專(zhuān)利名稱(chēng)：微電子封裝及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式一般涉及微電子器件的封裝，尤其涉及微電子器件的無(wú)凸塊式 疊加層(Bumpless Build-Up Layer, BBUL)封裝。
背景技術(shù)：
微電子封裝技術(shù)(包括以機(jī)械或電的方式將硅管芯附接到基片或其它載體的方 法)隨時(shí)間的推移繼續(xù)在改進(jìn)和完善。目前廣泛使用的封裝技術(shù)被稱(chēng)為倒裝芯片(或 C4-可控坍塌芯片連接)技術(shù)，其中使用一組C4焊料凸塊將管芯連接到其封裝。然而，倒裝 芯片技術(shù)具有許多麻煩的問(wèn)題，這些問(wèn)題隨著器件縮放的繼續(xù)而越來(lái)越成問(wèn)題。
無(wú)凸塊式疊加層(BBUL)技術(shù)是解決這些問(wèn)題中的某些問(wèn)題的一種封裝體系結(jié)構(gòu) 的方案。BBUL至少具有如下優(yōu)點(diǎn)BBUL不再需要組裝；BBUL消除了倒裝芯片互連(會(huì)產(chǎn)生 更高的性能和更高的可靠性)；BBUL減小了因管芯-基片熱膨脹系數(shù)(CTE)失配所導(dǎo)致的 低k夾層電介質(zhì)(ILD)上的應(yīng)力；并且BBUL顯著減小了封裝電感(通過(guò)消除芯與倒裝芯片 互連而實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn))從而改進(jìn)了輸入/輸出(I/O)和供電性能。


結(jié)合附圖來(lái)閱讀下面的詳細(xì)描述，會(huì)更好地理解所揭示的實(shí)施方式，在附圖中 圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的微電子封裝的橫截面圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的微電子封裝的橫截面圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的微電子封裝的形成方法的流程圖； 圖4-9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式在制造過(guò)程中各個(gè)特定點(diǎn)的微電子封裝的橫截
面圖； 圖10是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的微電子封裝的形成方法的流程圖；以及 圖11-15是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式在制造過(guò)程中各個(gè)特定點(diǎn)的微電子封裝的橫
截面圖。 為了簡(jiǎn)單且清晰，附圖示出了一般的構(gòu)造方式，并且省去了公知的特征與技術(shù)的 諸多描述和細(xì)節(jié)，為的是避免不必要地使本發(fā)明各實(shí)施方式變得模糊。另外，附圖中的諸多 元件并不必然按比例畫(huà)出。例如，圖中有些元件的大小可能相對(duì)于其它元件被夸大，為的是 幫助理解本發(fā)明的各實(shí)施方式。在不同的圖中，同一標(biāo)號(hào)指代相同的元件。
在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，術(shù)語(yǔ)"第一"、"第二"、"第三"、"第四"等被用于區(qū)分相 似的元件，而并非必然地描述特定的序列或時(shí)間順序。應(yīng)該理解，如此使用的術(shù)語(yǔ)在合適的 情況下是可互換的，使得本文所描述的各實(shí)施方式能夠以不同于本文所描述或所示出的其 它序列進(jìn)行操作。相似的是，如果本文描述一種方法包括一系列步驟，則這些步驟所呈現(xiàn)的 順序并不必然是執(zhí)行這些步驟的唯一順序，某些申明的步驟有可能被省去，某些本文沒(méi)有 描述的步驟有可能被加入該方法。此外，術(shù)語(yǔ)"包括"、"具有"等旨在涵蓋非排他性的包括， 使得一種包括一系列元素的工藝、方法、物件或裝置并不必然限于那些元素，而是可以包括未明確列出的或這種工藝、方法、物件或裝置所固有的其它元素。 在說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)中，術(shù)語(yǔ)"左"、"右"、"前"、"后"、"頂部"、"底部"、"之上"、 "之下"等都是用于描述目的，并不必然地描述相對(duì)的位置。應(yīng)該理解，如此使用的術(shù)語(yǔ)在合 適的情況下是可互換的，使得本文所描述的各實(shí)施方式能夠以不同于本文所描述或所示出 的其它序列進(jìn)行操作。在本文中，術(shù)語(yǔ)"耦合"被定義為以電或非電的方式直接地或間接地 連接。被描述成彼此"相鄰"的物體可能是彼此物理接觸的，彼此靠近的，或處于同一區(qū)域 中，只要在其上下文中合適就可以。"在一個(gè)實(shí)施方式中"這一表述并不必然全是指同一實(shí) 施方式。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，一種微電子封裝包括具有第一表面和相反的第二 表面的載體；在所述載體的第一表面處的粘合層；通過(guò)所述粘合層附接到所述載體的第一 表面的管芯；在所述載體的第一表面處且至少部分地圍繞著所述管芯和所述粘合層的密封 材料；以及與所述密封材料相鄰的疊加層，其中，所述管芯與所述疊加層彼此直接物理接 觸。 在相同的或另一個(gè)實(shí)施方式中，一種微電子封裝包括具有第一表面和第二表面 的散熱器(其中所述第二表面是所述微電子封裝的頂部表面)；附接到所述散熱器的第一 表面的管芯；在所述散熱器的第一表面處且至少部分地圍繞著所述管芯的密封材料；以及 疊加層，所述疊加層以物理的方式接觸所述密封材料并且以物理和電學(xué)方式接觸所述管 心。 本發(fā)明的各實(shí)施方式可以用倒裝芯片封裝的整體可縮放性解決某些當(dāng)前問(wèn)題以 及預(yù)期的將來(lái)的問(wèn)題，為的是滿(mǎn)足將來(lái)CPU和芯片組性能與成本的諸多要求。本發(fā)明的各 實(shí)施方式可以按照各種方式增強(qiáng)BBUL技術(shù)，其中包括通過(guò)加入集成散熱器(IHS)和/或 薄管芯薄熱界面材料(TIM)(常?？s寫(xiě)為T(mén)DTT)技術(shù)來(lái)增強(qiáng)熱性能；通過(guò)集成無(wú)源組件(比 如電容器、電阻器等)來(lái)增強(qiáng)電性能；通過(guò)使用注模密封劑來(lái)提高制造生產(chǎn)率；以及通過(guò)組 合能提供更精細(xì)的電路形成設(shè)計(jì)規(guī)則的多個(gè)管芯與圖案化技術(shù)來(lái)提高設(shè)計(jì)可縮放性。
現(xiàn)在參照附圖，圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的微電子封裝100的橫截面圖。如 圖l所示，微電子封裝100包括載體110，所述載體110具有表面lll和相反的表面112; 粘合層120，所述粘合層120在所述載體110的表面111處；以及管芯130，通過(guò)所述粘合層 120將所述管芯130附接到所述載體110的表面111。在至少一個(gè)實(shí)施方式中，表面112是 微電子封裝100的頂部表面。作為一個(gè)示例，管芯130可以是硅管芯等，其厚度約為400微 米。作為另一個(gè)示例，管芯130可以是硅管芯等，其已被薄化處理到大約150微米厚，甚至 大約75微米厚。其它厚度當(dāng)然也是可能的。 微電子封裝IOO還包括密封材料140，所述密封材料140在載體110的表面111處 并且至少部分地圍繞著管芯130和粘合層120，微電子封裝IOO還包括與密封材料140相鄰 的至少一個(gè)疊加層150。像所有BBUL封裝的情況一樣，管芯130和疊加層150彼此直接物 理接觸。在至少一個(gè)實(shí)施方式中，微電子封裝100包括多個(gè)疊加層150，這些疊加層150包 括金屬與電介質(zhì)層(用通孔等連接)，能提供到管芯的連接(電能、接地、輸入/輸出等)。
在一個(gè)實(shí)施方式中，載體110包括導(dǎo)熱材料和/或?qū)щ姴牧?。在特定的?shí)施方式
5中，載體110包括銅或其它材料制成的薄板，該薄板既導(dǎo)熱有導(dǎo)電并且用作安裝微電子封 裝100的載體。在相同的或另一個(gè)實(shí)施方式中，載體110也是微電子封裝100的散熱器。
在一個(gè)實(shí)施方式中，粘合層120包括熱界面材料(TIM)，比如熱油脂、彈性墊、相變 材料、聚合物凝膠、焊料等。在另一個(gè)實(shí)施方式中，粘合層120包括可移除的粘合膜。作為 示例，本實(shí)施方式中的粘合層120可以是由雙軸取向聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(boPET)聚酯 膜(例如，可以從DuPont Teijin Films公司買(mǎi)到，名稱(chēng)是Melinex⑧和Mylar )等制成 的膜，這種膜響應(yīng)于某些剌激會(huì)分解或失去粘合性，下文會(huì)對(duì)此作進(jìn)一步的解釋?？梢允┘?這種膜以覆蓋載體110的表面111的全部(或基本上全部)或僅僅覆蓋一部分。應(yīng)該理 解，在后一種情況的實(shí)施方式中，在制造過(guò)程的某一時(shí)刻之后，粘合層120可能不存在于微 電子封裝100中(盡管圖1中它還存在)。這種制造細(xì)節(jié)及其相應(yīng)的結(jié)構(gòu)方面的結(jié)果將在 下文中更詳細(xì)地討論。 在一個(gè)實(shí)施方式中，多個(gè)管芯存在于微電子封裝之內(nèi)。在相同的或另一個(gè)實(shí)施方 式中，一個(gè)或多個(gè)無(wú)源組件存在于微電子封裝之內(nèi)。圖2是根據(jù)本發(fā)明的這一實(shí)施方式的 微電子封裝200的橫截面圖。如圖2所示，微電子封裝200包括具有表面211和相反的表 面212的載體210 ;在表面211處的粘合層220和221 ;分別通過(guò)粘合層220和221附接到 表面211的管芯230和231 ;密封材料240，所述密封材料240在表面211處并且至少部分 地圍繞著管芯230和231以及粘合層220和221 ;以及與密封材料240相鄰的至少一個(gè)疊 加層250。作為示例，載體210、表面211、表面212、粘合層220和221、管芯230和231、密 封材料240以及疊加層250可以分別相似于載體110、表面111、表面112、粘合層120、管芯 130、密封材料140和疊加層150。 盡管圖2僅描繪了兩個(gè)管芯(管芯230和231)，但是在其它實(shí)施方式中，微電子封 裝200(或另一個(gè)微電子封裝)可以包括不止兩個(gè)管芯。微電子封裝200還包括至少一個(gè) 無(wú)源組件260，也如圖2所示那樣。如圖所示，無(wú)源組件260 (可以是電容器、電阻器、電感 器等)可以被附接到表面211，并且至少部分地被密封材料240圍繞著。除了無(wú)源組件260 以外，微電子封裝200 (或另一個(gè)微電子封裝)可以包括在疊加層250中的集成的薄膜電容 器等(未示出)。 圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的微電子封裝的形成方法300的流程圖。方法300 的步驟310是提供載體。作為示例，該載體可以與圖1所示載體110相似。作為另一個(gè)示 例，該載體可以與圖4第一次所示載體410相似，圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程 中特定時(shí)刻的微電子封裝400的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖4描繪了可以在執(zhí)行步驟 310之后出現(xiàn)的微電子封裝400。如圖4所示，載體410具有表面411和相反的表面412。
方法300的步驟320是將管芯附接到所述載體。作為示例，該管芯可以與圖1所 示管芯130相似。作為另一個(gè)示例，該管芯可以與圖5第一次所示管芯530相似，圖5是根 據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子封裝400的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方 式中，圖5描繪了可以在執(zhí)行步驟320之后出現(xiàn)的微電子封裝400。 在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟320包括將粘合膜加到管芯或載體上(或同時(shí)加到管芯 和載體上)；然后，使管芯和載體彼此物理接觸，使得在管芯和載體之間形成粘合鍵。作為 示例，該粘合膜可以是這樣一種膜，它分解或者可以弱化到足以剝落或者從它所附接的管 芯和/或載體上剝離。如圖5所示，已用粘合膜520將管芯530附接到載體410上，粘合膜520可以相似于上文結(jié)合步驟320提及的粘合膜。圖5也描繪了管芯531，它可以相似于管 芯530，由此示出了可以在單個(gè)封裝中同時(shí)處理兩個(gè)(或不止兩個(gè))管芯。這些管芯可以隨 后被分離成單個(gè)的，以提高制造生產(chǎn)率。在不同的實(shí)施方式中，一次可以處理一個(gè)管芯。
方法300的步驟330是用密封材料來(lái)密封管芯的至少一部分。作為一個(gè)示例，密 封材料可以相似于圖l所示的密封材料140。作為另一個(gè)示例，該密封材料可以與圖6第一 次所示密封材料640相似，圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子 封裝400的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖6描繪了可以在執(zhí)行步驟330之后出現(xiàn)的微 電子封裝400。 方法300的步驟340是形成與密封材料相鄰的至少一個(gè)疊加層。作為一個(gè)示例， 疊加層可以相似于圖1所示的疊加層150。作為另一個(gè)示例，該疊加層可以與圖7第一次所 示疊加層750相似，圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子封裝400 的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖7描繪了可以在執(zhí)行步驟340之后出現(xiàn)的微電子封裝 400。在一個(gè)實(shí)施方式中，作為疊加過(guò)程的一部分，步驟340包括在疊加層中形成集成薄膜 電容器(未示出)。 方法300的步驟350是除去載體，由此形成露出管芯的封裝。相應(yīng)地，方法300可 以被用于最終產(chǎn)品不需要散熱器的實(shí)施方式中?；蛘?，該工藝流程可以與后_分離IHS附 接一起使用，如果以這種方式制造產(chǎn)品有優(yōu)點(diǎn)的話。 在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟350包括除去在管芯與載體之間的粘合鍵。作為一個(gè)示 例，除去粘合鍵可以包括向粘合鍵施加熱輻射、紫外輻射等，直到粘合鍵被剝離。圖8是根 據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子封裝400的橫截面圖，圖8描繪了可 以在執(zhí)行步驟350之后出現(xiàn)的微電子封裝400。應(yīng)該理解，產(chǎn)生粘合鍵的粘合膜相對(duì)于管芯 而言是非常薄的，使得管芯背面與密封材料之間的實(shí)際間隙是很小的。該間隙應(yīng)該很容易 被下一層熱界面材料填充。然而，上述工藝流程中可以包括任選的平整化步驟，為的是確保 這兩個(gè)表面的平整性。 方法300的步驟360是將散熱器附接到管芯的表面，如果需要或想要散熱器的話。 在一個(gè)實(shí)施方式中，通過(guò)使用管芯背面的TIM(焊料、聚合物等)，并且通過(guò)使用在管芯之外 的區(qū)域中的密封材料頂部與散熱器之間的非導(dǎo)電粘合劑，來(lái)附接散熱器。作為一個(gè)示例，該 散熱器可以與圖9第一次所示散熱器970相似，圖9是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程 中特定時(shí)刻的微電子封裝400的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟360可以省去，使得微 電子封裝400不包括散熱器，適用于不需要或不想要散熱器的應(yīng)用。 方法300的步驟370是將無(wú)源組件附接到載體上，使得無(wú)源組件與管芯一起被密 封材料至少部分地密封住。作為一個(gè)示例，無(wú)源組件可以相似于圖2所示的無(wú)源組件260。 作為另一個(gè)示例，無(wú)源組件可以相似于圖9第一次所示的無(wú)源組件960。在一個(gè)實(shí)施方式 中，圖9描繪了可以在執(zhí)行步驟370之后出現(xiàn)的微電子封裝400。作為一個(gè)示例，可以用與 粘合層120中的粘合劑相似的粘合劑(未示出)將無(wú)源組件960附接到散熱器970。
如果在所示的實(shí)施方式中同時(shí)處理多個(gè)管芯，則步驟370之后可以跟著一個(gè)用于 將這些多管芯面板分離成單個(gè)單元的處理過(guò)程。這些部件可以接下來(lái)經(jīng)歷合適的后端處理 步驟，以使它們成為球柵格陣列(BGA)、平面柵格陣列(LGA)或引腳柵格陣列(PGA)組件。
圖10是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的微電子封裝的形成方法1000的流程圖。方法1000的步驟1010是提供散熱器。作為示例，該散熱器可以與圖1所示載體110相似。作為 另一個(gè)示例，該散熱器可以與圖11第一次所示散熱器1110相似，圖11是根據(jù)本發(fā)明一實(shí) 施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子封裝1100的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖11 描繪了可以在執(zhí)行步驟1010之后出現(xiàn)的微電子封裝1100。如圖11所示，散熱器1110具有 表面1111和相反的表面1112。 方法1000的步驟1020是將管芯附接到所述散熱器。作為示例，該管芯可以與圖 1所示管芯130相似。作為另一個(gè)示例，該管芯可以與圖12第一次所示管芯1230相似，圖 12是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子封裝1100的橫截面圖。在一 個(gè)實(shí)施方式中，圖12描繪了可以在執(zhí)行步驟1020之后出現(xiàn)的微電子封裝1100。圖12也描 繪了管芯1231，它可以相似于管芯1230，由此示出了可以在單個(gè)封裝中同時(shí)處理兩個(gè)(或 不止兩個(gè))管芯。這些管芯可以隨后被分離成單個(gè)的，以提高制造生產(chǎn)率。在不同的實(shí)施 方式中，一次可以處理一個(gè)管芯。 在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟1020包括將TIM加到管芯與散熱器中的至少一個(gè)上； 接下來(lái)使管芯與散熱器彼此物理接觸，使得在管芯與散熱器之間形成粘合鍵。在其它實(shí)施 方式中，以某種其它方式實(shí)現(xiàn)步驟1020，比如，通過(guò)使用熱固化粘合劑、焊料等來(lái)實(shí)現(xiàn)步驟 1020。作為一個(gè)示例，上述TIM可以相似于圖12所示定位的TM 1220，由此在散熱器1110 與管芯1230之間產(chǎn)生粘合鍵。 在特定的實(shí)施方式中，TIM 1220是TM預(yù)成型坯。在相同的或另一個(gè)實(shí)施方式中， TM 1220是薄TM，在與上述類(lèi)型的薄化管芯相結(jié)合時(shí)，形成了薄管芯/薄TM(TDTT)封裝 環(huán)境的一部分。如圖12所示，微電子封裝1100還包括TM 1221，它可以相似于TM 1220， 由此在散熱器1110和管芯1231之間產(chǎn)生粘合鍵。 方法1000的步驟1030是用密封材料來(lái)密封管芯的至少一部分。作為一個(gè)示例， 密封材料可以相似于圖1所示的密封材料140。作為另一個(gè)示例，該密封材料可以與圖13 第一次所示密封材料1340相似，圖13是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的 微電子封裝1100的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖13描繪了可以在執(zhí)行步驟1030之后 出現(xiàn)的微電子封裝1100。在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟1030包括通過(guò)使用傳遞模塑工藝、壓 縮模塑工藝、注射模塑工藝等中的一種，來(lái)施加上述密封材料。這些和其它模塑工藝中的一 種或多種可以使微電子封裝IIOO(以及根據(jù)本發(fā)明的其它微電子封裝)的成本更低且生產(chǎn) 率更高。 方法1000的步驟1040是形成與密封材料相鄰的至少一個(gè)疊加層。作為一個(gè)示例， 疊加層可以相似于圖1所示的疊加層150。作為另一個(gè)示例，該疊加層可以與圖14第一次 所示疊加層1450相似，圖14是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子封 裝1100的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施方式中，圖14描繪了可以在執(zhí)行步驟1040之后出現(xiàn)的微 電子封裝1100。 在一個(gè)實(shí)施方式中，步驟1040包括通過(guò)使用下列工藝技術(shù)使疊加層圖案化半
加成圖案化工藝；激光投影圖案化(LPP)工藝；等離子體蝕刻工藝；液體抗蝕工藝；濺射工
藝；或其它先進(jìn)的細(xì)線圖案化技術(shù)。如果期望的話，可以使用不止一個(gè)這樣的技術(shù)。在相同
的或其它實(shí)施方式中，步驟1040包括將集成的薄膜電容器嵌入到微電子封裝中。 方法1000的步驟1050是將無(wú)源組件附接到散熱器上，使得無(wú)源組件與管芯一起
8被密封材料至少部分地密封住。作為一個(gè)示例，無(wú)源組件可以相似于圖2所示的無(wú)源組件 260。作為另一個(gè)示例，該無(wú)源組件可以與圖15第一次所示無(wú)源組件1560相似，圖15是根 據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的制造過(guò)程中特定時(shí)刻的微電子封裝1100的橫截面圖。在一個(gè)實(shí)施 方式中，圖15描繪了可以在執(zhí)行步驟1050之后出現(xiàn)的微電子封裝1100。作為一個(gè)示例， 可以用與粘合層120中的粘合劑相似的粘合劑(未示出)將無(wú)源組件1560附接到散熱器 1110。 如果在所示的實(shí)施方式中同時(shí)處理多個(gè)管芯，則步驟1050之后可以跟著一個(gè)用 于將這些多管芯面板分離成單個(gè)單元的處理過(guò)程。這些部件可以接下來(lái)經(jīng)歷合適的后端處 理步驟，以使它們成為球柵格陣列(BGA)、平面柵格陣列(LGA)或引腳柵格陣列(PGA)組件。
盡管已參照具體的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理 解，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以作出各種改變。相應(yīng)地，本發(fā)明各實(shí)施方式 的揭示旨在示出本發(fā)明的范圍，而非用于限制。本發(fā)明的范圍僅由權(quán)利要求書(shū)來(lái)限定。例 如，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，很明顯的是，本文所討論的微電子封裝和相關(guān)方法可以 按各種實(shí)施方式進(jìn)行實(shí)現(xiàn)，上文所討論的這些實(shí)施方式并不必然代表完全描述了所有可能 的實(shí)施方式。 另外，結(jié)合具體實(shí)施方式
描述了諸多益處、其它優(yōu)點(diǎn)和解決方案。然而，諸多益處、 優(yōu)點(diǎn)、解決方案以及可能導(dǎo)致任何益處、優(yōu)點(diǎn)等的元素并不被解釋為關(guān)鍵的、必需的或必不 可少的特征或元素。 此外，本文所揭示的實(shí)施方式和限定特征在下列情況下不被公之于眾(l)該實(shí) 施方式和/或限定特征沒(méi)有被明確寫(xiě)入權(quán)利要求；以及(2)該實(shí)施方式和/或限定特征是 權(quán)利要求書(shū)中的元素和/或限定特征的等價(jià)方案。
權(quán)利要求
一種微電子封裝，包括具有第一表面和相反的第二表面的載體；在所述載體的第一表面處的粘合層；通過(guò)所述粘合層附接到所述載體的第一表面的管芯；在所述載體的第一表面處且至少部分地圍繞著所述管芯和所述粘合層的密封材料；以及與所述密封材料相鄰的疊加層，其中，所述管芯與所述疊加層彼此直接物理接觸。
2. 如權(quán)利要求l所述的微電子封裝，其特征在于， 所述載體包括導(dǎo)熱材料。
3. 如權(quán)利要求2所述的微電子封裝，其特征在于， 所述載體包括導(dǎo)電材料。
4. 如權(quán)利要求l所述的微電子封裝，其特征在于， 所述粘合層包括熱界面材料。
5. 如權(quán)利要求4所述的微電子封裝，其特征在于，所述熱界面材料包括熱油脂、彈性墊、相變材料、聚合物凝膠和焊料之一。
6. 如權(quán)利要求l所述的微電子封裝，其特征在于，所述粘合層包括可移除的粘合膜，所述可移除的粘合膜基本上覆蓋所述載體的第一表 面的全部。
7. 如權(quán)利要求l所述的微電子封裝，還包括無(wú)源組件，所述無(wú)源組件被附接到所述載體的第一表面并且至少部分地被所述密封材 料圍繞著。
8. 如權(quán)利要求l所述的微電子封裝，還包括 位于所述疊加層中的集成薄膜電容器。
9. 一種微電子封裝，包括具有第一表面和第二表面的散熱器，其中所述第二表面是所述微電子封裝的頂部表面；附接到所述散熱器的第一表面的管芯；位于所述散熱器的第一表面處的密封材料，所述密封材料至少部分地圍繞著所述管 芯；以及疊加層，所述疊加層以物理的方式接觸所述密封材料并且以物理和電學(xué)方式接觸所述 管芯。
10. 如權(quán)利要求9所述的微電子封裝，還包括 位于所述管芯和所述散熱器的第一表面之間的熱界面材料。
11. 如權(quán)利要求10所述的微電子封裝，還包括無(wú)源組件，所述無(wú)源組件被附接到所述散熱器并且至少部分地被所述密封材料圍繞著。
12. 如權(quán)利要求ll所述的微電子封裝，還包括 位于所述疊加層中的集成薄膜電容器。
13. —種用于形成微電子封裝的方法，所述方法包括 提供一載體；將管芯附接到所述載體；用密封材料將所述管芯的至少一部分密封住； 形成與所述密封材料相鄰的疊加層；以及 除去所述載體。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于， 將所述管芯附接到所述載體包括將粘合膜加到所述管芯與所述載體中的至少一個(gè)上；以及使所述管芯與所述載體彼此物理接觸，使得在所述管芯和所述載體之間形成粘合鍵。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于， 除去所述載體包括除去所述管芯與所述載體之間的粘合鍵。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于， 除去所述粘合鍵包括向所述粘合鍵施加熱輻射和紫外輻射之一。
17. 如權(quán)利要求13所述的方法，還包括 將散熱器附接到所述管芯的表面。
18. 如權(quán)利要求13所述的方法，還包括將無(wú)源組件附接到所述載體，使得所述無(wú)源組件與所述管芯一起被所述密封材料至少 部分地密封住。
19. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于， 形成疊加層包括在所述疊加層中形成集成薄膜電容器。
20. —種用于形成微電子封裝的方法，所述方法包括 提供散熱器；將管芯附接到所述散熱器；用密封材料將所述管芯的至少一部分密封??；以及 形成與所述密封材料相鄰的疊加層。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于， 將所述管芯附接到所述散熱器包括將熱界面材料加到所述管芯與所述散熱器中的至少一個(gè)上；以及使所述管芯與所述散熱器彼此物理接觸，使得在所述管芯和所述散熱器之間形成粘合鍵。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，還包括將無(wú)源組件附接到所述散熱器，使得所述無(wú)源組件與所述管芯一起被所述密封材料至 少部分地密封住。
23. 如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于， 將所述管芯的至少一部分密封住包括通過(guò)使用傳遞模塑工藝、壓縮模塑工藝和注射模塑工藝之一，來(lái)施加所述密封材料。
24. 如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，形成疊加層包括通過(guò)使用下列工藝中的至少一種使所述疊加層圖案化半加成圖案化 工藝；激光投影圖案化工藝；等離子體蝕刻工藝；液體抗蝕工藝；以及濺射工藝。
全文摘要
一種微電子封裝包括載體(110，210，410，1110)，所述載體具有第一表面(111，211，411，1111)和相反的第二表面(112，212，412，1112)；粘合層(120，220，221，520，1220，1221)，所述粘合層位于所述載體的第一表面處；管芯(130，230，231，530，531，1230，1231)，通過(guò)所述粘合層將所述管芯附接到所述載體的第一表面；密封材料(140，240，640，1340)，所述密封材料位于所述載體的第一表面處且至少部分地圍繞著所述管芯和所述粘合層；以及疊加層(150，250，750，1450)，所述疊加層與所述密封材料相鄰，其中，所述管芯與所述疊加層彼此直接物理接觸。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述載體是散熱器，所述散熱器具有第一表面和第二表面，所述第二表面是所述微電子封裝的頂部表面。
文檔編號(hào)H01L23/12GK101785098SQ200880104459
公開(kāi)日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2008年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日
發(fā)明者J·S·古扎克 申請(qǐng)人:英特爾公司