專利名稱：電子器件及利用溶液處理技術(shù)制造其的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子器件及利用溶液處理技術(shù)制造其的方法。本發(fā)明的特定實施方式 涉及有機薄膜晶體管、有機光電子器件、有機發(fā)光顯示器件及利用溶液處理技術(shù)制造其的 方法。
背景技術(shù)：
涉及從溶液淀積活性成分的制造電子器件的方法在本領(lǐng)域中是已知的。這種方法 涉及制備一種或多種活性成分可以在其上淀積的襯底。如果活性成分是從溶液淀積的，那 么有一個問題就是如何在襯底的期望區(qū)域中包含該活性成分。對這個問題的一種解決方案 是提供包括構(gòu)圖提層(bank layer)的襯底，該提層限定了在溶液中的活性成分可以淀積的 井。井包含溶液，同時其被干燥，使得活性成分保留在由該井限定的襯底區(qū)域中。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，以上提到的溶液處理方法對于溶液中的有機材料的淀積是特別有用 的。有機材料可以是導(dǎo)電的、半導(dǎo)電的和/或光電有效的(opto-electrically active)，使 得它們可以在電流通過它們的時候發(fā)光或者當(dāng)光撞擊到它們上時通過生成電流來檢測光。 利用這些材料的器件稱為有機電子器件。一個例子是有機晶體管器件。如果有機材料是發(fā) 光材料，則該器件稱為有機發(fā)光器件。以下更具體地討論晶體管和發(fā)光器件。晶體管可以分成兩種主要的類型雙極結(jié)晶體管和場效應(yīng)晶體管。這兩種類型都 采用包括三個電極且半導(dǎo)體材料布置在電極之間的溝道區(qū)域中的通用結(jié)構(gòu)。雙極結(jié)晶體管 的三個電極稱為發(fā)射極、集電極和基極；而在場效應(yīng)晶體管中，這三個電極稱為源極、漏極 和柵極。由于發(fā)射極和集電極之間的電流是由基極和發(fā)射極之間流動的電流控制的，因此 雙極結(jié)晶體管可以描述為電流操作的器件。相反，由于源極和漏極之間流動的電流是由柵 極和源極之間的電壓控制的，因此場效應(yīng)晶體管可以描述為電壓操作的器件。根據(jù)它們分別包括傳導(dǎo)正電荷載流子(空穴)還是負(fù)電荷載流子(電子)的半導(dǎo) 體材料，晶體管還可以分為P型和η型。半導(dǎo)體材料可以根據(jù)其接受、傳導(dǎo)和貢獻(xiàn)出電荷的 能力來選擇。半導(dǎo)體材料接受、傳導(dǎo)和貢獻(xiàn)出空穴或電子的能力可以通過摻雜材料來增強。 用于源極和漏極電極的材料也可以根據(jù)其接受和注入空穴或電子的能力來選擇。例如，ρ型晶體管器件可以通過選擇對接受、傳導(dǎo)和貢獻(xiàn)空穴有效的半導(dǎo)體材料以 及從半導(dǎo)體材料中為源極和漏極電極選擇對注入和接受空穴有效的材料來形成。電極中的 費米能級與半導(dǎo)體材料中的HOMO能級的良好能量級匹配可以增強空穴的注入和接受。相 反，η型晶體管器件可以通過選擇對接受、傳導(dǎo)和貢獻(xiàn)電子有效的半導(dǎo)體材料以及為源極和 漏極電極選擇對將電子注入到半導(dǎo)體材料中和從半導(dǎo)體材料接受電子有效的材料來形成。 電極中的費米能級與半導(dǎo)體材料中的HOMO能級的良好能量級匹配可以增強電子的注入和 接受?？梢猿洚?dāng)η型或ρ型器件的雙極性器件也是已知的。晶體管可以通過在薄膜中淀積成分來形成，以形成薄膜晶體管(TFT)。當(dāng)有機材料 在這種器件中用作半導(dǎo)體材料時，它就被稱為有機薄膜晶體管(OTFT)。針對有機薄膜晶體管的各種布置是已知的。一種這樣的器件是絕緣柵極場效應(yīng)晶體管，它包括源極和漏極電極，半導(dǎo)體材料布置在源極和漏極電極之間的溝道區(qū)域中，還包 括與該半導(dǎo)體材料相鄰布置的柵極電極和布置在柵極電極與溝道區(qū)域中的半導(dǎo)體材料之 間的一層絕緣材料。OTFT可以通過低成本、低溫的方法(例如溶液處理)來制造。而且，OTFT可與柔 性的塑料襯底兼容，在卷到卷處理(roll-to-rollprocess)中提供了在柔性襯底上大規(guī)模 制造OTFT的前景。這種有機薄膜晶體管的例子在圖1中示出。所說明的結(jié)構(gòu)可以淀積在襯底1上 并且包括源極和漏極電極2、4，這兩個電極被位于它們之間的溝道區(qū)6隔開。有機半導(dǎo)體 (OSC)S淀積到溝道區(qū)6中并可以在源極和漏極電極2、4的至少一部分上延伸。電介質(zhì)材 料的絕緣層10淀積在有機半導(dǎo)體8上并可以在源極和漏極電極2、4的至少一部分上延伸。 最后，柵極電極12淀積到絕緣層10上。柵極電極12位于溝道區(qū)6之上并可以在源極和漏 極電極2、4的至少一部分上延伸。由于柵極位于器件的頂側(cè)上，因此以上所述的結(jié)構(gòu)稱為頂柵有機薄膜晶體管。可 選地，在器件的底側(cè)提供柵極也是已知的，這樣將形成所謂的底柵有機薄膜晶體管。這種底柵有機薄膜晶體管的例子在圖2中示出。為了更清楚地示出圖1和2中所 說明結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系，對對應(yīng)的部件使用同樣的標(biāo)號。圖2中所說明的底柵結(jié)構(gòu)包括淀積 在襯底1上的柵極電極12，在其上面淀積了電介質(zhì)材料的絕緣層10。源極和漏極電極2、4 淀積在電介質(zhì)材料的絕緣層10上面。源極和漏極電極2、4被位于其間的柵極電極上的溝 道區(qū)6隔開。有機半導(dǎo)體(OSC)S淀積在溝道區(qū)域6中并可以在源極和漏極電極2、4的至 少一部分上延伸。以上所提到的布置的一個問題是如何在OSC淀積的時候在溝道區(qū)域中包含0SC。 對這個問題的解決方案是提供構(gòu)圖的絕緣提材料層14，該提層限定了 OSC 8可以在其中通 過例如噴墨打印從溶液中淀積的井。這種布置在圖3和4中示出，分別是用于底柵和頂柵 有機薄膜晶體管。同樣，為了更清楚地示出圖1和2中所說明結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系，對于圖3和 4中所說明的結(jié)構(gòu)，對對應(yīng)的部分使用同樣的標(biāo)號。由構(gòu)圖的絕緣材料層14限定的井的外圍圍繞著在源極和漏極電極2、4之間限定 的溝道6的一些或者全部，以方便通過例如噴墨打印來淀積OSC 8。此外，由于絕緣層14是 在OSC 8的淀積之前淀積的，因此它可以淀積與構(gòu)圖而不損害0SC。絕緣層14的結(jié)構(gòu)可以 利用已知的淀積與構(gòu)圖技術(shù)，例如正或負(fù)抗蝕劑光刻、濕蝕刻、干蝕刻等等，以可再現(xiàn)的方 式形成。即使提供了井限定提材料的構(gòu)圖層，在溝道區(qū)中包含OSC和利用用于OSC淀積的 溶液處理技術(shù)在溝道區(qū)中提供好的OSC膜形成的時候仍然存在問題。由于井限定提層上的 OSC溶液的接觸角一般是低的，因此井限定提層的不可控制的浸濕可能會發(fā)生。在最壞的情 況下，OSC可能溢出井外。一種解決方案是利用例如基于氟的等離子體，例如CF4，來處理井限定提的表面， 以便減少其在從溶液淀積OSC之前的可浸濕性。井限定提層頂部上的去濕表面有助于在 OSC淀積的時候在井中包含OSC。另一種解決方案是將本質(zhì)低浸濕的材料用于井限定提層。US2007/0023837描述了 一種布置，其中低浸濕的含氟聚合物，例如由日本的Asahi Glass制造的“Cytop”，在制造TFT襯底時用于形成構(gòu)圖的井限定提層。低浸濕的含氟聚合物材料擅長防止OSC在從溶液 淀積的時候溢出井外。但是，由于井的側(cè)面也是低浸濕的，因此溶液往往包含在井的底部， 這導(dǎo)致膜形成差。即，因為OSC的溶液不會弄濕井的側(cè)面，所以在井的底部形成彎曲的下降 并變干，從而形成不均衡厚度的膜。就像本領(lǐng)域中已知的，不均衡厚度的膜會不利地影響所 產(chǎn)生的器件的性能。US 2007/0020899公開了利用基于氟的等離子體來處理限定電子襯底的配線圖案 的提層表面，以便降低如前面所討論的它的可浸濕性。這個文獻(xiàn)還描述了可選的方法，其中 提供了兩層的提結(jié)構(gòu)，其中提結(jié)構(gòu)限定電子襯底的配線圖案。兩層的提結(jié)構(gòu)包括具有良好 的可浸濕性的第一層和位于其上的包括低浸濕的含氟聚合物的第二層。利用以上提到的兩層提結(jié)構(gòu)，淀積在井中的液體會浸濕由第一層制成的井的側(cè) 面，以便在干燥時在井中提供良好的膜形成，同時第二層防止液體溢出井外。該文獻(xiàn)建議用 于第一和第二提層的材料都應(yīng)當(dāng)是在主鏈中包括硅氧烷(Siloxane)鍵(bond)的聚合物， 而且第二提層的聚合物應(yīng)當(dāng)在側(cè)鏈中包括氟鍵。用于第二提層的材料描述為具有50°及以 上的接觸角。還公開了制造過程，其中形成兩層提結(jié)構(gòu)，活性成分淀積到由提結(jié)構(gòu)限定的井 中，然后同時烘焙活性成分和提結(jié)構(gòu)。以上提到的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)描述了導(dǎo)電粒子可以分散在分散介質(zhì)中并且通過噴墨 打印淀積在由兩層提結(jié)構(gòu)限定的區(qū)域中，以便形成導(dǎo)電電路。該文獻(xiàn)描述導(dǎo)電粒子可以是 金屬、氧化物、合金、有機金屬化合物或者導(dǎo)電聚合物。列出了各種分散介質(zhì)，包括水、酒精、 烴化合物和醚(ether)化合物。該文獻(xiàn)描述以上提到的方法可以用于制造用于顯示器的底板電路。根據(jù)該文獻(xiàn)， 提供了 TFT襯底，然后在其上面淀積兩層的提結(jié)構(gòu)，該提結(jié)構(gòu)用于限定在其中通過噴墨打 印例如分散介質(zhì)中的ITO的導(dǎo)電粒子來淀積像素電極的區(qū)域。描述了襯底可以用作液晶顯 示器或者有機電致發(fā)光器件的底板。對于有機電致發(fā)光器件，看起來是公開了兩個單獨的 提結(jié)構(gòu)第一個提結(jié)構(gòu)限定利用先前描述的兩層提結(jié)構(gòu)形成的像素電極；而第二個提結(jié)構(gòu) 限定其中空穴運輸材料和發(fā)光材料被噴墨打印的井，該第二個提結(jié)構(gòu)包括不以任何途徑進(jìn) 行處理的單獨的層。以上提到的現(xiàn)有技術(shù)涉及用于TFT襯底制造的低浸濕性提的提供，但也提到了對 于發(fā)光材料的單個提層結(jié)構(gòu)的使用。以下更具體地討論有機發(fā)光器件。相比其它平板技術(shù)，利用OLED(有機發(fā)光器件)制造的顯示器提供了多個優(yōu)點。它 們明亮、顏色豐富、切換快速、提供寬視角并且容易在多種襯底上制造而且便宜。有機(在 這里包括有機金屬)發(fā)光二極管(LED)可以依賴所采用的材料在一定的顏色范圍內(nèi)利用包 括聚合物、小分子和樹枝形分子(dendrimer)的材料制造?；诰酆衔锏挠袡CLED的例子 在WO 90/13148,WO 95/06400和WO 99/48160中描述?；跇渲π畏肿拥牟牧系睦釉赪O 99/21935和W002/067343中描述。所謂基于小分子的器件的例子在US 4，539，507中描述。典型的OLED器件包括兩層有機材料，一層是發(fā)光材料層，所述發(fā)光材料例如發(fā)光 聚合物(LEP)、低聚體(oligomer)或者發(fā)光低分子量材料，另一層是空穴運輸材料層，所述 空穴運輸材料例如聚噻吩(polythiophene)衍生物或者聚苯胺(polyaniline)衍生物。OLED可以在像素矩陣中淀積到襯底上，以便形成單色或者多色像素化的顯示器。 多色顯示器可以利用紅、綠和藍(lán)發(fā)光像素組來構(gòu)造。所謂的有源矩陣顯示器具有存儲器元件，一般是與每個像素關(guān)聯(lián)的存儲電容器和薄膜晶體管(TFT)，而無源矩陣顯示器沒有這種 存儲器元件，相反，其被反復(fù)掃描，以便給出對穩(wěn)定圖像的印象。其它的無源顯示器包括分 段顯示器，其中多個段共享共同的電極，而且一個段可以通過對其另一個電極施加電壓來 點亮。簡單的分段顯示器不需要被掃描，但是，在包括多個分段區(qū)域的顯示器中，電極可以 多路復(fù)用(以減少其個數(shù))，然后被掃描。圖5a示出了通過OLED器件的例子100的垂直截面圖。在有源矩陣顯示器中，像 素區(qū)域的部分被關(guān)聯(lián)的驅(qū)動電路(在圖5a中未示出)占用。為了說明，該器件的結(jié)構(gòu)稍微 有些簡化。OLED 100包括襯底102，這一般是0. 7mm或者1. Imm的玻璃，但可選地也可以是透 明塑料或者某種其它基本透明的材料。陽極層104淀積到襯底上，一般包括大約40至150nm 厚的ITO(氧化銦錫)，在其一部分上提供了金屬接觸層。一般來說，接觸層包括大約500nm 的鋁或者夾在鉻層之間的鋁層，這有時候稱為陽極金屬。被ITO和接觸金屬覆蓋的玻璃襯 底是廣泛可用的。ITO上的接觸金屬幫助提供電阻降低的通路，其中陽極連接不需要是透明 的，尤其是對于到器件的外部接觸更是如此。通過標(biāo)準(zhǔn)的光刻處理、之后進(jìn)行蝕刻，在不需 要的地方，尤其是在將使顯示器變暗的地方，將接觸金屬從ITO除去?；旧贤该鞯目昭ㄗ⑷雽?06淀積到陽極層上，然后是電致發(fā)光層108和陰極 110。電致發(fā)光層108可以包括例如PPV (聚對苯乙炔(poly (p-phenylenevinylene)))和 空穴注入層106，其中空穴注入層106幫助匹配陽極層104和電致發(fā)光層108的空穴能量 級，它可以包括導(dǎo)電的透明聚合物，例如來自德國H. C. Starck的PEDOTPSS (聚苯乙烯磺酸 (polystyrene-sulphonate)摻雜的聚乙烯二氧噻吩(polyethyl ene-dioxythiophene))0 在典型的基于聚合物的器件中，空穴運輸層106可以包括大約200nm的PED0T。發(fā)光聚合物 層108 —般的厚度是大約70nm。這些有機層可以通過旋涂(然后再通過等離子體蝕刻或者 激光燒蝕從不需要的區(qū)域除去材料)或者通過噴墨打印來淀積。在后一種情況下，提112 可以利用例如光致抗蝕劑在襯底上形成，以便限定有機層可以淀積到其中的井。這種井限 定了顯示器的發(fā)光區(qū)域或者像素。陰極層110—般包括低功函數(shù)金屬，例如被較厚的鋁蓋層覆蓋的鈣或者鋇(例如， 通過物理氣相淀積來淀積)?？蛇x地，為了改進(jìn)的電子能量級匹配，附加的層可以與電致發(fā) 光層緊挨著提供，例如氟化鋰層。陰極線的相互電隔離可以通過陰極隔離器(在圖5a中未 示出)的使用來獲得或者增強。對小分子器件，也可以采用相同的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。一般來說，是在單個襯底上制造許多顯示器，然后在制造過程結(jié)束時，襯底被劃 線，并且在封裝外殼附接到每個顯示器以抑制氧化和濕氣進(jìn)入之前將顯示器分開?？蛇x地， 顯示器可以在劃線和分隔之前封裝。為了照亮0LED，通過例如圖5a中說明的電池118，在陽極和陰極之間施加功率。在 圖5a所示的例子中，光通過透明的陽極104和襯底102發(fā)射，而陰極通常是反射性的。這 種器件稱為“底部發(fā)射器”。通過陰極發(fā)射的器件(“頂部發(fā)射器”)也可以通過例如保持 陰極層110的厚度小于大約50-100nm、使得陰極基本透明和/或利用例如ITO的透明陰極 材料來構(gòu)造。現(xiàn)在參考圖5b，其示出了通過無源矩陣OLED顯示器器件150的簡化截面圖，其中與圖5a中那些元件相同的元件用相同的標(biāo)號來指示。如所示出的，分別在陽極金屬104和 陰極層110限定的相互垂直的陽極和陰極線的交叉點，空穴運輸層106和電致發(fā)光層108 被再分成多個像素152。圖中，在陰極層110中限定的導(dǎo)電線154進(jìn)入頁面，而且示出了通 過相對于陰極線成直角延伸的多條陽極線158中一條的截面圖。位于陰極和陽極線交叉點 處的電致發(fā)光像素152可以通過在相關(guān)的線之間施加電壓來尋址。陽極金屬層104提供了 到顯示器150的外部接觸，并且可以用于陽極和陰極到OLED的連接(通過在陽極金屬引出 物(lead-out)上延伸陰極層圖案)。以上提到的OLED材料，尤其是發(fā)光聚合物材料和陰極，容易遭受氧化和并受到濕 氣影響。因此，器件要封裝在金屬或玻璃外殼111內(nèi)，該外殼111通過可紫外線固化環(huán)氧膠 113附連到陽極金屬層104上。優(yōu)選地，陽極金屬接觸被薄化，在那里它們在金屬外殼111 的邊緣下通過，以方便膠113暴露給紫外線光，進(jìn)行固化。為了實現(xiàn)全色、完全塑料的屏幕，已經(jīng)投入了相當(dāng)大的努力。實現(xiàn)這個目標(biāo)的主要 挑戰(zhàn)是(1)對發(fā)射三原色紅、綠和藍(lán)光的共軛聚合物的訪問；及(2)該共軛聚合物必須容 易處理和制造成全色顯示器結(jié)構(gòu)。聚合物發(fā)光器件(PLED)在滿足第一個需求時顯示出很 大的希望，因為對發(fā)射顏色的操作可以通過共軛聚合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)。但是，雖然對共 軛聚合物化學(xué)性質(zhì)的調(diào)制在實驗室規(guī)模上常常是容易且便宜的，但在工業(yè)規(guī)模上卻可能是 昂貴且復(fù)雜的處理。對全色矩陣器件的容易處理能力和構(gòu)造的第二個需求提出了如何對精 細(xì)的多色像素進(jìn)行微構(gòu)圖和如何實現(xiàn)全色發(fā)射的問題。噴墨打印和混合噴墨打印技術(shù)已經(jīng) 吸引了對PLED器件的構(gòu)圖的很多興趣(見，例如，Sciencel998，279，1135 ；Wuel等，Appl Phys. Lett. 1998，73, 2561 ；及 J. Bharathan, Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 1998，72, 2660)。為了促進(jìn)全色顯示器的開發(fā)，已經(jīng)尋找展示出直接顏色調(diào)諧、良好處理能力并具 有便宜的大規(guī)模制造潛能的共軛聚合物。聚-2，7-芴(Poly-2，7-flUorene)已經(jīng)成為很 多對藍(lán)光發(fā)射聚合物研究的對象(見，例如，A. W. Grice, D. D. C. Bradley, Μ. Τ. Bernius, Μ. Inbasekaran, W. W. Wu 禾口 Ε· P. Woo, Appl. Phys. Lett. 1998，73，629 ;J. S. Kim, R. H. Friend 和 F. Cacialli, Appl. Phys. Lett. 1999,74,3084 ；W0-A-00/55927 和 Μ. Bernius 等，Adv. Mater.，2000，12，No. 23，1737)。有源矩陣有機發(fā)光器件(AMOLED)在本領(lǐng)域中是已知的，其中電致發(fā)光像素和陰 極淀積到玻璃襯底和透明陽極上，其中玻璃襯底包括用于控制單個像素的有源矩陣電路。 這些器件中的光通過陽極和玻璃襯底朝觀看者發(fā)射(所謂的底部發(fā)射)。作為對這個問題 的解決方案，已經(jīng)開發(fā)出了具有透明陰極的器件(所謂的“頂部發(fā)射”器件)。透明的陰極 必須具有以下屬性透明性；導(dǎo)電性；及用于電子有效地注入到器件電致發(fā)光層或者電子 運輸層(如果存在的話)的LUMO上的低功函數(shù)。頂部發(fā)射器件的例子在圖6中示出。頂部發(fā)射器件包括襯底202，絕緣平坦化層 204布置到該襯底上。在平坦化層204中提供通孔，使得陽極可以連接到其關(guān)聯(lián)的TFT (未 示出)。陽極206布置到平坦化層204上，在其上提供井限定提208。陽極206優(yōu)選地是反 射性的。電致發(fā)光材料210布置到由提限定的井中，并且透明的陰極212淀積到井和提之 上，以便形成連續(xù)的層。對電致發(fā)光配方的噴墨打印是形成構(gòu)圖器件的便宜而有效的方法。如在EP-A-0880303中所公開的，這需要使用光刻形成井，其中井限定了電致發(fā)光材料要通過噴 墨打印淀積到其中的像素。還已知，以類似于前面關(guān)于TFT所述的方式，利用基于氟的等離 子體處理井限定層，以在電致發(fā)光材料淀積之前降低井限定提層的上表面的可浸濕性。本發(fā)明的目的是改進(jìn)以上所述的器件與制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種電子器件，包括包括電路元件的電子襯底； 布置在電子襯底之上的雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面 的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及布置在 由雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中的有機半導(dǎo)體材料。第二層是由固有低可浸濕性(高接觸角)材料形成的，以便相對于第一層的處理 表面形成分離和不同的層，其中第一層的表面的化學(xué)性質(zhì)被改變了。如在背景技術(shù)部分中所討論的，已知提供限定井的單提結(jié)構(gòu)，在井中淀積器件的 有機半導(dǎo)體材料。還已知利用基于氟的等離子體處理來處理這種單提結(jié)構(gòu)的表面來降低其 可浸濕性。但是，本申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)存在與這些處理相關(guān)的一些問題。降低絕緣提層可浸濕 性的處理通常是不穩(wěn)定的，而且處理后的表面趨于在一段時間內(nèi)恢復(fù)其最初的可浸濕性， 尤其是在經(jīng)受進(jìn)一步的處理步驟的情況下。因此，如果在構(gòu)圖以形成井之前為降低其表面 可浸濕性而處理絕緣層，則在井形成且準(zhǔn)備淀積有機半導(dǎo)體材料的時候，表面趨于已經(jīng)朝 其最初的可浸濕性恢復(fù)。可選地，如果首先形成井，然后再施加表面處理，則發(fā)現(xiàn)這種表面 處理損壞了暴露在井中的電子襯底的電路。在認(rèn)識到這些問題以后，本申請人意識到雙提井限定結(jié)構(gòu)將解決這些問題。盡管 從US 2007/0020899已知提供用于噴墨打印分散介質(zhì)中的導(dǎo)電粒子的雙提井限定結(jié)構(gòu)以 便形成電子襯底的電路，但是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)為要淀積在電子襯底之上的有源有機半導(dǎo)體 材料提供雙提井限定結(jié)構(gòu)實際更有用，因為已經(jīng)發(fā)現(xiàn)降低可浸濕性的其它方法(例如等離 子體處理)損壞暴露在井中的襯底的下層電子電路。有機半導(dǎo)體材料可以形成OTFT的活性層或者OLED的活性層。在OTFT的情況下，電子襯底的電路元件包括源極和漏極電極，在其上布置雙提結(jié) 構(gòu)，溝道區(qū)限定在源極和漏極電極之間。對于底柵0TFT，電子襯底還包括柵極電極，在其上 面布置有柵極電介質(zhì)，源極和漏極電極布置在柵極電介質(zhì)之上。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明對于底柵 OTFT特別有用，因為本申請人發(fā)現(xiàn)暴露在由提結(jié)構(gòu)限定的井中的溝道區(qū)中的柵極電介質(zhì)對 例如基于氟的等離子體處理的可選處理方法特別敏感。在OLED的情況下，電子襯底的電路元件包括OLED的下電極。在有源矩陣OLED顯 示器件中，電子襯底的電路元件還包括0TFT，其自身可以利用根據(jù)本發(fā)明的雙提結(jié)構(gòu)形成。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了制造電子器件的方法，該方法包括提供包括電路 元件的電子襯底；在電子襯底之上形成雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕 緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸 濕性；及在由雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機半導(dǎo)體材料的溶液。本發(fā)明第二方面的方法適于制造根據(jù)本發(fā)明第一方面的電子器件。有機半導(dǎo)體材料可以在水溶液中淀積，或者可選地，可以使用有機溶劑。噴墨打印是用于在由雙提井限定 結(jié)構(gòu)所限定的井中淀積有機半導(dǎo)體材料溶液的優(yōu)選方法。但是，利用其中頂層具有非常低 的可浸濕性(非常高的接觸角)的雙提結(jié)構(gòu)，其它溶液處理技術(shù)也是可能的。例如，溶液可 以較少區(qū)別的方式淀積在襯底之上，例如整片打印(floodprinting)，而且提結(jié)構(gòu)非常高接 觸角的頂層確保溶液流到井中，使得沒有溶液留在提結(jié)構(gòu)上。優(yōu)選地，雙提井限定結(jié)構(gòu)的第一和第二層是由有機材料(更優(yōu)選地是由聚合物材 料)形成的。本申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)某些氟化聚合物，例如Cytop，比其它氟化聚合物具有高得 多的接觸角(例如大于80° )，因此具有低得多的可浸濕性。本申請人發(fā)現(xiàn)這些非常高接 觸角的聚合物對于在單層提結(jié)構(gòu)(例如US 2007/0023837中所描述的那些)中的使用有某 些缺點，即，它們導(dǎo)致如前所述厚度不一致的膜。但是，本申請人發(fā)現(xiàn)它們對于用作雙提結(jié) 構(gòu)中的頂層是理想的。因此，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電子器件，包括襯底；布置在襯底之 上的雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材 料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由雙提井限定結(jié) 構(gòu)限定的井中的有機材料，第二層絕緣材料具有大于80°的接觸角。此外，還提供了適于制造這種電子器件的方法，該方法包括提供襯底；在襯底之 上形成雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材 料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及在由雙提井限定結(jié)構(gòu)所 限定的井中淀積有機材料的溶液，第二層絕緣材料具有大于80°的接觸角。優(yōu)選地，第二層絕緣材料的接觸角甚至更高，例如大于100°。非常高接觸角 的材料的例子包括來自Aldrich的Cytop類型的材料。Cytop類型的材料的一個例子 是具有大約135°接觸角的聚-1，1，2，4，4，5，5，6，7，7-十氟-3-氧雜-1，6-庚二烯 (Poly-1,1,2,4,4,5,5,6,7, 7-decafluoro-3-oxa-l, 6-heptadiene)。其可以以全氟代三 胺(perfluorotriakylamine)溶劑中8-10%的重量的量來提供，其中溶劑構(gòu)成溶液重量的 90-92%。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這種材料對于從水溶液(例如導(dǎo)電聚合物的水溶液，尤其是例如PEDOT 的空穴注入聚合物)淀積有機材料特別有用。這種材料對于從有機溶劑淀積有機材料也是 有用的。因此，包括第二層這種材料的雙提結(jié)構(gòu)可以在例如從水溶液淀積空穴注入層和從 有機溶劑淀積發(fā)光層的時候使用。本申請人已經(jīng)認(rèn)識到利用包括氟化聚合物的溶液和氟化溶劑形成雙提結(jié)構(gòu)的第 二層是特別有利的。因此，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造電子器件的方法，該方 法包括提供襯底；在襯底之上形成雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣 材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕 性；及在由雙提井限定結(jié)構(gòu)所限定的井中淀積有機材料的溶液，其中第二層絕緣材料是從 氟化溶劑中淀積的氟化聚合物。本申請人認(rèn)識到的另一個問題是雙提結(jié)構(gòu)中兩層材料之間的粘合性差。相應(yīng)地， 本申請人發(fā)現(xiàn)在兩層之間提供粘合層，例如粘合樹脂，是有利的。其可以在第二層淀積之前 通過例如旋涂淀積到提結(jié)構(gòu)的第一層上。因此，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電子 器件，包括襯底；布置在襯底之上的雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣 材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中的有機材料，其中雙提井限定結(jié)構(gòu)包括布置在 第一和第二層之間的粘合材料層。本申請人還發(fā)現(xiàn)烘焙會降低第二層提材料的可浸濕性。因此，他們發(fā)現(xiàn)在從溶液 淀積有機材料之前提供烘焙步驟在有利的。因此，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造 電子器件的方法，該方法包括提供襯底；在襯底之上形成雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定 結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層 絕緣材料低的可浸濕性；及在由雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液，其中在 由該雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液之前該雙提井限定結(jié)構(gòu)經(jīng)受烘焙步 驟。烘焙可以處于150°至250°范圍之內(nèi)的溫度，更優(yōu)選地是170°至210°，最優(yōu)選地是 180°至200°。烘焙優(yōu)選地是在例如N2的惰性氣氛中執(zhí)行的。對于有機發(fā)光器件，例如 PEDOT的空穴注入材料可以在烘焙之前淀積，使得空穴注入層和提結(jié)構(gòu)在在井中淀積有機 發(fā)光材料之前同時被烘焙。本申請人認(rèn)識到的另一個問題是，在提結(jié)構(gòu)中形成井之后，期望提供例如O2等 離子體處理的清潔步驟。這個步驟清潔井中的表面并在有機材料在其中淀積之前增加 這些表面的可浸濕性。但是，本申請人發(fā)現(xiàn)這個步驟大大增加了先前為降低其可浸濕性 而已經(jīng)利用例如基于氟的等離子體處理處理過的提表面的可浸濕性。事實上，這種處理 過的表面的接觸角在這種清潔步驟后會降到低于10°。因此，當(dāng)井中有機材料的密封度 (containment)成為問題時，這種清潔步驟必須避免。相反，本申請人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)使用具有固有 低濕性的第二層的雙提結(jié)構(gòu)時，清潔步驟可以在保持提上良好的去濕特征的同時執(zhí)行。例 如，用于Cytop類型材料的接觸角即使在O2等離子體清潔步驟之后也還保持超過100°。因 此，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造電子器件的方法，該方法包括提供襯底；在 襯底之上形成雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層 絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及在由雙提井限定 結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液，其中該方法還包括在形成雙提井限定結(jié)構(gòu)步驟之后 并在由雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液之前的清潔步驟。在一種特別優(yōu)選的實施方式中，先前所述的烘焙步驟是在清潔步驟之后并在由雙 提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液之前執(zhí)行的。發(fā)現(xiàn)烘焙步驟在利用例如02等 離子體的清潔之后重新生成提上的低可浸濕性表面。本申請人還發(fā)現(xiàn)，在某些情況下，形成雙提結(jié)構(gòu)使得第一和第二層限定圍繞井的 階梯結(jié)構(gòu)是有利的。這種階梯結(jié)構(gòu)可以允許井被溶液過度填充。這種結(jié)構(gòu)還提供用于井中 所淀積的不同流體的兩個不同的釘扎點(pinning point)，一個在圍繞井的第一層的邊緣， 而另一個在從井后退的第二層的邊緣。這可以確保例如在烘干淀積在井中的第二種材料 時，完全覆蓋井中淀積的第一種材料，尤其是圍繞井的邊緣。不同的流體可以選擇成具有不 同的浸濕能力，例如，一種流體可以是水溶液，而另一種流體可以包括有機溶劑。因此，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種電子器件，包括襯底；布置在襯底之 上的雙提井限定結(jié)構(gòu)，該雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材 料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由雙提井限定結(jié) 構(gòu)限定的井中的有機材料，其中雙提井限定結(jié)構(gòu)的第一和第二層限定了圍繞每個井的階梯 結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，雙提井限定結(jié)構(gòu)可以包括限定至少一個井的周界不延伸 到相鄰井周界的分立的環(huán)。這種所謂的“環(huán)提”布置包括多個提材料的分立環(huán)，并在本申請 人的共同未決申請PCT/GB2007/003595中進(jìn)行了描述。這種布置和傳統(tǒng)的提結(jié)構(gòu)形成了對 比，其中傳統(tǒng)的提結(jié)構(gòu)基本是具有在其中形成的多個洞(井)的連續(xù)薄層。根據(jù)優(yōu)選實施方式，提供了根據(jù)前面所述結(jié)構(gòu)和方法制造的有機薄膜晶體管或者 有機發(fā)光器件。根據(jù)某些實施方式，提供了有源矩陣有機光學(xué)器件和制造其的方法，其中根 據(jù)前面所述的結(jié)構(gòu)和方法提供了有機薄膜晶體管和有機發(fā)光器件。


現(xiàn)在將參考附圖通過示例的方式更具體地描述本發(fā)明，其中圖1示出了已知的頂柵有機薄膜晶體管布置；圖2示出了已知的底柵有機薄膜晶體管布置；圖3示出了底柵有機薄膜晶體管布置，該布置具有用于包含有機半導(dǎo)體的井；圖4示出了頂柵有機薄膜晶體管布置，該布置具有用于包含有機半導(dǎo)體的井；圖5a示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的底部發(fā)射有機發(fā)光器件；圖5b示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的底部發(fā)射有機發(fā)光器件；圖6示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)射有機發(fā)光器件；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的雙提結(jié)構(gòu)；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式在形成雙提結(jié)構(gòu)中所涉及的方法步驟；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明另一種實施方式的雙提結(jié)構(gòu)；圖10說明了包括有機薄膜晶體管和有機發(fā)光器件的有源矩陣有機發(fā)光顯示器的 一部分；及圖11說明了包括有機薄膜晶體管和有機發(fā)光器件的另一種有源矩陣有機發(fā)光顯 示器布置的一部分。
具體實施例方式本發(fā)明的實施方式涉及包括構(gòu)圖的井限定提結(jié)構(gòu)的印制電子器件。實施方式尋求 提供一種提結(jié)構(gòu)，其中井的側(cè)壁浸濕，而提結(jié)構(gòu)的頂部是抗?jié)竦?。實施方式還尋求提供一種 不涉及利用基于氟的氣體系統(tǒng)的等離子體處理的制造處理，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)這種等離子體處理會 損壞暴露在井中的電路元件或者器件層。實施方式具有獲得良好器件性能但同時又在器件 的活性有機材料從溶液淀積的過程中維持最優(yōu)打印性能的潛能。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的雙提結(jié)構(gòu)。該雙提結(jié)構(gòu)設(shè)置在電子襯底701 上并且包括底層700，該底層700可以是抗蝕劑層、例如聚酰亞胺(polyimide)、旋裝玻璃 (spin-on-glass)或BCB的另一種有機材料、或者例如SiO2的無機材料。具有固有低可浸 濕性(高接觸角)材料的上層702布置在該底層之上。對于這種上層702，一種實施方式使 用由Asahi Glass開發(fā)的稱為Cytop的材料，這種材料即使在氧等離子體處理之后也是可 溶液處理的和憎水的。在將Cytop淀積到底層上之后，可以利用雙光刻處理或者自對準(zhǔn)處 理在雙提結(jié)構(gòu)中形成井704。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式在形成雙提結(jié)構(gòu)中所涉及的方法步驟。首先，有機抗蝕劑800旋涂到電子襯底801上，通過例如UV整片曝光(flood exposure)進(jìn)行烘焙和 交聯(lián)(圖8A)。接下來，底層涂料(primer) 802旋涂到抗蝕劑上，以增強要淀積到其上的層 的粘性(圖8B)。然后，旋涂并溫和烘焙Cytop 804(圖8C)。然后，將結(jié)構(gòu)暴露于O2等離子 體處理805，以幫助浸濕。旋涂、UV曝光并顯影厚的抗蝕劑層806，以定義掩模(圖8D)。O2 等離子體蝕刻通過Cytop 804和下層的抗蝕劑層800形成井808。任何多余的材料都可以 從掩模除去(圖8E)。緊挨在活性層淀積到井808中之前，將結(jié)構(gòu)暴露給O2等離子體，以清 潔結(jié)構(gòu)的表面，然后在180攝氏度在N2中進(jìn)行高溫固化，以便重新生成憎水表面(圖8F)。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明另一種實施方式在襯底901上的雙提結(jié)構(gòu)，包括圍繞井的 階梯結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)為在井中淀積的不同流體提供了兩個不同的釘扎點，一個在圍繞井902 的第一層900的邊緣906，一個在從井902后退的第二層904的邊緣908。這可以確保例如 在干燥井中淀積的第二種材料時，完全覆蓋井中淀積的第一種材料，尤其是圍繞井的邊緣。 不同的流體可以選擇成具有不同的浸濕能力，例如，一種流體可以是水溶液，而另一種流體 可以包括有機溶劑。盡管圖9中的階梯結(jié)構(gòu)示出了垂直的壁，但也可以提供不同的形狀和 角度。例如，由第一提層900限定的井的壁可以底切或者具有正輪廓。類似地，第二提層 904可以具有底切邊緣或者具有帶正輪廓的邊緣。以下進(jìn)一步具體討論適于根據(jù)本發(fā)明實施方式形成OTFT的材料和處理。IM襯底可以是剛性的或者柔性的。剛性襯底可以選自玻璃或者硅，而柔性襯底可以 包括薄的玻璃或塑料，例如聚對苯二甲酸乙二脂(poly(ethylene-ter印hthalate)) (PET)、 聚鄰苯二甲酸酯(poly(ethylene_naphthalate))PEN、聚碳酸脂(polycarbonate)和聚酰 亞胺(polyimide)。通過使用適當(dāng)?shù)娜軇梢允褂袡C半導(dǎo)體材料變成可溶液處理的。示例性的溶劑 包括單或聚烷基苯(poly-alkylbenzene)，例如甲苯和二甲苯；萘滿(tetralin)；及氯仿 (chloroform)。優(yōu)選的溶液淀積技術(shù)包括旋涂和噴墨打印。其它的溶液淀積技術(shù)包括浸涂、 卷筒打印和絲網(wǎng)印刷。有機半導(dǎo)體材料優(yōu)選的有機半導(dǎo)體材料包括小分子，例如選擇性取代的并五苯(pentacene)；選 擇性取代的聚合物，例如聚芳硫醚(polyarylene)，尤其是聚芴(polyfluorene)和聚噻吩 (polythiophene)；及低聚物(oligomer)。材料的混合，包括不同材料類型的混合(例如， 聚合物和小分子的混合)，也可以使用。源極和漏極電極對于ρ溝道0TFT，優(yōu)選地，源極和漏極電極包括高功函數(shù)材料，優(yōu)選地是金屬，具 有大于3. 5eV的功函數(shù)，例如金、鉬、鈀、鉬、鎢或者鉻。更優(yōu)選地，金屬具有在4. 5至5. 5eV 范圍內(nèi)的功函數(shù)。其它合適的化合物、合金和氧化物，例如三氧化鉬和氧化銦錫，也可以使 用。源極和漏極電極可以通過熱蒸發(fā)來淀積并利用本領(lǐng)域中已知的標(biāo)準(zhǔn)光刻和剝離技術(shù)來 構(gòu)圖?？蛇x地，導(dǎo)電聚合物可以淀積為源極和漏極電極。但這種導(dǎo)電聚合物的一個例子 是聚乙撐二氧噻吩poly (ethylene dioxythiophene) (PEDOT)，但其它導(dǎo)電聚合物在本領(lǐng)域 中也是已知的。這種導(dǎo)電聚合物可以利用例如以上討論的旋涂或者噴墨打印技術(shù)及其它溶液淀積技術(shù)從溶液中淀積。 對于η溝道0TFT，優(yōu)選地源極和漏極電極包括功函數(shù)小于3. 5eV的材料，例如鈣或 鋇的金屬或者薄的金屬化合物層，尤其是堿性或者堿土金屬的氧化物或氟化物，例如氟化 鋰、氟化鋇和氧化鋇?？蛇x地，導(dǎo)電聚合物也可以淀積為源極和漏極電極。為了方便制造，源極和漏極電極優(yōu)選地是由相同的材料形成的。但是，應(yīng)當(dāng)理解， 分別為了電荷注入和提取的最優(yōu)化，源極和漏極電極可以由不同的材料形成。在源極和漏極電極之間限定的溝道的長度可以高達(dá)500微米，但優(yōu)選地該長度是 小于200微米，更優(yōu)選地是小于100微米，最優(yōu)選地是小于20微米。柵極電極柵極電極可以選自很寬范圍的導(dǎo)電材料，例如金屬(例如，金)或者金屬化合物 (例如，氧化銦錫)。可選地，導(dǎo)電聚合物也可以淀積為柵極電極。這種導(dǎo)電聚合物可以利 用例如以上討論的旋涂或者噴墨打印技術(shù)及其它溶液淀積技術(shù)從溶液淀積。盡管一般是例如由原子力顯微鏡(AFM)測量出的50nm，但是柵極電極、源極和漏 極電極的厚度可以在5-200nm的區(qū)域之內(nèi)。柵極電介質(zhì)柵極電介質(zhì)包括選自具有高電阻率的絕緣材料的電介質(zhì)材料。電介質(zhì)的介電常數(shù) k 一般是大約2-3，但具有高k值的材料是期望的，因為對于OTFT而言，可以獲得的電容與 k成正比，而漏電流ID與該電容成正比。因此，為了以低工作電壓獲得高漏電流，在溝道區(qū) 域中具有薄電介質(zhì)層的OTFT是優(yōu)選的。電介質(zhì)材料可以是有機的或者無機的。優(yōu)選的無機材料包括Si02、SiNx和旋 裝玻璃(SOG)。優(yōu)選的有機材料通常是聚合物而且包括絕緣的聚合物，例如聚乙烯醇 (poly vinylalcohol) (PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinlpyrrolidine) (PVP)、例如可以從 Dow Corning獲得的聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate) (PMMA)和苯并環(huán)丁烯 (benzocyclobutane) (BCB)的丙烯酸脂(acrylate)。絕緣層可以由材料的混合物形成或者 包括多層結(jié)構(gòu)。電介質(zhì)材料可以通過本領(lǐng)域中已知的熱蒸發(fā)、真空處理或者層壓技術(shù)來淀積?？?選地，電介質(zhì)材料可以利用例如以上討論的旋涂或者噴墨打印技術(shù)及其它溶液淀積技術(shù)從 溶液淀積。如果電介質(zhì)材料從溶液淀積到有機半導(dǎo)體上，則它不應(yīng)當(dāng)導(dǎo)致有機半導(dǎo)體的溶 解。同樣，如果有機半導(dǎo)體從溶液淀積到電介質(zhì)材料上，電介質(zhì)材料也不應(yīng)當(dāng)溶解。避免這 種分解的技術(shù)包括正交溶劑的使用，即，使用用于最上層淀積但不溶解底層的溶劑；及底 層的交聯(lián)。柵極電介質(zhì)層的厚度優(yōu)選地小于2微米，更優(yōu)選地小于500nm。更多的層其它的層也可以包括在器件架構(gòu)中。例如，自組裝單分子層(SAM)可以淀積到柵 極、源極或漏極電極、襯底、絕緣層和有機半導(dǎo)體材料上，以便提升結(jié)晶度、降低接觸電阻、 修復(fù)表面特征并在需要的地方提升粘性。特別地，溝道區(qū)域中的電介質(zhì)表面可以具有包括 結(jié)合區(qū)域和有機區(qū)域的單分子層，以便例如通過改進(jìn)有機半導(dǎo)體的形態(tài)(尤其是聚合物對 準(zhǔn)與結(jié)晶度)并覆蓋電荷陷阱(尤其是對于高k的電介質(zhì)表面)來改進(jìn)器件的性能。用于這種單分子層的示例性材料包括具有長烷基鏈的氯_或烷氧基_硅烷，例如十八烷基三氯 硅烷(octadecyltrichlorosilane)。類似地，源極和漏極電極可以具有SAM，以改進(jìn)有機半 導(dǎo)體和電極之間的接觸。例如，金SD電極可以具有SAM，包括硫醇結(jié)合基團和用于改進(jìn)接觸 的基團，該基團可以是具有高偶極矩的基團；攙雜劑；或者共扼部分。OTFT 應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實施方式的OTFT具有很多可能的應(yīng)用。一種這樣的應(yīng)用是驅(qū)動光學(xué) 器件(優(yōu)選地是有機光學(xué)器件)中的像素。這種光學(xué)器件的例子包括光敏器件，特別是光 電探測器，及發(fā)光器件，特別是有機發(fā)光器件。OTFT特別適于與有源矩陣有機發(fā)光器件一起 使用，例如用在顯示器應(yīng)用中。圖10示出了包括在公共襯底21上制造的有機薄膜晶體管和相鄰的有機發(fā)光器件 的像素。OTFT包括柵極電極22、電介質(zhì)層24、相應(yīng)的源極和漏極電極23s和23d及OSC層 25。OLED包括陽極27、陰極29和在陽極和陰極之間提供的電致發(fā)光層28。更多的層可以 位于陽極和陰極之間，例如電荷運輸、電荷注入或者電荷阻擋層。在圖10的實施方式中，陰 極材料層跨OTFT和OLED延伸，并提供絕緣層26將陰極層29和OSC層25電隔離。在這種 實施方式中，漏極電極23d直接連接到有機發(fā)光器件的陽極，用于在發(fā)射和不發(fā)射狀態(tài)之 間切換有機發(fā)光器件。OTFT和OLED的有效區(qū)域是由通過在襯底21上淀積一層光致抗蝕劑并將其構(gòu)圖以 便在襯底上限定OTFT和OLED區(qū)域形成的公共提材料限定的。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，公 共的提具有如前所述的兩層結(jié)構(gòu)。在圖11所說明的可選布置中，有機薄膜晶體管可以以對有機發(fā)光器件的堆疊關(guān) 系制造。在這種實施方式中，有機薄膜晶體管如上所述地以頂或底柵配置構(gòu)建。就像關(guān)于 圖10的實施方式一樣，OTFT和OLED的有效區(qū)域是由構(gòu)圖的光致抗蝕劑層33限定的，但是， 在這種堆疊布置中，有兩個獨立的提結(jié)構(gòu)33-—個用于OLED而另一個用于0TFT。根據(jù)本發(fā) 明的實施方式，這兩個獨立的提結(jié)構(gòu)每個都具有如前所述的兩層結(jié)構(gòu)。平坦化層31 (也稱為鈍化層)淀積到OTFT上。示例性的鈍化層包括BCB和聚對 二甲苯(parylene)。有機發(fā)光器件在鈍化層上制造。有機發(fā)光器件的陽極34由通過鈍化 層31和提層33的導(dǎo)電通路32電連接到有機薄膜晶體管的漏極電極。應(yīng)當(dāng)理解，包括OTFT和可選的有效區(qū)域(例如，發(fā)光或感光區(qū)域)的像素電路可 以包括更多的元件。特別地，除了所示的驅(qū)動晶體管，圖10和11的OLED像素電路一般還 將包括至少一個附加的晶體管及至少一個電容器。應(yīng)當(dāng)理解，在此所述的有機發(fā)光器件可以是頂部或底部發(fā)光器件。即，器件可以通 過器件的陽極或陰極側(cè)來發(fā)光。在透明器件中，陽極和陰極都是透明的。應(yīng)當(dāng)理解，透明陰 極器件不需要有透明的陽極(當(dāng)然，除非期望完全透明的器件)，而且用于底部發(fā)光器件的 透明陽極可以用例如鋁層的反射性材料層來代替或者補充。透明陰極對于有源矩陣器件特別有利，因為，如可以從圖11中所說明的實施方式 看到的，這種器件中通過透明陽極的發(fā)射可以至少部分地被位于發(fā)射像素下面的OTFT驅(qū) 動電路阻擋。以下更具體地描述根據(jù)本發(fā)明實施方式適于形成OLED的材料和處理?？偟钠骷軜?gòu)
根據(jù)本發(fā)明實施方式的電致發(fā)光器件的架構(gòu)包括透明玻璃或塑料襯底、陽極和陰 極。電致發(fā)光層在陽極和陰極之間提供。在實際的器件中，至少一個電極是半透明的，使得光可以被吸收(在光敏器件的 情況下)或者被發(fā)射(在OLED的情況下)。當(dāng)陽極是透明的時候，其一般包括氧化銦錫。電荷運輸層更多的層可以位于陽極和陰極之間，例如電荷運輸、電荷注入或者電荷阻擋層。特別地，期望提供導(dǎo)電的空穴注入層，這可以由在陽極和電致發(fā)光層之間提供 的導(dǎo)電的有機或無機材料形成，以幫助從陽極到半導(dǎo)體聚合物層中的空穴注入。摻雜的 有機空穴注入材料的例子包括摻雜的聚_乙二氧噻吩poly (ethylene dioxythiophene) (PEDT)，尤其是利用的電荷平衡多酸摻雜的PEDT，所述電荷平衡多酸如在EP 0901176和 EP 0947123 中公開的聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonate) (PSS)、例如 Nafion 的聚丙烯酸(polyacrylic acid)或氟化磺酸(fluorinatedsulfonic acid)；如 在US 5723873和US 5798170中公開的聚苯胺(polyanilline)；及聚噻吩并噻吩 (poly (thienothiophene))。導(dǎo)電無機材料的例子包括過渡金屬氧化物，例如在Journal of Physics D =Applied Physics (1996)，29 (11)，2750-2753 中所公開的 V0X、MoOx 和 Ru0x。如果存在的話，位于陽極和電致發(fā)光層之間的空穴運輸層優(yōu)選地具有小于或等于 5. 5eV的Η0Μ0能級，更優(yōu)選地是大約4. 8-5. 5eV。HOMO能級可以通過例如循環(huán)伏安法來測 量。如果存在的話，位于電致發(fā)光層3和陰極4之間的電子運輸層優(yōu)選地具有大約 3-3. 5eV 的 LUMO 能級。電致發(fā)光層電致發(fā)光層可以只包括電致發(fā)光材料或者可以包括電致發(fā)光材料結(jié)合一種或多 種其它材料。特別地，電致發(fā)光材料可以與例如在WO 99/48160中所公開的空穴和/或電 子運輸材料混合，或者可以包括半導(dǎo)體宿主(host)矩陣中的發(fā)光摻雜劑?？蛇x地，電致發(fā) 光材料可以共價綁定到電荷運輸材料和/或宿主材料。電致發(fā)光層可以是構(gòu)圖的或者未構(gòu)圖的。包括未構(gòu)圖層的器件可以在例如照明源 中使用。白光發(fā)射器件特別適用于這個目的。包括構(gòu)圖層的器件可以是例如有源矩陣顯示 器或者無源矩陣顯示器。在有源矩陣顯示器的情況下，構(gòu)圖的電致發(fā)光層一般與構(gòu)圖的陽 極層和未構(gòu)圖的陰極一起使用。在無源矩陣顯示器的情況下，陽極層是由平行的陽極材料 條形成的，而平行的電致發(fā)光材料和陰極材料條與陽極材料垂直布置，其中電致發(fā)光材料 和陰極材料的條一般是被通過光刻形成的絕緣材料條(“陰極分隔體”)隔開的。用于在電致發(fā)光層中使用的合適材料包括小分子、聚合物和樹枝形分子材 料及其合成物。合適的電致發(fā)光聚合物包括例如聚對苯乙炔(poly (p-phenylene vinylene))的聚芳香烴乙烯(poly(arylenevinylene))和例如聚芴(polyfluorene)的 聚芳硫醚砜(polyarylene)，特別是 2，7_ 鏈 9，9 二烷基聚芴(2,7-lineked 9,9dialkyl polyfluorene)或者 2，7-鏈 9，9 二芳基聚芴(2，7_linked 9,9diaryl polyf luorene)； 聚螺旋芴(polyspriof luorens)，特別是，2，7 鏈聚 9，9 螺旋芴(2，7_linkedpoly-9， 9spirofluorene)，聚茚并芴(polyindenofluoene)，特別是 2，7-鏈聚茚并芴(2，7-linked polyindenofluoene)；聚亞苯基(polyphenylene)，特別是烷基或烷氧基取代的聚-1，4_亞苯基(alkylor alkoxy substituted poly-1,4-phenylene)。這種聚合物在例如 Adv. Mater. 200012(23) 1737-1750及其引用中公開。合適的電致發(fā)光樹枝形分子包括在例如WO 02/066552中公開的承載樹枝形分子基團的電致發(fā)光金屬絡(luò)合物。腿陰極選自具有允許電子注入到電致發(fā)光層中的功函數(shù)的材料。其它因素也影響陰 極的選擇，例如陰極和電致發(fā)光材料之間反作用的可能性。陰極可以包括例如鋁層的單種 材料?？蛇x地，它可以包括多種金屬，例如低功函數(shù)材料和高功函數(shù)材料的雙層，所述低功 函數(shù)材料和高功函數(shù)材料例如在WO 98/10621中公開的鈣和鋁；例如在W098/57381、Appl. Phys. Lett. 2002，81 (4)，634和WO 02/84759中公開的元素鋇；或者薄的金屬化合物層， 特別是堿或者堿土金屬的氧化物或者氟化物，用于幫助電子的注入，例如在WO 00/48258 中公開的氟化鋰；在Appl. Phys. Lett. 2001，79 (5)，2001中公開的氟化鋇；及氧化鋇。為 了提供電子到器件中的有效注入，陰極優(yōu)選地具有小于3. 5eV的功函數(shù)，更優(yōu)選地是小于 3. 2eV，最優(yōu)選地是小于3eV。金屬的功函數(shù)可以在例如Michaelson，J. Appl. Phys. 48(11)， 4729，1977中找到。陰極可以是不透明的或者透明的。透明的陰極對于有源矩陣器件特別 有利，因為這種器件中通過透明陽極的發(fā)射至少部分地被位于發(fā)射像素下面的驅(qū)動電路阻 擋。透明的陰極將包括一層薄到足以透明的電子注入材料。一般來說，由于其很薄，因此這 層的側(cè)面導(dǎo)電性將是低的。在這種情況下，電子注入材料層與較厚的透明導(dǎo)電材料(例如 氧化銦錫)層結(jié)合。應(yīng)當(dāng)理解，透明陰極器件不需要有透明的陽極(當(dāng)然，除非期望完全透明的器件 的話)，而且因此用于底部發(fā)射器件的透明陽極可以用一層反射性材料(例如一層鋁)來代 替或者補充。透明陰極器件的例子在例如GB 2348316中公開。盤光學(xué)器件往往對濕氣和氧敏感。因此，襯底優(yōu)選地具有良好的屏障屬性，以防止?jié)?氣和氧侵入器件。襯底通常是玻璃。但是另選的襯底也可以使用，尤其是當(dāng)期望器件的柔 性時。例如，襯底可以包括如US 6268695中的塑料，該專利公開了交替的塑料和屏障層的 襯底，或者是如EP 0949850中公開的薄玻璃和塑料的層疊。器件優(yōu)選地利用密封劑來封裝，以防止?jié)駳夂脱醯那秩?。合適的密封劑包括玻璃 板、具有適當(dāng)屏障屬性的膜，例如在例如WO 01/81649中公開的聚合物和電介質(zhì)的交替的 堆疊，或者例如在WO 01/19142中公開的氣密容器。用于吸收有可能滲透通過襯底或密封 劑的任何空氣中濕氣和/或氧的吸氣材料可以布置在襯底和密封劑之間。溶液處理可以從溶液淀積單種聚合物或者多種聚合物。用于聚芳(polyarylene)，尤其是聚 芴(polyfluorene)的合適溶劑包括單-或者聚-烷基苯(alkylbenzene)，例如甲苯和二甲 苯。特別優(yōu)選的溶液淀積技術(shù)是旋涂和噴墨打印。旋涂特別適用于不需要構(gòu)圖電致發(fā)光材料的器件_例如用于照明應(yīng)用或者簡單 的單色分段顯示器。噴墨打印特別適用于高信息內(nèi)容顯示器，尤其是全色顯示器。OLED的噴墨打印在 例如EP 0880303中描述。其它的溶液淀積技術(shù)包括浸涂、卷筒打印和絲網(wǎng)印刷。
如果器件的多個層是通過溶液處理形成的，則技術(shù)人員將知道防止相鄰層混雜的 技術(shù)，例如通過在后續(xù)層淀積之前的一層的交聯(lián)或者選擇相鄰層的材料，使得這些層中第 一層的材料不在用于淀積第二層的溶劑中溶解。發(fā)射顏代“紅色電致發(fā)光材料”的意思是通過電致發(fā)光發(fā)射波長在600-750nm范圍之內(nèi)的輻 射的有機材料，其中波長優(yōu)選地是600-700nm，更優(yōu)選地是610-650nm，最優(yōu)選地是發(fā)射峰 值為大約650-660nm?！熬G色電致發(fā)光材料”的意思是通過電致發(fā)光發(fā)射波長在510-580nm范圍之內(nèi)的輻 射的有機材料，其中波長優(yōu)選地是510-570nm。“藍(lán)色電致發(fā)光材料”的意思是通過電致發(fā)光發(fā)射波長在400-500nm范圍之內(nèi)的輻 射的有機材料，其中波長優(yōu)選地是430-500nm。用于磷光發(fā)射器的宿主多種宿主在現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行了描述，包括例如稱為CBP的4，4’_ 二(咔唑_9_yl) 聯(lián)苯(4，4，-bis (carbazol-9-yl)biphenyl)和稱為 TCTA 的(4，4，，4”-三(咔唑 _9_yl) 三苯胺)(4，4，，4”-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine)的“小分子”宿主，這些在 Ikai 等，Appl. Phys. Lett. 79no. 2，2001，156 中公開；及稱為 MTDATA 的三芳胺(triarylamine)， 例如三-4- (N-3-甲苯基-N-苯基)苯胺(tris-4-(N-3-methylpheny 1-N-phenyl) phenylamine)。聚合物也已知可以作為宿主，尤其是例如在例如Appl. Phys. Lett. 2000， 77(15)，2280 中公開的聚乙烯基咔唑(polyvinyl carbazole))的同聚物(homopo lymer)； 在 Synth. Met. 2001,116,379, Phys. Rev. B 2001，63，235206 禾口 Appl. Phys. Lett. 2003， 82(7)，1006 中的聚芴(polyfluorene) ；Adv. Mater. 1999，11 (4)，285 中的聚[4-(N_4-乙 烯基苯甲基氧乙基，N-甲基氨基)-N- (2，5- 二叔丁基苯萘酰亞胺)](poly [4- (N-4-viny Ibenzyloxyethyl, N-methylamino)-N-(2,5-di-tert-butylphenylnapthalimide)])；及 J. Mater. Chem. 2003，13，50-55 中公開的聚苯二胺(poly (para-phenylene))。共聚物也已 知可以作為宿主。金屬絡(luò)合物(大部分是磷光性的，但最后也包括熒光性的)優(yōu)選的金屬絡(luò)合物包括分子式為ML1irZ^Z3iW選擇性取代絡(luò)合物。其中M是金 屬，L1、L2和L3中的每一個是同位的組；q是整數(shù)；r和s每個都獨立地是0或者整數(shù)；而 (a. q) + (b. r) + (c. s)的和等于M上可用的坐標(biāo)點個數(shù)，其中a是L1上的坐標(biāo)點個數(shù)；b是L2 上坐標(biāo)點的個數(shù)，而c是L3上坐標(biāo)點的個數(shù)。重元素M引起強的自旋軌道耦合，以允許從三元或更高狀態(tài)(磷光性)的快速系 統(tǒng)內(nèi)交叉與發(fā)射。合適的重元素M包括-鑭系金屬，例如鈰、釤、銪、鋱、鏑、銩、鉺和釹 ’及-d區(qū)金屬，尤其是那些第2和3行中的金屬，即，39至48和72至80的元素，特別 是釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉬和金。用于f區(qū)金屬的合適的同位基團包括氧或氮施主系統(tǒng)，例如羧酸(carboxylic acid)、1，3-二酮(1，3-diketonate)、羥基羧酸(hydoxycarboxylic acid)、包括?；椒?(acyl phenol)和亞胺酰(iminoacyl)基團的聚甲亞胺(Schiff base)。就象已知的，熒光 鑭系金屬絡(luò)合物需要三元受激能量級比金屬離子的第一受激狀態(tài)高的敏化基團。發(fā)射是源自金屬的f_f過渡，因此發(fā)射顏色是由金屬的選擇來確定的。急劇的發(fā)射通常是窄的，導(dǎo)致 對顯示器應(yīng)用有用的純色發(fā)射。d區(qū)金屬特別適用于來自三元受激狀態(tài)的發(fā)射。這些金屬與碳或氮施主形成有機 金屬絡(luò)合物，所述碳或氮施主例如卟啉(porphyrin)或者雙齒配體(bidentate ligands),
其分子式為
(heteroaryl)獨立地選擇；X1和Y1可以相同或者不同，并從碳或氮中獨立地選擇；且Ar4和 Ar5可以熔合到一起。其中X1為碳而Y1為氮的配體是特別優(yōu)選的。雙齒配體的例子在以下說明 Ar4和Ar5中的每一個都可以攜帶一個或多個取代基。這些取代基中的兩個或 者多個可以鏈接，以形成環(huán)，例如芳環(huán)。特別優(yōu)選的取代基包括可以用于藍(lán)偏絡(luò)合物發(fā)射 的氟或者三氟甲基(trifluoromethyl)，如在 WO 02/45466、WO 02/44189、US2002-117662 和US 2002-182441中所公開的；烷基(alkyl)或者烷氧基(alkoxy)基團，如在JP 2002-324679中所公開的；當(dāng)用作發(fā)射性材料時可以用于幫助到絡(luò)合物的空穴運輸?shù)倪沁?(carbazole)，如在WO 02/81448中所公開的；可以用于使配體起到連接更多基團作用的 溴、氯或者碘，如在WO 02/68435和EP 1245659中所公開的；及可以用于獲得或者增強金屬 絡(luò)合物的溶液處理能力的樹模石(dendron)，如在WO 02/66552中所公開的。發(fā)光的樹枝形分子一般包括結(jié)合到一個或多個樹模石的發(fā)光內(nèi)核，每個樹模石包 括一個分支點和兩個或多個樹枝狀分支。優(yōu)選地，樹模石至少部分地共扼，且內(nèi)核和樹枝狀 分支中的至少一個包括芳基或雜芳基組。在一種優(yōu)選實施方式中，分支組包括其它適于與d區(qū)元素一起使用的配體包括二酮(diketonate)，特別是乙酰丙酮 (acetylacetonate) (acac) ；H^SIH (triarylphosphine)禾口I1 密Pjl (pyridine)，它H中白勺 每一個都是可以代替的。主基團金屬絡(luò)合物顯示出基于配體或者電荷傳輸發(fā)射。對于這些絡(luò)合物，發(fā)射顏 色是由配體及金屬的選擇確定的。宿主材料和金屬絡(luò)合物可以物理混合的形式組合。可選地，金屬絡(luò)合物可以化學(xué) 結(jié)合到宿主材料。在聚合物宿主的情況下，金屬絡(luò)合物可以作為連接到聚合物中樞的取代 基來化學(xué)綁定，作為聚合物中樞中的重復(fù)單元結(jié)合或者作為聚合物的端部基團提供，如在 EP1245659.W0 02/31896, WO 03/18653 和 WO 03/22908 中所公開的。
廣泛的熒光低分子量金屬絡(luò)合物是已知的并已經(jīng)在有機發(fā)光器件中得到了證 明[見，例如，Macromol. Sym. 125(1997) 1-48, US-A5, 150，006，US-A 6，083，634 和 US-A 5，432，014]。用于二價或三價金屬的合適配體包括oxinoid，例如具有氧-氮或氧-氧施 主的原子，通常是具有取代基的氧原子或取代基氮原子的環(huán)氮原子，或者具有取代基氧原 子的氧原子，例如8-羥基喹啉(8-hydroxyquinolate)和羥基喹唑酮-10-羥基苯并(h)喹 琳(II) (hydroxyquinoxalinol-10-hydroxybenzo (h) quinolinato (II)),苯并口比口各(III) (benzazole(III))、聚甲亞胺(schiffbase)、氮雜吲哚(azoindole)、色酮(chromone)衍生 物、3-羥基黃酮(3-hydroxyflavone)及羧酸(carboxylic acid)，例如羧酸氨基水楊酸鹽 (salicylato amino c;arboxyl;ate)禾口酉旨(esterc;arboxyl;ate)。 "SJife的. ·^!! ^! 素、烷基、烷氧基、商代烷基、氰基、氨基、酰胺基、磺酰、碳?；?、芳基、或可以修改發(fā)射顏色 的(雜)芳環(huán)上的雜芳基。盡管本發(fā)明已經(jīng)參考其優(yōu)選實施方式特別地示出并進(jìn)行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人 員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明范圍的情況下，可以對其的形式和細(xì) 節(jié)進(jìn)行各種改變。
權(quán)利要求
一種電子器件，包括包含電路元件的電子襯底；布置在電子襯底之上的雙堤井限定結(jié)構(gòu)，所述雙堤井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由所述雙堤井限定結(jié)構(gòu)限定的井中的有機半導(dǎo)體材料。
2.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述電子器件是有機薄膜晶體管，且所述電子 襯底的電路元件包括源極電極和漏極電極，雙提結(jié)構(gòu)布置在所述源極電極和漏極電極上， 并且溝道區(qū)限定在所述源極電極和所述漏極電極之間。
3.如權(quán)利要求2所述的電子器件，其中所述有機薄膜晶體管是底柵有機薄膜晶體管， 并且所述電子襯底還包括柵極電極，柵極電介質(zhì)布置在該柵極電極之上，所述源極電極和 漏極電極布置在所述柵極電介質(zhì)之上。
4.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述電子器件是有機發(fā)光器件，并且所述電子 襯底的電路元件包括所述有機發(fā)光器件的下電極。
5.如權(quán)利要求4所述的電子器件，其中所述有機發(fā)光器件是有源矩陣有機發(fā)光器件， 并且所述電子襯底的電路元件還包括有機薄膜晶體管。
6.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述有機薄膜晶體管如權(quán)利要求2或3所述。
7.如前面任何一項權(quán)利要求所述的電子器件，其中第二層絕緣材料具有大于80°的 接觸角。
8.如權(quán)利要求7所述的電子器件，其中第二層絕緣材料具有大于100°的接觸角。
9.如前面任何一項權(quán)利要求所述的電子器件，其中所述雙提井限定結(jié)構(gòu)包括布置在第 一層和第二層之間的一層粘合材料。
10.如前面任何一項權(quán)利要求所述的電子器件，其中所述雙提井限定結(jié)構(gòu)的第一和第 二層限定了圍繞每個井的階梯結(jié)構(gòu)。
11.一種制造電子器件的方法，該方法包括提供包含電路元件的電子襯底；在所述電 子襯底之上形成雙提井限定結(jié)構(gòu)，所述雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第 二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及在由所述雙 提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機半導(dǎo)體材料的溶液。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中有機半導(dǎo)體材料在有機溶劑中淀積。
13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，在導(dǎo)電的有機材料上淀積有機半導(dǎo)體材料 之前，先在井中淀積導(dǎo)電的有機材料。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中導(dǎo)電的有機材料從水溶液淀積。
15.如權(quán)利要求11至14中任何一項所述的方法，其中第二層絕緣材料具有大于80° 的接觸角。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中第二層絕緣材料具有大于100°的接觸角。
17.如權(quán)利要求11至16中任何一項所述的方法，其中第二層絕緣材料是從氟化溶劑中 淀積的氟化聚合物。
18.如權(quán)利要求11至17中任何一項所述的方法，其中，在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定 的井中淀積有機材料的溶液之前，所述雙提井限定結(jié)構(gòu)先要經(jīng)受烘焙步驟。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述烘焙步驟是在150至250°、170至210°或 者180至200°范圍內(nèi)的溫度下執(zhí)行的。
20.如權(quán)利要求18或19所述的方法，其中所述烘焙步驟是在惰性氣氛中執(zhí)行的。
21.如從屬于權(quán)利要求13的權(quán)利要求18至20中任何一項所述的方法，其中所述烘焙 步驟是在淀積有機導(dǎo)電材料之后并在淀積有機半導(dǎo)體材料之前執(zhí)行的。
22.如權(quán)利要求11至21中任何一項所述的方法，其中該方法還包括在形成雙提井限定 步驟之后并在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液之前的清潔步驟。
23.如從屬于權(quán)利要求18至21中的任何一項的權(quán)利要求22所述的方法，其中所述烘 焙步驟是在清潔步驟之后并在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液之 前執(zhí)行的。
24.一種電子器件，包括襯底；布置在襯底之上的雙提井限定結(jié)構(gòu)，所述雙提井限定 結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層 絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中的有機材料，第二層 絕緣材料具有具有大于80°的接觸角。
25.一種適于制造這種電子器件的方法，該方法包括提供襯底；在襯底之上形成雙提 井限定結(jié)構(gòu)，所述雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中 第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的 井中淀積有機材料的溶液，第二層絕緣材料具有大于80°的接觸角。
26.—種制造電子器件的方法，該方法包括提供襯底；在襯底之上形成雙提井限定結(jié) 構(gòu)，所述雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕 緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積 有機材料的溶液，其中第二層絕緣材料是從氟化溶劑中淀積的氟化聚合物。
27.一種電子器件，包括；襯底；布置在襯底之上的雙提井限定結(jié)構(gòu)，所述雙提井限定 結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層 絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中的有機材料，其中所 述雙提井限定結(jié)構(gòu)包括布置在第一層和第二層之間的一層粘合材料。
28.—種制造電子器件的方法，該方法包括提供襯底；在襯底之上形成雙提井限定結(jié) 構(gòu)，所述雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕 緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積 有機材料的溶液，其中在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液之前所述 雙提井限定結(jié)構(gòu)先要經(jīng)受烘焙步驟。
29.一種制造電子器件的方法，該方法包括提供襯底；在襯底之上形成雙提井限定結(jié) 構(gòu)，所述雙提井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕 緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中淀積 有機材料的溶液，其中該方法還包括在形成雙提井限定步驟之后并在由所述雙提井限定結(jié) 構(gòu)限定的井中淀積有機材料的溶液之前的清潔步驟。
30.一種電子器件，包括襯底；布置在襯底之上的雙提井限定結(jié)構(gòu)，所述雙提井限定 結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層 絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由所述雙提井限定結(jié)構(gòu)限定的井中的有機材料，其中所 述雙提井限定結(jié)構(gòu)的第一和第二層限定了圍繞每個井的階梯結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種電子器件，包括包含電路元件的電子襯底；位于電子襯底之上的雙堤井限定結(jié)構(gòu)，該雙堤井限定結(jié)構(gòu)包括第一層絕緣材料和其上面的第二層絕緣材料，其中第二層絕緣材料具有比第一層絕緣材料低的可浸濕性；及布置在由雙堤井限定結(jié)構(gòu)限定的井中的有機半導(dǎo)體材料。
文檔編號H01L51/56GK101926006SQ200880125796
公開日2010年12月22日 申請日期2008年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月19日
發(fā)明者J·波羅格斯, M·道林 申請人:劍橋顯示技術(shù)有限公司