專利名稱：薄膜型太陽能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池，更具體地說，涉及一種適于將前電極的電阻減至最小的薄膜型太陽能電池。
背景技術(shù)：
具有半導(dǎo)體特性的太陽能電池將光能轉(zhuǎn)化為電能。下面將簡要說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所述的太陽能電池的結(jié)構(gòu)和原理。太陽能電池以P N結(jié)的結(jié)構(gòu)形成，其中，正(P)型半導(dǎo)體與負(fù)(N)型半導(dǎo)體形成結(jié)。當(dāng)太陽光線入射在具有 PN結(jié)結(jié)構(gòu)的太陽能電池上的時候，由于太陽光線的能量而在所述半導(dǎo)體中產(chǎn)生空穴(+)和 電子(_)。在PN結(jié)區(qū)域中所產(chǎn)生的電場的作用下，空穴(+)向P型半導(dǎo)體漂移，電子(_)向 N型半導(dǎo)體漂移，由此產(chǎn)生了電力，并出現(xiàn)了電勢。太陽能電池主要分為晶片型太陽能電池和薄膜型太陽能電池。晶片型太陽能電池使用由諸如硅等半導(dǎo)體材料制成的襯底來制造。而薄膜型太陽 能電池則通過在玻璃襯底上以薄膜的形式形成半導(dǎo)體來制造。就效率而言，晶片型太陽能電池優(yōu)于薄膜型太陽能電池。然而，對晶片型太陽能電 池來說，因?qū)嵤┢渲圃爝^程中的困難而難以實現(xiàn)較小的厚度。此外，晶片型太陽能電池使用 昂貴的半導(dǎo)體襯底，因此增加了它的制造成本。盡管薄膜型太陽能電池在效率上不如晶片型太陽能電池，但薄膜型太陽能電池具 有諸如實現(xiàn)薄的縱斷面和使用低價材料等優(yōu)點。因此，薄膜型太陽能電池適于大規(guī)模生產(chǎn)。薄膜型太陽能電池通過順序地執(zhí)行下述步驟而制成在玻璃襯底上形成前電極， 在所述前電極上形成半導(dǎo)體層，以及在所述半導(dǎo)體層上形成后電極。在這種情況中，由于所 述前電極相當(dāng)于太陽光線的入射面，所以所述前電極由透明導(dǎo)電材料(例如，ZnO)制成。對 于大尺寸的襯底來說，在由透明導(dǎo)電材料制成的前電極中電阻增大，由此導(dǎo)致能量損失增 大。因此，提出了使由透明導(dǎo)電材料制成的前電極中的電阻減至最小的方法，其中，將 薄膜型太陽分成多個單體電池，并且將所述多個單體電池串聯(lián)連接起來。在下文中，將參照附圖描述具有多個串聯(lián)連接的單體電池的薄膜型太陽能電池的 現(xiàn)有制造方法。圖IA至IF是剖面圖，示出了具有多個串聯(lián)連接的單體電池的薄膜型太陽能電池 的現(xiàn)有制造方法。首先，如圖IA所示，在襯底10上形成前電極層12，其中，前電極層12由透明導(dǎo)電 材料(例如，ZnO)制成。接著，如圖IB所示，通過圖案化前電極層12形成單體前電極12a、12b和12c?？?以通過激光劃線過程進(jìn)行所述圖案化前電極層12的過程。接著，如圖IC所示，在襯底10的整個表面上形成半導(dǎo)體層14。半導(dǎo)體層14由諸 如硅等半導(dǎo)體材料形成，其中，半導(dǎo)體層14具有PIN結(jié)構(gòu)，在所述PIN結(jié)構(gòu)中，正(P)型半導(dǎo)體層(在下文中，稱作P層)、本征(I)型半導(dǎo)體層(在下文中，稱作I層)和負(fù)(N)型半導(dǎo)體層(在下文中，稱作N層)被順序地沉積。如圖ID所示，通過圖案化半導(dǎo)體層14形成單體半導(dǎo)體層14a、14b和14c?？梢酝ㄟ^激光劃線過程進(jìn)行所述圖案化半導(dǎo)體層14的過程。接著，如圖IE所示，在襯底10的整個表面上順序地形成透明導(dǎo)電層16和后電極層18。透明導(dǎo)電層16由氧化鋅(ZnO)形成，而后電極層18由鋁(Al)形成。如圖IF所示，通過圖案化后電極層18形成單體后電極18a、18b和18c。此時，當(dāng)圖案化后電極層18時，位于后電極層18下面的透明導(dǎo)電層16以及單體半導(dǎo)體層14b和14c也通過所述激光劃線過程被圖案化。如果太陽能電池被分成多個單體電池，并且所述單體電池串聯(lián)連接，那么，即使在大尺寸的襯底中，前電極的電阻也不會增大，由此防止了能量損失問題的發(fā)生。然而，薄膜型太陽能電池的現(xiàn)有制造方法必須要有激光劃線過程。這會導(dǎo)致下述問題。第一，進(jìn)行激光劃線過程會產(chǎn)生大量碎料。所產(chǎn)生的碎料會引起諸如襯底污染或器件短路等問題。第二，如果由于激光照射和輻照時間控制不當(dāng)而使激光過度地作用在目標(biāo)層上，那么位于目標(biāo)層下面的下部層會與目標(biāo)層一起被劃線。第三，激光劃線過程會使制造薄膜型太陽能電池的過程變復(fù)雜。另外，難以連續(xù)地在大氣條件下進(jìn)行激光劃線過程和在真空條件下進(jìn)行其它過程。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題因此，鑒于上述問題而提出本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一種薄膜型太陽能電池及其制造方法，其適于在不增加前電極的電阻的情況下實現(xiàn)大尺寸，并且將薄膜型太陽能電池分為多個單體電池。技術(shù)方案為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點并與本發(fā)明的目標(biāo)一致，如在此具體和概括描述的，一種薄膜型太陽能電池包括襯底；在所述襯底上的前電極層和電池劃分部分；在所述前電極層和所述電池劃分部分上的半導(dǎo)體層；以及在所述半導(dǎo)體層上的后電極。此時，所述電池劃分部分包括輔助電極。另外，在所述襯底上可額外地形成絕緣層。所述絕緣層可形成在所述輔助電極的側(cè)表面和上表面上，或者可形成在所述輔助電極的一側(cè)。所述絕緣層可形成在所述各個輔助電極之間，或者可形成為具有橢圓形水平橫截面的預(yù)定圖案。所述絕緣層比所述輔助電極高。所述薄膜型太陽能電池進(jìn)一步包括暴露于外部的第一和第二總線，其中，所述第一總線在所述襯底的一端與所述輔助電極連接，所述第二總線在所述襯底的另一端與所述后電極連接。所述輔助電極包括沿第一方向以固定間隔排列的多個第一輔助電極、以及沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的所述第一輔助電極相連的第二輔助電極。所述輔助電極由電導(dǎo)率比所述前電極層高的預(yù)定材料形成。所述電池劃分部分由分隔壁形成。此時，所述分隔壁形成為條紋或格子圖案。所述后電極包括沿第一方向以固定間隔排列的多個第一后電極、以及沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的第一后電極相連的第二后電極。所述后電極形成在所述各個電池劃分部分之間的區(qū)域中。此外，透明導(dǎo)電層形成在所述半導(dǎo)體層和所述后電極之間。所述電池劃分部分可形成在所述前電極層上，或者可形成在所述前電極層的下 面。本發(fā)明的另一方面提供一種薄膜型太陽能電池的制造方法，包括在襯底上形成 前電極層和電池劃分部分；在所述前電極層和電池劃分部分上形成半導(dǎo)體層；以及在所述 半導(dǎo)體層上形成后電極。所述電池劃分部分可包括輔助電極。此時，在形成所述半導(dǎo)體層之前，額外地在所 述襯底上形成絕緣層。所述絕緣層可形成在所述輔助電極的側(cè)表面和上表面上，或者可形成在所述輔助 電極的一側(cè)。所述絕緣層可形成在所述各個輔助電極之間。此時，絕緣層形成為具有橢圓形水 平橫截面的預(yù)定圖案。所述絕緣層比所述輔助電極高。形成所述輔助電極的步驟包括，在所述襯底的一端形成與所述輔助電極連接的第 一總線，形成所述后電極的步驟包括在所述襯底的另一端形成與所述后電極連接的第二總 線，其中，所述前電極、半導(dǎo)體層以及后電極未形成在所述第一總線上，以使所述第一總線
暴露在外部。形成所述輔助電極的步驟包括形成沿第一方向以固定間隔排列的多個第一輔助 電極；以及形成沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的所述第一輔助電極相連的第二輔助電極。 所述輔助電極由電導(dǎo)率比所述前電極層的電導(dǎo)率高的材料形成。所述電池劃分部分包括分隔壁，所述分隔壁形成為條紋或格子圖案。形成所述后電極的步驟包括形成沿第一方向以固定間隔排列的多個第一后電 極；以及形成沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的第一后電極相連的第二后電極。所述后電極形成在所述各個電池劃分部分之間的區(qū)域中。所述方法進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體層和所述后電極之間形成透明導(dǎo)電層。所述前電極層可形成在所述襯底上，所述電池劃分部分可形成在所述前電極層 上。在另一種方法中，所述電池劃分部分可形成在所述襯底上，而所述前電極層可形成在所 述電池劃分部分上。應(yīng)該理解，本發(fā)明的上述概括描述和下述詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，意在 提供所主張的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。有益效果根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜型太陽能電池及其制造方法具有以下優(yōu)點。在薄膜型太陽能電池的現(xiàn)有制造方法中，由于進(jìn)行激光劃線過程而產(chǎn)生大量的碎 料。然而，根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜型太陽能電池的制造方法不需要所述激光劃線過程，從而在根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜型太陽能電池的制造方法中不會產(chǎn)生碎料。因此，根據(jù)本發(fā)明所 述的薄膜型太陽能電池的制造方法可以避免由碎料導(dǎo)致的各種問題，例如，襯底污染、器件 短路、劃線波及非目標(biāo)層、過程復(fù)雜以及無法進(jìn)行連貫的過程。如果利用輔助電極或分隔壁而不是現(xiàn)有的激光劃線方法來將根據(jù)本發(fā)明所述的 薄膜型太陽能電池分成多個單體電池，那么，即使在大尺寸器件中也可以防止前電極層電 阻增大。此外，除輔助電極以外還額外地形成絕緣層，由此防止在所述輔助電極和半導(dǎo)體層之間的界面中產(chǎn)生問題，并且在太陽能電池中實現(xiàn)精確的劃分。此外，所述絕緣層可以使 所述半導(dǎo)體層的整體尺寸增加并可以使光俘獲效率提高。


圖IA至IF是圖示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面圖；圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面 圖；圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面 圖；圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面 圖；圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面 圖；圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面 圖；圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明第六實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面 圖；圖8A至8D是圖示根據(jù)本發(fā)明所述的各種類型的輔助電極的平面圖；圖9是圖示根據(jù)本發(fā)明所述的一類后電極的平面圖；圖IOA至IOD是圖示根據(jù)本發(fā)明所述的各種類型的輔助電極和絕緣層的平面圖；圖IlA至IlC是圖示根據(jù)本發(fā)明所述的各種類型的分隔壁的平面圖，圖IlD是圖 示根據(jù)本發(fā)明所述的一類后電極的平面圖；圖12A至12E是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖；圖13A至13F是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖；圖14A至14F是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖；圖15A至15E是圖示根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖；圖16A至16E是圖示根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖17A至17E是圖示根據(jù)本發(fā)明第六實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖；作為參考，所有剖面圖都是沿相應(yīng)的平面圖中的I-I線截取的。
具體實施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其例子示于附圖中。在任何可能的情況下，將在所有附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分。在下文中，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明所述的薄膜型太陽能電池及其制造方法。薄膜型太陽能電池第一實施例圖2是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池的剖面圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池包括襯底100、前 電極層200、輔助電極300、半導(dǎo)體層400、透明導(dǎo)電層500及后電極600。此處，襯底100可由玻璃或透明塑料形成。透明導(dǎo)電層200形成在襯底100上，其 中，透明導(dǎo)電層200可通過濺射或MOCVD (Metal Organic ChemicalVapor D印osition，金屬 有機(jī)物化學(xué)氣相沉積)方法由諸如，ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, ZnO:H, SnO2, SnO2 = F或ITO(銦錫 氧化物)等透明導(dǎo)電材料形成。此外，前電極層200相當(dāng)于太陽光線的入射面，因此對于前電極層200來說重要的 是以最小的損失使太陽光線傳輸?shù)教柲茈姵氐膬?nèi)部。為此，可以對前電極層200額外地 進(jìn)行紋理化處理。通過紋理化處理，材料層的表面經(jīng)使用光刻的刻蝕過程、使用化學(xué)溶液的 各向異性腐蝕過程、或機(jī)械劃刻過程而變得不平整，即變?yōu)榧y理化結(jié)構(gòu)。如果對前電極層 200進(jìn)行紋理化處理，那么，由于太陽光線的散射，在太陽能電池的前電極層200上的太陽 光線反射率降低，并且在太陽能電池中的太陽光線吸收率增加，由此提高太陽能電池的效 率。形成在前電極層200上的輔助電極300將薄膜型太陽能電池分成多個子電池。輔 助電極300以預(yù)定圖案形成在前電極層200上，其中，所述預(yù)定圖案彼此電連接。參照圖8A至8D來描述輔助電極300的各種圖案。圖8A是圖示一類輔助電極300 的平面圖，其中，圖8A中的輔助電極300包括在襯底100上的第一輔助電極310以及第二 輔助電極320a和320b。第一輔助電極310沿第一方向(例如，襯底100的短邊方向)以 固定間隔排列，第二輔助電極320a和320b沿第二方向(例如，襯底100的長邊方向，與所 述第一方向垂直)排列，其中，通過第二輔助電極320a和320b將第一輔助電極310電連接 起來。更具體地，如圖8A所示，第二輔助電極320a和320b交替地排列，即，第二輔助電極 320a連接第一輔助電極310的一端，第二輔助電極320b連接第一輔助電極310的另一端。第一總線350與輔助電極300連接。第一總線350將所述薄膜型太陽能電池與外 部電路連接，其中，第一總線350形成在薄膜型太陽能電池的有源區(qū)(A/A)的外圍、在襯底 100的一側(cè)。通過第一總線350，薄膜型太陽能電池與外部電路連接。因此，如圖2所示，在第一 總線350上未設(shè)置任何其它部分，從而使第一總線350暴露于外部。圖8是圖示另一類輔助電極300的平面圖。除了額外地設(shè)置有第三輔助電極330之外，圖8B中的輔助電極與圖8A中的輔助電極結(jié)構(gòu)相同。此時，第三輔助電極330與第一 輔助電極310相交，其中第三輔助電極330以固定間隔排列。如果額外地設(shè)置第三輔助電 極330，那么，圖8B所示的輔助電極整體具有格子形狀，從而使薄膜型太陽能電池具有更多 個被分割成的子電池。圖8C是圖示第三類輔助電極300的平面圖。除了第二輔助電極320c和320d之外，圖8C中的輔助電極與圖8A中的輔助電極結(jié)構(gòu)相同。如圖8C所示，第二輔助電極320c 和320d包括連接各個第一輔助電極310的一端的一個圖案320c、以及連接各個第一輔助 電極310的另一端的另一個圖案320d。圖8D是圖示另一類輔助電極300的平面圖。除了額外地設(shè)置有第三輔助電極330之外，圖8D中的輔助電極與圖8C中的輔助電極結(jié)構(gòu)相同。第三輔助電極330與第一輔助電 極310相交，其中第三輔助電極330以固定間隔排列。如果額外地設(shè)置第三輔助電極330， 那么，圖8D所示的輔助電極整體具有格子形狀，從而使薄膜型太陽能電池具有更多個被分 割成的子電池。輔助電極300可以形成圖8A至8D所示的各種形狀，但是輔助電極不限于上述圖8A至8D所示的形狀。輔助電極300和與輔助電極300連接的第一總線350可通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微接觸印刷法由諸如Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn、Ag+M0、 Ag+Ni、Ag+Cu或Ag+Al+Zn等金屬形成。在絲網(wǎng)印刷法中，利用擠壓將原料轉(zhuǎn)移到預(yù)定主體 上。噴墨印刷法使用噴墨機(jī)將原料噴濺到預(yù)定的主體上從而在其上形成預(yù)定的圖案。在凹 版印刷法中，將原料涂覆在凹版印板上，隨后將所涂覆的原料轉(zhuǎn)移到預(yù)定的主體上，由此在 該預(yù)定主體上形成預(yù)定的圖案。微接觸印刷法使用預(yù)定的模具在預(yù)定主體上形成由原料制 成的預(yù)定圖案。優(yōu)選地，輔助電極300由電導(dǎo)率高于前電極層200的電導(dǎo)率的材料形成，從而盡量 減小由電阻增加而導(dǎo)致的能量損失。半導(dǎo)體層400形成在前電極層200和輔助電極300上。此外，半導(dǎo)體層400未形 成在第一總線350上，從而使第一總線350暴露于外部。半導(dǎo)體層400可通過等離子體CVD 方法由硅基半導(dǎo)體材料形成，其中，所述硅基半導(dǎo)體材料可以是非晶硅(a_Si:H)或微晶硅 (uc-Si:Η)ο半導(dǎo)體層400可形成為PIN結(jié)構(gòu)，在所述PIN結(jié)構(gòu)中，P層、I層和N層被順序地沉 積。此時，通過太陽光線產(chǎn)生空穴和電子，并且所產(chǎn)生的空穴和電子分別被收集在半導(dǎo)體層 400中的P層和N層中。為了提高空穴和電子的收集效率，優(yōu)選地，所述PIN結(jié)構(gòu)比包括P 層和N層的PN結(jié)構(gòu)更可取。如果形成了具有PIN結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層400，那么，通過P層和N 層使I層發(fā)生耗盡，從而在其中產(chǎn)生電場。此外，由太陽光線產(chǎn)生空穴和電子在所述電場的 作用下發(fā)生漂移，然后分別被收集在P層和N層。同時，如果半導(dǎo)體層400形成為PIN結(jié)構(gòu)，那么，優(yōu)選地，首先形成P層，然后再形 成I層和N層。這是因為空穴的漂移遷移率比電子的漂移遷移率小。為了盡量提高對入射 光所產(chǎn)生的空穴和電子的收集效率，使P層與光入射面相鄰。透明導(dǎo)電層500形成在半導(dǎo)體層400上。但是，透明導(dǎo)電層500未形成在第一總 線350上，以便使第一總線350暴露在外部。透明導(dǎo)電層500可通過濺射或MOCVD方法由諸如ZnO、ZnO B、ZnO Al、ZnO H或者Ag等透明導(dǎo)電材料形成。透明導(dǎo)電層500可省略。但是，為了提高太陽能電池的效率，優(yōu)選地形成透明導(dǎo)電層500。就是說，當(dāng)形成透明導(dǎo)電層500時，太陽光線穿過半導(dǎo)體層圖案400，然后穿過透明 導(dǎo)電層圖案500。在這種情況中，穿過透明導(dǎo)電層500的太陽光線以不同角度散射。因此， 當(dāng)所述太陽光線在后電極600上反射后，再次入射到半導(dǎo)體層400上太陽光線的比例增加。后電極600在透明導(dǎo)電層500上以預(yù)定圖案形成，其中，后電極600的所述預(yù)定圖案是電連接的。后電極600的預(yù)定圖案在圖9中示出。如圖9所示，后電極600可包括第一后電極610及第二后電極620a和620b。第一后電極610沿第一方向(例如，襯底100的短邊方向)以固定間隔排列，第二 后電極620a和620b沿第二方向(例如，襯底100的長邊方向，與所述第一方向垂直)以固 定間隔排列，其中，通過第二后電極620a和620b來電連接第一后電極610。更具體地，如圖 9所示，第二后電極620a和620b交替地排列，即，第二后電極620a連接第一后電極610的 一端，第二后電極620b連接第一后電極610的另一端。第二總線650與后電極600連接。第二總線650形成在薄膜型太陽能電池的有源 區(qū)(A/A)的外圍、在襯底100的另一側(cè)。就是說，通過第一總線350和第二總線650，薄膜型 太陽能電池與外部電路連接。第一總線350形成在襯底100的一側(cè)，而第二總線650形成在襯底100的另一側(cè)， 由此，第一總線350和第二總線650分別用作薄膜型太陽能電池的正極(+)和負(fù)極(_)。圖9圖示了一類后電極600。但是，根據(jù)本發(fā)明所述的后電極600不限于上述圖9 中的形狀。后電極600可形成在輔助電極300之間的區(qū)域中。后電極600和與后電極600連接的第二總線650可通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷 法、凹版印刷法或微接觸印刷法由諸如Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn、Ag+Mo、 Ag+Ni、Ag+Cu 或 Ag+Al+Zn 等金屬形成。第二實施例圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例所述的薄膜型太陽能電池的剖面圖。除了額外地設(shè)置有絕緣層700之外，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例所述的薄膜型太陽 能電池與根據(jù)本發(fā)明的第一實施例所述的薄膜型太陽能電池在結(jié)構(gòu)上相同，因此，將在所 有附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分，并且省略對相同部分的詳細(xì)說明。根據(jù)本發(fā)明的第二實施例所述的薄膜型太陽能電池額外包括絕緣層700，其中，絕 緣層700覆蓋輔助電極300，即，絕緣層700形成在輔助電極300的側(cè)表面和上表面上。更 具體地，絕緣層700形成在圖8A至8D所示的第一輔助電極310、第二輔助電極320a、320b、 320c和320d、以及第三輔助電極330的側(cè)表面和上表面上。絕緣層700防止輔助電極300與半導(dǎo)體層400直接接觸，由此防止在輔助電極300 和半導(dǎo)體層400之間的界面上發(fā)生故障。絕緣層700可額外地形成在薄膜型太陽能電池的有源區(qū)(A/A)的外圍。在這種情 況中，為了使第一總線350暴露在外部，絕緣層700未形成在第一總線350上。絕緣層700通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微接觸印刷法由諸如SiO2, TiO2, SiNx, SiON或聚合物等絕緣材料形成。第三實施例圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的薄膜型太陽能電池的剖面圖。除了額外地設(shè)置有絕緣層700之外，根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的薄膜型太陽能 電池與根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池在結(jié)構(gòu)上相同，因此，將在所有附 圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分，并且省略對相同部分的詳細(xì)說明。根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的薄膜型太陽能電池額外地包括絕緣層700，其中，絕 緣層700形成在輔助電極300的一側(cè)。更具體地，絕緣層700形成在圖8A至8D所示的第 一輔助電極310的一側(cè)，其中，絕緣層700高于第一輔助電極310。如有必要，絕緣層700可 形成在第二輔助電極320a、320b、320c、320d和/或第三輔助電極330的一側(cè)，其中，絕緣層 700高于所述第二或第三輔助電極。如果絕緣層700形成在輔助電極300的一側(cè)并且高于輔助電極300，則可以更精確 地分割子電池。另外，絕緣層700可反射或散射太陽光線，由此提高光俘獲效率。絕緣層700可額外地形成在薄膜型太陽能電池的有源區(qū)(A/A)的外圍。在這種情 況中，為了使第一總線350暴露在外部，絕緣層700未形成在第一總線350上。第四實施例圖5是圖示根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能電池的剖面圖。除了額外地設(shè)置有絕緣層700之外，根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能 電池與根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池在結(jié)構(gòu)上相同，因此，將在所有附 圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分，并且省略對相同部分的詳細(xì)說明。根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能電池額外包括絕緣層700，其中，絕緣 層700在前電極層200上形成在各個輔助電極300之間。為了防止光透射率降低，絕緣層700由諸如Si02、Ti02、SiNx、Si0N或聚合物等透明 絕緣材料形成。如圖IOA至IOD所示，優(yōu)選地，絕緣層700和輔助電極300以固定間隔沿一個方向 (例如，所述襯底的縱向)交替地排列。絕緣層700通過增加半導(dǎo)體層400的整體尺寸來提高太陽能電池的效率。就是說， 如果形成絕緣層700，那么可以增加設(shè)置在絕緣層700上的半導(dǎo)體層400的整體尺寸，由此 提高太陽能電池的效率。為了增加半導(dǎo)體層400的整體尺寸，優(yōu)選地，絕緣層700高于輔助 電極300。此外，絕緣層700提高光俘獲率。就是說，如果形成絕緣層700，那么透過位于絕緣 層700下面的前電極層200的光以不同角度進(jìn)行折射和散射，由此提高光俘獲效率。因此， 光俘獲效率提高能使光吸收效率提高。優(yōu)選地，如圖IOA至IOD所示，具有上述功能的絕緣層700的預(yù)定圖案以固定間隔 排列，其中，優(yōu)選地，每個圖案都由具有橢圓形水平橫截面的絕緣材料圖案形成。即使絕緣 層700由透明絕緣材料形成，光透射率也會隨著絕緣層700的水平橫截面的增大而降低。 因此，優(yōu)選地，絕緣層700具有小尺寸的水平橫截面。然而，絕緣層不限于上述形狀和圖案。 可沿直線設(shè)置絕緣材料，來代替以固定間隔排列絕緣層的圖案。此外，絕緣層圖案的水平橫 截面可以是三角形、諸如四邊形等多邊形或者圓形。
如圖5所示，后電極600可形成在各個輔助電極300之間的預(yù)定部分上，即絕緣層 700上的那部分上。后電極600未形成在輔助電極300上。這是因為具有輔助電極300的 區(qū)域具有相對較低的電池效率。就是說，不需要在輔助電極300上設(shè)置有后電極600，由此 可以降低用于形成后電極600的糊料(paste)成本。然而，如果需要的話，可以在輔助電極 300上設(shè)置后電極600。第五實施例圖6是圖示根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的薄膜型太陽能電池的剖面圖。除了前電極層200、輔助電極300和絕緣層700的位置改變之外，根據(jù)本發(fā)明第五 實施例所述的薄膜型太陽能電池與根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能電池在結(jié) 構(gòu)上相同，因此，將在所有附圖中使用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部分，并且省略對 相同部分的詳細(xì)說明。在根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的薄膜型太陽能電池中，前電極層200形成在輔助電極300和絕緣層700上。與根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的前電極層200形成在襯底100 上的薄膜型太陽能電池相比，根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的薄膜型太陽能電池可以實現(xiàn)更
高的效率。在根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的薄膜型太陽能電池中，前電極層200形成在半導(dǎo) 體層400的下面，從而絕緣層700不插置在前電極層200和半導(dǎo)體層400之間。就是說，根 據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的薄膜型太陽能電池可以實現(xiàn)比根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的 薄膜型太陽能電池更高的效率，而在根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能電池中， 絕緣層700插置在前電極層200和半導(dǎo)體層400之間。在根據(jù)本發(fā)明的第一、第二和第三實施例所述的薄膜型太陽能電池中，前電極層 200可形成在輔助電極300上，或者前電極層200可形成在輔助電極300和絕緣層700上。第六實施例圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明第六實施例所述的薄膜型太陽能電池的剖面圖。根據(jù)本發(fā)明的第六實施例所述的薄膜型太陽能電池具有利用輔助電極300分割 而成的多個子電池。同時，根據(jù)本發(fā)明的第六實施例所述的薄膜型太陽能電池具有利用分 隔壁800分隔而成的多個子電池。就是說，設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明第六實施例所述的薄膜型太 陽能電池中的襯底100、前電極層200、半導(dǎo)體層400、透明導(dǎo)電層500和后電極600與設(shè)置 在根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池中的這些部分相同。分隔壁800形成在前電極層200上，其中，分隔壁800所具有的高度可以將所述太 陽能電池分成至少兩個單體電池。分隔壁800被設(shè)置為重復(fù)的圖案，以將太陽能電池分為多個單體電池。更具體地， 如圖IlA和IlB所示，分隔壁800可形成為條紋圖案。如圖IlC所示，分隔壁800可形成為 格子圖案。圖IlA至IlC示例性地圖示了所述條紋圖案或格子圖案。但是，根據(jù)本發(fā)明所述 的分隔壁800的形狀可變化。優(yōu)選地，分隔壁800由諸如Si02、Ti02、SiNx、Si0N或聚合物等透明絕緣材料形成， 從而防止光透射率降低。分隔壁800可利用絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微接觸印刷法形成。
后電極600形成在各個分隔壁800之間。后電極600在透明導(dǎo)電層500上形成為預(yù)定圖案，其中所述預(yù)定圖案是電連接的。就是說，如圖IlD所示，后電極600的預(yù)定圖案可包括設(shè)置在襯底100上的第一后電極610 和第二后電極620a、620b。可先在襯底100上形成前電極層200，然后在前電極層200上形成分隔壁800?；?者，可先在襯底100上形成分隔壁800，然后在分隔壁800上形成前電極層200。薄膜型太陽能電池的制造方法第一實施例圖12A至12E是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖。首先，如圖12A所示，在襯底100上形成前電極層200。此處，襯底100可由玻璃或透明塑料形成。透明導(dǎo)電層200可通過濺射或MOCVD 方法由諸如ZnO、ZnO: B, ZnO Al、ZnO H、SnO2、SnO2 F或ITO等透明導(dǎo)電材料形成?？梢酝ㄟ^紋理化處理使前電極層200具有不平整表面。如圖12B所示，在前電極層200上形成輔助電極300。同時形成輔助電極300和第一總線350。此時，輔助電極300形成在薄膜型太陽能 電池的有源區(qū)的內(nèi)部，而第一總線350形成在所述有源區(qū)的外圍。輔助電極300和與輔助電極300連接的第一總線350可通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印 刷法、凹版印刷法或微接觸印刷法由諸如Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn、Ag+M0、 Ag+Ni、Ag+Cu 或 Ag+Al+Zn 等金屬形成。如圖12C所示，在前電極層200和輔助電極300上形成半導(dǎo)體層400。通過等離子體CVD方法使用硅基半導(dǎo)體材料順序地沉積P層、I層和N層，從而形 成具有PIN結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層400。半導(dǎo)體層400不形成在第一總線350上。為此，在用掩膜(shadow mask)遮住第 一總線350上方區(qū)域的同時，執(zhí)行等離子體CVD方法，由此順序地沉積P層、I層和N層。如圖12D所示，在半導(dǎo)體層400上形成透明導(dǎo)電層500。透明導(dǎo)電層500可通過濺 射或MOCVD方法由諸如ZnO、ZnO: B, ZnO Al、ZnO H或者Ag等透明導(dǎo)電材料形成。透明導(dǎo)電層500不形成在第一總線350上。為此，在用掩膜遮住第一總線350的 上方區(qū)域的同時，執(zhí)行濺射或MOCVD方法，由此形成所述透明導(dǎo)電層。可以省略透明導(dǎo)電層500。如圖12E所示，在透明導(dǎo)電層500上形成后電極600，由此完成根據(jù)本發(fā)明第一實 施例所述的薄膜太陽能電池?？梢酝瑫r形成后電極600和與后電極600連接的第二總線650。此時，后電極600 形成在薄膜型太陽能電池的有源區(qū)內(nèi)，而第二總線650形成在所述有源區(qū)的外圍。后電極600和與后電極600連接的第二總線650可通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷 法、凹版印刷法或微接觸印刷法由諸如Ag、Al、Ag+Al、Ag+Mg、Ag+Mn、Ag+Sb、Ag+Zn、Ag+Mo、 Ag+Ni、Ag+Cu 或 Ag+Al+Zn 等金屬形成。第二實施例圖13A至13F是圖示根據(jù)本發(fā)明第二實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法的剖面圖。 首先，如圖13A所示，在襯底100上形成前電極層200。接著，如圖13B所示，在前電極層200上形成輔助電極300和與輔助電極300連接 的第一總線350。如圖13C所示，絕緣層700覆蓋輔助電極300，即，在輔助電極300的側(cè)表面和上表 面上形成絕緣層700。更具體地，在圖8A至8D所示的第一輔助電極310、第二輔助電極320a、320b、320c 和320d、以及第三輔助電極330的側(cè)表面和上表面上形成絕緣層700。絕緣層700可以通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微接觸印刷法由諸 如Si02、TiO2, SiNx, SiON或聚合物等絕緣材料形成。絕緣層700可額外地形成在薄膜型太陽能電池的有源區(qū)的外圍。在這種情況中， 絕緣層700未形成在第一總線350上。如圖13D所示，在前電極層200、輔助電極300和絕緣層700上形成半導(dǎo)體層400。如圖13E所示，在半導(dǎo)體層400上形成透明導(dǎo)電層500。然后，如圖13F所示，在透明導(dǎo)電層500上形成后電極600和第二總線650，由此完 成根據(jù)本發(fā)明的第二實施例所述的薄膜太陽能電池。第三實施例圖14A至14F是圖示根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖。首先，如圖14A所示，在襯底100上形成前電極200。接著，如圖14B所示，在前電極200上形成絕緣層700。絕緣層700位于在圖14C的過程中所形成的輔助電極的一側(cè)。此時，絕緣層700 的形成要使得絕緣層700高于輔助電極300。如圖14C所示，在前電極層200上形成輔助電極300和與輔助電極300連接的第 一總線350。輔助電極300的位置挨著絕緣層700。同時，首先形成輔助電極300和第一總線350，然后再形成絕緣層700。接著，如圖14D所示，在輔助電極300和絕緣層700上形成半導(dǎo)體層400。如圖14E所示，在半導(dǎo)體層400上形成透明導(dǎo)電層500。然后，如圖14F所示，在透明導(dǎo)電層500上形成后電極600和第二總線650，由此完 成根據(jù)本發(fā)明的第三實施例所述的薄膜太陽能電池。第四實施例圖15A至15E是圖示根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖。在下文中，省略對于與前述實施例中的部分相同的部分的詳細(xì)說明。首先，如圖15A所示，在襯底200上形成前電極200。接著，如圖15B所示，在前電極200上形成輔助電極300和絕緣層700。在這種情況中，可先形成輔助電極300，再形成絕緣層700?；蛘?，先形成絕緣層 700，再形成輔助電極300。優(yōu)選地，絕緣層700和輔助電極300可沿一個方向以固定間隔交替地排列。
同時形成輔助電極300和與輔助電極300連接的第一總線350。絕緣層700高于輔助電極300。如圖IOA至IOD所示，絕緣層700可形成以固定間隔排列的預(yù)定圖案，其中，每個圖案都由具有橢圓形水平橫截面的絕緣材料圖案形成。如圖15C所示，在輔助電極300和絕緣層700上形成半導(dǎo)體層400。半導(dǎo)體層400 未形成在第一總線350上。如圖15D所示，在半導(dǎo)體層400上形成透明導(dǎo)電層500。透明導(dǎo)電層500未形成在 第一總線350上。如圖15E所示，在透明導(dǎo)電層500上形成后電極600和第二總線650，由此完成根 據(jù)本發(fā)明的第四實施例所述的薄膜型太陽能電池?？梢詫⒑箅姌O600設(shè)置在絕緣層700之上，S卩，設(shè)置在各個輔助電極300之間的預(yù) 定部分之上。第五實施例圖16A至16E是圖示根據(jù)本發(fā)明的第五實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方 法的剖面圖。在下文中，省略對于與前述實施例中的部分相同的部分的詳細(xì)說明。首先，如圖16A所示，在襯底100上形成輔助電極300和絕緣層700。在形成輔助電極300的同時，形成第一總線350。接著，如圖16B所示，在襯底100、輔助電極300和絕緣層700上形成前電極層200。接著，如圖16C所示，在前電極200上形成半導(dǎo)體層400。如圖16D所示，在半導(dǎo)體層400上形成透明導(dǎo)電層500。接著，如圖16E所示，在透明導(dǎo)電層500上形成后電極600和第二總線650，由此完 成根據(jù)本發(fā)明的第五實施例所述的薄膜型太陽能電池。第六實施例圖17A至17E是圖示根據(jù)本發(fā)明第六實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法 的剖面圖。在下文中，省略對于與前述實施例中的部分相同的部分的詳細(xì)說明。首先，如圖17A所示，在襯底100上形成前電極層200。接著，如圖17B所示，在前電極層200上形成分隔壁800。分隔壁800可形成為適于將薄膜型太陽能電池分為多個單體電池的重復(fù)圖案。更 具體地，可將分隔壁800設(shè)置為如圖IlA和IlB所示的條紋圖案或者設(shè)置為如圖IlC所示 的格子圖案。分隔壁800可利用絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、凹版印刷法或微接觸印刷法由諸如 SiO2, TiO2, SiNx, SiON或聚合物等透明絕緣材料形成。如圖17C所示，在分隔壁800上形成半導(dǎo)體層400。接著，如圖17D所示，在半導(dǎo)體層400上形成透明導(dǎo)電層500。如圖17E所示，在透明導(dǎo)電層500上形成后電極600，由此完成根據(jù)本發(fā)明第六實 施例所述的薄膜型太陽能電池。盡管未示出，但可以首先在襯底100上形成分隔壁800，然后在分隔壁800上形成 前電極層200。在根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法中，可以在輔助電 極300上形成前電極層200。在根據(jù)本發(fā)明第二和第三實施例所述的薄膜型太陽能電池的制造方法中，可以在輔助電極300和絕緣層700上形成前電極層200。 對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的主旨或范圍的情況下，可以 對本發(fā)明進(jìn)行各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明旨在涵蓋本發(fā)明的各種改進(jìn)和變型，只要這些 改進(jìn)和變型在后附權(quán)利要求及其等同描述所限定的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
一種薄膜型太陽能電池包括襯底；在所述襯底上的前電極層和電池劃分部分；在所述前電極層和所述電池劃分部分上的半導(dǎo)體層；以及在所述半導(dǎo)體層上的后電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述電池劃分部分包括輔助電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜型太陽能電池，進(jìn)一步包括在所述襯底上的絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述絕緣層形成在所述輔助電極 的側(cè)表面和上表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述絕緣層形成在所述輔助電極 的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述絕緣層形成在所述各個輔助 電極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述絕緣層形成為具有橢圓形水 平橫截面的預(yù)定圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述絕緣層比所述輔助電極高。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜型太陽能電池，進(jìn)一步包括暴露于外部的第一和第二總 線，其中，所述第一總線在所述襯底的一端與所述輔助電極連接，所述第二總線在所述襯底 的另一端與所述后電極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述輔助電極包括沿第一方向 以固定間隔排列的多個第一輔助電極、以及沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的所述第一輔助 電極相連的第二輔助電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述輔助電極由電導(dǎo)率比所述前 電極層高的預(yù)定材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述電池劃分部分由分隔壁形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述分隔壁形成為條紋或格子圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述后電極包括沿第一方向以 固定間隔排列的多個第一后電極、以及沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的第一后電極相連的第二后電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述后電極形成在所述各個電池 劃分部分之間的區(qū)域中。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽能電池，進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體層和所述后 電極之間的透明導(dǎo)電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述電池劃分部分形成在所述前 電極層上。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜型太陽能電池，其中，所述電池劃分部分形成在所述前 電極層的下面。
19.一種薄膜型太陽能電池的制造方法，包括在襯底上形成前電極層和電池劃分部分；在所述前電極層和所述電池劃分部分上形成半導(dǎo)體層；以及在所述半導(dǎo)體層上形成后電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述電池劃分部分包括輔助電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，進(jìn)一步包括，在形成所述半導(dǎo)體層之前，在所述襯底 上形成絕緣層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述絕緣層形成在所述輔助電極的側(cè)表面和 上表面上。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述絕緣層形成在所述輔助電極的一側(cè)。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述絕緣層形成在所述各個輔助電極之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述絕緣層形成為具有橢圓形水平橫截面的預(yù)定圖案。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述絕緣層比所述輔助電極高。
27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成所述輔助電極的步驟包括在所述襯底的 一端形成與所述輔助電極連接的第一總線，而形成所述后電極的步驟包括在所述襯底的另 一端形成與所述后電極連接的第二總線，其中，所述前電極層、所述半導(dǎo)體層以及所述后電 極未形成在所述第一總線上，以使所述第一總線暴露在外部。
28.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成所述輔助電極的步驟包括形成沿第一方 向以固定間隔排列的多個第一輔助電極；以及形成沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的所述第 一輔助電極相連的第二輔助電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述輔助電極由電導(dǎo)率比所述前電極層的電 導(dǎo)率高的材料形成。
30.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述電池劃分部分包括分隔壁。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中，所述分隔壁形成為條紋或格子圖案。
32.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成所述后電極的步驟包括形成沿第一方向 以固定間隔排列的多個第一后電極；以及形成沿第二方向排列以與各自相應(yīng)的所述第一后 電極相連的第二后電極。
33.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述后電極形成在所述各個電池劃分部分之 間的區(qū)域中。
34.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體層和所述后電極之間形成 透明導(dǎo)電層。
35.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述前電極層形成在所述襯底上，而所述電池 劃分部分形成在所述前電極層上。
36.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述電池劃分部分形成在所述襯底上，而所述 前電極層形成在所述電池劃分部分上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種薄膜型太陽能電池及其制造方法，由于利用輔助電極或分隔壁將所述薄膜型太陽能電池分成多個子電池，因此其可以克服由現(xiàn)有技術(shù)中的激光劃線過程所導(dǎo)致的各種問題，所述薄膜型太陽能電池包括襯底；在所述襯底上的前電極層和電池劃分部分；以及在所述半導(dǎo)體層上的后電極。
文檔編號H01L31/042GK101803041SQ200880107124
公開日2010年8月11日 申請日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日
發(fā)明者洪震, 金宰湖, 金楨植 申請人:周星工程股份有限公司