專(zhuān)利名稱(chēng)：載置臺(tái)構(gòu)造、以及用其的處理裝置和該裝置的使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片等作用例如通過(guò)微波或高頻產(chǎn)生的等離 子體而實(shí)施處理時(shí)所使用的處理裝置、其所使用的栽置臺(tái)構(gòu)造以及該裝 置的使用方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，伴隨著半導(dǎo)體制品的高密度化以及高微細(xì)化，在半導(dǎo)體制 品的制造工序中，存在為了薄膜的沉積、蝕刻、退火等處理而使用等離 子體處理裝置的情況。特別是，具有使用如下等離子體處理裝置的傾向，
即，為了即使在O.lmTorr (13.3mPa) ~數(shù)100mTorr (數(shù)10Pa )的比 較低的壓力下(高真空下)也能穩(wěn)定使等離子體產(chǎn)生，而利用微波或高 頻，產(chǎn)生高密度等離子體的等離子體處理裝置。這樣的等離子體處理裝 置公開(kāi)在專(zhuān)利文獻(xiàn)1~5中。
在此，參照?qǐng)Dl說(shuō)明例如利用了微波的通常的等離子體處理裝置。 圖1是表示利用了微波的現(xiàn)有通常的等離子體處理裝置的概略結(jié)構(gòu)圖， 圖2是表示載置臺(tái)構(gòu)造的現(xiàn)有的其他一例的概略構(gòu)成圖。
在圖1中，該等離子體處理裝置2在可進(jìn)行抽真空的處理容器4內(nèi) 設(shè)置有載置半導(dǎo)體晶片W的載置臺(tái)構(gòu)造6。該載置臺(tái)構(gòu)造6主要由從該 處理容器4的底部立起的支柱8和該支柱8的上端所支撐的載置臺(tái)主體 IO構(gòu)成，在該載置臺(tái)主體IO的上表面載置晶片W。在該載置臺(tái)主體10 內(nèi)埋入有作為加熱部的電阻加熱器12，并在上表面附近設(shè)置有利用靜電 力保持晶片W的靜電吸盤(pán)14。
另外在載置晶片W的面的周邊部安裝有剖面形狀呈近似L字狀的 的圓環(huán)狀的導(dǎo)向環(huán)15。該導(dǎo)向環(huán)15的內(nèi)徑設(shè)定成比晶片W的外徑稍大， 由此，能夠防止晶片W側(cè)滑而偏離適當(dāng)?shù)奈恢?。以與該載置臺(tái)構(gòu)造6 對(duì)置的方式，相對(duì)處理容器4氣密地設(shè)置有頂板16。頂板16由透射微 波的圓板狀的氮化鋁或石英等制作。另外，在處理容器4的側(cè)壁上設(shè)置有向容器內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體的作為氣體導(dǎo)入部的氣體噴嘴18。
在頂板16的上表面設(shè)置有厚度數(shù)mm左右的圓板狀的平面天線(xiàn)構(gòu) 件18和例如由電介質(zhì)構(gòu)成的慢波構(gòu)件20。慢波構(gòu)件20發(fā)揮縮短該平面 天線(xiàn)構(gòu)件18的半徑方向上的微波的波長(zhǎng)的功能。平面天線(xiàn)構(gòu)件18上形 成有例如作為貫通孔的上面形狀細(xì)長(zhǎng)的多個(gè)狹縫22。在平面天線(xiàn)構(gòu)件 18的中心部連接著同軸波導(dǎo)管24的中心導(dǎo)體26。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，將 由微波發(fā)生器28產(chǎn)生的、例如2.45GHz的微波通過(guò)模式轉(zhuǎn)換器30轉(zhuǎn)換 成規(guī)定的振動(dòng)模式，導(dǎo)向平面天線(xiàn)構(gòu)件18。被導(dǎo)向平面天線(xiàn)構(gòu)件18的 微波向平面天線(xiàn)構(gòu)件18的半徑方向呈放射狀傳播并且從平面天線(xiàn)構(gòu)件 18的狹縫22被放射出去，通過(guò)頂板16，向下方的處理容器4內(nèi)被導(dǎo)入。 通過(guò)該微波在處理容器4的處理空間S產(chǎn)生等離子體，對(duì)半導(dǎo)體晶片W 進(jìn)行蝕刻或薄膜的沉積等規(guī)定的等離子體處理。
另外，還公知有如下栽置臺(tái)構(gòu)造，在其中，代替上述導(dǎo)向環(huán)15，如 圖2所示，在載置臺(tái)IO的載置了晶片W面的中央，設(shè)置具有比晶片W 的直徑稍大的圓形的收容凹部32，通過(guò)該收容凹部32的壁面34定位晶 片W。
專(zhuān)利文獻(xiàn)l: JP特開(kāi)平3-191073號(hào)7>凈艮 專(zhuān)利文獻(xiàn)2: JP特開(kāi)平5-343334號(hào)7>才艮 專(zhuān)利文獻(xiàn)3: JP特開(kāi)平9-181052號(hào)〃>凈艮 專(zhuān)利文獻(xiàn)4: JP特開(kāi)2003-332326號(hào)7〉才艮 專(zhuān)利文獻(xiàn)5: JP特開(kāi)2005-142529號(hào)7>才艮

發(fā)明內(nèi)容
但是，最近，晶片W的上表面的平面部分自不用說(shuō)，不僅晶片W 的圓的邊緣部(也將該部分稱(chēng)為"斜面部")，到晶片的背面?zhèn)纫惨幚?的要求日益高漲。例如，如圖3 (A)所示，在利用現(xiàn)有的一般的等離 子體處理裝置進(jìn)行沉積處理時(shí)，薄膜36只沉積到晶片W的圓的邊緣部 38的中途程度。與此相對(duì)，如圖3(B)所示，期望薄膜36不僅堆積到 晶片W的圓的邊緣部38，還到達(dá)晶片W的背面周緣部。其理由是因?yàn)楸∧?6的基底層例如針對(duì)水分脆弱的情況下，薄膜36用作保護(hù)膜(鈍 化膜)，但此時(shí)，為了可靠地防止水分侵入到下層，薄膜36如圖3(B) 所示需要從圓的邊緣部38沉積到晶片W的背面周緣部。
但是，上述現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，超過(guò)該邊緣部38原料氣 體等處理氣體迂回到晶片W的背面周緣部的情況幾乎沒(méi)有，由此沉積 薄膜直到晶片W的背面周緣部非常困難。另外，因上述理由，還存在 對(duì)該晶片W的背面周緣部蝕刻或退火等要求，但應(yīng)對(duì)這樣的要求很困 難。
本發(fā)明按照上述情況而制，其目的在于提供不僅基板的邊緣部，對(duì) 晶片W的背面周緣部也能夠進(jìn)行等離子體處理的栽置臺(tái)構(gòu)造、用此的 處理裝置以及該裝置的使用方法。
本發(fā)明的第一技術(shù)方案提供一種載置臺(tái)構(gòu)造，在對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的 處理的構(gòu)成為可抽真空的處理容器內(nèi)支撐基板，具有載置臺(tái)主體，其 載置基板；升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)，其構(gòu)成為將基板降到載置臺(tái)主體，從載置臺(tái)主 體抬起基板；階梯部，其形成于載置臺(tái)主體，使得栽置在載置臺(tái)主體上 的基板的背面周緣部暴露于被供給到處理容器的處理氣體中。
這樣，在將基板載置在載置臺(tái)主體上時(shí)，將基板的背面周緣部通過(guò) 階梯部而被暴露在處理氣體中，所以能夠進(jìn)行直到基板的背面周緣部的 薄膜的沉積等處理。
此時(shí)，階梯部可以是沿載置在載置臺(tái)主體的基板的外周端的第一槽 部的一部分，另外，也可以通過(guò)形成在載置臺(tái)主體的中央部并且相對(duì)于 載置臺(tái)主體的周邊部隆起的隆起部形成。
另外，載置臺(tái)主體包括保持載置于載置臺(tái)主體上的基板的靜電吸盤(pán)。
另外，載置臺(tái)主體具有多個(gè)凸部，在基板的下方形成有在基板與多 個(gè)凸部接觸時(shí)產(chǎn)生的水蒸氣逃逸的空間。而且，載置臺(tái)主體具有多個(gè)第 二槽部，在基板的下方形成有在基板與載置臺(tái)主體接觸時(shí)產(chǎn)生的水蒸氣 逃逸的空間。
8由此，在基板與載置臺(tái)主體接觸時(shí)，即使附著在基板背面的水分變 為水蒸氣，該水蒸氣也會(huì)向空間內(nèi)擴(kuò)散，所以不會(huì)使基板上浮，由此防
止了基板的側(cè)滑等。
優(yōu)選為，在載置臺(tái)主體具有多個(gè)凸部時(shí)，凸部的上端部與基板的背 面接觸的接觸面積相對(duì)于栽置臺(tái)主體的在階梯部?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域的面積的 比例和、空間的深度設(shè)定為，由水蒸氣施加給基板的壓力小于基板的每 單位面積的重量。另外，優(yōu)選在載置臺(tái)主體具有多個(gè)第二槽部的情況下 栽置臺(tái)主體的在階梯部?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域的除去第二槽部的面積相對(duì)于該區(qū) 域的面積的比例和、空間的深度被設(shè)定為，由水蒸氣施加給基板的壓力 小于基板的每單位面積的重量。由此可以可靠地防止基板上浮。
另外，載置臺(tái)構(gòu)造還具有可升降的引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)，該引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)能夠 進(jìn)行防止在使基板接觸載置臺(tái)主體時(shí)能產(chǎn)生的位移。由此，能夠防止在 基板與載置臺(tái)主體接觸時(shí)側(cè)滑位移。
該引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)可以與升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)被一體化，也可以與升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)分 別單獨(dú)地構(gòu)成。
另外，載置臺(tái)主體還具有對(duì)基板加熱的加熱部。
本發(fā)明的第二技術(shù)方案提供一種處理裝置，其具備可抽真空的處 理容器；為了支撐基板設(shè)置在處理容器內(nèi)的第一技術(shù)方案所記載的載置 臺(tái)構(gòu)造；向處理容器內(nèi)導(dǎo)入氣體的導(dǎo)入部。該處理裝置還具有將等離子 體發(fā)生用的電磁波向處理容器內(nèi)導(dǎo)入的電磁波導(dǎo)入部。
本發(fā)明的第三技術(shù)方案提供一種使用方法，是使用還具有電磁波導(dǎo) 入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方案的處理裝置的方法，包括支撐工序，在 使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐基板；接觸工序， 在該支撐工序后，在使引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的引導(dǎo)銷(xiāo)位于基板的外周端的外側(cè)的 同時(shí)，使升降銷(xiāo)下降而使基板接觸到載置臺(tái)構(gòu)造上；待機(jī)工序，在該接 觸工序后，待機(jī)從基板的背面產(chǎn)生的水蒸氣逃逸的規(guī)定時(shí)間；銷(xiāo)退避工 序，在該待機(jī)工序后，使升降銷(xiāo)和引導(dǎo)銷(xiāo)向下方下降；初始?xì)怏w導(dǎo)入工 序，在該銷(xiāo)退避工序后，以使載置臺(tái)構(gòu)造上的基板不會(huì)在氣流的作用下 側(cè)滑的流量從氣體導(dǎo)入部導(dǎo)入處理氣體；等離子體點(diǎn)火工序，在該初始?xì)怏w導(dǎo)入工序后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部在處理容器內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火；吸 盤(pán)接通工序，在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜電吸盤(pán)而保持基板；主 要?dú)怏w導(dǎo)入工序，在該吸盤(pán)接通工序后，向處理容器內(nèi)流動(dòng)比初始?xì)怏w 導(dǎo)入工序的流量大的預(yù)先設(shè)定的流量的處理氣體。
本發(fā)明的第四技術(shù)方案提供一種使用方法，是使用還具有電磁波導(dǎo) 入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方案的處理裝置的方法，包括支撐工序，在 使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐基板；接觸工序， 在該支撐工序后，在使引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的引導(dǎo)銷(xiāo)位于基板的外周端的外側(cè)的 同時(shí)，使升降銷(xiāo)下降而使基板接觸到載置臺(tái)構(gòu)造上；主要?dú)怏w導(dǎo)入工序， 在該接觸工序后，將處理氣體向處理容器內(nèi)流動(dòng)；等離子體點(diǎn)火工序， 在該主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部在處理容器內(nèi)對(duì)等離子體 點(diǎn)火；吸盤(pán)接通工序，在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜電吸盤(pán)而保持 基板；銷(xiāo)退避工序，至少在主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，使升降銷(xiāo)和引導(dǎo)銷(xiāo)向 下方下降。
本發(fā)明的第五技術(shù)方案提供一種使用方法，是使用還具有電磁波導(dǎo) 入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方案的處理裝置的方法，包括支撐工序，在 使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐基板；載置工序， 將基板向處理容器內(nèi)的載置臺(tái)構(gòu)造上載置；初始?xì)怏w導(dǎo)入工序，在該載 置工序后，以使載置臺(tái)構(gòu)造上的基板不會(huì)在氣流的作用下側(cè)滑的流量從 氣體導(dǎo)入部導(dǎo)入處理氣體；等離子體點(diǎn)火工序，在該初始?xì)怏w導(dǎo)入工序 后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部在處理容器內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火；吸盤(pán)接通工序， 在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜電吸盤(pán)而保持基板；主要?dú)怏w導(dǎo)入工 序，在該吸盤(pán)接通工序后，向處理容器內(nèi)流動(dòng)比初始?xì)怏w導(dǎo)入工序的流 量大的預(yù)先設(shè)定的流量的處理氣體。
本發(fā)明的第六技術(shù)方案提供一種使用方法，是使用還具有電磁波導(dǎo) 入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方案的處理裝置的方法，具有支撐工序，在 使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐基板；主要?dú)怏w導(dǎo) 入工序，在該支撐工序后，將處理氣體向處理容器內(nèi)流動(dòng)；等離子體點(diǎn) 火工序，在該主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部在上述處理容器 內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火；吸盤(pán)接通工序，在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜 電吸盤(pán)而保持上述基板；載置工序，至少在上述主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，將上述基板向處理容器內(nèi)的載置臺(tái)構(gòu)造上載置。在此的靜電吸盤(pán)可以是 單極型的靜電吸盤(pán)。
本發(fā)明的第七技術(shù)方案提供一種使用方法，是使用還具有電磁波導(dǎo)
入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方案的處理裝置的方法，具有支撐工序，在 使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用升降銷(xiāo)支撐基板；吸盤(pán)接通工序， 將靜電吸盤(pán)接通；主要?dú)怏w導(dǎo)入工序，使處理氣體向處理容器內(nèi)流動(dòng)； 等離子體點(diǎn)火工序，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部在處理容器內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火； 載置工序，至少在吸盤(pán)接通工序后，將基板向處理容器內(nèi)的載置臺(tái)構(gòu)造 上載置。在此的靜電吸盤(pán)可以是雙極型的靜電吸盤(pán)。
本發(fā)明的第八技術(shù)方案提供一種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，存儲(chǔ)使第 三技術(shù)方案的使用方法在還具有電磁波導(dǎo)入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方 案的處理裝置中執(zhí)行的程序。
本發(fā)明的第九技術(shù)方案提供一種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，存儲(chǔ)使第 四技術(shù)方案的使用方法在還具有電磁波導(dǎo)入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方 案的處理裝置中執(zhí)行的程序。
本發(fā)明的第十技術(shù)方案提供一種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，存儲(chǔ)使第 五技術(shù)方案的使用方法在還具有電磁波導(dǎo)入部的本發(fā)明的第二技術(shù)方 案的處理裝置中執(zhí)行的程序。
本發(fā)明的第十一技術(shù)方案提供一種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，存儲(chǔ)使 第六技術(shù)方案的使用方法在還具有電磁波導(dǎo)入部的本發(fā)明的第二技術(shù) 方案的處理裝置中執(zhí)行的程序。
本發(fā)明的第十二技術(shù)方案提供一種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，存儲(chǔ)使 第七技術(shù)方案的使用方法在還具有電磁波導(dǎo)入部的本發(fā)明的第二技術(shù) 方案的處理裝置中執(zhí)行的程序。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的載置臺(tái)構(gòu)造、用其的處理裝置以及該裝置 的使用方法，為了將在上述載置臺(tái)主體上載置的基板的背面周緣部暴露 于上述處理氣體中而在上述載置臺(tái)主體設(shè)置階梯部，因此能夠以從基板
ii的上表面到背面周緣部為規(guī)定的處理對(duì)象。
另外，如果在上述載置臺(tái)主體上形成有形成在使基板接觸時(shí)產(chǎn)生的 水蒸氣逃逸用的空間的多個(gè)凸部，則即使在使基板接觸到載置臺(tái)主體時(shí) 附著在基板的背面的水分變?yōu)樗魵?，該水蒸氣也?huì)擴(kuò)散在其空間內(nèi)， 所以防止了基板上浮而側(cè)滑。
而且，如果在上述載置臺(tái)構(gòu)造上設(shè)置引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)，則在使基板接觸 到載置臺(tái)主體時(shí)，防止了基板側(cè)滑位移。


圖1是表示利用微波的現(xiàn)有通常的等離子體處理裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖2是表示栽置臺(tái)構(gòu)造的現(xiàn)有的另一例的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖3 (A)及(B)是表示晶片的邊緣部中的薄膜的沉積的圖。
圖4是表示利用本發(fā)明的第一實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造的處理裝置的結(jié) 構(gòu)圖。
圖5是表示圖4所示的載置臺(tái)構(gòu)造的載置臺(tái)主體的俯視圖。
圖6 (A)至(C)表示載置臺(tái)構(gòu)造的升降銷(xiāo)和引導(dǎo)銷(xiāo)，是表示這些 的動(dòng)作的局部放大剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的方法的流程圖。
圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的方法的流程圖。
圖9 (A)以及(B)是表示階梯部的變形例的局部放大剖視圖。
圖10是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造的局部放大剖視圖。
圖11 ( A)以及(B)是表示圖10所示的載置臺(tái)構(gòu)造的載置臺(tái)主體 的俯視圖。
圖12是表示本發(fā)明的第三實(shí)施例的方法的流程圖。圖13是表示本發(fā)明的第四實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造的局部的概略圖。 圖14是表示本發(fā)明的第四實(shí)施例的方法的流程圖。 圖15是表示本發(fā)明的第五實(shí)施例的栽置臺(tái)構(gòu)造的局部的概略圖。 圖16是表示本發(fā)明的第五實(shí)施例的方法的流程圖。 附圖標(biāo)記的說(shuō)明 38邊緣部
42等離子體處理裝置(處理裝置)
44處理容器
46載置臺(tái)構(gòu)造
48支柱
50載置臺(tái)主體
52氣體導(dǎo)入部
54氣體供給噴嘴
68頂板
72電磁波導(dǎo)入部
74平面天線(xiàn)構(gòu)件
86微波發(fā)生器
92電阻加熱器(加熱部)
100靜電吸盤(pán)
106升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)
108引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)110升降銷(xiāo)
118引導(dǎo)銷(xiāo)
122階梯部
124載置凸部
126面
130控制單元
132存儲(chǔ)介質(zhì)
144凸部
146空間
146槽部
w半導(dǎo)體晶片(基板)
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式的載置臺(tái)構(gòu)造、用其的處 理裝置以及該裝置的使用方法的優(yōu)選的實(shí)施例。在后附的全部附圖中， 對(duì)于相同或者相應(yīng)的構(gòu)件或部件，標(biāo)注相同或者相應(yīng)的附圖標(biāo)記以省略 重復(fù)的說(shuō)明。另外，附圖不以表示構(gòu)件或部件間的對(duì)比為目的，因此， 具體的尺寸，應(yīng)參照下述的非限定性的實(shí)施例，由本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái) 決定。
圖4是表示利用本發(fā)明的載置臺(tái)構(gòu)造的第一實(shí)施例的處理裝置的結(jié) 構(gòu)圖，圖5是表示載置臺(tái)構(gòu)造的載置臺(tái)主體的俯視圖，圖6是表示載置 臺(tái)構(gòu)造的升降銷(xiāo)和引導(dǎo)銷(xiāo)的動(dòng)作的局部放大剖視圖。在此以利用等離子 體處理裝置作為處理裝置對(duì)薄膜進(jìn)行沉積的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。
<載置臺(tái)構(gòu)造的第一實(shí)施例>
如圖所示應(yīng)用本發(fā)明的等離子體處理裝置42具有處理容器44，該處理容器44例如側(cè)壁和底部由鋁等導(dǎo)體構(gòu)成，整體形成為筒狀、例如 圓筒狀。處理容器44的內(nèi)部為密閉的處理空間S，在該處理空間S中 生成等離子體。該處理容器44接地。
在該處理容器44內(nèi)設(shè)置有載置作為處理對(duì)象即基板的例如半導(dǎo)體 晶片W的、本發(fā)明的第一實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造46。該栽置臺(tái)構(gòu)造46 主要由從該處理容器44的底部立起的例如由絕緣性材料構(gòu)成的支柱 48、和被該支柱48的上端支撐的載置臺(tái)主體50構(gòu)成。對(duì)于該載置臺(tái)構(gòu) 造46后述。
在處理容器44的側(cè)壁，作為氣體導(dǎo)入部52，設(shè)置有由石英管制的 氣體供給噴嘴54，該氣體供給噴嘴54向處理容器44內(nèi)供給例如等離子 體形成所使用的等離子體形成氣體或應(yīng)沉積的薄膜的原料氣體等處理 氣體。在該氣體供給噴嘴54上連接包括未圖示的流量控制器的氣路， 對(duì)處理氣體進(jìn)行流量控制并供給到處理容器44內(nèi)。此外，氣體導(dǎo)入部 52可以為了單獨(dú)的氣體流動(dòng)而包括多個(gè)氣體導(dǎo)入部52，還可以例如包 括石英制的噴頭等以代替氣體供給噴嘴。
另外，在處理容器44的側(cè)壁，設(shè)置有用于向/從處理容器44的內(nèi)部 搬入/搬出晶片W的開(kāi)口 56，在該開(kāi)口 56i殳置有可開(kāi)閉的閘閥58。此 外，在處理容器44的底部設(shè)有排氣口 60，該排氣口 60連接包括真空泵 62和壓力調(diào)整閥64的排氣路66。利用這些構(gòu)件，根據(jù)需要，能夠?qū)⑻?理容器44內(nèi)維持在規(guī)定的減壓壓力下。
另外，處理容器44的上部被開(kāi)口，在此隔著O形密封圏等密封部 件70氣密地設(shè)置有例如用石英或陶乾材料等微波透射材料制作的頂板 68。該頂板68的厚度考慮到耐壓性可以i殳定成例如20mm左右。
在該頂板68的上表面?zhèn)仍O(shè)置有經(jīng)由該頂板68向處理容器44內(nèi)導(dǎo) 入等離子體產(chǎn)生用的電磁波的電磁波導(dǎo)入部72。在此將微波用作電磁 波。具體來(lái)說(shuō)，該電磁波導(dǎo)入部72具有設(shè)置在頂板68的上表面的平面 天線(xiàn)構(gòu)件74。該平面天線(xiàn)構(gòu)件74上設(shè)置有具有高介電常數(shù)特性的慢波 構(gòu)件76。該平面天線(xiàn)構(gòu)件74是覆蓋慢波構(gòu)件76的側(cè)面以及上表面的、 由導(dǎo)電性的中空?qǐng)A筒狀容器構(gòu)成的波導(dǎo)箱78的底板，隔著天線(xiàn)68，與 處理容器44內(nèi)的載置臺(tái)主體50對(duì)置。此外，該波導(dǎo)箱78以及平面天線(xiàn)構(gòu)件74接地。
波導(dǎo)箱78的上部的中心連接有同軸波導(dǎo)管80的外管80a，內(nèi)部的 內(nèi)部導(dǎo)體80b通過(guò)慢波構(gòu)件76中心的貫通孔而與平面天線(xiàn)構(gòu)件74的中 心部連接。而且，該同軸波導(dǎo)管80經(jīng)由模式轉(zhuǎn)換器82、矩形波導(dǎo)管84 以及耦合電路85而與例如2.45GHz的微波發(fā)生器86連接，向平面天線(xiàn) 構(gòu)件74傳播微波。
在此，從微波發(fā)生器86放射例如TE模式的微波，其通過(guò)模式轉(zhuǎn)換 器82被轉(zhuǎn)換為例如TEM模式并在同軸波導(dǎo)管80內(nèi)傳播，由此，模式 轉(zhuǎn)換器82配置在由矩形波導(dǎo)管84和同軸波導(dǎo)管80構(gòu)成的波導(dǎo)管的中 途。該頻率不限定在2.45GHz,也可以是其他的頻率，例如8.35GHz 等。另外，在波導(dǎo)箱78的上部設(shè)置有頂部冷卻罩88。處于波導(dǎo)箱78 內(nèi)并設(shè)置在平面天線(xiàn)構(gòu)件74的上表面的、具有高介電常數(shù)的慢波構(gòu)件 76，借助波長(zhǎng)縮短效果，將微波的管內(nèi)波長(zhǎng)變短。該慢波構(gòu)件76是由 具有低介電損耗的材料、例如鋁、石英、氮化鋁等制作的。
平面天線(xiàn)構(gòu)件74雖然根據(jù)晶片尺寸，但是在例如晶片W為8英寸 晶片時(shí)，例如由直徑為300~400mm、厚度1 ~數(shù)mm的導(dǎo)電材料構(gòu)成、 例如由表面鍍銀的銅板或鋁板構(gòu)成，且在該圓板上形成有例如具有細(xì)長(zhǎng) 的上表面形狀的貫通孔即多個(gè)狹縫卯。這些狹縫卯不限于這些，但例 如也可以配置成同心圓狀、螺旋狀或者放射狀，還可以在天線(xiàn)構(gòu)件整個(gè) 面上均勻地分布。
在此，說(shuō)明載置臺(tái)構(gòu)造46。該載置臺(tái)構(gòu)造46的載置臺(tái)主體50，其 主體由耐熱材料、例如氮化鋁等陶瓷構(gòu)成，在該陶瓷中埋入有例如薄板 狀的電阻加熱器92作為加熱部。該電阻加熱器92經(jīng)由在支柱48內(nèi)通 過(guò)的布線(xiàn)94而與加熱器電源96連接。
另外，在載置臺(tái)主體50的內(nèi)部，載置臺(tái)主體50的上表面和電阻加 熱器92之間，埋入有由例如形成為網(wǎng)眼狀的導(dǎo)體線(xiàn)層98構(gòu)成的薄的靜 電吸盤(pán)100。靜電吸盤(pán)100借助靜電力將載置于載置臺(tái)主體50上的晶片 W吸附在載置臺(tái)主體50上。該靜電吸盤(pán)100的導(dǎo)體線(xiàn)層98為了施展靜 電力經(jīng)由布線(xiàn)102而與直流電源104連接。在本實(shí)施例中，靜電吸盤(pán)100 為單極型。在該載置臺(tái)主體50設(shè)置有升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106和引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108，其中， 該升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106構(gòu)成為可升降，以便將晶片W向/從載置臺(tái)主體50 載置/抬起；該引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108為了防止在將晶片W降下到載置臺(tái)主體 50時(shí)該晶片W的位置偏移而可升降地構(gòu)成。此外，在此，引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu) 108與升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106被一體化。具體來(lái)說(shuō)，升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106也如圖5 所示，具有多個(gè)(圖示例中為3根)升降銷(xiāo)110，該多個(gè)升降銷(xiāo)110以 與比晶片W背面的中心更接近周緣部的位置對(duì)應(yīng)的方式大致等間隔地 配置，且由耐熱性材料構(gòu)成。各升降銷(xiāo)110的下端連接著圓弧狀的升降 板112。該升降板112在經(jīng)可伸縮的波紋管113貫通處理容器44的底部 設(shè)置的升降桿114的作用下可升降。此外，該升降桿114利用未圖示的 促動(dòng)器而進(jìn)行動(dòng)作。
另外，在載置臺(tái)主體50上形成有用于使升降銷(xiāo)110插通的銷(xiāo)插通孔 116。利用升降桿114的升降動(dòng)作，升降銷(xiāo)110通過(guò)插通孔116而能夠在 載置臺(tái)主體50的上表面上進(jìn)出。
另外，引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108,在此包括多個(gè)引導(dǎo)銷(xiāo)118，該多個(gè)引導(dǎo)銷(xiāo) 118由耐熱性部件構(gòu)成，配置在距各升降銷(xiāo)110規(guī)定距離的載置臺(tái)主體 50的半徑方向外方。各引導(dǎo)銷(xiāo)118的下部彎曲成例如L字形地與各升 降銷(xiāo)110連接。因此，各引導(dǎo)銷(xiāo)118與升降銷(xiāo)110—體地上下移動(dòng)。然 后，各引導(dǎo)銷(xiāo)118插通到設(shè)置在載置臺(tái)主體50的插通孔120內(nèi)，可從 載置臺(tái)主體50的上表面向上方進(jìn)出。由此，各引導(dǎo)銷(xiāo)118能夠以不與 載置在適當(dāng)?shù)奈恢蒙系木琖的邊緣部38接觸的方式，在從邊緣部38 最外端離開(kāi)微小的距離Hl的位置上下移動(dòng)。
該距離Hl相當(dāng)于晶片W的可容許的位移量，例如為0.3~lmm左 右(圖6)。為了防止晶片W的側(cè)滑，引導(dǎo)銷(xiāo)118的長(zhǎng)度優(yōu)選從升降銷(xiāo) 110的上端起長(zhǎng)于與晶片W的厚度相當(dāng)?shù)拈L(zhǎng)度。此外，各銷(xiāo)110、 118 也可以用石英或陶瓷等制作。
當(dāng)參照?qǐng)D6時(shí)，在該載置臺(tái)主體50的上表面上形成有階梯部122， 使得載置在載置臺(tái)主體50上的晶片W的背面周緣部暴露于處理氣體 中。具體來(lái)說(shuō)，在此階梯部122通過(guò)圓形的凸部124而設(shè)置，該凸部124 通過(guò)使載置晶片W的面的除去周邊部的中央部比周邊部高出規(guī)定的高 度H2地隆起(參照?qǐng)D6)而形成。因此，該凸部124的上表面成為實(shí)質(zhì)上載置晶片W的上表面126， 在將晶片W載置到載置臺(tái)主體50上時(shí)，晶片W的背面直接與凸部124 的上表面抵接。還如圖6所示，在此圓形的凸部124的半徑設(shè)定為比晶 片W的半徑稍微短長(zhǎng)度H3。因此，處理氣體會(huì)從晶片W的邊緣部(斜 面部)38向內(nèi)側(cè)迂回與該長(zhǎng)度H3相當(dāng)?shù)木嚯x，從而能夠?qū)⒕琖的 背面周緣部暴露于處理氣體中。高度H2和長(zhǎng)度H3根據(jù)需要設(shè)定，但 例如分別在1 5mm左右的范圍內(nèi)。
再次參照?qǐng)D4,如上構(gòu)成的等離子體處理裝置42的整體的動(dòng)作通過(guò) 由例如計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的控制部130控制。等離子體處理裝置42中執(zhí)行 規(guī)定動(dòng)作的計(jì)算機(jī)的程序存儲(chǔ)在軟盤(pán)、CD ( Compact Disk )、閃存、硬 盤(pán)等的存儲(chǔ)介質(zhì)132中，并從記錄介質(zhì)132被下載到控制部130的存儲(chǔ) 器。然后，根據(jù)來(lái)自該控制部130的指令，控制各處理氣體的供給和流 量控制、微波的供給和電力控制、過(guò)程溫度和過(guò)程壓力的控制、靜電吸 盤(pán)100和加熱部92的控制、升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106和引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108。
然后，針對(duì)利用如上那樣構(gòu)成的等離子體處理裝置42的、例如沉 積方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，說(shuō)明一般的流程。閘岡58打開(kāi)，晶片W經(jīng)開(kāi)口 56由輸送 臂(未圖示)輸送到處理容器44內(nèi)，到載置臺(tái)主體50的上方。當(dāng)升降
晶片W通過(guò)升降銷(xiāo)110被接收，輸送臂從處理容器44退出之后，升降 銷(xiāo)110和引導(dǎo)銷(xiāo)118降下，則晶片W被載置在載置臺(tái)主體50的上表面 126。在上表面126所載置的晶片W在規(guī)定的時(shí)刻利用靜電吸盤(pán)100而 被吸附，并被固定在上表面126。晶片W通過(guò)電阻加熱器92升溫到規(guī) 定的過(guò)程溫度，并維持在該溫度。然后，從未圖示的氣源將處理氣體、 例如作為等離子體形成氣體的氬氣或應(yīng)沉積的薄膜的原料氣體等規(guī)定 的氣體，分別以規(guī)定的流量從氣體供給噴嘴54向處理容器44內(nèi)的處理 空間S供給，通過(guò)控制壓力控制閥64將處理容器44內(nèi)維持在規(guī)定的過(guò) 程壓力。
與此同時(shí)，通過(guò)使電磁波導(dǎo)入部72的微波發(fā)生器86工作，從而由 該微波發(fā)生器86產(chǎn)生的微波經(jīng)由矩形波導(dǎo)管84和同軸波導(dǎo)管80向平 面天線(xiàn)構(gòu)件74被供給并被導(dǎo)入處理空間S。由此，在處理空間S生成
18等離子體，進(jìn)行利用等離子體的規(guī)定的沉積處理。此外，導(dǎo)入到處理空
間S的微波，因慢波構(gòu)件76而具有比由微波發(fā)生器86產(chǎn)生的微波的波 長(zhǎng)短的波長(zhǎng)。
參照?qǐng)D6以及圖7詳細(xì)說(shuō)明以上一系列的程序。圖7是表示本發(fā)明 的第一實(shí)施例的方法的流程圖。
首先，向預(yù)先被抽真空了的處理容器44內(nèi)搬入晶片W時(shí)，使升降 銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106以及引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)動(dòng)作，如圖6(A)所示地使升降銷(xiāo)110和 引導(dǎo)銷(xiāo)118上升，用升降銷(xiāo)110接收并支撐由輸送臂(未圖示)向處理 容器44內(nèi)被搬入的晶片W的支撐工序(步驟S1)。此時(shí)，引導(dǎo)銷(xiāo)118 與升降銷(xiāo)110 —體地連接，所以實(shí)質(zhì)上升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106動(dòng)作。
然后，進(jìn)行使引導(dǎo)銷(xiāo)118和升降銷(xiāo)110 —體地下降到中途，如圖6 (B)所示，在晶片W的背面接觸到載置臺(tái)主體50的上表面126上時(shí) 將各銷(xiāo)IIO、 118的工作暫時(shí)停止的接觸工序(步驟S2)。在此，載置臺(tái) 主體50由電阻加熱器92預(yù)先被加熱，設(shè)定為某一程度的溫度以上，因 此當(dāng)晶片W的背面與上表面126接觸的同時(shí)附著在晶片W的背面的水 分會(huì)急劇蒸發(fā)，在該水蒸氣從晶片W的背面與上表面126之間逃逸的 數(shù)秒期間、例如23秒期間，維持各銷(xiāo)IIO、 118的停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)行待機(jī)的 待機(jī)工序(步驟S3)。此時(shí)，產(chǎn)生的水蒸氣對(duì)晶片W施加從上表面126 上浮的作用，所以存在該晶片W稍上浮并側(cè)滑位移的情況，但在晶片 W的外側(cè)，該晶片W的邊緣部38非常接近引導(dǎo)銷(xiāo)118，即橫靠著，因 此側(cè)滑被引導(dǎo)銷(xiāo)118阻止，能夠防止晶片W的位移。
在現(xiàn)有的等離子體處理裝置中，設(shè)置有例如導(dǎo)向環(huán)15 (參照?qǐng)D1), 所以能夠防止晶片的位移，但在本發(fā)明中，由于設(shè)置了用于將晶片W 的背面周緣部暴露于處理氣體的階梯部122，所以不用設(shè)置上述這樣的 導(dǎo)向環(huán)15，而能夠代替此設(shè)置引導(dǎo)銷(xiāo)118來(lái)防止晶片W的位移。
將各銷(xiāo)110、 118停止數(shù)秒鐘后，如圖6 (C)所示，進(jìn)行使這些引 導(dǎo)銷(xiāo)118和升降銷(xiāo)110進(jìn)一步下降退避的銷(xiāo)退避工序(步驟S4 )。通過(guò) 以上的程序，將晶片W載置在上表面126上。
然后，進(jìn)行將處理氣體、詳細(xì)來(lái)說(shuō)將等離子體形成氣體以微小的流量從氣體供給噴嘴54供給的初始?xì)怏w導(dǎo)入工序(步驟S5)。該微小的 流量也可以是在氣流的作用下載置臺(tái)主體50上的晶片W不側(cè)滑的流 量。因?yàn)槿绻麖淖畛跗鹁陀写罅康臍怏w流動(dòng)，則存在在該氣流的作用下 晶片W會(huì)側(cè)滑的可能，所以為了防止這種情況，以微小的流量供給等 離子體形成氣體。此時(shí)的微小的氣體流量雖然基于處理容器44的容積， 但優(yōu)選例如在100sccm以下。
另夕卜，此時(shí)所供給的等離子體形成氣體一般利用Ar或He等稀有氣 體，但也能夠?qū)⒃蠚怏w用作等離子體形成氣體。另外該初始?xì)怏w導(dǎo)入 工序的時(shí)間為10~40秒左右。然后，在將處理容器44內(nèi)的壓力上升到 等離子體可點(diǎn)火的程度的壓力時(shí)，進(jìn)行使電磁波導(dǎo)入部72工作，將來(lái)
自微波發(fā)生器86的微波從平面天線(xiàn)構(gòu)件74向處理容器44內(nèi)導(dǎo)入并使 等離子體點(diǎn)火的等離子體點(diǎn)火工序(步驟S6)。
這樣，在等離子體點(diǎn)火之后，由于通過(guò)氣體電離產(chǎn)生的等離子體能 夠使靜電吸盤(pán)100處于工作狀態(tài)，所以然后，進(jìn)行將靜電吸盤(pán)100處于 接通的吸盤(pán)接通工序(步驟S7)。由此，晶片W通過(guò)靜電力可靠地被 保持在上表面126上。
這樣，在進(jìn)行了吸盤(pán)接通工序之后，增加處理氣體(薄膜沉積用的 原料氣體)，或者原料氣體未流動(dòng)的情況下開(kāi)始原料氣體的供給，以預(yù) 先決定的大流量即過(guò)程流量進(jìn)行供給，進(jìn)行主要?dú)怏w導(dǎo)入工序(步驟 S8)。然后，執(zhí)行規(guī)定時(shí)間的過(guò)程、即在此等離子體支援沉積處理(步 驟S9 )。
在此，也如圖6(C)所示，由于在栽置臺(tái)主體50上形成有階梯部 122,所以處理氣體、即原料氣體也環(huán)繞在晶片W的背面周緣部，其結(jié) 果，晶片W的背面周緣部被暴露在原料氣體中，如圖3 ( B )所示，能 夠使薄膜沉積到該晶片W的背面周緣部。這樣，由于為了在將晶片W栽 置在載置臺(tái)主體50上時(shí)將晶片W的背面周緣部暴露在處理氣體中而做 成了在載置臺(tái)主體50上設(shè)置有階梯部122的結(jié)構(gòu)，所以不僅晶片W的 邊緣部38，還能夠在晶片W的背面周緣部實(shí)施沉積等處理。
另外，在晶片W的外側(cè)，引導(dǎo)銷(xiāo)118非常接近該晶片W的邊緣部 38，即橫靠著的位置，所以側(cè)滑通過(guò)引導(dǎo)銷(xiāo)118被防止，能夠防止晶片w位移。
<本發(fā)明的第二實(shí)施例>
然后，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
在參照?qǐng)D7進(jìn)行說(shuō)明的方法中，進(jìn)行了在供給處理氣體時(shí)為了防止 晶片在載置臺(tái)主體50上側(cè)滑而以微小的流量供給處理氣體的初始?xì)怏w 導(dǎo)入工序，但是在該第二實(shí)施例中，通過(guò)利用引導(dǎo)銷(xiāo)118而省略了該初 始?xì)怏w導(dǎo)入工序。圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的方法的流程圖。此 外，對(duì)于與圖7所示的流程圖表示的工序同樣的工序，省略其說(shuō)明。
首先，如圖8所示，到步驟Sll的支撐工序以及步驟S12的接觸工 序?yàn)橹?，與圖7的步驟S1以及步驟S2分別相同。在進(jìn)行了接觸工序， 將晶片W如圖6 (B)所示地載置在載置臺(tái)126上后，不進(jìn)行圖7的步 驟S3的待機(jī)工序，而立即進(jìn)行以過(guò)程流量供給處理氣體的主要?dú)怏w導(dǎo) 入工序(步驟S13，與圖7中的S8相對(duì)應(yīng))。該處理氣體至少包括等離 子體形成氣體。此外，在處理氣體中，如上所述，包括等離子體形成氣 體和原料氣體，在原料氣體電離能夠生成等離子體時(shí)，也存在稀有氣體 所代表的等離子體形成氣體不流動(dòng)，而使用原料氣體作為等離子體形成 氣體的情況。
此時(shí)，即使開(kāi)始大量的處理氣體的導(dǎo)入，如圖6(B)所示，引導(dǎo)銷(xiāo) 108也橫靠在晶片W的邊緣部38的外側(cè)，所以晶片W不會(huì)側(cè)滑產(chǎn)生位 移。
然后，進(jìn)行給等離子體點(diǎn)火的等離子體點(diǎn)火工序(步驟S14、與圖 7中的S6相對(duì)應(yīng))，而且，進(jìn)行將靜電吸盤(pán)接通的吸盤(pán)接通工序，用靜 電力保持晶片W (步驟S15,與圖7中的S7相對(duì)應(yīng))。
然后，由于晶片W被保持著，所以使引導(dǎo)銷(xiāo)118和升降銷(xiāo)110進(jìn)一 步下降使各銷(xiāo)退避(步驟S16，與圖7中的S4相對(duì)應(yīng))。
然后，執(zhí)行規(guī)定時(shí)間由該等離子體進(jìn)行的薄膜的沉積過(guò)程(步驟 S17，與圖7中的S9相對(duì)應(yīng))。另外，使引導(dǎo)銷(xiāo)118和升降銷(xiāo)IIO退避 的工序如果是在主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，則由于不產(chǎn)生處理容器44內(nèi)的壓力變動(dòng)，所以晶片w不會(huì)側(cè)滑，因此至少在主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后即可。
根據(jù)該第二實(shí)施例的方法，不僅能夠發(fā)揮與先前的第一實(shí)施例的方
法同樣作用效果，還能夠省略與圖7中的步驟S3和S5對(duì)應(yīng)的各步驟， 因此能夠加快處理速度，提高生產(chǎn)能力。
<階梯部的變形例>
然后，參照?qǐng)D9說(shuō)明用于將晶片W的背面周緣部暴露于處理氣體 中的階梯部122的變形例。圖9是表示階梯部的變形例的局部放大剖視 圖。
圖4~圖6所示的載置臺(tái)構(gòu)造中的階梯部122是將載置臺(tái)主體50的 中央部側(cè)增高一截設(shè)置載置凸部124，由其端面形成階梯部122，但并 不限定于此，也可以將載置臺(tái)主體50的上表面整體設(shè)置在同一水平面 上，如圖9所示，與晶片W的邊緣部38對(duì)應(yīng)地沿栽置臺(tái)主體50的圓 周方向形成環(huán)狀的槽部140。此時(shí)，如圖9(A)所示，槽部140可以形 成為具有剖面矩形形狀，例如如圖9(B)所示，也可以形成為具有半 橢圓和半圓這樣的剖面曲線(xiàn)形狀。另外，如果是晶片W的背面周緣部 露出而暴露于處理氣體這樣的剖面形狀，則不用管槽部140的剖面形狀。
此外，在槽部140具有圖9(A)所示的剖面形狀時(shí)，槽部140的內(nèi) 周側(cè)的垂直劃分壁140a成為階梯部122。另外，在槽部140具有圖9(B) 所示的剖面形狀時(shí)，作為剖面曲線(xiàn)形狀的槽部140的一部分的內(nèi)周側(cè)的 曲面劃分壁140b成為階梯部122。此時(shí)，上述各槽部140的深度H4才艮 據(jù)在晶片W的背面周緣部中根據(jù)應(yīng)被處理的面積確定，但例如在1~ 5mm左右的范圍內(nèi)。這樣，代替先前的載置凸部124而設(shè)置了槽部140 的情況下，也能夠發(fā)揮與利用先前的本發(fā)明的第一以及第二實(shí)施例說(shuō)明 的效果同樣的效果。
此外，在圖4~圖6所示的載置臺(tái)構(gòu)造中，引導(dǎo)銷(xiāo)118接合到升降 銷(xiāo)110,引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108和升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106被合并起來(lái)，但不限于此， 也可以將引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108和升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)106分別獨(dú)立地各自設(shè)置。此時(shí)， 引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108當(dāng)然構(gòu)成為具有與升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108的升降板112、升降
22桿114、波紋管113等對(duì)應(yīng)的構(gòu)件。另外，引導(dǎo)銷(xiāo)118和升降銷(xiāo)110如 圖6所示可以同步地升降，但是在接觸工序(S2、 S12)中將引導(dǎo)銷(xiāo)118 橫靠在晶片W的邊緣部38即可(參照?qǐng)D6(B),所以在支撐工序(圖 6(A))中支撐晶片W時(shí)，引導(dǎo)銷(xiāo)118也可以處于下降了的狀態(tài)。另夕卜， 在晶片W接觸到載置臺(tái)主體50的上表面時(shí)，也可以使升降銷(xiāo)110不停 止而原樣地繼續(xù)下降。
<載置臺(tái)構(gòu)造的第二實(shí)施例>
然后，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。
圖10是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造的局部放大剖視圖， 圖11是表示載置臺(tái)構(gòu)造的載置臺(tái)主體的俯視圖。
在圖4所示的載置臺(tái)構(gòu)造中，設(shè)置具有引導(dǎo)銷(xiāo)118的引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)108 來(lái)防止晶片接觸工序中晶片W的側(cè)滑，但代替此，也可以如圖10和圖 11所示的第二實(shí)施例這樣地構(gòu)成。此外，對(duì)于與先前的第一實(shí)施例相同 或者相應(yīng)的構(gòu)成部分，標(biāo)注相同或者相應(yīng)的附圖標(biāo)記。
如圖10以及圖11 ( A)所示，在載置臺(tái)主體50的上表面上形成有 多個(gè)小的凸部144，該多個(gè)凸部144用于形成在與晶片W接觸時(shí)產(chǎn)生的 水蒸氣逃逸用的空間146。具體來(lái)說(shuō)，在此多個(gè)凸部144均等地分布在 用于形成階梯部122的載置凸部124的上表面上。晶片W在被載置成 在晶片W的背面抵接于各凸部144的上表面時(shí)，從凸部124的底部被 抬起凸部144的高度，從而在該晶片W的背面的下方形成空間146。由 此，將在晶片W接觸到加熱狀態(tài)的載置凸部124上時(shí)產(chǎn)生的水蒸氣能 夠向空間146逃逸。
此時(shí)，各凸部144的上端面和晶片W的背面直接接觸的面積相對(duì) 于載置臺(tái)主體50的上表面126的面積(若設(shè)半徑為r則7T —)的比例由 與空間146的深度之間的關(guān)系決定。若空間146的體積過(guò)小，則產(chǎn)生的 水蒸氣的蒸氣壓力變得比晶片W的重量大，因而晶片W會(huì)浮起而側(cè)滑， 所以需要增大空間146的體積來(lái)減小蒸氣壓力。為了該目的如果加深空 間146則能夠?qū)⑴c晶片W的接觸面積的比例變大。另外，為了將空間 146維持得比較淺并降低施加到晶片W的蒸氣壓力，也可以將接觸面積的比例變小。但是，若一個(gè)凸部144的上端面的面積過(guò)大，則在該凸部 144和晶片W的背面之間幾乎沒(méi)有空間，所以通過(guò)接觸產(chǎn)生的水蒸氣 (氣體)無(wú)法向空間146逃逸，該部分的壓力會(huì)變得過(guò)大而有可能使晶 片W浮起，故不優(yōu)選。因此，優(yōu)選，例如凸部144的上端面的面積小 于4mm2左右。
在此，針對(duì)晶片W和載置臺(tái)主體50的接觸面積的比例和、空間146 的深度(凸部144的高度)之間關(guān)系進(jìn)行研究。基本的想法是如下地設(shè) 定各值水分以分子級(jí)別均勻地層狀地附著在晶片背面，若該晶片與高 溫的上表面126 (凸部144)接觸，則僅接觸部分的水分立即變?yōu)樗?氣，體積膨脹而向空間146整體擴(kuò)散，此時(shí)的壓力小于晶片W的重量。
在此，如下述進(jìn)行定義。
a:晶片和凸部144的接觸面積的比例(整個(gè)面接觸的情況下為1) b:附著在晶片的背面的水分子密度(個(gè)/cm2) c:空間的深度(凸部144的高度)(cm) T:載置臺(tái)主體的溫度(1C) t:晶片的厚度(cm) p:晶片密度(g/cm3)
首先，對(duì)晶片接觸的部分的水分進(jìn)行加熱汽化，則每單位面積汽化 的量如下式所示。
每單位面積汽化的量-a x b 另一方面，每單位面積，空間146的體積如下。 空間的體積=(1-a) xc 因此，空間146產(chǎn)生的壓力P如下這樣。
P=(a x b ) .( 273+T )/((l-a) .c )]/6.02 x 1023 x 293/( 22.4 x 103 )… (atm)=1.29 x 1017 x ( a x b ) ( 273+T ) /[ (1-a ) c]…(Pa ) 另一方面，晶片的單位面積的重量W如下這樣。 W—xp腦0…(kgf/cm2)
=98.1 xt p…(Pa) 在此晶片不會(huì)上浮的條件用 W>P 來(lái)表示。
因此，能夠理解為以滿(mǎn)足上述"W〉P，，的條件的方式，對(duì)接觸面積 比例a和空間146的深度c進(jìn)行i殳定即可。此外，其他的b、 T、 t、 p 的值在設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)先設(shè)定即可。
對(duì)上述這樣求出的一例進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于各條件，設(shè)接觸面積比例a =0.05、吸附水分子密度b=1.00xl015 (個(gè)/cm2)、空間146的深度 c=0.03cm、載置臺(tái)主體的溫度T=350"C、晶片厚度t=0.075cm、晶片密 度p=2.2 (g/cm3)。在此，吸附水分子密度是經(jīng)驗(yàn)值，與在晶片背面附 著一層水分子層的情況相當(dāng)。
上述各式的計(jì)算結(jié)果為，壓力P=14.1 (Pa)、晶片的每單位面積的 重量W=16.2 (Pa)。即，此時(shí)，能夠認(rèn)為由于"W>P"所以晶片不會(huì) 上浮。此外，凸部144的剖面形狀不限于圓形，也可以是三角形或方形， 沒(méi)有特別限定。
在該第二實(shí)施例的情況下，能夠省略在晶片W接觸到載置臺(tái)主體 50上時(shí)產(chǎn)生的水蒸氣逃逸用的待機(jī)工序(圖7的S3 )等。
<本發(fā)明的第三實(shí)施例>
在此，針對(duì)利用了上述的帶有凸部144的載置臺(tái)構(gòu)造的等離子體處 理裝置的使用方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖12是表示本發(fā)明的第三實(shí)施例的流程圖。此外，在以下，對(duì)于
25與參照?qǐng)D7所示的流程圖進(jìn)行"^兌明的工序相同的工序，省略其^兌明。
首先，如圖12所示，使升降銷(xiāo)110上升接收基板W的步驟S21的 支撐工序，與圖7的步驟S1相同。以升降銷(xiāo)110接收晶片W之后，進(jìn) 行即使使升降銷(xiāo)110下降，晶片W接觸到栽置臺(tái)主體50的上表面也不 使升降銷(xiāo)110停止而原樣地使其進(jìn)一步下降退避的載置工序(步驟 S22)。即，在本實(shí)施例中不進(jìn)行待機(jī)工序。當(dāng)步驟S22結(jié)束時(shí)，晶片W 載置在載置臺(tái)主體50上。
此時(shí)，在晶片W接觸到加熱狀態(tài)的載置臺(tái)主體50時(shí)，附著在晶片 W的背面的水分蒸發(fā)而成為水蒸氣，該水蒸氣可以向通過(guò)設(shè)置在載置凸 部124的上表面的多個(gè)凸部144在晶片W的下方形成的空間146內(nèi)擴(kuò) 散逃逸。因此，即使不使用圖6中使用的引導(dǎo)銷(xiāo)118，也能夠防止晶片 W發(fā)生側(cè)滑。另外，由于沒(méi)有設(shè)置引導(dǎo)銷(xiāo)118，所以即使晶片W接觸 載置臺(tái)主體50也不使升降銷(xiāo)110停止，能夠使之原樣地下降。
這樣，若是進(jìn)行了晶片W的載置，則然后與圖7的步驟S5 S9的 各工序同樣地，進(jìn)行為了防止晶片W因氣流側(cè)滑而以微小的流量供給 處理氣體的初始?xì)怏w導(dǎo)入工序(步驟S23)，然后進(jìn)行產(chǎn)生等離子體的 等離子體點(diǎn)火工序(步驟S24)，然后進(jìn)行將靜電吸盤(pán)100接通而保持 晶片W的吸盤(pán)接通工序(步驟S25)，然后進(jìn)行將處理氣體以過(guò)程流量 供給的主要?dú)怏w導(dǎo)入工序(步驟S26)，然后進(jìn)行將過(guò)程執(zhí)行規(guī)定時(shí)間 (步驟S27 )。
在該實(shí)施例的情況下，能夠發(fā)揮與先前說(shuō)明的各實(shí)施例同樣的作用 效果自不用說(shuō)，而且由于不用進(jìn)行圖7中的步驟S3的待機(jī)工序就結(jié)束， 因此能夠提高生產(chǎn)能力。另外，由于可以取消引導(dǎo)銷(xiāo)118,所以能夠簡(jiǎn) 化裝置構(gòu)造。
此外，在實(shí)施例中設(shè)置小的凸部144來(lái)形成空間146，但不限于此， 也可以例如如圖11 (B)所示那樣，在載置凸部124的上表面形成多個(gè) 槽部148，將該槽部148內(nèi)作為空間146。此時(shí)，如圖(B)所示，槽部 148可以縱橫地呈格子狀地設(shè)置多個(gè)，也可以單是沿一個(gè)方向設(shè)置多個(gè)， 而不管其配置。此時(shí)也能夠按照上述的計(jì)算公式來(lái)設(shè)定晶片W的背面 相對(duì)于載置臺(tái)主體50接觸的面積的比例和、空間146的深度(槽部148的深度)。
另外，在該載置臺(tái)構(gòu)造的情況下，當(dāng)然能夠代替載置凸部124，而 應(yīng)用圖9所示的槽部140的構(gòu)造。
<本發(fā)明的第四實(shí)施例>
然后，對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖13是表示本發(fā)明的第四實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造的局部的概略剖 視圖，圖14是表示本發(fā)明的第四實(shí)施例的方法的流程圖。此外，以下， 對(duì)于與參照?qǐng)D7以及圖12所示的流程圖來(lái)說(shuō)明的工序相同的工序，省 略其說(shuō)明。
載置臺(tái)構(gòu)造的載置臺(tái)主體50具有電極為一個(gè)的單極型的靜電吸 盤(pán)作為靜電吸盤(pán)100。另外，如圖13所示，在載置臺(tái)主體50中，通過(guò) 載置凸部124形成有階梯部122。在本實(shí)施例中，在使晶片W接觸到載 置臺(tái)主體50之前等離子體被點(diǎn)火，并且靜電吸盤(pán)100被接通，從而在 晶片接觸時(shí)不利用引導(dǎo)銷(xiāo)地防止側(cè)滑。
首先，使升降銷(xiāo)IIO上升接收晶片W的步驟S31的支撐工序與圖 7的步驟S1相同。然后，使升降銷(xiāo)IIO下降到中途，晶片W在即將與 載置臺(tái)主體50接觸之前使升降銷(xiāo)110停止(步驟S32 )。
這樣，晶片W維持從載置臺(tái)主體50浮起的狀態(tài)，然后進(jìn)行將處 理氣體以過(guò)程流量開(kāi)始供給的主要?dú)怏w導(dǎo)入工序(步驟S33，與圖7的 S8相對(duì)應(yīng))。
然后，進(jìn)行給等離子體點(diǎn)火的點(diǎn)火工序(步驟S34，與圖7的S6 相對(duì)應(yīng))，接著進(jìn)行接通靜電吸盤(pán)的吸盤(pán)接通工序(步驟S35，與圖7 的S7相對(duì)應(yīng))。此時(shí)，如圖13所示，晶片W被升降銷(xiāo)IIO支撐。這樣 晶片W位于載置臺(tái)主體50的上方，但靜電力作用在該晶片W。
然后，進(jìn)行使升降銷(xiāo)IIO進(jìn)一步下降在中途不停止而下降到最下 部使升降銷(xiāo)110退避的載置工序(步驟S36,與圖12的S22相對(duì)應(yīng))。 由此，晶片W被載置在載置臺(tái)主體50上的同時(shí)已經(jīng)作用有靜電力，所 以晶片W在與載置臺(tái)主體50接觸的同時(shí)，通過(guò)該靜電力被保持。因此，
27即使不使用引導(dǎo)銷(xiāo)，也能夠在晶片w接觸時(shí)防止該晶片w側(cè)滑。
接下來(lái)，進(jìn)行規(guī)定的時(shí)間過(guò)程(步驟S37，與圖7的S9相對(duì)應(yīng))。 另外，即使在此時(shí)，由于只要是在主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后則處理容器44 內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生壓力變動(dòng)，所以晶片W不會(huì)側(cè)滑，由此使引導(dǎo)銷(xiāo)118和升 降銷(xiāo)110退避的工序只要至少在主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后即可。
在該實(shí)施例的情況下，不僅能夠發(fā)揮與先前的第一~第三實(shí)施例 同樣的作用效果，由于處理速度變快了比先前的第一 ~第三實(shí)施例的工 序數(shù)變少的部分，從而能夠提高生產(chǎn)能力。
另外，在該載置臺(tái)構(gòu)造的情況下，當(dāng)然也能夠代替載置凸部124， 而應(yīng)用圖9所示的槽部140的構(gòu)造。
<本發(fā)明的第五實(shí)施例>
然后，對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖15是表示本發(fā)明的第五實(shí)施例的載置臺(tái)構(gòu)造的局部的概略剖視 圖，圖16是表示本發(fā)明的第五實(shí)施例的方法的流程圖。此外，對(duì)于與 參照?qǐng)D7和圖12來(lái)說(shuō)明的工序相同的工序，省略其說(shuō)明。
本發(fā)明的載置臺(tái)構(gòu)造的載置臺(tái)主體50將具有包括電性分離的兩 個(gè)導(dǎo)體線(xiàn)層98a、 98b的雙極型的靜電吸盤(pán)作為靜電吸盤(pán)100。該靜電 吸盤(pán)100從電源104直接向這兩個(gè)導(dǎo)體線(xiàn)層98a、 98b間施加電壓，由 此在兩個(gè)導(dǎo)體線(xiàn)層98a、 98b之間產(chǎn)生電場(chǎng)，因此不用產(chǎn)生等離子體就 能夠?qū)琖作用靜電力。在本實(shí)施例中，在使晶片W接觸到載置臺(tái) 主體50之前，通過(guò)將雙極型的靜電吸盤(pán)IOO接通，在晶片接觸時(shí)不使 用引導(dǎo)銷(xiāo)就能夠防止側(cè)滑。
首先，使升降銷(xiāo)110上升接收晶片W的步驟S41的支撐工序與圖 4的步驟S1相同。然后，進(jìn)行將具有兩個(gè)導(dǎo)體線(xiàn)層98a、 98b的雙極型 的靜電吸盤(pán)IOO接通的吸盤(pán)接通工序，使電場(chǎng)產(chǎn)生在兩導(dǎo)體線(xiàn)層98a、 98b之間，由此對(duì)晶片W作用靜電力(步驟S42，與圖7的S7相對(duì)應(yīng))。 此時(shí)，如圖15所示，晶片W被升降銷(xiāo)110支撐。
然后，進(jìn)行使升降銷(xiāo)110下降在中途不停止而下降到最下部，使
28升降銷(xiāo)110退避的載置工序(步驟S43，與圖12的S22相對(duì)應(yīng))。由此， 晶片W被載置在載置臺(tái)主體50上，在接觸的同時(shí)通過(guò)靜電力被保持。
因此，即使不利用引導(dǎo)銷(xiāo)，也能夠在晶片W接觸時(shí)防止該晶片W側(cè)滑。
然后，進(jìn)行以過(guò)程流量供給處理氣體的主要?dú)怏w導(dǎo)入工序(步驟 S44，與圖7中的S8相對(duì)應(yīng))。然后，進(jìn)行對(duì)等離子體點(diǎn)火的等離子體 點(diǎn)火工序(步驟S45，與圖7中的S6相對(duì)應(yīng))，然后，進(jìn)行規(guī)定的時(shí)間 過(guò)程(步驟S46，與圖7中的S9相對(duì)應(yīng))。
在該實(shí)施例中，不僅能夠發(fā)揮與先前的第一 第三實(shí)施例同樣的 作用效果，還能夠?qū)⑻幚硭俣燃涌毂认惹暗牡谝?第三實(shí)施例工序數(shù)變 少的部分，能夠提高生產(chǎn)能力。
另外，在該載置臺(tái)構(gòu)造的情況下，也當(dāng)然能夠代替具有載置凸部 124的載置臺(tái)主體50,而利用形成有圖9所示的槽部140的栽置臺(tái)主體 50。
此外，在上述的各實(shí)施例中，以等離子體支援沉積處理為例進(jìn)行 說(shuō)明，但不限定于此，也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用在等離子體蝕刻裝置、等離 子體退火裝置等其他的等離子體處理裝置中。
另外，在上述的實(shí)施例中，針對(duì)將微波用作電磁波導(dǎo)入部72，通 過(guò)平面天線(xiàn)構(gòu)件74將其導(dǎo)入處理容器44內(nèi)的微波等離子體裝置進(jìn)行了 說(shuō)明，但微波等離子體裝置不限于此，也可以是利用帶有狹縫的波導(dǎo)管 的等離子體處理裝置、ECR ( Electron Cyclotron Resonance:電子回旋 共振)等離子體處理裝置等利用微波的等離子體處理裝置。
而且，作為電磁波導(dǎo)入部72也可以用微波以外的、例如13.56MHz 等高頻電壓使等離子體發(fā)生，作為這種裝置也可以應(yīng)用于例如平行平板 型等離子體處理裝置、ICP (Inductively Coupled Plasma:電感耦合等 離子體)型等離子體處理裝置、MERIE (Magnetically Enhanced Ion Etching:磁增強(qiáng)反應(yīng)離子蝕刻)型等離子體處理裝置。
還有另外，本發(fā)明不限定于利用使用來(lái)自電磁波導(dǎo)入部72的微波或高頻使之生成的等離子體的處理裝置，也能夠應(yīng)用于不利用等離子體
的處理裝置，例如進(jìn)行熱CVD和退火處理的熱處理裝置、清潔處理裝 置、蝕刻處理裝置等。
此時(shí)，在上述的各方法中，不需要與等離子體的點(diǎn)火相關(guān)的工序 和與靜電吸盤(pán)相關(guān)的工序，但可以設(shè)置槽部140來(lái)處理晶片W的背面 周緣部，或設(shè)置圖IO以及圖ll所示的空間146來(lái)防止晶片接觸時(shí)側(cè)滑。
另外，在此作為被處理體，例示了半導(dǎo)體晶片，但不限定于此， 也能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于玻璃基板、LCD基板、陶瓷基板等。
雖然對(duì)本發(fā)明與上述的實(shí)施方式一起進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不 限定于具體公開(kāi)的實(shí)施例，在不脫離所要求的本發(fā)明的范圍內(nèi)，能夠考 慮各種變形率和實(shí)施例。
本國(guó)際申請(qǐng)主張?jiān)?007年2月9日向日本特許廳申請(qǐng)的特許出愿 第2007-031171號(hào)的優(yōu)先權(quán)，在此引用其全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種載置臺(tái)構(gòu)造，在對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理的構(gòu)成為可抽真空的處理容器內(nèi)支撐上述基板，其特征在于，具有載置臺(tái)主體，其載置上述基板；升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)，其構(gòu)成為將上述基板降到上述載置臺(tái)主體，從上述載置臺(tái)主體抬起上述基板；階梯部，其形成于上述載置臺(tái)主體，使得載置在上述載置臺(tái)主體上的上述基板的背面周緣部暴露于被供給到上述處理容器的處理氣體中。
2. 如權(quán)利要求l所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述階梯部 是沿載置在上述載置臺(tái)主體的上述基板的外周端的第一槽部的一部分。
3. 如權(quán)利要求l所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述階梯部 通過(guò)形成在上述載置臺(tái)主體的中央部并且相對(duì)于上述載置臺(tái)主體的周 邊部隆起的隆起部形成。
4. 如權(quán)利要求l所記栽的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述載置臺(tái) 主體包括保持載置于該載置臺(tái)主體的上述基板的靜電吸盤(pán)。
5. 如權(quán)利要求l所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述載置臺(tái) 主體具有多個(gè)凸部，在上述基板的下方形成有在上述基板與該多個(gè)凸部 接觸時(shí)從上述基板的背面產(chǎn)生的水蒸氣逃逸的空間。
6. 如權(quán)利要求l所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述載置臺(tái) 主體具有多個(gè)第二槽部，在上述基板的下方形成有在上述基板與上述載置臺(tái)主體接觸時(shí)從上述基板的背面產(chǎn)生的水蒸氣逃逸的空間。
7. 如權(quán)利要求5所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述凸部的 上端部與上述基板的背面接觸的接觸面積相對(duì)于上述載置臺(tái)主體的在 上述階梯部?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域的面積的比例和、上述空間的深度設(shè)定為，由上 述水蒸氣施加給上述基板的壓力小于上述基板的每單位面積的重量。
8. 如權(quán)利要求6所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述載置臺(tái) 主體的在上述階梯部?jī)?nèi)側(cè)的區(qū)域的除去上述第二槽部的面積相對(duì)于該 區(qū)域的面積的比例和、上述空間的深度被設(shè)定為，由上述水蒸氣施加給 上述基板的壓力小于上述基板的每單位面積的重量。
9. 如權(quán)利要求l所記栽的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，還具有可升 降的引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)，該引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)防止在使上述基板接觸上述載置臺(tái)主體 時(shí)能產(chǎn)生的位移。
10. 如權(quán)利要求9所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述引導(dǎo)銷(xiāo) 機(jī)構(gòu)與上述升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)被一體化。
11. 如權(quán)利要求9所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述引導(dǎo)銷(xiāo) 機(jī)構(gòu)與上述升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)分別單獨(dú)地構(gòu)成。
12. 如權(quán)利要求l所記載的載置臺(tái)構(gòu)造，其特征在于，上述載置臺(tái) 主體還具有對(duì)上述基板加熱的加熱部。
13. —種處理裝置，其特征在于，具備 可抽真空的處理容器；為了支撐基板而設(shè)置在上述處理容器內(nèi)的、權(quán)利要求1所記載的載 置臺(tái)構(gòu)造；向上述處理容器內(nèi)導(dǎo)入氣體的氣體導(dǎo)入部。
14. 如權(quán)利要求13所記載的處理裝置，其特征在于，還具有將等 離子體發(fā)生用的電磁波向上述處理容器內(nèi)導(dǎo)入的電磁波導(dǎo)入部。
15. —種處理裝置的使用方法，是權(quán)利要求14所記載的處理裝置 的使用方法，包括支撐工序，在使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐 基板；接觸工序，在該支撐工序后，在使引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的引導(dǎo)銷(xiāo)位于上述基 板的外周端的外側(cè)的同時(shí)，使上述升降銷(xiāo)下降而使上述基板接觸到載置 臺(tái)構(gòu)造上；待機(jī)工序，在該接觸工序后，待機(jī)從上述基板的背面產(chǎn)生的水蒸氣 逃逸的規(guī)定時(shí)間；銷(xiāo)退避工序，在該待機(jī)工序后，使上述升降銷(xiāo)和上述引導(dǎo)銷(xiāo)向下方 下降；初始?xì)怏w導(dǎo)入工序，在該銷(xiāo)退避工序后，以使上述載置臺(tái)構(gòu)造上的 上述基板不會(huì)在氣流的作用下側(cè)滑的流量從氣體導(dǎo)入部導(dǎo)入處理氣體；等離子體點(diǎn)火工序，在該初始?xì)怏w導(dǎo)入工序后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部 在上述處理容器內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火；吸盤(pán)接通工序，在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜電吸盤(pán)而保持上 述基板；主要?dú)怏w導(dǎo)入工序，在該吸盤(pán)接通工序后，向上述處理容器內(nèi)流動(dòng) 比上述初始?xì)怏w導(dǎo)入工序的流量大的預(yù)先設(shè)定的流量的處理氣體。
16. —種處理裝置的使用方法，是權(quán)利要求14所記載的處理裝置 的使用方法，其特征在于，包括支撐工序，在使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐 基板；接觸工序，在該支撐工序后，在使引導(dǎo)銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的引導(dǎo)銷(xiāo)位于上述基 板的外周端的外側(cè)的同時(shí)，使上述升降銷(xiāo)下降而使上述基板接觸到載置臺(tái)構(gòu)造上；主要?dú)怏w導(dǎo)入工序，在該接觸工序后，將處理氣體向上述處理容器 內(nèi)流動(dòng)；等離子體點(diǎn)火工序，在該主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部 在上述處理容器內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火；吸盤(pán)接通工序，在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜電吸盤(pán)而保持上 述基板；銷(xiāo)退避工序，至少在上述主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，使上述升降銷(xiāo)和上 述引導(dǎo)銷(xiāo)向下方下降。
17. —種處理裝置的使用方法，是權(quán)利要求14所記載的處理裝置 的使用方法，其特征在于，包括支撐工序，在使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐 基板；栽置工序，將上述基板向處理容器內(nèi)的栽置臺(tái)構(gòu)造上載置；初始?xì)怏w導(dǎo)入工序，在該載置工序后，以使上述載置臺(tái)構(gòu)造上的上 述基板不會(huì)在氣流的作用下側(cè)滑的流量從氣體導(dǎo)入部導(dǎo)入處理氣體；等離子體點(diǎn)火工序，在該初始?xì)怏w導(dǎo)入工序后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部 在上述處理容器內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火；吸盤(pán)接通工序，在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜電吸盤(pán)而保持上 述基板；主要?dú)怏w導(dǎo)入工序，在該吸盤(pán)接通工序后，向上述處理容器內(nèi)流動(dòng) 比上述初始?xì)怏w導(dǎo)入工序的流量大的預(yù)先設(shè)定的流量的處理氣體。
18. —種處理裝置的使用方法，是權(quán)利要求14所記載的處理裝置 的使用方法，具有支撐工序，在使升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)的升降銷(xiāo)上升的位置，用該升降銷(xiāo)支撐 基板；主要?dú)怏w導(dǎo)入工序，在該支撐工序后，將處理氣體向處理容器內(nèi)流動(dòng)；等離子體點(diǎn)火工序，在該主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，通過(guò)電磁波導(dǎo)入部 在上述處理容器內(nèi)對(duì)等離子體點(diǎn)火；吸盤(pán)接通工序，在該等離子體點(diǎn)火工序后，接通靜電吸盤(pán)而保持上 述基板；載置工序，至少在上述主要?dú)怏w導(dǎo)入工序后，將上述基板向處理容 器內(nèi)的載置臺(tái)構(gòu)造上載置。
19. 如權(quán)利要求18所記載的處理裝置的使用方法，其特征在于， 上述靜電吸盤(pán)是單極型的靜電吸盤(pán)。
20. —種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，其特征在于，存儲(chǔ)使權(quán)利要求15 所記載的各工序在權(quán)利要求14所記載的處理裝置中執(zhí)行的程序。
21. —種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，其特征在于，存儲(chǔ)使權(quán)利要求16 所記載的各工序在權(quán)利要求14所記載的處理裝置中執(zhí)行的程序。
22. —種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，其特征在于，存儲(chǔ)使權(quán)利要求17 所記載的各工序在權(quán)利要求14所記載的處理裝置中執(zhí)行的程序。
23. —種計(jì)算機(jī)可讀取記錄介質(zhì)，其特征在于，存儲(chǔ)使權(quán)利要求18 所記載的各工序在權(quán)利要求14所記載的處理裝置中執(zhí)行的程序。
全文摘要
所公開(kāi)的載置臺(tái)構(gòu)造，是在對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定處理的可抽真空的處理容器內(nèi)支撐基板的載置臺(tái)構(gòu)造，該載置臺(tái)構(gòu)造具有載置臺(tái)主體，其載置基板；升降銷(xiāo)機(jī)構(gòu)，其構(gòu)成為將基板降到載置臺(tái)主體，并從載置臺(tái)抬起基板；階梯部，其形成在載置臺(tái)主體上，使得載置在載置臺(tái)主體上的基板的背面周緣部暴露于供給到處理容器中的處理氣體中。
文檔編號(hào)H01L21/205GK101606227SQ200880004230
公開(kāi)日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2008年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月9日
發(fā)明者小林保男, 川村剛平, 石橋清隆, 野沢俊久 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社