專利名稱：制造背接觸式光伏電池的方法及由該方法制得的背接觸式光伏電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造背接觸式光伏電池的方法。此外，本發(fā)明還涉及背接觸式光伏電 池。
背景技術(shù)：
基于單晶或多晶硅晶片的背接觸式光伏電池或太陽(yáng)能電池包括鍍金屬方案，其 中正極和負(fù)極接觸電極均設(shè)置在太陽(yáng)能電池的背面。該鍍金屬方案采用鍍金屬穿孔卷繞 (MWT)或發(fā)射極穿孔卷繞(EWT)以將接觸電極引至背面，從而在太陽(yáng)能電池在使用中朝向 輻射源(例如太陽(yáng))的正面上具有最大的用于光伏轉(zhuǎn)化的面積。太陽(yáng)能電池的頂層借助一 個(gè)或多個(gè)在延伸通過(guò)晶片的孔(也稱作“通孔vias”)中的金屬插頭與電池背面上的正面 接觸電極相連?，F(xiàn)有技術(shù)的背接觸式太陽(yáng)能電池的缺點(diǎn)在于，出于一些原因效率較低。已知在傳統(tǒng)MWT或EWT技術(shù)中，穿過(guò)通孔的電導(dǎo)可以比較小。通常是借助將金屬 膏壓入通孔中的絲網(wǎng)印刷法對(duì)通孔實(shí)施鍍金屬。通過(guò)該方法難以用金屬完全填充通孔。因 此，由于電導(dǎo)低，太陽(yáng)能電池的效率降低。由國(guó)際申請(qǐng)W05076960已知通過(guò)在絲網(wǎng)印刷法前采用擴(kuò)散法摻雜通孔壁而提高 通孔內(nèi)的電導(dǎo)。必須設(shè)置擴(kuò)散法以獲得與太陽(yáng)能電池的正面層的最佳(低)摻雜劑濃度相 比，具有更高摻雜劑濃度的通孔壁。因?yàn)樾枰~外的生產(chǎn)步驟，所以用于通孔的該擴(kuò)散法是 復(fù)雜的，還可能對(duì)正面層的形成有負(fù)面影響。具體而言，由于對(duì)通孔壁進(jìn)行摻雜，晶片的正 面層相對(duì)較高的摻雜劑濃度可提高正面層內(nèi)少數(shù)載荷子的重新結(jié)合。還已知使用電鍍以對(duì)晶片內(nèi)的通孔進(jìn)行鍍金屬。然而，與絲網(wǎng)印刷相比，該技術(shù)成 本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是去除或者至少減少上述缺點(diǎn)。該目的是通過(guò)如下方式實(shí)現(xiàn)的，其包括-提供第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基底；-在所述半導(dǎo)體基底的正面與背面之間形成至少一個(gè)通孔；-于所述背面在所述至少一個(gè)通孔上方施加正面接觸金屬膏，所述正面接觸金屬 膏包含第一接觸金屬；-對(duì)所述半導(dǎo)體基底退火，從而熔化所述第一接觸金屬，并在退火期間至少在所述 至少一個(gè)通孔的壁上形成所述第一接觸金屬與半導(dǎo)體基底材料的合金。所述方法有利地通過(guò)在所述至少一個(gè)通孔的壁上形成合金而促進(jìn)的潤(rùn)濕和/或 毛細(xì)作用使熔融的第一接觸金屬流動(dòng)，從而改善了所述至少一個(gè)通孔的填充情況。根據(jù)所述方法的一個(gè)方面，正面接觸金屬膏的第一接觸金屬是所述半導(dǎo)體基底的摻雜劑元素，所述摻雜劑元素產(chǎn)生第二傳導(dǎo)類型，所述第二傳導(dǎo)類型與所述第一傳導(dǎo)類型 相反。在這一方面，所述方法有利地允許所述至少一個(gè)通孔的壁的傳導(dǎo)類型不同于所述 基底材料的傳導(dǎo)類型。根據(jù)所述方法的另一方面，所述正面接觸金屬膏包含至少一種產(chǎn)生第二傳導(dǎo)類型 的第一摻雜劑元素，所述第二傳導(dǎo)類型與所述第一傳導(dǎo)類型相反。在這一方面，所述方法有 利地允許所述至少一個(gè)通孔的壁的傳導(dǎo)類型不同于所述基底材料的傳導(dǎo)類型。此外，本發(fā)明還涉及背接觸式光伏電池，其包括_第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基底；-從所述半導(dǎo)體基底的正面至背面的至少一個(gè)通孔；-于所述背面在所述至少一個(gè)通孔上方的正面接觸金屬圖案，所述正面接觸金屬 圖案包含第一接觸金屬；所述至少一個(gè)通孔包含至少在壁上的所述第一接觸金屬與半導(dǎo)體基底材料的合
金層ο


下面參照一些附圖解釋本發(fā)明，這些附圖僅用于圖示的目的，并不對(duì)所附權(quán)利要 求定義的保護(hù)范圍加以限制。圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的背接觸式光伏電池在初始階段的截面 圖；圖2所示為所述背接觸式光伏電池在下一階段的截面圖；圖3所示為所述背接觸式光伏電池在再下一階段的截面圖；圖4所示為所述背接觸式光伏電池在再下一階段的截面圖；圖5所示為所述背接觸式光伏電池在再下一階段的截面圖；圖6所示為所述背接觸式光伏電池在再下一階段的截面圖；圖7所示為所述背接觸式光伏電池在另一個(gè)實(shí)施方案中的截面圖；圖8所示為本發(fā)明方法的方塊圖。
具體實(shí)施例方式圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的背接觸式光伏電池1在初始階段的截面 圖。在制造方法的初始階段，提供第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基底101。所述基底可以是單晶硅晶片，或者是多晶硅晶片。所述第一傳導(dǎo)類型可以是ρ型(受體類型)或者是η型(供體類型)。根據(jù)一個(gè) 優(yōu)選的實(shí)施方案，所述第一傳導(dǎo)類型是η型。在所述基底101中，產(chǎn)生從所述基底的正面IOla至背面IOlb的一個(gè)或多個(gè)通孔 102。可以通過(guò)激光鉆孔技術(shù)形成通孔。在形成通孔102之后，在所述基底101的正面上及在所述通孔102的壁102a、102b 上以及任選在所述基底的部分背面上形成頂層103。所述頂層103具有與所述基底101的第一傳導(dǎo)類型相反的第二傳導(dǎo)類型。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案，所述基底具有η型傳導(dǎo)性，而所述頂層103具有ρ型傳 導(dǎo)性。可以通過(guò)作為P型的第一摻雜劑元素的硼(B)的擴(kuò)散形成ρ型頂層103。選擇性地，所述第一摻雜劑元素可以包括Al、Ga或In。所述第一摻雜劑元素可以由蒸汽源或涂布源形成。所述涂布源可以是包含摻雜劑的膏狀物或液體?？梢詫⒃摳酄钗锘蛞后w絲網(wǎng)印 刷、旋涂或噴涂在所述基底的表面上，然后可以在高溫下擴(kuò)散進(jìn)入其中。圖2所示為所述背接觸式光伏電池1在下一階段的截面圖。接著，在背面IOlb上形成用于接觸基底101的基極接觸區(qū)域104。掩模(未示出)用于確定待形成基極觸點(diǎn)104的區(qū)域。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案，所述基底具有η型傳導(dǎo)性，通過(guò)η型的第二摻雜劑元素 的擴(kuò)散形成基極接觸區(qū)域104。所述第二摻雜劑元素可以是磷(P)。所述第二摻雜劑元素 可以由蒸汽源或涂布源形成。在確定或形成基極接觸區(qū)域104之后，去除掩模。選擇性地，可以借助具有η型摻雜劑的包含摻雜劑的膏狀物將所述第二摻雜劑元 素局部施加在基極接觸區(qū)域104上。圖3所示為所述背接觸式光伏電池1在再下一階段的截面圖。然后，在所述基底的正面上形成第一介電層105以覆蓋頂層103。典型地，所述第 一介電層105是可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)形成的氮化硅層。選擇 性地，可以通過(guò)濺射沉積法或者低壓CVD(LPCVD)法或者現(xiàn)有技術(shù)中已知的其他方法形成 介電層。接著，在所述基底的背面上形成第二介電層106。典型地，可以具有不同于所述第 一介電層105的組成的所述第二介電層106是也可通過(guò)等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法 (PECVD)形成的氮化硅層。圖4所示為所述背接觸式光伏電池1在再下一階段的截面圖。在該階段，于所述基底的背面在所述第二介電層上形成背面鍍金屬圖案107。所述 背面鍍金屬圖案107基本上設(shè)置在基極接觸區(qū)域104上方。典型地，所述背面鍍金屬圖案107是通過(guò)絲網(wǎng)印刷背面接觸金屬膏而形成的。選 擇性地，所述背面鍍金屬圖案107還可以通過(guò)其他技術(shù)形成，例如刻版印刷、噴墨印刷、撒 布、貼花轉(zhuǎn)移、電鍍、非電解浸鍍(但是并不局限于此)。所述背面鍍金屬圖案107的背面金 屬膏可以包含銀(Ag)作為第二接觸金屬。圖5所示為所述背接觸式光伏電池1在再下一階段的截面圖。在該階段，在所述基底的背面上形成正面接觸鍍金屬圖案108。在背面通孔開(kāi)口上 方以如下方式形成所述正面接觸鍍金屬圖案，使得通孔102至少部分地用第一接觸金屬填充。所述正面接觸鍍金屬圖案可以通過(guò)第二絲網(wǎng)印刷接觸金屬膏而形成，或者通過(guò)其 他技術(shù)形成，例如參考用于制造背面鍍金屬圖案的上述技術(shù)。根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案，所述正面接觸鍍金屬圖案108的接觸金屬膏包含鋁 (Al)作為第一接觸金屬。
6
在MWT(鍍金屬穿孔卷繞)的情況下，還將額外的鍍金屬圖案(在此未示出)施加 在所述基底的正面上。圖6所示為所述背接觸式光伏電池在再下一階段的截面圖。在該階段，在提高的退火溫度下加熱所述背接觸式光伏電池。選擇退火溫度，從而 允許在背面接觸鍍金屬圖案107的第二接觸金屬與基極接觸區(qū)域104之間形成導(dǎo)電接觸， 并至少使在正面接觸鍍金屬圖案108的接觸金屬膏中的第一接觸金屬熔化。由于通過(guò)潤(rùn)濕和/或毛細(xì)作用使熔融的接觸膏材料流動(dòng)，正面接觸金屬膏的熔融 有利地填充通孔。此外，可以選擇退火溫度，從而使正面接觸鍍金屬圖案108的第一接觸金屬與通 孔的壁102a、102b反應(yīng)形成金屬間化合物109 (例如共晶合金)。在沒(méi)有與壁發(fā)生反應(yīng)的情況下，通孔可以包括單個(gè)金屬體的插頭。若與壁發(fā)生反 應(yīng)，則通孔可以包括部分或完全由金屬間化合物109組成的插頭。在第一接觸金屬膏包含鋁而半導(dǎo)體基底包含硅的實(shí)施方案中，金屬間化合物109 可以包括Al-Si共析體。由于在Al-Si組成系統(tǒng)(或Al-Si相圖)中的相對(duì)較低的液相線 溫度(約600°C )下形成共晶合金，特別是由于共晶液體相對(duì)較低的粘度，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)通孔 的優(yōu)異的填充效果。此外，應(yīng)當(dāng)注意，鋁可以作為硅的ρ型摻雜劑。由此提高了結(jié)絕緣(通孔金屬對(duì)η 型基底101的絕緣)和通孔壁內(nèi)的電導(dǎo)，從而進(jìn)一步提高了背接觸式光伏電池1的效率。在背面接觸金屬膏包含銀而正面接觸金屬膏包含鋁的實(shí)施方案中，可以在鋁的熔 化溫度與銀的熔化溫度之間選擇退火溫度。在此情況下，鋁可與硅發(fā)生合金化，而銀膏僅打 開(kāi)氮化硅層106與基極觸點(diǎn)104相接觸。應(yīng)當(dāng)注意，在一個(gè)可選擇的實(shí)施方案中，可以在絲網(wǎng)印刷正面接觸金屬膏108并 隨后退火以用接觸金屬填充通孔之前，使背面接觸金屬膏107與基極觸點(diǎn)104發(fā)生背面接 觸(通過(guò)退火)。因?yàn)橛糜谌刍X(或Al-Si合金)的退火溫度低于銀的熔化溫度，所以背面銀觸 點(diǎn)107在填充通孔期間是穩(wěn)定的。應(yīng)當(dāng)注意，在另一個(gè)實(shí)施方案中，通孔中的金屬插頭可以在其中心包括空隙。在此 情況下，插頭可以具有(類似)管的形狀。由于退火，正面接觸金屬膏固化進(jìn)入包含第一接觸金屬的正面接觸金屬組合物 中，背面接觸金屬膏固化進(jìn)入包含第二接觸金屬的背面接觸金屬組合物中。圖7所示為所述背接觸式光伏電池在另一個(gè)實(shí)施方案中的截面圖。在圖7中，具有與前述附圖中所示相同標(biāo)記的部件涉及相應(yīng)的部件。在該實(shí)施方案中，正面接觸金屬膏108包含第一接觸金屬和摻雜劑元素。在退火 過(guò)程中，可以發(fā)生摻雜劑元素?cái)U(kuò)散進(jìn)入基底材料中的擴(kuò)散反應(yīng)，并且發(fā)生第一接觸金屬與 半導(dǎo)體基底材料的合金化反應(yīng)。取決于各個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)動(dòng)力，通孔中的插頭可以包括摻雜層111、金屬間化合物層 112和金屬體110。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，寬度之比取決于在所選擇的退火溫度下的反應(yīng) 動(dòng)力。在一個(gè)實(shí)施方案中，基底101包含η型硅，而正面接觸金屬膏包含鋁和硼。
圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的制造方法800的方塊圖。背接觸式光伏電池1的制造方法800以提供η型硅基底的操作801開(kāi)始。該晶片
是單晶或多晶。在下一個(gè)操作802中，通過(guò)激光鉆孔在晶片中鉆出ρ型觸點(diǎn)的孔(通孔)。然后在操作803中，在晶片正面上通過(guò)硼(ρ+)擴(kuò)散而形成具有ρ型傳導(dǎo)性的頂層。 可以在提高的溫度下使用氣態(tài)硼前體實(shí)施該擴(kuò)散過(guò)程。通孔的壁同時(shí)用P型傳導(dǎo)性的層覆
至
ΓΤΠ ο在操作804中，通過(guò)擴(kuò)散η型摻雜劑在晶片背面IOlb上形成接觸區(qū)域。η型摻雜 劑可以是磷(P)。在后續(xù)的操作805中，形成第一介電層105作為鈍化和抗反射層以覆蓋頂層103。 所述第一介電層105可以是可通過(guò)等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)形成的氮化硅層。 在下一個(gè)操作806中，在晶片背面上形成第二介電層106作為鈍化和內(nèi)反射層。可 以通過(guò)等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法(PECVD)形成第二氮化硅層。在操作807中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷包含銀(Ag)的背面接觸金屬膏而在晶片背面上形成 用于接觸背面基極觸點(diǎn)的背面(基極)接觸鍍金屬圖案107。然后在操作808中，通過(guò)絲網(wǎng)印刷包含鋁作為第一接觸金屬的接觸金屬膏而在晶 片背面上形成正面(發(fā)射極)接觸鍍金屬圖案108。以如下方式在背面通孔開(kāi)口上方形成 正面接觸鍍金屬圖案，從而至少部分地用正面接觸金屬膏填充通孔102。下面在操作809中，在提高的退火溫度下對(duì)晶片進(jìn)行退火。在退火期間，在背面銀 鍍金屬圖案107與基極接觸區(qū)域104之間形成導(dǎo)電接觸。同時(shí)由于通過(guò)潤(rùn)濕和/或毛細(xì)作 用使熔融的接觸金屬膏材料流動(dòng)，接觸金屬膏熔化并填充通孔。正面接觸金屬膏的鋁與晶 片的硅反應(yīng)，并形成覆蓋通孔壁的金屬間化合物。因?yàn)殇X是硅的P型摻雜劑，所以提高了結(jié) 絕緣，并且提高了光伏電池的效率。在后續(xù)的操作810中，使晶片冷卻，并進(jìn)一步加工成光伏電池。應(yīng)當(dāng)注意，在以上描述中，可以存在若干個(gè)中間方法步驟，尤其是濕或干的化學(xué)步 驟，例如蝕刻和清潔。出于簡(jiǎn)潔的原因，在此沒(méi)有討論對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言清楚的這些 中間步驟。本領(lǐng)域技術(shù)人員還清楚，可以想象出本發(fā)明的其他實(shí)施方案，并縮小至實(shí)際，而不 會(huì)偏離本發(fā)明的真實(shí)精神，本發(fā)明的范圍僅由所附的最終授權(quán)的權(quán)利要求所限定。說(shuō)明書(shū) 并不對(duì)本發(fā)明加以限制。
權(quán)利要求
用于制造光伏電池的方法，其包括 提供第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基底； 在所述半導(dǎo)體基底的正面與背面之間形成至少一個(gè)通孔； 于所述背面在所述至少一個(gè)通孔上方施加正面接觸金屬膏，所述正面接觸金屬膏包含第一接觸金屬； 對(duì)所述半導(dǎo)體基底退火，從而熔化所述第一接觸金屬，并在退火期間至少在所述至少一個(gè)通孔的壁上形成所述第一接觸金屬與半導(dǎo)體基底材料的合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在形成所述至少一個(gè)通孔之后，至少在所述半導(dǎo)體基 底的正面上及在所述至少一個(gè)通孔的壁上形成第二傳導(dǎo)類型的層；所述第二傳導(dǎo)類型與所 述第一傳導(dǎo)類型相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述正面接觸金屬膏的第一接觸金屬是所述半導(dǎo) 體基底的摻雜劑元素，所述摻雜劑元素產(chǎn)生第二傳導(dǎo)類型，所述第二傳導(dǎo)類型與所述第一 傳導(dǎo)類型相反。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一的方法，其中所述正面接觸金屬膏包含至少一種產(chǎn)生第二 傳導(dǎo)類型的第一摻雜劑元素，所述第二傳導(dǎo)類型與所述第一傳導(dǎo)類型相反。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中除了形成所述第二傳導(dǎo)類型的層以外，所述方法還包 括在所述半導(dǎo)體基底的背面上形成基極接觸區(qū)域，所述基極接觸區(qū)域具有第一傳導(dǎo)類型。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中在形成所述第二傳導(dǎo)類型的層之后，所述方法還包括 形成第一介電層以覆蓋所述第二傳導(dǎo)類型的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中在所述半導(dǎo)體基底的背面上形成所述基極接觸區(qū)域之 后，所述方法還包括形成第二介電層以覆蓋所述半導(dǎo)體基底的背面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中在形成所述第二介電層之后，所述方法還包括將背面 接觸金屬膏施加在所述基極接觸區(qū)域上；所述背面接觸金屬膏包含第二接觸金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在至少高于所述第一接觸金屬的熔化溫度的溫度下對(duì) 所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行退火。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在至少高于所述第一接觸金屬與半導(dǎo)體基底材料的 組成系統(tǒng)的共晶溫度的溫度下對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行退火。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10的方法，其中所述第一接觸金屬的熔化溫度或者與基底材料 相關(guān)的共晶溫度低于所述第二接觸金屬的熔化溫度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一傳導(dǎo)類型是η型。
13.根據(jù)權(quán)利要求9或10的方法，其中所述正面接觸金屬膏包含鋁作為第一接觸金屬， 所述背面接觸金屬膏包含銀作為第二接觸金屬，而所述半導(dǎo)體基底包含硅。
14.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中所述至少一種第一摻雜劑元素選自以下組中的至少 一種硼、鋁、鎵和銦。
15.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中通過(guò)第一傳導(dǎo)類型的第二摻雜劑元素的擴(kuò)散而在所 述半導(dǎo)體基底的背面上形成所述基極接觸區(qū)域；所述第二摻雜劑元素選自以下組中的至少 一種磷、砷和銻。
16.光伏電池，其包括-第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基底；“從所述半導(dǎo)體基底的正面至背面的至少一個(gè)通孔；_于所述背面在所述至少一個(gè)通孔上方的正面接觸金屬圖案，所述正面接觸金屬圖案 包含第一接觸金屬；所述至少一個(gè)通孔包含至少在壁上的所述第一接觸金屬與半導(dǎo)體基底材料的合金層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的光伏電池，其中所述光伏電池包括背面上的基極接觸區(qū)域，所 述基極接觸區(qū)域具有第一傳導(dǎo)類型。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的光伏電池，其中所述基極接觸區(qū)域上提供有背面接觸金屬圖 案，所述背面接觸金屬圖案包含第二接觸金屬。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的光伏電池，其中所述光伏電池包括在合金層與半導(dǎo)體基底材料 之間在所述至少一個(gè)通孔中及在所述半導(dǎo)體基底的正面上的第二傳導(dǎo)性的層；所述第二傳 導(dǎo)類型與所述第一傳導(dǎo)類型相反。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的光伏電池，其中所述正面接觸金屬圖案的第一接觸金屬是第一 傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體的摻雜劑元素，所述摻雜劑元素產(chǎn)生第二傳導(dǎo)類型，所述第二傳導(dǎo)類型 與所述第一傳導(dǎo)類型相反。
21.根據(jù)權(quán)利要求16或20的光伏電池，其中所述正面接觸金屬圖案包含至少一種產(chǎn)生 第二傳導(dǎo)類型的摻雜劑元素，所述第二傳導(dǎo)類型與所述第一傳導(dǎo)類型相反。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的光伏電池，其中所述第一接觸金屬的熔化溫度或者與基底材料 相關(guān)的共晶溫度低于所述第二接觸金屬的熔化溫度。
23.根據(jù)權(quán)利要求16至22之一的光伏電池，其中所述第一傳導(dǎo)類型是η型。
24.根據(jù)權(quán)利要求18至23之一的光伏電池，其中所述正面接觸金屬圖案包含鋁作為第 一接觸金屬，所述背面接觸金屬圖案包含銀作為第二接觸金屬，而所述半導(dǎo)體基底包含硅。
25.根據(jù)權(quán)利要求23或24的光伏電池，其中所述至少一種第一摻雜劑元素選自以下組 中的至少一種硼、鋁、鎵和銦。
全文摘要
用于制造光伏電池的方法，其包括提供第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體基底；在所述半導(dǎo)體基底的正面與背面之間形成至少一個(gè)通孔；于所述背面在所述至少一個(gè)通孔上方施加正面接觸金屬膏，所述正面接觸金屬膏包含第一接觸金屬；對(duì)所述半導(dǎo)體基底退火，從而熔化所述第一接觸金屬，并在退火期間至少在所述至少一個(gè)通孔的壁上形成所述第一接觸金屬與半導(dǎo)體基底材料的合金。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK101919064SQ200880123696
公開(kāi)日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2008年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月19日
發(fā)明者V·D·米哈伊利奇 申請(qǐng)人:荷蘭能源建設(shè)基金中心