專利名稱：高純度鑭、包含高純度鑭的濺射靶以及以高純度鑭為主成分的金屬柵膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高純度鑭、包含高純度鑭的濺射靶以及以高純度鑭為主成分的金屬柵膜。
背景技術(shù)：
鑭(La)包含在稀土元素中，作為礦產(chǎn)資源以混合復(fù)合氧化物形式存在于地殼中。 稀土元素是從比較稀少地存在的礦物分離出來的，因此起了這樣的名稱，但是，從地殼整體 來看決不稀少。鑭是原子序數(shù)為57、原子量138. 9的白色金屬，常溫下具有雙六方最密堆積 結(jié)構(gòu)。熔點(diǎn)為921°C、沸點(diǎn)為3500°C、密度為6. 15g/cm3，在空氣中表面被氧化，在水中逐漸 溶解?？扇苡跓崴?、酸。沒有延性，但是稍有展性。電阻率為5. 70X 10_6 Ω cm。在445°C以 上燃燒生成氧化物(La2O3)(參考物理化學(xué)辭典)。稀土元素一般情況是氧化數(shù)為3的化合物穩(wěn)定，鑭也是三價(jià)。最近進(jìn)行了將鑭作 為金屬柵材料、高介電常數(shù)材料(High-k)等電子材料的研究開發(fā)，因此受到關(guān)注。鑭金屬存在純化時(shí)容易氧化的問題，因此，其屬于難以高純度化的材料，不存在高 純度制品。另外，鑭金屬放置在空氣中時(shí)短時(shí)間內(nèi)氧化變?yōu)楹谏虼舜嬖诓蝗菀滋幚淼膯?題。最近，作為下一代的MOSFET中的柵絕緣膜要求薄膜化，迄今作為柵絕緣膜使用的 SiO2由于隧道效應(yīng)引起漏電流增大，因此不容易正常工作。因此，作為其替代物，提出了具有高介電常數(shù)、高熱穩(wěn)定性以及對硅中的空穴和電 子具有高能障的HfO2、&O2、Al2O3和La203。特別是這些材料中La2O3的評價(jià)高，因此對電特 性進(jìn)行了考查，并且作出了作為下一代MOSFET中的柵絕緣膜的研究報(bào)告(參考非專利文獻(xiàn) 1)。但是，在該非專利文獻(xiàn)的情況下，研究的對象是La2O3膜，對于La元素的特性和行為沒 有特別觸及。因此，對于鑭(氧化鑭)可以說仍然處于研究階段，對該鑭(氧化鑭)的特性進(jìn)行 考查時(shí)，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)鑭金屬本身如果作為濺射靶材料存在的話，則可以在襯底上形 成鑭的薄膜，另外容易考查與硅襯底的界面的行為，以及形成鑭化合物，容易考查高介電常 數(shù)柵絕緣膜等的特性，并且作為制品的自由度增大。但是，即使制作鑭濺射靶，如上所述，其在空氣中短時(shí)間內(nèi)(約10分鐘)發(fā)生氧 化。靶上如果形成氧化膜，則電導(dǎo)率下降，導(dǎo)致濺射不良。另外，如果在空氣中長時(shí)間放置， 則與空氣中的水分反應(yīng)從而產(chǎn)生由氫氧化物的白色粉狀物覆蓋的狀態(tài)，引起不能進(jìn)行正常 的濺射的問題。因此，在靶制作后需要進(jìn)行立即真空包裝或者用油脂涂覆的防止氧化措施， 這是非常繁雜的作業(yè)。從這樣的問題可以看出，目前的情況是鑭元素的靶材尚未實(shí)用化。非專利文獻(xiàn)1 德光永輔與另兩人合著《High-k Y —卜絶縁膜用酸化物材料O研 究》(High-k柵絕緣膜用氧化物材料的研究)，電氣學(xué)會電子材料研究會資料，第6-13卷，第 37-41頁，2001年9月21日發(fā)行

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠有效且穩(wěn)定地提供高純度鑭、包含高純度材料鑭的濺 射靶以及以高純度材料鑭為主成分的金屬柵用薄膜的技術(shù)。如上述現(xiàn)有技術(shù)所述，鑭是容易與氧結(jié)合、故氧難以除去的材料，本申請發(fā)明可以 得到除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm 以下的高純度鑭。以上的高純度鑭屬于新物質(zhì)，本申請發(fā)明包含該新物質(zhì)。在作為MOSFET中的柵絕緣膜使用的情形下，形成的主要是LaOx膜，形成這樣的膜 時(shí)，為了增大形成任意膜的成膜自由度，需要純度高的鑭金屬。本申請發(fā)明可以提供適合該 要求的材料。鑭中含有的稀土元素除鑭(La)以外還有Sc、Y、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、 Ho、Er、Tm、Yb、Lu，由于特性近似，因此難以從La分離純化。特別是Ce與La近似，因此不 容易減少Ce。但是，這些稀土元素由于性質(zhì)近似，因此稀土元素合計(jì)如果低于1000重量ppm，則 在作為電子部件材料使用時(shí)不會產(chǎn)生特別的問題。因此，本申請發(fā)明的鑭允許含有該水平的稀土元素。但是，為了發(fā)揮鑭元素的特 性，優(yōu)選鑭以外的稀土元素的總量為100重量ppm以下，更優(yōu)選10重量ppm以下，進(jìn)一步優(yōu) 選各稀土元素的含量為1重量ppm以下。本申請發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)該目的，并且包含該方案。一般而言，作為氣體成分，存在C、N、0、S和H。這些成分有時(shí)以單獨(dú)的元素形式存 在，但是，也存在多數(shù)以化合物(0)、0)2、302等)或與構(gòu)成元素的化合物的形式存在的情況。 這些氣體成分元素的原子量和原子半徑小，因此只要不大量含有，即使作為雜質(zhì)存在，也很 少會對材料特性產(chǎn)生大的影響。因此，進(jìn)行純度表示時(shí)，通常是除氣體成分以外的純度。從這個(gè)意義上說，本申請發(fā)明的鑭純度是，除氣體成分以外的純度為4N以上。純 化至該水平的鑭中氣體成分也隨之減少。例如，鑭中含有的氧如果為2000重量ppm以下、 且根據(jù)情況為5000重量ppm以下，有時(shí)不會成為大問題。但是，應(yīng)該理解本申請發(fā)明并非以5000重量ppm附近的氧含量為目標(biāo)。即，不用 說優(yōu)選氧盡可能少。本申請發(fā)明中，以1500重量ppm以下、進(jìn)一步以低于1000重量ppm為 目標(biāo)，并實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)。進(jìn)一步地，本申請發(fā)明提供高純度鑭，其特征在于，除稀土元素和氣體成分以外的 純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下、并且氧含量為1500重量ppm 以下、堿金屬和堿土金屬的各元素各自為1重量ppm以下，上述以外的過渡金屬和高熔點(diǎn)金 屬的各元素各自為10重量ppm以下，放射性元素各自為10重量ppb以下。由上述得到的鑭在真空中熔融并使其凝固可以得到錠。再將該錠切割為預(yù)定的尺 寸，并經(jīng)過研磨工序，可以得到濺射靶。由此，可以得到包含如下高純度鑭的濺射靶，所述高 純度鑭中除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，且鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重 量ppm以下。另外，同樣地可以得到如下高純度鑭濺射靶，所述高純度鑭中除稀土元素和氣體 成分以外的純度為4N以上、鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下、并且氧含量為1500 重量ppm以下、堿金屬和堿土金屬的各元素各自為1重量ppm以下、上述以外的過渡金屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下、且放射性元素各自為10重量ppb以下。另外，通過使用上述靶進(jìn)行濺射，可以在襯底上得到以如下高純度鑭為主成分的 金屬柵膜，所述高純度鑭中除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，且鑭中的鋁、鐵 和銅各自為100重量ppm以下；以及可以在襯底上得到以如下高純度鑭為主成分的金屬柵 膜，所述高純度鑭中除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上、鑭中的鋁、鐵和銅各自 為100重量ppm以下、并且氧含量為1500重量ppm以下、堿金屬和堿土金屬的各元素各自 為1重量ppm以下、上述以外的過渡金屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下、 且放射性元素各自為10重量ppb以下。這些濺射靶以及金屬柵膜均為新物質(zhì)，本申請發(fā)明 包含這些新物質(zhì)。發(fā)明效果本發(fā)明具有能夠提供高純度鑭、包含高純度材料鑭的濺射靶以及以高純度材料鑭 為主成分的金屬柵用薄膜的優(yōu)良效果。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明可以使用除氣體成分以外的純度為3N以下的粗鑭氧化物的原料作為高純 度化用的鑭原料。這些原料含有 Li、Na、K、Ca、Mg、Al、Si、Ti、Fe、Cr、Ni、Mn、Mo、Ce、Pr、Nd、 Sm、Ta、W、氣體成分(N、0、C、H)等作為主要的雜質(zhì)。市售品的例子如表1和表2所示。鑭中包含的鋁(Al)和銅(Cu)在半導(dǎo)體中大多用于襯底或源極、漏極等的合金材 料，即使柵材料中含有少量銅時(shí)，也成為誤操作的原因。另外，鑭中包含的鐵(Fe)容易氧 化，因此作為靶使用時(shí)成為濺射不良的原因。另外，即使在靶中不氧化而是在濺射后氧化 時(shí)，由于體積膨脹而容易引起絕緣不良等故障從而成為工作不良的原因，因此很成問題，因 而需要減少Fe量。原料中含有大量Fe、Al。另外，關(guān)于Cu，很多情況下受到在從氯化物或氟化物還原 而制造粗金屬時(shí)來自使用的水冷部件的污染。而且，很多情況下這些雜質(zhì)元素以氧化物形 式存在于原料鑭中。特別是Fe，具有金屬、低價(jià)氧化物、氧化物等各種形式，因此需要通過用 硝酸等的溶液進(jìn)行酸洗，從而使原料表面成為完全氧化物的形式。電子束熔融時(shí)，通過用低功率電子束對爐中的鑭熔融原料進(jìn)行大范圍的照射，金 屬鑭將上述Al、Fe、Cu的氧化物還原，通過比重差使成為金屬的Al、Fe、Cu的金屬在熔融錠 的上下凝聚。由此，可以從錠的中央部得到高純度的鑭。上述堿金屬元素有鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈁，另外堿土金屬元素有鈣、鍶、鋇、鐳，這些 金屬為正電性，例如在將鑭用于電子部件時(shí)，原子半徑小的元素容易在器件中遷移，存在使 器件的特性不穩(wěn)定的問題。如果微量存在則不會有特別的問題，但如果含量多則問題明顯。因此，作為電子部 件材料使用時(shí)，優(yōu)選各自的含量為1重量ppm以下。這些元素的多數(shù)蒸氣壓高，利用電子束 熔融會揮發(fā)，因此可以有效地除去。上述過渡金屬元素是元素周期表第3族 11族的金屬，代表性的金屬有鈦、釩、 鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅等。這些金屬引起漏電流的增加，成為耐壓下降的原因。另外，高熔 點(diǎn)金屬或重金屬也同樣如此。因此，作為電子部件材料使用時(shí)，優(yōu)選上述以外的過渡金屬及 高熔點(diǎn)金屬或重金屬的各元素各自為10重量ppm以下，更優(yōu)選盡可能地少。
作為代表性的放射性元素，有鈾、錒、釷、鉛、鉍，其會產(chǎn)生稱為存儲器單元累積電 荷反轉(zhuǎn)的軟錯(cuò)誤。因此，不僅需要減少它們的量，而且需要限制由這些元素產(chǎn)生的α射線量。以總量計(jì)，可以允許的混入量是不超過20重量ppb，優(yōu)選盡可能少。如上所述，各 元素可以單獨(dú)地進(jìn)行分析和控制，對于這些元素，優(yōu)選各自為10重量ppb以下。使用流氣正比比例計(jì)數(shù)管方式的測定裝置測定本申請發(fā)明的靶的α射線量，結(jié) 果是α射線量為0. 01cph/cm2以下。上述中，之所以從高純度鑭中將稀土元素除外，是因?yàn)樵谥圃旄呒兌辱|時(shí)，其它稀 土本身因與鑭化學(xué)性質(zhì)相似、從技術(shù)上很難除去，另外由于該特性的相似性，即使作為雜質(zhì) 混入也不會引起顯著的特性變化。鑒于這樣的事實(shí)，某種程度的其它稀土元素的混入是默認(rèn)的，但是在要提高鑭本 身的特性時(shí)，不用說優(yōu)選其它稀土元素的混入少。另外，之所以將除氣體成分以外的純度設(shè)定為4N以上，是因?yàn)闅怏w成分難以除 去，且對氣體成分計(jì)數(shù)也不是純度提高的目標(biāo)。另外，因?yàn)橐话愣远鄶?shù)情況下與其它雜質(zhì) 元素相比，多少存在一些也沒有害處。但是，即使這樣的情況下，氣體成分中特別是氧容易混入，當(dāng)超過5000重量ppm 時(shí)，則產(chǎn)生大的問題。特別是因?yàn)?，在后述的混入靶中的情況下，在濺射中產(chǎn)生氧引起的飛 濺，不能均勻地成膜。另外，當(dāng)存在氧化物時(shí)，成為產(chǎn)生微?；蚯蛄５脑颍虼耸遣粌?yōu)選的。另外，由于 對后述的金屬柵膜的性質(zhì)的影響不小，因此不用說需要盡可能地減少。因此不用說，對于氧 而言，優(yōu)選地是嚴(yán)格控制。優(yōu)選1500重量ppm以下，更優(yōu)選低于1000重量ppm。在形成柵絕緣膜或金屬柵用薄膜等電子材料的薄膜的情況下，多數(shù)通過濺射進(jìn) 行，作為薄膜的形成手段是優(yōu)良的方法。因此，使用上述的鑭錠，制造高純度鑭濺射靶是有 效的。靶的制造可以通過鍛造、壓延、切削、精加工(研磨)等通常的加工來進(jìn)行。其制 造工藝沒有特別限制，可以任意選擇。以上，本申請發(fā)明提供除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，氧含量為 1500重量ppm以下，堿金屬的各元素各自為1重量ppm以下，鋁、鐵和銅為100重量ppm以 下，上述以外的過渡金屬的各元素各自為100重量ppm以下、放射性元素各自為10重量ppb 以下的高純度鑭濺射靶。制作靶時(shí)，將上述高純度鑭錠切割為預(yù)定的尺寸，并進(jìn)行切削和研 磨來制作。另外，使用該高純度靶通過濺射可以在襯底上形成高純度鑭的膜。由此，除稀土元 素和氣體成分以外的純度為4N以上，氧含量為1500重量ppm以下、進(jìn)一步設(shè)定為低于1000 重量ppm。可以在襯底上形成以如下高純度鑭為主成分的金屬柵膜，所述高純度鑭中堿金屬 和堿土金屬的各元素各自為1重量ppm以下，鋁、鐵和銅為100重量ppm以下，除此以外的 過渡金屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下，放射性元素各自為10重量ppb 以下。襯底上的膜反映了靶的組成，可以形成高純度的鑭膜。作為金屬柵膜的使用，可以直接作為上述高純度鑭的組成來使用，也可以與其它 柵材混合或者形成合金或化合物。此時(shí)，可以通過與其它柵材的靶同時(shí)濺射或者使用鑲嵌式靶進(jìn)行濺射來實(shí)現(xiàn)。本申請發(fā)明包含這些方面。雜質(zhì)的含量隨原料中所含的雜質(zhì)量而變 化，通過采用上述方法，可以將各種雜質(zhì)調(diào)節(jié)到上述數(shù)值范圍內(nèi)。本申請發(fā)明提供能夠有效且穩(wěn)定地提供上述得到的高純度鑭、包含高純度材料鑭 的濺射靶以及以高純度材料鑭為主成分的金屬柵用薄膜的技術(shù)。實(shí)施例以下對實(shí)施例進(jìn)行說明。該實(shí)施例用于容易理解本發(fā)明，而不是用于限制本發(fā)明。 即，本發(fā)明也包含在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)的其它實(shí)施例和變形。(實(shí)施例1)使用表1所示的市售品作為待處理的鑭原料。鑭本身是最近受到關(guān)注的材料，因 此，實(shí)際情況是材料的市售品純度各式各樣，品位并不統(tǒng)一。該市售品為其中之一。本實(shí)施例1中使用的市售品鑭，由約10 20mm的許多塊狀物組成。鑭是非常容 易氧化的物質(zhì)，因此被浸漬在油(液體石蠟)中。因此，通過脫脂或者根據(jù)需要進(jìn)行超聲波 清洗，并將丙酮除去。使用7. OOkg經(jīng)這樣的預(yù)清洗處理后的原料。使用1. 5當(dāng)量硝酸(70%硝酸的10 倍)，以硝酸溶液IOL/鑭Ikg的比例將其浸漬5分鐘后，進(jìn)行水洗并在丙酮中進(jìn)行30分鐘
超聲波清洗。當(dāng)硝酸殘留時(shí)，EB(電子束)熔融錠中的氧上升，另外當(dāng)水分殘留時(shí)，EB爐中的真 空度下降，因此，優(yōu)選盡可能地減少硝酸和水分的殘液。通過該硝酸處理，在鑭原料上形成 氧化膜。酸洗后的原料為6. 86kg。然后，使用70kW的EB熔融爐，在真空度6.0ΧΙΟ—5 7.0ΧΙΟ—4毫巴、熔融功率 IOkW條件下進(jìn)行熔融。該EB熔融進(jìn)行兩次。各次EB熔融的時(shí)間為30分鐘。由此制成EB 熔融錠。EB熔融時(shí)揮發(fā)性高的物質(zhì)揮發(fā)除去。另外，氧化物在真空下也容易揮發(fā)，因此同樣 地也可以減少到相當(dāng)?shù)偷乃?。由上述步驟，可以制造高純度鑭。該高純度鑭的分析值如表1所示。如該表1所 示，鑭中的Al :12重量ppm，F(xiàn)e 42重量ppm，Cu 83重量ppm，可以看出均達(dá)到本申請發(fā)明 的條件即100重量ppm以下的條件。另外，氧為440重量ppm，也達(dá)到本申請發(fā)明的優(yōu)選條件即1500重量ppm以下、以 及更優(yōu)選的條件即低于1000重量ppm。另夕卜，Li < 0. 1 重量 ppm、Na < 0. 1 重量 ppm、K < 0. 1 重量 ppm、Ca < 0. 1 重量 ppm、Mg < 0. 1 Ms. ppm、Si < 1 Ms. ppm、Ti < 0. 1 Ms. ppm、Ni < 0. 1 Ms. ppm>Mn < 0. 1 重量 ppm、Mo < 0. 1 重量 ppm、Ta < 1 重量 ppm、W < 0. 1 重量 ppm、U < 0. 010 重量 ppm、Th < 0. 002重量ppm，全部達(dá)到堿金屬和堿土金屬的各元素各自為1重量ppm以下，上述以外 的過渡金屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下，放射性元素各自為10重量ppb 以下的本發(fā)明優(yōu)選條件。另外，作為參考，稀土元素中的Ce 4. 7重量ppm，Pr 1. 5重量ppm，Nd 21重量 ppm, Sm: <0.05重量ppm。它們是殘余量，稀土元素總量為50重量ppm以下，可以看出與 原料相比顯著減少。該程度的含量不會損害鑭的特性。表 1 單位重量ppm將這樣得到的鑭錠根據(jù)需要進(jìn)行熱壓，并進(jìn)行機(jī)械加工和研磨，得到φ 140Χ 14t 的圓盤形靶。該靶的重量為1. 42kg。再次該靶與背襯板接合，得到濺射用靶。由此，可以得到上述成分組成的高純度鑭濺射用靶。另外，該靶的氧化性高，因此優(yōu)選真空包裝后進(jìn)行保 存或運(yùn)輸。(實(shí)施例2)使用表2所示的市售品作為待處理的鑭原料。本實(shí)施例2中使用的市售品鑭，由 120mm見方X30mmt的板狀物組成。1塊板的重量為2. Okg 3. 3kg，使用12塊該板總計(jì) 24kg的原料。這些板狀的鑭原料是非常容易氧化的物質(zhì)，因此由鋁真空包裝。然后，從真空包裝袋中取出，用3當(dāng)量硝酸(70%硝酸的5倍)，以硝酸溶液IOL/ 鑭Ikg的比例將其浸漬5分鐘后，進(jìn)行水洗并在丙酮中進(jìn)行30分鐘超聲波清洗。當(dāng)硝酸殘 留時(shí)，EB (電子束)熔融錠中的氧上升，另外當(dāng)水分殘留時(shí)，EB爐中的真空度下降，因此優(yōu)選 盡可能地減少硝酸和水分的殘液。理由與實(shí)施例1相同。通過該硝酸處理，在鑭原料上形成氧化膜。酸洗后的原料總計(jì)為23. 78kg。然后，使用400kW的大型EB熔融爐，在真空度7. OX 10_5 3. 5X 10_5毫巴、熔融功 率96kW條件下進(jìn)行熔融，以13kg/小時(shí)的鑄造速度制作錠。EB熔融時(shí)揮發(fā)性高的物質(zhì)揮發(fā) 除去。另外，氧化物在真空下也容易揮發(fā)，因此同樣地也可以減少到相當(dāng)?shù)偷乃?。由上述步驟，可以制造高純度鑭錠22. 54kg。這樣得到的高純度鑭的分析值如表2 所示。如該表2所示，鑭中的Al :5. 5重量ppm，F(xiàn)e 3. 5重量ppm，Cu 2. 8重量ppm，可確認(rèn) 均達(dá)到本申請發(fā)明的條件即100重量ppm以下的條件。另外，氧為550重量ppm，也達(dá)到本 申請發(fā)明的優(yōu)選條件即1500重量ppm以下、以及更優(yōu)選的條件即低于1000重量ppm。另夕卜，Li < 0. 1 重量 ppm、Na < 0. 1 重量 ppm、K < 0. 1 重量 ppm、Ca < 0. 1 重量 ppm、Mg < 0. 1 重量 ppm、Si < 1 重量 ppm、Ti < 0. 1 重量 ppm、Cr < 0. 1 重量 ppm、Ni < 0. 1 重量 ppm、Mn < 0. 1 重量 ppm、Mo < 0. 1 重量 ppm、Ta < 1 重量 ppm、W < 0. 1 重量 ppm、U <0.001重量ppm、Th <0.001重量ppm，全部達(dá)到堿金屬和堿土金屬的各元素各自為1重 量ppm以下，上述以外的過渡金屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下，放射性 元素各自為10重量ppb以下的本發(fā)明優(yōu)選條件。另外，作為參考，稀土元素中的Ce :6. 8重量ppm，Pr :2. 6重量ppm，Nd :34重量 ppm，Sm:< 0. 1重量ppm。它們是殘余量，稀土元素總量為50重量ppm以下，可以看出與原 料相比顯著減少。該程度的含量不會損害鑭的特性。表2 單位重量ppm將這樣得到的鑭錠根據(jù)需要進(jìn)行熱壓，并進(jìn)行機(jī)械加工和研磨，得到Φ 140Χ 14t的圓盤形靶。將該靶進(jìn)一步與背襯板接合，得到濺射用靶。由此，可以得到上述成分組成的 高純度鑭濺射用靶。另外，該靶的氧化性高，因此合適地于真空包裝后進(jìn)行保存或運(yùn)輸。產(chǎn)業(yè)實(shí)用性由本發(fā)明得到的高純度鑭、包含高純度材料鑭的濺射靶以及以高純度材料鑭為主 成分的金屬柵用薄膜，特別是作為與硅襯底鄰接配置的電子材料不會引起電子設(shè)備的功能 下降或紊亂，因此可以用于柵絕緣膜或金屬柵用薄膜等的材料。
權(quán)利要求
一種高純度鑭，其特征在于，除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下。
2.一種高純度鑭，其特征在于，除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，鑭中的 鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下，并且氧含量為1500重量ppm以下，堿金屬和堿土金屬 的各元素各自為1重量ppm以下，上述以外的過渡金屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重 量ppm以下，放射性元素各自為10重量ppb以下。
3.一種包含高純度鑭的濺射靶，所述高純度鑭的特征在于，除稀土元素和氣體成分以 外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下。
4.一種包含高純度鑭的濺射靶，所述高純度鑭的特征在于，除稀土元素和氣體成分以 外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下，并且氧含量為1500重量 ppm以下，堿金屬和堿土金屬的各元素各自為1重量ppm以下，上述以外的過渡金屬和高熔 點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下，放射性元素各自為10重量ppb以下。
5.一種以高純度鑭為主成分的金屬柵膜，所述高純度鑭的特征在于，除稀土元素和氣 體成分以外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下。
6.一種以高純度鑭為主成分的金屬柵膜，所述高純度鑭的特征在于，除稀土元素和氣 體成分以外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下，并且氧含量為 1500重量ppm以下，堿金屬和堿土金屬的各元素各自為1重量ppm以下，上述以外的過渡金 屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下，放射性元素各自為10重量ppb以下。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高純度鑭，其特征在于，除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下；以及一種高純度鑭，其特征在于，除稀土元素和氣體成分以外的純度為4N以上，鑭中的鋁、鐵和銅各自為100重量ppm以下，并且氧含量為1500重量ppm以下，堿金屬和堿土金屬的各元素各自為1重量ppm以下，上述以外的過渡金屬和高熔點(diǎn)金屬的各元素各自為10重量ppm以下，放射性元素各自為10重量ppb以下。本發(fā)明的目的在于提供能夠有效且穩(wěn)定地提供高純度鑭、包含高純度材料鑭的濺射靶以及以高純度材料鑭為主成分的金屬柵用薄膜的技術(shù)。
文檔編號H01L21/283GK101910431SQ20088012316
公開日2010年12月8日 申請日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者加納學(xué), 新藤裕一朗, 高畑雅博 申請人:日礦金屬株式會社