專利名稱：一種mosfet頻率特性偏差檢測器及檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路檢測領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路中MOSFET頻率 特性偏差檢測器及檢測方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路芯片在商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用中廣泛地使用，集成電路制造工藝也 隨之不斷發(fā)展。集成電路設(shè)計進(jìn)入深亞微米時代，當(dāng)器件尺寸越做越小時，一 個CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)工藝從開發(fā)到成熟 定型總會伴隨各種各樣的性能波動，其原因是為了達(dá)到給定目標(biāo)，工藝參數(shù)(包 括摻雜，掩模技術(shù)等)總是進(jìn)行不斷的調(diào)整，工藝上因此存在偏差?？偟膩碚f， 一次工藝樣片的性能參數(shù)服從正態(tài)分布，而多次樣片的均值又在所謂的guard band(安全帶)內(nèi)波動。最終工藝會"收斂"在接近理想值或者說特征值，而收 斂所需的時間各個工藝廠商都不相同，大約2~3年左右。期間的任何模型更新 變動都是正常的。也就是說在集成電路仿真設(shè)計中，會遇到不同程度的器件才莫 型與實際器件性能存在偏差，實際器件在不同晶圓的不同位置以及出貨的不同 批次也存在性能波動的情況。
例如65nm工藝，MOSFET的溝道長度只有65nm，互連金屬線的寬度和間 距也只有100nm左右，而加工時所采用的紫光波長是193nm。雖然經(jīng)過工藝工 程師的不懈努力，工藝已經(jīng)日趨成熟穩(wěn)定，但是光波導(dǎo)衍射問題仍然使得加工 中存在較大的工藝偏差，直接影響到實際芯片的性能出現(xiàn)波動。在微米工藝加 工環(huán)境下，芯片內(nèi)(甚至晶圓內(nèi))存在的工藝波動不是^l大，較大的工藝波動 只存在于各個加工批次之間，由于原材料(單晶硅)的性能不同會出現(xiàn)一些工 藝偏差。這些偏差都需要通過建立不同工作條件的模型、設(shè)計時事先就考慮如 何保證各個工作條件下都滿足設(shè)計指標(biāo)來控制。為實現(xiàn)對器件參數(shù)的波動分析， 一般來說，在集成電路設(shè)計之前需要對器件進(jìn)4于Process comer仿真。Process comer庫需要給出工藝的2 3c7分布值，其中包括MOSFET參數(shù)，無源器件波 動，互連寄生波動等等。因此，MOSFET的參數(shù)波動情況是必須通過檢測測量掌握得到。這也就是MOSFET常用的Slow、 Typical、 Fast三個常用庫的來源。 但是對于納米級工藝，僅4又有限幾個工藝庫已經(jīng)無法滿足晶圓內(nèi)、芯片內(nèi)^^大 的工藝波動影響了，需要建立專門針對于工藝波動的模型，建立針對工藝波動 的分析方法，才能得到有效的解決。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種集成電路中MOSFET頻率 特性偏差檢測器，用于在納米級工藝針對晶圓內(nèi)、芯片內(nèi)工藝波動對MOSFET 器件頻率特性所產(chǎn)生的影響進(jìn)4于;險測與評估。
本發(fā)明提出了 一種MOSFET頻率特性偏差4企測器，用以探測集成電路制造 過程中由于半導(dǎo)體工藝引起的MOSFET頻率特性的波動，其包括參考電荷電路、 計數(shù)器電路和電壓控制振蕩器(voltage-controlled oscillator, VCO)，電壓控制振 蕩器的一端耦接于參考電荷電路，另一端耦接于計數(shù)器電路。
本發(fā)明所提出的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其中參考電荷電路還包括 固定電阻，其一端接地，帶隙電流源，耦接于固定電阻的另一端。
本發(fā)明所提出的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其中帶隙電流源輸入帶隙 電流與溫度補償電流，通過固定電阻接地，帶隙電流源與固定電阻之間的節(jié)點 與地之間的電壓，作為電壓控制振蕩器的控制電壓信號輸入，以得到對應(yīng)的輸 出電壓信號。
本發(fā)明所提出的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其中電壓控制振蕩器還包 括第一反相器，其包括第一P型MOS和第一N型MOS，第二反相器，其包括 第二P型MOS和第二N型MOS,第三反相器，其包括第三P型MOS和第三 N型MOS，第一電阻，其一端耦接于第一N型MOS的源極，另一端接地，第 二電阻，其一端耦接于第一N型MOS的漏極，另一端接地，電容，與第二電阻 并聯(lián)在第一N型MOS的源極與地之間，其中，第一P型MOS的源極與第一N 型MOS的漏極耦接于第二 P型MOS與第二 N型MOS的柵極，第二 P型MOS 的源極與第二 N型MOS的漏極耦接于第三P型MOS與第三N型MOS的柵極， 第三P型MOS的源極與第三N型MOS的漏極耦接于第一 P型MOS的柵極。
本發(fā)明所提出的MOSFET頻率特性偏差才全測器，其中控制電壓信號通過第一 N型MOS的柵極輸入，輸出電壓信號通過第一 N型MOS的漏極輸出。
本發(fā)明所提出的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其中輸出電壓信號輸入計 數(shù)器電路，作為采樣信號對計數(shù)器電路的基準(zhǔn)時鐘信號進(jìn)行采樣，輸出采樣計 數(shù)值。
本發(fā)明所提出的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其中采樣計數(shù)值的最高有 效位是符號位。
本發(fā)明另提出了一種MOSFET頻率特性偏差的檢測方法，其步驟包括在 仿真環(huán)境中建立電壓控制振蕩器及計數(shù)器電路，使用MOSFET典型模型庫文件 進(jìn)行電路仿真，得到電壓控制振蕩器的輸出信號；將輸出信號輸入計數(shù)器電路， 作為采樣信號對計數(shù)器電路的基準(zhǔn)時鐘信號進(jìn)4亍采樣，輸出特征輸出計數(shù)值； 將實際待測的多個MOSFET接入根據(jù)仿真環(huán)境中建立的實際電壓控制振蕩器， 得到實際輸出信號；將實際輸出信號輸入計數(shù)器電路，作為采樣信號對計數(shù)器 電路的基準(zhǔn)時鐘信號進(jìn)行采樣，輸出實際輸出計數(shù)值；以及將實際輸出計數(shù)值 與特征輸出計數(shù)值進(jìn)行比較與計算，得到實際待測的多個MOSFET所組成的實 際電壓控制振蕩器與使用MOSFET典型模型庫文件在仿真環(huán)境中建立的電壓控 制振蕩器的頻率特性偏差。
本發(fā)明所提出的檢測方法，其中在仿真環(huán)境中建立的電壓控制振蕩器以及 實際電壓控制振蕩器均采用三級反相器結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所提出的檢測方法，其中實際待測的多個MOSFET所組成的實際電 壓控制振蕩器與使用MOSFET典型模型庫文件在仿真環(huán)境中建立的電壓控制振 蕩器的頻率特性偏差為(實際輸出計數(shù)值-特征輸出計數(shù)值)/特征輸出計數(shù)值。
本發(fā)明所提出的檢測方法，其中實際待測的MOSFET所組成的反相器單元 與典型模型庫中的典型MOSFET模型的頻率特性偏差為(實際輸出計數(shù)值-特 征輸出計數(shù)值)/(3 x特征輸出計數(shù)值)。
本發(fā)明提供的MOSFET頻率特性偏差檢測器及其檢測方法，對半導(dǎo)體 CMOS工藝中不同批次的MOSFET或是同 一晶圓中不同位置的相同類型 MOSFET,均可得到相應(yīng)的輸出計數(shù)，通過對計數(shù)數(shù)值進(jìn)行分析與比較，很容 易可以得到該半導(dǎo)體工藝中MOSFET頻率特性的波動情況。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)i兌明如下。
圖1所示為本發(fā)明MOSFET頻率特性偏差檢測器的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2所示為本發(fā)明MOSFET頻率特性偏差檢測器中電壓控制振蕩器的電路 原理圖。
圖3所示為本發(fā)明MOSFET頻率特性偏差的檢測方法的步驟流程圖。 圖4所示為根據(jù)本發(fā)明一實施例的MOSFET計數(shù)器電路讀數(shù)與電壓控制振 蕩器輸出信號頻率、MOSFET頻率特性波動對照表。
l沐實施方式
為了更了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，特舉具體實施例并配合所附圖式說明如下。 請參照圖1,圖1所示為本發(fā)明MOSFET頻率特性偏差檢測器的結(jié)構(gòu)示意圖。
如圖1所示的MOSFET頻率特性偏差檢測器的結(jié)構(gòu)中，包括參考電荷電路、 計數(shù)器電路以及電壓控制振蕩器，電壓控制振蕩器的一端耦接于參考電荷電路， 電壓控制振蕩器的另一端耦接于計數(shù)器電路。參考電荷電路還包括阻值固定的 固定電阻Rs和帶隙電流源，固定電阻Rs的一端接地，其另一端耦接于帶隙電
流源。帶隙電流lBG和溫度補償電流IpTAT輸入帶隙電流源，經(jīng)固定電阻Rs接地。
帶隙電流源與固定電阻Rs之間的節(jié)點與地之間的電壓Vctri，作為后級電壓控制 振蕩器的控制電壓輸入電壓控制振蕩器，得到對應(yīng)的輸出電壓信號VCO。ut。輸 出電壓信號VCO。ut輸入計數(shù)器電路，作為采樣信號對計數(shù)器電路的基準(zhǔn)時鐘信 號進(jìn)行采樣，輸出采樣計數(shù)值M,采樣計數(shù)值M的最高有效位是符號位。
更進(jìn)一步的，圖2所示為本發(fā)明MOSFET頻率特性偏差檢測器中電壓控制 振蕩器的電路原理圖。如圖2所示，電壓控制振蕩器采用三級環(huán)形壓控振蕩器 的機構(gòu)，其包4舌三組反相器P1/N1、 P2/N2、 P3/N3,兩個電阻Rl、 R2和電容 Cl。第一電阻R1的一端耦接于第一N型MOS Nl的源極，另一端接地。第二 電阻R2的一端耦接于第一N型M0SN1的漏極，另一端接地。電容C1與第二 電阻R2并聯(lián)在第一 N型MOS Nl的源極與地之間。第一 P型MOS Pl的源極與第一 N型MOS Nl的漏極耦接于第二 P型MOS P2與第二 N型MOS N2的柵 極，第二 P型MOS P2的源極與第二 N型MOS N2的漏極耦接于第三P型MOS P3與第三N型MOSN3的柵極，第三P型MOS P3的源極與第三N型MOSN3 的漏極耦接于第一 P型MOS PI的柵極?？刂齐妷盒盘朧etrf通過第一 N型MOS Nl的柵極輸入，輸出電壓信號VCO礎(chǔ)通過第一 N型MOS Nl的漏極輸出。
請繼續(xù)參照圖3,圖3所示為根據(jù)本發(fā)明MOSFET頻率特性偏差的檢測方 法的步驟流程圖。具體而言，使用方法包括以下步驟
步驟S1:在仿真環(huán)境中建立電壓控制振蕩器及計數(shù)器電路，使用MOSFET 典型模型庫文件進(jìn)行電路仿真，得到電壓控制振蕩器的輸出信號
步驟S2:將輸出信號ftyp輸入計數(shù)器電路，作為采樣信號對計數(shù)器電路的基 準(zhǔn)時鐘信號f^進(jìn)行采樣，輸出特征輸出計數(shù)值N;
步驟S3:將實際待測的多個MOSFET接入才艮據(jù)仿真環(huán)境中建立的實際電壓 控制振蕩器，得到實際輸出信號fvc。；
步驟S4:將實際輸出信號U輸入計數(shù)器電路，作為采樣信號對計數(shù)器電 路的基準(zhǔn)時鐘信號fref進(jìn)行采樣，輸出實際輸出計數(shù)值M;以及
步驟S5:將實際輸出計數(shù)值M與特征輸出計數(shù)值N進(jìn)行比較與計算，得到 實際待測的多個MOSFET所組成的實際電壓控制振蕩器與使用MOSFET典型模 型庫文件在仿真環(huán)境中建立的電壓控制振蕩器的頻率特性偏差。
更進(jìn)一步的，在仿真環(huán)境中建立的電壓控制振蕩器以及實際電壓控制振蕩 器均采用三級反相器結(jié)構(gòu)，因此其中實際待測的MOSFET所組成的反相器單元 與典型模型庫中的典型MOSFET模型的頻率特性偏差為(M-N)/3N。另外實 際待測的多個MOSFET所組成的實際電壓控制振蕩器與使用MOSFET典型模型 庫文件在仿真環(huán)境中建立的電壓控制振蕩器的頻率特性偏差為(M-N) /N。
值得注意的是，本發(fā)明中所提及的MOSFET頻率特性偏差，是由MOSFET 的閾值電壓、開啟電流、MOS管寄生電容等多個模型M決定的MOSFET的頻 率特性與理想狀態(tài)下的MOSFET頻率特性之間存在的偏差，而在本領(lǐng)域比較常 用的用來表現(xiàn)MOSFET頻率特性的指標(biāo)則是信號通過MOSFET的延時Td (圖 未示)，本發(fā)明實際上先通過延時Td計算得到輸出信號頻率，然后以此輸出信 號頻率作為采樣信號對計數(shù)器電路的基準(zhǔn)時鐘信號fW進(jìn)行采樣，也就是輸出信號頻率/基準(zhǔn)時鐘信號fref，從而得到計數(shù)值。通過延時Td計算得到輸出信號頻 率的方法為本領(lǐng)域常用手段，在此不再贅述。
為了更清楚的說明本發(fā)明的實施方式，特舉以下實例進(jìn)行說明。請參考圖4， 圖4所示為根據(jù)本發(fā)明一實施例的MOSFET計凄t器電路讀數(shù)與電壓控制振蕩器 輸出信號頻率、MOSFET頻率特性波動對照表，該表中tranJTT表示為NMOS 和PMOS都為typical; tran_FF表示MOSFET的狀態(tài)為NMOS和PMOS都為 fast; tran—SS表示MOSFET的狀態(tài)為NMOS和PMOS都為slow; tran—FS表 示MOSFET的狀態(tài)為NMOS為fast, PMOS為slow; tran_SF表示MOSFET 的狀態(tài)為NMOS為slow, PMOS為fast。
該實例具體而言，例如待測的多個典型(typical )MOSFET仿真接入MOSFET 頻率特性偏差檢測器的電壓控制振蕩器，也就是說電壓控制振蕩器中的 MOSFET (NMOS和PMOS)都采用典型(typical)庫模型。仿真時，電壓控制 振蕩器的輸出信號頻率ftyp為192Mhz，而輸入計數(shù)器電路的基準(zhǔn)時鐘信號fref 為6Mhz，則此時計數(shù)器電路的特征輸出計數(shù)值N為32。也就是說，在理想狀 態(tài)下，特征輸出計數(shù)值N為32,五位二進(jìn)制的計數(shù)器電路的輸出為"100001" (最高位有效位是符號位，"1"代表正值，"0"代表負(fù)值)，轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制，計
數(shù)器電路輸出值為"+r。
接著，將實際待測的多個MOSFET接入MOSFET頻率特性偏差檢測器的電
壓控制振蕩器中，實際的計數(shù)器電路讀數(shù)每與"ioooor相差i， vco頻率將
偏差1/32即3.125%。
例如圖4中第一行數(shù)據(jù)表示，VCO實際輸出信號頻率為228.0Mhz，計數(shù)器 電路的讀數(shù)為"100111"， 轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制，計數(shù)器電路輸出值為"+7",與理想 狀態(tài)下的"+l"相差"+6"，同時也意味著實際輸出計數(shù)值M與特征輸出計數(shù) 值N相差"+6"，因此VCO頻率偏差+6/32即18.75%，此時MOSFET處于"FF" 狀態(tài)，MOSFET組成的反相器單元頻率特性偏差將在(M-N)/3N=+6/ (3 x 32 ) =6.25%。
如圖4中第二行數(shù)據(jù)表示，VCO實際輸出信號頻率為150.0Mhz,計數(shù)器電 路的讀數(shù)為"000110", 轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制，計數(shù)器電路輸出值為"-6",與理想狀 態(tài)下的"+l"相差"-7",同時也意味著實際輸出計數(shù)值M與特征輸出計數(shù)值N相差"-7"，因此VCO頻率偏差-7/32即-21.875%,此時MOSFET處于"SS"狀 態(tài)，MOSFET組成的反相器單元頻率特性偏差將在(M-N)/3N;7/ (3x32)=-7.29%。
如圖4中第三行數(shù)據(jù)，表示在理想狀態(tài)下，偏差為0,此時MOSFET處于 "TT，，狀態(tài)，在此不再贅述。
如圖4中第四行數(shù)據(jù)表示，VCO實際輸出信號頻率為198.0Mhz,計數(shù)器電 路的讀數(shù)為"100010", 轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制，計數(shù)器電路輸出值為"+2"，與理想狀 態(tài)下的"+l"相差"+l"，同時也意味著實際輸出計數(shù)值M與特征輸出計數(shù)值N 相差"+l"，因此VCO頻率偏差+l/32即3.125%,此時MOSFET處于"FS"狀 態(tài)，MOSFET組成的反相器單元頻率特性偏差將在(M-N)/3N=+l/ (3x32) =1.04%。
最后如圖4中第五行數(shù)據(jù)表示，VCO實際輸出信號頻率為180.0Mhz，計數(shù) 器電路的讀數(shù)為"000001",轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制，計數(shù)器電路輸出值為與理
想狀態(tài)下的"+r相差"-2"，同時也意味著實際輸出計數(shù)值M與特征輸出計數(shù)
值N相差"-2",因此VCO頻率偏差-2/32即-6.25%,此時MOSFET處于"SF，， 狀態(tài)，MOSFET組成的反相器單元頻率特性偏差將在(M-N)/3N=-2/ (3x32)= - 2.080/o。
綜上所述，本發(fā)明提供的MOSFET頻率特性偏差檢測器及其使用方法，對 半導(dǎo)體CMOS工藝中不同批次的MOSFET或是同 一晶圓中不同位置的相同類型 MOSFET,均可得到相應(yīng)的輸出計數(shù)，通過對計數(shù)數(shù)值進(jìn)行分析與比較，很容 易可以得到該半導(dǎo)體工藝中MOSFET頻率特性的波動情況。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所 屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許 的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種MOSFET頻率特性偏差檢測器，用以探測集成電路制造過程中由于半導(dǎo)體工藝引起的MOSFET頻率特性的波動，其特征在于，包括參考電荷電路；計數(shù)器電路；以及電壓控制振蕩器，上述電壓控制振蕩器的一端耦接于上述參考電荷電路，另一端耦接于上述計數(shù)器電路。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其特征在于，其 中上述參考電荷電路還包括固定電阻，其一端4委地；以及帶隙電流源，耦接于上述固定電阻的另一端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其特征在于，其 中上述帶隙電流源輸入帶隙電流與溫度補償電流，通過上述固定電阻接地，上 述帶隙電流源與上述固定電阻之間的節(jié)點與地之間的電壓，作為上述電壓控制 振蕩器的控制電壓信號輸入，以得到對應(yīng)的輸出電壓信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其特征在于，其 中上述電壓控制振蕩器還包括第一反相器，其包括第一P型MOS和第一N型MOS; 第二反相器，其包括第二P型MOS和第二N型MOS; 第三反相器，其包括第三P型MOS和第三N型MOS; 第一電阻，其一端耦接于上述第一N型MOS的源極，另一端接地； 第二電阻，其一端耦接于上述第一N型MOS的漏極，另一端接地；以及 電容，與上述第二電阻并聯(lián)在上述第一N型MOS的源極與地之間； 其中，上述第一 P型MOS的源極與上述第一 N型MOS的漏極耦接于上述 第二 P型MOS與上述第二 N型MOS的柵極，上述第二 P型MOS的源極與上 述第二 N型MOS的漏極耦接于上述第三P型MOS與上述第三N型MOS的柵 極，上述第三P型MOS的源極與上述第三N型MOS的漏極耦接于上述第一P 型MOS的柵極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其特征在于，其 中上述控制電壓信號通過上述第一N型MOS的柵極輸入，上述輸出電壓信號通 過上述第一 N型MOS的漏^l輸出。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其特征在于，其 中上述輸出電壓信號輸入上述計數(shù)器電路，作為采樣信號對上述計數(shù)器電路的 基準(zhǔn)時鐘信號進(jìn)行采樣，輸出釆樣計數(shù)值。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOSFET頻率特性偏差檢測器，其特征在于，其 中上述采樣計數(shù)值的最高有效位是符號位。
8. —種MOSFET頻率特性偏差的檢測方法，其特征在于，步驟包括 在仿真環(huán)境中建立電壓控制振蕩器及計數(shù)器電路，使用MOSFET典型模型庫文件進(jìn)行電路仿真，得到上述電壓控制振蕩器的輸出信號；將上述輸出信號輸入上述計數(shù)器電路，作為采樣信號對上述計數(shù)器電路的 基準(zhǔn)時鐘信號進(jìn)行采樣，輸出特征輸出計數(shù)值；將實際待測的多個MOSFET接入根據(jù)上述仿真環(huán)境中建立的實際電壓控制 振蕩器，得到實際輸出信號；將上述實際輸出信號輸入上述計數(shù)器電路，作為采樣信號對上述計數(shù)器電 路的基準(zhǔn)時鐘信號進(jìn)行采樣，輸出實際輸出計數(shù)值；以及將上述實際輸出計數(shù)值與上述特征輸出計數(shù)值進(jìn)行比較與計算，得到上述 實際待測的多個MOSFET所組成的上述實際電壓控制振蕩器與使用上述 MOSFET典型模型庫文件在仿真環(huán)境中建立的上述電壓控制振蕩器的頻率特性 偏差。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測方法，其特征在于，其中在仿真環(huán)境中建立 的上述電壓控制振蕩器以及上述實際電壓控制振蕩器均采用三級反相器結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測方法，其特征在于，其中上述實際待測的多 個MOSFET所組成的上述實際電壓控制振蕩器與使用上述MOSFET典型模型庫 文件在仿真環(huán)境中建立的上述電壓控制振蕩器的頻率特性偏差為(實際輸出計 數(shù)值-特征輸出計數(shù)值)/特征輸出計數(shù)值。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測方法，其特征在于，其中上述實際待測的 MOSFET所組成的反相器單元與上述典型模型庫中的典型MOSFET模型的頻率 特性偏差為(實際輸出計數(shù)值-特征輸出計數(shù)值)/(3 x特征輸出計數(shù)值)。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種MOSFET頻率特性偏差檢測器及其檢測方法。所提供的MOSFET頻率特性偏差檢測器用以探測集成電路制造過程中由于半導(dǎo)體工藝引起的MOSFET頻率特性的波動，其包括參考電荷電路、計數(shù)器電路和電壓控制振蕩器，電壓控制振蕩器的一端耦接于參考電荷電路，另一端耦接于計數(shù)器電路。本發(fā)明提供的MOSFET頻率特性偏差檢測器及其檢測方法，對半導(dǎo)體CMOS工藝中不同批次的MOSFET或是同一晶圓中不同位置的相同類型MOSFET，均可得到相應(yīng)的輸出計數(shù)，通過對計數(shù)數(shù)值進(jìn)行分析與比較，很容易可以得到該半導(dǎo)體工藝中MOSFET頻率特性的波動情況。
文檔編號H01L21/66GK101621018SQ20091005578
公開日2010年1月6日 申請日期2009年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月31日
發(fā)明者錚 任, 葉紅波, 偉 周, 曹永峰, 胡少堅 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司