專利名稱：半導(dǎo)體組合件及制造所述組合件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及組合件，以及用于制造所述裝置及組合件的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體處理及封裝技術(shù)正持續(xù)演進以滿足對改進的性能以及減小的大小及成本 的產(chǎn)業(yè)需求。電子產(chǎn)品需要在相對較小空間中具有高裝置密度的封裝半導(dǎo)體組合件。舉 例來說，可用于存儲器裝置、處理器、顯示器及其它微特征裝置的空間在個人電子裝置(例 如，手機、膝上型計算機及許多其它產(chǎn)品)中持續(xù)減小。因此，存在在仍維持或改進性能且 降低成本的同時減小微特征裝置的總體大小的需要。 —種用以改進這些微特征裝置的性能且減小其大小及成本的技術(shù)涉及晶片級封 裝("WLP")。 WLP通常指微特征裝置在晶片級的封裝，而非在從晶片分割裝置之后處理及 封裝個別裝置。WLP的一個益處在于其產(chǎn)生具有最小形狀因數(shù)的芯片大小封裝。WLP通過將 封裝的組件(例如互連元件)限制在裝置的占據(jù)面積或扇入?yún)^(qū)域內(nèi)來實現(xiàn)所述較小大小。 這些組件被限制在裝置占據(jù)面積內(nèi)，因為所述組件是在將所述裝置單一化之前以晶片級形 成。WLP還提供制造歸因于封裝的總體減小的大小及互連的相對較短長度而具有極佳電及 熱性能的封裝的益處。由WLP提供的額外優(yōu)點包括歸因于在晶片級的同時或并行處理及測 試的制造容易性及減小的組合件成本。即使WLP可提供以上列出的益處，其仍可能不適于 具有高引腳計數(shù)或高輸入/輸出要求的裝置。舉例來說，裝置占據(jù)面積的空間限制約束封 裝中的互連元件的數(shù)目及間距。 為了克服此問題，可分割裸片并將其電鍍在包括環(huán)繞裸片且延伸穿過模制聚合物 的互連的組裝封裝中。雖然將這些互連定位在裸片的占據(jù)面積之外可增加互連的數(shù)目及/ 或間距，但此可顯著增加處理的成本及復(fù)雜性。舉例來說，在某些情況下，填充過程可將空 氣捕集在通孔(via)中，其可導(dǎo)致互連或封裝在填充材料及封裝硬化時破裂。通孔中的所 述非均勻性提供不一致的電連接且損害互連的完整性及封裝的性能。另外，通過切除或鉆 孔過程來形成通孔通常需要以順序方式形成個別通孔，從而增加處理時間。通過蝕刻過程 同時形成通孔可快得多，但蝕刻可導(dǎo)致不一致的通孔大小。還可能難以用蝕刻過程實現(xiàn)通 孔的密集分布。此外，通孔形成之后的電鍍及填充處理步驟需要額外處理時間。


圖1A為常規(guī)半導(dǎo)體晶片的等角視圖。 圖1B為根據(jù)本發(fā)明實施例配置的模制晶片的等角視圖。 圖2A為根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的側(cè)視橫截面圖。 圖2B及圖2C為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的方法中的各種
階段的側(cè)視橫截面圖。 圖2D為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的方法中的階段的俯視 圖。
圖2E到圖21為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的方法中的各種 階段的側(cè)視橫截面圖。 圖2J為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的方法中的階段的俯視 圖。 圖3A為根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的側(cè)視橫截面圖。 圖3B及圖3C為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的方法中的各種
階段的側(cè)視橫截面圖。 圖4A為根據(jù)本發(fā)明另一實施例配置的半導(dǎo)體組合件的側(cè)視橫截面圖。 圖4B為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的方法中的階段的俯視圖。 圖4C為說明制造根據(jù)本發(fā)明實施例配置的半導(dǎo)體組合件的方法中的階段的側(cè)視 橫截面圖。 圖4D為根據(jù)本發(fā)明實施例配置的堆疊半導(dǎo)體組合件的等角視圖。 圖5為制造根據(jù)本發(fā)明又一實施例配置的半導(dǎo)體組合件的過程的流程圖。 圖6為并入有根據(jù)本發(fā)明其它實施例配置的半導(dǎo)體組合件的系統(tǒng)的示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的若干實施例針對封裝的半導(dǎo)體裝置、組合件及形成所述裝置及組合件的 方法。下文參考特定結(jié)構(gòu)及形成所述裝置及組合件的方法描述本發(fā)明的許多細節(jié)。術(shù)語"半 導(dǎo)體裝置"及"半導(dǎo)體組合件"始終用以包括多種制品，包括(例如)具有有源組件的半導(dǎo) 體晶片、個別集成電路裸片、封裝的裸片及呈堆疊配置的半導(dǎo)體裝置或組合件。在圖1A到 圖6及隨后的正文中陳述某些實施例的許多特定細節(jié)以提供對這些實施例的透徹理解。在 圖1A到圖6中，相同參考字符指代相同組件，且因此，將不參考圖式重復(fù)對這些組件中的許 多者的描述。若干其它實施例可具有不同于此部分中所描述的配置、組件或過程的配置、組 件或過程。因此，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可存在額外實施例，或所述實施例可在無下 文所描述的若干細節(jié)的情況下實踐。 圖1A為具有第一側(cè)面102、第二側(cè)面104及多個半導(dǎo)體裝置或裸片106的常規(guī)半 導(dǎo)體晶片100的等角視圖。裸片106可包括(例如)動態(tài)或靜態(tài)隨機存取存儲器、快閃存儲 器、微處理器、成像器或另一類型的專用集成電路。個別裸片106可包括位于第一側(cè)面102 處的多個接合位點108，其用以電連接裸片106與其它組件。如下文所闡釋，接合位點108 可包括裸片106的第一側(cè)面102處的交錯配置。通過邊界線107描繪裸片106，且在沿邊界 線107進行分割以單一化裸片106之前處理裸片106并將其組裝在晶片100上。
在從晶片IOO單一化裸片106之后，可將裸片106嵌入以晶片形式配置的模料中， 如圖1B中所說明。更明確地說，圖1B為包括第一側(cè)面112及第二側(cè)面114的模制晶片110 的等角視圖。模制晶片110由模料116構(gòu)成，模料116可包括(例如)熱固性物、熱塑性 物、熱固性物及熱塑性物的雜化型式，或其它適合模料。模制晶片IIO還包括單一化的裸 片106(個別地識別為第一裸片106a、第二裸片106b等)。在所說明的實施例中，接合位點 108位于模制晶片110的第一側(cè)面112，且裸片106以柵格狀圖案定位且彼此由模料116中 的通路(lane)隔開。舉例來說，如圖1B中所說明，裸片之間的通路可包括于第一方向上在裸片106之間延展的行118a及大致橫穿行118a的于第二方向上在裸片106之間延展的列 118b。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，將裸片之間的通路或間隔描述為"行"及"列"是出于 說明的目的且未必要求行及列的水平或垂直配置。模料116中的行118a及列118b提供環(huán) 繞裸片106的額外空間以形成互連結(jié)構(gòu)或其它組件。歸因于晶片IOO材料的成本約束，在 晶片100級(展示于圖IA中)，這些互連結(jié)構(gòu)通常不形成于裸片106之間。因此，下文描述 的組合件及方法利用圖IB中所說明的模制晶片110配置來形成與裸片106相關(guān)聯(lián)的互連 結(jié)構(gòu)。 圖2A說明經(jīng)處理且從模制晶片110單一化的半導(dǎo)體組合件200的一個實施例。更 明確地說，圖2A為包括嵌入模料116中的裸片106中的一者的半導(dǎo)體組合件200的側(cè)視橫 截面圖。組合件200包括從組合件200的第一側(cè)面202延伸到第二側(cè)面204的互連結(jié)構(gòu)或 電連接器248 (個別地識別為第一電連接器248a及第二電連接器248b)。在此實施例中，電 連接器248可具有延伸穿過模料116中的凹陷或開口 224的引線接合250。
個別引線接合250可由導(dǎo)電材料構(gòu)成，例如鎳、銅、金、銀、鉬、這些金屬的合金及/ 或適于引線接合或類似技術(shù)的任何其它導(dǎo)電材料。可基于裝置特定處理器或性能需要來選 擇引線接合250的特性。舉例來說，引線接合250可具有經(jīng)選擇以滿足性能及集成要求的 直徑、幾何形狀(例如，圓形橫截面或平坦橫截面)及/或彈性模數(shù)。引線接合250將位于 第一側(cè)面202處的個別對應(yīng)接合位點108 (個別地識別為接合位點108a及以虛線展示的第 二接合位點108b)連接到位于第二側(cè)面204處的對應(yīng)觸點230。圖2A中所說明的第二接合 位點108b在圖2A的平面外，但其出于說明的目的而以虛線展示。如圖2D及圖2J中所說 明，在某些實施例中，接合位點108可彼此交錯或?qū)?zhǔn)。 觸點230可包括安置在緊接第二側(cè)面204的開口 224中的導(dǎo)電材料232 (例如，焊 料)。在某些實施例中，觸點230可大致與第二側(cè)面204共面，如圖2A所示。然而，在其它 實施例中，觸點230可從第二側(cè)面204凹入，或從第二側(cè)面204突出且形成凸塊以促進組 合件的堆疊。觸點230可安置于形成于第一側(cè)面202中的溝槽210與形成于第二側(cè)面204 中的溝道220(其中僅一者展示于圖2A中)之間的相交處。在圖2A中所說明的實施例中， 溝槽210大致垂直于圖2A的平面延展且溝道220大致平行于圖2A的平面延展。引線接合 250的第一部分252附接到觸點230或嵌入觸點230中，且引線接合250的第二部分254附 接到對應(yīng)接合位點108。組合件200進一步包括安置在組合件200的第一側(cè)面202上的介 電囊封劑258，其至少部分地覆蓋引線接合250及接合位點108。介電材料258可使連接器 248電隔離且支撐引線接合250。 如下文所詳細闡釋，組合件200并入有來自WLP及重新配置的模制晶片110的處 理益處，同時仍提供可以相對簡化的處理步驟形成的高質(zhì)量互連。舉例來說，并非切除、蝕 刻或鉆出個別通孔，而是在第一側(cè)面溝槽210與對應(yīng)第二側(cè)面溝道220的相交處形成穿過 模料116的開口 224。另外，在圖2A所示的實施例中，電連接器248包括連續(xù)的引線接合 250，其提供穿過組合件200的均勻電連接，而不需要形成、電鍍及填充與常規(guī)互連相關(guān)聯(lián) 的通孔的復(fù)雜過程。 在圖2A中所說明的實施例中，組合件200及電連接器248已完全形成。以下描述 的圖2B到圖2J說明形成圖2A的組合件200的方法中的各種技術(shù)及階段。圖2B為沿圖1B 的線A-A的組合件200的橫截面圖，其說明處理環(huán)繞第一裸片106a及第二裸片106b的模料116的階段。在此階段，移除模料116的一部分以在第一裸片106a與第二裸片106b之間的 行118a中形成一個或一個以上溝槽210(個別地識別為第一溝槽210a及第二溝槽210b)。 溝槽210形成于第一側(cè)面202處且延伸到模料中的中間深度。更明確地說，模料116具有 第一厚度1\，且第一裸片106a及第二裸片106b各自具有小于第一厚度1\的第二厚度T2。 第一溝槽210a及第二溝槽210b各自具有小于模料116的第一厚度1\且等于或大于裸片 106的第二厚度L的模料116中的第一深度D^因此，個別溝槽210可比個別裸片106深 地延伸到模料116中，而不一路延伸穿到組合件200的第二側(cè)面204。 在某些實施例中，形成溝槽210可包括用切割裝置(未圖示)(例如，晶片鋸、刀 片、激光、流體噴射、蝕刻劑或適于移除模料116的受控制部分的其它工具)部分地分割模 料116。舉例來說，為了形成第一溝槽210a及第二溝槽210b，兩個隔開的切割裝置可在單 次輪回中移除行118a中的對應(yīng)模料116。在其它實施例中，單一切割裝置可通過進行多次 輪回且在輪回之間重新定位切割裝置及/或晶片來移除模料116。在某些實施例中，可在行 118a中形成單一溝槽210 (而非第一溝槽210a及第二溝槽210b)，其具有與第一溝槽210a 與第二溝槽210b的外壁之間的寬度大致相同的寬度(如圖2B中的虛線所示)。另外，雖 然圖2B中所說明的溝槽210具有大致直線的橫截面，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，溝槽 210可包括其它配置，包括(但不限于)彎曲側(cè)壁或溝槽210的側(cè)壁之間的平滑過渡。
圖2C說明在于第一側(cè)面202中形成溝槽210之后的階段，在所述階段中從第二側(cè) 面204選擇性地移除模料116以在與溝槽210的相交處形成開口 224。更明確地說，圖2C 為沿圖1B的線B-B的組合件200的橫截面圖。出于說明的目的，將圖2C所示的組合件200 倒置，使得第二側(cè)面204面朝上。另外，裸片106及接合位點108在圖2C的平面外且以虛 線展示以便于參考。在此配置中，在大致橫穿上述溝槽210 (僅第一溝槽210a展示于圖2C 中)的方向上形成多個第二側(cè)面溝道220?？梢源笾骂愃朴谏衔年P(guān)于溝槽210所描述的方 式的方式形成溝道220。在某些實施例中，溝道220可大致類似于溝槽210，且出于在兩者 之間進行區(qū)分的清楚性目的稱其為溝道而非溝槽。 在圖2C中所說明的實施例中，溝道220不形成于第一裸片106a與第二裸片106b 之間的列118b中，而是以預(yù)選定間距形成于個別裸片106的占據(jù)面積內(nèi)。在其它實施例 中，溝道220可形成于第二側(cè)面204處的任何預(yù)選定位置處。溝道220具有從第二側(cè)面204 起的到模料116中的第二深度02，所述深度不貫穿裸片106。然而，溝槽210的第一深度D工 與溝道220的第二深度^的組合等于或大于模料116的第一厚度1\。因此，第一側(cè)面溝槽 210與第二側(cè)面溝道220之間的相交形成開口 224且提供穿過模料116的通道(access)。
圖2D為模制晶片110的俯視圖，其參考個別裸片106說明溝槽210及相交溝道 220的配置。在處理中的此階段，開口 224已形成于裸片106之間的行118a中。在圖2D中 所說明的實施例中，第一側(cè)面溝槽210在裸片106之間的行118a中相互平行地延展且彼此 隔開。第二側(cè)面溝道220 (以虛線展示)大致垂直于溝槽210且在個別裸片106的占據(jù)面 積內(nèi)延展。溝槽210與溝道220之間的相交因此在行118a中形成開口 224。然而，在其它 實施例中，溝道220及溝槽210可經(jīng)配置以在個別裸片106的外圍周圍而不僅在其之間的 行118a中形成開口 224。 上述形成開口的配置及方法提供形成穿過模料116的開口 224的相對較快且節(jié)省 成本的方法。舉例來說，在形成第一側(cè)面溝槽210之后切割單一第二側(cè)面溝道220通過穿過模料116的僅單次輪回于相交處產(chǎn)生多個開口 224。另外，移除溝槽210及溝道220的模 料116使用現(xiàn)存方法且避免與常規(guī)通孔技術(shù)相關(guān)聯(lián)的挑戰(zhàn)中的一些。舉例來說，用激光鉆 孔可產(chǎn)生具有大于出口直徑的入口直徑的非均勻通 L。與鉆出通孔相關(guān)聯(lián)的另一挑戰(zhàn)包括 不合需要的熔融且重新固化的模料，其可保持在通孔的入口側(cè)。此外，充分電鍍并填充通過 鉆孔技術(shù)形成的具有小縱橫比的通孔還可提供重大挑戰(zhàn)。 在形成溝槽210及溝道220之后，圖2E及圖2F說明于組合件200的第二側(cè)面204 處形成觸點230的階段。更明確地說，圖2E為沿圖1B的線B-B的組合件200的側(cè)視橫截 面圖，且圖2F為沿圖1B的線A-A的組合件200的側(cè)視橫截面圖。 一起參看圖2E及圖2F， 觸點230是通過將導(dǎo)電材料232安置在與對應(yīng)開口 224對準(zhǔn)的溝道220中而形成。
出于說明的目的，圖2E說明將導(dǎo)電材料232安置在同一組合件200中的不同方 法。舉例來說，在某些實施例中，導(dǎo)電材料232可通過印刷、以導(dǎo)電噴墨安置、濺鍍或其它方 法而沉積在或嵌入開口 224中。如關(guān)于圖2E的左側(cè)所示，印刷組合件236將導(dǎo)電材料232 沉積在溝道220中。印刷組合件236可包括刮刀238及具有與溝道220及對應(yīng)開口 224對 準(zhǔn)的孔242的模板240。隨著刮刀238通過模板240，穿過模板240中的對應(yīng)孔242來安置 離散量的導(dǎo)電材料232以形成觸點230。在其它實施例中且如關(guān)于圖2E的右側(cè)所示，導(dǎo)電 噴墨234可將離散量的導(dǎo)電材料232嵌入開口 224中以形成觸點230。
如圖2F中所說明，導(dǎo)電材料232不填充整個溝道220 (溝道中的一者展示于圖2F 中)，且觸點230大致與對應(yīng)開口 224對準(zhǔn)。因此，觸點230是可達到的以從第一側(cè)面202 穿過溝槽210進行進一步處理。形成觸點230的導(dǎo)電材料232可包括焊料膏或可經(jīng)配置以 在開口 224處大致保持在離散位置中的其它導(dǎo)電材料。舉例來說，為了防止導(dǎo)電材料232 延展或涂抹到溝槽210或溝道220中，可修改導(dǎo)電材料232的冶金術(shù)。此外，凸塊下金屬化 (未圖示)可應(yīng)用于溝道220中的模料116的側(cè)壁，以確保導(dǎo)電材料232與模料116及與組 合件200相關(guān)聯(lián)的其它金屬化粘附。 在圖2E及圖2F中所說明的實施例中，觸點230大致與第二側(cè)面204共面，且因此 可提供對組合件200的外部電存取。舉例來說，在某些實施例中，例如焊料球的導(dǎo)電部件 (未圖示)可附接到觸點230。然而，在其它實施例中，觸點230可凹入第二側(cè)面204中或 從第二側(cè)面204突出。舉例來說，觸點232可為凸塊或凸起觸點，其從第二側(cè)面204突出以 促進組合件200與其它裝置或組合件的堆疊。 如圖2G及圖2H中所說明，在形成緊接第二側(cè)面204的觸點230之后，繼續(xù)電連接 器248的處理。更明確地說，圖2G及圖2H為沿圖1B的線A-A的組合件200的側(cè)視橫截面 圖，其說明連接第一側(cè)面202與第二側(cè)面204之間的引線接合250的過程。參考關(guān)于圖2G 的右側(cè)所示的第二裸片106b，引線接合250經(jīng)附接到觸點230且延伸穿過開口 224及第二 溝槽210b以連接到接合位點108。如關(guān)于圖2G的左側(cè)所示，引線接合工具256處于進行 此連接的過程中。舉例來說，工具256的頸狀部分258可插入第一溝槽210a中且穿過開口 224以將引線接合250直接附接到觸點230。在某些實施例中，工具256可將引線接合250 的第一部分252嵌入觸點230中。舉例來說，工具256可用引線接合250的第一部分252 剌穿導(dǎo)電材料232。然而，在其它實施例中，接合工具256本身可剌穿導(dǎo)電材料232且接著 將引線接合250的第一部分252注入到觸點230中。工具256接著纏繞引線接合250且將 引線接合250的第二部分254附接到裸片106a的接合位點108。
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在某些實施例中，在將引線接合250附接在對應(yīng)觸點230與接合位點108之間之 后，觸點230可經(jīng)回流，如圖2H中所說明。回流觸點230可幫助確保觸點230與引線接合 250的插入或嵌入的第一部分252的充分附接。在形成電連接器248之后，可將介電囊封劑 258安置于第一側(cè)面202處，如圖2H中所說明。囊封劑258可保護裸片106不受污染(例 如，歸因于濕氣、粒子等)。囊封劑258還可使引線接合250及第一側(cè)面202處的其它導(dǎo)電 特征穩(wěn)定化且電隔離。在某些實施例中，所述囊封劑可由介電材料構(gòu)成且在模制過程中安 置在組合件200上。 接下來轉(zhuǎn)向圖21及圖2J，從模制晶片110單一化具有對應(yīng)裸片106及組件的個別 組合件200。更明確地說，圖21為沿圖1B的線A-A的單一化的組合件200的側(cè)視橫截面 圖，且圖2J為單一化的組合件200的俯視圖。然而，出于說明的目的，圖2J不展示第一側(cè) 面202處的囊封劑258以更好地說明個別電連接器248。 一起參看圖21及圖2J，可單一化 組合件200，以使電連接器248在組合件200的外圍處被封閉或暴露。舉例來說，可通過沿 個別裸片106之間的行118a及列118b切割圖1B的模制晶片110而將組合件200單一化。 在某些實施例中，行118a在對應(yīng)溝槽210之間被大致平分。然而，在其它實施例中，可沿行 118a(或列118b)單一化個別裸片106，以在個別裸片106及電連接器248的外圍周圍留下 預(yù)訂量的模制材料116。舉例來說，如關(guān)于圖21及圖2J的左側(cè)所示，單一化的組合件200 包括側(cè)壁部分258，其將引線接合250封閉在第一側(cè)面202與第二側(cè)面204之間的模料116 內(nèi)。然而，在其它實施例中，可單一化組合件200，以使所述連接器未被模料116封閉且在組 合件200的外圍處暴露。舉例來說，如出于說明的目的關(guān)于圖21及圖2J的右側(cè)在同一組 合件200上所示，在于單一化過程期間將模制材料116移除之后，暴露電連接器248。暴露 組合件200的側(cè)面處的電連接器248提供用以在處理的稍后階段中電連接到的另一位置的 益處。 圖3A為根據(jù)另一實施例配置的組合件300的橫截面?zhèn)纫晥D。組合件300大致類 似于以上關(guān)于圖1A到圖2J描述的組合件200 ;然而，在此實施例中，組合件300具有電連 接器348(個別地識別為第一電連接器348a及第二電連接器348b)，其包括具有形成第二 側(cè)面204處的觸點330的對應(yīng)變形的第一部分352的引線接合350。勝于通過將導(dǎo)電材料 232沉積在開口 224中來形成上述觸點230，圖3A中所說明的觸點330是用引線接合350 的第一部分352形成。因此，電連接器348包括將第一側(cè)面202連接到第二側(cè)面204的連 續(xù)且不中斷的引線接合350。 出于說明的目的，關(guān)于圖3A的右側(cè)展示第一 電連接器348a，且關(guān)于圖3A的左側(cè)在 同一組合件300上展示第二電連接器348b。第一電連接器348a包括延伸穿過組合件300 且具有大致變形成勾狀部件358的第一部分352(具有大致彎曲或永久偏轉(zhuǎn)的配置)的引 線接合350。引線接合350延伸穿過溝槽210與溝道220的相交處的開口 224，且引線接合 350的第二部分354經(jīng)附接到對應(yīng)接合位點108a。引線接合350的第一部分352無需形成 實際勾狀物，然而，第一部分352可變形且經(jīng)配置以使得其至少部分地使引線接合350保持 緊接第二側(cè)面204。因此，引線接合350的變形的第一部分352在第二側(cè)面204處形成觸點 330且提供對組合件300的外部電存取。 除了引線接合350的第一部分352變形以大致包括球狀部件356之外，關(guān)于圖3A 的左側(cè)說明的第二電連接器348b大致類似于第一電連接器348a。球狀部件356是由引線
11接合350的第一部分352形成且具有至少與開口 224的橫截面尺寸一樣大的橫截面尺寸。 因此，球狀部件256可經(jīng)配置以至少部分地使引線接合350的第一部分352保持緊接第二 側(cè)面204以形成觸點330。 在以上所述且在圖3A中說明的實施例中，觸點330可大體上與第二側(cè)面204共面 或從第二側(cè)面204突出。舉例來說，勾狀部件358可經(jīng)形成以大致與第二側(cè)面204共面，且 球狀部件356可經(jīng)形成以從第二側(cè)面204突出。然而，在其它實施例中，引線接合350的第 一部分352(包括勾狀部件358或球狀部件356)可經(jīng)配置以形成至少部分地凹入組合件 300的第二側(cè)面204中的觸點330。 如下文所闡釋且關(guān)于圖3B及圖3C更詳細描述，電連接器348可提供穿過組合件 300且在組合件300內(nèi)的高質(zhì)量互連，其可以節(jié)省成本的方式制造。舉例來說，電連接器348 可用現(xiàn)存半導(dǎo)體處理及引線接合技術(shù)形成。另外，電連接器348包括連續(xù)且固態(tài)的引線接 合350 (包括第一部分352處的觸點330)，以形成從第一側(cè)面202延伸到第二側(cè)面204的電 連接器348。 圖3B說明處理階段，在所述階段，將引線接合350的第一部分352偏轉(zhuǎn)或以其它 方式變形成引線接合350的第一部分352處的勾狀部件358。如上文關(guān)于圖1A到圖2J所 描述，開口 224形成于第一側(cè)面溝槽210與第二側(cè)面溝道220之間的相交處。因此，引線接 合工具256可定位在溝槽210中緊接開口 224處且使引線接合350的第一部分352延伸以 從第二側(cè)面204突出。偏轉(zhuǎn)部件370可使第一部分352永久偏轉(zhuǎn)以在第二側(cè)面204上形成 觸點330。舉例來說，偏轉(zhuǎn)部件370可在由箭頭372指示的方向上在第二側(cè)面204處移 動以 使引線接合350的第一部分352彎曲。在其它實施例中，偏轉(zhuǎn)部件370可在其它方向上移 動以形成第一部分352的勾狀部件358。在使第一部分352變形之后，將引線接合350的第 二部分354附接到第一側(cè)面202處的對應(yīng)接合位點108。 圖3C說明電連接器348的處理階段，其中在引線接合350的第一部分352處形成 球狀部件356。在此實施例中，緊接從第二側(cè)面204突出的引線接合350的第一部分352定 位電子火焰熄滅(electronic flame off) ( "EFO")工具360。 EFO工具362緊接第一部 分352發(fā)出火花362或其它熱源且形成無空氣球或第一部分352處的球狀部件356。隨后， 引線接合工具256將引線接合350的第二部分354附接到第一側(cè)面202處的對應(yīng)接合位點 108。因此，球狀部件356在第二側(cè)面204處形成觸點330。 對組合件300的處理可以類似于上文關(guān)于圖1A到圖2J描述的技術(shù)及實施例的方 式繼續(xù)。舉例來說，可將囊封劑258安置在組合件300的第一側(cè)面202處，且可使用上述技 術(shù)從模制晶片IIO(展示于圖1B中)單一化個別組合件。 圖4A為根據(jù)另一實施例配置的組合件400的橫截面圖。圖4A所示的組合件400 的某些方面大致類似于上述組合件；然而，在此實施例中，組合件400具有電連接器448，其 包括將第一側(cè)面202電連接到第二側(cè)面204的重新分配結(jié)構(gòu)450，而非引線接合250。更明 確地說，每一重新分配結(jié)構(gòu)450可包括導(dǎo)電層452，其經(jīng)由第一側(cè)面溝槽410而電連接到第 二側(cè)面觸點430。在某些實施例中，第一側(cè)面溝槽410的側(cè)壁部分可包括導(dǎo)電鍍層454以促 進導(dǎo)電層452與觸點430之間的電連接。然而，在其它實施例中，導(dǎo)電層452可至少部分地 填充與觸點430對準(zhǔn)的每一溝槽410的一部分，以直接連接到觸點430。類似于上述實施 例，組合件400還可包括安置在重新分配結(jié)構(gòu)450上緊接第一側(cè)面202處的囊封劑258。
與圖4A中所說明的組合件400相關(guān)聯(lián)的處理步驟可大致類似于上述處理步驟；然 而，在此實施例中，形成穿過模料116的開口 424可為不同的。舉例來說，如下文參考說明 代表性處理階段的圖4B到圖4D所描述，單一溝槽410 (而非第一平行溝槽210a及第二平 行溝槽210b)可在個別裸片106之間形成于第一側(cè)面202中。另外，個別孔420(而非第二 側(cè)面溝道220)形成于第二側(cè)面204中以橫斷溝槽410且形成開口 424。
更明確地說，圖4B為模制晶片110的仰視圖，其參考個別裸片106(以虛線展示) 說明溝槽410(以虛線展示)及相交孔420的配置。在處理的此階段中，于第一側(cè)面202處 在行118a中形成單一溝槽410。在形成溝槽410之后，以預(yù)選定間距在第二側(cè)面204中形 成孔420以橫斷溝槽410。在某些實施例中，用鉆孔、激光、蝕刻劑、流體噴射或其它適合技 術(shù)形成孔420?？?20可具有大致橫穿溝槽410定向的橢圓形形狀。類似于上述實施例，溝 槽410及孔420的組合深度(未圖示)可大于或等于模料116的厚度以產(chǎn)生開口 424。
在形成開口 424之后，圖4C說明緊接第一側(cè)面202形成重新分配結(jié)構(gòu)450的階段。 在某些實施例中，將導(dǎo)電層452直接耦合到對應(yīng)接合位點108及位于溝槽410的側(cè)壁部分 處的導(dǎo)電鍍層454 (以虛線展示)。然而，在其它實施例中，導(dǎo)電層452可至少部分地填充與 開口 424對準(zhǔn)的溝槽410的一部分(以虛線展示)以與第二側(cè)面204處的觸點430 (圖4C 中未展示)直接連接。在沉積導(dǎo)電層452以保護裸片106且使組合件的組件(例如，重新 分配結(jié)構(gòu)450的導(dǎo)電層452)電隔離之后，可將介電囊封劑258(圖4C中未展示)安置在第 一側(cè)面202處。 在緊接第一側(cè)面202安置重新分配結(jié)構(gòu)450之后，可將個別觸點430嵌入于第 二側(cè)面204處以完成穿過組合件400的電連接器448。為了形成觸點430，可將導(dǎo)電材料 432 (展示于圖4A中)的離散部分安置在從第二側(cè)面204起且與開口 424對準(zhǔn)的個別孔420 中。導(dǎo)電材料432可包括類似材料且可以大致類似于上文參考圖2E描述的方式的方式安置。 圖4D為呈堆疊配置的單一化組合件400 (個別地識別為第一組合件400a及第二 組合件400b)的等角視圖。在所說明的實施例中，第二組合件400b的第一表面202b可堆 疊在第一組合件400a的第二表面204a上?？墒褂蒙鲜龇椒▎我换谝唤M合件400a及第 二組合件400b。在某些實施例中，從模制晶片110(例如，參見圖4B)單一化裸片106可包 括沿行118a大致平分溝槽410及孔420。因此，在單一化組合件400之后，電連接器448可 在組合件400的側(cè)面部分處暴露以電連接到其它組件、裝置及組合件。
在某些實施例中，可以不同次序執(zhí)行上文參考圖4B到圖4D描述的處理步驟。舉 例來說，可在于第一側(cè)面202中形成溝槽410之前在第二側(cè)面204中形成孔420。因此，孔 420可從第二側(cè)面204鉆到中間深度且隨后以導(dǎo)電材料432填充而形成觸點430。在填充 孔420之后，可在第一側(cè)面202中形成溝槽410以橫斷嵌入的觸點430。重新分配結(jié)構(gòu)450 可接著被安置在第一側(cè)面202處且使第一側(cè)面202與第二側(cè)面204之間的電連接器448完 整。 圖4A到圖4D中所說明的電連接器448還并入有WLP益處且利用裸片106周圍的 間隔以通過相對簡化的處理步驟提供可靠且高質(zhì)量的互連。舉例來說，在溝槽410與孔420 的相交處形成開口 424，而非鉆孔或蝕刻穿過整個組合件。另外，用孔420橫斷溝槽410(或 反之亦然)減小這些個別特征的深度及縱橫比，此可減小稍后處理步驟的復(fù)雜性。因此，所說明的實施例可通過使用簡化過程來改進電連接器448的可制造性及可靠性。 圖5為用于形成半導(dǎo)體組合件的方法或過程500的實施例的流程圖。在此實施例
中，過程500包括在具有成行及列布置的多個裸片的模制晶片的模制部分中形成到中間深
度的多個第一側(cè)面溝槽(框505)。在某些實施例中，此步驟可包括在裸片之間的每一行或
列中形成單一溝槽。然而，在其它實施例中，此步驟可包括在裸片之間的每一行或列中形成
兩個或兩個以上平行且隔開的溝槽。 所述過程進一步包括從位于與第一側(cè)面溝槽對準(zhǔn)的區(qū)域處的模制部分的第二側(cè) 面移除材料(框510)。從第二側(cè)面移除材料形成穿過模制晶片的模制部分的開口。在某 些實施例中，此步驟可包括形成到中間深度的第二側(cè)面溝槽或溝道。所述第二側(cè)面溝道可 大致橫穿所述第一側(cè)面溝槽。然而，在其它實施例中，此步驟可包括在模料中與所述第一側(cè) 面溝槽對準(zhǔn)的個別位置處形成從第二側(cè)面到中間深度的？L。第一側(cè)面溝槽與第二側(cè)面溝道 (或第二側(cè)面孔)的深度的組合大于模制晶片的模料的厚度以形成穿過模料的開口。
所述過程進一步包括在模制部分的第二側(cè)面于開口處形成多個電觸點(框515)。 在某些實施例中，此步驟可包括將離散量的導(dǎo)電材料(例如，焊料)從第二側(cè)面安置在所述 開口中。然而，在其它實施例中，此步驟可包括穿過開口插入引線接合的一部分及使引線接 合的所述部分在第二側(cè)面處變形。所述過程進一步包括將第二側(cè)面觸點電連接到裸片上的 對應(yīng)接合位點(框520)。在某些實施例中，此步驟可包括將引線接合附接到第二側(cè)面處的 觸點且附接到第一側(cè)面處的對應(yīng)接合位點。在包括第二側(cè)面處的引線接合的變形部分的實 施例中，此步驟可包括將引線接合的遠離變形部分的一部分附接到第一側(cè)面處的對應(yīng)接合 位點。在又一其它實施例中，此步驟可包括將重新分配結(jié)構(gòu)安置于第一側(cè)面處。
圖5中所說明的過程可在相對較短的時間周期中完成，因為不必形成、鍍敷及填 充個別通孔以產(chǎn)生組合件的第一側(cè)面與第二側(cè)面之間的電連接。而是，相交的溝槽與溝道 可快速地產(chǎn)生穿過模料的多個開口 。舉例來說，在形成第一側(cè)面溝槽之后，形成單一第二側(cè) 面溝道在單次輪回中于相交處產(chǎn)生多個開口。 可將具有上文參考圖1A到圖5描述的電連接器的組合件中的任一者并入到各種 各樣較大及/或較為復(fù)雜的系統(tǒng)中的任一者中，所述系統(tǒng)的代表性實例為圖6中示意展示 的系統(tǒng)600。系統(tǒng)600可包括處理器602、存儲器604 (例如，SRAM、DRAM、快閃及/或其它存 儲器裝置)、輸入/輸出裝置606及/或其它子系統(tǒng)或組件608。具有上文參考圖1A到圖 5描述的電連接器的組合件可包括于圖6所示的組件中的任一者中。所得系統(tǒng)600可執(zhí)行 廣泛多種計算、處理、存儲、感測、成像及/或其它功能中的任一者。因此，代表性系統(tǒng)600 包括(但不限于)計算機及/或其它數(shù)據(jù)處理器，例如，桌上型計算機、膝上型計算機、因特 網(wǎng)設(shè)備、手持式裝置(例如，掌上型計算機、可佩戴計算機、蜂窩式或移動電話、個人數(shù)字助 理、音樂播放器等)、多處理器系統(tǒng)、基于處理器的或可編程的消費電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)計算機及 小型計算機。其它代表性系統(tǒng)600可容納于單一單元中或分布在多個互連的單元中(例如， 經(jīng)由通信網(wǎng)絡(luò))。系統(tǒng)600的組件因此可包括局部及/或遠程存儲器存儲裝置及廣泛多種 計算機可讀媒體中的任一者。 從前述內(nèi)容將了解，雖然為說明起見本文中已描述特定實施例，但在不偏離本發(fā) 明的情況下可進行各種修改。舉例來說，可將一個或一個以上額外組合件堆疊在上述實施 例中的任一者中的組合件上以形成堆疊組合件。在上下文允許的情況下，單數(shù)或復(fù)數(shù)術(shù)語
14還可分別包括復(fù)數(shù)或單數(shù)術(shù)語。此外，除非詞語"或"明確限制為僅意味著單一項而排除關(guān) 于列表或者兩個或兩個以上項中的其它項，否則"或"在所述列表中的使用將被解釋為包括
(a)所述列表中的任一單一項，(b)所述列表中的所有項，或(c)所述列表中的項的任何組 合。另外，術(shù)語"包含"始終用以意味著包括至少所陳述的特征，以使得并不排除任何更大 數(shù)目的相同特征或額外類型的特征。 在不偏離本文中所揭示的實施例的情況下可進行各種修改。舉例來說，可在其它 實施例中組合或消除特定實施例的背景下描述的特征。此外，盡管已在某些實施例的背景 下描述與所述實施例相關(guān)聯(lián)的優(yōu)點，但其它實施例也可展現(xiàn)所述優(yōu)點，且并非所有實施例 需要必要地展現(xiàn)所述優(yōu)點以處于本發(fā)明的范圍內(nèi)。舉例來說，可在模料中形成具有變化寬 度及深度的溝槽或溝道。因此，本發(fā)明不受除如由隨附權(quán)利要求書所限制之外的限制。
權(quán)利要求
一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含在模制晶片的第一側(cè)面處的模制材料中在嵌入所述模制材料中的第一半導(dǎo)體裸片與第二半導(dǎo)體裸片之間的通路中形成至少一個溝槽，其中所述第一及第二裸片具有位于所述第一側(cè)面處的接合位點；在與所述溝槽重疊的部分處從所述模制晶片的與所述第一側(cè)面相對的第二側(cè)面移除材料，其中移除所述材料形成穿過所述模制晶片的多個第一開口；形成經(jīng)由穿過所述模制晶片的對應(yīng)第一開口而從所述第一及第二裸片的個別接合位點延伸到所述模制晶片的所述第二側(cè)面的電連接器；以及單一化所述第一及第二裸片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述溝槽為第一溝槽且所述方法進一步包含在所述模制晶片的所述第一側(cè)面中在所 述通路中形成第二溝槽，其中所述第二溝槽與所述第一溝槽隔開且大致平行于所述第一溝 槽；且從所述第二側(cè)面移除材料包括在大致橫穿所述第一及第二溝槽的方向上在所述模制 晶片的所述第二側(cè)面中形成溝道，其中形成所述溝道分別在所述溝道與所述第一及第二溝 槽之間的相交處形成穿過所述模制晶片的所述第一開口及多個第二開口。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一溝槽、所述第二溝槽及所述溝道在所述 模制晶片中各自具有小于所述模制晶片的厚度的深度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成電連接器包含用穿過所述第一開口的第一引線接合將所述第一裸片的對應(yīng)接合位點耦合到所述第二側(cè)面及用穿過所述第二開口的第 二引線接合將所述第二裸片的對應(yīng)接合位點耦合到所述第二側(cè)面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其進一步包含將介電材料安置在所述模制晶片的所述 第一側(cè)面處及在所述第一及第二引線接合的至少一部分及所述第一及第二裸片上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一開口包括側(cè)壁部分且所述第二開口包括側(cè)壁部分；且單一化所述裸片包含切開所述第一與第二溝槽之間的所述模制晶片及至少部分地移 除所述第一開口的所述側(cè)壁部分及所述第二開口的所述側(cè)壁部分，以使得所述第一及第二 引線接合分別在所述單一化的第一及第二裸片的外圍處暴露。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其進一步包含用導(dǎo)電材料至少部分地填充所述第一開 口及所述第二開口 ，且其中將所述第一及第二裸片的所述接合位點電連接到所述模制晶片 的所述第二側(cè)面包括將第一引線接合的第一部分嵌入對應(yīng)第一開口中的所述導(dǎo)電材料中且穿過所述第一 開口將所述第一引線接合的與所述第一部分相對的第二部分連接到所述第一裸片的對應(yīng) 接合位點；以及將第二引線接合的第一部分嵌入對應(yīng)第二開口中的所述導(dǎo)電材料中且穿過所述第二 開口將所述第二引線接合的與所述第一部分相對的第二部分連接到所述第二裸片的對應(yīng) 接合位點。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中將所述第一引線接合的所述第一部分嵌入所述導(dǎo) 電材料中包括用所述第一引線接合的所述第一部分剌穿所述導(dǎo)電材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中將所述第一引線接合的所述第一部分嵌入所述導(dǎo) 電材料中包括用引線接合工具剌穿所述導(dǎo)電材料及將所述第一部分注入到所述導(dǎo)電材料 中。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中至少部分地填充所述第一開口及所述第二開口 包括將離散量的所述導(dǎo)電材料安置在所述第一及第二開口中的每一者中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一及第二開口中的所述導(dǎo)電材料大體上 與所述第二側(cè)面共面。
12. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成電連接器包括將第一引線接合插入到所述第一開口中的一者中，以使得所述第一引線接合的第一部 分穿過所述模制晶片從所述第二側(cè)面突出；使所述第一引線接合的所述第一部分變形，其中所述變形的第一部分至少部分地防止 所述引線接合穿過所述第一開口收縮；以及將所述第一引線接合的與所述第一部分相對的第二部分連接到所述第一裸片的對應(yīng) 接合位點。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中使所述第一引線接合的所述第一部分變形包括 用電子火焰熄滅在所述第一部分處形成球狀部件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述球狀部件從所述模制晶片的所述第二側(cè)面 突出。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中使所述第一引線接合的所述第一部分變形包括 永久偏轉(zhuǎn)所述第一部分。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中從所述第二側(cè)面移除材料包括移除與所述溝槽 對準(zhǔn)的個別位置處的所述模制晶片的離散部分。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中移除所述模制晶片的離散部分包括用激光鉆穿 所述模制晶片。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中形成電連接器包括 將導(dǎo)電材料安置在所述第一開口中緊接所述模制晶片的所述第二側(cè)面處；以及 在所述第一裸片的所述接合位點與所述對應(yīng)第一開口之間形成重新分配結(jié)構(gòu)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述重新分配結(jié)構(gòu)至少部分地填充所述第一開□。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中在形成所述第一開口之后且在將所述導(dǎo)電材料 安置在所述第一開口中之后形成所述溝槽。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述溝槽橫斷安置在所述第一開口中的所述導(dǎo) 電材料。
22. —種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包含在具有成行及列布置的多個裸片的模制晶片的模制部分中形成到中間深度的多個第 一側(cè)面溝槽，其中個別裸片包括多個接合位點且所述第一側(cè)面溝槽沿所述裸片之間的所述 行或列中的一者彼此平行；從位于與所述第一側(cè)面溝槽對準(zhǔn)的區(qū)域處的所述模制部分的背面移除材料，其中移除 所述材料形成穿過所述模制部分的開口；在所述模制部分的所述背面于所述開口處形成多個電觸點；以及 將所述背面觸點電連接到所述裸片上的對應(yīng)接合位點。
23. —種在嵌入模制晶片中的兩個或兩個以上半導(dǎo)體裸片之間形成完全延伸穿過所述 模制晶片的厚度的一個或一個以上孔的方法，所述方法包含在所述兩個或兩個以上裸片之間在第一方向上部分地分割所述模制晶片的第一側(cè)面， 其中部分地分割所述第一側(cè)面形成具有小于所述模制晶片的所述厚度的深度的溝槽；以及從所述模制晶片的與所述第一側(cè)面相對的第二側(cè)面移除所述模制晶片的一部分且從 所述第二側(cè)面橫斷所述溝槽。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中 所述溝槽為第一溝槽，且其中所述方法進一步包含在所述兩個或兩個以上裸片之間平行于所述第一溝槽且與所述第一溝槽隔開地部分 分割所述模制晶片的所述第一側(cè)面以形成第二溝槽；且其中移除所述模制晶片的所述部分包括在大致橫穿所述第一方向的第二方向上部分地分 割所述第二側(cè)面及形成橫斷所述第一及第二溝槽的溝道。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中 所述第一溝槽具有第一深度； 所述第二溝槽具有所述第一深度；且所述溝道具有第二深度，其中所述第一深度與所述第二深度的組合至少等于所述模制 晶片的所述厚度。
26. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中從所述第二側(cè)面移除所述模制晶片的一部分包 含引導(dǎo)激光、引導(dǎo)流體噴射及將蝕刻劑安置在所述第二側(cè)面的所述部分上中的至少一者。
27. —種中間制造物件，其包含模制晶片，其具有成形為具有第一側(cè)面及第二側(cè)面的晶片的模制材料、在所述模制材料中的第一半導(dǎo)體裸片及在所述模制材料中的與所述第一裸片隔開的第二半導(dǎo)體裸片； 第一溝槽，其位于所述模制晶片的所述第一側(cè)面中在所述第一與第二裸片之間，其中所述第一溝槽具有小于所述模制晶片的厚度的深度；以及凹陷，其位于與所述第一溝槽對準(zhǔn)的所述模制晶片的所述第二側(cè)面中，其中所述凹陷 具有小于所述模制晶片的所述厚度的深度且在與所述第一與第二裸片之間的所述第一溝 槽的相交處形成穿過所述模制晶片的第一開口。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的物件，其進一步包含第二溝槽，其位于所述模制晶片的所述第一側(cè)面中在所述第一與第二裸片之間，其中所述第二溝槽大致平行于所述第一溝槽并與所述第一溝槽隔開且具有近似等于所述第一 溝槽的所述深度的深度；且其中所述凹陷包括在所述模制晶片的所述第二側(cè)面中的大致橫穿所述第一及第二溝槽的 溝道；其中所述溝道在與所述第一溝槽的所述相交處形成所述第一開口且所述溝道在與所 述第二溝槽的相交處形成第二開口 。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的物件，其進一步包含第一觸點，其在所述模制晶片的所述第二側(cè)面處定位于所述第一開口中； 第二觸點，其在所述模制晶片的所述第二側(cè)面處定位于所述第二開口中；第一引線接合，其延伸穿過所述第一開口且連接到所述第一裸片及所述第一觸點；以及第二引線接合，其延伸穿過所述第二開口且連接到所述第二裸片及所述第二觸點。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的物件，其中所述第一觸點包括安置在所述第一開口中緊接所述第二側(cè)面處的導(dǎo)電材料，且其中所 述第一引線接合被嵌入所述第一導(dǎo)電材料中；且所述第二觸點包括安置在所述第二開口中緊接所述第二側(cè)面處的所述導(dǎo)電材料，且其 中所述第二引線接合被嵌入所述第二導(dǎo)電材料中。
31. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的物件，其進一步包含第一引線接合，其連接到所述第一裸片，其中所述第一引線接合延伸穿過所述第一開 口且在所述第一引線接合的緊接所述模制晶片的所述第二側(cè)面的末端部分處變形；以及第二引線接合，其連接到所述第二裸片，其中所述第二引線接合延伸穿過所述第二開 口且在所述第二引線接合的緊接所述模制晶片的所述第二側(cè)面的末端部分處變形。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的物件，其中所述第一引線接合的所述變形的末端部分包括 具有大于所述第一開口的橫截面尺寸的橫截面尺寸的球狀部件，且所述第二引線接合的所 述變形的末端部分包括具有大于所述第二開口的橫截面尺寸的橫截面尺寸的球狀部件。
33. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的物件，其中所述第一引線接合的所述變形的末端部分包括 至少部分地保持所述第一引線的所述末端部分緊接所述模制晶片的所述第二側(cè)面的勾狀 部件，且所述第二引線接合的所述變形的末端部分包括至少部分地保持所述第二引線接合 的所述末端部分緊接所述模制晶片的所述第二側(cè)面的勾狀部件。
34. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的物件，其中所述第一半導(dǎo)體、所述第一溝槽及所述第一開 口形成并入到半導(dǎo)體系統(tǒng)中的半導(dǎo)體組合件的一部分，所述半導(dǎo)體系統(tǒng)包括處理器、存儲 器裝置及輸入或輸出裝置中的至少一者。
35. —種半導(dǎo)體組合件，其包含 模料，其具有第一側(cè)面、第二側(cè)面及厚度；裸片，其嵌入所述模料中，所述裸片具有位于所述模料的所述第一側(cè)面處的接合位點；溝槽，其位于所述模料中與所述裸片隔開，所述溝槽具有從所述模料的所述第一側(cè)面 起的第一深度；溝道，其位于所述模料中，具有從所述模料的所述第二側(cè)面起的第二深度，其中所述第 一與第二深度的組合至少等于所述模料的所述厚度，且其中所述溝道大致橫穿所述溝槽且 橫斷所述溝槽以形成穿過所述模料的開口；觸點，其位于所述模料的所述第二側(cè)面處，所述觸點定位于所述溝道中且與所述開口 對準(zhǔn)；以及電連接器，其延伸穿過所述開口 ，所述電連接器具有連接到所述裸片的所述接合位點 的第一末端部分及連接到所述觸點的第二末端部分。
全文摘要
本文中揭示包括互連的半導(dǎo)體裝置及組合件及用于形成所述互連的方法。一種制造半導(dǎo)體裝置的方法的一個實施例包括在具有成行及列布置的多個裸片(106)的模制晶片(110)的模制部分中形成到中間深度的多個第一側(cè)面溝槽(210)。所述方法還包括從位于與所述第一側(cè)面溝槽對準(zhǔn)的區(qū)域處的所述模制部分的第二側(cè)面(220)移除材料，其中移除所述材料形成穿過所述模制部分的開口(224)。所述方法進一步包括在所述模制部分的所述第二側(cè)面于所述開口處形成多個電觸點及將所述第二側(cè)面觸點電連接到所述裸片上的對應(yīng)接合位點(109)。
文檔編號H01L25/10GK101785093SQ200880104410
公開日2010年7月21日 申請日期2008年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月28日
發(fā)明者文傳勇, 蔡瑞光, 謝永富 申請人:美光科技公司