專利名稱：等離子體處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體處理設(shè)備，更具體地，涉及以用以產(chǎn)生等離子體的氣體供應(yīng) 結(jié)構(gòu)為特征的等離子體處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
等離子處理設(shè)備通常具有成對(duì)的陰極電極和陽極電極，并且還包括給陰極電極或 陽極電極施加高頻功率的裝置以及供應(yīng)用于產(chǎn)生等離子體的反應(yīng)氣體的氣體供應(yīng)裝置。在 這樣的等離子體處理設(shè)備中，在給陰極電極和陽極電極之間供應(yīng)反應(yīng)氣體的同時(shí)施加高頻 功率，由此放置在陰極電極和陽極電極之間的要處理的目標(biāo)被等離子處理。反應(yīng)氣體通常采用在陰極電極的與陽極電極相對(duì)的表面上設(shè)置有噴氣孔的所謂 的噴淋板來供應(yīng)到陰極電極和陽極電極之間，即等離子體產(chǎn)生空間。為了采用噴淋板并以 在整個(gè)等離子體產(chǎn)生空間均勻擴(kuò)散氣體的方式供應(yīng)反應(yīng)氣體，需要使噴淋板上游側(cè)的中空 部分中的氣體充分?jǐn)U散，因此，中空部分的容量必須增加。為了供應(yīng)反應(yīng)氣體并均勻地?cái)U(kuò)散該氣體，專利文件1披露了包括如下的噴淋板的 結(jié)構(gòu)。該噴淋板包括多段設(shè)置的多個(gè)中空室，每段中空室擴(kuò)展成平面狀；多個(gè)通孔，延伸 通過各中空室；進(jìn)氣口，將處理氣體引入到第一段中空室中；多個(gè)噴氣孔，將引入的處理氣 體從最后一段中空室噴出；以及多個(gè)連通孔，形成在將相鄰中空室隔開的壁上，使處理氣體 從上游中空室流到下游中空室，其中噴氣孔和連通孔圍繞多個(gè)通孔設(shè)置。應(yīng)當(dāng)理解的是，通過該結(jié)構(gòu)，引入到第一段中空室的處理氣體經(jīng)由連通孔被引導(dǎo) 到下一段中空室，然后處理氣體從噴氣孔噴到腔中，從而使從各段的各連通孔和各室的各 噴氣孔噴出的氣體的量均勻，并且處理氣體可以均勻地供應(yīng)給腔中要處理的目標(biāo)。專利文件1 日本未審查專利公開No. 2006-322050

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題然而，當(dāng)采用對(duì)應(yīng)于大基板的大尺寸陰極電極和陽極電極時(shí)，通過具有專利文件1 中披露的結(jié)構(gòu)的噴淋板氣體在中空室中不能充分?jǐn)U散，由此引起供應(yīng)給腔中要處理目標(biāo)的 處理氣體的均勻性不令人滿意的問題。具體地講，在相對(duì)方向上具有多組陰極電極和陽極電極的等離子體處理設(shè)備中， 必須減小陰極電極和陽極電極在布置方向上的厚度以減小設(shè)備尺寸，但是陰極電極中的中 空室的容積不能增加，因此上述問題變得更為明顯。本發(fā)明是在考慮到上述問題的情況下做出的，并且旨在提供等離子體處理設(shè)備， 該等離子體處理設(shè)備即使當(dāng)陰極電極和陽極電極的面積增加時(shí)也能在陰極電極和陽極電 極之間均勻地供應(yīng)氣體，并且能夠減小陰極電極和陽極電極的厚度。解決技術(shù)問題的手段根據(jù)本發(fā)明，所提供的等離子體處理設(shè)備包括用于等離子體反應(yīng)的反應(yīng)腔；排
3氣部分，用于將氣體從反應(yīng)腔排出；以及平板狀的陰極電極和平板狀的陽極電極，布置在反 應(yīng)腔中并彼此相對(duì)，其中陰極電極和陽極電極在其相對(duì)方向上布置有多組，每個(gè)陰極電極 包括噴淋板以及設(shè)置在其中的中空室，該噴淋板設(shè)置有用于將引入到中空室中的氣體從中 空室噴到陰極電極和陽極電極之間的部分多個(gè)第一噴氣孔，用于將氣體從陰極電極的外部 引入的進(jìn)氣口設(shè)置在中空室的與陰極電極處的噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁的電極端面處，并且用于 將氣體噴到中空室的多個(gè)第二噴氣孔和用于將氣體從進(jìn)氣口引導(dǎo)到第二噴氣孔的氣體引 導(dǎo)部分提供在中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁處。本發(fā)明的有益效果在根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中，用于將氣體噴到中空室的多個(gè)第二噴氣孔 設(shè)置在陰極電極中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁表面上，并且用于將氣體從進(jìn)氣口引導(dǎo)到第 二噴氣孔的氣體引導(dǎo)部分提供在中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁上，進(jìn)氣口設(shè)置為將氣體從 陰極電極的外部引入。因此，即使當(dāng)陰極電極和陽極電極的面積增加時(shí)，氣體也能夠從陰極 電極的第一噴氣孔均勻地供應(yīng)到陰極電極和陽極電極之間，此外能夠減小陰極電極和陽極 電極的厚度。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的等離子體處理設(shè)備(薄膜形成設(shè)備)的總體 結(jié)構(gòu)的示范性視圖。圖2是構(gòu)成圖1的等離子體處理設(shè)備的陰極電極的仰視圖。圖3是沿著圖2中的線Al-Al剖取的截面圖。圖4是沿著圖2中的線A2-A2剖取的截面圖。附圖標(biāo)記的說明1 基板2噴淋板3 后板4陽極電極5第二支撐構(gòu)件6第一支撐構(gòu)件7 托盤10等離子體激發(fā)電源11阻抗匹配箱12陰極電極
I5腔(反應(yīng)腔)17中空室18第一噴氣孔19中空室的內(nèi)壁20排氣管21真空泵22壓力控制器
24加熱器27功率引入端子28進(jìn)氣部分29排氣部分30高頻電源部分31 進(jìn)氣口32第二噴氣孔33氣體引導(dǎo)部分33a 通道33b 蓋
具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備例如用于通過等離子體CVD法形成硅薄膜。硅薄膜的示例包括以硅為主要成分的從晶體薄膜至非晶薄膜的薄膜。包含硅元素 的氣體可以用作反應(yīng)氣體。具體地講，硅烷(SiH4)或者乙硅烷(Si2H6)可以用作反應(yīng)氣體， 其中硅烷和乙硅烷可以用氫氣(H2)或氦氣(He)等稀釋。由根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備形成硅薄膜的其它示例包括碳化硅(SiC)膜、 氮化硅(SiN)膜、氧化硅(SiO)膜和SiGe膜等。在形成碳化硅膜時(shí)，除了包含硅元素的氣體之外，同時(shí)引入包含碳元素的CH4氣體 或C2H6氣體作為反應(yīng)氣體。在形成氮化硅膜時(shí)，除了包含硅元素的氣體之外，同時(shí)引入包含 氮元素的NH3氣體或NO氣體作為反應(yīng)氣體。在形成氧化硅膜時(shí)，除了包含硅元素的氣體之 外，同時(shí)引入包含氧元素的NO氣體或CO2氣體作為反應(yīng)氣體。在形成SiGe膜時(shí)，除了包含 硅元素的氣體之外，同時(shí)引入包含鍺元素的GeH4氣體作為反應(yīng)氣體?？梢越o硅薄膜添加雜質(zhì)以控制導(dǎo)電性。在使硅薄膜成為η型時(shí)，同時(shí)引入包含雜 質(zhì)元素的PH3氣體，而在使硅膜成為ρ型時(shí)，同時(shí)引入包含雜質(zhì)元素的B2H6氣體。在根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中，至少內(nèi)部能被抽真空的腔用作反應(yīng)腔。這 樣的反應(yīng)腔例如可以用不銹鋼或鋁合金等來制造。當(dāng)反應(yīng)腔由兩個(gè)或多個(gè)構(gòu)件制成時(shí)，優(yōu) 選腔具有在裝配部分處采用0環(huán)(Ο-ring)完全密封的結(jié)構(gòu)。在根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中，可以用的排氣部分的示例包括具有真空 泵、連接反應(yīng)腔和真空泵的排氣管以及設(shè)置在排氣管中的壓力控制器的排氣部分。在根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中，提供在陰極電極和陽極電極之間施加高頻 功率的高頻電源部分。作為高頻電源部分，例如可以采用由等離子體激發(fā)電源和阻抗匹配 箱構(gòu)成的高頻電源部分。在根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中，具有平板形狀且由諸如不銹鋼、鋁合金或 碳等的耐熱導(dǎo)電材料制成的電極可以用作陰極電極和陽極電極。陰極電極和陽極電極的形 狀、尺寸和材料優(yōu)選基本上相同，并且當(dāng)因機(jī)械加工導(dǎo)致留下殘留加工應(yīng)變時(shí)，優(yōu)選通過退 火處理去除該殘留加工應(yīng)變。所采用的陰極電極設(shè)置有設(shè)置在其中的中空室以及設(shè)置有多個(gè)第一噴氣孔的噴 淋板，該多個(gè)第一噴氣孔用于將引入到中空室中的氣體從中空室噴到陰極電極和陽極電極之間的部分。根據(jù)需要，在中空室中可以設(shè)置加熱電極的加熱器。例如，陽極電極具有中空 結(jié)構(gòu)，并且加熱電極的加熱器可以結(jié)合在其中。在根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理設(shè)備中，進(jìn)氣口設(shè)置在陰極電極的端面處并在中空 室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁處。進(jìn)氣口用于將氣體從陰極電極的外部引入到中空室中。多個(gè)第二噴氣孔和氣體引導(dǎo)部分設(shè)置在中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁上。第二噴 氣孔用于將氣體噴到中空室中，而氣體引導(dǎo)部分用于將氣體從進(jìn)氣口引導(dǎo)到第二噴氣孔。例如，氣體引導(dǎo)部分可以包括形成在中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁中的通道和覆 蓋該通道的蓋。氣體引導(dǎo)部分并不必須構(gòu)造為包括這樣的通道，而是可以構(gòu)造為例如包括 形成在中空室的內(nèi)壁上的孔。當(dāng)氣體引導(dǎo)部分包括形成在中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁中的通道和覆蓋該通 道的蓋時(shí)，氣體引導(dǎo)部分可以容易地形成在中空室的內(nèi)壁中。例如，通道可以是直的、彎的，或者可以由直的部分和彎的部分的組合形成。蓋可 以例如由具有與通道的平面形狀相同的平面形狀的平板構(gòu)成。第二噴氣孔例如可以通過在蓋中開設(shè)通孔來設(shè)置。當(dāng)噴氣孔通過在蓋中開設(shè)通孔 來設(shè)置時(shí)，通過更換蓋可以容易地改變(調(diào)整)第二噴氣孔的位置和直徑。第二噴氣孔例如可以設(shè)置在通道沒有被蓋覆蓋的部分上。當(dāng)?shù)诙姎饪自O(shè)置在通 道沒有被蓋覆蓋的部分上時(shí)，通過更換蓋可以容易地改變(調(diào)整)第二噴氣孔的位置和直徑。第二噴氣孔例如可以設(shè)置在中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁的中央部分，以及圍繞 該中央部分的一個(gè)圓的圓周上或者圍繞該中央部分的多個(gè)同心圓的多個(gè)圓周上。當(dāng)?shù)诙?氣孔設(shè)置在這些部分處時(shí)，即使當(dāng)陰極電極和陽極電極的面積增加時(shí)，氣體也可以更加均 勻地供應(yīng)到陰極電極和陽極電極之間。第二噴氣孔例如以這樣的方式設(shè)置至少一個(gè)孔設(shè)置在中空室的與噴淋板相對(duì)的 內(nèi)壁的中央部分，并且多個(gè)孔以點(diǎn)對(duì)稱的方式設(shè)置在圍繞該中央部分的一個(gè)圓的圓周上。 當(dāng)?shù)诙姎饪滓赃@樣的數(shù)量設(shè)置在這些部分處時(shí)，即使當(dāng)陰極電極和陽極電極的面積增加 時(shí)，氣體也可以更加均勻和可靠地供應(yīng)到陰極電極和陽極電極之間。優(yōu)選設(shè)置在中空室的與噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁的中央部分處的第二噴氣孔的開口面 積小于每個(gè)另外的第二噴氣孔的開口面積，該另外的第二噴氣孔設(shè)置在圍繞該中央部分的 一個(gè)圓的一個(gè)圓周或者圍繞該中央部分的多個(gè)同心圓的多個(gè)圓周上。當(dāng)設(shè)置在中空室的與 噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁的中央部分處的第二噴氣孔的開口面積小于設(shè)置在圍繞該中央部分一 個(gè)圓的一個(gè)圓周或者圍繞該中央部分的多個(gè)同心圓的多個(gè)圓周上的另外的第二噴氣孔的 每個(gè)的開口面積時(shí)，陰極電極的中央部分處的氣體在陰極電極和陽極電極的面積增加時(shí)難 于排出，由此氣體可以更加均勻地供應(yīng)到陰極電極和陽極電極之間。下面，將參考圖1至4詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于形成薄膜的等離 子體處理設(shè)備。如圖1所示，薄膜形成等離子體處理設(shè)備100具有腔15，用作等離子體反應(yīng)的反 應(yīng)腔；進(jìn)氣口 28，用于將反應(yīng)氣體引入到腔15中；排氣部分29，用于排出腔15中的反應(yīng)氣 體；以及高頻電源部分30，用于將高頻功率施加在腔15中。在腔15中布置有矩形的平板狀陽極電極4 ；矩形的平板狀陰極電極12 ；兩組第一支撐構(gòu)件6和第二支撐構(gòu)件5，用于在各周邊區(qū)域支撐各電極4和12。陰極電極12具有 噴淋板(shower plate)2和后板(back plate) 3，并且陰極電極12設(shè)置為與陽極電極4相對(duì)。腔15由主體和設(shè)置在主體前部的門(未示出)構(gòu)成。主體和門可以由不銹鋼或 鋁合金等制成。主體和門的裝配部分采用0環(huán)(未示出)密封。包括排氣管20、真空泵21和壓力控制器22的排氣部分29連接到腔15，以便能夠 控制腔15的內(nèi)部具有最佳的真空度。腔15主體的矩形底表面15a和矩形頂表面15b的每個(gè)角附近提供有一個(gè)第一支 撐構(gòu)件6，其中各第一支撐構(gòu)件6支撐陽極電極4。每個(gè)陽極電極4的尺寸根據(jù)要形成膜的基板1的尺寸而設(shè)定到適當(dāng)?shù)某叽?。在?實(shí)施例中，基板1的尺寸設(shè)定為900 X 500mm，并且根據(jù)基板1陽極電極4的平面尺寸設(shè)定為 1000 X 600mm,且其厚度設(shè)定為10至30mm。陽極電極4可以由不銹鋼、鋁合金或者碳等制成。在本實(shí)施例中，陽極電極4由鋁 合金制成。陽極電極4具有中空結(jié)構(gòu)，其中加熱器(護(hù)套式加熱器)24結(jié)合在陽極電極4的 中空部分中。由于制造中空結(jié)構(gòu)進(jìn)行的機(jī)械加工，陽極電極4具有留在其中的殘留加工應(yīng) 變。因此，陽極電極4在其使用前經(jīng)歷退火處理，以去除殘留加工應(yīng)變。退火處理采用諸如 熱偶的密封型溫度傳感器來進(jìn)行。取決于用作陽極電極4的金屬，退火處理的處理溫度有 所不同。在采用鋁合金時(shí)，通常采用將鋁合金保持到345°C并然后緩慢冷卻的溫度周期。陽極電極4用螺絲固定到第一支撐構(gòu)件6。陽極電極4和腔15與兩個(gè)接地板電連接。具體地講，接地板由寬度為10至35mm 且厚度為0. 5至3mm的鋁板制成，并且接地板結(jié)合到陽極電極4的上端面和下端面中的每 個(gè)。每個(gè)陰極電極12包括矩形的平板狀噴淋板2和從后面覆蓋噴淋板2的后板3。中 空室17提供在噴淋板2和后板3之間。噴淋板2和后板3可以由不銹鋼或鋁合金等制成， 但是優(yōu)選它們由與陽極電極4的材料基本上相同的材料制成。在本實(shí)施例中，噴淋板2和 后板3由鋁合金制成。陰極電極12的尺寸根據(jù)要形成膜的基板1的尺寸而設(shè)定到適當(dāng)尺寸。在本實(shí)施 例中，陰極電極12的平面尺寸設(shè)定為1000X600mm，其厚度設(shè)定為20至30mm，這與陽極電 極4的尺寸基本上相同。如圖2至4所示，中空室17占據(jù)陰極電極12的平面面積的約95%，且中空室的高 度(例如，8mm)占據(jù)陰極電極12的厚度(例如，25mm)的約30%。多個(gè)(幾百個(gè))第一噴氣孔18基本設(shè)置在噴淋板2的整個(gè)表面上。每個(gè)噴氣孔 18具有0. Imm的直徑，并且第一噴氣孔18以相鄰第一噴氣孔18之間的布置間隔(節(jié)距) 為2. Omm的方式來設(shè)置。這些第一噴氣孔18用于將引入中空室17的氣體從中空室17噴 入到陰極電極12和陽極電極4之間。如圖3所示，陰極電極12的后板3的下表面也用作中空室17的頂表面，并且這里 有時(shí)也將其稱為中空室17的與噴淋板2相對(duì)的內(nèi)壁19。用于從陰極電極12的外部引入氣體的進(jìn)氣口 31設(shè)置在中空室17的與噴淋板2
7相對(duì)的內(nèi)壁19的一個(gè)電極端面處。此外，中空室17的與噴淋板2相對(duì)的內(nèi)壁19設(shè)置有用 于將氣體噴入到中空室17中的五個(gè)第二噴氣孔32以及用于將氣體引導(dǎo)到這些第二噴氣孔 32的氣體引導(dǎo)部分33。如圖2所示，五個(gè)第二噴氣孔32以這樣的方式設(shè)置一個(gè)第二噴氣孔設(shè)置在中空 室17的與噴淋板2相對(duì)的內(nèi)壁19的中央，四個(gè)第二噴氣孔以點(diǎn)對(duì)稱方式的設(shè)置在圍繞該 中央的一個(gè)圓的圓周上。氣體引導(dǎo)部分33包括形成在中空室17的與噴淋板2相對(duì)的內(nèi)壁19上的通道33a 和覆蓋該通道33a的蓋33b。如圖2所示，通道33a具有H狀部分，該H狀部分具有H狀的平面形狀并且形成在 中空室17的內(nèi)壁19的中央部分上；以及I狀部分，該I狀部分具有與進(jìn)氣口 31連通的一端 部和與H狀部分的中央部分連通的另一端部。H狀部分在長邊方向上的長度設(shè)定為600mm， 而I狀部分在長邊方向上的長度設(shè)定為480mm。通道33a具有矩形截面并設(shè)定為具有20mm 的寬度和2mm的深度。蓋33b包括對(duì)應(yīng)于上述通道33a的平面形狀的H狀部分和I狀部分。蓋33b由與 陰極電極12的材料相同的材料制成并設(shè)定為具有30mm的寬度和Imm的厚度。蓋33b用螺 絲固定到中空室17的內(nèi)壁19的通道33a的開口周邊邊緣。如圖2至4所示，在五個(gè)第二噴氣孔32中，設(shè)置在中空室17的內(nèi)壁19中央的一 個(gè)第二噴氣孔32在通道33a的H狀部分的中央部分處敞開，而以點(diǎn)對(duì)稱的方式設(shè)置在一個(gè) 圓周上的四個(gè)第二噴氣孔32分別在通道33a的H狀部分的四個(gè)角處敞開。上述一個(gè)第二噴氣孔32的直徑為1. 5mm,并且上述四個(gè)噴氣孔32的每個(gè)的直徑是 2. 0mm。從而，上述一個(gè)第二噴氣孔32的開口面積設(shè)定為小于上述四個(gè)第二噴氣孔32的各 開口面積。如圖2和3所示，陰極電極12的進(jìn)氣口 31與通道33a的I狀部分的一端部連通。 從圖1所示的進(jìn)氣部分28經(jīng)由陰極電極12的進(jìn)氣口 31、通道33a的I狀部分和H狀部分 及五個(gè)第二噴氣孔32引入中空室17的反應(yīng)氣體像淋浴一樣從形成在陰極電極12的噴淋 板2上的幾百個(gè)第一噴氣孔18噴到陰極電極12和陽極電極4之間。與陽極電極4相類似，由機(jī)械加工引起的殘留加工應(yīng)變也留在陰極電極12的噴淋 板2和后板3中。因此，在使用陰極電極前，進(jìn)行退火處理以去除殘留加工應(yīng)變。取決于用 作噴淋板2和后板3的金屬，退火處理中的處理溫度有所不同。當(dāng)采用鋁合金時(shí)，通常采用 將鋁合金保持到345°C并然后慢慢冷卻的溫度周期。如圖1所示，兩組陰極電極12支撐在總共八個(gè)第二支撐構(gòu)件5上，第二支撐構(gòu)件5 提供在腔15的主體的矩形底表面15a和矩形頂表面15b上。第二支撐構(gòu)件5的每個(gè)可以 由玻璃、氧化鋁或者氧化鋯等制成，并且在該實(shí)施例中，采用氧化鋁或者氧化鋯。各陰極電極12用螺絲固定到第二支撐構(gòu)件5上。包括等離子體激發(fā)電源10和阻抗匹配箱11的高頻電源部分30經(jīng)由功率引入端 子27連接到各陰極電極12，以施加高頻功率。等離子體激發(fā)電源10在達(dá)108. 48MHz的DC 頻率下采用IOW至IOOkW的功率。在本實(shí)施例中，采用IMHz至54. 24MHz頻率下的IOW至 IOOkff的功率。由用H2稀釋的SiH構(gòu)成的反應(yīng)氣體以預(yù)定的流速和預(yù)定的壓力經(jīng)由陰極電極12被引入具有上述構(gòu)造的薄膜形成等離子體處理設(shè)備100中，并且在陰極電極12和陽極電極 4之間施加高頻功率以產(chǎn)生輝光放電。從而，厚度為300nm的硅薄膜被沉積在基板1上，膜 形成時(shí)間為10分鐘，厚度分布小于或等于士 10%。 盡管在本實(shí)施例中等離子體處理設(shè)備100具有兩段結(jié)構(gòu)，但是通過重復(fù)類似的結(jié) 構(gòu)，可以在其他等離子體處理設(shè)備中實(shí)現(xiàn)三段或多段的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
一種等離子體處理設(shè)備，包括用于等離子體反應(yīng)的反應(yīng)腔；排氣部分，用于將氣體從所述反應(yīng)腔排出；以及平板狀的陰極電極和平板狀的陽極電極，布置在所述反應(yīng)腔中并彼此相對(duì)，其中所述陰極電極和所述陽極電極在其相對(duì)方向上布置有多組，每個(gè)所述陰極電極包括設(shè)置在其中的中空室以及噴淋板，所述噴淋板設(shè)置有用于將引入到所述中空室的氣體從所述中空室噴到所述陰極電極和所述陽極電極之間的部分的多個(gè)第一噴氣孔，用于將氣體從所述陰極電極的外部引入的進(jìn)氣口設(shè)置在所述中空室的與所述陰極電極的所述噴淋板相對(duì)的內(nèi)壁的電極端面處，并且用于將氣體噴到所述中空室的多個(gè)第二噴氣孔和用于將氣體從所述進(jìn)氣口引導(dǎo)到所述第二噴氣孔的氣體引導(dǎo)部分設(shè)置在所述中空室的與所述噴淋板相對(duì)的所述內(nèi)壁處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理設(shè)備，其中所述氣體引導(dǎo)部分包括形成在所述中空室的與所述噴淋板相對(duì)的所述內(nèi)壁上的通道 以及覆蓋所述通道的蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理設(shè)備，其中所述蓋是平板。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的等離子體處理設(shè)備，其中所述第二噴氣孔通過在所述蓋中開設(shè)通孔來設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的等離子體處理設(shè)備，其中所述第二噴氣孔設(shè)置在所述通道沒有被所述蓋覆蓋的部分上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任何一項(xiàng)所述的等離子體處理設(shè)備，其中所述第二噴氣孔設(shè)置在所述中空室的與所述噴淋板相對(duì)的所述內(nèi)壁的中央部分、以及 圍繞所述中央部分的一個(gè)圓的圓周上或圍繞所述中央部分的多個(gè)同心圓的多個(gè)圓周上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任何一項(xiàng)所述的等離子體處理設(shè)備，其中所述第二噴氣孔以這樣的方式設(shè)置至少一個(gè)孔設(shè)置在所述中空室的與所述噴淋板相 對(duì)的所述內(nèi)壁的中央部分，并且多個(gè)孔以點(diǎn)對(duì)稱的方式設(shè)置在圍繞所述中央部分的一個(gè)圓 的圓周上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的等離子體處理設(shè)備，其中設(shè)置在所述中空室的與所述噴淋板相對(duì)的所述內(nèi)壁的中央部分的每個(gè)第二噴氣孔的 開口面積小于每個(gè)另外的第二噴氣孔的開口面積，該另外的第二噴氣孔設(shè)置在圍繞所述中 央部分的一個(gè)圓的一個(gè)圓周上或圍繞所述中央部分的多個(gè)同心圓的多個(gè)圓周上。
全文摘要
本發(fā)明提供等離子體處理設(shè)備，該等離子體處理設(shè)備即使當(dāng)兩個(gè)電極的面積增加時(shí)也能均勻地將氣體供應(yīng)到陰極電極和陽極電極之間的空間，并且能夠減小兩個(gè)電極的厚度。兩對(duì)陽極電極(4)和陰極電極(12)在等離子體處理設(shè)備(100)的腔(15)中布置為彼此相對(duì)。陰極電極(12)具有噴淋板(2)、后板(3)和中空室(17)。噴淋板(2)設(shè)置有第一噴氣孔(18)，用于將引入中空腔(17)的氣體噴到兩個(gè)電極(12，4)之間的空間。用于從外部引入氣體的進(jìn)氣口(31)布置在后板(3)的下表面(面對(duì)噴淋板(2)的中空腔(17)內(nèi)壁(19))的電極端面上。用于將氣體噴到中空腔(17)的第二噴氣孔(32)以及用于將氣體從進(jìn)氣口(31)引導(dǎo)到第二噴氣孔(32)的氣體引導(dǎo)部分(33)設(shè)置在中空室的內(nèi)壁(19)上。
文檔編號(hào)H01L21/205GK101910460SQ200880124530
公開日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2008年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月11日
發(fā)明者岸本克史, 福岡裕介 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社