專利名稱：Ffs型tft-lcd陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)及制造方法，尤其涉及能夠提高開口率，同 時還能夠減少耗電的FFS型TFT-IXD陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay，簡稱 TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat Panel Display，簡稱為FPD)。根據(jù)驅(qū)動液晶的電場方向，TFT-IXD分為垂直電場型和水平電場型。其中，垂 直電場型TFT-LCD需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極；然而 水平電場型TFT-LCD需要在陣列基板上同時形成像素電極和公共電極。因此，制作水平 電場型TFT-LCD的陣列基板時，需要額外增加一次形成公共電極的構(gòu)圖工藝。垂直電場 型TFT-LCD包括扭曲向列(TwistNematic，簡稱為TN)型TFT-LCD ；水平電場型TFT-LCD 包括邊緣電場切換(Fringe Field Switching，簡稱為FFS)型TFT-LCD，共平面切換 (In-PlaneSwitching,簡稱為 IPS)型 TFT-LCD。水平電場型 TFT-LCD，尤其是 FFS 型 TFT-LCD 具有廣視角、開口率高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于液晶顯示器領(lǐng)域。目前，F(xiàn)FS型TFT-IXD陣列基板是通過多次構(gòu)圖工藝形成結(jié)構(gòu)圖形來完成，每一次 構(gòu)圖工藝中又分別包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，其中刻蝕工藝包括干法刻蝕 和濕法刻蝕，所以構(gòu)圖工藝的次數(shù)可以衡量制造TFT-IXD陣列基板的繁簡程度，減少構(gòu)圖 工藝的次數(shù)就意味著制造成本的降低。現(xiàn)有技術(shù)的FFS型TFT-LCD陣列基板六次構(gòu)圖工藝 包括公共電極構(gòu)圖、柵線和柵電極構(gòu)圖、有源層構(gòu)圖、源電極/漏電極構(gòu)圖、過孔構(gòu)圖和像 素電極構(gòu)圖?，F(xiàn)有技術(shù)中公開有大量的，通過減少構(gòu)圖工藝次數(shù)來降低制造成本，并提高液晶 顯示器的性能的技術(shù)文獻(xiàn)。例如現(xiàn)有的4次構(gòu)圖工藝制造FFS型液晶顯示器的陣列基板的方法如下步驟1、沉積第一金屬薄膜，通過第一構(gòu)圖工藝?yán)闷胀ㄑ谀ぐ逍纬蓶啪€、公共電 極線和柵電極的圖形；步驟2、沉積柵絕緣薄膜、有源層(半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層)薄膜，通過第二構(gòu)圖 工藝?yán)闷胀ㄑ谀ぐ逍纬捎性磳?ACTIVE)的圖形；步驟3、依次沉積第一透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜，通過第三次構(gòu)圖工藝?yán)秒p 調(diào)掩膜板形成像素電極、源電極、漏電極及TFT溝道；步驟4、沉積鈍化層及第二透明導(dǎo)電層，通過第四次構(gòu)圖工藝?yán)秒p調(diào)掩膜板形成 鈍化層、連接孔(用于將公共電極與公共電極線連接)、PAD區(qū)域連接孔(PAD區(qū)域為將驅(qū)動 電路板的引線和陣列基板進(jìn)行壓接的區(qū)域，通過PAD區(qū)域連接孔將引線與陣列基板上的柵 線、數(shù)據(jù)線及公共電極線等電連接)以及公共電極的圖形。通過上述4次構(gòu)圖工藝得到的現(xiàn)有的FFS型液晶顯示器的陣列基板的特點是公 共電極在最后一步形成，因此公共電極能夠覆蓋整個基板，即不僅可以在像素電極的上方形成公共電極，還可以在信號線(柵線、數(shù)據(jù)線和公共電極線)的上方形成公共電極。而上述6次構(gòu)圖工藝得到的現(xiàn)有的FFS型液晶顯示器的陣列基板，由于在第一步 先形成公共電極，隨后形成柵線，且公共電極與柵線不能夠電連接，因此公共電極不能覆蓋 在整個基板上，只能在像素電極的下方形成公共電極。根據(jù)上述4次構(gòu)圖工藝得到的FFS型液晶顯示器的陣列基板，相比根據(jù)上述6次 構(gòu)圖工藝得到的FFS型液晶顯示器的陣列基板，具有開口率大的優(yōu)點。開口率是彩膜基板上的黑矩陣的遮擋面積決定的。黑矩陣是為了遮擋信號線及其 周圍的非正常轉(zhuǎn)動的液晶分子的區(qū)域而設(shè)置的。液晶驅(qū)動時，信號線的周圍會形成的混亂電場。這種混亂電場中，危害最大的電場 是信號線與像素電極上方的公共電極之間的電場。這種電場的磁力線會對像素電極上方的 液晶分子(用于正常顯示圖像的液晶分子)的旋轉(zhuǎn)進(jìn)行干擾，使得無法正確顯示圖形。受 干擾的液晶區(qū)域，需要用黑矩陣來遮擋住。因此，干擾越大，開口率就越小。但是，根據(jù)上述4次構(gòu)圖工藝得到的FFS型液晶顯示器的陣列基板，由于信號線的 上方也形成有公共電極，信號線與其上方的公共電極之間產(chǎn)生電場，使得磁力線集中于信 號線的上方區(qū)域內(nèi)，進(jìn)而減少了信號線與像素電極上方的公共電極之間電磁作用，因此信 號線周圍的受干擾的液晶分子的區(qū)域也相應(yīng)地減小。因此，也就可以減少黑矩陣遮擋的面 積，提高開口率。圖8為現(xiàn)有的高開口率FFS型液晶顯示器的陣列基板的平面示意圖。圖9a為圖 8的A-A向剖面圖；圖9b為圖8的B-B向剖面圖。如圖8、圖9a及圖9b所示，現(xiàn)有的FFS 型TFT-IXD陣列基板，主要包括透明基板10、柵線1、柵絕緣層11、數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管 (TFT) 3、像素電極4、公共電極線5、公共電極6以及鈍化層12’等。具體地，透明基板10上 橫向設(shè)置有柵線1、公共電極線5，柵絕緣層11覆蓋在柵線1和公共電極線5上；柵絕緣層 11上縱向設(shè)置有數(shù)據(jù)線2 ；柵線1和數(shù)據(jù)線2交疊處設(shè)有TFT3 ；TFT3的漏電極與像素電極 4連接，且像素電極4為板狀電極；鈍化層12’設(shè)置在像素電極4、TFT3、數(shù)據(jù)線2以及柵絕 緣層11上；鈍化層12’上設(shè)置有公共電極6，公共電極6為狹縫電極，具有狹縫63 ；公共電 極6通過鈍化層12’上的連接孔53與公共電極線5連接。柵線1用于向TFT3提供開啟信號，數(shù)據(jù)線2用于向像素電極4提供數(shù)據(jù)信號。TFT3 為有源開關(guān)元件。公共電極線5用于向公共電極6提供公共信號。當(dāng)柵線1向TFT3提供 了開啟信號后，數(shù)據(jù)線2的數(shù)據(jù)信號可以經(jīng)TFT3輸入至像素電極4，像素電極4就可以與公 共電極6形成液晶驅(qū)動電場。上述結(jié)構(gòu)中，將公共電極形成于信號線的上方，進(jìn)而增加了開口率。但是，如果信 號線與公共電極的距離過近，即，信號線與公共電極之間的鈍化層的厚度過薄，公共電極與 信號線形成的電場會對信號線的信號進(jìn)行干擾，出現(xiàn)信號延遲等現(xiàn)象，影響顯示品質(zhì)。舉例而言，通過上述6次構(gòu)圖工藝制造的陣列基板中，鈍化層厚度為2500A;但是， 上述圖8-圖9a中所示的陣列基板，如果要達(dá)到上述6次構(gòu)圖工藝得到的陣列基板的顯示 效果(比如響應(yīng)時間等)，鈍化層厚度要6000 A。現(xiàn)如今，液晶顯示器領(lǐng)域不僅要求高開口率，還要求低耗電的特性。尤其是筆記本 電腦用液晶顯示器，更加注重低耗電的性能。但是，上述高開口率的FFS型TFT-IXD陣列基 板，雖然提高了開口率，但是，過厚的鈍化層，還導(dǎo)致了公共電極和像素電極之間的距離拉
4大，因此需要更大的驅(qū)動電壓才能進(jìn)行正常驅(qū)動，導(dǎo)致耗電顯著增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種FFS型TFT-IXD陣列基板及其制造方法，能夠提高開口 率，同時還能夠減少耗電。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種FFS型TFT-IXD陣列基板，包括透明基板、柵 線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極、公共電極以及鈍化層，所述鈍化層包括位于像素電極上 方的第一區(qū)域、位于柵線上方的第二區(qū)域以及位于數(shù)據(jù)線上方的第三區(qū)域，所述第一區(qū)域 具有第一厚度，所述第二區(qū)域具有第二厚度，所述第三區(qū)域具有第三厚度，其中，第一厚度 小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度，所述公共電極至少設(shè)置于所述鈍化層的第一區(qū)域、 第二區(qū)域以及第三區(qū)域。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種FFS型TFT-IXD陣列基板的制造方法，其包 括在形成有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極的透明基板上，沉積第三厚度的 絕緣薄膜；通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形，所述鈍化層包括位于像素電極上方的第一區(qū) 域、位于柵線上方的第二區(qū)域以及位于數(shù)據(jù)線上方的第三區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一厚 度，所述第二區(qū)域具有第二厚度，所述第三區(qū)域具有第三厚度，其中，第一厚度小于第二厚 度，第二厚度小于第三厚度；沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖形，且公共電極至少形成在 所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的上方。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明FFS型TFT-IXD陣列基板，通過在柵線和數(shù)據(jù)線上 方形成公共電極，形成了寄生電容，降低了柵線和數(shù)據(jù)線附近的液晶分子受到的不良影響， 提高了開口率，同時，使像素電極上方的鈍化層厚度相比現(xiàn)有技術(shù)更薄，減少液晶的驅(qū)動電 壓，降低耗電，并且使柵線和數(shù)據(jù)線上方的鈍化層厚度相比現(xiàn)有技術(shù)更厚，減少了公共電極 的信號對柵線和數(shù)據(jù)線信號的影響，保證了液晶顯示器的顯示品質(zhì)。


圖1為本發(fā)明FFS型TFT-IXD陣列基板的平面示意圖；圖2a為圖1的A-A向剖面圖；圖2b為圖1的B-B向剖面圖；圖3a和圖3b為沉積絕緣薄膜后的剖面圖；圖4a和圖4b為在圖3a和圖3b的結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠并進(jìn)行了曝光和顯影處理之 后的剖面圖；圖5a和圖5b為對圖4a和圖4b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第一刻蝕工藝后的剖面圖；圖6a和圖6b為對圖5a和圖5b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了灰化工藝后的剖面圖；圖7a和圖7b為對圖6a和圖6b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第二刻蝕工藝后的剖面圖；圖8為現(xiàn)有的高開口率FFS型液晶顯示器的陣列基板的平面示意圖；圖9a為圖8的A-A向剖面圖；圖9b為圖8的B-B向剖面圖。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖1為本發(fā)明FFS型TFT-IXD陣列基板的平面示意圖。圖2a為圖1的A-A向剖 面圖；圖2b為圖1的B-B向剖面圖。如圖1、圖2a及圖2b所示，本發(fā)明的FFS型TFT-IXD 陣列基板，主要包括透明基板10、柵線1、柵絕緣層11、數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管(TFT) 3、像素電 極4、公共電極線5、公共電極6以及鈍化層12等。具體地，透明基板10上橫向設(shè)置有柵線 1、公共電極線5，柵絕緣層11覆蓋在柵線1和公共電極線5上；柵絕緣層11上縱向設(shè)置有 數(shù)據(jù)線2 ；柵線1和數(shù)據(jù)線2交疊處設(shè)有TFT3 ；TFT3的漏電極與像素電極4連接，且像素電 極4為板狀電極；鈍化層12設(shè)置在像素電極4、TFT3、數(shù)據(jù)線2以及柵絕緣層11上；鈍化層 12上設(shè)置有公共電極6，公共電極6為狹縫電極，具有狹縫63 ；公共電極6通過鈍化層12上 的連接孔53與公共電極線5連接。本發(fā)明的鈍化層12包括位于像素電極4上方的第一區(qū)域121、位于柵線1上方的 第二區(qū)域122以及位于數(shù)據(jù)線2上方的第三區(qū)域123 ；第一區(qū)域121具有第一厚度hl，第二 區(qū)域122具有第二厚度h2，第三區(qū)域123具有第三厚度h3，其中，第一厚度hi小于第二厚 度h2，第二厚度h2小于第三厚度h3，公共電極4至少設(shè)置于鈍化層12的第一區(qū)域121、第 二區(qū)域122以及第三區(qū)域123。 柵線1用于向TFT3提供開啟信號，數(shù)據(jù)線2用于向像素電極4提供數(shù)據(jù)信號。TFT3 為有源開關(guān)元件。公共電極線5用于向公共電極6提供公共信號。當(dāng)柵線1向TFT3提供 了開啟信號后，數(shù)據(jù)線2的數(shù)據(jù)信號可以經(jīng)TFT3輸入至像素電極4，像素電極4就可以與公 共電極6形成液晶驅(qū)動電場。值得一提的是，公共電極線也可以與公共電極一體成型，此時無需在鈍化層上設(shè) 置連接孔。本發(fā)明FFS型TFT-IXD陣列基板，通過在柵線和數(shù)據(jù)線上方形成公共電極，形成了 寄生電容，降低了柵線和數(shù)據(jù)線附近的液晶分子受到的不良影響，提高了開口率，同時，使 像素電極上方的鈍化層厚度相比現(xiàn)有技術(shù)更薄，減少液晶的驅(qū)動電壓，降低耗電，并且使柵 線和數(shù)據(jù)線上方的鈍化層厚度相比現(xiàn)有技術(shù)更厚，減少了公共電極的信號對柵線和數(shù)據(jù)線 信號的影響，保證了液晶顯示器的顯示品質(zhì)。下面說明本發(fā)明FFS型TFT-IXD陣列基板的制造方法。本發(fā)明FFS型TFT-IXD陣列基板的制造方法，包括步驟1 在形成有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極的透明基板上，沉積第 三厚度的絕緣薄膜；步驟2 通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形，所述鈍化層包括位于像素電極上方的 第一區(qū)域、位于柵線上方的第二區(qū)域以及位于數(shù)據(jù)線上方的第三區(qū)域，所述第一區(qū)域具有 第一厚度，所述第二區(qū)域具有第二厚度，所述第三區(qū)域具有第三厚度，其中，第一厚度小于 第二厚度，第二厚度小于第三厚度；步驟3 沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖形，且公共電極至少 形成在所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的上方。上述第一厚度為2000 A左右、第二厚度為4500 A左右，第三厚度為6000A左右。上述的在透明基板上形成柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極的步驟，可以通過4次構(gòu)圖工藝中所述的方法進(jìn)行，也可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法進(jìn)行，因此不 再贅述。公共電極線可以與柵線一同用金屬來形成，也可以與公共電極一同用透明導(dǎo)電薄 膜形成。透明導(dǎo)電薄膜為IZO或ΙΤ0。本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工 藝，光刻膠以正性光刻膠為例。下面通過附圖3a-圖7b來詳細(xì)說明，上述步驟2。圖3a和圖3b為沉積絕緣薄膜后的剖面圖。其剖線的位置與圖2a和圖2b相同。 如圖3a和圖3b所示，在形成有柵線1、數(shù)據(jù)線2、薄膜晶體管以及像素電極4的透明基板10 上，沉積了第三厚度h3的絕緣薄膜100。絕緣薄膜可以是氮化硅或氮氧化硅。圖4a和圖4b為在圖3a和圖3b的結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠并進(jìn)行了曝光和顯影處理之 后的剖面圖。如圖4a和圖4b所示，在在絕緣薄膜100上涂覆了光刻膠1000之后，通過雙 調(diào)掩膜板對光刻膠1000進(jìn)行曝光和顯影處理，使得第一區(qū)域121上無光刻膠覆蓋，第二區(qū) 域122上光刻膠1000具有第四厚度h4，第三區(qū)域123上的光刻膠1000具有第五厚度h5， 其中第四厚度h4小于第五厚度h5。雙調(diào)掩膜板包括半調(diào)掩膜板(half tone mask)和灰調(diào) 掩膜板(gray tone mask)。圖5a和圖5b為對圖4a和圖4b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第一刻蝕工藝后的剖面圖。如圖5a 和圖5b所示，進(jìn)行第一刻蝕工藝，刻蝕掉無光刻膠覆蓋的第一區(qū)域121的絕緣薄膜100，并 通過調(diào)節(jié)刻蝕條件(例如時間)，控制刻蝕厚度達(dá)到2500 A，即第二厚度與第一厚度之差。圖6a和圖6b為對圖5a和圖5b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了灰化工藝后的剖面圖。如圖6a和圖 6b所示，進(jìn)行了光刻膠的灰化工藝，去掉第四厚度h4的光刻膠1000，暴露出第二區(qū)域122 的絕緣薄膜100。第三區(qū)域123的光刻膠1000的厚度也減少了第四厚度h4程度。圖7a和圖7b為對圖6a和圖6b的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了第二刻蝕工藝后的剖面圖。如圖7a 和圖7b所示，進(jìn)行第二刻蝕工藝，刻蝕掉無光刻膠覆蓋的所述第一區(qū)域121和第二區(qū)域122 的絕緣薄膜100，形成了鈍化層12的圖形，刻蝕厚度可以為1500為A，即第三厚度與第二厚 度之差。得到的鈍化層12在第一區(qū)域121上具有第一厚度hi為2000 A,第二區(qū)域122上 具有第二厚度4500A ,在第三區(qū)域123上具有第三厚度h4為6000 A。剝離剩余光刻膠。值得一提的是，當(dāng)上述步驟1中，與柵線一同形成公共電極線時，需要在鈍化層上 形成連接孔。這個連接孔可以在完成上述圖7a和圖7b的步驟后，再用一次構(gòu)圖工藝，在公 共電極線的上方形成貫穿鈍化層的連接孔的圖形。另外，還可以在圖4a和圖4b的步驟中， 采用三調(diào)掩膜板，通過一次構(gòu)圖工藝一并形成鈍化層的連接孔。由于，本領(lǐng)域技術(shù)人員，根 據(jù)本發(fā)明的啟示，可以很容易的實現(xiàn)，因此不再贅述。此外，還可以將上述第二厚度和第三厚度做成相同。此時可以采用普通掩膜板即 可完成，或采用雙調(diào)掩膜板連同連接孔一起進(jìn)行構(gòu)圖。但是，柵線上方由于還有柵絕緣層， 因此，如果柵線上方的鈍化層厚度過高，會導(dǎo)致陣列基板的段差過高的問題，導(dǎo)致摩擦不 良，出現(xiàn)漏光等不良。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其進(jìn)行限制， 盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依
7然可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修 改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種FFS型TFT LCD陣列基板，包括透明基板、柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極、公共電極以及鈍化層，其特征在于，所述鈍化層包括位于像素電極上方的第一區(qū)域、位于柵線上方的第二區(qū)域以及位于數(shù)據(jù)線上方的第三區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一厚度，所述第二區(qū)域具有第二厚度，所述第三區(qū)域具有第三厚度，其中，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于或等于第三厚度，所述公共電極至少設(shè)置于所述鈍化層的第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，還包括公共電極線， 與柵線平行地設(shè)置于透明基板上，且通過設(shè)置于鈍化層上的連接孔與所述公共電極連接。
3.一種FFS型TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于包括在形成有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管以及像素電極的透明基板上，沉積第三厚度的絕緣 薄膜；通過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形，所述鈍化層包括位于像素電極上方的第一區(qū)域、位 于柵線上方的第二區(qū)域以及位于數(shù)據(jù)線上方的第三區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一厚度，所 述第二區(qū)域具有第二厚度，所述第三區(qū)域具有第三厚度，其中，第一厚度小于第二厚度，第 二厚度小于或等于第三厚度；沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖形，且公共電極至少形成在所述 第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述的通 過構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形的步驟具體包括在絕緣薄膜上涂覆光刻膠；通過雙調(diào)掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，使得第一區(qū)域上無光刻膠覆蓋，第二 區(qū)域上光刻膠具有第四厚度，第三區(qū)域上的光刻膠具有第五厚度，其中第四厚度小于第五 厚度；進(jìn)行第一刻蝕工藝，刻蝕掉無光刻膠覆蓋的所述第一區(qū)域的絕緣薄膜，刻蝕厚度為第 二厚度與第一厚度之差；進(jìn)行光刻膠的灰化工藝，去掉第四厚度的光刻膠，暴露出第二區(qū)域的絕緣薄膜；進(jìn)行第二刻蝕工藝，刻蝕掉無光刻膠覆蓋的所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的絕緣薄膜，刻 蝕厚度為第三厚度與第二厚度之差；剝離剩余光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的FFS型TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述透明 導(dǎo)電薄膜為ITO或ΙΖ0。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述絕緣薄膜為氮化硅或氮氧化硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種FFS型TFT-LCD陣列基板及其制造方法，該陣列基板包括透明基板、柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極、公共電極以及鈍化層，所述鈍化層包括位于像素電極上方的第一區(qū)域、位于柵線上方的第二區(qū)域以及位于數(shù)據(jù)線上方的第三區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一厚度，所述第二區(qū)域具有第二厚度，所述第三區(qū)域具有第三厚度，其中，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度，所述公共電極至少設(shè)置于所述鈍化層的第一區(qū)域、第二區(qū)域以及第三區(qū)域。本發(fā)明FFS型TFT-LCD陣列基板的制造方法，能夠提高開口率，同時還能夠減少耗電。
文檔編號H01L21/82GK101995709SQ20091009056
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月27日
發(fā)明者崔賢植 申請人:北京京東方光電科技有限公司