有源矩陣襯底、顯示裝置以及像素缺陷修正方法

文檔序號：6926497閱讀：276來源：國知局

專利名稱：有源矩陣襯底、顯示裝置以及像素缺陷修正方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置、EL (電致發(fā)光)顯示裝置等的顯示裝置中所使用的有源矩陣襯底。更詳細地說，涉及適用于大型液晶電視等具有大型的液晶顯示器畫面的液晶顯示裝置中所使用的有源矩陣村底。
背景技術：
有源矩陣襯底被廣泛使用在液晶顯示裝置、EL (Electro Luminescence:電致發(fā)光)顯示裝置等的有源矩陣型顯示裝置中。在
現(xiàn)有的有源矩陣型液晶顯示裝置中所使用的有源矩陣襯底中，在襯底上以交叉的方式配置的多條掃描信號線和多條數(shù)據(jù)信號線的各個交點上設置TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)等開關元件，根據(jù)TFT等的開關功能，能夠適當?shù)叵蚺cTFT等連接的各像素(電極) 部傳送圖像信號。此外，為防止使TFT等截止的期間中的液晶層的自放電或者TFT等的截止電流引起的圖像信號的惡化、或者使用于液晶驅(qū)動中的各種調(diào)制信號的施加路徑等，還存在在各像素部上設置有保持電容元件的有源矩陣襯底。
作為現(xiàn)有的有源矩陣型液晶顯示裝置中所使用的有源矩陣襯底的結構，例如，公知有如下的結構(例如，參照專利文獻l)。圖18是表示現(xiàn)有技術的有源矩陣型液晶顯示裝置具有的有源矩陣襯底的一個像素的平面示意圖。
如圖18所示，在現(xiàn)有的有源矩陣襯底200中，以矩陣狀設置多個像素電極51，在該像素電極51的周圍，用于供給掃描信號的掃描信號線52和用于供給數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)信號線53以彼此交叉的方式通過。此外，在這些掃描信號線52和數(shù)據(jù)信號線53的交叉部上設置TFT54，作為與像素電極51連接的開關元件。在TFT54的柵電極55上連接掃描信號線52，通過輸入掃描信號對TFT54進行驅(qū)動控制。此外，在TFT54 的源電極66a上連接數(shù)據(jù)信號線53，輸入數(shù)據(jù)信號。并且，在TFT54 的漏電極66b上連接漏極布線56，在漏極布線56上連接保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)57，在保持電容上電極57上通過接觸孔58連接像素電極51。并且，保持電容(共同)布線59起到保持電容元件的另一電極(保持電容下電極)的作用。
近年來，在大型液晶TV等中使用的液晶顯示裝置中，以寬視角化為目的，具有多重區(qū)域(multi-doinain)的垂直取向方式(VA; Vertical Alignment)、所謂的MVA (Mul t i-domain Vertical Alignment)方式廣泛普及(例如，參照專利文獻2)。
在這樣的MVA方式中，在有源矩陣襯底的像素電極以及對置襯底的對置電極上設置切除圖形或者液晶分子的取向控制用突起，利用由此形成的邊緣場(Fringe Field)使液晶分子的取向分散為多個方向，由此實現(xiàn)寬視角。圖18示出的現(xiàn)有技術的有源矩陣村底中，通過在有源矩陣襯底的像素電極以及對置村底的對置電極上設置切除圖形或者液晶分子取向控制用突起，也能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角化。此外，以防止漏光或者改善施加電壓后的初始響應速度為目的，公知的技術為奉與像素電極或者對置電極的切除圖形(以下稱為電極狹縫)對應的位置上埋設電極(例如，參照專利文獻3)。
在有源矩陣襯底的制造工藝中，由于異物或者膜殘留等，有時會在TFT的源電極和漏電極之間產(chǎn)生短路(leak:泄漏)。這樣，對于產(chǎn)生缺陷的像素來說，不能對像素電極施加正常的電壓(漏極電壓)，在液晶顯示裝置的顯示畫面上出現(xiàn)亮點或者黑點等的點缺陷，所以，液晶顯示裝置的成品率降低。
關于這樣的像素缺陷的修復，提出了在各個像素與鄰接像素之間預先設置修正連接布線的技術(例如，參照專利文獻4)。若這樣，在產(chǎn)生像素缺陷的情況下，通過對修正用連接布線進行激光照射等，使產(chǎn)生像素缺陷的像素的像素電極與鄰接的像素的像素電極電導通，施加與鄰接像素相同電位的電壓，由此，能夠模擬地對產(chǎn)生像素缺陷的像素進行驅(qū)動。但是，該方法在以下方面存在改善的余地。即，通常(正常工作時)，像素間絕緣，修正用連接布線需要以跨過像素間的方式設置，
所以，隨著修正用連接布線的面積的增加，開口率降低。此外，在TFT 的源電極和漏電極之間有時產(chǎn)生短路(泄漏)，但是，盡可能在本像素內(nèi)實施修正。因為，對泄漏處進行切斷、分離，經(jīng)由修正用連接布線以鄰接像素的TFT驅(qū)動缺陷像素時，鄰接像素的TFT中驅(qū)動的負栽超額。與此相對，在所述的像素缺陷的修正方法中，只能進行通過連接鄰接像素間的修正，不能在本像素內(nèi)完成修正。因此，關于救濟TFT 不良的方法，提出了如下的液晶顯示裝置的結構(例如，參照專利文獻5):即具有對一個像素并聯(lián)連接多個TFT的冗余結構。
專利文獻l:特開平9-152625號公報(
公開日1997年6月10
曰)
專利文獻2:特開2001-83523號公報(
公開日2001年3月30
曰)
專利文獻3:特開2001-117083號公報(
公開日2001年4月27
曰)
專利文獻4:特開平2-135320號公報(
公開日1990年5月24
曰)
專利文獻5:特開平7-199221號公報(
公開日1995年8月4日) 但是，專利文獻5記載的液晶顯示裝置的結構并聯(lián)配置TFT (有源元件)，并且，能夠?qū)εc信號線連接的電極進行切斷，所以，存在因該電極的走線引起的開口率的降低和該電極的斷線概率變高的問題。從信號線供給的信號是將圖像顯示在顯示裝置上必須的結構要素，與信號線連接的電極的斷線對于顯示裝置來說是致命的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的是為解決如上所述的問題而進行的，其目的在于提供一種在本像素內(nèi)完成修正時也不降低開口率、與信號線連接的電極不容易斷線的有源矩陣襯底。
為了解決所述問題，本發(fā)明的有源矩陣襯底的特征在于有源元件至少具有一個以上的源電極和兩個以上的漏電極并且具有兩個以上的溝道，所述兩個以上的漏電極的至少一個通過布線部與像素電極電連接，所述布線部(漏極引出布線)具有第一導電圖形部，其包括與像素電極連接的共同部(漏極引出布線共同部)以及從該共同部與所述兩個以上的漏電極的每一個對應地分支出的分支部(漏極引出布線分支部)，有源矩陣襯底還設有第二導電圖形部(修正用連接電極)，其具有隔著絕緣層與所述第一導電圖形部的分支部重疊的部分，并且通過將所述絕緣層貫通來進行導通而能夠與所述多個分支部電連接。
按照此結構，不需要如專利文獻5的圖l那樣并聯(lián)配置有源元件。因此，不需要與信號線連接的電極(本說明書中相當于源電極)的走線，能夠抑制因該源電極的開口率的降低，并且，能夠形成源電極斷線概率較低的、能夠在本像素內(nèi)進行修正的修正圖形。這樣的有源元件的布線結構能夠與在有源元件上連接2條以上的所述分支部(漏極引出布線分支部)的方式很好地組合。
在這樣的結構中，能夠防止因設置多個有源元件引起的開口率的降低，并且，能夠進一步充分發(fā)揮本發(fā)明的作用效果。即，有源元件具有2個以上的漏電極，這與有源元件具有與漏極相同數(shù)目以上的溝道的情況相同。因此，按照本實施方式，即使在某個溝道中產(chǎn)生短路等的缺陷，也能夠通過利用相同的有源元件內(nèi)的其它的正常溝道謀求對缺陷像素的修正。
具體地說，例如，在某個溝道中產(chǎn)生源電極與漏電極的泄漏(短路)時，將與該溝道連接的分支部(漏極引出布線分支部)從漏電極斷開，并且，將斷開的分支部(漏極引出布線分支部)通過修正用連接電極連接(漏極/漏極連接)到與正常的溝道連接的分支部(漏極引出布線分支部)上，由此，能夠?qū)λ械姆种Р?漏極引出布線分支部)施加大致相同的漏極電位。并且，如上所述，能夠設置多個分支部(漏極引出布線分支部)，所以，能夠使向像素電極供給電位的路徑冗余。
此外，在本發(fā)明的有源矩陣村底中，優(yōu)選相對一個所述源電極具有多個所述漏電極。即，有源元件對于一個源電極具有多個漏電極，該多個漏電極中的至少一個通過布線部與像素電極電連接，所述布線部(漏極引出布線)具有第一導電圖形部(笫一導電層)，其包括共同部(漏極引出布線共同部)和分別對應于所述多個漏電極從該共同部分支出的分支部；設有第二導電圖形部(第二導電層、修正用連接電極)，其具有隔著絕緣層與所述第一導電圖形部的分支部重疊的部分，通過將所述絕緣層貫通來進行導通而能夠與多個所述分支部電連接。
如專利文獻5的液晶顯示裝置所示，通過并聯(lián)配置多個TFT(有源元件)而具有冗余性的結構中，TFT的源電極與掃描信號線之間的寄生電容增加。因此，如近年來，若信號寫入頻率變高，與源電極連接的數(shù)據(jù)信號線的電容負荷增加，則導致顯示質(zhì)量(特別是動態(tài)顯示)降低。并且，存在電力消耗增加的問題。
與此相對，通過對于一個所述源電極具有多個漏電極的結構，不需要與信號線連接的電極的走線，能夠抑制因該源電極的開口率的降
低，并且，能夠形成源電極斷線概率低并可在本像素內(nèi)修正的修正圖形，除了這樣的效果外，還具有能夠?qū)崿F(xiàn)與高速顯示的對應以及抑制電力消耗的效果。
此外，在本發(fā)明的有源矩陣襯底中，也可以是與如上所述相反的對于所述一個漏電極具有多個所述源電極的結構。
按照該結構，對于一個漏電極配置有多個源電極的結構與對于一個所述源電極配置多個漏電極的結構相比，能夠減少溝道數(shù)目相同時的漏電極的數(shù)目。因此，能夠抑制有源元件的源電極與漏電極之間的寄生電容(Cgd)的像素電位的引入，所以能夠降低像素電極達到所希望的有效電壓用的源極電壓，進而能夠抑制電力消耗。
并且，從防止開口率降低的觀點看，優(yōu)選對于一個驅(qū)動區(qū)域設置一個有源元件。并且，此處，驅(qū)動區(qū)域相當于像素或者副像素，以后對副像素進行說明。
優(yōu)選有源矩陣襯底的特征在于，使所述有源元件的柵電極用導電層至少從一個導電層電分離，形成所述第二導電圖形部(修正用連接電極)。
按照本結構，第二導電圖形部(修正用連接電極)與薄膜晶體管的柵電極能夠使用同一導電材料，所以，能夠簡化、縮短步驟并且能夠降低制造成本。
所述第二導電圖形部(修正用連接電極)優(yōu)選為以將保持電容布線用導電層從至少一個導電層電隔離的方式形成。
按照本結構，上述第二導電圖形部(修正用連接電極)與保持電容布線用導電層能夠使用同一導電材料，所以，能夠簡化、縮短步驟并且能夠降低制造成本。
在本發(fā)明的有源矩陣襯底中，也能夠作成為對于一個有源元件設置多個所述第二導電圖形的結構。
在只有一個第二導電圖形部(修正用連接電極)的結構中，若分支部(漏極引出布線分支部)或者第二導電圖形部本身斷線，不能進行缺陷像素的修正。但是，這樣通過對一個有源元件設置多個第二導電圖形部，例如在分支部或者第二導電圖形部本身斷線時，也能夠?qū)?缺陷像素進行修正。
此時，作為對一個有源元件設置3個以上的漏電極、并也設置3 個以上漏極布線分支部的結構的優(yōu)選方式，作為多個第二導電圖形部，具有包括設置為能夠與所有所述分支部電連接的第二導電圖形A部和設置為能夠與2個以上的所述分支部電連接的第二導電圖形B部的結構。
這樣，在設置3個以上分支部的結構中，包括設置成能夠與2個以上的分支部電連接的第二導電圖形B部，由此，保持一定的冗余效果，同時與將所設置的多個第二導電圖形部的全部作成能夠與所有分支部電連接的第二導電圖形A部的結構的情況相比，能夠提高開口率。
此外，優(yōu)選為在設置第二導電圖形B部的情況下，具有與第一導電圖形部的線長最長的分支部重疊的部分，該線長最長的分支部能夠與其它的分支部電連接。
因為布線的線長越長越容易斷線，所以，第一導電圖形部中的2 個以上某個分支部中線長最長的分支部的斷線概率較高。這樣，以線長最長的分支部能夠與其它分支部電連接的方式設置笫二導電圖形B 部，由此，能夠提高缺陷像素的修正概率。
所述有源矩陣襯底優(yōu)選為，像素由多個副像素構成，對該多個副像素的各個有源元件具有所述修正用連接電極。
"像素由多個副像素構成"的意思是指具有像素被分割為2個以上的副像素并且副像素電極被分別驅(qū)動的所謂的多像素結構。
由這樣的2個以上的副像素構成像素的方式是在對缺陷像素進行修正的結構中有利的方式。在大畫面、低分辨率的顯示裝置中，有源元件的某個溝道泄漏成為像素缺陷的情況下，欲用其它正常的溝道對像素進行正常驅(qū)動，但是，因為像素較大，像素電容較大，若完全在本像素內(nèi)對像素進行修正，需要使有源元件較大，由于開口率降低或者有源元件的寄生電容增加而對顯示質(zhì)量產(chǎn)生影響。
按照本結構，例如，在37英寸960 x 540位的顯示裝置的情況下， 1個像素尺寸為284,x 854Mm，但是，若由2個副像素構成，1個像素尺寸為其1/2，能夠抑制像素電容，所以，能夠在顯示質(zhì)量不會過于降低的情況下進行本像素內(nèi)修正。
此外，在應用所述多像素結構的情況下，優(yōu)選所述副像素中至少2 個的亮度彼此不同。按照該方式，1個像素內(nèi)存在較亮的副像素以及較暗的副像素這二者，所以，能夠通過面積灰度(area gradation)表現(xiàn)中間色調(diào)(middle tone)，適于改善液晶顯示器畫面的傾斜視角中的白浮(brightness )。
并且，在應用所述多像素結構的情況下，本發(fā)明的有源矩陣襯底設置2個以上施加有彼此為相反相位的信號電壓的保持電容下電極，所述2個以上保持電容下電極優(yōu)選具有隔著絕緣層與分別對應于不同的副像素的保持電容上電極重疊的結構。這樣的方式適用于形成較亮的副像素以及較暗的副像素的情況。
并且，施加給2個以上的保持電容下電極的彼此相反相位的信號電壓的意思是指在像素分割結構的像素中為了操作面積灰度所使用的 Cs波形電壓，存在柵極信號截止后、進行電容耦合時對于從源極供給的漏極信號電壓(Vs)的上升有貢獻的Cs波形電壓(Cs極性為+ )和對于Vs的下降有貢獻的Cs波形電壓(Cs極性為-)這兩種。
在這樣的像素分割法(面積灰度技術)中，通過Cs波形電壓、Cs 電容以及液晶電容的電容耦合，按每個副像素來改變對像素的有效電壓，形成明、暗的副像素，能夠?qū)@些實現(xiàn)多驅(qū)動。在特開2004-62146 號公報等中詳細地公開了這樣的像素分割法(面積灰度技術)。
并且，作為像素分割結構，例如有較亮的副像素的面積與較暗的副像素的面積相等的1: l像素分割結構或者較亮的副像素的面積是較暗的副像素的面積的1/3的1: 3像素分割結構等。其中，1: 3像素分割結構應對(改善視角)液晶顯示器畫面的傾斜視角中的白浮特別有效。
通過這樣設置較亮的副像素和較暗的副像素，在較暗的副像素的有源元件中因溝道泄漏產(chǎn)生缺陷(副)像素時，與較亮的副像素相比不容易作為缺陷，所以，只在較亮的像素中設置所述修正用連接電極進行缺陷像素修正，由此，能夠減少像素缺陷修正工序，并且能抑制因所述修正用連接電極的開口率的降低。
優(yōu)選所述第二導電圖形部(修正用連接電極)具有隔著絕緣層與第一導電層的分支部(漏極引出布線分支部)重疊的部分的區(qū)域面積
為25nm2以上。
由此，在用釔鋁石榴石(YAG)激光器等對絕緣膜進行熔融加工時，能夠確保充分的激光照射區(qū)域，能夠提高所述第二導電圖形部(修正用連接電極)與分支部(漏極引出布線分支部)的導通的可靠性。此外，在考慮到光刻工序中的對準偏差引起的重疊部分的區(qū)域面積的變動、照射激光時YAG激光器的照射光束直徑的寬度、照射激光后的第二導電圖形部(膜)或者分支部的熔融處成為錐形的膜形狀的情況下，優(yōu)選使所重疊的區(qū)域面積某種程度地增大，具體地說，所重疊部分區(qū) 域的面積優(yōu)選為400^112以上
所述第二導電圖形部(修正用連接電極)優(yōu)選由包含Al、 Cr、 Ta、 Ti、 W、 Mo以及Cu中的至少一種的材料形成。由此，所述第二導電圖形部以包括這些高熔點金屬的材料形成，所以，在以YAG激光器等進行熔融加工時，與ITO等透明導電膜相比較，能夠容易且可靠地對第二導電圖形部和各種電極或者各種布線進行導通。
所述第二導電圖形部(修正用連接電極)優(yōu)選具有與液晶分子的取向控制用突起或者電極狹縫重疊的部分。形成在液晶顯示裝置的對置電極或者有源矩陣襯底上的液晶分子的取向控制用突起或者電極狹縫的形成區(qū)域通常是不作為透射區(qū)域(開口部)起作用的區(qū)域，所以，以與該區(qū)域重疊的方式配置所述第二導電圖形部，由此，能夠通過設置第二導電圖形部來防止開口率的降低。
因此，如上所述的"與液晶分子的取向控制用突起或者電極狹縫重疊，，，可以是從襯底(液晶面板)面垂直方向觀察時與液晶分子的取向控制用突起或者電極狹縫重復的結構，除了液晶分子的取向控制用突起或者電極狹縫設置在本發(fā)明的有源矩陣襯底上的情況外，也可以是設置在與本發(fā)明的有源矩陣襯底相向的對置襯底上的情況。這樣結構的有源矩陣襯底能夠適用于MVA方式的液晶顯示裝置的液晶面板用襯底。
作為本發(fā)明的有源矩陣襯底的優(yōu)選方式，有在形成有取向控制用突起或者電極狹縫的區(qū)域(非透射區(qū)域)內(nèi)配置所述修正用連接電極的整體的方式。取向控制用突起例如由感光性樹脂等形成。作為取向控制用突起以及電極狹縫的(從襯底面垂直方向觀察時的)平面形狀，有以固定周期彎曲成鋸齒形的帶狀等形狀。
并且，在電極狹縫的下方從保持電容布線延伸而形成所述修正用連接電極，由此，能夠提高電極狹縫引起的邊緣場效應。
此外，在本發(fā)明的有源矩陣襯底中，優(yōu)選所述像素電極具有像素電極材料被除去后的去除部，該去除部具有與所述分支部重疊的部分。
對缺陷像素進行修正時，切斷分支部使其從漏電極上斷開，或者進一步將所斷開的分支部通過第二導電圖形部電連接到與正常溝道連接的分支部上。但是，切斷分支部時或者使分支部與第二導電圖形部
導通時，位于分支部上層的像素電極和與源極/漏極之間產(chǎn)生泄漏(SD 泄漏)的溝道連接的分支部有時會泄漏。
與此相對，如上所述，在像素電極上設置所述分支部與除去了電極材料后的去除部重疊的部分，在該部分，通過切斷分支部或者使分支部與第二導電圖形部導通，能夠防止像素電極和與SD泄漏溝道連接
的分支部的泄漏的產(chǎn)生。
更具體地說，通過與第二導電圖形部的配置位置對應地設置像素電極的去除部，能夠防止使分支部與第二導電圖形部導通時所產(chǎn)生的像素電極和與SD泄漏溝道連接的分支部的泄漏的產(chǎn)生。
此外，通過對應于切斷分支部時的切斷位置設置像素電極的去除部，由此，能夠防止在切斷分支部時產(chǎn)生的像素電極和與所述源極/漏極間產(chǎn)生泄漏的溝道連接的分支部的泄漏。
并且，作為進一步優(yōu)選的方式，對應于第二導電圖形部的配置位置以及切斷分支部時的切斷位置設置去除部，由此，能夠進一步有效防止像素電極和與SD泄漏溝道連接的分支部的泄漏的產(chǎn)生。
此外，也能夠?qū)⑾袼仉姌O的去除部作為形成在像素電極上的液晶分子的取向控制用電極狹縫的一部分。如上所述，在液晶顯示裝置中，形成有取向控制用電極狹縫的區(qū)域是通常不作為透射區(qū)域(開口部) 起作用的區(qū)域。因此，通過將這樣的取向控制用電極狹縫用作去除部，能夠通過設置去除部防止開口率下降。
此外，在像素電極上設置這樣的去除部的結構中，優(yōu)選作成具有對去除部進行遮光的遮光膜的結構。由此，能夠由去除部對液晶分子的取向混亂的部分進行遮光，能夠進行良好的顯示。
并且，不限于有源矩陣襯底自身具有遮光膜的結構，作為顯示裝置，只要是從襯底(液晶面板)面垂直方向觀察時對去除部進行遮光即可，也可以是設置在與本發(fā)明的有源矩陣襯底對置的對置襯底上的情況。
接著，對構成本發(fā)明的有源矩陣襯底的各結構部件進行說明。作為上述襯底的材質(zhì)，可舉出玻璃、塑料等透明絕緣材料等。作為所述信號線(掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線)、柵電極、修正用連接電極以及
漏極引出布線的材質(zhì)，可舉出鈦(Ti )、鉻(Cr)、鋁(Al )、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)等金屬膜、它們的合金膜、或者它們的層疊膜等。作為信號線、柵電極、修正用連接電極以及漏極引出布線的形成方法，可舉出以濺射法等對所述材料進行成膜之后以光刻法等形成圖形的方法等。
作為所述源電極以及漏電極的材質(zhì)，可舉出摻雜有磷等的n+非晶硅等。作為形成源電極以及漏電極的方法，可舉出由等離子體CVD法等對所述材料進行成膜后通過干法刻蝕法等進行源極、漏極分離來形成的方法等。
并且，為了縮短制造工序以及降>(氐制造成本，優(yōu)選在同一工序分別以同一材料形成掃描信號線和柵電極以及修正用連接電極、數(shù)據(jù)信號線與漏極引出布線、以及源電極和漏電極。信號線、柵電極以及修正用連接電極的厚度并不特別限定，但是，優(yōu)選下限大致為IOOOA、上限大致為3000A，源電極以及漏電極的厚度優(yōu)選為500A左右。
作為所述像素電極的材質(zhì)，可舉出ITO、 IZO、氧化錫、氧化鋅等透明的導電材料等。作為形成像素電極的方法，可舉出以賊射法等對所述材料進行成膜后以光刻法等形成圖形的方法等。作為像素電極的形狀，可舉出矩形等。像素電極的厚度并不特別限定，但是，優(yōu)選下
限大致為ioooA、上限大致為2oooA。優(yōu)選像素電極和漏電極或者布
線部(漏極引出布線)通過形成在層間絕緣膜上的接觸孔等進行連接。作為本發(fā)明的有源矩陣襯底的優(yōu)選方式，例如可舉出從下層開始以(1)襯底、(2)掃描信號線、柵電極、輔助電容布線以及第二導電圖形部(修正用連接電極)、(3)(柵極)絕緣膜、(4)高電阻半導體層、(5)源電極以及漏電極、(6)數(shù)據(jù)信號線以及布線部(漏極引出布線)、(7)層間絕緣膜(包括接觸孔)、(8)像素電極的順序進行層疊的方式等。
此外，按照具有所述有源矩陣襯底而構成的本發(fā)明的顯示裝置，在產(chǎn)生像素缺陷時，能夠容易且可靠地進行其修正，所以，能夠充分降低像素缺陷而得到較高的顯示質(zhì)量，能夠以較高的成品率進行制造。這樣的本發(fā)明的顯示裝置能夠很好地適用于特別地要求抑制點缺陷的產(chǎn)生的大型液晶TV等。
作為應用本發(fā)明的液晶顯示裝置的優(yōu)選方式，可舉出液晶分子的取向控制用突起或者電極狹縫設置在有源矩陣襯底以及/或者對置襯底上的方式等。在這樣的方式中，能夠?qū)崿F(xiàn)寬視角化。
本發(fā)明是一種有源矩陣襯底的像素缺陷修正方法，在該有源矩陣村底中，有源元件至少具有一個以上的源電極和兩個以上的漏電極并且具有兩個以上的溝道，所述兩個以上的漏電極的至少一個通過布線部與像素電極電連接，所述布線部具有第一導電圖形，其包括與像素電極連接的共同部(漏極引出布線共同部)以及從該共同部與所述兩個以上的漏電極的每一個對應地分支出的分支部(漏極引出布線分支部)，上述有源矩陣襯底還設有第二導電圖形部(修正用連接電極)，其具有隔著絕緣層與所述第一導電圖形部的分支部重疊的部分，并且通過將所述絕緣層貫通來進行導通而能夠與所述多個分支部電連接，其特征在于，對于存在像素缺陷的像素，在所述第二導電圖形部重疊的部分和所述共同部之間切斷所述多個分支部中的至少一個。
按照該有源矩陣襯底的像素缺陷修正方法，例如，通過對與有源元件的多個溝道中成為產(chǎn)生像素缺陷的原因的泄漏的溝道對應的分支部(漏極引出布線分支部)進行切斷，能夠?qū)ο袼厝毕葸M行修正。并且，即使在分支部(漏極引出布線分支部)和數(shù)據(jù)信號線之間產(chǎn)生短路(泄漏)等缺陷的情況下，通過切斷泄漏的分支部來電分離，由此能夠?qū)ο袼厝毕葸M行修正。
特別是，能夠適用于通過圖形外觀檢查等指定泄漏處的情況。
并且，本發(fā)明的像素缺陷修正方法的特征在于若通過切斷所述分支部(漏極引出布線分支部)未能對像素缺陷進行修正，貫通所述絕緣層使所述第二導電圖形部(修正用連接電極)導通來電連接所述被切斷的分支部和其它的分支部，以使從所述被切斷的分支部的切斷處電連接漏電極側(cè)和所述共同部，并且切斷所述被切斷的分支部以外的其它分支部中的至少一個。
按照該有源矩陣襯底的像素缺陷修正方法，欲切斷與有源元件的多個溝道中成為產(chǎn)生像素缺陷的原因的泄漏的溝道對應的所述分支部 (漏極引出布線分支部)，但是，在不能夠通過圖形外觀檢查等指定泄漏的溝道的情況下能有效地對像素缺陷進行修正。例如，通過電檢查等確認是否通過切斷所述分支部(漏極引出布線分支部)來修正像素缺陷，若沒有對像素缺陷進行修正，則可通過所述修正方法對像素缺陷進行修正。
此外，所述像素缺陷修正方法優(yōu)選為，為了以貫通所述絕緣層來使所述第二導電圖形部(修正用連接電極)導通，對所述第二導電圖形部與所述分支部(漏極引出布線分支部)重疊的區(qū)域進行激光照射，使所述第二導電圖形部或者所述分支部的至少一個熔融。通過以這樣的方法熔融，能夠容易且可靠地使所述第二導電圖形部與所述分支部導通。
熔融中所使用的激光并不特別限定，但是，例如，可舉出YAG (Yttrium Aluminum Garnet:釔鋁石榴石)激光器的第二高次諧波(波長為532nm)等。
本發(fā)明是一種有源矩陣襯底的制造方法，在該有源矩陣襯底中，有源元件至少具有一個以上的源電極和兩個以上的漏電極并且具有兩個以上的溝道，所述兩個以上的漏電極的至少一個通過布線部與像素電極電連接，所述布線部(漏極引出布線)具有第一導電圖形，其包括與像素電極連接的共同部(漏極引出布線共同部)以及從該共同部與所述兩個以上的漏電極的每一個對應地分支出的分支部(漏極引出布線分支部)，上述有源矩陣襯底還設有第二導電圖形部(修正用連接電極)，其具有隔著絕緣層與所述第一導電圖形部的分支部重疊的部分，并且通過將所述絕緣層貫通來進行導通而能夠與所述多個分支部電連接，其特征在于，對于存在像素缺陷的像素，在所述第二導電圖形部重疊的部分和所述共同部之間切斷所述多個分支部中的至少一個，進行像素缺陷的修正。
按照本發(fā)明的有源矩陣襯底的制造方法，可制造能夠充分抑制像素缺陷的有源矩陣襯底。
優(yōu)選將保持電容布線用導電層從至少一個導電層上電分離，從而形成所述第二導電圖形部(修正用連接電極)。
由此，所述第二導電圖形部(修正用連接電極)和保持電容布線用導電層使用相同的導電材料，所以，能夠簡化、縮短工序并且能夠降低制造成本。
此外，在未產(chǎn)生像素缺陷的正常像素中，跟原來一樣，將保持電容布線的延伸部作為保持電容元件的一部分，或者，實際應用于邊緣場效應的提高。作為破壞分離保持電容布線的延伸部的一部分或者全
部的方法，優(yōu)選激光照射等，作為所使用的激光器，可舉出YAG激光器等第四高次諧波(波長為2"nm)等。
此外，按照使用所述像素缺陷修正方法的本發(fā)明的有源矩陣村底的制造方法，能夠制造可充分抑制像素缺陷的有源矩陣襯底。
此外，按照使用所述像素缺陷修正方法或者有源矩陣襯底的制造方法的本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，能夠制造可充分抑制像素缺陷的、具有較高顯示質(zhì)量的顯示裝置，能夠以較高的成品率進行制造。
本發(fā)明的其它目的、特征以及優(yōu)點由以下所示的記載充分得知。此外，本發(fā)明的優(yōu)勢能夠通過參照附圖的如下說明可知。

圖1是表示實施方式1的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖2是表示實施方式1的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖3是表示實施方式1的有源矩陣村底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖4是圖1所示的有源矩陣襯底的Al-A2橫剖面視圖。圖5是圖1所示的有源矩陣襯底的B1-B2橫剖面視圖。圖6是實施方式1的顯示裝置的結構圖。圖7是實施方式1的電視圖像接收機的結構圖。圖8是表示實施方式2的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖9是表示實施方式2的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖IO是表示實施方式2的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖11是表示實施方式3的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖12是表示實施方式3的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖13是表示實施方式3的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖14是表示實施方式3的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖15是表示實施方式4的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖16是表示實施方式4的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖17是表示實施方式4的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖18是表示現(xiàn)有技術的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖19是表示實施方式5的有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖20是表示實施方式5的另一有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖21是表示圖19所示的有源矩陣襯底中的像素修正例的一個像素的平面示意圖。
圖22是表示圖19所示的有源矩陣襯底的另一像素修正例的一個像素的平面示意圖。
圖23是表示實施方式5的又另一有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。圖24是表示實施方式5的又另一有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖25是表示實施方式6的有源矩陣村底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖26是表示實施方式6的另一有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖27是表示實施方式6的又另一有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖28是表示實施方式6的又另一有源矩陣襯底的一個像素的結構的平面示意圖。
圖29是實施方式6的又另一有源矩陣襯底中，與所重疊的對置襯底側(cè)的要部一起示出其一個像素的結構的平面示意圖。
圖30是表示實施方式7的有源矩陣襯底的一個像素結構的平面示意圖。
具體實施例方式
以下，揭示具體實施方式
，并參照附圖對本發(fā)明進行詳細"^兌明，但本發(fā)明并不只限于這些實施方式。實施方式1
以下，基于圖1至圖7對本發(fā)明的實施方式1進行說明。從圖1 至圖3是表示實施方式1的有源矩陣襯底100的一個像素的結構的平面示意圖。并且，圖l表示未實施像素缺陷修正的像素的結構、圖2、 3表示對像素缺陷進行修正后的像素的結構。此外，圖4表示圖1的 A1-A2剖面結構、圖5表示圖1的Bl-B2剖面結構。圖6示出使用本實施方式的有源矩陣襯底的顯示裝置的結構、圖7示出使用圖6的顯示裝置的電視圖像接收機的結構。
如圖1至圖3所示，在有源矩陣襯底100上以矩陣形設置多個像素電極l，通過這些像素電極1的周圍，以相互交叉的方式設置供給掃描信號用的各掃描信號線2、供給數(shù)據(jù)信號用的各數(shù)據(jù)信號線3。在這些掃描信號線2與數(shù)據(jù)信號線3的交叉部分設置作為有源元件(開關元件)的TFT4。
作為有源元件的TFT4具有與掃描線2連接的柵電極5、與數(shù)據(jù)信號線3連接的源電極6、漏電極16a、 16b。并且，漏電極16a、 16b與由構成布線部的導電層構成的作為第一導電圖形部的漏極引出布線 7a、 7b、 7d連接。該漏極引出布線具有作為共同部的漏極引出布線共同部7d和分別對應于漏電極16a、 16b分支出來的作為分支部的漏極引出布線分支部7a、 7b。
漏極引出布線共同部7d通過接觸孔8與像素電極1連接。并且，在本實施方式中，設置作為第二導電圖形部的修正用連接電極9，其分別具有150,2的隔著絕緣層與漏極引出布線分支部7a、7b重疊的部分，并由通過貫通絕緣層進行導通、可與這些分支部7a、 7b的任意一個均電連接的導電層構成。
此處，圖1示出的是漏電極16a側(cè)以及漏電極16b側(cè)的任意一側(cè) 均不存在缺陷的像素，未實施像素缺陷修正。因此，在圖1所示的像素中，修正用連接電極9不作為漏電極16a、 16b與像素電極l之間的布線部起作用。
另外，TFT4由輸入到柵電極5中的掃描信號驅(qū)動控制，對源電極 6輸入數(shù)字信號，由此，對像素電極1施加所希望的電壓。
接著，使用圖1、 4、 5對本實施方式的剖面結構以及制造方法的基礎部分進行說明。圖4是圖1所示的有源矩陣村底的Al-A2剖面示意圖。圖5是圖1的Bl-B2剖面示意圖。如圖4、 5所示，在本實施方式中，在玻璃、塑料等的透明絕緣襯底10上，設置與掃描信號線2連接的柵電極5。以濺射法等方法以1000A~ 3000A的膜厚對鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鴒、銅等金屬膜、它們的合金膜或者它們的層疊膜進行成膜，以光刻法等將其構圖形成為所需形狀，由此形成掃描信號線2、柵電極 5。此外，在與形成掃描信號線2、柵電極5相同的工序中，形成修正用連接電極9。這樣，通過在相同工序中形成，能夠縮短制造工序并降低制造成本。修正用連接電極9以與后續(xù)工序中形成在上層的漏極引出布線分支部7a、 7b重疊的方式形成。
并且，在本實施方式中，覆蓋掃描信號線2、柵電極5以及修正用連接電極9的上方設置柵極絕緣膜11。柵極絕緣膜11由氮化硅或者氧化硅等絕緣膜形成。在其上以與柵電極5重疊的方式設置由非晶硅或者多晶硅等構成的高電阻半導體層12，并且，設置作為源電極6以及漏電極16a、 16b的、由摻雜有磷等雜質(zhì)的n+非晶硅等構成的低電阻半導體層作為歐姆接觸層。這些氮化硅或者氧化硅等柵極絕緣膜11、非
晶硅等高電阻半導體層12、 iT非晶硅等低電阻半導體層6、 16a、 16b 分別通過等離子體CVD (化學氣相沉積)法等成膜，通過光刻法等進行構圖形成。膜厚例如，作為柵極絕緣膜11的氮化硅膜為3000A~ 5000A 左右、作為高電阻半導體層l2的非晶硅膜為1000A~ 3000A左右、作為低電阻半導體層6、 16a、 16b的n+非晶硅膜為400A 700A左右。
數(shù)據(jù)信號線3、漏極引出線布線分支部7a、 7b以及漏極引出布線共同部7d由同一工序形成。以濺射法等方法以1000A~ 3000A的膜厚對鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鎢、銅等金屬膜、它們的合金膜或者它們的層疊膜進行成膜，以光刻法等將其構圖形成為所需形狀，由此形成數(shù) 據(jù)信號線3、漏極引出布線分支部7a、 7b以及漏極引出布線共同部7d。以數(shù)據(jù)信號線3以及漏極引出布線分支部7a、 7b的圖形為掩模，通過干法刻蝕對非晶硅膜等高電阻半導體層12、 n+非晶硅膜等低電阻半導體層6、 16a、 16b進行溝道刻蝕，由此形成TFT。
在本實施方式中，設置感光性丙稀樹脂等樹脂膜或者氮化硅、氧化硅等無機絕緣膜或者它們的層疊膜等，作為層間絕緣膜13。作為層疊膜，例如，能夠使用通過等離子體CVD法等成膜的2000A~ 5000A 左右膜厚的氮化硅膜和通過涂敷(die coating)法形成在該氮化硅膜上的20000A- 40000A膜厚的感光性丙稀樹脂膜的層疊膜等。
在本實施方式中，貫通以覆蓋TFT、掃描信號線2、數(shù)據(jù)信號線3、漏極引出布線分支部7a、 7b、漏極引出布線共同部7d的上部的方式形成的層間絕緣膜13來形成接觸孔。例如，通過光刻法(曝光以及顯影) 對感光性丙稀樹脂進行構圖來形成接觸孔。
在本實施方式中，像素電極1形成在層間絕緣膜13的上層上，通過濺射法等以IOOOA- 2000A左右的膜厚對例如ITO、 IZO、氧化鋅、氧化錫等具有透明性的導電膜進行成膜，以光刻法等將其構圖形成為所需形狀，從而形成像素電極l。
接著，對本實施方式中的像素缺陷修正進行說明。圖2所示的是源電極6-漏電極16a之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的漏電極16a 側(cè)存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。作為該像素缺陷修正，是在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的 97a處切斷漏極引出布線分支部7a。若在切斷分支部之前通過外觀檢查等判斷漏電極16a側(cè)或者漏電極16b側(cè)的任意一側(cè)是否存在缺陷，就能夠進行這樣的像素缺陷修正。而且，通過電檢查等判斷為在漏電極16a側(cè)或者漏電極16b側(cè)的至少任意一側(cè)存在缺陷的情況下，切斷一個分支部后再次進行電檢查等，若像素缺陷被消除，則成為如圖2所示的像素缺陷修正后的像素。并且，詳細情況使用圖3進行后述，但是，此處，在修正用連接電極9 重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a，所以在切斷分支部前未指定缺陷處，而漏電極16a側(cè)不存在缺陷的情況下，能夠使用修正用連接電極9容易地使分支部7a與共同部7d恢復導通。
如圖2所示，漏電極16a被電遮斷，漏電極16b通過漏極引出布線分支部7b與漏極引出布線共同部7d電連接，并且，漏極引出布線共同部7d通過接觸孔8與像素電極1連接。并且，在圖2所示的像素中，修正用連接電極9不作為漏電極16b與像素電極1之間的布線部起作用。
圖3示出的是由于源電極6-漏電極16b之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的漏電極16b側(cè)存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a,在修正用連接電極9重疊的部分和漏電極16b之間的97b處切斷漏極引出布線分支部7b，對于漏極引出布線分支部7a、 7b的任意一個，均在96a處貫通介于中間的絕緣層使其導通并與修正用連接電極9電連接。
在以外觀檢查不能指定缺陷處，通過電檢查等判斷為漏電極16a 側(cè)或者漏電極16b側(cè)的至少任意一側(cè)存在缺陷時，切斷一個分支部后再次進行電檢查等之后的結果是未消除像素缺陷的情況下，實施這樣的像素缺陷修正。在此情況下，因為有可能在已切斷一側(cè)的漏電極側(cè) 不存在缺陷，所以對已切斷一側(cè)的分支部使用修正用連接電極恢復與共同部的導通，切斷其它的分支部。
如圖3所示，漏電極16b被電遮斷，漏電極16a以經(jīng)由迂回路徑 95的方式通過漏極引出布線分支部7a、修正用連接電極9以及漏極引出布線分支部7b與漏極引出布線共同部7d電連接。并且，漏極引出布線共同部7d通過接觸孔8與像素電極1連接。在本實施方式中，為了進行漏極引出布線分支部的分離，從襯底
的表面或者背面對切斷處97a、 97b通過照射激光來進行破壞分離。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第四高次諧波(波長 266nm)。另外，為了進行漏極引出布線分支部與修正用連接電極的導通，從襯底的表面或者背面對導通處96a照射激光。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第二高次諧波(波長532nm)。
并且，在本實施方式中，如圖1~圖3所示，修正用連接電極9的圖形形狀為四角形(四邊形)，但是，作為修正用連接電極9的圖形形狀不限于此，也可以是三角形、半圓形、梯形等形狀。即，優(yōu)選為修正用連接電極9的一部分隔著柵極絕緣膜以與漏極引出布線分支部 7a、 7b的圖形重疊的方式設置，并且，以至少確保激光照射用的區(qū)域的方式來構成，例如，可以構成如圖3中以95表示的迂回路徑。另外，修正用連接電極和漏極引出布線分支部的重疊部分的配置位置也并不特別限定。
本實施方式的像素缺陷修正，至少是在形成像素電極之后進行修正，例如，在應用于液晶顯示裝置中的情況下，為了可靠地電斷開泄漏的溝道、并形成迂回路徑，在形成能夠確認面板點亮的液晶層之后進行修正為好。形成液晶層之后是指，貼合有源矩陣襯底和濾色片襯底，注入、密封液晶，成為面板狀態(tài)。但是，并不限于此，在本實施方式中，也可以在形成漏極引出布線7a、 7b、 "7d之后，在溝道刻蝕^ 進行修正。
另外，圖6表示液晶顯示裝置的電路框圖。在圖6中，500是Y/C 分離電路、501是視頻色度電路、502是A/D轉(zhuǎn)換器、503是液晶控制器、504是液晶面板、505是背光源驅(qū)動電路、506是背光源、507是微型計算機、508是灰度電路。液晶面板使用本實施方式的有源矩陣襯底來構成。
將電視信號的輸入圖像信號輸入到Y/C分離電路500中，分離為亮度信號和色信號。亮度信號和色信號在視頻色度電路501中變換為光的3原色R、 G、 B,并且，通過A/D轉(zhuǎn)換器502將該模擬RGB信號轉(zhuǎn) 換為數(shù)字RGB信號，并將其輸入到液晶控制器503中。
在液晶面板504中，以規(guī)定的定時輸入來自液晶控制器503的RGB 信號，并且，供給來自灰度電路508的RGB各自的灰度電壓，從而顯示圖像。包括這些處理，微型計算機507進行整個系統(tǒng)的控制。
另外，能夠根據(jù)基于電視廣播的圖像信號、由照相機所拍攝的圖
像信號、通過互聯(lián)網(wǎng)線路供給的圖像信號等各種圖像信號進行顯示。并且，在圖7所示的調(diào)諧器部600中接收電視廣播并輸出圖像信
號，在顯示裝置601中基于從調(diào)諧器部600輸出的圖像信號顯示影像 (圖像)。并且，作為顯示裝置，可應用圖6所示的液晶顯示裝置，
但是，也可應用有機EL顯示裝置等其它顯示裝置。此外，在本實施方
式中所示的顯示裝置以及電視圖像接收機也可應用以下的實施方式2
到4中記載的有源矩陣襯底。實施方式2
以下，基于圖8至圖IO對本發(fā)明的實施方式2進行說明。從圖8 至圖IO是表示實施方式2的有源矩陣襯底100的一個像素的結構的平面示意圖。并且，圖8表示未實施像素缺陷修正的像素的結構、圖9、 10表示對像素缺陷進行修正后的像素的結構。
如圖8至圖IO所示，在有源矩陣襯底IOO上以矩陣形狀設置多個像素電極l,通過這些像素電極1的周圍，以相互交叉的方式設置供給掃描信號用的各掃描信號線2、供給數(shù)據(jù)信號用的各數(shù)據(jù)信號線3。在這些掃描信號線2與數(shù)據(jù)信號線3的交叉部分設置作為有源元件(開關元件)的TFT4。
作為有源元件的TFT4具有與掃描線2連接的柵電極5、與數(shù)據(jù)信號線3連接的源電極6、漏電極16a、 16b。并且，漏電極16a、 16b與由構成布線部的導電層構成的作為第一導電圖形部的漏極引出布線 7a、 7b、 7d連接。該漏極引出布線具有漏極引出布線共同部7d和分別對應于漏電極16a、 16b分支出來的漏極引出布線分支部7a、 7b。
像素電極1通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21 以及接觸孔8與漏極引出布線共同部7d連接。保持電容布線22作為該保持電容元件的另一個電極(保持電容下電極)起作用。并且，在本實施方式中，設置修正用連接電極9，其分別具有150^1!112的隔著絕緣層與漏極引出布線分支部7a、 7b重疊的部分，并由通過貫通絕緣層進行導通、可與這些分支部7a、 7b的任意一個均電連接的導電層構成。
此處，圖8示出的是漏電極16a側(cè)以及漏電極16b側(cè)的任意一側(cè) 均不存在缺陷的像素，未實施像素缺陷修正。因此，在圖8所示的像素中，修正用連接電極9不作為漏電極16a、 16b與像素電極l之間的布線部起作用。
另外，對于構成本實施方式的有源矩陣襯底的剖面的部件，由于與上述實施方式1的說明重復，因此為了說明上的方便而將其省略。
圖9所示的是由于源電極6-漏電極16a之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的漏電極16a側(cè)存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a。
若在切斷分支部之前通過外觀檢查等判斷漏電極16a側(cè)或者漏電極16b側(cè)的任意一側(cè)是否存在缺陷，則可進行這樣的像素缺陷修正。并且，通過電檢查等判斷為漏電極16a側(cè)或者漏電極16b側(cè)的至少任意一側(cè)存在缺陷時，切斷一個分支部后再次進行電檢查等，若消除了像素缺陷，成為如圖9所示的像素缺陷修正后的像素。并且，詳細情況使用圖10進行后述，但是，此處，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a, 所以在切斷分支部前未指定缺陷處，而漏電極16a側(cè)不存在缺陷的情況下，能夠使用修正用連接電極9容易地使分支部7a與共同部7d恢復導通。
如圖9所示，漏電極16a被電遮斷，漏電極16b通過漏極引出布線分支部7b與漏極引出布線共同部7d電連接，并且，漏極引出布線共同部7d通過接觸孔8與像素電極1連接。并且，在圖9所示的像素中，修正用連接電極9不作為漏電極16b與像素電極1之間的布線部起作用。
圖10示出的是由于源電極6-漏電極16b之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的漏電極16b側(cè)存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a,在修正用連接電極9重疊的部分和漏電極16b之間的97b處切斷漏極引出布線分支部7b，對于漏極引出布線分支部7a、 7b的任意一個，均在96a 處貫通介于中間的絕緣層使其導通并與修正用連接電極9電連接。
在以外觀檢查不能指定缺陷處、通過電檢查等判斷為漏電極16a 側(cè)或者漏電極16b側(cè)的至少任意一側(cè)存在缺陷時，切斷一個分支部后再次進行電檢查等之后的結果是未消除像素缺陷的情況下，實施這樣的像素缺陷修正。在此情況下，因為有可能在已切斷一側(cè)的漏電極側(cè) 不存在缺陷，所以對已切斷一側(cè)的分支部使用修正用連接電極恢復與共同部的導通，切斷其它的分支部。
如圖10所示，漏電極16b^皮電遮斷，漏電極16a以經(jīng)由迂回路徑 95的方式通過漏極引出布線分支部7a、修正用連接電極9以及漏極引出布線分支部7b與漏極引出布線共同部7d電連接。并且，漏極引出布線共同部7d通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21以及接觸孔8與像素電極1連接。
在本實施方式中，為了進行漏極引出布線分支部的分離，從襯底的表面或者背面對切斷處97a、 97b通過照射激光來進行破壞分離。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第四高次諧波(波長 266mn)。另外，為了進行漏極引出布線分支部與修正用連接電極的導通，從村底的表面或者背面對導通處96a照射激光。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第二高次諧波(波長532nm)。并且，在本實施方式中，如圖8至圖10所示，修正用連接電極9的圖形形狀為四角形(四邊形)，但是，作為修正用連接電極9的圖形形狀不限于此，也可以是三角形、半圓形、梯形等形狀。即，優(yōu)選為修正用連接電極9的一部分隔著柵極絕緣膜以與漏極引出布線分支部7a、 7b的圖形重疊的方式設置，并且，以至少確保激光照射用的區(qū)域的方式來構成，例如，可以構成如圖10中以95表，的迂回路徑。另外，4務正用連接電極和漏極引出布線分支部的重疊部分的配置位置也并不特別限定。
本實施方式的像素缺陷修正，至少是在形成像素電極之后進行修正，例如，在應用于液晶顯示裝置中的情況下，為了可靠地電斷開泄漏的溝道、并形成迂回路徑，在形成能夠確認面板點亮的液晶層之后進行修正為好。但是，并不限于此，在本實施方式中，也可以在形成漏極引出布線7a、 7b、 7d之后，在溝道刻蝕后進行修正。
實施方式3
以下，基于圖11至圖14對本發(fā)明的實施方式3進行說明。從圖 11至圖n是表示實施方式3的有源矩陣襯底100的一個像素的結構的平面示意圖。并且，圖ll表示未實施像素缺陷修正的像素的結構、圖12、 13以及14表示對像素缺陷進行修正后的像素的結構。在圖ll至圖14所示的結構中，1個TFT具有兩個源電極6a、 6b以及三個漏電極 16a、 16b、 16c，兩個漏電極16a、 16b與源電極6a對應、兩個漏電極 16b、 16c與源電極6b對應。
如圖11至圖14所示，在有源矩陣襯底100上以矩陣形狀設置多個像素電極l，通過這些像素電極l的周圍，以相互交叉的方式設置供給掃描信號用的各掃描信號線2、供給數(shù)據(jù)信號用的各數(shù)據(jù)信號線3。在這些掃描信號線2與數(shù)據(jù)信號線3的交叉部分設置作為有源元件(開關元件)的TFT4。
作為有源元件的TFT4具有與掃描線2連接的柵電極5、與數(shù)據(jù)信號線3連接的源電極6a、 6b以及漏電極16a、 16b、 16c。并且，漏電極16a、 16b、 16c與由構成布線部的導電層構成的作為第一導電圖形部的漏極引出布線7a、 7b、 7c、 7d連接。該漏極引出布線具有漏極引出布線共同部7d和分別對應于漏電極16a、 16b、 16c分支出來的漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c。
像素電極1通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21 以及接觸孔8與漏極引出布線共同部7d連接。保持電容布線22作為該保持電容元件的另一個電極(保持電容下電極)起作用。并且，在本實施方式中，設置修正用連接電極9,其分別具有150^1112的隔著絕緣層與漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c重疊的部分，并由通過貫通絕緣層進行導通、可與這些分支部7a、 7b、 7c的任意一個均電連接的導電層構成。
圖11示出的是漏電極16a、 16b以及16c的任意一個均不存在缺陷的像素，未實施像素缺陷修正。因此，在圖ll所示的像素中，修正用連接電極9不作為漏電極16a、 16b、 16c與像素電極1之間的布線部起作用。
另外，對于構成本實施方式的有源矩陣襯底的剖面的部件，由于與上述實施方式1的說明重復，因此為了說明上的方便而將其省略。
圖12所示的是由于源電極6a-漏電極16a之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的漏電極16a存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a。若在切斷分支部之前通過外觀檢查等判斷漏電極16a、漏電極16b、漏電極16c的任意一個是否存在缺陷，則可進行這樣的像素缺陷修正。并且，通過電檢查等判斷為漏電極16a、 16b、 16c的至少任意一個上存在缺陷時，切斷一個分支部后再次進行電檢查等，若消除了像素缺陷，成為如圖12所示的像素缺陷修正后的像素。并且，詳細情況使用圖13以及圖14進行后述，但是，此處，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部 7a，所以在切斷分支部前未指定缺陷處，而在漏電極16a不存在缺陷的情況下，能夠使用修正用連接電極9容易地使分支部7a與共同部7d 恢復導通。
如圖12所示，漏電極16a被電遮斷，漏電極16b通過漏極引出布線分支部7b與漏極引出布線共同部7d電連接，漏電極16c通過漏極引出布線分支部7c與漏極引出布線共同部7d電連接，并且，像素電極1通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21和接觸孔8 與漏極引出布線共同部7d連接。并且，在圖12所示的像素中，修正用連接電極9不作為漏電極16b、 16c與像素電極1之間的布線部起作用。
圖13示出的是由于源電極6b-漏電極16b之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的對于漏電極16b存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a,在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97b處切斷漏極引出布線分支部7b，對于漏極引出布線分支部16a、 16c，在96a
處貫通介于中間的絕緣層使其導通并與修正用連接電極9電連接。
在以外觀檢查不能指定缺陷處，通過電檢查等判斷為對于漏電極 16a、 16b或者16c中的至少任意一個存在缺陷時，切斷一個分支部后再次進行電檢查等之后的結果是未消除像素缺陷的情況下，實施這樣的像素缺陷修正。在此情況下，若對未切斷的兩個分支部中的一個進行切斷而能夠消除像素缺陷，則有可能對應于先前已切斷的分支部的漏電極不存在缺陷，所以對于先前已切斷的分支部使用修正用連接電極恢復與共同部之間的導通。在圖13所示的例子中，即使首先在97a 處切斷分支部7a也未消除像素缺陷，所以進一步在97b處切斷分支部7b時消除了像素缺陷，因此使用修正用連接電極9將分支部7a和分支部7b電連接。
如圖13所示，漏電極16b凈皮電遮斷，漏電極16a以經(jīng)由迂回路徑 95的方式通過漏極引出布線分支部7a、修正用連接電極9以及漏極引出布線分支部7c與漏極引出布線共同部7d電連接。并且，漏電極16c 通過漏極引出布線分支部7c與漏極引出布線共同部7d電連接。并且，漏極引出布線共同部7d通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21以及接觸孔8與像素電極1連接。
圖14示出的是由于源電極6b-漏電極16c之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的對于漏電極16c存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a，在修正用連接電極9重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97b處切斷漏極引出布線分支部7b，在修正用連接電極9重疊的部分和漏電極16c 之間的97c處切斷漏極引出布線分支部7c，對于漏極引出布線分支部 16a、 16b、 16c的任意一個，均在96a處貫通介于中間的絕緣層使其導通并與修正用連接電極9電連接。
在以外觀檢查不能指定缺陷處，通過電檢查等判斷為漏電極16a、 16b或者16c中的至少任意一個存在缺陷時，切斷兩個分支部后再次進行電檢查等之后的結果是未消除像素缺陷的情況下，實施這樣的像素缺陷修正。在此情況下，若對未切斷的兩個分支部中的一個進行切斷而未能消除像素缺陷，則有可能對應于所切斷的分支部的兩個漏電極不存在缺陷，所以對于所切斷的兩個分支部使用修正用連接電極恢復與共同部的導通，并切斷剩余的一個分支部。在圖14所示的例子中，即使首先在97a處切斷分支部7a也未消除像素缺陷，進而在97b處切斷分支部7b也未消除像素缺陷，因此，使用修正用連接電極9使分支部7a、 7b與分支部7c電連接，在97c處切斷分支部7c。
如圖14所示，漏電極16c被電遮斷，漏電極16a以經(jīng)由迂回路徑 95的方式通過漏極引出布線分支部7a、修正用連接電極9以及漏極引出布線分支部7c與漏極引出布線共同部7d電連接，漏電極16b通過漏極引出布線分支部7b、修正用連接電極9以及漏極引出布線分支部 7c與漏極引出布線共同部7d電連接。并且，漏極引出布線共同部7d通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21以及接觸孔8與像素電極1連接。
在本實施方式中，為了進行漏極引出布線分支部的分離，從襯底的表面或者背面對切斷處97a、 97b、 97c通過照射激光來進行破壞分離。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第四高次諧波(波長266nm)。另外，為了進行漏極引出布線分支部與修正用連接電極的導通，從襯底的表面或者背面對導通處96a照射激光。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第二高次諧波(波長532mn)。
并且，在本實施方式中，如圖11至圖14所示，修正用連接電極9 的圖形形狀為四角形(四邊形)，但是，作為修正用連接電極9的圖形形狀不限于此，也可以是三角形、半圓形、梯形等形狀。即，優(yōu)選為修正用連接電極9的一部分隔著柵極絕緣膜以與漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c的圖形重疊的方式設置，并且，以至少確保激光照射用的區(qū)域的方式來構成，例如，可以構成如圖13、圖14中以95表示的迂回路徑。另外，修正用連接電極和漏極引出布線分支部的重疊部分的配置位置也并不特別限定。
本實施方式的像素缺陷修正，至少是在形成像素電極之后進行修正，例如，在應用于液晶顯示裝置中的情況下，為了可靠地電斷開泄漏的溝道、并形成迂回路徑，在形成能夠確認面板點亮的液晶層之后進行修正為好。但是，并不限于此，在本實施方式中，也可以在形成漏極引出布線7a、 7b、 7c、 7d之后，在溝道刻蝕后進朽"修正。在本實施方式中，應用于具有3個漏電極的TFT，但并不限于此，對于具有4 個以上的TFT也能夠以相同的方法進行像素缺陷修正。
實施方式4
以下，基于圖15至圖17對本發(fā)明的實施方式4進行說明。圖15 是表示實施方式4的有源矩陣襯底100的一個像素的結構的平面示意圖。并且，圖15表示未實施像素缺陷修正的像素的結構、圖16以及圖17表示對像素缺陷進行修正后的像素的結構。
如圖15至圖17所示，本實施方式的有源矩陣襯底中，像素被分割為多個副像素，副像素電極la、 lb分別與各個TFT4a、 4b連接，成為所謂的多像素結構。在有源矩陣襯底100上以矩陣形狀設置多個副像素電極la、 lb，通過這些副像素電極la、 lb的周圍，以相互交叉的方式設置供給掃描信號用的各掃描信號線2和供給數(shù)據(jù)信號用的各數(shù) 據(jù)信號線3。在這些掃描信號線2與數(shù)據(jù)信號線3的交叉部分設置分別與副像素電極la、 lb連接的作為開關元件的TFT4a、 4b。該TFT4a、 4b為TFT on GATE (TFT on gate)結構，掃描信號線2兼用做柵電極，所以具有提高開口率的效果。
作為有源元件的TFT4a、 4b具有柵電極、與數(shù)據(jù)信號線3連接的源電極6、漏電極16a、 16b。并且，漏電極16a、 16b與由構成布線部的導電層構成的作為第一導電圖形部的漏極引出布線7a、 7b、 7d連接。該漏極引出布線具有漏極引出布線共同部7d和分別對應于漏電極 16a、 16b分支出來的漏極引出布線分支部7a、 7b。副像素電極la、 lb 分別通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21以及接觸孔 8與漏極引出布線共同部7d連接。保持電容布線22起到該保持電容元件的另一電極(保持電容下電極)的作用。并且，在本實施方式中，設置電極9a，其具有150nm2的與漏極引出布線分支部7a、 7b重疊的部分，并由通過貫通絕緣層進行導通、可與這些分支部7a、 7b的任意一個均電連接的導電層構成。
另外，在本實施方式中，與保持電容布線22連接的電極9a以與有源矩陣村底的(副)像素電極狹縫30重疊的方式配置。
有源矩陣村底的像素電極狹縫30是，在大型液晶TV等中所使用的MVA方式的垂直取向型液晶顯示裝置中，形成在襯底上的液晶分割取向控制用的電極圖形。
在本實施方式中，通過在像素電極狹縫30的下方設置與像素電極不同電位的電極9a(是保持電容布線22的延伸部，也可成為修正用連接電極)，可更有效地體現(xiàn)像素電極狹縫30的邊緣場效應，提高液晶取向控制力。并且，其詳細情況后述，但是，電極9a的一部分至少從一個相同的導電層上與保持電容布線22電分離，能夠起到修正用連接電極的作用。
另外，在對于開口率沒有貢獻的像素電極狹縫30的下方形成電極 9a,由此不會重新降低開口率。
另外，對于構成本實施方式的有源矩陣襯底的剖面的部件，由于與上述實施方式1的說明重復，所以為說明上的方便而省略其說明。
此外，在本實施方式中，以與有源矩陣襯底的(副)像素電極狹縫30重疊的方式配置從保持電容布線22延伸的電極9a。
有源矩陣襯底的像素電極狹縫30是，在大型液晶TV等中所使用
的MVA方式的垂直取向型液晶顯示裝置中，形成在襯底上的液晶分割
取向控制用的電極圖形。
另外，電極9a的圖形形狀并不特別限定于圖15至圖17所示的形
狀，可以根據(jù)像素電極狹縫30的形狀或者保持電容布線22的圖形適
當進行調(diào)整。
而且，不需要將電極9a的全部圖形收納在像素電極狹縫30的區(qū) 域內(nèi)，例如，對分別配置在形成于像素內(nèi)的多個像素電極狹縫30下的電極彼此進行連接的布線等可以設置在像素電極狹縫30下方以外處。
此外，在本實施方式中，在MAV方式的垂直取向型液晶顯示裝置中使形成在襯底上的液晶分割取向控制用的狹縫電極圖形與電極(保持電容布線的延伸部)重疊，但是并不限于此，即使與形成在襯底上的分割取向控制用突起重疊，也能起到抑制開口率降低的效果。
另外，TFT4a、 4b由輸入到柵電極5的掃描信號進行驅(qū)動控制，通過對TFT4a、 4b的源電極6輸入數(shù)據(jù)信號，對各個副像素電極la、 lb 施加所希望的電壓。并且，對起到各個副像素的保持電容下電極作用的保持電容布線22施加相位相互不同的信號(像素分割法)。施加給該保持電容下電極的信號通過使形成一個像素的各個副像素的亮度不同，達到提高視角特性的效果(應對傾斜視角中的白浮)。
圖15所示的是對于漏電極16a側(cè)以及漏電極16b側(cè)的任意一側(cè)均不存在缺陷的像素中未實施像素缺陷修正的情況。因此，在圖15所示的像素中，電極9a不作為漏電極16a、 16b與像素電極1之間的布線部起作用。此外，因為不需要起到布線部的作用，所以電極9a的能夠起到修正用連接電極作用的部分不從保持電容布線22上電分離。
圖16所示的是在與副像素lb連接的TFT4b中、由于源電極6-漏電極16a之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的漏電極16a側(cè)存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在電極9a 重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a。
若在切斷分支部之前通過外觀檢查等判斷漏電極16a側(cè)或者漏電極16b側(cè)的任意一側(cè)是否存在缺陷，則可進行這樣的像素缺陷修正。并且，通過電檢查等判斷為漏電極16a側(cè)或者漏電極16b側(cè)的至少任意一側(cè)存在缺陷時，切斷一個分支部后再次進行電檢查等，若消除了像素缺陷，成為如圖16所示的像素缺陷修正后的像素。并且，詳細情況使用圖17進行后述，但是，此處，在電極9a重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a，所以在切斷分支部前未指定缺陷處，而漏電極16a側(cè)不存在缺陷的情況下，能夠使用電極9a的一部分容易地使分支部7a與共同部7d恢復導通。
如圖16所示，在副像素lb中，漏電極16a被電遮斷，漏電極16b 通過漏極引出布線分支部7b與漏極引出布線共同部7d電連接，并且，漏極引出布線共同部7d通過接觸孔8與副像素電極lb連接。并且，在圖16所示的副像素lb中，電極9a不作為漏電極16b與副像素電極 lb之間的布線部起作用。此外，因為不需要起到布線部的作用，所以電極9a的能夠起到修正用電極作用的部分不從保持電容布線22上電分離。
圖17所示的是在與副像素lb連接的TFT4b中、由于源電極6-漏電極16b之間的膜殘留缺陷99引起的泄漏等的漏電極16b側(cè)存在缺陷的像素中實施像素缺陷修正的情況。在該像素缺陷修正中，在電極9a 重疊的部分和漏極引出布線共同部7d之間的97a處切斷漏極引出布線分支部7a，在電極9a重疊的部分和漏電極16b之間的97b處切斷漏極引出布線分支部7b，為使電極9a的一部分從保持電容布線22上電分離而在120處進行切斷，對于漏極引出布線分支部16a、 16b的任意一個，均在96a處使介于中間的絕緣層貫通并進行導通來與電極9a的電分離部分電連接。
在以外觀檢查不能指定缺陷處，通過電檢查等判斷為漏電極16a 側(cè)或者漏電極16b側(cè)的至少任意一側(cè)存在缺陷時，切斷一個分支部后再次進行電檢查等之后的結果是未消除像素缺陷的情況下，實施這樣的像素缺陷修正。在此情況下，因為有可能在已切斷一側(cè)的漏電極側(cè) 不存在缺陷，所以對已切斷一側(cè)的分支部使用修正用電極恢復與共同部的導通，切斷其它的分支部。
如圖17所示，在副像素lb中，漏電極16b被電遮斷，漏電極16a 以經(jīng)由迂回路徑95的方式通過漏極引出布線分支部7a、 4務正用電極 9a以及漏極引出布線分支部7b與漏極引出布線共同部電連接。并且，漏極引出布線共同部7d通過保持電容元件的一個電極(保持電容上電極)21以及接觸孔8與副像素電極lb連接。
在本實施方式中，為了進行漏極引出布線分支部的分離，從襯底的表面或者背面對切斷處97a、 97b以及120通過照射激光來進行破壞分離。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第四高次諧波(波長266mn)。另外，為了進行漏極引出布線分支部與修正用連接電極的導通，從襯底的表面或者背面對導通處96a照射激光。作為所使用的激光波長，例如有YAG激光器的第二高次諧波(波長532nm)。
并且，能夠在本像素內(nèi)對缺陷進行修正的本發(fā)明，能夠抑制作為不同亮度的副像素的功能下降，所以，能夠抑制多像素驅(qū)動的視角特性提高效果的下降。
在本實施方式中，對于副像素lb為像素缺陷的場合進行了應用，但是，對于副像素la為像素缺陷的場合也同樣能夠應用。
此外，在本實施方式中采用了一個像素由兩個副像素構成的多像素結構，但是，也可以是由三個以上副像素構成的結構。
本實施方式是多像素結構且MVA結構，但并不限于此，也可應用于不具有多像素結構的MVA方式或者不是MVA方式的多像素驅(qū)動中。
并且，本發(fā)明并不限定于液晶顯示裝置，例如，也可以是以如下方式構成的有機EL顯示裝置配置濾色片襯底并以與濾色片襯底對置的方式配置本發(fā)明的有源矩陣襯底，在這些襯底與襯底之間配置有機 EL層來作成有機EL面板，在面板的外部引出端子上連接驅(qū)動器等。此外，即使是液晶顯示裝置或者有機EL顯示裝置以外的裝置，只要是由有源矩陣襯底構成的顯示裝置，就可以應用本發(fā)明。
實施方式5
以下，基于圖19至圖24對本發(fā)明的其它實施方式即實施方式5 進行說明。為說明上的方便，對具有與所述實施方式1~4中使用的部件相同功能的部件付以相同符號并省略其說明。
本實施方式的有源矩陣襯底與在實施方式2、 3中所說明的圖8、圖11所示的有源矩陣襯底100不同點在于，對于一個作為有源元件的 TFT4所設置的修正用連接電極9的條數(shù)；在實施方式5中，對于一個 TFT4設置多條修正用連接電極9。并且，不同點^5l在于此。
在圖19所示的有源矩陣襯底100的結構中，具有實施方式2中的圖8所示的兩個漏電極16a、 16b，這些漏電極16a、 16b與漏極引出布線分支部7a、 7b連接，漏極引出布線共同部7d通過接觸孔8與像素電極1連接。并且，在圖8所示的有源矩陣襯底100中，作為第二導電圖形部的修正用連接電極9以在接近漏極引出布線共同部7d的部分只有一條并橫穿漏極引出布線分支部7a、 7b的方式來配置。與此相對，在圖19所示的有源矩陣襯底100中，在接近漏極引出布線共同部7d 的部分和接近TFT4的部分，兩條修正用連接電極9a、 9b以橫穿漏極引出布線分支部7a、 7b的方式來配置。
此外，在圖20所示的有源矩陣襯底100的結構中，具有實施方式 3中的圖11所示的三個漏電極16a、 16b、 16c，這些漏電極16a、 16b、 16c與漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c連接，漏極引出布線共同部7d 通過接觸孔8與像素電極1連接。并且，在圖11所示的有源矩陣襯底 100中，作為第二導電圖形部的修正用連接電極9以在接近漏極引出布線共同部7d的部分只有一條并橫穿漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c 的方式來配置。與此相對，在圖20所示的有源矩陣襯底100中，在接近漏極引出布線共同部7d的部分和接近TFT4的部分，兩條修正用連接電極9a、 9b以壽黃穿漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c的方式來配置。
這樣，通過將對于一個TFT4設置的修正用連接電極9的條數(shù)設為多條，能夠提高缺陷像素的修正概率。
也就是說，若以圖8所示的有源矩陣襯底100為例進行說明，在修正用連接電極9只有一條的結構中，如圖21所示，如果漏極引出布線分支部7a (或者7b)成為斷線80,或者，如圖22所示，修正用連接電極9a本身成為斷線81，則不能進行缺陷像素的修正。
但是，如圖19或者圖20所示的有源矩陣襯底100那樣，作為修正用連接電極9a、 9b，對一個TFT4設置多個修正用連接電極，由此，即使漏極引出布線分支部7a (或者7b)成為斷線80、或者修正用連接電極9a成為斷線81，也能夠使用另外的修正用連接電極9b進行缺陷像素的修正。
此外，這樣在對一個TFT4設置多個修正用連接電極9a、 9b的結構中，修正用連接電極9a、 9b的間隔較寬為好，優(yōu)選為如圖19、 20 所示那樣，在接近漏極引出布線共同部7d的部分和接近TFT4的部分分開設置。這是因為，當發(fā)生如圖21所示那樣的漏極引出布線分支部7a (或者7b)的斷線80時，在修正用連接電極9a、 9b這兩條都配置在接近TFT4附近的部分的結構中，就不能對缺陷像素進行修正。
另外，對于一個TFT4設置的修正用連接電極9的條數(shù)越多，在產(chǎn) 生上述的斷線80、 81的情況下，可修正缺陷像素的可能性也越高，但是，修正用連接電極9的條數(shù)越多，開口率也下降。因此，可以考慮開口率和產(chǎn)生斷線80、 81的容易度來設定修正用連接電極9的條數(shù)。
接著，使用圖23、圖24就即使針對一個TFT4設置多條修正用連接電極9也能夠抑制開口率下降的結構進行說明。
圖23、圖24中所示的有源矩陣襯底100，均與圖20的有源矩陣襯底100相同，都是具有三個漏電極16a、 16b、 16c的類型，其中，設置了兩條修正用連接電極9。不同點在于，在圖20的有源矩陣襯底 100中，兩條修正用連接電極9a、 9b都以橫穿相當于所設置的全部漏極引出布線分支部的三條漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c的方式設置。
與此相對，在圖23、圖24所示的有源矩陣村底100中，兩條中的一條修正用連接電極9a以橫穿全部三條漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c的方式設置(第二導電圖形A部)，但是，另一條修正用連接電極 9B以橫穿所設置的所有漏極引出布線分支部中的兩條以上的一部分漏極引出布線的方式來設置(第二導電圖形B部)。
詳細地說，在圖23所示的有源矩陣襯底100中，修正用連接電極 9B以橫穿漏極引出布線分支部7a、 7b的方式設置，在圖24所示的有源矩陣襯底100中，修正用連接電極9B以橫穿漏極引出布線分支部7b、 7c的方式設置。
這樣，在設置三條以上漏極引出布線分支部的結構中，通過包括以能夠電連接多個漏極引出布線分支部中的一部分漏極引出布線分支部之間所設置的修正用連接電極9B，能夠保持一定的冗余效果同時提
高開口率。
此外，在設置以能夠電連接多個漏極引出布線分支部中的一部分漏極引出布線分支部之間所設置的修正用連接電極9B的情況下，優(yōu)選以具有與漏極引出布線分支部中的線長最長部分重疊的部分，以該線
長最長的漏極引出布線分支部能夠與其它的漏極引出布線分支部電連接的方式設置。
這是因為，布線其線長越長越容易斷線，在圖23、圖24的有源矩陣襯底100的結構中，漏極引出布線分支部7c最容易斷線。即，以橫穿線長最長的漏極引出布線分支部7c與漏極引出布線分支部7b的方式設置修正用連接電極9B的圖24所示的有源矩陣襯底100比圖23所示的有源矩陣襯底100的缺陷像素的修正概率高。實施方式6
以下，基于圖25至圖29對本發(fā)明的其它實施方式即實施方式6 進行說明。為說明上的方便，對具有與所述實施方式1 ~ 5中使用的部件相同功能的部件付以相同符號并省略其說明。
本實施方式的有源矩陣村底與在實施方式2中所說明的圖8所示的有源矩陣襯底100不同點在于，像素電極1具有除去了作為像素電極材料的IT0后的去除部83，該去除部83具有與漏極引出布線分支部 7a、 7b重疊的部分。并且，不同點僅在于此。
對缺陷像素進行修正時，切斷漏極引出布線分支部7a(或者7b), 從漏電極16a (或16b)上斷開，并且，通過修正用連接電極9使所斷開的漏極引出布線分支部7a (或者7b)進一步與連接到正常溝道上的漏極引出布線分支部7b (或者7a)電連接，但是，此時位于上層的像素電極1和與在源極/漏極間產(chǎn)生泄漏(SD泄漏)的溝道連接的漏極引出布線分支部7a (或7b)可能產(chǎn)生泄漏。
與此相對，在圖25、圖27、圖28所示的有源矩陣襯底100中，像素電極1具有除去了作為像素電極材料的ITO后的去除部83,該去除部83具有與漏極引出布線分支部7a、 7b重疊的部分。
詳細地說，在圖25的結構中，對應于修正用連接電極9的配置位置設置去除部83。由此，使漏極引出布線分支部7a、 7b與修正用連接電極9導通時，能夠防止像素電極1和與SD泄漏溝道連接的漏極引出布線分支部7a (或者7b)的泄漏的產(chǎn)生。
此外，在圖26的結構中，對應于在切斷漏極引出布線分支部7a、 7b時的切斷位置設置去除部83。由此，在切斷漏極引出布線分支部7a、 7b時，能夠防止像素電極l和與SD泄漏溝道連接的漏極引出布線分支部7a (或者7b)的泄漏的產(chǎn)生。
并且，在圖27的結構中，由于對應于修正用連接電極9的配置位置以及漏極引出布線分支部7a、7b的各切斷位置設置去除部83，因此，即使在使漏極引出布線分支部7a、 7b和修正用連接電極9導通時、在切斷漏極引出布線分支部7a、 7b時，都能防止像素電極l和與SD泄漏溝道連接的漏極引出布線分支部7a (或者7b)產(chǎn)生泄漏。
此外，所述去除部83也可以作成形成在像素電極1上的所述液晶分子的取向控制用電極狹縫30的一部分。如實施方式4中所說明的那樣，在液晶顯示裝置中，形成有取向控制用電極狹縫30的區(qū)域通常是不作為透射區(qū)域(開口部)起作用的區(qū)域。因此，通過將這樣的取向控制用電極狹縫30用作去除部83，能夠防止因設置去除部83而開口
率下降。
圖28表示將取向控制用電極狹縫30用作去除部83的有源矩陣襯底的結構。如圖28所示，由于將取向控制用電極狹縫30作為去除部 83利用，所以激光照射處97a、 97b沿狹縫形狀傾斜。
但是，由于去除部83使液晶分子的取向混亂，因此如圖29所示，優(yōu)選設置對去除部83進行遮光的遮光膜84。在圖29的結構中，在作為與有源矩陣襯底100對置配置的對置襯底的濾色片襯底上，由黑色矩陣(black matrix)進行遮光。遮光膜84可以設置在有源矩陣襯底 100側(cè)，要緊的是，作為顯示裝置，只要從襯底(液晶面板)面垂直方向看時對去除部83進行遮光即可。
實施方式7
以下，基于圖30對本發(fā)明的其它實施方式即實施方式7進行說明。為說明上的方便，對具有與所述實施方式1~6中使用的部件相同功能的部件付以相同符號并省略其說明。
本實施方式的有源矩陣襯底與在實施方式2中所說明的圖8所示的有源矩陣村底100的不同點在于源電極6的數(shù)目。在圖8的有源矩陣襯底100中，對于一個源電極6設置2個(多個)漏電極。圖8中的有源矩陣襯底的溝道數(shù)為2。另一方面，如圖30所示，在本實施方式的有源矩陣襯底100中，設置三個源電極6a、 6b、 6c，以源電極6a、 6b對應漏電極16a、源電極6b、 6c對應漏電極16b的方式i殳置多個。圖30中的有源矩陣襯底100的溝道數(shù)是4。并且，不同點僅在于此。
如圖8所示的有源矩陣襯底100那樣，通過對一個源電極6具有多個漏電極16a、 16b的結構，具有能夠?qū)崿F(xiàn)對應高速顯示以及抑制電力消耗的效果。
另一方面，在圖30的有源矩陣襯底100中，不能期待這種效果，同的漏極引出布線分支部7a、 7b，并且溝道數(shù)與設有三條漏極引出布線分支部7a、 7b、 7c的圖11 所示的有源矩陣襯底100相同。
因此，在確保溝道數(shù)較多的情況下，能夠抑制TFT4的源電極與漏電極之間的寄生電容(Cgd)引起的像素電位的下降，所以，能夠降低像素電極1達到所希望的有效電壓用的源極電壓，進而能夠抑制電力消耗。
并且，所述實施方式1 ~ 7能夠適當組合，例如，對于一個TFT設置多個修正用連接電極的結構和去除部的組合，對于一個TFT設置多個修正用連接電極的結構和對于漏電極配置多個源電極并增加溝道數(shù) 同時謀求抑制電力消耗的結構的組合等。
并且，用于實施本發(fā)明的優(yōu)選方式中的具體實施方式
或者實施例到底只是用于理解本發(fā)明的技術內(nèi)容，不應該限定于這樣的具體例來進行狹義的解釋，在本發(fā)明的精神和所記載的權利要求書的范圍內(nèi)，可以進行各種變更來實施。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
按照本發(fā)明，能夠提供一種即使在本像素內(nèi)完成修正時開口率也不會過于下降、與信號線連接的電極很難被斷線的有源矩陣襯底或顯示裝置。
這種本發(fā)明的有源矩陣襯底在使用于顯示裝置的面板用襯底時，能夠有助于顯示裝置的成品率提高，特別是能夠用作需要抑制產(chǎn)生點缺陷的大型TV用面板的構成部件。
并且，并不限于液晶顯示裝置，例如，也可以配置濾色片襯底和以與濾色片襯底對置的方式配置本發(fā)明的有源矩陣襯底，在這些襯底與襯底之間通過配置有機EL層來作成有機EL面板，通過在面板的外部引出端子上連接驅(qū)動器等，由此構成有機EL顯示裝置。另外，即使是液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置以外的裝置，只要是由有源矩陣襯底構成的顯示裝置，就可以應用本發(fā)明。
權利要求
1. 一種有源矩陣襯底，其特征在于，有源元件具有連接在掃描線上的源電極、連接在數(shù)據(jù)信號線上的源電極、和多個漏電極，所述多個漏電極連接在由導電層構成的多個漏極引出布線上，所述多個漏極引出布線通過接觸孔與像素電極連接，并具有通過絕緣層與修正用連接電極重疊的部分，所述修正用連接電極是通過貫通絕緣層導通從而能夠與所述多個漏極引出布線電連接的導電層。
2. 如權利要求l記載的有源矩陣襯底，其特征在于對于一個所述源電極，具有多個所述漏電極。
3. 如權利要求1記載的有源矩陣襯底，其特征在于對于一個所述漏電極，具有多個所述源電極。
4. 如權利要求l記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述修正用連接電極是至少從一個導電層使所述有源元件的柵電極用導電層電分離而形成的。
5. 如權利要求l記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述修正用連接電極是至少從一個導電層能夠使保持電容布線用導電層電分離而形成的。
6. 如權利要求l記栽的有源矩陣襯底，其特征在于對于一個有源元件設置多個所述修正用連接電極。
7. 如權利要求6記載的有源矩陣襯底，其特征在于對于一個有源元件設置三個以上的所述漏電極，并且與各漏電極對應地設置三個以上的所述漏極引出布線，所述多個修正用連接電極包括設置為能夠與所有的所述漏極引出布線電連接的修正用連接電極A部、和設置為能夠與兩個以上所述漏極引出布線電連接的修正用連接電極B部。
8. 如權利要求1記栽的有源矩陣襯底，其特征在于像素由多個副像素構成，對于該多個副像素的各個有源元件具有所述修正用連接電極。
9. 如權利要求8記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述多個副像素中的至少兩個副像素的亮度彼此不同。
10. 如權利要求l記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述修正用連接電極隔著絕緣層與漏極引出布線重疊的部分區(qū)域的面積為25nW以上。
11. 如權利要求1記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述修正用連接電極由包含從Al、 Cr、 Ta、 Ti、 W、 Mo以及Cu所組成的組中選擇的至少一種的材料形成。
12. 如權利要求l記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述修正用連接電極具有與液晶分子的取向控制用突起或者電極狹縫重疊的部分。
13. 如權利要求1記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述像素電極具有除去了像素電極材料的去除部，該去除部具有與所述漏極引出布線重疊的部分。
14. 如權利要求13記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述去除部與所述修正用連接電極的配置位置對應地設置。
15. 如權利要求13記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述去除部與切斷所述漏極引出布線時的切斷位置對應地設置。
16. 如權利要求13記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述去除部與所述修正用連接電極的配置位置以及切斷所述分支部時的切斷位置對應地i殳置。
17. 如權利要求13記載的有源矩陣襯底，其特征在于所述去除部是形成在所述像素電極上的液晶分子的取向控制用電極狹縫的一部分。
18. 如權利要求13記載的有源矩陣襯底，其特征在于具有對所述去除部進行遮光的遮光膜。
19. 一種顯示裝置，其特征在于具有權利要求1記栽的有源矩陣襯底。
20. —種顯示裝置，其特征在于具有權利要求13記載的有源矩陣襯底，并且，具有對該有源矩陣襯底的所述去除部進行遮光的遮光膜。
21. —種電視圖像接收機，其特征在于；具有權利要求19或者20記栽的顯示裝置和對電視廣播進行接收的調(diào)諧器部。
全文摘要
一種有源矩陣襯底，TFT(4)對于一個源電極(6)具有多個漏電極(16a、16b)，該多個漏電極中的至少一個通過漏極引出布線與像素電極(1)電連接，漏極引出布線具有第一導電圖形部，其包括漏極引出布線共同部(7d)和從該共同部與多個漏電極的每一個對應地分支出的漏極引出布線分支部(7a、7b)，有源矩陣襯底具有修正用連接電極(9)，其具有隔著絕緣層與第一導電圖形部的分支部重疊的部分，并且通過將絕緣層貫通來進行導通而能夠與多個分支部電連接，由此構成有源矩陣襯底。因此，即使產(chǎn)生像素缺陷，也能在本像素內(nèi)進行像素缺陷修正。
文檔編號H01L27/12GK101447493SQ20091000204
公開日2009年6月3日申請日期2006年5月19日優(yōu)先權日2005年5月23日
發(fā)明者平形義朗, 武內(nèi)正典, 津幡俊英申請人:夏普株式會社

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