專利名稱：一種垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管、制作方法及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于傳感器位移檢測的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管、 制作方法及應(yīng)用，屬傳感器領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
電容檢測是微機電集成系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical-System, MEMS) 中常用的位移檢測技術(shù)(M. Bao， Micro Mechanical Transducers,出版社 ELSEVIER, 2000.)。多種微機械加速度傳感器、微機械陀螺均采用了電容檢 測方法以實現(xiàn)對敏感結(jié)構(gòu)位移的精確測量。隨著微機電集成系統(tǒng)的集成度增 加與體積減小，敏感電容的電容值隨之減小。表面微機械與SOI (Silicon on Insulator,絕緣體上硅)微機械技術(shù)制作的加速度傳感器的敏感電容值大多 小于lpF，電容變化量大多在fF/g的量級。由于封裝過程引入的寄生電容值 一般遠大敏感電容值，造成電容檢測的接口電路制作難度增加。為了實現(xiàn)高 精度的電容檢測需要實現(xiàn)敏感結(jié)構(gòu)與接口電路的單片集成(N. Yazdi, F. Ayazi， K. Najafi， Micromachined inertial senosrs, Proceedings of the IEEE， Vol.86, No.8: 1998， pp.l640-1659.)。例如Anglog Device公司的加速度傳感器與微機械陀 螺均實現(xiàn)了單片集成。由于微機械加工與模擬集成電路對工藝的要求不同， 敏感結(jié)構(gòu)與接口電路的單片集成技術(shù)難度大。另外，集成電路技術(shù)的光刻線 寬按摩爾定律減小，設(shè)備升級速度快。而減小線寬對提高微機械器件性能的 作用不明顯，卻會顯著增加工藝調(diào)試的風險與成本。兩者對設(shè)備升級速度不 同造成單片集成的成本顯著增加，造成單片集成技術(shù)的技術(shù)門檻高、運營成 本大。
振動雙柵M0S結(jié)構(gòu)通過將一 M0S管與敏感結(jié)構(gòu)集成，將敏感電容與M0S 柵極電容耦合，實現(xiàn)電容-電壓轉(zhuǎn)換(①J. A. Plaza, M. A. Benitez, J. Esteve， E. Lora-Tamayo, New FET accelerometer based on surface micromachining. Sensors and Actuators, A61， 1997， pp.342-345; ②A. Weinert， G. I. Andersson， High resolution resonant double gate transistor for oscillating structures. Sensorsand Actorators， A90, 2001， pp.20-30.)。該技術(shù)相當于將接口電路的第一級與敏 感結(jié)構(gòu)實現(xiàn)單片集成，可以顯著減小寄生電容對測量的影響，實現(xiàn)對微小電 容變化的精確測量。實現(xiàn)單個M0S管與敏感結(jié)構(gòu)的集成比單片集成整個接口 電路單片的難度低得多，該技術(shù)可實現(xiàn)低成本的器件。振動雙柵MOS結(jié)構(gòu)可 以與表面微機械加工技術(shù)實現(xiàn)很好的集成。振動雙柵M0S管的缺點主要在于 M0S柵氧化層一般無法耐受用于釋放敏感結(jié)構(gòu)的酸腐蝕工藝，必須采用特殊 工藝對M0S結(jié)構(gòu)的柵氧化層進行保護，從而增加了工藝復(fù)雜性。
振動雙柵結(jié)型場效應(yīng)管可以實現(xiàn)與振動雙柵MOS管類似的功能(K. M. Brunson， D. J. Hamilton, R. J. T. Bunyan， M. E. McNie, Method of fabricating micro-electromechanical systems, US Patent, No. US7205173B2, Apr. 17， 2007)。 由于結(jié)型場效應(yīng)管沒有柵氧化層，不需要對柵極作特殊保護，其實現(xiàn)難度低 于振動雙柵MOS管。
近年來基于SOI硅片頂層硅的微機械加工技術(shù)迅速發(fā)展，SOI硅片的頂 層是單晶硅，并且頂層硅厚度可以明顯大于表面微機械的結(jié)構(gòu)層，制成的器 件力學(xué)與電學(xué)特性均顯著優(yōu)于表面微機械器件。由于振動雙柵MOS管與振動 雙柵結(jié)型場效應(yīng)管均為平面結(jié)構(gòu)， 一般需要制作與柵極固連的垂直結(jié)構(gòu)才能 實現(xiàn)對敏感結(jié)構(gòu)橫向振動的敏感，從而顯著增加工藝復(fù)雜性。
所以，本發(fā)明擬提出一種垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)。雖然所述的 場效應(yīng)管同樣采用振動雙柵原理，但由于采用了垂直的柵極與溝道結(jié)構(gòu)使該 垂直結(jié)構(gòu)便于實現(xiàn)與SOI的頂層硅上敏感結(jié)構(gòu)的集成，有望極大地簡化工藝， 從而降低生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
綜上所述，本發(fā)明的目的在于提供一種垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管、 制作方法與應(yīng)用。該場效應(yīng)管采用振動雙柵原理，即利用敏感結(jié)構(gòu)作為敏感 柵，通過垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管實現(xiàn)對敏感結(jié)構(gòu)的位移測量。由于采用了 垂直的柵極與溝道結(jié)構(gòu)，便于實現(xiàn)與SOI頂層硅上敏感結(jié)構(gòu)的集成，可極大 地簡化工藝，從而降低生產(chǎn)成本。
圖l所示為垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)。所述的垂直環(huán)繞柵結(jié) 型場效應(yīng)晶體管制作在SOI (Silicon on Insulator,絕緣體上硅)硅片的頂層
硅上，結(jié)構(gòu)包括源區(qū)、漏區(qū)、環(huán)繞柵、敏感柵、溝道以及源漏區(qū)壓焊塊/金屬引線組成。源區(qū)與漏區(qū)的厚度均等于SOI硅片頂層硅的厚度。源區(qū)與漏區(qū)通
過溝道連接。源區(qū)、漏區(qū)與溝道的摻雜類型相同。如果溝道為n型摻雜則稱 為n溝結(jié)型場效應(yīng)管，如果為p型摻雜則稱為p溝結(jié)型場效應(yīng)管。敏感柵與 環(huán)繞柵相連，摻雜類型相同且與溝道的摻雜類型相反。環(huán)繞柵包圍溝道的上、 左、右三面。對于n溝結(jié)型場效應(yīng)管，敏感柵與環(huán)繞柵為p型摻雜。對于p 溝結(jié)型場效應(yīng)管，敏感柵與環(huán)繞柵為n型摻雜。敏感柵與環(huán)繞柵的摻雜濃度 一般高于溝道慘雜濃度一個數(shù)量級以上。溝道與環(huán)繞柵形成一個pn結(jié)。由于 環(huán)繞柵的摻雜濃度高，pn結(jié)的空間電荷區(qū)主要位于溝道內(nèi)，如圖2所示。晶 體管工作時，pn結(jié)反偏。pn結(jié)的等效電路為一個理想二極管與pn結(jié)電容并 聯(lián)。pn結(jié)電容記為C^。根據(jù)晶體管原理，C^的值由空間電荷區(qū)寬度決定。
式中^為硅相對介電常數(shù)，s。為真空介電常數(shù)，A為pn結(jié)面積，h為空間電 荷區(qū)寬度。
一般的結(jié)型場效應(yīng)管通過柵極調(diào)制溝道的厚度從而實現(xiàn)晶體管特性，即 溝道是水平的。與一般結(jié)型場效應(yīng)管不同，垂直環(huán)繞柵結(jié)型晶體管的溝道是 垂直的，即溝道寬度遠小于厚度，晶體管特性主要通過調(diào)制溝道寬度決定。 溝道的厚度等于SOI頂層硅的厚度減去頂部環(huán)繞柵與空間電荷區(qū)的厚度。溝 道的厚度雖然也會受到柵極電壓的調(diào)制，但是由于溝道的厚度遠大于寬度， 調(diào)制效應(yīng)不明顯。可以近似認為溝道厚度不變。柵極對溝道寬度的調(diào)制是通 過柵極與溝道間電壓控制空間電荷區(qū)的寬度實現(xiàn)的。
垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管的源、漏區(qū)通過壓焊塊或金屬弓I線與其他電路 實現(xiàn)電學(xué)連接。由于該場效應(yīng)晶體管用于敏感結(jié)構(gòu)的位移檢測，更確切地說 用于電容檢測，敏感柵與環(huán)繞柵之間沒有金屬引線，而是通過電容耦合實現(xiàn) 對敏感結(jié)構(gòu)的位移檢測。(詳見實施例)
垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管與敏感結(jié)構(gòu)的電容耦合如圖3所示。圖中
敏感結(jié)構(gòu)為雙端固支梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)。但是垂直環(huán)繞柵場效應(yīng)管可測量的敏感 結(jié)構(gòu)并不限于雙端固支梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)，而可以是任何側(cè)向運動的結(jié)構(gòu)。垂直 環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管置于敏感結(jié)構(gòu)的側(cè)面。垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體 管的敏感柵與敏感結(jié)構(gòu)構(gòu)成一個平行板電容器，記為G， Cs與pn結(jié)電容為 串聯(lián)關(guān)系，等效電路如圖4所示。圖4(a)和(b)分別為n溝與p溝結(jié)型場效應(yīng)管的等效電路，圖中Vb和Veh分別為敏感結(jié)構(gòu)與溝道的電壓。pn結(jié)電容上的電壓就是結(jié)型場效應(yīng)管的柵極電壓，由圖4可得柵極電壓為
g「 cj
當敏感結(jié)構(gòu)有側(cè)向位移時，Cs會發(fā)生改變，Cgs與Vgs也相應(yīng)改變。根據(jù)晶
體管原理，結(jié)型場效應(yīng)管柵極電壓改變會造成跨導(dǎo)的改變。通過測量跨導(dǎo)的
變化即可測得電容c,的變化。
根據(jù)晶體管原理，提高傳統(tǒng)結(jié)型場效應(yīng)管的寬長比可以提高器件性能。傳統(tǒng)結(jié)型場效應(yīng)管的寬長比相當于垂直環(huán)繞柵場效應(yīng)管的溝道厚度與長度的
比值。由于垂直環(huán)繞柵場效應(yīng)管的溝道厚度由SOI硅片的頂層硅厚度決定，不是任意值。而溝道長度受到工藝的限制?？梢酝ㄟ^將多個溝道并聯(lián)的方式提高溝道厚度與長度的比值。多個溝道并聯(lián)時，溝道的總長度不變，等于單個溝道的長度，而溝道的厚度等于多個溝道厚度的疊加。圖5所示為3溝道并聯(lián)的垂直環(huán)繞柵場效應(yīng)管示意圖，此時溝道厚度與長度的比值是單溝道結(jié)構(gòu)的3倍。
本發(fā)明提供的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管與敏感結(jié)構(gòu)均制作在SOI硅片的頂層硅上，采用微機械加工技術(shù)同時制成。具體制作方法詳見實施方式。本發(fā)明提供的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管的主要優(yōu)點為
(1) 垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管可以作為微機電敏感結(jié)構(gòu)電容式位移檢測方法的接口電路第一級。通過將垂直^f繞柵結(jié)型場效應(yīng)管與微機電敏感結(jié)構(gòu)實現(xiàn)單片集成，可以避免封裝引入的寄生電容的影響。
(2) 相比于已有的振動雙柵MOS管，垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管為沒有柵氧化層，其制作工藝與微機械加工中的犧牲層釋放技術(shù)兼容性好，工藝簡單。
(3) 相比于已有的振動雙柵結(jié)型場效應(yīng)管，垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管采用了垂直柵結(jié)構(gòu)，便于檢測硅片平面內(nèi)運動的敏感結(jié)構(gòu)。
(4) 垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管與敏感結(jié)構(gòu)采用同樣工藝同時制作成型，并且柵極擴散具有自對準特性，工藝簡單，與微機械工藝兼容性好。


圖la為本發(fā)明提供的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管俯視圖，圖lb為圖
7la沿B-B'剖面的剖面圖，圖lc為沿A-A'剖面的剖面圖。垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)包括源區(qū)1、漏區(qū)2、環(huán)繞柵3、敏感柵4、壓焊塊/引線5、溝道6。垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管制作在襯底7上，并通過埋層氧化層8實現(xiàn)隔離。
圖2為溝道與環(huán)繞柵的剖面放大圖。溝道6與環(huán)繞柵3間有一空間電荷區(qū)9。
圖3所示為垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管與敏感結(jié)構(gòu)耦合的示意圖。圖3a為俯視圖，圖3b為沿A-A'剖面的剖面圖。圖示的敏感結(jié)構(gòu)為雙端固支梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)，它是由梁10和質(zhì)量塊11組成。
圖4為敏感結(jié)構(gòu)、敏感柵、環(huán)繞柵與溝道部分的等效電路圖。圖4a為n溝垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管，圖4b為p溝垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管。
圖5為三溝道并聯(lián)的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管示意圖。圖5a為俯視圖，圖5b為沿A-A'剖面的剖面圖。
圖6為制作環(huán)繞柵以前的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6a為俯視圖，圖6b為A-A'剖面的剖面圖。
圖7為擴散形成環(huán)繞柵后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7a為俯視圖，圖7b為A-A'剖面的剖面圖。
圖8為干法刻蝕形成源、漏、柵結(jié)構(gòu)后的示意圖。圖8a為俯視圖，圖8b為A-A'剖面的剖面圖。
圖9為制成的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9a為俯視圖，圖9b為A-A'剖面的剖面圖。
圖10為垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管在懸臂梁質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)加速度傳感器位移檢測中的應(yīng)用。圖10a為俯視圖，圖10b為A-A'剖面的剖面圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖進一步說明本發(fā)明的實質(zhì)性特點和顯著的進步，但本發(fā)明決非僅局限于實施例。實施例1
本發(fā)明提供的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管的制作步驟是(1)對于n溝場效應(yīng)晶體管，采用頂層硅為n型的SOI硅片。在頂層硅上熱生長氧化硅保護層。通過光刻和干法刻蝕工藝刻蝕形成敏感結(jié)構(gòu)、敏感柵，以及環(huán)繞柵的摻雜窗口，并去除敏感結(jié)構(gòu)上表面與敏感柵、環(huán)繞柵上表面的氧化層。如圖6所示。
(2) 利用集成電路的擴散工藝，在敏感結(jié)構(gòu)、敏感柵與環(huán)繞柵的上表面
與側(cè)壁摻雜。對于n溝場效應(yīng)晶體管，摻雜類型為p型。對于p溝場效應(yīng)晶體管，摻雜類型為n型。摻雜濃度達到107cm3以上，以滿足歐姆接觸的要求。如圖7所示。
(3) 再次光刻、干法刻蝕，形成所需要的環(huán)繞柵結(jié)構(gòu)，并通過深槽實現(xiàn)垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管與敏感結(jié)構(gòu)的絕緣。如圖8所示。
(4) 制作金屬電極。腐蝕去除敏感結(jié)構(gòu)下及溝道下的埋層氧化層，形成最終結(jié)構(gòu)。如圖9所示。
所制備的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管包括源區(qū)、漏區(qū)、環(huán)繞柵、敏感柵、溝道以及源漏區(qū)壓焊塊或金屬引線組成，其中源區(qū)和漏區(qū)通過溝道連接，敏感柵和環(huán)繞柵相連，環(huán)繞柵包圍溝道的上、左、右三面，溝道是垂直的；溝道與環(huán)繞柵形成一個Pn結(jié)；源、漏區(qū)通過壓焊塊或金屬引線與外電路實現(xiàn)電學(xué)連接。由于環(huán)繞柵的摻雜濃度高于溝道的摻雜濃度一個數(shù)量級以上，所以空間電荷區(qū)主要位于溝道內(nèi)。
實施例2
提供的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管用于敏感結(jié)構(gòu)的位移檢測
圖10所示為將垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管應(yīng)用于懸臂梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)加速度傳感器的具體實例。圖10中利用垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管實現(xiàn)懸臂梁-質(zhì)
!^塊結(jié)構(gòu)在硅片平面內(nèi)位移的檢測。垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管可以顯著降低寄生電容對位移檢測的影響。采用在懸臂梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)兩邊分別制作一個垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管實現(xiàn)對懸臂梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)位移的差分檢測。懸臂梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)作為兩個垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管的公共柵極。采用5溝道并聯(lián)的方式獲得較大的溝道厚度與長度比值，降低溝道寄生電阻。
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權(quán)利要求
1、一種垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管，其特征在于所述的場效應(yīng)管包括源區(qū)、漏區(qū)、環(huán)繞柵、敏感柵、溝道以及源漏區(qū)壓焊塊或金屬引線組成，其中，源區(qū)和漏區(qū)通過溝道連接，敏感柵和環(huán)繞柵相連，環(huán)繞柵包圍溝道的上、左、右三面，溝道是垂直的；溝道與環(huán)繞柵形成一個pn結(jié)；源、漏區(qū)通過壓焊塊或金屬引線與外電路實現(xiàn)電學(xué)連接。
2、 按權(quán)利要求1所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管，其特征在于所述 的場效應(yīng)管制作在絕緣體上硅片的頂層硅上，通過埋層氧化層實現(xiàn)隔離。
3、 按權(quán)利要求1所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管，其特征在于溝道 溝道的寬度遠小于厚度；溝道的厚度等于絕緣體上頂層硅的厚度減去頂部環(huán) 繞柵與空間電荷區(qū)的厚度；多個溝道并聯(lián)時，溝道的總長度不變，溝道的厚 度等于多個溝道厚度的疊加。
4、 按權(quán)利要求1所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管，其特征在于源區(qū) 和漏區(qū)的厚度等于絕緣體上硅的頂層硅的厚度。
5、 按權(quán)利要求1或4所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管，其特征在于 源區(qū)、漏區(qū)與溝道的摻雜類型相同；敏感柵和環(huán)繞柵的摻雜類型相同且與溝 道的摻雜類型相反。
6、 按權(quán)利要求1或5所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管，其特征在于 敏感柵和環(huán)繞柵的慘雜濃度高于溝道摻雜濃度一個數(shù)量級以上，空間電荷區(qū) 主要位于溝道內(nèi)。
7、 按權(quán)利要求1或5所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管，其特征在于 敏感柵與敏感結(jié)構(gòu)構(gòu)成一個平行板電容器，所述的敏感結(jié)構(gòu)為雙端固支梁-質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)或任何側(cè)向運動的結(jié)構(gòu)。
8、 制作如權(quán)利要求1所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管的方法，其特 征在于所述的場效應(yīng)晶體管與敏感結(jié)構(gòu)制作在絕緣體上硅片的頂層硅上，采 用微機械加工方法同時制成，具體步驟是(1)對于n溝場效應(yīng)晶體管，采用頂層硅為n型的SOI硅片；在頂層硅上熱生長氧化硅保護層，通過光刻和干法刻蝕工藝刻蝕形成敏感結(jié)構(gòu)、敏感 柵，以及環(huán)繞柵的摻雜窗口，并去除敏感結(jié)構(gòu)上表面與敏感柵、環(huán)繞柵上表面的氧化層；(2) 利用集成電路的擴散工藝，在敏感結(jié)構(gòu)、敏感柵與環(huán)繞柵的上表面 與側(cè)壁摻雜。對于n溝場效應(yīng)晶體管，摻雜類型為p型；對于p溝場效應(yīng)晶 體管，摻雜類型為n型；(3) 再次光刻、干法刻蝕，形成所需要的環(huán)繞柵結(jié)構(gòu)，并通過深槽實現(xiàn)垂 直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)管與敏感結(jié)構(gòu)的絕緣；(4) 制作金屬電極。腐蝕去除敏感結(jié)構(gòu)下面及溝道下面的埋層氧化層， 形成最終結(jié)構(gòu)。
9、 按權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于步驟(2)摻雜濃度達 107cm3以上，以滿足歐姆接觸的要求。
10、 按權(quán)利要求1-4所述的垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用，其特 征在于用于敏感柵與環(huán)繞柵之間沒有金屬引線，通過電容耦合實現(xiàn)對敏感結(jié) 構(gòu)的位移檢測。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種垂直環(huán)繞柵結(jié)型場效應(yīng)晶體管、制作方法及應(yīng)用。所述的場效應(yīng)管包括源區(qū)、漏區(qū)、環(huán)繞柵、敏感柵、溝道以及源漏區(qū)壓焊塊或金屬引線組成，其中源區(qū)和漏區(qū)通過溝道連接，敏感柵和環(huán)繞柵相連，環(huán)繞柵包圍溝道的上、左、右三面，溝道是垂直的；溝道與環(huán)繞柵形成一個Pn結(jié)；源、漏區(qū)通過壓焊塊或金屬引線與外電路實現(xiàn)電學(xué)連接。所述的場效應(yīng)晶體管與敏感結(jié)構(gòu)制作在SOI硅片的頂層硅上，采用微機械加工方法同時制成。通過電容耦合實現(xiàn)對敏感結(jié)構(gòu)的位移檢測。
文檔編號H01L29/66GK101567394SQ20091005220
公開日2009年10月28日 申請日期2009年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月27日
發(fā)明者吳燕紅, 成海濤, 斌 戴, 李昕欣, 恒 楊, 王躍林 申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所