電池與充電器以相反極性連接。
權(quán)利要求
1.一種用于控制電池的充放電的充放電控制電路，該充放電控制電路形成在第二導(dǎo)電型的基板上，并在充放電路徑上設(shè)有第二導(dǎo)電型的第一MOS晶體管以及第二導(dǎo)電型的第二MOS晶體管，其特征在于包括檢測端子，用于檢測所述電池與充電器的相反極性的連接；以及充電器反接檢測電路，該充電器反接檢測電路包括設(shè)置在所述檢測端子上的輸入端子；輸出端子；第一寄生雙極性晶體管，該第一寄生雙極性晶體管的第二導(dǎo)電型的基極設(shè)置在第一電源供給端子上且發(fā)射極設(shè)置在所述輸入端子上；以及第二寄生雙極性晶體管，該第二寄生雙極性晶體管的第一導(dǎo)電型的基極設(shè)置在所述第一寄生雙極性晶體管的集電極，發(fā)射極經(jīng)由電阻成分設(shè)置在第二電源供給端子上，集電極設(shè)置在所述第一電源供給端子上，若所述輸入端子的電壓成為在電源電壓加上二極管的閾值電壓后的電壓以上，則使所述第一MOS晶體管進(jìn)行導(dǎo)通動作，該第一MOS晶體管在導(dǎo)通時使充放電電流流過而在截止時僅使第一寄生二極管的放電電流流過，且使所述第二MOS晶體管進(jìn)行截止動作，該第二MOS晶體管在導(dǎo)通時使充放電電流流過而在截止時僅使第二寄生二極管的充電電流流過，從而使所述電池停止放電。
2. 如權(quán)利要求1所述的充放電控制電路，其特征在于所述電 阻成分是第二導(dǎo)電型的第三MOS晶體管的導(dǎo)通電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的充放電控制電路，其特征在于所述電阻 成分是第二導(dǎo)電型的第三MOS晶體管的導(dǎo)通電阻以及電阻。
4. 如權(quán)利要求1所述的充放電控制電路，其特征在于所述電 阻成分為電阻。
5. 如權(quán)利要求1所述的充放電控制電路，其特征在于所述電 阻成分為電流源。
6. —種電池裝置，其特征在于具備 電池；設(shè)置在所述電池的充放電路徑上的第二導(dǎo)電型的第一 MOS晶體 管以及第二導(dǎo)電型的第二MOS晶體管；以及與所述電池并聯(lián)設(shè)置的、控制所述第一 MOS晶體管及第二 MOS 晶體管的權(quán)利要求1至5中的任一項所述的充放電控制電路。
全文摘要
本發(fā)明提供可減小電路規(guī)模的充放電控制電路及電池裝置。在充電器反接檢測電路(116)中，沒有使用比較電路等，而使用2個NMOS晶體管，因此充電器反接檢測電路(116)以及充放電控制電路(110)的電路規(guī)模變小。因而，消耗電流減少。此外，制造成本也降低。
文檔編號H01L27/06GK101552482SQ20091013408
公開日2009年10月7日 申請日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月31日
發(fā)明者佐野和亮, 櫻井敦司 申請人:精工電子有限公司