專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
為了提高半導(dǎo)體器件的組裝密度，采用將稱為CSP (chip size package: 芯片尺寸封裝)的半導(dǎo)體構(gòu)成體設(shè)置在平面尺寸比該半導(dǎo)體構(gòu)成體還大的 底板上的方法。日本公開(kāi)專利2004-71998號(hào)公報(bào)公開(kāi)了這種半導(dǎo)體器件的 構(gòu)造以及制造方法。在該現(xiàn)有文獻(xiàn)所公開(kāi)的半導(dǎo)體器件中，在半導(dǎo)體構(gòu)成 體周圍的底板上設(shè)置有絕緣層。在半導(dǎo)體構(gòu)成體以及絕緣層上設(shè)置有上層 絕緣膜。在上層絕緣膜上設(shè)置有與半導(dǎo)體構(gòu)成體的外部連接用電極(柱狀 電極)相連接的上層布線。
然而，在上述以往的半導(dǎo)體器件的制造方法中，為了將在上層絕緣膜 上形成的上層布線與半導(dǎo)體構(gòu)成體的柱狀電極相連接，需要在與半導(dǎo)體構(gòu) 成體的柱狀電極的上表面中央部相對(duì)應(yīng)的部分的上層絕緣膜上形成開(kāi)口 部。這種情況下，通過(guò)照射激光束的激光加工而在上層絕緣膜上形成開(kāi)口 部的技術(shù)已被公知。
另一方面，目前當(dāng)激光束的束徑最小為50um左右時(shí)，而在上層絕緣 膜上形成的開(kāi)口部直徑為70"m左右。這種情況下，考慮到激光加工精度， 需要使半導(dǎo)體構(gòu)成體的柱狀電極直徑為100 120um。因此，半導(dǎo)體構(gòu)成 體的微細(xì)化存在一定的極限，存在無(wú)法適應(yīng)柱狀電極個(gè)數(shù)的增加的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)微細(xì)化的半導(dǎo)體器件以 及制造方法。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體器件，其包括具有半導(dǎo)體襯底4以及
在上述半導(dǎo)體襯底4上設(shè)置的外部連接用電極10a的半導(dǎo)體構(gòu)成體2;在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體2的周圍形成的絕緣層34;具有與上述半導(dǎo)體構(gòu)成體2的
上述外部連接用電極10a對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部13的絕緣膜3或1;經(jīng)由上述開(kāi)口 部13與上述外部連接用電極10a連接，從與上述半導(dǎo)體襯底4對(duì)應(yīng)的區(qū)域 向與上述絕緣層34對(duì)應(yīng)的區(qū)域延伸的布線21 。
另外，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法。形成覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體2 的上述外部連接用電極10a的上表面的絕緣膜3或1，以及上述絕緣膜3 或1下與外部連接用電極10a對(duì)應(yīng)地，形成平面尺寸比上述外部連接用電 極10a小的開(kāi)口部53、 64的掩模金屬層52、 61。將上述掩模金屬層52、 65作為掩模，向上述絕緣膜3或1照射激光束，從而在上述絕緣膜3或1 上形成到達(dá)外部連接用電極10a的連接用開(kāi)口部13。此后，在絕緣膜3或 l上，使布線21經(jīng)由連接用開(kāi)口部13與外部連接用電極10a連接，從而形 成該半導(dǎo)體器件。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，將具有在絕緣膜上設(shè)置的開(kāi)口部的金屬層作為掩模來(lái)照 射激光束，在與半導(dǎo)體構(gòu)成體的外部連接用電極相對(duì)應(yīng)的部分的絕緣膜上 形成連接用開(kāi)口部，從而能夠使半導(dǎo)體構(gòu)成體的外部連接用電極進(jìn)一步微 細(xì)化。


圖1為本發(fā)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖2為在圖1所示的半導(dǎo)體器件的制造方法例中最初準(zhǔn)備的構(gòu)件的剖 視圖。
圖3A是圖2后續(xù)工序的剖視圖，圖3B是其俯視圖。
圖4為圖3后續(xù)工序的剖視圖。
圖5為圖4后續(xù)工序的剖視圖。
圖6為圖5后續(xù)工序的剖視圖。
圖7為圖6后續(xù)工序的剖視圖。
圖8為圖7后續(xù)工序的剖視圖。
圖9為圖8后續(xù)工序的剖視圖。
圖10為圖9后續(xù)工序的剖視圖。
7圖11為圖IO后續(xù)工序的剖視圖。 圖12為圖11后續(xù)工序的剖視圖。
圖13為圖12后續(xù)工序的剖視圖。
圖14為本發(fā)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖15為圖14所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的一例中的最初準(zhǔn)備的層 疊片的剖視圖。
圖16為圖15后續(xù)工序的剖視圖。
圖17為圖16后續(xù)工序的剖視圖。
圖18為圖17后續(xù)工序的剖視圖。
圖19為圖18后續(xù)工序的剖視圖。
圖20為圖19后續(xù)工序的剖視圖。
圖21為圖20后續(xù)工序的剖視圖。
圖22為圖21后續(xù)工序的剖視圖。
圖23為本發(fā)明第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖24為本發(fā)明第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖25為圖24所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的一例中的規(guī)定的工序的 剖視圖。
圖26為圖25后續(xù)工序的剖視圖。
圖27為圖26后續(xù)工序的剖視圖。
圖28為圖27后續(xù)工序的剖視圖。
圖29為本發(fā)明第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖30為本發(fā)明第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖31為本發(fā)明第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖32為本發(fā)明第8實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
1:下層絕緣膜(絕緣膜)；2:半導(dǎo)體構(gòu)成體；3:粘接層(絕緣膜)； 4:硅基板(半導(dǎo)體基板)；5:連接焊盤(pán)；6:絕緣膜；8:保護(hù)膜；10: 配線(配線部件)；10a:連接焊盤(pán)部(外部連接用電極)；13:開(kāi)口部(連 接用開(kāi)口部)；21:下層配線(配線)；31下層保護(hù)涂層膜；33:焊球；34:絕緣層；35:上層絕緣膜；36:上層配線；39:上層保護(hù)涂層膜；41: 貫通孔；42:上下導(dǎo)通部；51:底板；52、 65:掩模金屬層；53、 64:開(kāi) 口部；56:副底板；61:下部金屬層(導(dǎo)體層)；81:電路基板；92:保
護(hù)金屬層
具體實(shí)施例方式
(第l實(shí)施方式)
圖1表示本發(fā)明第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。該半導(dǎo)體器件 具有由環(huán)氧類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、玻璃布基材環(huán)氧樹(shù)脂等形成的平面 方形的下層絕緣膜1。在下層絕緣膜1的上表面中央部經(jīng)由由環(huán)氧類樹(shù)脂等
形成的粘接層3安裝有半導(dǎo)體構(gòu)成體2。
半導(dǎo)體構(gòu)成體2具有平面方形的硅襯底(半導(dǎo)體襯底)4。在硅襯底4 的下表面設(shè)有規(guī)定功能的集成電路(未圖示)，在下表面周邊部沿著各邊 排列設(shè)置有與集成電路連接的由鋁系金屬等構(gòu)成的多個(gè)連接焊盤(pán)5。在除了 連接焊盤(pán)5的中央部以外的硅襯底4的下表面上設(shè)置了由氧化硅等構(gòu)成的 絕緣膜6，連接焊盤(pán)5的中央部經(jīng)由在絕緣膜6上設(shè)置的開(kāi)口部7而被露出。
在絕緣膜6的下表面設(shè)置由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成的保護(hù)膜8。在與絕 緣膜6的開(kāi)口部7對(duì)應(yīng)的部分的保護(hù)膜8上設(shè)置有開(kāi)口部9。在保護(hù)膜8 的下表面設(shè)置有布線(布線部件)10。布線10為2層結(jié)構(gòu)，包括在保護(hù) 膜8的下表面設(shè)置的由鎳構(gòu)成的基底金屬層11，以及在基底金屬層11的下 表面設(shè)置的由銅構(gòu)成的上部金屬層12。布線10的一端部經(jīng)由絕緣膜6以及 保護(hù)膜8的開(kāi)口部7、 9與連接焊盤(pán)5相連接。雖然布線10在附圖中僅示 出2條，但實(shí)際上布線10具有與沿著平面方形的硅襯底4的各邊排列的連 接焊盤(pán)5相對(duì)應(yīng)的個(gè)數(shù)，此后說(shuō)明的作為連接焊盤(pán)部(外部連接用電極) 10a的各其它端部在保護(hù)膜6下排列為矩陣狀。
另外，在半導(dǎo)體構(gòu)成體2中，包含該布線10的保護(hù)膜8的下表面經(jīng)由 環(huán)氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接層3與下層絕緣膜1的上表面中央部粘接，從而 安裝于下層絕緣膜1的上表面中央部。在與半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連 接焊盤(pán)部(外部連接用電極)10a的下表面中央部對(duì)應(yīng)的部分的下層絕緣膜 1以及粘接層(絕緣膜)3上，設(shè)置有平面形狀為圓形的開(kāi)口部(連接用開(kāi)口部)13。
在下層絕緣膜1的下表面上設(shè)置有下層布線(布線)21。下層布線21
為2層結(jié)構(gòu)，包括在下層絕緣膜1的下表面設(shè)置的由鎳構(gòu)成的基底金屬
層22，以及在基底金屬層22的下表面設(shè)置的由銅構(gòu)成的上部金屬層23。 下層布線21的一端部經(jīng)由下層絕緣膜1以及粘接層3的開(kāi)口部13與半導(dǎo) 體構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán)部10a連接。
在下層布線21以及下層絕緣膜1的下表面設(shè)置有由阻焊劑等構(gòu)成的下 層保護(hù)涂層膜31。在與下層布線2的連接焊盤(pán)部對(duì)應(yīng)的部分的下層保護(hù)涂 層膜31上設(shè)置開(kāi)口部32。在下層保護(hù)涂層膜31的開(kāi)口部32內(nèi)及其下方， 設(shè)置有與下層布線2的連接焊盤(pán)部連接的焊球33。
在半導(dǎo)體構(gòu)成體2以及粘接層3的周圍，在下層絕緣膜1的上表面設(shè) 有絕緣層34。絕緣層34由環(huán)氧類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、玻璃布基材環(huán)氧 樹(shù)脂等構(gòu)成。在半導(dǎo)體構(gòu)成體2以及絕緣層34的上表面，設(shè)置有由與下層 絕緣膜1相同的材料構(gòu)成的上層絕緣膜35。
在上層絕緣膜35的上表面設(shè)置有上層布線36。上層布線36為2層結(jié) 構(gòu)，包括在上層絕緣膜35的上表面設(shè)置的由鎳構(gòu)成的基底金屬層37，以 及在基底金屬層37的上表面設(shè)置的由銅構(gòu)成的上部金屬層38。在上層布線 36以及上層絕緣膜35的上表面設(shè)置有由阻焊劑等構(gòu)成的上層保護(hù)涂層膜 39。在與上層布線36的連接焊盤(pán)部對(duì)應(yīng)的部分的上層保護(hù)涂層膜39上設(shè) 置有開(kāi)口部40。
下層布線2與上層布線36經(jīng)由設(shè)置在貫通孔41的內(nèi)壁面上的上下導(dǎo) 通部42相連接，該貫通孔41設(shè)置在下層絕緣膜1、絕緣層34以及上層絕 緣膜35中。上下導(dǎo)通部42為2層結(jié)構(gòu)，包括在貫通孔41的內(nèi)壁面設(shè)置 的由鎳構(gòu)成的基底金屬層43，以及在基底金屬層43的內(nèi)表面設(shè)置的由銅構(gòu) 成的上部金屬層34。在上下導(dǎo)通部42內(nèi)填充有由阻焊劑等構(gòu)成的填充材 45。
接下來(lái)，對(duì)該半導(dǎo)體器件的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖2 所示，準(zhǔn)備在由銅箔構(gòu)成的底板51的上表面形成有非電解鍍鎳的掩模金屬 層52的構(gòu)件。這種情況下，該準(zhǔn)備的構(gòu)件的尺寸為能夠形成多個(gè)圖1所示 的完成的半導(dǎo)體器件的尺寸。掩模金屬層52用于形成在后述照射激光束進(jìn)
10行激光加工時(shí)使用的掩模。
接下來(lái)，如圖3A以及圖3A的俯視圖的圖3B所示，采用光刻法在掩 模金屬層52的規(guī)定位置(與圖1所示半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊 盤(pán)部10a的下表面中央部對(duì)應(yīng)的部分)形成平面形狀為圓形的開(kāi)口部53。 接下來(lái)，如圖4所示，在包含開(kāi)口部53內(nèi)部的掩模金屬層52的上表面形 成由環(huán)氧類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、玻璃布基材環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的下層絕 緣膜l。
接下來(lái)，如圖5所示進(jìn)行半導(dǎo)體構(gòu)成體2的準(zhǔn)備。該半導(dǎo)體構(gòu)成體2， 是在晶片狀態(tài)的硅襯底4下方形成了集成電路(未圖示)、由鋁系金屬等 構(gòu)成的連接焊盤(pán)5、由氧化硅等構(gòu)成的絕緣膜6、由聚酰亞胺類樹(shù)脂等構(gòu)成 的保護(hù)膜8以及布線IO(由鎳構(gòu)成的基底金屬層11以及由銅構(gòu)成的上部金 屬層12)后，通過(guò)劃片(Dicing)分割成片而獲得。
接下來(lái)，在下層絕緣膜1的上表面的半導(dǎo)體構(gòu)成體安裝區(qū)域，經(jīng)由環(huán) 氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接層3，粘接包含半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的保護(hù)膜 8的下表面，以此來(lái)安裝半導(dǎo)體構(gòu)成體2。這種情況下，采用印刷法或分配 器預(yù)先向下層絕緣膜1的上表面的半導(dǎo)體構(gòu)成體安裝區(qū)域，提供稱為NCP (Non-Conductive Paste :非導(dǎo)電糊劑)的粘接材或者稱為NCF (Non-Conductive Film:非導(dǎo)電薄膜)的粘接片，通過(guò)加熱壓著將半導(dǎo)體 構(gòu)成體2固定于下層絕緣膜1的上表面。
接下來(lái)，如圖6所示，在包含粘接層3的半導(dǎo)體構(gòu)成體2的周圍的下 層絕緣膜1的上表面，通過(guò)銷等來(lái)定位并配置格子狀的絕緣層形成用片材 34a。絕緣層形成用片材34a，例如是在由玻璃布等構(gòu)成的基材中浸漬由環(huán) 氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的熱固化性樹(shù)脂，使熱固化性樹(shù)脂處于半固化狀態(tài)并制成 片狀，通過(guò)沖孔等形成多個(gè)方形狀的開(kāi)口部54。絕緣層形成用片材34a的 開(kāi)口部54的尺寸比半導(dǎo)體構(gòu)成體2的尺寸略大。因此，在絕緣層形成用片 材34a與半導(dǎo)體構(gòu)成體2之間形成間隙55。
接下來(lái)，在絕緣層形成用片材34a的上表面，設(shè)置如下結(jié)構(gòu)，g卩，將 上層絕緣膜形成用層35a形成在由銅箔構(gòu)成的副底板54的下表面的結(jié)構(gòu)。 上層絕緣膜形成用層35a由與下層絕緣膜1相同的材料構(gòu)成，其中由環(huán)氧 類樹(shù)脂等構(gòu)成的熱固化性樹(shù)脂為半固化狀態(tài)。
ii接下來(lái)，如圖7所示，使用一對(duì)加熱加壓板57、 58從上下方向?qū)^緣 層形成用片材34a以及上層絕緣膜形成用層35a加熱加壓。通過(guò)該加熱加 壓，使絕緣層形成用片材34a以及上層絕緣膜形成用層35a中的熱固化性 樹(shù)脂流動(dòng)，從而填充于圖8所示間隙55中，然后經(jīng)冷卻而固化，在包含粘 接層3的半導(dǎo)體構(gòu)成2的周圍的下層絕緣膜1的上表面形成絕緣層34，并 且在半導(dǎo)體構(gòu)成體2以及絕緣層34的上表面形成上層絕緣膜35。
這里，如圖6所示，在絕緣層形成用片材34a的下表面配置下層絕緣 膜1以及底板51，在絕緣層形成用片材34a的上表面配置由與下層絕緣膜 1相同的材料構(gòu)成的上層絕緣膜形成用層35a以及由與底板51相同的材料 構(gòu)成的副底板54，因此絕緣層形成用片材34a的部分在厚度方向的材料構(gòu) 成對(duì)稱。其結(jié)果是，通過(guò)加熱加壓，使絕緣層形成用片材34a以及上層絕 緣膜形成用層35a在厚度方向上對(duì)稱地固化收縮，進(jìn)而整體上不易發(fā)生翹 曲，從而能夠避免給向后續(xù)工序的搬送或者在后續(xù)工序中的加工精度帶來(lái) 妨礙。
這種情況下，下層絕緣膜l，由于其中的熱固化性樹(shù)脂預(yù)先固化，因此 即使在加熱加壓的情況下也幾乎不發(fā)生變形。另外，通過(guò)副底板54能夠防 止在上側(cè)加熱加壓板57的下表面附著多余的上層絕緣膜形成用層35a中的 熱固化性樹(shù)脂的情況。其結(jié)果是，能夠直接再使用上側(cè)加熱加壓板55。
接下來(lái)，通過(guò)蝕刻將底板51以及副底板54除去，如圖8所示，使包 含在開(kāi)口部53內(nèi)所填充的下層絕緣膜1的掩模金屬層52的下表面露出， 并且露出上層絕緣膜35的上表面。在該狀態(tài)下，即使將底板51以及副底 板54除去，由于下層絕緣膜1、絕緣層34以及上層絕緣膜35的存在，也 能夠確保足夠的強(qiáng)度。這樣，在本實(shí)施方式中，通過(guò)蝕刻將制造工序中必 要的底板51以及副底板56除去，因此達(dá)到了能夠使完成后的半導(dǎo)體器件 的厚度較薄的效果。
接下來(lái)，如圖9所示，通過(guò)照射激光束來(lái)實(shí)施激光加工，從而將掩模 金屬層52的開(kāi)口部53內(nèi)的下層絕緣膜1除去，并且在與半導(dǎo)體構(gòu)成體2 的布線10的連接焊盤(pán)部10a的下表面中央部對(duì)應(yīng)的部分的下層絕緣膜1以 及粘接層3上形成開(kāi)口部13。另外，在下層絕緣膜1、絕緣層34以及上層 絕緣膜35上，使用機(jī)械鉆或者通過(guò)照射激光束來(lái)實(shí)施激光加工，從而形成貫通孔41。
對(duì)照射激光束而形成開(kāi)口部13的情況進(jìn)行說(shuō)明。若對(duì)下層絕緣膜1以 及粘接層3直接照射激光束，則形成與激光束徑相應(yīng)口徑的開(kāi)口部。這里， 掩模金屬層52的開(kāi)口部53的直徑，比半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊 盤(pán)部10a的直徑小。因此，當(dāng)激光束的束徑比半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10連 接焊盤(pán)部10a的直徑大時(shí)，向掩模金屬層52的開(kāi)口部53的外部照射的激 光束被掩模金屬層52遮擋，因此，在下層絕緣膜1以及粘接層3上形成的 開(kāi)口部13的直徑，成為與掩模金屬層52的開(kāi)口部53的直徑對(duì)應(yīng)的尺寸。
艮口，由于掩模金屬層52具有開(kāi)口部53,因此在通過(guò)激光束照射的激光 加工而在下層絕緣膜1以及粘接層3上形成開(kāi)口部13時(shí)，作為掩模而發(fā)揮 作用，在下層絕緣膜1以及粘接層3上通過(guò)與金屬層52的開(kāi)口部53自對(duì) 準(zhǔn)，從而形成與金屬層52的開(kāi)口部53相同口徑的開(kāi)口部13。另外，開(kāi)口 部13的平面形狀不限于圓形，可以通過(guò)改變?cè)撗谀＝饘賹?2的開(kāi)口部53 而成為各種形狀，總之，只要開(kāi)口部13的平面形狀比連接焊盤(pán)部10a的平 面尺寸小即可。
其結(jié)果是，能夠使在下層絕緣膜1以及粘接層3形成的開(kāi)口部13的直 徑盡可能減小，并且比較易于進(jìn)行掩模金屬層52與半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線 10的連接焊盤(pán)部10a的位置對(duì)準(zhǔn)，從而能夠盡量減小半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布 線10的連接焊盤(pán)部10a的直徑，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體構(gòu)成體2的微細(xì)化。
例如，現(xiàn)有激光束的最小束徑在50um左右，當(dāng)對(duì)下層絕緣膜l以及 粘接層3進(jìn)行直接照射時(shí)，它們所形成的開(kāi)口部直徑在70um左右。因此， 若想要將照射激光束全部接受，則考慮到激光加工精度，在采用現(xiàn)有方法 的情況下，半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán)部10a的直徑必須為 100-120 um。
對(duì)此，在以掩模金屬層52作為激光束掩模的本實(shí)施方式的方法中，能 夠使通過(guò)光刻法形成的掩模金屬層52的開(kāi)口部53的直徑為20-50 um，尤 其可以是20-30 u m，因此半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán)部10a的 直徑可以是50-80 um，尤其可以是50-60 um，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體構(gòu)成體2 的微細(xì)化。
接下來(lái)，在通過(guò)蝕刻將掩模金屬層52除去后，如圖10所示露出下層
13絕緣膜1的下表面。這樣，在本實(shí)施方式中，通過(guò)蝕刻將制造工序中必要
的掩模金屬層52除去，因此達(dá)到了能夠使完成的半導(dǎo)體器件的厚度較薄的 效果。
接下來(lái)，如圖11所示，通過(guò)非電解鍍鎳，在包含經(jīng)由下層絕緣膜1以 及粘接層3的開(kāi)口部13而被露出的半導(dǎo)體構(gòu)成體2中的布線10的連接焊 盤(pán)部10a的下表面的下層絕緣膜1在內(nèi)的下表面整體、上層絕緣膜35的上 表面整體以及貫通孔41的內(nèi)壁面上，形成基底金屬層22、 37、 43。接下來(lái)， 以基底金屬層22、 37、 43為電鍍電流路進(jìn)行電解鍍銅，從而在基底金屬層 22、 37、 43的表面形成上部金屬層23、 38、 44。
接下來(lái)，如圖12所示，通過(guò)光刻法使上部金屬層23、 38以及基底金 屬層22、 37圖案化(patterning) 。 S卩，在下層絕緣膜1的下表面形成由基 底金屬層22以及上部金屬層23構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的下層布線21。另外，在 上層絕緣膜35的上表面形成由基底金屬層37以及上部金屬層38構(gòu)成的2 層結(jié)構(gòu)的上層布線36。另外，在貫通孔41的內(nèi)壁面形成由基底金屬層43 以及上部金屬層44構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的上下導(dǎo)通部42。另外，可以在基底金 屬層22、 37上形成了已除去上部金屬層形成區(qū)域的抗鍍膜之后，利用通過(guò) 電解鍍來(lái)形成上部金屬層23、 28、 44的圖形鍍法來(lái)形成下層布線21、上層 布線36以及上下導(dǎo)通部42。另外，在各附圖中為了便于圖示而在開(kāi)口部 13內(nèi)僅形成基底金屬層22，但實(shí)際上也可以在開(kāi)口部13內(nèi)一并形成基底 金屬層22與上部金屬層23。
接下來(lái)，如圖13所示，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、旋涂法等，在包含下層布線 21的下層絕緣膜1的下表面，形成由阻焊劑等構(gòu)成的下層保護(hù)涂層膜31。 另外，通過(guò)絲網(wǎng)印刷法、旋涂法等，在包含上層布線36的上層絕緣膜35 的上表面，形成由阻焊劑等構(gòu)成的上層保護(hù)涂層膜39。在該狀態(tài)下，在上 下導(dǎo)通部42內(nèi)填充由阻焊劑等構(gòu)成的填充材45。
接下來(lái)，通過(guò)照射激光束的激光加工，在與下層布線2的連接焊盤(pán)部 對(duì)應(yīng)的部分的下層保護(hù)涂層膜31上形成開(kāi)口部32。另外，通過(guò)照射激光束 的激光加工，在與上層布線36的連接焊盤(pán)部對(duì)應(yīng)的部分的上層保護(hù)涂層膜 39上形成開(kāi)口部40。
接下來(lái)，在下層保護(hù)涂層膜31的開(kāi)口部32內(nèi)及其下方形成焊球33，從而與下層布線2的連接焊盤(pán)部連接。接下來(lái)，在彼此鄰接的半導(dǎo)體構(gòu)成
體2之間，切斷下層保護(hù)涂層膜3K下層絕緣膜l、絕緣層34、上層絕緣 膜35以及上層保護(hù)涂層膜39，從而獲得多個(gè)如圖1所示的半導(dǎo)體器件。 (第2實(shí)施方式)
圖14表示本發(fā)明第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在該半導(dǎo)體器 件中，與圖l所示半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，在下層布線21與下層絕緣膜1 之間設(shè)置由銅構(gòu)成的下部金屬層61，在上層布線36與上層絕緣膜35之間 設(shè)置由銅構(gòu)成的下部金屬層62，將半導(dǎo)體構(gòu)成體2的硅襯底4的上表面經(jīng) 由環(huán)氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接層63與上層絕緣膜35的下表面粘接。在這種 情況下，下層布線21的一端部，經(jīng)由下部金屬層61的開(kāi)口部64和下層絕 緣膜21及粘接層3的開(kāi)口部13，與半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán) 部10a連接。
接下來(lái)，對(duì)該半導(dǎo)體器件的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。首先，如圖15 所示，準(zhǔn)備在由環(huán)氧類樹(shù)脂、聚酰亞胺類樹(shù)脂、玻璃布基材環(huán)氧樹(shù)脂等的 片所構(gòu)成的下層絕緣膜1的下表面上了固定由銅箔構(gòu)成的整個(gè)面的掩模金 屬層6的層疊片。這種情況下，所準(zhǔn)備的層疊片的尺寸是能夠形成多個(gè)如 圖14所示的完成的半導(dǎo)體器件的尺寸。
接下來(lái)，如圖16所示，通過(guò)光刻法，在掩模金屬層65的規(guī)定位置(與 圖14所示半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán)部10a的下表面中央部對(duì) 應(yīng)的部分)，形成平面形狀為圓形的開(kāi)口部64。
接下來(lái)，如圖17所示，在下層絕緣膜1的上表面的半導(dǎo)體構(gòu)成體安裝 區(qū)域，經(jīng)由環(huán)氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接層3，粘接包含半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線 10的保護(hù)膜8的下表面，從而安裝半導(dǎo)體構(gòu)成體2。這種情況下，也可以 預(yù)先向下層絕緣膜1的上表面的半導(dǎo)體構(gòu)成體安裝區(qū)域供給被稱為NCP的 粘接材或者稱為NCF的粘接片，并通過(guò)加熱施壓將半導(dǎo)體構(gòu)成體2固定于 下層絕緣膜1的上表面。
接下來(lái)，如圖18所示，在包含粘接層3的半導(dǎo)體構(gòu)成體2的周圍的下 層絕緣膜1的上表面上，通過(guò)銷等來(lái)定位并配置格子狀的絕緣層形成用片 材34a。接下來(lái)，在半導(dǎo)體構(gòu)成體2的硅襯底4的上表面，采用分配器等涂 敷含有硅聯(lián)結(jié)劑的環(huán)氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的液狀粘接材62a。接下來(lái)，在絕緣層
15形成用片材34a的上表面，配置如下結(jié)構(gòu)，即在由銅箔構(gòu)成的副底板56的 下表面形成有上層絕緣膜35的結(jié)構(gòu)。這種情況下，上層絕緣膜35中的由
環(huán)氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的熱固化性樹(shù)脂已經(jīng)固化。
接下來(lái)，如圖19所示，若使用一對(duì)加熱加壓板57、 58從上下方向加 熱加壓，則在包含粘接層3的半導(dǎo)體構(gòu)成體2的周圍的下層絕緣膜1的上 表面形成絕緣層34，將上層絕緣膜35的下表面經(jīng)由粘接層62與半導(dǎo)體構(gòu) 成體2的硅襯底4的上表面粘接起來(lái)，在絕緣層34的上表面固定上層絕緣 膜35的下表面。
接下來(lái)，如圖20所示，通過(guò)照射激光束的激光加工，以具有開(kāi)口部64 的掩模金屬層65為掩模，在與半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán)部10a 的下表面中央部對(duì)應(yīng)的部分的下層絕緣膜1以及粘接層3上，形成開(kāi)口部 13。另外，在掩模金屬層65、下層絕緣膜1、絕緣層34、上層絕緣膜35 以及副底板57的規(guī)定位置，采用機(jī)械鉆或者通過(guò)照射激光束進(jìn)行激光加工， 形成貫通孔41。
接下來(lái)，如圖21所示，通過(guò)非電解鍍鎳，在包含經(jīng)由掩模金屬層65 的開(kāi)口部64和下層絕緣膜1及粘接層3的開(kāi)口部13而被露出的半導(dǎo)體構(gòu) 成體2中的布線10的連接焊盤(pán)部10a的下表面在內(nèi)的掩模金屬層65的下表 面整體、副底板57的上表面整體以及貫通孔41的內(nèi)壁面上，形成基底金 屬層22、 37、 43。接下來(lái)，通過(guò)進(jìn)行以基底金屬層22、 37、 43為電鍍電流 路的銅的電解鍍，從而在基底金屬層22、 37、 43的表面形成上部金屬層23、 38、 44。
接下來(lái)，如圖22所示，通過(guò)光刻法使上部金屬層23、基底金屬層22 以及掩模金屬層65圖案化，并且使上部金屬層38、基底金屬層37以及副 底板57圖案化。即，在下層絕緣膜l的下表面具有下部金屬層61，形成由 與該基底金屬層61相同的平面形狀的基底金屬層22以及上部金屬層23構(gòu) 成的2層結(jié)構(gòu)的下層布線21。另外，在上層絕緣膜35的上表面，形成由具 有下部金屬層62的基底金屬層37以及上部金屬層38構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的上 層布線36。另外，在貫通孔41的內(nèi)壁面形成由基底金屬層43以及上部金 屬層34構(gòu)成的2層結(jié)構(gòu)的上下導(dǎo)通部42。以下，經(jīng)過(guò)與上述第1實(shí)施方式 情況相同的工序，獲得多個(gè)如圖13所示的半導(dǎo)體器件。(第3實(shí)施方式)
圖23表示本發(fā)明第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在該半導(dǎo)體器 件中，與圖l所示半導(dǎo)體器件的顯著區(qū)別在于，通過(guò)增層(build-up)工藝 使下層布線以及上層布線均為2層布線構(gòu)造。g卩，在包含第1下層布線2A 以及下層布線21在內(nèi)的第1下層絕緣膜1A的下表面，設(shè)置由與第1下層 絕緣膜1A相同的材料構(gòu)成的第2下層絕緣膜1B。
在第2下層絕緣膜1B的下表面設(shè)置的第2下層布線21B的端部，經(jīng) 由在第2下層絕緣膜1B上設(shè)置的開(kāi)口部71，與第1下層布線2A的連接焊 盤(pán)部連接。在包含第2下層布線2B的第2下層絕緣膜1B的下表面，設(shè)置 下層保護(hù)涂層膜31。在下層保護(hù)涂層膜31的開(kāi)口部32內(nèi)及其下方，設(shè)置 有與第2下層布線2B的連接焊盤(pán)部連接的焊球33。
在包含第1上層布線36A的第1上層絕緣膜35A的上表面，設(shè)置有由 與第1上層絕緣膜35A相同的材料構(gòu)成的第2上層絕緣膜35B。在第2上 層絕緣膜35B的上表面設(shè)置的第2上層布線36B的一端部，經(jīng)由在第2上 層絕緣膜35B上設(shè)置的開(kāi)口部72，與第1上層布線36A的連接焊盤(pán)部連接。 在包含第2上層布線36B的第2上層絕緣膜35B的上表面，設(shè)置有上層保 護(hù)涂層膜39。在與第2上層布線36B的連接焊盤(pán)部對(duì)應(yīng)的部分的上層保護(hù) 涂層膜39上，設(shè)置有開(kāi)口部40。另外，下層布線以及上層布線也可以都是 3層以上的布線結(jié)構(gòu)。 (第4實(shí)施方式)
圖24表示本發(fā)明第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在該半導(dǎo)體器 件中，與圖1所示半導(dǎo)體器件的顯著區(qū)別在于，不設(shè)置上下導(dǎo)通部42，而 是在包含粘接層3的半導(dǎo)體構(gòu)成體2的周圍的絕緣層34中，埋入配置方框 狀的兩面布線構(gòu)造的電路基板81 。
這種情況下，電路基板81具有由玻璃布基材環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的方框狀 的基板82。在基板82的下表面設(shè)置由銅箔構(gòu)成的下層布線83，并在上表 面設(shè)置由銅箔構(gòu)成的上層布線84。經(jīng)由在基板82內(nèi)部設(shè)置的由導(dǎo)電性膠等 構(gòu)成的上下導(dǎo)通部85來(lái)連接下層布線83與上層布線84。
下層布線2經(jīng)由在下層絕緣膜1以及絕緣層34上設(shè)置的開(kāi)口部86與 電路基板81的下層布線83的連接焊盤(pán)部連接。上層布線36經(jīng)由在上層絕緣膜35以及絕緣層34上設(shè)置的開(kāi)口部87與電路基板81的上層布線84的 連接焊盤(pán)部連接。
接下來(lái)，對(duì)該半導(dǎo)體器件的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明。這種情況下， 在圖6所示工序中，如圖25所示，在包含粘接層3的半導(dǎo)體構(gòu)成體2的周
圍的下層絕緣膜1的上表面，通過(guò)銷等來(lái)定位并配置格子狀的絕緣層形成 用片材34a、格子狀的電路基板81以及格子狀的絕緣層形成用片材34a。 接下來(lái)，在上側(cè)的絕緣層形成用片材34a的上表面，設(shè)置為在副底板54的 下表面形成有上層絕緣膜形成用層35a的結(jié)構(gòu)。這種情況下，在與半導(dǎo)體 構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán)部10a的下表面中央部以及電路基板81的 下層布線83的連接焊盤(pán)部的下表面中央部對(duì)應(yīng)的部分的掩模金屬層52上 形成開(kāi)口部53a、 53b。
接下來(lái)，如圖26所示，采用一對(duì)加熱加壓板57、 58從上下方向加熱 加壓，在包含粘接層3的半導(dǎo)體構(gòu)成體2的周圍的下層絕緣膜1的上表面 形成絕緣層34，并且在絕緣層34中埋入電路基板81，在半導(dǎo)體構(gòu)成體8 以及絕緣層34的上表面形成上層絕緣膜35。接下來(lái)，通過(guò)蝕刻將底板52 以及副底板54除去，如圖27所示，露出包含在掩模金屬層52的開(kāi)口部53a、 53b內(nèi)填充的下層絕緣膜1在內(nèi)的掩模金屬層52的下表面，并且露出上層 絕緣膜35的上表面。
接下來(lái)，如圖28所示，通過(guò)照射激光束的激光加工，以具有開(kāi)口部53a、 53b的掩模金屬層52為掩模，在與半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連接焊盤(pán)部 10a的下表面中央部對(duì)應(yīng)的部分的下層絕緣膜1以及粘接層3上，形成開(kāi)口 部13，并且，在與電路基板81的下層布線83的連接焊盤(pán)部的下表面中央 部對(duì)應(yīng)的部分的下層絕緣膜1以及絕緣層34上，形成開(kāi)口部86。這種情況 下，開(kāi)口部86的直徑與開(kāi)口部13的直徑相同。
另外，通過(guò)照射激光束的激光加工，在與電路基板81的上層布線84 的連接焊盤(pán)部對(duì)應(yīng)的部分的上層絕緣膜35以及絕緣層34上形成開(kāi)口部87。 這種情況下，開(kāi)口部87的直徑比開(kāi)口部13的直徑大。以下，經(jīng)由與上述 第1實(shí)施方式的情況相同的工序，獲得多個(gè)如圖24所示的半導(dǎo)體器件。
在這樣得到的半導(dǎo)體器件中，與圖24所示半導(dǎo)體器件相比，即使在下 層布線以及上層布線為2層結(jié)構(gòu)的情況下，由于下層絕緣膜以及上層絕緣膜為1層，從而能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。另外，由于具有上下導(dǎo)通部42，因此不 必使用機(jī)械鉆來(lái)形成貫通孔41 。 (第5實(shí)施方式)
圖29表示本發(fā)明第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在該半導(dǎo)體器 件中，與圖l所示半導(dǎo)體器件區(qū)別在于，在包含半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10 的保護(hù)膜8的下表面，設(shè)置由聚酰亞胺類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂等絕緣材料構(gòu) 成的防靜電保護(hù)膜91。
因此在該情況下，半導(dǎo)體構(gòu)成體2的防靜電保護(hù)膜91的下表面，經(jīng)由 粘接層3與下層絕緣膜1的上表面中央部粘接。下層布線21經(jīng)由下層絕緣 膜l、粘接層3以及防靜電保護(hù)膜91的開(kāi)口部13，與半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布 線IO的連接焊盤(pán)部10a連接。
另外，在將半導(dǎo)體構(gòu)成體2安裝到下層絕緣膜1上之前，沒(méi)有在防靜 電保護(hù)膜91上形成開(kāi)口部13。另外，不具有開(kāi)口部13的防靜電保護(hù)膜91， 其自身從在晶片狀態(tài)的硅襯底4下方形成的時(shí)刻起至半導(dǎo)體構(gòu)成體2被安 裝到下層絕緣膜1上的時(shí)刻，用于對(duì)在硅襯底4下方形成的集成電路進(jìn)行 防靜電保護(hù)。
(第6實(shí)施方式)
圖30表示本發(fā)明第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在該半導(dǎo)體器 件中，與圖l所示半導(dǎo)體器件區(qū)別在于，在半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線IO的連 接焊盤(pán)部10a的下表面設(shè)置了由電解鍍銅形成的保護(hù)金屬層92。這種情況 下，保護(hù)金屬層92在照射激光束時(shí)用于保護(hù)布線10的連接焊盤(pán)部10a。即， 將布線IO形成為5-10um的厚度，將通過(guò)激光束進(jìn)行蝕刻的量計(jì)算在內(nèi)， 僅在布線10的連接焊盤(pán)部10a上將保護(hù)金屬層92形成為數(shù)u m的厚度， 從而能夠使半導(dǎo)體構(gòu)成體2薄型化。 (第7實(shí)施方式)
圖31表示本發(fā)明第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在該半導(dǎo)體器 件中，與圖1所示半導(dǎo)體器件區(qū)別在于，在半導(dǎo)體構(gòu)成體2的布線10的連 接焊盤(pán)部10a的下表面中央部，設(shè)置由電解鍍銅形成的柱狀電極(外部連 接用電極)93，在包含布線10的保護(hù)膜8的下表面，設(shè)置由環(huán)氧類樹(shù)脂等 構(gòu)成的密封膜94，使其下表面與柱狀電極93的下表面成為一個(gè)平面。這種
19情況下，包含柱狀電極93的密封膜94的下表面，經(jīng)由粘接層3與下層絕 緣膜1的上表面中央部粘接。下層布線21經(jīng)由下層絕緣膜1以及粘接層3 的開(kāi)口部13與半導(dǎo)體構(gòu)成體2的柱狀電極93連接。 (第8實(shí)施方式)
圖32表示本發(fā)明第8實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在該半導(dǎo)體器 件中，與圖1所示半導(dǎo)體器件區(qū)別在于，在半導(dǎo)體構(gòu)成體2以及下層絕緣 膜1的上表面，僅設(shè)置由環(huán)氧類樹(shù)脂等構(gòu)成的密封膜(絕緣層)95。這種 情況下，密封膜95通過(guò)傳遞模塑(TransferMolding)法等模塑法形成。
另外，在上述各實(shí)施方式中，在掩模金屬層上形成的開(kāi)口部的平面形 狀為圓形，但是本發(fā)明不限于此，平面形狀例如可以是多邊形狀或任意形 狀。另外，在向下層絕緣膜照射激光束形成開(kāi)口部時(shí)，對(duì)掩模金屬層是具 有開(kāi)口部的整個(gè)面的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以在對(duì)下層絕緣膜照射激 光束之前，進(jìn)行圖案化處理來(lái)預(yù)先形成布線或焊盤(pán)部。另外，雖然在半導(dǎo) 體構(gòu)成體2上形成有與連接焊盤(pán)5連接的布線10，但是本發(fā)明對(duì)于僅形成 有未設(shè)置布線巻繞部的外部連接用電極的半導(dǎo)體構(gòu)成體也能夠適用。此外， 根據(jù)本發(fā)明的宗旨，可以進(jìn)行各種變形來(lái)適用本發(fā)明。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)，具有半導(dǎo)體襯底(4)以及在上述半導(dǎo)體襯底(4)上設(shè)置的外部連接用電極(10a)；絕緣層(34)，形成在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的周圍；絕緣膜(3或1)，具有與上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的上述外部連接用電極(10a)對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部(13)；布線(21)，經(jīng)由上述開(kāi)口部(13)與上述外部連接用電極(10a)連接，從與上述半導(dǎo)體襯底(4)對(duì)應(yīng)的區(qū)域向與上述絕緣層(34)對(duì)應(yīng)的區(qū)域延伸。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 上述外部連接用電極(10a)是構(gòu)成布線部件(10)的一部分的部件。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述布線部件(10)與上述半導(dǎo)體襯底(4)之間形成有保護(hù)膜(8)。
4. 如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述絕緣層(3或1)包括粘接層(3)，該粘接層(3)形成在上述保 護(hù)膜(8)上以及上述布線部件(10)上，并具有上述開(kāi)口部(13)。
5. 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述絕緣層(3或1)包括下層絕緣膜(1)，該下層絕緣膜(1)形成 在上述粘接層(3)與上述布線部件(10)之間以及上述絕緣層(34)與上 述布線部件(10)之間，并具有上述開(kāi)口部(13)。
6. 如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有導(dǎo)體層(61)，該導(dǎo)體層(61)形成在上述下層絕緣膜(1)與上 述布線部件(10)之間，并具有與上述開(kāi)口部(13)連通的開(kāi)口部(13)，上述布線部件(10)經(jīng)由上述導(dǎo)體層(61)的開(kāi)口部(13)、上述下 層絕緣膜(1)的開(kāi)口部(13)以及上述粘接層(3)的開(kāi)口部(13)，與 上述外部連接用電極(10a)連接。
7. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有導(dǎo)體層(61)，該導(dǎo)體層(61)具有在上述絕緣層(34)與上述布線部件(10)之間與上述開(kāi)口部(13)連通的開(kāi)口部(13)，上述布線部件(10)經(jīng)由上述導(dǎo)體層(61)的開(kāi)口部(13)以及上述 絕緣層(3或1)的開(kāi)口部(13)，與上述外部連接用電極(10a)連接。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 上述布線部件(10)以及上述導(dǎo)體層(61)具有相同的平面形狀。
9. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 包括保護(hù)金屬層(92)，該保護(hù)金屬層(92)形成在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體的上述外部連接用電極(10a)上的與上述布線(21)的交界面一側(cè)。
10. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)以及上述絕緣層(31)上設(shè)置有上層絕緣膜(35)，在上述上層絕緣膜(35)上設(shè)置有上層布線(36)。
11. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述絕緣膜(1)、上述絕緣層(31)以及上述上層絕緣膜(35)中設(shè)置的貫通孔(41)內(nèi)，上下導(dǎo)通部(42)設(shè)置為與上述布線(21)以及 上述上層布線(36)連接。
12. 如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述絕緣層(31)中埋入電路基板(81)，該電路基板(81)與上述布線(21)以及上述上層布線(36)連接。
13. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 設(shè)置有覆蓋上述布線(21)的下層保護(hù)涂層膜(31)，上述下層保護(hù)涂層膜(31)具有露出上述布線(21)的一部分的開(kāi)口部(32)。
14. 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在上述下層保護(hù)涂層膜(31)的開(kāi)口部(32)上設(shè)置焊球(33)，該焊球(33)與上述布線(21)連接。
15. —種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括 準(zhǔn)備半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的工序，所述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)具有在一面上形成有外部連接用電極(10a)的半導(dǎo)體襯底(4);形成覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的上述外部連接用電極(10a)的上 表面的絕緣膜(3或1)以及在上述絕緣膜(3或1)下方形成掩模金屬層 (52、 61)的工序，所述掩模金屬層(52、 61)上形成有與外部連接用電極(10a)對(duì)應(yīng)且平面尺寸比上述外部連接用電極(10a)的平面尺寸小的 開(kāi)口部(53、 64);將上述掩模金屬層(52、 65)作為掩模，經(jīng)由上述開(kāi)口部(53、 64) 向上述絕緣膜(3或1)照射激光束，從而在絕緣膜(3或1)上形成到達(dá) 上述外部連接用電極(10a)的連接用開(kāi)口部(13)的工序；在上述絕緣膜(3或1)上，將布線(21)形成為經(jīng)由上述絕緣膜(3 或l)的上述連接用開(kāi)口部(13)與上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的上述外部連 接用電極(10a)連接的工序。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成覆蓋上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的上述外部連接用電極(10a)的上表面的絕緣膜(3或1)的工序包括如下工序形成平面尺寸比與上述半導(dǎo) 體構(gòu)成體(2)所對(duì)應(yīng)的區(qū)域大的下層絕緣膜(1)，并在上述下層絕緣膜 (1)上形成上述連接用開(kāi)口部(13)。
17. 如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成具有上述開(kāi)口部(53、 64)的掩膜金屬層(52、 65)的工序包括準(zhǔn)備底板(51)的工序；在上述底板(51)上形成具有上述開(kāi)口部(53) 的上述掩模金屬層(52)的工序；以及在上述下層絕緣膜(1)上固定上述 半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的工序。
18. 如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在上述下層絕緣膜(1)上形成連接用開(kāi)口部(13)的工序包括如下工序除去上述底板(51)，從而使具有上述連接用開(kāi)口部(13)的上述掩 模金屬層(52)露出。
19. 如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成具有上述開(kāi)口部(53、 64)的掩模金屬層(52、 65)的工序包括準(zhǔn)備固定有上述下層絕緣膜(1)和整個(gè)面的掩模金屬層(65)的層疊片的 工序；使上述整個(gè)面的掩模金屬層(65)圖案化，從而形成上述開(kāi)口部(64) 的工序；在上述下層絕緣膜(1)上固定上述半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的工序。
20. 如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 準(zhǔn)備半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的工序包括如下工序形成覆蓋上述外部連接用電極(10a)的上表面的粘接層(3)。
21. 如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在形成具有上述開(kāi)口部(53、 64)的掩模金屬層(52、 65)的工序之前，包括在上述下層絕緣膜(1)上固定具有上述粘接層(3)的上述半導(dǎo) 體構(gòu)成體(2)的工序。
22. 如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成到達(dá)上述外部連接用電極(10a)的連接用開(kāi)口部(13)的工序包括如下工序?qū)⑸鲜鲅谀＝饘賹?52、 65)作為掩模，經(jīng)由上述開(kāi)口部(53、 64)照射激光束，從而在上述下層絕緣膜(1)以及上述粘接層(3)上形 成上述連接用開(kāi)口部(13)。
23. 如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成上述布線(21)的工序包括如下工序除去具有連接用開(kāi)口部(13)的上述掩模金屬層(52)，并在上述下層絕緣膜(1)的下表面形成上述布 線(21)。
24. 如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 形成上述布線(21)的工序包括如下工序在上述掩模金屬層(65)的下表面形成上述布線(21)，并除去上述布線(21)以外區(qū)域的上述掩模金屬層。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。形成覆蓋半導(dǎo)體構(gòu)成體(2)的外部連接用電極(10a)的上表面的絕緣膜(3或1)，在絕緣膜(3或1)上形成掩模金屬層(52、61)，該掩模金屬層(52、61)上形成有平面尺寸比外部連接用電極(10a)的平面尺寸小的開(kāi)口部(53、64)。將上述掩模金屬層(52、65)作為掩模向絕緣膜(3或1)照射激光束，從而在絕緣膜(3或1)上形成到達(dá)外部連接用電極(10a)的連接用開(kāi)口部(13)。在絕緣膜(3或1)上形成經(jīng)由連接用開(kāi)口部(13)與外部連接用電極(10a)連接的布線(21)。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101499456SQ20091000983
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2009年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月31日
發(fā)明者定別當(dāng)?？?申請(qǐng)人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社