專利名稱：移動體系統(tǒng)、曝光裝置及組件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移動體系統(tǒng)、曝光裝置及組件制造方法，更詳細(xì)地涉 及具有能獨立移動于預(yù)定一軸方向之兩個移動體的移動體系統(tǒng)、具備 該移動體系統(tǒng)之曝光裝置及使用該曝光裝置來將組件圖案轉(zhuǎn)印至基板 的組件制造方法。
背景技術(shù)：
以往，用以制造半導(dǎo)體組件(集成電路等)、液晶顯示組件等之電 子組件的光刻步驟，主要系使用步進(jìn)重復(fù)方式之縮小投影膝光裝置(即 所謂步進(jìn)器)或步進(jìn)掃描方式之投影爆光裝置(即所謂掃描步進(jìn)器(稱掃 描儀))等，其系透過光學(xué)系統(tǒng)，將掩模(或標(biāo)線片)之圖案分別轉(zhuǎn)印至涂 布有抗蝕劑(感光劑)之晶片或玻璃板等感光性物體(以下稱為「晶片J) 上的多個照射區(qū)域。
此種投影曝光裝置，隨著集成電路之高集成化使圖案微細(xì)化，而 逐年要求更高之解析力(分辨率)，因此使曝光用光之短波長化及投影 光學(xué)系統(tǒng)之?dāng)?shù)值孔徑(NA)的增大化(大NA化)逐漸進(jìn)展。然而，曝光 用光之短波長化及投影光學(xué)系統(tǒng)之大NA化，雖可提升投影曝光裝置 之解析力，但另一方面卻會導(dǎo)致焦深之狹窄化。又，將來膝光波長勢 必更為縮短，如此即有可能使焦深過窄，造成曝光動作時之聚焦裕度 不足。
因此，最近有一種曝光裝置受到矚目，其系利用液浸法來作為在實質(zhì)上縮短曝光波長、且與在空氣中相較使焦深增大(擴(kuò)大)的方法。 作為利用此液浸法之曝光裝置，已有一種在以水或有機(jī)溶劑等之液體 局部性地充滿投影光學(xué)系統(tǒng)下面與晶片表面間的狀態(tài)下來進(jìn)行曝光的 裝置(例如參照下述專利文獻(xiàn)l)。記載于該專利文獻(xiàn)l之曝光裝置，系
利用在液體中之曝光用光的波長為在空氣中之1/n倍(n為液體折射 率，通常為1.2~1,6左右)這點來提升分辨率，且與不使用液浸法即能 得到與該分辨率相同之分辨率的投影光學(xué)系統(tǒng)相較能使焦深擴(kuò)大至n 倍，亦即能使焦深與在空氣中相較在實質(zhì)上擴(kuò)大至n倍。
又，近來亦有提出具備兩個晶片載臺之啄光裝置、或具備晶片載 臺及栽臺(測量栽臺)之曝光裝置；該載臺(測量載臺)系與晶片栽臺分別 獨立設(shè)置，并設(shè)有能在2維面內(nèi)驅(qū)動、用于測量之測量器(例如參照專 利文獻(xiàn)2、 3等)。
然而，由于上述啄光裝置具備兩個載臺，因此當(dāng)無法適當(dāng)控制兩 載臺、亦即假使兩栽臺失控時，兩栽臺即有撞擊之可能性。當(dāng)產(chǎn)生此 種撞擊時，不僅會使兩載臺損傷，亦有因兩載臺之損傷造成包含栽臺 之定位精度等的控制性能惡化之虞。
專利文獻(xiàn)1國際^>開99/49504號"i兌明書專利文獻(xiàn)2日本特開平11/ 135400號公報專利文獻(xiàn)3日本特開平3/211812號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有鑒于上述情形，從第l觀點觀之，系一種移動體系統(tǒng)， 具有能在預(yù)定的一軸方向上獨立移動的兩個移動體，其特征在于，具 備制動器機(jī)構(gòu)，阻止該兩個移動體彼此較預(yù)定距離更接近；以及解 除機(jī)構(gòu)，能解除該制動器機(jī)構(gòu)之阻止作用，容許該兩個移動體較該預(yù) 定距離更接近。
據(jù)此，以制動器機(jī)構(gòu)阻止兩個移動體彼此較預(yù)定距離更接近的同 時，若以解除機(jī)構(gòu)解除該制動器機(jī)構(gòu)之阻止作用，則能使兩個移動體 較預(yù)定距離更接近。因此，當(dāng)例如獨立驅(qū)動移動體彼此時，即使假設(shè)有兩個移動體之至少一方失控的情形，亦能通過制動器機(jī)構(gòu)來阻止各 移動體彼此之接觸。再者，另一方面，例如要使移動體彼此較預(yù)定距 離更接近時，通過解除機(jī)構(gòu)解除制動器機(jī)構(gòu)之阻止作用，即能在沒有 制動機(jī)構(gòu)之妨礙的狀態(tài)下使兩移動體接近。
本發(fā)明從第2觀點觀之，為一種第l曝光裝置，使基板曝光來今 該基板上形成圖案，其特征在于，具備本發(fā)明之第l移動體系統(tǒng)， 以該兩個移動體中的至少一個來保持該基板；以及控制裝置，控制該 解除機(jī)構(gòu)的動作。
據(jù)此，由于本發(fā)明所具備之移動體系統(tǒng)，系通過制動器機(jī)構(gòu)來避 免兩個移動體之撞擊，且通過解除裝置，可使兩個移動體在不被制動 器機(jī)構(gòu)妨礙之狀態(tài)下較預(yù)定距離更接近，因此在使以兩個移動體中之 至少一方保持的基板曝光時，即使假設(shè)有至少一方失控的情形下，亦 能以制動器機(jī)構(gòu)來防止兩個移動體間之接觸及損傷等。其結(jié)果，能高 度維持移動體之控制性，進(jìn)而可高度維持曝光精度。又，由于能通過 以解除裝置來解除制動器機(jī)構(gòu)之阻止作用而使兩個移動體接近，因此 在進(jìn)行與爆光相關(guān)之動作等而須使兩個移動體接近時，亦能在無制動 器機(jī)構(gòu)之妨礙下使兩個移動體接近。
本發(fā)明從第3觀點觀之，為一種第2曝光裝置，將液體供應(yīng)至光 學(xué)系統(tǒng)與基板之間，透過該光學(xué)系統(tǒng)與該液體以能量射束來使該基板 曝光，其特征在于，具備本發(fā)明之第l移動體系統(tǒng)，其該兩個移動 體分別具有能在與該光學(xué)系統(tǒng)間保持該液體之液浸可能區(qū)域，且以該 兩個移動體中的至少一個來保持該基板；以及控制裝置，為了使該液
體從該兩個移動體的一個液浸可能區(qū)域移動至另 一個液浸可能區(qū)域， 而在維持該兩個移動體抵接或較該預(yù)定距離接近的預(yù)定狀態(tài)的情況 下，控制該兩個移動體的動作。
據(jù)此，在進(jìn)行曝光動作時，為防范移動體之意外失控，可使構(gòu)成 移動體系統(tǒng)之制動器機(jī)構(gòu)保持在能阻止兩個移動體接近的狀態(tài)。另一 方面，使液體之液浸區(qū)域從兩個移動體之一液浸可能區(qū)域移動至另一 液浸可能區(qū)域時，在以解除裝置解除制動器機(jī)構(gòu)之前述阻止作用的狀
5態(tài)下，維持兩個移動體抵接或較該預(yù)定距離接近之預(yù)定狀態(tài)，來控制 前述兩個移動體之動作。由此，從在一移動體上形成有液浸可能區(qū)域 的狀態(tài)轉(zhuǎn)換成在另一移動體上形成有液浸可能區(qū)域的狀態(tài)時，即不須 進(jìn)4亍停止供應(yīng)液體—兩個移動體之移動—再度開始供應(yīng)液體之類的一 連串動作。據(jù)此，可高度維持曝光精度，且實現(xiàn)兩個移動體在光學(xué)系 統(tǒng)正下方移動時的高速化、進(jìn)而實現(xiàn)高產(chǎn)能。
本發(fā)明從第4觀點觀之，為一種第2移動體系統(tǒng)，其特征在于， 具備兩個移動體，能在預(yù)定的一軸方向上獨立移動；以及變更裝置， 可將在該預(yù)定的一軸方向的該兩個移動體彼此能接近的距離改變成預(yù) 先設(shè)定的多個距離之一。
本發(fā)明從第5觀點觀之，為一種曝光裝置，使基板曝光來在該基 板上形成圖案，其特征在于，具備第2移動體系統(tǒng)，以該兩個移動 體中的至少一個來保持該基板；以及控制裝置，控制該變更裝置的動 作。
又，在光刻步驟中，通過使用本發(fā)明之第1~第3曝光裝置來將 組件圖案轉(zhuǎn)印至基板上，而可提升高集成度的微組件的生產(chǎn)性。據(jù)此， 本發(fā)明從其它觀點觀之，亦系一種使用本發(fā)明之第1~第3之任一曝 光裝置的組件制造方法。


圖1系一實施形式之膝光裝置的概略圖。 圖2系圖l之載臺裝置的俯視圖。
圖3(A)系用以說明設(shè)于測量載臺之脫離構(gòu)件的說明圖(其1)。
圖3 (B)系用以說明設(shè)于測量載臺之脫離構(gòu)件的說明圖(其2)。
圖3(C)系用以說明設(shè)于測量載臺之脫離構(gòu)件的說明圖(其3)。
圖4系顯示X軸固定件80，81之+ X側(cè)端部的立體圖。
圖5系用以說明減震器構(gòu)成之說明圖。
圖6(A)系用以說明制動器機(jī)構(gòu)之作用的說明圖(其1)。
圖6(B)系用以說明制動器機(jī)構(gòu)之作用的說明圖(其2)。圖6(C)系用以說明制動器機(jī)構(gòu)之作用的說明圖(其3)。
圖6(D)系用以說明制動器機(jī)構(gòu)之作用的說明圖(其4)。
圖7系顯示X軸固定件間為最接近之狀態(tài)的俯視圖。
圖8系顯示一實施形式之曝光裝置之控制系統(tǒng)主要構(gòu)成的方塊圖
圖9系顯示測量載臺位于投影光學(xué)系統(tǒng)正下方之狀態(tài)的俯視圖。
圖IO(A)系顯示制動器機(jī)構(gòu)之第1變形例(其l)的圖。
圖IO(B)系顯示制動器機(jī)構(gòu)之第1變形例(其2)的圖。
圖ll(A)系顯示制動器機(jī)構(gòu)之第2變形例(其l)的圖。
圖ll(B)系顯示制動器機(jī)構(gòu)之第2變形例(其2)的圖。
圖ll(C)系顯示制動器機(jī)構(gòu)之第2變形例(其3)的圖。
圖ll(D)系顯示制動器機(jī)構(gòu)之第2變形例(其4)的圖。
圖12(A)系用以說明在減震器與開閉器接觸狀態(tài)下、X軸固定件
80， 81(晶片臺WTB與測量臺MTB)在X軸方向之相對移動的圖(其1)。 圖12(B)系用以說明在減震器與開閉器接觸狀態(tài)下、X軸固定件
80， 81(晶片臺WTB與測量臺MTB)在X軸方向之相對移動的圖(其2)。 圖13系用以說明本發(fā)明之組件制造方法的流程圖。 圖14系顯示圖13之步驟204之具體例的流程圖。
具體實施例方式
以下，根據(jù)圖1~圖9說明本發(fā)明之一實施型態(tài)。
圖1系概略顯示本發(fā)明一實施形式之膝光裝置100的構(gòu)成。該曝 光裝置100系步進(jìn)掃描式掃描型膝光裝置、亦即掃描儀。
曝光裝置IOO，包含照明系統(tǒng)10;標(biāo)線片載臺RST，系保持該 照明系統(tǒng)10之曝光用照明用光(以下稱為r照明用光」或「曝光用光」)IL 所照明的標(biāo)線片R;投影單元PU，系包含用以使從標(biāo)線片R射出之 照明用光IL投射于晶片W上的投影光學(xué)系統(tǒng)PL;載臺裝置50，系 具有晶片載臺WST及測量載臺MST;以及上述裝置之控制系統(tǒng)等。 于晶片載臺WST上裝載有晶片W。
前述照明系統(tǒng)10，例如特開2001 -313250號7>號及與其對應(yīng)之美國專利申請公開第2003/0025890號說明書或公報等所揭示，其包 含光源、包含光學(xué)積分器等之照度均一化光學(xué)系統(tǒng)、分光鏡、中繼透 鏡、可變ND濾光器、標(biāo)線片遮簾(blind)等(均未圖示)。該照明系 統(tǒng)10，系通過照明用光(曝光用光)IL，以大致均一之照度來照明被標(biāo) 線片遮簾規(guī)定之標(biāo)線片R上的狹縫狀照明區(qū)域。此處，作為一例，系 使用ArF準(zhǔn)分子激光光(波長193nm)來作為照明用光IL。又，作為光 學(xué)積分器，系可使用復(fù)眼透鏡、棒狀積分器(內(nèi)面反射型積分器)或衍 射光學(xué)元件等。在本國際申請案所指定之指定國(或選擇之選擇國)的 國內(nèi)法令允許范圍內(nèi)，援用上述美國專利申請公開之揭示來作為本說 明書之記載的一部分。
于前述標(biāo)線片載臺RTS上例如通過真空吸附固定有標(biāo)線片R， 該標(biāo)線片R系于其圖案面(圖1之下面)形成有電路圖案等。標(biāo)線片載 臺RST,能通過例如包含線性馬達(dá)等標(biāo)線片載臺驅(qū)動系統(tǒng)ll(在圖1 未圖示、參照圖8)而在XY平面內(nèi)微幅驅(qū)動，且能以指定之掃描速度 驅(qū)動于預(yù)定掃描方向(此處系指圖l之圖面內(nèi)左右方向的Y軸方向)。
標(biāo)線片載臺RST之載臺移動面內(nèi)之位置(包含繞Z軸之旋轉(zhuǎn))，系 通過標(biāo)線片激光干涉儀(以下稱為「標(biāo)線片干涉儀」)116,透過移動鏡 15(實際上，系設(shè)有具有與Y軸方向正交之反射面的Y移動鏡、以及 具有與X軸方向正交之反射面的X移動鏡)例如以0.5~ lnm左右之分 析能力隨時檢測。該標(biāo)線片干涉儀116之測量值，系傳送至主控制裝 置20(于圖1未圖示，參照圖8)，主控制裝置20，即根據(jù)該標(biāo)線片干 涉儀116之檢測值算出標(biāo)線片載臺RST之X軸方向、Y軸方向及0z 方向(繞Z軸之旋轉(zhuǎn)方向)的位置，且通過根據(jù)該計算結(jié)果控制標(biāo)線片 載臺驅(qū)動系統(tǒng)ll，來控制標(biāo)線片載臺RST之位置(及速度)。此外，亦 可對標(biāo)線片載臺RST之端面進(jìn)行鏡面加功來形成反射面(相當(dāng)于移動 鏡15之反射面)，來代替移動鏡15。
于標(biāo)線片R上方，在X軸方向相距預(yù)定距離設(shè)有一對由使用曝 光波長光線之TTR(Through The Reticle)對準(zhǔn)系統(tǒng)構(gòu)成的標(biāo)線片對準(zhǔn) 檢測系統(tǒng)RAa、 RAb，其用以透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL同時觀察標(biāo)線片
8R上之一對標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記及與其對應(yīng)之測量載臺MST上的一對基 準(zhǔn)標(biāo)記(以下稱為r第1基準(zhǔn)標(biāo)記」)。作為這些標(biāo)線片對準(zhǔn)檢測系統(tǒng) RAa， RAb，例如系使用和特開平7 - 176468號公報及與其對應(yīng)之美國 專利第5,646,413號等所揭示者相同構(gòu)成的裝置。在本國際申請案所指 定之指定國(或選擇之選擇國)的國內(nèi)法令允許范圍內(nèi)，援用上述美國 專利申請公開之揭示來作為本說明書之記載的一部分。
前述投影單元PU，系配置于標(biāo)線片載臺RST之圖1下方。投影 單元PU，包含鏡筒40;以及與投影光學(xué)系統(tǒng)PL，系由以預(yù)定位置 關(guān)系保持于該鏡筒40內(nèi)之多個光學(xué)元件構(gòu)成。作為投影光學(xué)系統(tǒng)PU， 例如系使用具有Z軸方向之共通光軸AX之多個透鏡(透鏡元件)所構(gòu) 成的折射光學(xué)系統(tǒng)。該投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如系兩側(cè)遠(yuǎn)心且具有預(yù)定 投影倍率(例如1/4倍或1/5倍)。因此，當(dāng)以來自照明系統(tǒng)10之照 明用光IL來照明標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR時，由通過標(biāo)線片R之 照明用光IL，使該照明區(qū)域IAR內(nèi)之標(biāo)線片R的電路圖案縮小像(電 路圖案之一部分縮小像)透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL(投影單元PU)形成于區(qū) 域IA(以下亦稱為r曝光區(qū)域」)；該區(qū)域IA系與表面涂布有抗蝕劑(感 光劑)之晶片W上的前述照明區(qū)域IAR共軛。
此外，本實施形式之啄光裝置100，由于系以后述方式進(jìn)行適用 液浸法之膝光，因此隨著數(shù)值孔徑NA在實質(zhì)上增大，使標(biāo)線片側(cè)之 孔徑亦變大。如此，僅以透鏡構(gòu)成的反射光學(xué)系統(tǒng)，系難以滿足珀茲 伐條件(Petzval Condition),而使投影光學(xué)系統(tǒng)趨向大型。為避免此投 影光學(xué)系統(tǒng)之大型化，亦可使用包含反射鏡與透鏡所構(gòu)成之反射折射 系統(tǒng)(catadi optric系統(tǒng))。
又，本實形形式之曝光裝置100中，由于系進(jìn)行適用液浸法的曝 光，因此于作為構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL之最靠像面?zhèn)?晶片W側(cè))之光 學(xué)元件的透鏡(以下亦稱「前端透鏡J )191附近，設(shè)有構(gòu)成液浸裝置 32的液體供應(yīng)噴嘴31A與液體回收噴嘴31B。
于前述液體供應(yīng)噴嘴31A，連接有其一端連接于液體供應(yīng)裝置 5(圖5中未圖示、參照圖8)之未圖示供應(yīng)管的另一端，于前述液體回收噴嘴31B，連接有其一端連接于液體回收裝置6(圖1中未圖示、參 照圖8)之未圖示回收管的另一端。
前述液體供應(yīng)裝置5，系包含液體槽、加壓泵、溫度控制裝置、 以及用以控制液體對供應(yīng)管之供應(yīng)及停止的閥等。作為閥，最好系使 用例如不僅可進(jìn)行液體之供應(yīng)及停止、亦能調(diào)整流量的流量控制閥。 前述溫度控制裝置，系將液體槽內(nèi)之液體溫度調(diào)整至收納有曝光裝置 之處理室(未圖標(biāo))內(nèi)之溫度同樣程度。此外，供應(yīng)液體之槽、加壓泵、 溫度控制裝置、閥等，曝光裝置100不需全部具備，亦能將其至少一 部分由設(shè)有曝光裝置100之工廠等的設(shè)備來代替。
前述液體回收裝置6，系包含液體之槽及吸引泵、以及透過回收 管控制液體之回收及停止的閥等。作為閥，最好系使用對應(yīng)前述液體 供應(yīng)裝置5側(cè)之閥的流量控制岡。此外，用以回收液體之水、吸引泵、 閥等，曝光裝置100不需全部具備，亦能將其至少一部分由設(shè)有曝光 裝置100之工廠等的設(shè)備來代替。
作為上述液體，此處，系使用可使ArF準(zhǔn)分子激光光(波長193nm 之光)透射的超純水(以下，除特別必要情況外，僅記述為r水」)。超 純水，具有在半導(dǎo)體制造工廠等能大量獲得且對晶片上之感光劑或光 學(xué)透鏡等無不良影響的優(yōu)點。
水對ArF準(zhǔn)分子激光光之折射率n為大致1.44。于該水中，照明 用光IL之波長，系縮短至193nmxl / n-約134nm。
前述液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6 ^^別具備控制器，各控制 器通過主控制裝置20來控制(參照圖8)。液體供應(yīng)裝置5之控制器， 系根據(jù)來自主控制器20之指令，以預(yù)定開度開啟連接于供應(yīng)管的閥， 透過液體供應(yīng)噴嘴31A將水供應(yīng)至前端透鏡191與晶片W之間。又， 此時，液體回收裝置6之控制器，系根據(jù)來自主控制器20之指令，以 預(yù)定開度開啟連結(jié)于回收管的閥，透過液體回收噴嘴31B，從透鏡191 與晶片W之間將水回收至液體回收裝置6(液體槽)內(nèi)部。此時，主控 制器20,系對液體供應(yīng)裝置5之控制器、液體回收裝置6之控制器發(fā) 出指令，以使從液體供應(yīng)噴嘴31A供應(yīng)至前端透鏡191與晶片W間的水量與透過液體回收噴嘴31B回收之水量恒相等。據(jù)此，使透鏡191 與晶片W間之水量Lq(參照圖l)保持一定。此時，保持于透鏡191與 晶片W之間的水Lq系隨時更換。
從上述說明可清楚得知，本實施形式之液浸裝置32，系一種包含 上述液體供應(yīng)裝置5、液體回收裝置6、供應(yīng)管、回收管、液體供應(yīng)噴 嘴31A及液體回收噴嘴31B等的局部液浸裝置。
此外，即使測量載臺MST位于投影單元PU下方時，亦能與上 述同樣地將水充滿于測量臺MTB與前端透鏡191之間。
又，上述說明中，為簡化其說明，雖分別設(shè)有各一個液體供應(yīng)噴 嘴與液體回收噴嘴，但并不限于此，例如國際公開第99/49504號公 報所揭示般，亦可采用具有多個噴嘴之構(gòu)成。扼要言之，只要系能將 液體供應(yīng)至構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL最下端之光學(xué)構(gòu)件(前端透鏡)191與 晶片W之間的構(gòu)成，該構(gòu)成可為任意者。例如，本實施形式之曝光裝 置，亦能適用在揭示于國際公開第2004/053955號公報之液浸機(jī)構(gòu)或 歐洲專利公開第1420298號公報的液浸機(jī)構(gòu)。在本國際申請指定國(或 選擇之選擇國)之國內(nèi)法令所允許范圍內(nèi)，援用上述國際申請公開說明 書及歐洲專利申請公開之揭示來作為本說明書之記載的 一部分。
前述載臺裝置50，包含底座12;晶片載臺WST、測量載臺MST， 系配置于該底座12上面；千涉儀系統(tǒng)118(參照圖8)，包含測量這些 載臺WST、 MST之位置的Y軸干涉儀16、 18;以及載臺驅(qū)動系統(tǒng)124(參 照圖8)，系驅(qū)動載臺WST、 MST。
于晶片載臺WST、測量載臺MST之底面多處，設(shè)有未圖示之非 接觸軸承、例如真空預(yù)壓型空氣靜壓軸承(以下稱為「空氣墊J)，通 過從這些空氣墊往底座12上面噴出之加壓空氣的靜壓，使晶片載臺 WST、測量載臺MST透過數(shù)|Lim程度之間隙以非接觸方式懸浮支撐 于底座12上面的上方。又，各載臺WST、 MST，系構(gòu)成為可通過載 臺驅(qū)動系統(tǒng)124而獨立驅(qū)動于X軸方向(圖1之紙面內(nèi)左右方向)及Y 軸方向(圖l之紙面正交方向)的二維方向。
如圖2之俯視圖所示，于底座12上，延伸于Y軸方向之一對Y
ii軸固定件86， 87相隔預(yù)定間距配置于X軸方向。這些Y軸固定件86， 87 例如由內(nèi)裝有永久磁石群之磁極單元構(gòu)成，該永久》茲石群系由沿Y軸 方向以預(yù)定間隔且交替配置之多組N極磁石與S極磁石構(gòu)成。于這些 Y軸固定件86，87，各兩個之Y軸可動件82，84及83，85系以卡合于 所對應(yīng)之Y軸固定件86，87之狀態(tài)下設(shè)置成非接觸。亦即，合計四個 之Y軸可動件82，84，83，85，系呈插入于XZ截面為U字型之Y軸固 定件86或87之內(nèi)部空間的狀態(tài)，分別透過未圖示空氣軸承例如透過 數(shù)Hm程度之間隙來懸浮支撐于所對應(yīng)的Y軸固定件86或.87。各Y 軸可動件82， 84， 83， 85，例如系由分別內(nèi)裝有沿Y軸方向相距預(yù)定間 隔所配置之電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成。亦即，本實施形式中，系以 電樞單元所構(gòu)成之Y軸可動件82， 84與磁極單元所構(gòu)成之Y軸固定件 86，來分別構(gòu)成移動線圏型的Y軸線性馬達(dá)。同樣地，以Y軸可動件 83， 85與Y軸固定件87，分別構(gòu)成移動線圏型之Y軸線性馬達(dá)。以下， 將上述四個Y軸線性馬達(dá)分別使用與各Y軸可動件82， 84， 83， 85相同 的符號來適當(dāng)稱為Y軸線性馬達(dá)82、 Y軸線性馬達(dá)84、 Y軸線性馬 達(dá)83及Y軸線性馬達(dá)85。
上述四個Y軸線性馬達(dá)中，兩個Y軸線性馬達(dá)82， 83之可動件 82， 83，系分別固定于延伸于X軸方向之X軸固定件80長邊方向的一 端與另一端。又，剩余之兩個Y軸線性馬達(dá)84，85之可動件84，85， 系固定于延伸于X軸方向之X軸固定件81的一端與另一端。據(jù)此， X軸固定件80， 81 ，即可通過各一對之Y軸線性馬達(dá)82， 83， 84， 85分 別沿Y軸,皮驅(qū)動。
前述各X軸固定件80,81，例如系由分別內(nèi)裝有沿X軸方向相距 預(yù)定間隔配置之電樞線圈的電樞單元所構(gòu)成。
一 X軸固定件81 ，系設(shè)置成插入形成于X移動體91(構(gòu)成晶片載 臺WST，圖2中未圖示，參照圖l)之未圖示開口的狀態(tài)。于該X移動 體91之上述開口內(nèi)部例如設(shè)有具永久磁石群的f茲極單元，該永久磁石 群系由沿X軸方向以預(yù)定間隔且交替配置之多組N極磁石與S極磁石 構(gòu)成。以該磁極單元與X軸固定件81來構(gòu)成用以將X移動體91驅(qū)動于X軸方向之動磁型X軸線性馬達(dá)。同樣地，另一X軸固定件80, 系設(shè)置成插入形成于X移動體92(構(gòu)成測量載臺MST，圖2中未圖示, 參照圖l)之未圖示開口的狀態(tài)。于該X移動體92之上述開口內(nèi)部設(shè) 有與晶片載臺WST側(cè)(X移動體91側(cè))同樣的磁極單元。以該磁極單 元與X軸固定件80來構(gòu)成用以將測量載臺MST驅(qū)動于X軸方向之動 磁型X軸線性馬達(dá)。以下，將上述X軸線性馬達(dá)分別使用與各X軸 可動件81， 80(構(gòu)成各固定件)相同的符號來適當(dāng)稱為X軸線性馬達(dá)81 、 X軸線性馬達(dá)80。
本實施形式中，構(gòu)成載臺驅(qū)動系統(tǒng)124之上述各線性馬達(dá)，以由 圖8所示之主控制裝置20來控制。此外，各線性馬達(dá)，并不限定于動 磁型或移動線圏型之任一方，能視需要來適當(dāng)選擇。
此外，通過稍孩吏改變一對Y軸線性馬達(dá)84， 85(或82， 83)分別產(chǎn) 生的推力，而能控制晶片栽臺WST或測量載臺MST之偏轉(zhuǎn)。
前述晶片載臺WST，包含前述X移動體91;以及晶片臺WTB， 系透過未圖示Z-位準(zhǔn)機(jī)構(gòu)(例如音圏馬達(dá)等)而裝載于該X移動體91
上，相對x移動體9i在z軸方向及繞x軸之旋轉(zhuǎn)方向(ex方向)、繞
Y軸旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)方向(0Y方向)上微小地被驅(qū)動。
于前述晶片臺WTB上設(shè)有通過真空吸附等來保持晶片W的晶片 保持具(未圖示)。又，于晶片臺WTB上面設(shè)有輔助板(防水板)28(參照 圖1，圖3)，該輔助板系與裝載于晶片保持具之晶片大致同一面高、其 整體為矩形且于其中央部形成有較晶片保持具大一圏的圓形開口。(參 照圖1、圖3)。此輔助板(防水板)28，系設(shè)定成較晶片臺WTB大一圏。 輔助板(防水板)28之防液體(防水)面，一般較不耐遠(yuǎn)紫外帶或真空紫外 帶的光，而會因其曝光用光之照射使防液體(防水)性能劣化。又，有 可能會于輔助板(防水板)28之上面形成液體的附著痕(水痕)。因此，輔 助板(防水板)28系作成可容易地拆裝(更換)于晶片臺WTB。此外，輔 助板(防水板)之固定，系能釆用真空吸附方式或靜電吸附方式等的各 種方式0
如圖2所示，該晶片臺WTB之-Y端面，系經(jīng)由鏡面加工而形成為反射面17a， -X端面亦同樣地經(jīng)由鏡面加工而形成為反射面 17b。于這些反射面，系從構(gòu)成干涉儀系統(tǒng)118(參照圖8)之千涉儀(在 Y軸方向為Y軸千涉4義16，在X軸方向為多個X軸干涉4義126， 128) 投射干涉儀光束(測距光束)，通過以各干涉儀接收其反射光，測量各 反射面從基準(zhǔn)位置(一般系于投影單元PU側(cè)面或?qū)?zhǔn)系統(tǒng)ALG之側(cè) 面配置反射鏡，以該處為基準(zhǔn)面)的位移，由此，即可測量晶片臺WTB 之二維位置。此外，圖2中雖未圖示，但當(dāng)來自X軸干涉儀之測距光 束無法照射至?xí)r，晶片臺WTB之位置系以編碼器77A(參照圖8)來測 量。
前述測量栽臺MST,包含前述X移動體92與裝載于該X移動體 92上之測量臺MTB。測量臺MTB亦透過未圖示之Z.位準(zhǔn)測量才幾構(gòu) 裝載于X移動體92上。此外，亦可采用將測量臺MTB固定于X移 動體92、而可使X移動體92驅(qū)動于六自由度方向的構(gòu)成。
于該測量臺MTB(及X移動體92)設(shè)有各種測量用構(gòu)件。作為該 測量用構(gòu)件，例如有日本特開平5 - 21314號公報及其對應(yīng)之美國專利 第5，243，195號等所揭示之透過形成有多個基準(zhǔn)標(biāo)記之基準(zhǔn)標(biāo)記板或 投影光學(xué)系統(tǒng)PL接收照明用光IL的傳感器等。作為傳感器，例如能 釆用日本特開平11-16816號公報及其對應(yīng)之美國專利申請公開第 2002/0061469號說明書等所揭示之照度監(jiān)測器(具有在投影光學(xué)系統(tǒng) PL之像面上接收照明用光IL之預(yù)定面積的受光部)，或日本特開昭 57- 117238號公報及其對應(yīng)之美國專利第4，465，368號等所揭示之照 度不均傳感器(具有在投影光學(xué)系統(tǒng)PL之像面上接收照明用光IL的 針孔狀受光部)，以及日本特開2002 - 14005號公報及其對應(yīng)之美國專 利申請公開第2002 / 0041377號說明書等所揭示之空間像測量器(用以 測量以投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影之圖案之空間像(投影影像)的光強度)等。 在本國際申請指定之指定國(或選擇之選擇國)之國內(nèi)法令所允許范圍 內(nèi)，援用上述各美國專利、各美國專利申請公開之揭示來作為本申請 書之記載的一部分。
此外，本實施形式中，對應(yīng)所進(jìn)行之通過透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL
14與水之曝光用光(照明用光)IL來使晶片W曝光的液浸曝光，使用照明 用光IL之測量所使用的上述照度監(jiān)測器、照度不均傳感器、空間像測 量器，即系透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL及水來接收照明用光IL。又，各傳 感器，例如亦可僅有光學(xué)系統(tǒng)等之一部分裝載于測量臺MTB(及X移 動體92)，或亦可將傳感器整體配置于測量臺MTB(及X移動體92)。
如圖2及圖3(A)所示，于測量臺MTB之-Y側(cè)端部設(shè)有延伸于 X軸方向之脫離構(gòu)件29。該脫離構(gòu)件29，例如系由鐵氟龍(登記商標(biāo)) 樹脂構(gòu)成，透過未圖示之永久> 茲石等固定于測量臺MTB，如圖3(B) 所示，當(dāng)在受到來自Y軸方向之沖擊時(與防水板28撞擊而產(chǎn)生之力 量)，即如圖3(C)所示般能從測量臺MTB脫離。
該測量臺MTB之+ Y端面、-X端面亦形成有與前述晶片臺 WTB同樣之反射面19a， 19b(參照圖2)。于這些反射面，系從構(gòu)成干 涉儀系統(tǒng)118(參照圖8)之干涉儀(在Y軸方向為Y軸千涉儀18，在X 軸方向為多個X軸干涉儀126， 128或130)投射干涉儀光束(測距光束)， 通過以各干涉儀接收其反射光，測量各反射面從基準(zhǔn)位置(一般系于投 影單元PU側(cè)面或?qū)?zhǔn)系統(tǒng)ALG之側(cè)面配置反射鏡，并以該處為基準(zhǔn) 面)的位移，由此，即可測量測量載臺MST之二維位置。此外，圖2 中雖未圖示，但當(dāng)來自X軸干涉儀之測距光束無法照射至?xí)r，測量臺 MTB之位置系以編碼器77B(參照圖8)來測量。
此外，如圖2及以立體圖顯示X軸固定件80,81附近的圖4所示， 于X軸固定件81與X軸固定件80設(shè)有制動器機(jī)構(gòu)48A， 48B。一制動 器機(jī)構(gòu)48A，包含減震器47A，系設(shè)于一X軸固定件81;以及開閉 器49A，系設(shè)于另一 X軸固定件80之前述減震器47A的相對位置(+Y 側(cè))。在X軸固定件80之與減震器47A相對的位置形成有開口 51A。
前述減震器47A，系由油壓緩沖器構(gòu)成，如圖5之截面圖所示， 包含圓筒狀(截面為圓形)的氣缸102;設(shè)于該氣缸102內(nèi)部之圓柱狀 活塞104c;連接于該活塞104c之活塞桿104a;以及設(shè)于該活塞桿104a 之外周部，狹持于圓筒102之端面與活塞桿104a之頭部104d間的壓 縮彈簧106。前述氣缸102內(nèi)部，系由活塞104c來分隔第1室108A與第2室108B,透過設(shè)于活塞104c之孔104b，來相互連通各室108A， 108B。于室108A， 108B內(nèi)部分別注入作動油。
前述開閉器49A，如圖4所示，系設(shè)于形成在X軸固定件80之 開口 51A的-Y側(cè)，通過包含氣缸等所構(gòu)成之驅(qū)動才幾構(gòu)34A而驅(qū)動于 箭頭A、 A，方向(Z軸方向)。據(jù)此，可通過開閉器49A來〗吏開口 51A 成為開啟狀態(tài)或關(guān)閉狀態(tài)。該開閉器49A之開閉狀態(tài)，系通過設(shè)于該 開閉器49A附近之開關(guān)傳感器(圖4中未圖示、參照圖8)101來檢測， 該檢測結(jié)果送至主控制裝置20。
另一制動器機(jī)構(gòu)48B亦與一制動器機(jī)構(gòu)48A為同樣之構(gòu)成。亦 即，如圖2所示，制動器機(jī)構(gòu)48B，包含設(shè)于一X軸固定件81之-X 端部附近的減震器47B、以及設(shè)于另一 X軸固定件80之與前述減震器 47B相對之位置的開閉器49B。又，于X軸固定件80之開閉器49B 的+ Y側(cè)部分形成有開口 51B。
此處，根據(jù)放大顯示一制動器機(jī)構(gòu)48A附近的圖6(A) (D)來說 明前述制動器48A, 48B之作用。
如圖6(A)所示，在開閉器48A處于關(guān)閉開口 51A之狀態(tài)的情形 下，如圖6(B)所示當(dāng)X軸固定件81與X固定件80接近時，亦通過減 震器47A與開閉器49A之接觸，使X軸固定件80， 81彼此不能更加 接近。此時，如圖6(B)所示，當(dāng)減震器47A之活塞104C移動至最靠 -Y側(cè)時(亦即，減震器縮短，其全長為最短時)，亦為晶片臺WTB與 測量臺MTB彼此不接觸的構(gòu)成。
另一方面，如圖6(C)所示，當(dāng)透過驅(qū)動機(jī)構(gòu)34A來下降地驅(qū)動 開閉器49A時，由于開口 51A即成為開放狀態(tài)，因此在X軸固定件 81，80彼此接近時，即會如圖6(D)所示，可使減震器74A之前端部之 至少一部分侵入開口 51A內(nèi)，而能使X軸固定件80，81彼此較圖6(B) 所示之狀態(tài)更接近。在此種X軸固定件81， 80彼此為最接近之狀態(tài)下， 如圖7所示，能使晶片臺WTB與測量臺MTB接觸(或使其接近至相 距300nM左右之間隙)。
開口 51A之深度，可如圖6(D)所示，設(shè)定成即使在X軸固定件81, 80彼此為最接近之狀態(tài)下在減震器47A與開口 51A之終端部(相當(dāng) 于底的部分)之間亦形成有間隙，或亦可設(shè)定成減震器47A接觸于終端 部。又，在X軸固定件81,80相對移動于X軸方向時，亦可才艮據(jù)相對 移動之量來預(yù)先設(shè)定開口部寬度，以使減震器47A與開口 51A之壁部 不接觸。
此外，另一制動器48B亦發(fā)揮相同功能。
返回圖2，于X軸固定件80之+ X端部分設(shè)有間隔檢測傳感器 43A與撞擊檢測傳感器43B，于X軸固定件81之+ X端部，系于其+Y 側(cè)突設(shè)有延伸于Y軸方向之細(xì)長板狀構(gòu)件41A。又，如圖2所示，于 X軸固定件80之-X端部設(shè)有間隔檢測傳感器43C與撞擊檢測傳感 器43D，于X軸固定件81之-X端部，系于其+Y側(cè)突設(shè)有延伸于Y 軸方向之細(xì)長板狀構(gòu)件41B。
前述間隔檢測傳感器43A，例如由透射型光傳感器(例如LED-PTr之透射型光傳感器)構(gòu)成，如圖4所示，包含U字形固定構(gòu)件142、 以及設(shè)于該固定構(gòu)件142之相對之各一對的面之發(fā)光部144A與受光 部144B。此間隔檢測傳感器43A，系通過檢測出受光部144B之輸出(通 過遮蔽來自發(fā)光部144A之光而變化)，來檢測發(fā)光部114A與受光部 114B之間是否存在有不透光之物體。
亦即，通過間隔檢測傳感器43A，當(dāng)X軸固定件80與X軸固定 件81從圖4之狀態(tài)更為接近時，如圖7所示，板狀構(gòu)件41A即進(jìn)入 受光部144B與發(fā)光部144A之間。此時，由于板狀構(gòu)件41A之下半部 遮蔽來自發(fā)光部144A之光，因此進(jìn)入受光部144B之光即消失，使輸 出電流變小。據(jù)此，主控制裝置20，即能通過檢測該輸出電流，來檢 測出兩移動體之間隔為預(yù)定距離以下。
前述撞擊檢測傳感器43B為一種傳感器，其包含U字型固定構(gòu) 件以及設(shè)于該固定構(gòu)件143之相對各一對之面的發(fā)光部145A與受光 部145B,通過檢測出受光部145B之輸出(通過遮蔽來自發(fā)光部145A 之光而變化)，來檢測發(fā)光部145A與受光部145B之間是否存在有不 透光之物體。此時，發(fā)光部145A，如圖4所示，于前述間距感檢測傳感器43A之發(fā)光部144A,設(shè)定在相異Z軸方向之位置(高度位置)的位 置，受光部145B，系相對間隔檢測傳感器43A之受光部144B，設(shè)定 于在Z軸方向之位置(高度位置)相異的位置。
通過此撞擊檢測傳感器43B，在X軸固定件81, 80彼此更接近、 使晶片臺WTB與測量臺MTB接觸之步驟時，由于板狀構(gòu)件41A之 上半部定位于發(fā)光部145A與受光部145B間，因此來自發(fā)光部145A 之光即不會進(jìn)入受光部145B。
此外，圖4中，板狀構(gòu)件41A，雖設(shè)定成上半部較下半部長(更向 + ￥方向突出之狀態(tài))，但此系因晶片臺WTB與測量臺MTB接觸時， 板狀構(gòu)件41A之上半部定位于發(fā)光部145A與受光部145B之間。據(jù)此， 當(dāng)能將撞擊檢測傳感器43B設(shè)于更靠-Y側(cè)時，亦可僅采用長方形狀 之板狀構(gòu)件。
又，由于設(shè)于X軸固定件之-X端部附近的間隔檢測傳感器43C 及撞擊檢測傳感器43D,亦與前述之設(shè)于+ X端部附近之間隔檢測傳 感器43A及撞擊檢測傳感器43B同樣的構(gòu)成，且板狀構(gòu)件41B亦與前 述板狀構(gòu)件41A相同構(gòu)成，因此省略其說明。
返回圖l,本實施形式之曝光裝置100中，于保持投影單元PU 之保持構(gòu)件設(shè)有離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)(以下，簡稱為r對準(zhǔn)系統(tǒng)」)ALG。作 為該對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG，可4吏用例如影《象處理方式之FIA(Field Image Alignmeiit(場像對準(zhǔn)))系統(tǒng)傳感器，其能將不會使晶片上之抗蝕劑感光 的寬頻檢測光束照射于對象標(biāo)記，并以攝影元件(CCD(電荷耦合裝置) 等)拍攝通過來自該對象標(biāo)記之反射光而成像于受光面的對象標(biāo)記影 像、以及未圖標(biāo)之指針(設(shè)于對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG內(nèi)之指針板上的指針圖案) 影像，并輸出這些影像信號。來自對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之?dāng)z影信號，系供 應(yīng)至圖8的主控制裝置20。
此外，作為對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG,系不限于FIA系統(tǒng)，亦能單獨或組 合使用能將同調(diào)檢測光照射于對象標(biāo)記以檢測從此對象標(biāo)記產(chǎn)生之散 射光或衍射光的對準(zhǔn)傳感器，或是干涉從該對象標(biāo)記產(chǎn)生之兩衍射光 (例如同階數(shù)之衍射光、或衍射于同方向之衍射光)來加以檢測的對準(zhǔn)傳感器。
本實施形式之曝光裝置100，雖于圖1中省略圖示，但設(shè)有與照 射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)卯b(參照圖8)所構(gòu)成、例如于日本特開平 6-283403號公報及其對應(yīng)之美國專利第5，448，332號所揭示者相同之 斜入射方式的多點焦點位置檢測系統(tǒng)。本實施形式中，作為其一例， 照射系統(tǒng)90a系在投影單元PU之-X側(cè)懸吊支撐于用以保持投影單 元PU之保持構(gòu)件，受光系統(tǒng)90b系在投影單元PU之+ X側(cè)懸吊支 撐于保持構(gòu)件下方。亦即，照射系統(tǒng)90a及受光系統(tǒng)90b、與投影光 學(xué)系統(tǒng)PL，均安裝于同一構(gòu)件，兩者之位置關(guān)系維持于一定。在本國 際申請指定之指定國(或所選擇之選擇國)之國內(nèi)法令所許可范圍，援 用于上述美國專利之揭示作為本申請書記載之一部分。
圖8，系顯示膝光裝置100之控制系統(tǒng)的主要構(gòu)成。此控制系統(tǒng)， 系以由用以統(tǒng)籌控制裝置整體之微電腦(或工作站)所構(gòu)成的主控制裝 置20為中心。
其次，根據(jù)圖2、圖7、圖9等，說明以上述方式構(gòu)成之本實施 形式的曝光裝置100中、使用晶片載臺WST與測量臺MST所進(jìn)行之 并行處理動作。此外，以下動作中，系以主控制系統(tǒng)20來如前述般進(jìn) 行液浸裝置32之液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6之各閥的開關(guān)控 制，隨時將水充滿于投影光學(xué)系統(tǒng)PL之前端透鏡191正下方。不過， 以下為使說明容易理解，省略關(guān)于液體供應(yīng)裝置5及液體回收裝置6 之控制的說明。
圖2，系顯示對晶片載臺WST之晶片W(此處,系以某批量(l批 量為25片或50片)之最后晶片來作為其一例)進(jìn)行步進(jìn)掃描方式之曝 光時的狀態(tài)。此時，測量栽臺MST，系于不與晶片載臺WST撞擊之 預(yù)定待機(jī)位置待機(jī)。又，此時，為防止晶片載臺WST與測量載臺MST 較預(yù)定距離接近，系設(shè)定成開閉器49A， 49B為關(guān)閉開口 51A， 51B的 狀態(tài)。
上述曝光動作，系通過主控制裝置20,根據(jù)事前進(jìn)行之例如 EGA(加強型全晶片對準(zhǔn))等之晶片對準(zhǔn)結(jié)果及最新之對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之基線的測量結(jié)果等，反復(fù)進(jìn)行照射間移動動作(使晶片載臺WST往 用以使晶片W上之各照射區(qū)域曝光的掃描開始位置(加速開始位置)移 動)與掃描曝光動作(以掃描曝光方式對各照射區(qū)域轉(zhuǎn)印形成于標(biāo)線片 R的圖案)，以此來進(jìn)行。此外，上述曝光動作，系在將水保持在前端 透鏡191與晶片W間的狀態(tài)下進(jìn)行。
接著，在晶片載臺WST側(cè)對晶片W之曝光結(jié)束的步驟時，主控 制系統(tǒng)20，透過驅(qū)動機(jī)構(gòu)34A， 34B來下降地驅(qū)動開閉器49A， 49B， 將開口 51A， 51B設(shè)定成開啟狀態(tài)。主控制裝置20,在透過開閉傳感 器101確認(rèn)開閉器49A, 49B為完全開啟的狀態(tài)后，根據(jù)干涉儀系統(tǒng) 118之測量值及編碼器77B之測量值來控制載臺驅(qū)動系統(tǒng)124，使測 量栽臺MST(測量臺MTB)移動至圖7所示之位置。此時，測量臺MTB 之-Y側(cè)面與晶片臺WTB之+Y側(cè)面系接觸。此外，亦可監(jiān)控干涉 儀系統(tǒng)118中、用以測量各載臺之Y軸方向位置之干涉儀的檢測值， 4吏測量臺MTB與晶片臺WTB在Y軸方向離開300nm左右，保持非 接觸之狀態(tài)。
其次，主控制裝置20，系一邊保持晶片臺WTB與測量臺MTB 在Y軸方向之位置關(guān)系， 一邊開始同時將兩載臺WST、 MST驅(qū)動于 -Y方向的動作。
如此，當(dāng)通過主控制裝置20同時驅(qū)動晶片載臺WST、測量載臺 MST時，保持于投影單元PU之透鏡191與晶片W之間的水，即隨 著晶片載臺WST及測量載臺MST往-Y側(cè)之移動，而依序照晶片 W—防7K板28—測量臺MTB上之順序移動。此外，在上述移動當(dāng)中， 晶片臺WTB、測量臺MTB系保持相互接觸之位置關(guān)系。
當(dāng)從上述狀態(tài)更進(jìn)一步地將晶片栽臺WST、測量截臺MST往-Y方向驅(qū)動預(yù)定距離時，即如圖9所示，成為在測量載臺MST與前端 透鏡191之間保持有水的狀態(tài)。
其次，主控制系統(tǒng)20， 一邊根據(jù)干涉儀系統(tǒng)118、編碼器77A之 測量值管理晶片載臺WST之位置， 一邊控制載臺驅(qū)動系統(tǒng)124，使晶 片載臺WST移動至預(yù)定晶片更換位置，進(jìn)行與下一批量之第一片晶片的更換動作，同時，視需要執(zhí)行使用測量載臺MST之即定測量。 作為該測量，例如可舉出對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之基線測量來作為一例。具 體而言，主控制裝置20，系使用前述標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RAa， RAb,同 時檢測出與設(shè)于測量臺MTB上之基準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域內(nèi)之一對第1基準(zhǔn)標(biāo) 記對應(yīng)的標(biāo)線片上之標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記，來檢測出與一對第l基準(zhǔn)標(biāo)記 對應(yīng)之標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系。與此同時，主控制裝置20，通過 以對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG檢測出上述基準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域內(nèi)之第2基準(zhǔn)標(biāo)記，來檢 測出對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之檢測中心與第2基準(zhǔn)標(biāo)記之位置關(guān)系。接著， 主控制裝置20，根據(jù)與上述一對第1基準(zhǔn)標(biāo)記之標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng) 的位置關(guān)系、對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之檢測中心與第2基準(zhǔn)標(biāo)記之位置關(guān)系、 以及已知之一對第l基準(zhǔn)標(biāo)記與第2基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，來求出投 影光學(xué)系統(tǒng)PL對標(biāo)線片圖案之投影中心與對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之檢測中心 的距離、亦即對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之基線。
此外，在進(jìn)行上述對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG之基線測量的同時，先在標(biāo)線 片上形成多對標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記，并與此對應(yīng)地在基準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域內(nèi)形成 多對第l基準(zhǔn)標(biāo)記，通過一邊使標(biāo)線片載臺RST、測量栽臺MST步 進(jìn)移動于Y軸方向、 一邊使用標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RAa， RAb來測量至少 兩對第1基準(zhǔn)標(biāo)記與對應(yīng)之標(biāo)縣片對準(zhǔn)標(biāo)記的相對位置，即亦能進(jìn)行 所謂之標(biāo)線片對準(zhǔn)。
此時，使用標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RAa，RAb之標(biāo)記的檢測，系透過投 影光學(xué)系統(tǒng)PL及水來進(jìn)行。
接著，在上述兩載臺WST， MST上之作業(yè)結(jié)束的階段，主控制 裝置20，即使測量載臺MST與晶片載臺WST接觸，并一邊維持該狀 態(tài)一邊在XY面內(nèi)驅(qū)動，使晶片載臺WST返回投影單元正下方。此外， 如前所述，亦可使測量載臺MST與晶片載臺WST為非接觸狀態(tài)。
主控制裝置20，與先前相反地，系一邊保持晶片載臺WST與測 量栽臺MST在Y軸方向的位置關(guān)系， 一邊同時將兩載臺WST， MST 驅(qū)動于+ Y方向，使晶片載臺WST(晶片)移動至投影光學(xué)系統(tǒng)PL下 方后，使測量栽臺MST退離至預(yù)定位置。在此階段，主控制裝置20，通過透過驅(qū)動裝置34A， 34B來上升地驅(qū)動開閉器49A， 49B，將開口 51A， 51B設(shè)定成關(guān)閉狀態(tài)。
其后，主控制裝置20，即對新的晶片執(zhí)行晶片對準(zhǔn)、步進(jìn)掃描方 式之曝光動作，依序?qū)?biāo)線片圖案轉(zhuǎn)印至晶片上之多個照射區(qū)域。之 后，重復(fù)進(jìn)行同樣的動作。
此外，上述說明中，雖說明進(jìn)行基線測量之情形來作為測量動作， 但并不限于此，亦可在晶片載臺WST側(cè)進(jìn)行各晶片之更換時，使用 測量載臺MST之測量器群，進(jìn)行照度測量、照度不均測量、空間像 測量、波面像差測量之至少一種，并將該檢測結(jié)果反應(yīng)至其后進(jìn)行之 晶片膝光。具體而言，例如能根據(jù)測量結(jié)果，通過未圖示之成像特性 校正控制器來進(jìn)行投影光學(xué)系統(tǒng)PL的調(diào)整。又，上述之空間像測量 器、照度不均測量器、照度度監(jiān)視器、以及波面像差測量器，并不一 定要全部具備，亦可視必要僅裝載一部分。
又，上述說明中，雖對新晶片之晶片對準(zhǔn)系在使測量載臺MST 退離后進(jìn)行，但新晶片之晶片對準(zhǔn)的至少一部分，亦可在使兩載臺 WST，MST接觸前、以及/或在使兩載臺WST， MST接觸之狀態(tài)下進(jìn) 行。
此處，在進(jìn)行上述之各種動作時，系通過干涉儀系統(tǒng)118來檢測 晶片臺WTB(晶片載臺WST)之位置及速度、測量臺MTB(測量載臺 MST)之位置及速度。主控制裝置20，系算出兩載臺之各時間的各相 對速度，當(dāng)算出之相對速度超過預(yù)定之值(臨限值)時，即進(jìn)行抑制兩 載臺之速度的控制，從而防止兩載臺之失控、撞擊。
如以上之詳細(xì)說明，根據(jù)本實施形式之曝光裝置100，通過制動 器才凡構(gòu)48A, 48B，不僅可阻止兩個X軸固定件80， 81彼此較預(yù)定i 巨離 接近，亦可阻止晶片臺WTB(防水板28)與測量臺MTB較預(yù)定距離接 近。又，通過驅(qū)動;^構(gòu)34A， 34B4吏開閉器49A， 49B退離，能解除該 制動器機(jī)構(gòu)48A， 48B之阻止作用，使兩個X軸固定件80， 81較預(yù)定距 離接近，而使晶片臺WTB(防水板28)與測量臺MTB較預(yù)定距離接近。
特別是，如本實施形式之曝光裝置100，在采用液浸型之曝光裝置的情形下，當(dāng)從晶片臺WTB(或測量臺MTB)位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL 正下方之狀態(tài)遷移至測量臺MTB(或晶片臺WTB)位于投影光學(xué)系統(tǒng) PL正下方的狀態(tài)時，即解除減震器49A, 49B之阻止作用。因此，由 于能使晶片臺WTB(防水板28)與測量臺MTB在接近之狀態(tài)下在投影 光學(xué)系統(tǒng)正下方移動，因此無須進(jìn)行以下(1) (3)之一連串動作。亦即， 不需要(l)回收存在于防水板28(或測量臺MTB)上之水、(2)將測量臺 MTB(或晶片臺WTB)移動至投影光學(xué)系統(tǒng)正下方、(3)再度供應(yīng)水等 的一連串動作。據(jù)此，可將曝光精度維持的較高，且使兩個載臺之移 動高速化，進(jìn)而實現(xiàn)高產(chǎn)能。又，主控制裝置20，當(dāng)兩個X軸固定件之相對速度(晶片臺WTB 與測量臺MTB之相對速度)達(dá)預(yù)定值以上時，即限制兩個X軸固定件 80，81(晶片載臺'WST及測量載臺MST)中之至少一方的速度。因此， 能事先防止兩個X軸固定件(晶片載臺WST及測量載臺MST)之失控， 進(jìn)而減低晶片臺WTB與測量臺MTB撞擊的可能性，其結(jié)果，可謀求 避免晶片載臺WST與測量載臺MST之損傷、維持各載臺之驅(qū)動性能、 以及維持啄光精度。又，由于采用用以緩和來自Y軸方向之沖擊的減震器來作為制動 器機(jī)構(gòu)，因此即使在阻止移動體間接近之情形下，由于能緩合來自另 一移動體之沖擊對一移動體造成的影響，因此能極力抑制各移動體之損傷等。又，本實施形式中，由于包含用以檢測開閉器為開啟及關(guān)閉狀態(tài) 時之至少一方的開閉傳感器101，因此通過根據(jù)該開閉傳感器101之 檢測結(jié)果來移動兩個X軸固定件80, 81 ，即能在使X軸固定件80， 81 接近、或在使晶片臺WTB與測量臺MTB接近或接觸時，避免減震器 47A， 47B與開閉器49A， 49B機(jī)械干涉。又，本實施形式中，由于不僅具備制動器機(jī)構(gòu)48A，48B，亦具備 間隔檢測傳感器43A， 43C，使用該傳感器來檢測兩個X軸固定件80， 81彼此是否較預(yù)定距離接近，因此能檢測出晶片臺WTB與測量臺 MTB之接近程度，即使假設(shè)在晶片載臺WST與測量栽臺MST失控23等時亦能進(jìn)一步減少撞擊的可能性。再者，本實施形式中，由于包含用以檢測兩個X軸固定件80，81 之撞擊的撞擊檢測傳感器43B, 43D，因此通過根據(jù)該傳感器43B, 43D 之檢測結(jié)果來進(jìn)行兩個X軸固定件80， 81的驅(qū)動控制，即能極力減低 因晶片臺WTB與檢測臺MTB之撞擊對各臺等所造成的影響。又，通 過該傳感器43B, 34D來檢測出撞擊，而能迅速且容易地判斷是否開始 進(jìn)行維修保養(yǎng)。又，本實施形式中，由于在測量臺MTB之-Y側(cè)端部分配置有 脫離構(gòu)件29，因此即使晶片臺WTB(防水板28)與測量臺MTB撞擊， 亦能通過脫離構(gòu)件29最初之脫離來極力縮小臺本身的損傷。此外，上述實施形式中，雖將脫離構(gòu)件29配置于測量臺MTB側(cè)， 但并不限于此，脫離構(gòu)件29，亦可設(shè)于晶片臺WTB之十Y端部。又，上述實施形式中，雖說明將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于X軸固定件80, 81 的情形，但并不限于此，例如亦可將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于晶片臺WTB(或) 及測量臺MTB。又，上述實施形式中，雖阻止X軸固定件80，81彼此接近及晶片 臺WTB(防水板28)與測量臺MTB之接近，但當(dāng)然亦可阻止其它二物 體之接近。又，上述實施形式中，雖將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于X軸固定件80，81， 但亦可將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于任一方。又，上述實施形式中，雖將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于X軸固定件80，81, 來阻止X軸固定件80， 81彼此之接近、以及阻止晶片臺WTB(防水板 28)與測量臺MTB之接觸，但不限于此，亦可將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于其它 二物體的至少一方。例如，亦可將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于晶片臺WTB(防水 板28)與測量臺MTB之至少一方，來阻止晶片臺WTB(防水板28)與 測量臺MTB的接近。又，亦能將制動器機(jī)構(gòu)設(shè)于晶片臺WTB與測量 臺MTB之至少一方，以阻止X軸固定件80， 81彼此接近或其它二物 體之接近。又，上述說明中，雖系在以晶片載臺進(jìn)行晶片更換之前后解除制動器機(jī)構(gòu)48A，48B的阻止功能，但當(dāng)然不限于此，亦能視必要解除制 動器機(jī)構(gòu)48A， 48B的阻止功能。此外，上述實施形式中，雖說明載臺裝置50具備晶片載臺WST 與測量載臺MST的情形，但不限于此，兩個載臺亦可均為晶片載臺。 此時，由于能在在一載臺上進(jìn)行曝光動作時于另一載臺進(jìn)行晶片更換 及對準(zhǔn)等的測量，因此能期待產(chǎn)能之提升。又，上述實施形式中，雖采用減震器來作為制動器機(jī)構(gòu)，但不限 于此，即使系減震器以外之裝置(例如空氣緩沖器等)，只要系能緩和 來自Y軸方向之沖擊者，能采用各種緩沖裝置。又，作為制動機(jī)構(gòu)， 并不限于援沖裝置，亦可采用不具緩沖作用之制動器機(jī)構(gòu)。又，上述實施形式中，雖將減震器設(shè)于X軸固定件81側(cè)，而于 X軸固定件80設(shè)置用以開關(guān)形成于該X軸固定件80之開口的開閉器， 但不限于此，亦可將減震器設(shè)于X軸固定件80側(cè)，而于X軸固定件 81形成開口且設(shè)置開閉器。又，雖上述實施形式中系將開閉器驅(qū)動于Z軸方向，但并不限于 此，亦可采用使開閉器移動于X軸方向的構(gòu)成，或亦可采用較開口小 一圏之蓋狀構(gòu)件能在開口內(nèi)部移動于Y軸方向的構(gòu)成。此外，上述實施形式中，雖將開口設(shè)于X軸固定件80，但不限 于此，亦可如圖IO所示，不設(shè)置開口 ，而由具有開閉器49A厚度之 構(gòu)件構(gòu)成，透過使開閉器49A上下移動之驅(qū)動機(jī)構(gòu)34A,將開閉器49A 從圖IO(A)之狀態(tài)改變?yōu)閳DIO(B)之狀態(tài)，從而以減震器47A來阻止晶 片臺WTB(防水板28)與測量臺MTB之接觸、并解除該阻止作用。又，上述實施形式中，雖采用固定于一X軸固定件81之減震器 與開閉器的組合，但本發(fā)明不限定于此，亦可如圖ll所示，采用能使 減震器移動于Y軸方向之構(gòu)成。根據(jù)圖ll(A)之構(gòu)成，減震器47A， 系沿設(shè)于X軸固定件81上之導(dǎo)件45，通過氣缸所所構(gòu)成之驅(qū)動機(jī)構(gòu) 34來驅(qū)動于Y軸方向。又，在與X軸固定件80之減震器47A相對的 位置設(shè)有板構(gòu)件49，。此時，如圖ll(A)所示，在減震器47A配置于+ Y側(cè)、而減震器47A較X軸固定件81突出于+ Y側(cè)的狀態(tài)下，如圖ll(B)所示，即使 兩X軸固定件81，80接近，亦可通過減震器47A與板構(gòu)件49之接觸， 使X軸固定件80，81無法較預(yù)定距離接近。亦即，即使假如X軸固定 件80，81之至少一方失控時，亦能阻止晶片臺WTB(防水板28)與測量 臺MTB的接觸。另一方面，如圖ll(C)所示，減震器47A通過驅(qū)動機(jī)構(gòu)34，而移 動至-Y側(cè)時，如圖ll(D)所示，由于減震器47A與板構(gòu)件49未接觸， 因此可使兩X軸固定件81， 80彼此最為接近。(亦即，使晶片臺WTB(防 水板28)與測量臺MTB接觸或最為接近)此外，上述變形例中，最好系設(shè)置可檢測減震器47A之位置系位 于圖ll(A)之位置、或處于圖ll(C)之狀態(tài)之至少一方的傳感器。又，上述變形例(圖11(A)~圖ll(D))中，亦可不設(shè)置設(shè)于X軸固 定件80之板構(gòu)件49。又，亦可將減震器47A及驅(qū)動機(jī)構(gòu)34，設(shè)于X 軸固定件80側(cè)。又，雖采用氣缸來作為上述實施形式之用以驅(qū)動開閉器49A的驅(qū) 動機(jī)構(gòu)34A， 34B以及上述變形例之用以驅(qū)動減震器47A的驅(qū)動機(jī)構(gòu) 34，，但不限于此，亦能采用滾珠螺桿方式之驅(qū)動機(jī)構(gòu)、或音圈馬達(dá)、 線性馬達(dá)等各種驅(qū)動機(jī)構(gòu)。又，上述實施形式中，為了獲得晶片臺WTB及測量臺MTB之 位置信息而使用千涉儀系統(tǒng)，但亦可使用編碼器等其它的測距系統(tǒng)來 替代。又，上述實施形式中，雖說明采用透射型光傳感器來作為間隔檢 測傳感器及撞擊檢測傳感器，但本發(fā)明并不限于此，例如采用光傳感 器時，亦可使用反射型光傳感器或分離型光傳感器。又，不限于光傳 感器，亦能使用線傳感器或靜電容傳感器等各種傳感器。又，作為第 3、第4檢測裝置，亦能使用直接測量兩個移動體間之距離的測量裝置。又，上述實施形式中，當(dāng)制動器機(jī)構(gòu)48A(48B)之開閉器49A(49B) 為關(guān)閉狀態(tài)時，雖在Y軸方向阻止X軸固定件80，81(晶片臺WTB與 測量臺MTB)較預(yù)定距離接近，但即使減震器47A(47B)之頭部104d與開閉器49A(49B)接觸，各X軸固定件80， 81(晶片臺WTB與測量臺 MTB)亦能分別相對移動于X軸方向及Z軸方向。例如，X軸固定件 80， 81(晶片臺WTB與測量臺MTB)分別移動于X軸方向時，如圖12(A) 所示，即使減震器47A之頭部104d與開閉器49A接觸，亦能一邊限 制X軸固定件80，81(晶片臺WTB與測量臺MTB)彼此在Y軸方向接 近、 一邊移動于X軸方向。此處，為避免頭部104d與開閉器49A間 之摩擦的影響，最好系于頭部104d與開閉器49A之各表面施以鐵氟 龍(注冊商標(biāo))的涂布等、用以使其易于滑動的表面處理。由此，如圖 12(B)所示，頭部104d與開閉器49A在接觸之狀態(tài)下，開閉器49A與 頭部104d亦能以在彼此表面滑動的方式移動。如此，由于開閉器49A 與頭部104d即使接觸亦可容許X軸方向的移動，因此可不受頭部104d 與開閉器49A接觸之影響，使X軸固定件80，81(晶片臺WTB與測量 臺MTB)相對移動于X軸方向。此外，亦可將頭部104d與開閉器49A 之接觸部作成可旋轉(zhuǎn)的球狀來替代前述表面處理。又，圖12(A)、圖 12(B),雖系顯示X軸固定件80，81(晶片臺WTB與測量臺MTB)相對 移動于X軸方向時之圖，但在Z軸方向亦相同。此外，上述實施形式中，雖對曝光裝置為液浸型之曝光裝置的情 形來加以說明，但并不限于此，亦能采用不透過液體(水)來進(jìn)行晶片 W之曝光的干式曝光裝置。此時，在同時進(jìn)行曝光動作、對準(zhǔn)動作等 動作時，假設(shè)即使兩個載臺失控，亦能防止兩載臺彼此撞擊，且在須 使2載臺接近時，亦可通過解除制動器機(jī)構(gòu)之阻止作用，而在無制動 器機(jī)構(gòu)之妨礙下使兩個載臺接近。又，上述各實施形式中，雖使用超純水(水)作為液體，但本發(fā)明 當(dāng)然并不限定于此。亦可使用化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、照明用光IL之透射率高 的安全液體來作為液體，例如氟系惰性液體。作為此氟系惰性液體， 例如能使用氟洛黎納特(Fluorinert，美國3M公司之商品名稱)。此氟系 惰性液體亦具優(yōu)異冷卻效果。又，作為液體，亦能使用具有對照明用 光IL之透射性、且折射率盡可能較高者，或使用對涂布于投影光學(xué)系 統(tǒng)或晶片表面之抗蝕劑穩(wěn)定者(例如杉木油、cedar oil)來作為液體。在使用F2激光作為光源時，只要選擇全氟聚醚油(Fomblin Oil)即可。又，上述各實施形式中，亦可再利用回收之液體，此時，最好將 用以從所回收液體除去雜質(zhì)的過濾器設(shè)置于液體回收裝置或回收管 等。又，上述實施形式中，雖說明本發(fā)明適用于步進(jìn)掃描式等之掃描 型曝光裝置，但本發(fā)明之適用范圍當(dāng)然不限定于此。亦即，本發(fā)明亦 可適用于步進(jìn)重復(fù)式之投影曝光裝置、步進(jìn)接合方式之曝光裝置、或 近接方式的曝光裝置。曝光裝置用途并不限定于半導(dǎo)體制造用之曝光裝置，亦可廣泛適 用于例如用來制造將液晶顯示組件圖案轉(zhuǎn)印于方型玻璃板之液晶用曝 光裝置，或制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、攝影元件(CCD等)、微型機(jī)器 及DNA芯片等。又，除了制造半導(dǎo)體組件等微型組件以外，為了制 造用于光曝光裝置、EUV(極遠(yuǎn)紫外線)曝光裝置、X射線曝光裝置及 電子光束曝光裝置等的標(biāo)線片或掩模，亦能將本發(fā)明適用于用以將電 路圖案轉(zhuǎn)印至玻璃基板或硅晶片等之曝光裝置。又，上述實施形式之曝光裝置的光源，不限于ArF準(zhǔn)分子激光光 源，亦能使用KrF準(zhǔn)分子激光光源(輸出波長248nm)、 F2激光(輸出波 長157nm)、 Ar2激光(輸出波長126nm)、 Kr2激光(輸出波長146nm) 等脈沖激光光源，或發(fā)出g線(波長436 nm)、 i線(波長365nm)等發(fā)射 亮線之超高壓水銀燈等。又，亦可使用YAG激光之諧波產(chǎn)生裝置等。 另外，可使用例如諧波，其系以涂布有鉺(或鉺及鐿兩者)之光纖放大 器，將從DFB半導(dǎo)體激光或纖維激光射出之紅外線區(qū)或可見區(qū)的單一 波長激光光放大，并以非線形光學(xué)結(jié)晶將其轉(zhuǎn)換波長成紫外光。又， 投影光學(xué)系統(tǒng)可不僅為縮小系統(tǒng)，亦可為等倍或放大系統(tǒng)的任一種。又，上述實施形式中，作為膝光裝置之照明光IL，并不限于波長 100nm以上之光，亦可〗吏用波長未滿100nm之光。例如，近年來，為 了曝光70nm以下之圖案，已進(jìn)行了一種EUV曝光裝置之開發(fā)，其系 以SOR或電漿激光為光源來產(chǎn)生軟X線區(qū)域(例如5 ~ 15nm之波長域) 之EUV(Extreme Ultra Violet)光，且使用根據(jù)其曝光波長(例如13.5nm)28所設(shè)計之全反射縮小光學(xué)系統(tǒng)及反射型掩模。此裝置中，系使用圓弧 照明同步掃描掩模與晶片來進(jìn)行掃瞄曝光之構(gòu)成。 《組件制造方法》 接著，說明在光刻步驟使用上述曝光裝置之組件制造方法的實施形式。圖13,系顯示組件(IC(集成電路)或LSI(大型集成)等半導(dǎo)體芯片、 液晶面板、CCD、薄膜磁頭、微型機(jī)器等)的制造例流程圖。如圖13 所示，首先，步驟201(設(shè)計步驟)中，系進(jìn)行組件之功能/性能設(shè)計(例 如半導(dǎo)體組件之電路設(shè)計等)，并進(jìn)行用以實現(xiàn)其功能之圖案設(shè)計。接著，步驟202(掩模制作步驟)中，系制作形成有所設(shè)計電路圖案之掩模。 另一方面，步驟203(晶片制造步驟)中，系使用硅等材料來制造晶片。其次，步驟204(晶片處理步驟)中，系使用在步驟201~步驟203 所準(zhǔn)備的掩模及晶片，如后述般，通過光刻技術(shù)等將實際電路等形成 于晶片上。其次，步驟205(組件組裝步驟)中，使用在步驟204所處理 之晶片進(jìn)行組件組裝。于此步驟205中，系視需要而包含切割工序、 接合工序及封裝工序(芯片封入)等工序。最后，步驟206(檢查步驟)，系進(jìn)行在步驟205制成之組件的動 作確認(rèn)測試、耐久測試等檢查。在經(jīng)過這些步驟后組件即告完成，并 將之出貨。圖14,系顯示半導(dǎo)體組件中該步驟204之詳細(xì)流程例。圖14中， 步驟211(氧化步驟)，系使晶片表面氧化。步驟212(CVD(化學(xué)氣相沉 積)步驟)，系于晶片表面形成絕緣膜。步驟213(電極形成步驟)，系通 過蒸鍍將電極形成于晶片上。步驟214(離子植入步驟)，系將離子植入 晶片。以上步驟211~步驟214之各步驟，系構(gòu)成晶片處理之各階段 的前處理步驟，并視各階段所需處理加以選擇并執(zhí)行。晶片處理的各階段中，當(dāng)結(jié)束該前處理步驟時，即如以下進(jìn)行后 處理步驟。此后處理步驟中，首先，步驟215(抗蝕劑形成步驟)，將感 光劑涂布于晶片。接著，步驟216(曝光步驟)中，使用以上說明之曝光 裝置將掩模之電路圖案轉(zhuǎn)印于晶片。其次，步驟217(顯影步驟)中，使曝光之晶片顯影，步驟218(蝕刻步驟)中，通過蝕刻，除去除抗蝕劑殘 存部分以外部分之露出構(gòu)件。接著，步驟219(抗蝕劑除去步驟)中，除 去結(jié)束蝕刻后不需要之抗蝕劑。通過反復(fù)進(jìn)行這些前處理步驟及后處理步驟，來在晶片上多重形 成電路圖案。由于只要使用以上說明之本實施形式的組件制造方法，即會在啄 光步驟(步驟216)中使用上述實施形式之曝光裝置，因此可一邊高度維 持重迭精度， 一邊進(jìn)行高產(chǎn)能之曝光。據(jù)此，能提升形成有微細(xì)圖案 之高集成度之微組件的生產(chǎn)能力。如以上之說明，本發(fā)明之移動體單元，系適于移動能獨立移動于 預(yù)定一軸方向之兩個移動體。又，本發(fā)明之曝光裝置及組件制造方法， 系適于制造半導(dǎo)體組件(集成電路)、液晶顯示組件等的電子組件。
權(quán)利要求
1.一種移動體裝置，其特征在于，包含能獨立移動的兩個移動體；以及脫離元件，固定于所述兩個移動體的至少一部分，且能經(jīng)由所述兩個移動體的撞擊而脫離。
2. 如權(quán)利要求l所述的移動體裝置，其中，所述兩個移動體能在 維持所述兩個移動體接觸或較既定距離接近的既定狀態(tài)下移動。
3. —種曝光裝置，使基板曝光以在所述基板形成圖案，其特征在 于，具備權(quán)利要求1或2所述的移動體裝置，以所述兩個移動體的至少一 方保持所述基板。
4. 一種曝光裝置，使基板曝光以在所述基板形成圖案，其特征在于，具備第1移動體，能定位于投影裝置下方；第2移動體，能定位于投影裝置下方；液體供應(yīng)裝置，將液體供應(yīng)至所述投影裝置與所述第l和第2移 動體中的一方之間；以及可動構(gòu)件，設(shè)于所述第l和第2移動體中的一方，可經(jīng)由所述第 1與第2移動體之間的液體的流動從第1狀態(tài)移動至第2狀態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種移動體系統(tǒng)、曝光裝置及組件制造方法。由于通過制動器機(jī)構(gòu)(48A，48B)來阻止晶片載臺(WTB)與測量載臺(MTB)較預(yù)定距離更接近，且能通過驅(qū)動機(jī)構(gòu)(34A)解除該制動器機(jī)構(gòu)之阻止作用，因此例如當(dāng)獨立驅(qū)動X軸固定件(81，80)時，即使假設(shè)有兩個載臺之至少一方失控的情形，制動器機(jī)構(gòu)亦能阻止各載臺彼此之接觸，而例如當(dāng)載臺彼此較預(yù)定距離更接近時，通過解除機(jī)構(gòu)來解除制動器機(jī)構(gòu)之阻止作用，能在沒有制動機(jī)構(gòu)之妨礙的狀態(tài)下使兩載臺接近。
文檔編號H01L21/68GK101576716SQ200910132529
公開日2009年11月11日 申請日期2005年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月25日
發(fā)明者依田安史, 柴崎祐一, 荒井大 申請人:株式會社尼康